Новости Hardware

IBM и AMD «напрягают» по-своему

IBM и AMD изобрели новый способ получения «напряженного» кремния, более дешевый, быстрый и простой во внедрении. Как и первоначально предложенный вариант, основанный на внесении примесей германия, технология, получившая название «двойного напрягающего слоя» (Dual Stress Liners, DSL, не путать с таким же сокращением из области телекоммуникаций), предполагает внесение механического напряжения в структуру кремния, что приводит к улучшению характеристик построенных на его основе полупроводников, однако она устраняет многие недостатки, связанные с применением германия. Детали технологии пока не раскрываются, однако заявлено, что в техпроцессе используются только обычные для этой отрасли промышленности материалы.

Кроме относительной дешевизны технологии DSL, ее внедрение также существенно не влияет на процент выхода годных платин, плюс к этому позволяет реализовывать не только транзисторы с n-переходами, где используется «растянутая» структура напряженного кремния, но и транзисторы с p-переходами, где используется «сжатая» структура. Как заявлено, за счет этого удается достичь 24% увеличения производительности чипа. Сообщается, что, оказывается, в большей части процессоров Athlon FX, изготовленных по «старому» 130-нм техпроцессу, уже присутствует «напряженный по-новому» кремний, а в первом квартале 2005 г. IBM и AMD планируют внедрить технологию DSL и в 90-нм техпроцесс.

Тематические материалы в статьях:

- AMD Athlon 64-939;
- AMD Athlon 64: Стресс-тест.
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥