Новости Hardware

CEATEC 2014: TDK создала прототипы магниторезистивной памяти STT-MRAM

С 7 по 11 октября в Японии проходит выставка передовых технологий CEATEC 2014. Компания TDK в ходе мероприятия продемонстрирует свои передовые разработки в области технологий хранения данных.

На стенде TDK, в частности, можно будет увидеть прототипы магниторезистивной памяти с произвольным доступом STT-MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetoresistive Random-Access Memory). Память MRAM хранит информацию при помощи магнитных моментов, а технология STT предусматривает переключение с помощью переноса спина. Изделия MRAM обладают энергонезависимостью, малым временем доступа и высокой скоростью передачи данных.

Упрощенная структура ячейки MRAM памяти / Википедия

Упрощенная структура ячейки MRAM памяти / Википедия

В TDK созданы 8-мегабитные образцы чипов STT-MRAM. При их изготовлении использованы 200-миллиметровые кремниевые пластины. Предполагается, что в перспективе магниторезистивная память сможет стать альтернативой как NAND, так и DRAM. Отмечается, что TDK рассчитывает вывести технологию на коммерческий рынок в течение трёх–пяти лет.

Кроме того, TDK покажет на CEATEC 2014 головки для накопителей, использующих технологию магнитной записи с помощью нагрева. Этот метод позволяет значительно увеличить плотность хранения данных и поднять вместимость жёстких дисков.

Наконец, TDK создала высокочувствительные магнитные датчики, способные детектировать даже экстремально слабые магнитные поля. 

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥