Осенью 2016 года Micron запустит новые цеха для выпуска 3D NAND-флеш

На днях руководство компании Micron Technology провело торжественную церемонию, посвящённую старту строительства новых цехов для выпуска флеш-памяти. Речь идёт о расширении мощностей на одном из сингапурских предприятий компании. На проект уже затрачено 50 млн долларов США. Эти деньги пошли на разработку проекта и другие подготовительные работы. Начиная с сентября этого года в дело будет пущено порядка 4 млрд долларов.

Новые цеха должны заработать в период с сентября 2016 года до конца августа 2017 года (иначе говоря, в 2017 финансовом году, который на четыре месяца опережает календарный год). Что важно, на новых площадях будет установлено производственное оборудование для выпуска так называемой 3D NAND-флеш памяти, а площади запланированы там немалые — аж 23,6 тыс. квадратных метров. Компания Micron отстаёт от компании Samsung по технологичности производства NAND-флеш, поэтому ей необходимо активно догонять конкурента.

Компания Samsung, напомним, весной этого года приступила к выпуску второго поколения памяти 3D V-NAND. Даже если Micron начнёт в каком-то товарном объёме выпускать память 3D NAND осенью 2015 года, на что намекнула компания Intel, она запаздывает минимум на два года. Если же основная массовка пойдёт только осенью 2016 года (с учётом анонсированного расширения сингапурских мощностей Micron), то лаг будет просто неприличным. Компания Samsung тоже ведь не сидит на месте. Сегодня она выпускает 32-слойную 128-Гбит 3D V-NAND TLC, но собирается до конца года освоить производство 256-Гбит микросхем энергонезависимой памяти.