Новости Hardware

В Samsung создан 10-нм модуль памяти LPDDR4 ёмкостью 6 Гбайт

Компания Samsung на мероприятии Mobile Solutions Forum в Шэньчжэне (Китай) продемонстрировала передовой модуль оперативной памяти LPDDR4, предназначенный для использования в мобильных устройствах — смартфонах, фаблетах и планшетах.

Показанное изделие выполнено по 10-нанометровой технологии. Ёмкость составляет 6 Гбайт, что в настоящее время является максимумом для мобильных аппаратов.

Предполагается, что новый модуль ОЗУ будет применяться во флагманском фаблете Galaxy Note 6, анонс которого ожидается позднее в текущем году. Использование 10-нанометрового техпроцесса обеспечит повышение быстродействия и снижение энергопотребления по сравнению с памятью нынешнего поколения.

По слухам, Galaxy Note 6 получит 5,8-дюймовый дисплей формата QHD (2560 × 1440 точек). Устройство якобы будет предлагаться в версиях с чипом Exynos 8 Octa 8890 (восемь вычислительных ядер, графический контроллер ARM Mali-T880) и процессором Snapdragon 823 (четыре ядра, графический блок Adreno 530).

Среди других характеристик фаблета называются сканер для идентификации пользователей по радужной оболочке глаза, симметричный порт USB Type-C и аккумуляторная батарея ёмкостью 4000 мА·ч. В качестве программной платформы будет использоваться операционная система Android 6.0 Marshmallow. 

Источники:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥