Новости Hardware

В Китае стартовало строительство второй мегафабрики для выпуска 3D NAND

На днях компания Tsinghua Unigroup снова стала центром внимания со стороны средств массовой информации. В воскресенье в районе города Нанкин (восточный Китай) в присутствии местной и региональной партийной верхушки и руководителей города президент Tsinghua Unigroup Жао Вейгуо (Zhao Weiguo) объявил о начале строительства крупного завода для выпуска флеш-памяти 3D NAND и памяти DRAM. Это второе по счёту предприятие для выпуска 3D NAND, в которое Tsinghua инвестирует средства за последние 12 месяцев.

 Региональные партийные лидеры и руководство администрации Нанкина дают старт новой стройке (www.unigroup.com)

Региональные партийные лидеры и руководство администрации Нанкина дают старт новой стройке (www.unigroup.com)

В недавнем прошлом Tsinghua Unigroup пыталась наладить тесные контакты с компаниями Micron, SK Hynix и рядом тайваньских производителей, чтобы получить доступ к более-менее крупным партиям флеш-памяти и памяти типа DRAM. Энергонезависимая и оперативная память нужна китайской электронной промышленности во всё возрастающих количествах, тогда как основное производство памяти контролируется компаниями, на которые у Китая нет рычагов влияния. Выход в данной ситуации может быть только один: построить свои собственные заводы, благо денег на это хоть отбавляй.

 Президент Tsinghua Unigroup, Жао Вейгуо (Zhao Weiguo), говорит о перспективах (www.unigroup.com)

Президент Tsinghua Unigroup, Жао Вейгуо (Zhao Weiguo), говорит о перспективах (www.unigroup.com)

В августе прошлого года Tsinghua создала СП Yangtze River Storage Technology с компанией XMC и приступила к строительству 300-мм завода общей мощностью 300 тыс. пластин в месяц. В этот проект инвестируется около $24 млрд. Второй завод, строительство которого стартовало 12 февраля, получит инвестиции в объёме $30 млрд и ещё порядка 30 млрд юаней будет затрачено местными властями. Первая очередь линий, которая потребует инвестиций в объёме $10 млрд, сможет выпускать ежемесячно до 100 тыс. 300-мм пластин с чипами памяти NAND и DRAM.

Новый заводской комплекс под Нанкином раскинется на площади 6 км2. Кроме завода по выпуску памяти на территории нового технопарка будут построены исследовательский центр, корпуса для учебных учреждений, коммерческие заведения, здания для проживания сотрудников и другие инфраструктурные объекты, необходимые для работы одного из крупнейших в стране заводов. Добавим, в компании пока не сообщают о дате ввода предприятия в строй, но обычно на запуск первой очереди линий требуется около двух лет.

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Южнокорейская KT Corp. проведёт IPO своего облачного подразделения 8 мин.
Тайвань увеличил срок за промышленный шпионаж до 12 лет для защиты от утечки технологий в Китай 2 ч.
iFixit будет продавать почти все компоненты Steam Deck — это упростит ремонт консоли 3 ч.
Samsung выпустила чехол для наушников Galaxy Buds в стиле покебола из Pokémon 3 ч.
Новые российские спутники связи «Экспресс» приступили к работе 5 ч.
«Лунная» ракета SLS вернётся на стартовую площадку для репетиции старта миссии NASA Artemis I в начале июня 6 ч.
Корабль Boeing Starliner впервые пристыковался к МКС, но в полёте снова возникли нештатные ситуации 7 ч.
Hyundai вложит в производство электромобилей и батарей в США около $5,54 млрд 9 ч.
Власти Индонезии утверждают, что достигнута договорённость с Tesla о строительстве местного предприятия 10 ч.
США постарается догнать КНР в гонке суперкомпьютеров, но без ослабления санкций добиться этого будет труднее 15 ч.