Новости Hardware

Sony улучшила плотность и надёжность фирменной памяти ReRAM

Как мы сообщали, с 2013 года компания Sony совместно с компанией Micron разрабатывает фирменную память типа ReRAM (резистивная память со случайным доступом). Предложенная партнёрами конструкция ячейки ReRAM выглядит как одна из самых прогрессивных в индустрии, а память ReRAM сегодня не разрабатывает только ленивый.

Память RRAM Sony и Micron (структура в разрезе, изображение двух соседних ячеек)

Сравнение теоретических и полученных опытным путём рабочих характеристик 16-Гбит ReRAM Sony

Согласно обнародованной информации, образцы 27-нм 16-Гбит чипов ReRAM Sony/Micron в режиме чтения работали со скоростью до 900 Мбайт/с, а в режиме записи — до 180 Мбайт/с (речь идёт только об одной микросхеме, а не о банке памяти!). Задержки чтения не превышали 2 мкс, а задержки записи — не более 10 мкс. Но самое важное, что площадь ячейки ReRAM Sony была равна относительному значению 6F2. Меньше площадь только у ячейки памяти DRAM, значение которой равно 4F2. Это означает, что память ReRAM может быть такой же плотной, как оперативная память для ПК. До сих пор с плотностью записи у новейших видов энергонезависимой памяти было всё очень плохо. Поэтому на разработку Sony возложены определённые надежды.

Память ReRAM Sony и Micron (структура в разрезе, изображение двух соседних ячеек)

Память ReRAM Sony и Micron (структура в разрезе, изображение двух соседних ячеек)

На недавнем симпозиуме VLSI Technology 2017 компания Sony сообщила, что она улучшила ячейку ReRAM, значительно уменьшив площадь решения. Новая разработка позволяет создавать ячейку резистивной памяти такой же площади — 4F2, как и ячейка DRAM. Определённо — это рекорд. С такой площадью в стековой компоновке из двух рабочих слоёв с размещением 2000 × 2000 элементов в каждом слое и с использованием 20-нм техпроцесса можно выпускать чипы ReRAM ёмкостью 100 Гбит.

Структурная схема модернизированной ячейки ReRAM Sony

Структурная схема модернизированной ячейки ReRAM Sony

Уменьшить площадь ячейки ReRAM удалось за счёт некоторой модернизации её структуры. Так, в составе ячейки появился разделитель, отсекающий «резервуар для ионов» от электролита «источника ионов». Барьер позволяет устранить неравномерность сопротивления, создающегося в рабочем слое (предотвращает взаимную миграцию ионов меди из рабочего слоя в слой-источник). Поскольку опасность неравномерности устранена, рабочие размеры (площадь) ячейки можно уменьшить без риска потерять данные или усложнить процесс их восстановления.

Характеристики управляющего элемента и его структура после легирования бором и углеродом

Характеристики управляющего элемента и его структура после легирования бором и углеродом

Другим нововведением в технологию производства ReRAM Sony стало дополнительное легирование переключающего элемента (переключателя Овшинского на основе халькогенидных плёнок) бором и углеродом. Это дало возможность снизить напряжение переключения управляющего ячейкой памяти элемента и, соответственно, уменьшить токи утечек. Устойчивость к износу такой памяти ReRAM разработчики оценивают на фантастическом для NAND уровне — порядка 10 млн циклов стирания. О сроках перехода к массовому производству разработки, увы, не сообщается. Есть мнение, что раньше 2020 года память ReRAM в виде отдельной памяти на рынке не появится.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
Прежде чем оставить комментарий, пожалуйста, ознакомьтесь с правилами комментирования. Оставляя комментарий, вы подтверждаете ваше согласие с данными правилами и осознаете возможную ответственность за их нарушение.
Все комментарии премодерируются.
Комментарии загружаются...
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Слухи: разработка The Legend of Zelda: Breath of the Wild 2 близится к финалу, но в этом году игра не выйдет 16 мин.
Capcom в очередной раз похвасталась продажами Resident Evil 7 и Monster Hunter: World 27 мин.
Создатель Minecraft трудится над новой игрой, но разрабатывает её «в первую очередь для себя» 2 ч.
Основатель Ethereum пожертвовал на благотворительность более $1 млрд в криптовалюте 2 ч.
Ветераны Epic Games и Blizzard объединились в Lightforge Games, чтобы переосмыслить жанр ролевых игр 2 ч.
Facebook «перевезёт» цифровую валюту Diem из Швейцарии в США 2 ч.
IO Interactive наняла режиссёра Hitman: Blood Money и старшего гейм-дизайнера Cyberpunk 2077 2 ч.
Слухи: новую часть Donkey Kong взяла на себя команда разработки Super Mario Odyssey 3 ч.
Видео: благодаря моду для Resident Evil Village удалось разглядеть таинственную личность в сцене после титров 3 ч.
«Первая настоящая игра для PS5»: профильные СМИ остались под впечатлением от технической составляющей Ratchet & Clank: Rift Apart 3 ч.
Рынок серверов для HPC-систем в 2020 году вырос, несмотря на пандемию, а HPE осталась лидером рынка 14 мин.
Huawei проведёт 19 мая презентацию, на которой покажет новые смарт-часы, телевизоры и наушники 31 мин.
MediaTek представила 6-нм чип Dimensity 900 для продвинутых 5G-смартфонов среднего уровня 45 мин.
Технологии E Ink помогут в создании передовых настольных биопринтеров для печати белков и генов 48 мин.
Kioxia потратит $180 млн на расширение технопарка в Японии для передовых исследований в области флеш-памяти 54 мин.
В России разработают государственные стандарты искусственного интеллекта 2 ч.
Представлен монитор LG 34WP550-B с диагональю 34 дюйма и соотношением сторон 21:9 3 ч.
Motorola создаст по-настоящему беспроводную зарядку, передающую энергию на несколько метров 3 ч.
Южная Корея выделит на развитие своей полупроводниковой отрасли $450 млрд 3 ч.
Samsung начала подготовку к выпуску своего первого игрового смартфона 4 ч.