Новости Hardware

IMEC разработает техпроцесс для производства ReRAM компании 4DS

Среди новых и перспективных видов энергонезависимой памяти особняком стоит резистивная память с произвольным доступом или ReRAM. Предложено множество вариантов реализации ячейки ReRAM, в простейшем случае рабочий слой которой должен изменять сопротивление линейным образом в широких пределах. Условно память ReRAM можно разбить на два вида. В одном случае сопротивление ячейки меняется за счёт образования в рабочем слое токопроводящих «нитей» из ионов металлов, а во втором случае сопротивление ячейки изменяется во всём рабочем слое. Австралийская компания 4DS Memory Limited как раз предлагает второй способ. По словам разработчиков из 4DS Memory, полное переключение рабочего слоя — Interface Switching ReRAM — позволит радикально упростить контроллеры памяти за счёт уменьшения числа ошибок чтения.

Обновлённая запатентованная ячейка памяти ReRAM компании 4DS (4DS)

Обновлённая запатентованная ячейка памяти ReRAM компании 4DS (4DS)

Фактически 4DS Memory говорит о памяти без коррекции ошибок как в случае обычной оперативной DRAM без ECC. Память типа ReRAM, MRAM и другие новые варианты энергонезависимой памяти должны занять промежуточное положение между NAND и DRAM — это так называемая память storage class memory (SCM). Проще говоря, оперативная память с возможностью хранить данные без потери после отключения питания. Сложный контроллер с коррекцией ошибок чтения только ухудшит параметры памяти SCM, которая по скорости работы должна стремиться к характеристикам DRAM.

Слайд из презентации Western Digital на FMS

Слайд из презентации Western Digital на FMS

Ранее в этом году специалисты компании 4DS Memory разработали и изготовили 40-нм ячейку фирменной памяти ReRAM. Но одно дело опытное производство в условиях лаборатории, и совсем другое массовое производство. Помочь компании создать коммерческий техпроцесс выпуска ReRAM взялся бельгийский исследовательский центр IMEC. По словам представителей центра, они планируют представить 40-нм техпроцесс выпуска ReRAM на 300-мм кремниевых подложках. Что важно, для выпуска ReRAM 4DS Memory планируется использовать обычные материалы и актуальное оборудование. Сегодня в опытах с новыми типами энергонезависимой памяти используется свыше половины элементов из таблицы Менделеева. Это всё интересно, но дорого при вводе в коммерческую эксплуатацию. В разработках важен «здоровый консерватизм», как выразились в IMEC. Что же, посмотрим, как это будет реализовано на практике.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
Прежде чем оставить комментарий, пожалуйста, ознакомьтесь с правилами комментирования. Оставляя комментарий, вы подтверждаете ваше согласие с данными правилами и осознаете возможную ответственность за их нарушение.
Все комментарии премодерируются.
Комментарии загружаются...
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥