Новости Hardware

У Samsung каждый нанометр на счету: после 7 нм пойдут 6-, 5-, 4- и 3-нм техпроцессы

Сегодня компания Samsung Electronics сообщила о планах по развитию техпроцессов для выпуска полупроводников. Главным текущим достижением компания считает создание цифровых проектов опытных 3-нм чипов на основе патентованных транзисторов MBCFET. Это транзисторы с множеством горизонтальных наностраничных каналов в вертикальных FET-затворах (Multi-Bridge-Channel FET).

Эволюция транзисторов (Samsung)

Эволюция транзисторов (Samsung)

В составе альянса с IBM компания Samsung разрабатывала несколько иную технологию производства транзисторов с каналами полностью окружёнными затворами (GAA или Gate-All-Around). Каналы предполагалось делать тонкими в виде нанопроводов. Впоследствии Samsung отошла от этой схемы и запатентовала структуру транзисторов с каналами в виде наностраниц. Такая структура позволяет управлять характеристиками транзисторов за счёт манипуляции как числом страниц (каналов), так и регулируя ширину страниц. Для классической технологии FET подобный манёвр невозможен. Чтобы увеличить мощность FinFET-транзистора необходимо умножать число FET-рёбер на подложке, а это расход площади. Характеристики транзистора MBCFET можно менять в рамках одного физического затвора, для чего нужно задать ширину каналов и их количество.

Наличие цифрового проекта (taped out) опытного чипа для выпуска с использованием техпроцесса GAA позволило Samsung определить границы возможностей транзисторов MBCFET. Следует учитывать, что это пока данные компьютерного моделирования и окончательно о новом техпроцессе можно будет судить только после запуска его в массовое производство. Тем не менее, точка отсчёта есть. В компании сообщили, что переход от 7-нм техпроцесса (очевидно, первого поколения) на техпроцесс GAA обеспечит сокращение площади кристалла на 45 % и снижение потребления на 50 %. Если не экономить на потреблении, то производительность можно увеличить на 35 %. Ранее Samsung экономию и рост производительности при переходе на 3-нм техпроцесс перечисляла через запятую. Оказалось всё-таки, или одно, или другое.

Важным моментом для популяризации 3-нм техпроцесса компания считает подготовку общедоступной облачной платформы для независимых разработчиков чипов и бесфабричных компаний. В Samsung не стали прятать среду разработки, проверки проектов и библиотеки на производственных серверах. Для проектировщиков во всём мире будет доступна платформа SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem Cloud). Облачная платформа SAFE создавалась с участием таких крупнейших публичных облачных сервисов, как Amazon Web Services (AWS) и Microsoft Azure. Свои инструменты для проектирования в рамках SAFE предоставили разработчики систем проектирования компании Cadence и Synopsys. Это обещает упростить и удешевить процесс создания новых решений для техпроцессов Samsung.

Возвращаясь к 3-нм техпроцессу Samsung, добавим, компания представила первую версию пакета для разработки чипов ― 3nm GAE PDK Version 0.1. С его помощью уже сегодня можно приступить к проектированию 3-нм решений или, по крайней мере, подготовиться к встрече этого техпроцесса Samsung, когда он станет массовым.

Дальнейшие планы компания Samsung озвучивает следующим образом. Во второй половине текущего года будет запущено массовое производство чипов с использованием 6-нм техпроцесса. Тогда же завершится разработка 4-нм техпроцесса. Разработка первых продуктов Samsung с использованием 5-нм техпроцесса будет завершена нынешней осенью, с запуском в производство в первой половине следующего года. Также до конца текущего года Samsung завершит разработку техпроцесса 18FDS (18 нм на пластинах FD-SOI) и 1-Гбит чипов eMRAM. Техпроцессы от 7 нм до 3 нм будут использовать сканеры EUV с нарастающей интенсивностью, и при этом на счету будет каждый нанометр. Дальше за путь вниз каждый шаг будет делаться с боем.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
Прежде чем оставить комментарий, пожалуйста, ознакомьтесь с правилами комментирования. Оставляя комментарий, вы подтверждаете ваше согласие с данными правилами и осознаете возможную ответственность за их нарушение.
Все комментарии премодерируются.
Комментарии загружаются...
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Китайская Tencent начала сканировать лица, не давая детям получить доступ к играм со «взрослых» аккаунтов 48 мин.
Microsoft может стать крупнейшим игроком на рынке мобильных игр после покупки Activision Blizzard 8 ч.
Глава Activision Blizzard Бобби Котик покинет компанию после завершения сделки с Microsoft 8 ч.
Главы Xbox и Microsoft обратились к сотрудникам по поводу приобретения Activision Blizzard 9 ч.
Глава Activision Blizzard: сделка с Microsoft — это шаг на пути к созданию метавселенной 10 ч.
Количество подписчиков сервиса Game Pass превысило 25 млн 11 ч.
Музыкальное приключение The Artful Escape посетит новые платформы до конца января 12 ч.
Более 3 млн пользователей Steam добавило Dying Light 2 в свой список желаемого 12 ч.
Патенты Meta рассказали, как компания будет зарабатывать на метавселенной — реклама и продажа виртуальных вещей 12 ч.
Эксклюзивами Microsoft станут не все франшизы Activision Blizzard — как минимум некоторые на PlayStation останутся 13 ч.
Samsung SDI начала опытное производство аккумуляторных ячеек, близких по свойствам к типу 4680 компании Tesla 17 мин.
AT&T и Verizon организуют свободные от 5G буферные зоны вокруг аэропортов 46 мин.
Стоимость подписки на автопилот Tesla не изменилась после повышения цены самой опции 2 ч.
Появление на борту Tesla Model 3 процессоров AMD Ryzen сократило пробег без подзарядки 3 ч.
США начали проверку облачного сервиса Alibaba на предмет угрозы национальной безопасности 8 ч.
Arctic выпустила бракованную термопасту MX5 — проблемная партия отозвана, покупателям заменят товар 8 ч.
Nestle переведёт все фабрики в России на ветряную электроэнергию 8 ч.
Новая статья: Обзор PCIe 4.0-накопителя Transcend MTE240S: графеновый радиатор и богатырский ресурс 8 ч.
OneWeb снова отложила запуск услуг спутникового интернета 10 ч.
Intel Core i3-12300 стал самым быстрым 4-ядерником в Y-cruncher благодаря разгону, который формально не поддерживает 10 ч.