Оригинал материала: https://3dnews.ru/987963

Для китайской 3D NAND подготовлена вторая версия технологии Xtacking

Как сообщают китайские информационные агентства, компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) подготовила вторую версию фирменной технологии Xtacking для оптимизации производства многослойной флеш-памяти 3D NAND. Технология Xtacking, напомним, была представлена на ежегодном форуме Flash Memory Summit в августе прошлого года и даже получила награду в категории «Самый инновационный стартап в области флеш-памяти».

Награда Yangtze Memory Technologies за разработку технологии Xtracking

Награда Yangtze Memory Technologies за разработку технологии Xtracking

Конечно, называть стартапом предприятие с многомиллиардным бюджетом ― это явно недооценивать компанию, но, будем честными, YMTC пока не выпускает продукцию в массовом объёме. К массовым коммерческим поставкам 3D NAND компания перейдёт ближе к концу текущего года при запуске в производство 128-Гбит 64-слойной памяти, которая, кстати, будет поддержана той самой инновационной технологией Xtacking.

Как следует из свежих сообщений, на днях на форуме GSA Memory+ технический директор Yangtze Memory Тан Дзян (Tang Jiang) признался, что в августе будет представлена технология Xtacking 2.0. Увы, технический глава компании не поделился подробностями новой разработки, поэтому мы вынуждены ждать августа. Как показывает прошлая практика, компания хранит секрет до конца и раньше начала Flash Memory Summit 2019 мы вряд ли узнаем о Xtacking 2.0 что-то интересное.

Что касается самой технологии Xtacking, то её целью стали три момента, которые оказывают решающее влияние на производство 3D NAND и продуктов на её основе. Это скорость интерфейса чипов флеш-памяти, увеличение плотности записи и скорость вывода на рынок новых продуктов. Технология Xtacking позволяет поднять скорость обмена с массивом памяти в чипах 3D NAND с 1–1,4 Гбит/с (интерфейсы ONFi 4.1 и ToggleDDR) до 3 Гбит/с. По мере роста ёмкости чипов требования к скорости обмена будут расти, и на этом направлении китайцы надеются первыми совершить прорыв.

Для роста плотности записи есть другая преграда ― присутствие на кристалле 3D NAND не только массива памяти, но также периферийных управляющих и питающих цепей. Эти цепи отбирают у массивов памяти от 20 % до 30 % полезной площади, а у 128-Гбит чипов отберут и вовсе 50 % поверхности кристалла. В случае технологии Xtacking массив памяти выпускается на своём кристалле, а цепи управления на другом. Кристалл полностью отдаётся под ячейки памяти, а цепи управления на завершающем этапе сборки чипа присоединяются к кристаллу с памятью.

«Китайская память» 3D NAND состоит из двух отдельных кристаллов с интерфейсом и массивом памяти

«Китайская память» 3D NAND состоит из двух отдельных кристаллов с интерфейсом и массивом памяти

Раздельное производство и последующая сборка позволяют также ускорять разработку заказных чипов памяти и специальных продуктов, которые как из кубиков собираются в нужном сочетании. Подобный подход позволяет сократить разработку заказных чипов памяти на срок не менее 3 месяцев из общего времени на разработку от 12 до 18 месяцев. Большая гибкость ― выше интерес клиентов, в которых молодой китайский производитель нуждается как в воздухе.



Оригинал материала: https://3dnews.ru/987963