Новости Hardware

SK Hynix в третьем квартале провалила всё что можно

Южнокорейская компания SK Hynix опубликовала информацию о работе в третьем квартале 2019 календарного года, который закончился для неё 30 сентября. Квартальная выручка этого производителя памяти DRAM и NAND показала годовое снижение на 40  %, снижение чистой прибыли составило 89 %, падение квартальной операционной прибыли достигло 93 %, сокращение рентабельности в процентных пунктах произошло на 50 %. Возможно, всё могло оказаться хуже, но пока ― вот так. В третьем квартале возник определённый спрос на память, но он, а также снижение затрат на производство не смог компенсировать падение цен на DRAM и NAND.

В деньгах квартальная выручка SK Hynix за отчётный период составила 6,84 трлн вон ($5,8 млрд). Чистая прибыль компании за квартал равнялась 495 млрд вон ($422 млн), а квартальная операционная прибыль достигла 473 млрд вон ($403 млн). В поквартальном сравнении выручка SK Hynix выросла на 6 % по отношению ко второму кварталу, что, в действительности, отражает возвращение спроса на память, но операционная прибыль в таком же сравнении оказалась на 26 % меньше, а это низкие рыночные цены на память, которые не могут компенсировать производственные затраты производителя.

В последовательном поквартальном сравнении поставки DRAM в пересчёте на ёмкость (биты) выросла на 23 % ― сказывается рост спроса во всех нишах от производства смартфонов до ЦОД. При этом снижение средней цены продажи замедлилось и составило 16 % за квартал. Поставки NAND в отчётном квартале, что интересно, несмотря на растущий спрос снизились на 1 %. Это в компании объясняют тем, что во втором квартале было отгружено больше памяти, чем планировалось ранее. Оба этих манёвра привели к росту средней цены продажи NAND на 4 %. Во втором квартале, напомним, аварийно останавливался завод Toshiba, и SK Hynix воспользовалась этим в своих корыстных целях.

Чтобы вернуть цены на память в приемлемое для производителя русло, компания SK Hynix намерена как сократить объём инвестиций в производство памяти в следующем году, так и перевести часть линий на выпуск датчиков изображений. Так, линии по выпуску 2D NAND на заводе M10 компании в Корее будут выпускать датчики типа CIS. Но внедрению инноваций это не помешает. К концу года компания собирается довести выпуск DRAM по техпроцессу 1Ynm до 10 % и подготовиться для выпуска в следующем году памяти по техпроцессу 1Znm. В дополнение к этому SK Hynix собирается активнее выпускать передовые типы памяти в виде LPDDR5 и HBM2E.

Что касается памяти NAND, то к концу года компания увеличит долю 96-слойной 3D NAND в объёме продукции до более чем 5  % и подготовится к массовому выпуску 128-слойной 3D NAND. Значительная часть микросхем NAND идёт на собственные нужды компании. Так, выручка от продаж фирменных SSD приносит SK Hynix около 30 % продаж в сфере поставок флеш-памяти.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
Прежде чем оставить комментарий, пожалуйста, ознакомьтесь с правилами комментирования. Оставляя комментарий, вы подтверждаете ваше согласие с данными правилами и осознаете возможную ответственность за их нарушение.
Все комментарии премодерируются.
Комментарии загружаются...
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥