Новости Hardware

GlobalFoundries и сингапурский университет разрабатывают ReRAM

Компания GlobalFoundries полюбовно договорилась с TSMC о сворачивании всех патентных претензий и теперь может спокойно смотреть в будущее. Например, в сторону производства чипов со встроенной памятью ReRAM. Это ведь достойный кандидат для замены традиционной встраиваемой флеш-памяти NAND. Память ReRAM быстрее NAND, намного устойчивее к износу, не требует предварительной операции стирания и обещает дальнейшее сокращение масштаба технологических норм производства, чего не скажешь о NAND. Единственное преимущество памяти NAND ― её умеют производить много и дёшево, что может считаться только временным достоинством.

Пример условной ячейки ReRAM

Пример условной ячейки ReRAM

Как подсказывают наши коллеги с сайта AnandTech, для разработки технологии промышленного производства памяти ReRAM в качестве встраиваемых в чипы блоков компания GlobalFoundries заключила партнёрский договор с сингапурским Наньянским технологическим университетом (Nanyang Technological University) и сингапурским же инвестиционным фондом National Research Foundation. Фонд NRF обязуется в течение четырёх лет оплачивать работу университетской группы по данному проекту. Сумма договора достигает эквивалента $88 млн. Компания GlobalFoundries, со своей стороны, на основе разработки будет создавать техпроцесс для промышленного внедрения технологии производства ReRAM.

Упомянутый выше перекрёстный лицензионный договор с TSMC будет очень кстати в свете поворота GlobalFoundries к памяти ReRAM. Тайваньский контрактник несколько последних лет активно занимается темой разработки техпроцесса для выпуска встраиваемой ReRAM. Можно рассчитывать, что в только что заключённом 10-летнем договоре о перекрёстном лицензировании патентов обе стороны учли это направление.

Разнообразие планов GlobalFoundries по эксплуатации разных видов энергонезависимой памяти

Разнообразие планов GlobalFoundries по эксплуатации разных видов энергонезависимой памяти

В  то же время память ReRAM не является для GlobalFoundries исключительным направлением для поиска замены NAND. Производитель смог довести до массового производства магниторезистивную память (MRAM) и готовится выпускать блоки из этой памяти в качестве встраиваемых. Но у MRAM есть недостатки, которых нет у ReRAM. Память MRAM боится низких рабочих температур и страдает от низкой плотности записи. По этим и другим причинам она пока не стала массовой, а станет или нет ― это зависит от проницательности учёных.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме
Прежде чем оставить комментарий, пожалуйста, ознакомьтесь с правилами комментирования. Оставляя комментарий, вы подтверждаете ваше согласие с данными правилами и осознаете возможную ответственность за их нарушение.
Все комментарии премодерируются.
Комментарии загружаются...
window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥