Toshiba внедрит MRAM в жесткие и флеш-диски

На днях компания Toshiba провела корпоративное мероприятие, в рамках которого были раскрыты некоторые особенности технологии STT-MRAM. Напомним, она разрабатывается совместными силами Toshiba и Hynix Semiconductor. В своём выступлении президент предприятия Toshiba Semiconductor and Storage Products Киоси Кобаяси (Kyoshi Kobayashi) немного рассказал о перспективах внедрения MRAM-памяти в современные накопители на базе NAND и жесткие диски.

В настоящее время передовые хранилища имеют иерархическую структуру типа «SRAM-DRAM-NAND-HDD». Для серверных систем компания Toshiba планирует предложить новую архитектуру, которая предусматривает использование MRAM-микросхем на стыке DRAM и NAND. По мнению разработчиков, это позволит снизить время доступа к данным во флеш-дисках и HDD благодаря высокому быстродействию MRAM.

Учитывая проблемы, которые мешают использовать MRAM в качестве основной памяти, Toshiba планирует внедрить этот тип памяти в качестве кеша для накопителей. Также отмечается, что оборудование, необходимое для производства MRAM, не сильно отличается от уже существующего. Это позволяет надеяться, что себестоимость MRAM не будет слишком высокой.

Интересно отметить, что рынком MRAM всерьёз заинтересовалась и компания Samsung Electronics. Недавно она приобрела компанию Grandis, которая разрабатывала STT-MRAM.

Материалы по теме:

• SSD корпоративного класса от Hitachi GST на флеш-памяти MLC NAND;
• VIA VL751: новый контроллер для флеш-дисков с USB 3.0;
• Lexar Media Echo MX и ZX: "флешки" для резервного копирования.

Источник:

• Tech-On!