Новости Hardware

У новой мобильной памяти Samsung пропускная способность выше в 8 раз

Компания Samsung объявила о создании нового типа памяти для смартфонов, основанной на чипе LPDDR2 (Low Power Double Data Rate 2) RAM. Новый чип отличается заметно возросшей пропускной способностью — до 12 Гбит/с, что в 8 раз выше, чем у нынешней мобильной памяти DDR DRAM (1,6 Гбит/с).

 

 

Как пояснили в компании, такого эффекта удалось добиться благодаря 16-кратному увеличению количества контактов — с 32 до 512 единиц. Несмотря на столь значительный прирост производительности, специалистам Samsung удалось снизить в новом чипе энергопотребление на 87% (по сравнению с нынешней памятью).

Как ожидается, новый тип памяти поначалу будет реализован в чипах емкостью 1 Гбит (128 Мбайт), изготовленных с использованием 50-нм техпроцесса. Сроки их выпуска пока не озвучены. Затем, примерно к 2013 году, будет освоено производство чипов плотностью 4 Гбит (512 Мбайт) с использованием 20-нм технологии.

Материалы по теме:

Источник:

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Видео: SpaceX впервые провела огневые испытания вакуумной версии двигателя Raptor для Starship 22 мин.
Gainward представила четыре видеокарты GeForce RTX 30xx серии Phantom с заводским разгоном 28 мин.
Признаки консольного голода: Amazon предупредила клиентов, что Xbox Series X по предзаказам могут запоздать 2 ч.
Предложено решение для создания квантовой памяти в полупроводниках 7 ч.
Американские учёные создали биоэлектронное устройство для управления ростом клеток человека 8 ч.
Британские учёные разработают интеллектуальное зарядное устройство для электрических самолётов 9 ч.
ASUS наделила игровой монитор ROG Strix XG32VC портом USB Type-C и KVM-переключателем 10 ч.
G.SKILL и ASRock выпустили модули памяти Sniper X Steel Legend Edition в камуфляжном исполнении 10 ч.
Alphacool выпустила водоблоки для видеокарт ASUS и MSI серий GeForce RTX 3090/3080 10 ч.
Рынок телекоммуникационных сервисов и платного ТВ сократится в 2020 году из-за пандемии 11 ч.