На мероприятии GTC 2024 компания Nvidia показала чипы памяти GDDR7 со скоростью передачи данных 32 Гбит/с и объёмом 2 Гбайт от компании Samsung. Новая память на 33 % быстрее актуальных решений GDDR6 и GDDR6X. Благодаря этому будущие видеокарты с такими чипами памяти смогут обеспечить гораздо более высокий показатель пропускной способности.

Источник изображения: Overclock3d

Первые чипы памяти GDDR7 в составе будущих видеокарт по причинам энергоэффективности будут обеспечивать скорость передачи данных, ограниченную до 28 Гбит/с. Они будут на 17 % медленнее максимального показателя их возможной скорости, но в то же время значительно быстрее актуальных чипов памяти GDDR6 и GDDR6X, которые используются в современных графических ускорителях.

Источник изображения: HardwareLuxx

Напомним, что в рамках GTC 2024 компания Nvidia также представила новое поколение специализированных графических процессоров Blackwell для ИИ. Правда, они будут оснащаться не памятью GDDR7, а набортной высокоскоростной памятью HBM3E.

Весьма вероятно, Nvidia будет использовать микросхемы памяти GDDR7 в составе своих будущих игровых видеокарт GeForce RTX 50-й серии. По слухам, именно флагманская модель будущей серии предложит скорость памяти на уровне 28 Гбит/с на контакт.

Последние слухи также говорят в пользу того, что условная GeForce RTX 5090 получит 512-битную шину памяти. Таким образом, новинка не только предложит на 33 % более скоростную память, чем у GeForce RTX 4090, но также получит на 33 % более широкую шину памяти. Всё это совокупно может увеличить пропускную способность памяти будущей флагманской видеокарты на 77 % по сравнению с флагманом текущего поколения.

Игровой бренд T-Force компании TeamGroup представил новую серию высокоскоростных модулей памяти T-Force Xtreem ARGB DDR5. Память будет предлагаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 Гбайт (2×16 Гбайт) и 48 Гбайт (2×24 Гбайт).

Источник изображений: TeamGroup

В серии ОЗУ T-Force Xtreem ARGB DDR5 предлагаются наборы из модулей памяти DDR5-7600 с таймингами CL36-45-45-84 (комплект на 32 Гбайт) и CL36-47-47-84 (комплект на 48 Гбайт), DDR5-8000 с CL38-48-48-84 (32 Гбайт) и CL38-49-49-84 (48 Гбайт) и DDR5-8200 с таймингами CL38-49-49-84 (48 Гбайт). Для новинок заявляется рабочее напряжение в 1,4–1,45 В.

Производитель отмечает, что модули ОЗУ T-Force Xtreem ARGB DDR5 построены на основе 10-слойного текстолита с повышенной степенью защиты от помех и оснащены алюминиевыми радиаторами с толщиной стенок 2 мм. Входящий в состав модулей контроллер ARGB-подсветки поддерживает все популярные приложения по управлению подсветкой, включая ASUS Aura Sync, Gigabyte RGB Fusion 2.0, MSI Mystic Light Sync, ASRock Polychrome Sync и Biostar Advanced VIVID LED DJ.

На представленные комплекты памяти T-Force Xtreem ARGB DDR5 производитель заявляет пожизненную гарантию. О стоимости новинок не сообщается. В продаже комплекты памяти появятся к середине текущего месяца.

Компания ADATA представила новое покрытие для высокоскоростных модулей памяти, которое обеспечит снижение их температуры. Оно впервые появится в модулях DDR5-8000, выпускающихся под брендом XPG. По словам производителя, это покрытие способно снизить рабочую температуру чипов памяти на 10 %. На практике это означает снижение температуры примерно на 8,5 градусов Цельсия.

Источник изображений: ADATA

«В разгоняемых модулях памяти XPG применяется новая технология термического покрытия, которая эффективно снижает их рабочую температуру на 10 %. […] Реальные тесты показывают снижение температуры на 8,5 градусов Цельсия у разогнанных модулей ОЗУ DDR5 с технологией теплоотводящего покрытия печатной платы по сравнению со стандартной разогнанной памятью, а также повышенную эффективность рассеивания тепла на 10,8 %», — говорится в пресс-релизе ADATA.

Покрытие обеспечивает дополнительную площадь для рассеивания тепла и в сочетании с радиатором обеспечивает более эффективное охлаждение модулей памяти. ADATA планирует использовать эту технологию в своих самых скоростных модулях ОЗУ со скоростью передачи данных 8000 МТ/с и выше.

Производитель предоставил изображение, на котором показана работа нового термопокрытия на модуле памяти без установленного радиатора на фоне такого же модуля ОЗУ без радиатора и нового покрытия. Компания не уточнила скорость модуля памяти.

В пресс-релизе производителя говорится, что первые модули ОЗУ с новым термопокрытием появятся в продаже во втором квартале этого года. Ближе к выставке Computex 2024, которая состоится летом этого года, компания представит с таким же термпокрытием модули памяти из серий LANCER NEON RGB и LANCER RGB.

Компания Silicon Power объявила о старте продаж карт памяти microSDXC серии Golden High Endurance. Это решения с повышенным уровнем надёжности и высоким ресурсом перезаписи, которые разработаны специально для непрерывной работы в течение долгого времени, главным образом, в системах видеонаблюдения.

Источник изображений: Silicon Power

Карты памяти Silicon Power Golden High Endurance разработаны специально для круглосуточной работы в профессиональных и домашних камерах видеонаблюдения, автомобильных и нательных видеорегистраторах, обеспечивая качественную и безостановочную запись. Обычные карты памяти не слишком хорошо подходят для таких нагрузок, ведь регулярные перезаписи могут изрядно потрепать флеш-накопитель. Поэтому Silicon Power использует в новинках чипы флеш-памяти 3D TLC NAND высокого класса, которые обладают высокой выносливостью. Время наработки на отказ заявлено на уровне 3 млн часов.

По словам производителя, ресурс карты Golden High Endurance на 128 Гбайт рассчитан на непрерывную работу в течение более чем 24,5 тыс. часов, что соответствует без малого 3-м годам, в разрешении Full HD, а в разрешении 4К карта сможет непрерывно вести запись 13,2 тыс. часов, что соответствует 1,5 годам. За это время никаких сбоев в записи и хранении информации не произойдет. Отметим и наличие функции автоматической коррекции ошибок ECC.

Также обычные карты памяти зачастую не предназначены для работы в суровых условиях, на жаре или при высокой влажности. Карты Golden High Endurance были протестированы в суровых условиях. Данная карта устойчива к экстремальным температурам от -25 до +85 градусов Цельсия, а также ударопрочна, защищена от воды и даже от рентгеновского излучения. К тому же, производитель предоставляет на них трёхлетнюю гарантию. К слову, возможность работы в суровых условиях будет полезна не только для систем видеонаблюдения, но и, например, для экшн-камер.

Несмотря на то, что новинка обладает высокой надёжностью, производитель не забыл и о скоростных характеристиках. Максимальная скорость последовательного чтения достигает 97 Мбайт/с, а последовательной записи — 83 Мбайт/с, что и позволяет записывать видео в 4К, в том числе с высокой частотой. Также карты Golden High Endurance характеризуются скоростью случайного чтения в 1500 IOPS и случайной записи в 500 IOPS. Новинки соответствуют спецификациям UHS-I, Class 10, V30 и A1.

Карта памяти microSD Silicon Power Golden High Endurance поставляется в комплекте с адаптером SD. Новинку уже можно найти в продаже по цене около 1800 рублей.

Компания Samsung сообщила о начале поставок образцов карт памяти SD Express microSD объёмом 256 Гбайт, обладающих очень высокой скоростью чтения до 800 Мбайт/с. Кроме того, производитель заявил о начале массового выпуска карт памяти microSD объёмом до 1 Тбайт с интерфейсом UHS-1.

Источник изображения: Samsung

Samsung отмечает, что классические карты памяти microSD с интерфейсом UHS-1 в среднем обеспечивают скорость чтения 104 Мбайт/с. Для карт SD Express в свою очередь скорость последовательного чтения удалось увеличить до 985 Мбайт/с, однако в виде коммерческих продуктов такие решения были недоступны до недавнего времени.

Благодаря поддержке интерфейса PCIe 3.0 x1 новейшие карты памяти Samsung SD Express microSD способны конкурировать с SATA SSD. Их скорость последовательного чтения достигает 800 Мбайт/с, что в 1,4 раза быстрее обычных SSD с интерфейсом SATA III (до 560 Мбайт/с) и более чем в четыре раза быстрее самых производительных карт памяти с интерфейсом UHS-1 (до 200 Мбайт/с). Технология Samsung Dynamic Thermal Guard, использующаяся в новейших картах памяти Samsung SD Express microSD, отвечает за их производительность и надёжность, оптимизируя рабочую температуру при длительных нагрузках.

В свою очередь поступившие в массовое производство карты памяти Samsung SD microSD UHS-1 объёмом 1 Тбайт состоят из восьми 1-терабитных слоёв памяти типа V-NAND 8-го поколения. При производстве эти карты памяти подвергаются строгим проверкам на долговечность и получают шесть защитных функций: водостойкость, устойчивость к экстремальным температурам, падению, износу, рентгеновскому излучению, а также магнитную защиту.

В продаже новейшие карты памяти Samsung SD Express microSD объёмом 256 Гбайт со скоростью чтения до 800 Мбайт/с появятся позже в этом году. Начало поставок карт памяти Samsung SD microSD UHS-1 объёмом 1 Тбайт ожидается в течение третьего квартала 2024 года.

Новый стандарт модулей оперативной памяти CAMM2 (Compression Attached Memory Module), ориентированный в первую очередь на ноутбуки, в будущем может появиться и в настольных ПК. Об этом на выставке CES 2024 рассказали представители компании SK hynix.

Источник изображения: Wccftech

Разработчиком формата CAMM (Compression Attached Memory Module) первого поколения является компания Dell. Он создан для замены традиционных модулей памяти SO-DIMM в ноутбуках. Основным преимуществом CAMM над стандартными модулями SO-DIMM является их компактность и более высокая плотность памяти. При этом стандарт сохраняет модульность, то есть возможность обновления.

Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC недавно официально принял спецификации нового поколения модулей оперативной памяти, получивший название CAMM2. Кроме того, специально для ноутбуков был разработан формат модулей LPCAMM2. LPCAMM2 базируется на чипах LPDDR5X, но по сравнению с традиционным форматом предлагает снижение энергопотребления на 61 % и рост производительности на 71 % при выполнении основных рабочих нагрузок в тесте PCMark 10, таких как просмотр веб-страниц и видеоконференции. Экономия пространства относительно SO-DIMM составляет 64 %.

Источник изображения: Micron

На выставке CES 2024 представители компании SK Hynix сообщили, что формфактор памяти CAMM2 в перспективе появится и в составе настольных ПК. Они добавили, что разработка таких решений уже ведётся, но каких-либо деталей об этом не предоставили. Намёк на то, что память DDR5 CAMM2 со временем начнёт использоваться в ПК, был обнаружен и в пресс-релизе JEDEC, опубликованном по случаю принятия этого стандарта.

«Модули DDR5 и LPDDR5/5X CAMM2 предназначены для разных сценариев использования. Модули DDR5 CAMM2 предназначены для высокопроизводительных ноутбуков и обычных настольных компьютеров, а модули LPDDR5/5X CAMM2 [LPCAMM2, — прим. ред.] разработаны для более широкого спектра ноутбуков и определенных сегментов рынка серверов. Хотя спецификации JESD318 для CAMM2 определяет схожую конструкцию разъёма для памяти DDR5 и LPDDR5/X, важно отметить, что выводные контакты для каждого из них различаются. Намеренные различия в монтажных конструкциях модулей CAMM2 DDR5 и LPDDR5/X не позволяют устанавливать неподходящий модуль туда, где ему не место», — говорится на сайте организации JEDEC.

Переход к модулям памяти нового формфактора CAMM2 DDR5 в настольных ПК определённо ознаменует значительную эволюцию в конструкции персональных компьютеров, но в то же время потребует значительных усилий как со стороны разработчиков материнских плат, так и со стороны производителей оперативной памяти.

Актуальные модели плат для потребительских компьютеров оснащаются двумя или четырьмя разъёмами DIMM, поддерживающими установку до 256 Гбайт ОЗУ в виде модулей объёмом 64 Гбайт. Для поддержки модулей CAMM2 потребуется полностью перепроектировать всю экосистему материнских плат ПК. Такие функции, как высокоскоростной разгон памяти, настройка и поддержка профилей OC в экосистемах Intel XMP и AMD EXPO, также потребуют доработки со стороны производителей. Вся эта работа займёт огромное количество времени. Поэтому в самом ближайшем будущем переход на память формата CAMM2 в ПК ждать не стоит. К тому же, технология CAMM2 сама по себе ещё очень молодая и пока не зарекомендовала себя на рынке.

Компания Kioxia выпустила первую в мире карту памяти microSDXC максимально возможного для этого стандарта объёма — 2 Тбайт. Новинка получила название Exceria Plus G2 microSDXC 2TB. Прототип этой карты памяти производитель показывал осенью прошлого года.

Источник изображений: Kioxia

Накопитель был изготовлен с использованием фирменной флеш-памяти BiCS FLASH 3D и контроллера собственной разработки Kioxia. В составе новинки используются шестнадцать терабитных (каждый по 128 Гбайт) кристаллов флеш-памяти. И всё это уместилось в устройство толщиной всего 0,8 мм.

Карта памяти Kioxia Exceria Plus G2 microSDXC 2TB соответствует классам UHS Class 3, Application Performance Class A1 и Video Speed Class V30. Это говорит о том, что новинка обеспечивает передачу данных на скорости как минимум 30 Мбайт/с. Производитель заявляет для карты памяти максимальную скорость последовательного чтения в 100 Мбайт/с и скорость последовательной записи в 90 Мбайт/с.

В настоящий момент карта памяти Kioxia Exceria Plus G2 microSDXC 2TB доступна только на рынке Японии. Производитель также надеется в перспективе выпустить её в продажу и в других странах.

Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC официально принял новый стандарт модулей оперативной памяти для ноутбуков, получивший название CAMM2. Принятие нового стандарта модулей ОЗУ организацией JEDEC означает, что он почти наверняка будет широко использоваться в будущих ноутбуках, постепенно заменяя старый формфактор SO-DIMM, который используется в лэптопах уже более двух десятилетий.

Источник изображений: Dell

Стандарт памяти CAMM или Compression Attached Memory Module начался как проприетарная разработка компании Dell для её ноутбуков Precision 7670. Основным преимуществом CAMM над стандартными модулями SO-DIMM является их компактность и более высокая плотность памяти. По словам Dell, модули CAMM до 57 % тоньше, чем четыре планки памяти SO-DIMM, установленные в стандартные слоты. Кроме того, в формате CAMM можно создавать модули со скоростью выше 6400 МГц, что является ограничением для привычных модулей SO-DIMM.

Изначальная проприетарная природа формата CAMM делала его менее универсальным по сравнению с модулями SO-DIMM. В отличие от последних, которые выпускаются множеством производителей, Dell изначально планировала выпускать модули CAMM самостоятельно и предлагать их в качестве варианта для апгрейда. Этот вопрос удалось решить с принятием стандарта CAMM2 организацией JEDEC, которая занимается стандартизацией оперативной памяти.

Спецификации CAMM2 приняты в двух вариантах: один для памяти DDR5, другой — для энергоэффективной LPDDR5(X). Примечательно, что CAMM2 делает возможным использование LPDDR5(X) в виде съёмных модулей — пока что эту память можно встретить только в распаянном на материнские платы виде. В пресс-релизе JEDEC указано, что модули CAMM2 DDR5 предназначены для производительных ноутбуков и обычных настольных ПК. В свою очередь память CAMM2 LPDDR5/5X предназначена для более широкого спектра ноутбуков и определенных сегментов рынка серверов. Разъёмы для CAMM2 DDR5 и CAMM2 LPDDR5/5X отличаются друг от друга, поэтому планки памяти невзаимозаменяемые.

Ещё одно преимущество модулей CAMM2 над обычными SO-DIMM заключается в том, что для активации двухканального режима работы памяти CAMM2 не требуется наличие двух модулей ОЗУ. Один модуль CAMM2 может поддерживать два канала памяти, что обеспечивает большую пропускную способность памяти для CPU и встроенной графики для повышения производительности. Память SO-DIMM может поддерживать только один модуль памяти на канал. В то же время JEDEC отмечает, что также запланированы одноканальные модули памяти CAMM2. Модули CAMM2 могут выпускаться в объёмах до 128 Гбайт.

Весьма вероятно, что поначалу модули CAMM2 будут значительно дороже обычных планок SO-DIMM из-за новизны стандарта. А производителям устройств потребуется некоторое время чтобы полностью отказаться от использования привычных модулей SO-DIMM. Однако CAMM2 обладает всем необходимым потенциалом однажды стать полной заменой привычных модулей ОЗУ для ноутбуков и других мобильных устройств.

SD Association (SDA) представила обновлённую спецификацию карт памяти SD 9.1 — она предусматривает удвоение скорости передачи данных для накопителей microSD Express до 2 Гбайт/с и четыре новых класса для SD Express.

Источник изображений: SD Association

Последнее поколение карт стандарта microSD Express использует линию PCIe 4.0 x1, благодаря чему обеспечивается скорость в 1969 Мбайт/с или почти 2 Гбайт/с — предыдущая версия спецификации SD 7.1 с протоколом NVMe предлагала для карт microSD Express лишь 985 Мбайт/с. Новая версия открывает новые возможности для производителей электроники: устройства ограниченного размера, предполагающие легко заменяемое хранилище, получают накопители с производительностью уровня SSD.

Новая спецификация SD 9.1 также определяет четыре класса SD Express с минимальными гарантированными скоростями чтения и записи на уровне 150, 300, 450 и 600 Мбайт/с. Этим классам соответствуют пиктограммы, которые можно будет найти на картах стандартов SDXC, SDUC, microSDXC и microSDUC с шиной SD Express.

Стандарт SD Express, заявили в SDA, сможет обеспечить полноценную поддержку практически всех сценариев, которые предусматривают наличие высокоскоростных съёмных или полусъёмных накопителей — это оптимальное решение с учётом повсеместного принятия законов о праве на ремонт.

Спецификация NVMe обеспечивает картам SD Express управление питанием (настройки Power Management) при помощи значений Maximum Power (MP): хост-устройство устанавливает значение мощности для накопителя, у которого имеются заданные температурные пороги — за это отвечает функция Thermal Management. Хост-устройство выбирает необходимые параметры Thermal Management для карты в соответствии с целевым классом и режимом шины PCIe. Спецификация SD 9.1 определяет минимальную производительность интерфейса PCI/NVMe для карты SD Express, включая доступ до восьми потоков.

Western Digital представила ряд новых внешних носителей информации под маркой SanDisk, в том числе самую быструю в мире, как заявляет производитель, карту microSD UHS-I ёмкостью 1,5 Тбайт. Она позиционируется как оптимальный вариант для планшетов под Android, хромбуков и ноутбуков с Windows.

Источник изображений: westerndigital.com

Карта памяти SanDisk Ultra microSD UHS-I ёмкостью 1,5 Тбайт в сочетании с кардридером SanDisk MobileMate USB 3.0 предлагает скорость передачи данных до 150 Мбайт/с — на неё установлен ценник в $229,99. В этой линейке представлены версии ёмкостью от 16 Гбайт.

Производитель также предложил карту памяти SanDisk Pro-Cinema CFexpress Type B, предназначенную для профессиональной видеозаписи в разрешении 8K – она обеспечивает скорость записи не менее 1400 Мбайт/с. Карта выдерживает падение с высоты до 90 см. Модель на 320 Гбайт оценена в $399,99, а за 640 Гбайт придётся заплатить $699,99.

Ассортимент внешних накопителей пополнила также линейка карт SanDisk Outdoors 4K microSDXC UHS-I ёмкостью от 64 до 512 Гбайт. Как видно по названию, они поддерживают видеозапись в разрешении до 4K (3840 × 2160 пикселей). Карты памяти выполнены в ярко-оранжевом корпусе — это пригодится, если такой накопитель потеряется на природе; карты выдерживают экстремальные температуры от -25 °C до +85 °C и погружение в пресную или солёную воду на глубину до 1 м на срок до 72 часов. Цена составляет от $16,99 за версию на 64 Гбайт.

Наконец, бренд расширил ассортимент линеек флеш-накопителей Ultra Dual Drive Luxe и Ultra Dual Drive Go — обе предлагают разъёмы USB Type-A и Type-C и имеют одинаковый дизайн корпуса, отличаясь лишь расцветками. Доступны варианты объёмом от 32 Гбайт до 1 Тбайт; цены начинаются от $9,19 в линейке Go и от $10,79 в серии Luxe.

Micron стала первым производителем модулей памяти DDR5 объёмом 24 Гбайт и первым же их поставщиком. Компания хочет сохранить за собой лидерство «первопроходца» и готовит к массовому производству первые на рынке 32-гигабитные чипы памяти DDR5, а также модули ОЗУ большой ёмкости. Старт производства этих продуктов запланирован на первую половину следующего года.

Источник изображений: Micron

Монолитные 32-гигабитные чипы памяти DDR5 будут производиться с использованием технологического процесса 1β (1-бета), являющегося самым продвинутым у производителя, а также последним техпроцессом Micron, в котором не применяется литография в экстремальном ультрафиолете. Компания пока не готова делиться информацией о пропускной способности будущих чипов памяти.

Одним из преимуществ современных технологий производства чипов DRAM является то, что с их помощью можно создавать монолитные микросхемы очень большой ёмкости. Те же 32-гигабитные чипы DDR5 окажутся очень полезными для производства серверных модулей ОЗУ большой ёмкости. Теоретически на базе 32-гигабитных модулей DDR5 можно будет создавать модули памяти объёмом до 1 Тбайт (на основе 32 8-стектовых 32-гигабитных чипов). Правда, сама Micron такие продукты анонсировать пока не спешит. Вместо них производитель планирует выпускать модули ОЗУ DDR5 объёмом 128, 192 и 256 Гбайт.

Отсутствие в дорожной карте будущих продуктов Micron модулей памяти DDR5 объёмом 512 Гбайт и 1 Тбайт может означать, что производитель пока рассматривает такие продукты очень нишевыми. Впрочем, это не исключает возможности, что компания в какой-то степени всё же рассматривает возможность выпуска таких модулей, но доступными они будут только для избранных клиентов.

В дорожной карте Micron также указано, что компания планирует с середины 2024 года начать массовое производство 16-гигабитных и 24-гигабитных чипов памяти GDDR7 со скоростью передачи данных 32 ГТ/с (гигатрансферов в секунду). Кроме того, она работает над памятью HBMNext. Это новое поколение высокопроизводительной памяти должно обеспечить полосу пропускания от 1,5 Тбайт/с до более чем 2 Тбайт/с на стек при ёмкости от 36 до 64 Гбайт. Ранее производитель представил память HBM3 Gen2 с пропускной способностью 1,2 Тбайт/с, которая на 44 % быстрее обычной HBM3.

SK hynix доложила о запуске в мае массового производства 238-слойной памяти 4D NAND, на основе которой будут выпускаться твердотельные накопители нового поколения с более высокими скоростью и ёмкостью. Новые чипы обеспечивают передачу данных в 2400 МТ/с, закладывая основу для высокопроизводительных SSD с интерфейсом PCIe 5.0 x4 и скоростью последовательного чтения/записи 12 Гбайт/с и выше.

Источник изображения: skhynix.com

Скорость интерфейса в 2400 МТ/с является, пожалуй, ключевым показателем для 238-слойных чипов TLC NAND от SK hynix — это на 50 % быстрее интерфейса чипов предыдущего поколения, которые при 1600 МТ/с едва ли могут раскрыть потенциал PCIe 5.0 x4. На 34 % повышается экономическая эффективность компонентов в сравнении со 176-слойными аналогами: если принять, что производителю удалось обеспечить сравнимые показатели выхода годной продукции, то с 238-слойными чипами TLC NAND стоимость гигабайта снизится на те же 34 %. Помимо сокращения физических размеров готовых устройств, энергопотребление памяти нового поколения при чтении уменьшается на 21 %.

Предложенное производителем маркетинговое обозначение новых чипов как 4D NAND на самом деле означает, что в них используются технология ячейки с ловушкой заряда (Charge Trap Flash — CTF) и запатентованная производителем компоновка с переносом логики под массив ячеек (Peripheral Under Cells — PUC). Готовые продукты на 238-слойных чипах NAND дебютируют на рынке как накопители для смартфонов, после чего начнут использоваться и в других устройствах. В SK hynix добавили, что на доходы компании продукты нового поколения начнут оказывать влияние уже во второй половине года.

Western Digital решила составить конкуренцию Seagate на рынке карт расширения памяти для Xbox, официально анонсировав модели на 512 Гбайт и 1 Тбайт — они подойдут для консолей Xbox Series X/S, а цены на них составляют $79,99 и $149,99 соответственно.

Источник изображений: westerndigital.com

Новые карты были замечены на сайте одного из магазинов ещё в начале апреля, и тогда Seagate решила оперативно отреагировать на выпад конкурента, снизив цены на собственные аналоги: карта на 512 Гбайт подешевела до $89,99, а модель ёмкостью 1 Тбайт — до $149,99. Но и теперь предложение от Western Digital оказалось на $10 дешевле, чем у Seagate.

Появление второго крупного игрока на рынке накопителей для Xbox — приятная новость. Ранее карты памяти для консолей оставались дорогими, потому что их единственным производителем была Seagate, которая могла себе позволить просить за модель с 1 Тбайт все $219,99. Но даже при цене $149,99 эти накопители дешёвыми пока не назовёшь: SSD для PCIe 4.0 на тот же 1 Тбайт сейчас можно найти дешевле, чем за $100.

Возможно, часть вины за это следует возложить на Microsoft, которая установила на Xbox проприетарные разъёмы. А вот Sony сделала выбор в пользу стандартного форм-фактора M.2 2280, и владельцы PlayStation 5 могут свободно выбирать из всего ассортимента, что есть на рынке.

Компания G.Skill привезла на выставку Computex несколько новинок. Одной из них стал самый быстрый комплект оперативной памяти Trident Z5 DDR5 нестандартного объёма, состоящий из двух модулей ОЗУ объёмом по 24 Гбайт. Каждый из модулей работает на частоте 8800 МГц и обладает таймингами CL40-52-52-140. Новинки демонстрировались в составе системы с Intel Core i9-13900K и материнской платой ASUS ROG Z790 Apex.

Источник изображений: TechPowerUp

Компания также показала двухканальные комплекты DDR5-8000 общим объёмом 48 Гбайт (2 × 24 Гбайт) с таймингами CL40-48-48-128 и новые восьмиканальные комплекты памяти R-DIMM DDR5-6000 общим объёмом 384 Гбайт с таймингами CL 30-39-39-96. Последние предназначены для новейших высокопроизводительных процессоров Intel Xeon четвёртого поколения.

Для компактных систем Intel NUC производитель представил двухканальные комплекты памяти DDR5-6400 общим объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт) и таймингами CL36-42-42-102.

Платформа AMD тоже не осталась в стороне. G.Skill представила для материнских плат на чипсете AMD X670 серию памяти Trident Z5 Neo с поддержкой профилей разгона AMD EXPO. Эти комплекты будут предлагаться в объёмах до 192 Гбайт.

Среди представленных модулей ОЗУ были варианты, оснащённые радиаторами золотого и серебряного цвета — все с RGB-подсветкой.

На момент запуска серверные процессоры EPYC Genoa поддерживали конфигурацию подсистемы памяти лишь с одним модулем на канал (1DPC — DIMM Per Channel). Поддержке двух модулей DIMM на канал (2DPC), по неофициальным данным, мешала ошибка в контроллере памяти. Сегодня AMD заявила, что все процессоры EPYC Genoa вскоре получат поддержку конфигурации памяти 2DPC — компания уже направила разработчикам материнских плат соответствующие обновления для BIOS.

Источник изображения: AMD

Новые серверные процессоры AMD демонстрируют лучшую на рынке производительность и оснащены несколькими передовыми интерфейсами, в том числе 12 каналами памяти DDR5. Однако EPYC Genoa были запущены только с поддержкой памяти DDR5 в конфигурации с одним модулем DIMM на канал, то есть к каждому из двенадцати каналов памяти внутри процессора можно подключить только один модуль DDR5.

При запуске новых процессоров AMD обещала выпустить обновление ПО с поддержкой 2DPC в первом квартале 2023 года. Режим 2DPC позволяет вдвое увеличить ёмкость подсистемы памяти и немного поднять скорость её работы в определённых сценариях и конфигурациях. После появления сообщений о предполагаемой ошибке в подсистеме памяти в процессорах Genoa, некоторые аналитики предполагали, что AMD придётся произвести перезапуск производства и модернизацию уже выпущенных чипов.

Сегодня AMD официально заявила, что для поддержки 2DPC не требуется перезапуск производства или модификация чипов, необходимо только обновление BIOS. Компания уже предоставила всё необходимое для создания новых версий BIOS своим OEM-партнёрам и производителям плат. Материнские платы с достаточным количеством слотов для поддержки этой функции уже находятся на этапе проектирования.

Поддержка процессорами EPYC Genoa 12 каналов DDR5 является рекордным для процессоров с архитектурой x86. Это в полтора раза больше, чем 8 каналов у конкурирующего процессора Intel Sapphire Rapids, при этом в конфигурации 1DPC оба процессора поддерживают DDR5 с номинальной частотой 4800 МГц. Для конфигурации 2DPC Intel в своей спецификации указывает модули DDR5-4400, а AMD ещё не сообщила максимальную частоту DDR5 для режима 2DPC.

Решение AMD запустить на первом этапе EPYC Genoa без поддержки 2DPC разумно, ведь спрос на конфигурации 2DPC ожидается значительно менее высоким. Конфигурация 2DPC обычно используется для увеличения ёмкости ОЗУ при незначительном повышении производительности. Но с 12 каналами памяти в конфигурации 1DPC AMD уже может поддерживать до 3 Тбайт памяти на чип с модулями DIMM по 256 Гбайт. Поддержка 2DPC увеличивает эту ёмкость до 6 Тбайт DDR5 на процессорный сокет, но здесь на первое место выходит проблема с нехваткой места для размещения слотов памяти для 12 каналов в стандартном двухпроцессорном сервере.

Даже установка 24 слотов DIMM для конфигурации 1DPC уже создаёт множество проблем из-за нехватки места. Трудно представить удвоение количества слотов для конфигурации 2DPC — двухпроцессорный сервер потребует 48 слотов! Эксперты предполагают, что большинство конфигураций 2DPC будут использоваться в однопроцессорных серверах, либо двухсокетные серверы не будут использовать максимальное количество каналов.

Источник изображения: Tomshardware.com

Фактически, уже сейчас партнёрам AMD приходится использовать специальные «узкие» слоты памяти для материнских плат Genoa, чтобы уместить 12 слотов рядом с сокетом. AMD признала, что из-за узких слотов и других ухищрений для более плотного расположения модулей DIMM произошло несколько инцидентов с физическим повреждением слотов DIMM на материнской плате. Конечно, это не говорит о глобальной проблеме с платформой, но указывает на сложности, с которыми уже сталкивается AMD, имея «всего» 12 слотов памяти.

Кроме того, проблемы режима 2DPC выходят за рамки просто физического размещения слотов памяти. Добавление большего количества модулей DIMM на канал приводит к снижению скорости памяти, а увеличение количества каналов приводит к дальнейшему усложнению системы. Даже просто наличие дополнительных пустых слотов может приводить к снижению максимальной скорости памяти.

DDR5 по сравнению с DDR4 требует более сложных конструкций материнских плат с бóльшим количеством слоёв и более качественных материалов, что приводит к росту стоимости. Задача усложняется по мере повышения номинальной частоты модулей памяти и инсайдеры рынка предполагают, что поддержка режима 2DPC может прекратиться с началом применения памяти стандарта DDR6.