Теги → helio p20

SK Hynix анонсировала первые в мире микросхемы LPDDR4X-4266 8 Гбайт

SK Hynix официально представила первые в мире сборки памяти LPDDR4X ёмкостью 8 Гбайт для мобильных устройств следующего поколения. Новые микросхемы памяти (dynamic random access memory, DRAM) не только обладают увеличенной производительностью и сниженным энергопотреблением шины, но и отличаются уменьшенными размерами. Заинтересованные стороны уже получили образцы микросхем LPDDR4X от SK Hynix, а первые устройства на базе нового типа памяти появятся на рынке в ближайшие месяцы.

Мискросхемы SK Hynix LPDDR4X

Мискросхемы SK Hynix LPDDR4X

LPDDR4X представляет собой новый стандарт оперативной памяти для мобильных устройств, который базируется на LPDDR4, но обеспечивает снижение энергопотребление подсистемы памяти примерно на 18–20% за счёт снижения напряжение питания шины (VDDQ) до 0,6 Вольт (на 45 %). Все остальные характеристики LPDDR4 (LP4) и LPDDR4X (LP4X) идентичны: внутренняя тактовая частота микросхем 200~266 МГц, предварительная выборка 16n и т. д. Память типа LPDDR4X уже поддержана рядом разработчиков мобильных систем на кристалле (system-on-chip, SoC). Так, MediaTek Helio P20 стал первым мобильным процессором, совместимым с LP4X. Он был анонсирован примерно год назад и первые устройства на его базе появятся в первой половине 2017 года. Кроме того, новый флагманский SoC компании Qualcomm, Snapdragon 835, также поддерживает LP4X. Учитывая, что Snapdragon 835 был анонсирован в ноябре, первые устройства на его базе появятся ещё не скоро.

Основные преимущества LPDDR4X перед LPDDR4

Основные преимущества LPDDR4X перед LPDDR4

8-Гбайт (64 Гбит) сборка памяти SK Hynix LPDDR4X использует четыре микросхемы ёмкостью 16 Гбит и характеризуется скоростью передачи данных 4266 Мтрансферов/с и пиковой пропускной способностью 34,1 Гбайт/с в случае подключения к процессору с использованием 64-разрядной шины. Новые модули памяти типа LPDDR4X поставляются в корпусах FGBA размером 12 × 12,7 мм, которые на 30 % меньше корпусов LPDDR4 размером 15 × 15 мм. Сборки SK Hynix LP4X могут быть использованы как отдельно, так и в составе упаковки типа PoP (package-on-package).

Сборки микросхем SK Hynix LPDDR4X

H9HKNNNFBUMU H9HKNNNFBMMUDR H9HKNNNEBMMUER H9HKNNNEBMAUDR
Ёмкость микросхемы памяти 16 Гбит 12 Гбит
Количество микросхем памяти 4
Ёмкость сборки 8 Гбайт (64 Гбит) 6 Гбайт (48 Гбит)
Скорость передачи данных 4266 Мтрансферов/с 3733 Мтрансферов/с
Ширина шины 64 разряда 48 разрядов
Пропускная способность сборки 34,1 Гбайт/с 29,8 Гбайт/с
Упаковка FBGA FBGA-376 FBGA-366 FBGA-376
Размеры 12 мм × 12,7 мм
Напряжение питания 1,8/1,1/0,6 Вольт
Технологический процесс 21 нм
Время доступности 2017

SK Hynix не заявляет точных значений энергопотребления сборок памяти LPDDR4X, но подтверждает, что вследствие снижения напряжения питания шины на 45 % энергопотребление подсистемы памяти в целом упало на 20 % в сравнении с энергопотреблением гипотетической подсистемы памяти LPDDR4, работающей на той же тактовой частоте в одинаковых условиях. Подобное описание не слишком точно, поскольку микросхемы LPDDR4 SK Hynix поддерживают максимальную скорость передачи данных 3733 Мтрансферов/с. Если предложить, что производитель никак не оптимизировал архитектуру самих ячеек памяти у микросхем LPDDR4X по сравнению с предшественниками, но лишь снизил напряжение питания шины до 0,6 Вольта, то подсистема памяти на базе 8 Гбайт LP4X-4266 должна потреблять чуть меньше мощности, чем подсистема памяти на базе 8 Гбайт LP4-3733, но точные данные на сегодняшний день неизвестны.

SK Hynix использует свой 21-нм технологический процесс для изготовления памяти типа LPDDR4 и LPDDR4X. Таким образом, с точки зрения технологии производства, чипы SK Hynix LP4X очень похожи на своих собратьев типа LP4, а энергопотребление самих ячеек памяти идентично.

Мискросхемы SK Hynix LPDDR4X

Мискросхемы SK Hynix LPDDR4X

Первоначально SK Hynix будет предлагать исключительно модули LPDDR4X ёмкостью 8 Гбайт со скоростью передачи данных 4266 Мтрансферов/с на основе микросхем памяти 16 Гбит. Чуть позже компания расширит семейство сборками ёмкостью 6 и 8 Гбайт со скоростями 3733 Мтрансферов/с (уже присутствуют в каталоге продукции) и 3200 Мтрансферов/с. Впоследствии SK Hynix может представить модули LPDDR4X на основе 8-Гбит микросхем, однако такие планы пока упоминаются лишь в официальном блоге компании. Модули памяти LPDDR4X относительно небольшой ёмкости имеют большой потенциал на рынке, поскольку далеко не все смартфоны (и планшеты) будут оснащаться 8 Гбайт ОЗУ в этом году. По оценкам аналитиков из IHS Markit, средний телефон высокого ценового класса будет экипироваться 3,5 Гбайт оперативной памяти (имеются в виду аппараты с 2, 3, 4, 6 и 8 Гбайт памяти). При этом стоит помнить, что требования к объёму ОЗУ у Apple iOS и Google Android существенно отличаются, смартфоны на базе последней требуют больше DRAM, и Android-аппараты с 4 Гбайт оперативной памяти станут весьма распространёнными в этом году. Что касается устройств на базе iOS, то флагманские iPhone 7 и iPhone 7 Plus оснащены лишь 2 и 3 Гбайт памяти соответственно.

По заявлениям компании, производство модулей памяти LPDDR4X-4266 8 Гбайт уже началось. Мобильные устройства на базе новой памяти, как ожидается, появятся на рынке в ближайшие месяцы, и весьма вероятно, что производители могут продемонстрировать свою продукцию на основе MediaTek Helio P20 и LPDDR4X на выставке MWC уже в феврале.

Meizu M3X: смартфон в стеклянном корпусе на платформе Helio P20

Компания Meizu не ограничилась премьерой одного лишь флагмана Pro 6 Plus. В этот же день она анонсировала ещё один смартфон, который относится к более низкой ценовой категории, что, однако, не умаляет интереса к нему. На китайском рынке новинка называется Meizu Meilan X, для всего же остального мира она преподносится как Meizu M3X. Правда, пока поставлять модель за пределы Поднебесной не будут.

В плане внешности аппарат получился ближе к семейству U10/U20 этого же производителя, поскольку у него 2.5D-стеклом закрыта не только лицевая, но и задняя панель. В остальном же описывать дизайн M3X не имеет смысла — на фото видно, что перед нами типичный Meizu.

Смартфон построен на базе однокристальной системы MediaTek Helio P20 с восьмиядерным 2,3-ГГц процессором и графикой Mali-T880. Объёмы памяти варьируются: версия с 32-Гбайт встроенным накопителем поставляется с 3 Гбайт ОЗУ LPDDR4, а в 64-Гбайт варианте предлагается 4 Гбайт «оперативки».

Дисплей устройства выполнен по технологии IPS и имеет разрешение 1920 × 1080 точек при диагонали 5,5 дюйма, в результате чего его пиксельная плотность равна 403 ppi. Под экраном находится физическая «домашняя» клавиша, в которую встроен сканер отпечатка пальца.

Фотографические возможности Meizu M3X обусловлены используемым в нём модулем с 12-Мп сенсором, диафрагмой f/2,0, фазовым автофокусом и двухтоновой светодиодной вспышкой; а также фронтальной 5-Мп камерой.

Прочие спецификации Meizu M3X включают аккумулятор ёмкостью 3200 мА·ч, функцию ускоренной зарядки, беспроводные интерфейсы Wi-Fi 802.11b/g/n и Bluetooth 4.1 LE, толщину 7,4 мм, вес 165 граммов и порт USB Type-C. Новинка будет продаваться в Китае по цене от 1699 юаней ($247) в чёрном, белом, золотом и синем цветах.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥