Теги → tlc 3d nand
Быстрый переход

Micron представила скоростные SSD PCIe 4.0 на основе 176-слойных чипов флеш-памяти TLC 3D NAND

Компания Micron представила новые серии твердотельных NVMe-накопителей, которые построены с использованием 176-слойных чипов флеш-памяти TLC 3D NAND. Серия Micron 3400 представлена высокоскоростными моделями в форм-факторе M.2 2280. Серия Micron 2450 в свою очередь состоит из более доступных решений в полноразмерном форм-факторе M.2 2280, среднем M.2 2242, а также компактном M.2 2230.

Для всех новинок заявлена поддержка интерфейса PCIe 4.0 и соответствие протоколу NVMe 1.4. Накопители Micron 2450 представлены моделями объёмом от 256 Гбайт до 1 Тбайт. В состав серии Micron 3400 в свою очередь входят модели объёмом от 512 Гбайт до 2 Тбайт.

Производитель пока не делится подробными деталями о новинках. В то же время компания сообщает, что уровень пропускной способности при операциях чтения у новых накопителей в два раза выше, а записи — на 85 % выше, чем у предыдущего поколения накопителей Micron 2300. Последние предлагают скорость чтения 3300 Мбайт/с и скорость записи 1400-2700 Мбайт/с, а также производительность до 500 тыс. IOPS.

Micron также указывает, что модели Micron 3400 позиционируются для использования в составе систем, где требуется очень высокая производительность. Новинки данной серии смогут отлично себя показать в задачах, связанных с 3D-рендерингом в реальном времени, дизайне, анимации и играх. Модели Micron 2400 в свою очередь, как нельзя лучше подойдут для повседневных задач.

Также отмечается, что благодаря повышенной энергоэффективности  представленные новинки соответствуют требованиям стандарта Intel Project Athena для ноутбуков, а также стандартам AMD PSPP (PCIE Speed Power Policy) и требованиям режима Modern Standby (современный режим ожидания) Microsoft Windows.

SK Hynix выпустила тестовые образцы 176-слойной TLC 4D NAND. Это самая многослойная флеш-память в мире

Корейская компания SK Hynix использует термин «4D NAND» осознанно, но предупреждает, что он призван отражать компоновочные преимущества по сравнению с 3D NAND. В третьем поколении такая память стала 176-слойной, и разработчики контроллеров уже получили образцы 512-гигабитных чипов. Массовое производство памяти 4D NAND нового поколения начнётся в середине следующего года.

Источник изображения: SK Hynix

Источник изображения: SK Hynix

Как поясняет производитель, микросхемы TLC нового поколения сочетают технологию затвора с ловушкой заряда и компоновку с размещением периферийных цепей под массивом ячеек памяти. Впервые представленная в 2018 году в 96-слойном варианте, эта память в третьем поколении предлагает 176 слоёв. По словам SK Hynix, такая память обеспечивает самый высокий выход микросхем с одной кремниевой пластины, повышая удельную эффективность производства на 35 % по сравнению с памятью предыдущего поколения. Себестоимость производства памяти тоже снижается, что обеспечивает корейской компании преимущество по сравнению с конкурентами.

Источник изображения: SK Hynix

Источник изображения: SK Hynix

Новая память обеспечивает прирост скорости передачи информации на операциях чтения на 20 %. В середине следующего года начнётся массовое производство 176-слойных чипов памяти типа TLC 4D NAND для мобильных устройств, предельная скорость чтения у них вырастет на 70 %, записи — на 35 %. В дальнейшем подобные микросхемы памяти найдут применение в твердотельных накопителях потребительского и корпоративного классов. Следующая цель SK Hynix — выпуск терабитных микросхем TLC 4D NAND с 176-слойной компоновкой.

Компания Micron Technology в прошлом месяце сообщила о завершении разработки и начале поставок первых в мире 176-слойных микросхем памяти типа 3D NAND, поэтому можно не сомневаться, что SK Hynix столкнётся с конкуренцией с её стороны.

Toshiba RD500 и RC500: твердотельные накопители для игровых компьютеров

Компания Toshiba Memory Europe анонсировала твердотельные накопители формата M.2 NVMe в новых сериях RD500 и RC500. Представители первой позиционируются в качестве решений для производительных игровых систем, тогда как новинки второй серии подойдут скорее для рядовых пользователей и тех, кто хочет освежить свой систему, но не нуждается в максимально быстром накопителе.

Твердотельные накопители Toshiba RD500 и RC500 построены с использованием современных 96-слойных микросхем флеш-памяти TLC BiCS (TLC 3D NAND) и обладают SLC-кешем. Новинки выполнены в формате компактных модулей M.2 2280 и подключаются к системе посредством четырёх линий PCIe 3.0. Также они соответствуют спецификациям NVMe 1.3c.

Новинки серии RD500 доступны в версиях объёмом 500 Гбайт, 1 и 2 Тбайт. Они используют новый 8-канальный контроллер, который способен обеспечить им скорость последовательного чтения в 3400 Мбайт/с и скорость последовательной записи в 3200 Мбайт/с. Производительности в случайном чтении и записи (4K, QD32, T8) составляет 685 000 и 625 000 IOPS соответственно.

В свою очередь накопители Toshiba RC500 выйдут в версиях на 250 и 500 Гбайт, а также 1 Тбайт. Они получили менее продвинутый 4-канальный контроллер, который способен обеспечить скорость последовательного чтения и записи в 1700 и 1600 Мбайт/с соответственно. Скорость случайного чтения составляет 355 000 IOPS, а случайно записи — 410 000 IOPS.

Твердотельные накопители Toshiba RD500 и RC500 поступят в продажу в четвёртом квартале текущего года. Стоимость новинок пока что не уточняется.

Mushkin Source: семейство SSD для тех, кто пока не расстался с HDD

Один из старейших производителей твердотельных накопителей для потребительского рынка, компания Mushkin решила устроить взбучку конкурентам в бюджетном сегменте, выпустив 2,5-дюймовые SATA SSD с лаконичным названием Source. Новинки привлекают к себе внимание сочетанием флеш-памяти типа 3D TLC NAND и весьма демократичных расценок. Учитывая низкую стоимость, не удивительно, что они рекомендованы Mushkin как первые SSD для тех, кто до сих пор не решался купить твердотельный накопитель, экономя деньги.

Новое семейство представлено устройствами с доступным объёмом в 120, 250, 500 Гбайт и 1 Тбайт для записи данных. Первые три SSD уже начали появляться в розничных магазинах, тогда как флагманская модель пока задерживается.

По своей «начинке» Mushkin Source близки к накопителям WD Green, хотя разница в объёме и производительности свидетельствует о том, что различиями (как минимум на уровне прошивки) между ними пренебрегать не стоит. В Source используется сочетание безбуферного четырёхканального контроллера Silicon Motion SM2258, микросхем флеш-памяти 3D TLC NAND от неназванного поставщика и интерфейса SATA 6 Гбит/с.

Сравнение актуальных моделей микроконтроллеров Silicon Motion

Сравнение актуальных моделей микроконтроллеров Silicon Motion

Для ускорения работы с данными в отсутствие чипа DRAM используется технология SLC-кеширования. Помимо неё заявлены: поддержка команды TRIM, энергосберегающего режима DEVSLP, функции контроля ошибок LDPC ECC, технологий защиты данных MEDS (Mushkin Enhanced Data-protection Suite) и StaticDataRefresh.

Паспортная производительность Mushkin Source в целом превосходит показатели SSD WD Green. Слабым местом, похоже, является малое количество IOPS при считывании данных, характерное для младших моделей:

  • MKNSSDSR120GB (120 Гбайт): до 510/440 Мбайт/с (чтение/запись), до 29 000/79 000 IOPS (чтение/запись);
  • MKNSSDSR250GB (250 Гбайт): до 560/515 Мбайт/с (чтение/запись), до 54 000/81 000 IOPS (чтение/запись);
  • MKNSSDSR500GB (500 Гбайт): до 560/520 Мбайт/с (чтение/запись), до 75 000/81 000 IOPS (чтение/запись).

От терабайтного накопителя можно ожидать быстродействие уровня SSD объёмом 500 Гбайт, его стоимость пока неизвестна. Как уже было отмечено выше, Mushkin Source достаточно дёшевы. Так, за 120-Гбайт модель на amazon.com просят $38,99, за 250-Гбайт — $62,99, за 500-Гбайт — $109,99. Уверенность производителя в новых SSD подкреплена трёхлетней гарантией.

Новая статья: Третья версия Samsung 850 EVO: теперь на 64-слойной TLC 3D V-NAND

Данные берутся из публикации Третья версия Samsung 850 EVO: теперь на 64-слойной TLC 3D V-NAND

Toshiba открывает эру QLC NAND и анонсирует 96-слойную флеш-память

Несколько часов тому назад компания Western Digital анонсировала готовность дизайна фирменной 96-слойной BiCS4 3D NAND-памяти, который она разрабатывала в рамках сотрудничества с Toshiba. Естественно, аналогичный анонс должна была сделать и японская компания, ведь совместное предприятие Flash Forward, в котором пока ещё состоят Western Digital и Toshiba, предполагает не только одинаковый доступ к производственным мощностям, но и равноправное участие в разработках. Однако Toshiba решила заострить внимание на другой части проделанной работы и объявила о том, что она первой создала устройство BiCS-флеш, способное хранить по 4 бита в одной ячейке.

Иными словами, этим анонсом Toshiba решила открыть эру массовой QLC NAND — флеш-памяти, которая предлагает на треть большую плотность хранения данных по сравнению с TLC NAND за счёт способности различать не восемь, а шестнадцать различных величин заряда в каждой ячейке. Для этого разработчикам пришлось внести кардинальные изменения в применяемую электронную обвязку флеш-памяти, но судя по всему, никаких особых проблем с этим не возникло.

Созданные устройства QLC NAND основываются на фирменной 64-слойной BiCS3 3D NAND и позволяют создавать полупроводниковые ядра с ёмкостью до 768 Гбит (96 Гбайт). Как сообщает Toshiba, несмотря на неминуемое снижение надёжности, основанные на 3D QLC NAND микросхемы вполне могут применяться в твердотельных накопителях для потребительского и серверного сегмента, а также в картах памяти. Более того, пару недель назад компания уже успела разослать образцы своей новой продукции разработчикам контроллеров SSD и ведущим производителям твердотельных накопителей из числа партнёров. Поэтому в скором времени SSD на базе 3D QLC NAND вполне могут стать реальностью.

Попутно Toshiba сообщила о том, что она обладает технологий, позволяющей штабелировать полупроводниковые кристаллы 3D QLC NAND в одной микросхеме в количестве до 16 штук. Таким образом, при необходимости компания имеет возможность выпускать чипы флеш-памяти с суммарной ёмкостью до 1,5 Тбайт, что является рекордом для отрасли.

Что же касается перспективной 96-слойной памяти BiCS4 3D NAND, то она тоже анонсирована Toshiba, но пока исключительно в виде первых прототипов в варианте TLC и с ёмкостью кристаллов 256 Гбит. Как и в случае Western Digital, первые образцы такой памяти должны будут стать доступны для партнёров во второй половине года, а начало массового производства намечено на 2018-й. При этом Toshiba не отрицает возможность применения QLC-ячеек и в BiCS4-памяти, однако конкретная информация об этом появится позднее.

Как ожидается, технические подробности о QLC BiCS3 3D NAND и TLC BiCS4 3D NAND авторства Toshiba будут обнародованы в рамках конференции Flash Memory Summit, которая пройдёт с 7 по 10 августа в Санта-Кларе.

Western Digital раньше всех анонсировала 96-слойную 3D NAND

Компания Western Digital анонсировала завершение разработки очередного поколения фирменной трёхмерной флеш-памяти (3D NAND), BiCS4, которая характеризуется использованием 96 слоёв транзисторов с ловушкой заряда, расположенных по вертикальной оси. Поставки опытных образцов новой флеш-памяти партнёрам компании начнутся во второй половине текущего года, а запуск массового производства запланирован на 2018 год. Как и другие варианты BiCS-памяти, новая BiCS4 3D NAND создана Western Digital в сотрудничестве с Toshiba. Первые разработанные устройства имеют ёмкость 256 Гбит, но в дальнейшем компании планируют расширить ассортимент BiCS4 в том числе и на более высокие объёмы, вплоть до выпуска терабитного полупроводникового кристалла.

То, что Western Digital удалось собрать NAND-устройство с числом слоёв, достигающим 96, первой в отрасли, позволяет представителям компании заявлять о занятии ей лидирующих технологических позиций на рынке 3D NAND. Напомним, 64-слойная 3D NAND в настоящее время серийно выпускается всеми основными производителями флеш-памяти: Samsung, Intel, Micron, Toshiba и самой Western Digital, а компания SK Hynix готовится во второй половине года начать массовый выпуск 3D NAND с 72 слоями. Перевод же серийно выпускаемой флеш-памяти на 96- или 128-слойный дизайн запланирован всеми производителями на 2018 год, но Western Digital удалось первой объявить о готовности соответствующей технологии. Тем не менее, это отнюдь не означает, что у компании получится опередить конкурентов в сроках старта массового производства трёхмерной флеш-памяти с увеличенной плотностью хранения данных.

Впрочем, в перспективной технологии Western Digital есть и ещё одна интересная деталь. Как сказал доктор Сива Сиварам (Dr. Siva Sivaram), исполнительный вице-президент Western Digital по технологиям памяти: «BiCS4 будет доступна в двух вариантах архитектуры с 3 и 4 битами на ячейку. Сочетание наших технологических и производственных инноваций позволит предоставить наивысшие показатели вместимости для 3D NAND одновременно с высокой производительностью и надёжностью при цене, которая будет привлекательна для наших партнёров». А это значит, что в BiCS4 3D NAND компания Western Digital планирует наращивать плотность хранения данных не только технологически — за счёт увеличения числа слоёв флеш-памяти, но и логически — путём увеличения числа бит информации, хранимых в одной ячейке. Таким образом, следующий год вполне может ознаменоваться появлением реальных потребительских устройств, в которых наряду с 3D TLC NAND начнёт применяться и 3D QLC NAND, хранящая по 4 бита информации в одной ячейке.

Попутно с анонсом 96-слойной BiCS4-памяти Western Digital обозначила и свои намерения относительно текущей технологии BICS3, в рамках которой сейчас серийно выпускается 64-слойная 3D NAND. Компания ожидает, что по итогам года доля такой памяти в её поставках превзойдёт отметку в 75 %. Кроме того, планируется, что суммарные объёмы выпуска 3D NAND альянсом Western Digital и Toshiba превзойдут показатели Samsung, что позволит совместному предприятию Flash Forward стать крупнейшим производителем трёхмерной флеш-памяти.

Intel SSD 545s: первый накопитель на 64-слойной 3D TLC NAND

Компания Intel объявила о выпуске новой модели твердотельного накопителя потребительского уровня, Intel SSD 545s. Этот SSD с SATA-интерфейсом представляет собой первый массовый продукт, в котором используется новая трёхмерная 64-слойная память второго поколения производства IFMT — совместного предприятия Intel и Micron. Новаторский накопитель с сегодняшнего дня уже поступил в продажу, однако ввиду достаточно скоромных объёмов производства 64-слойной памяти его доступность пока серьёзно ограничена: приобрести Intel SSD 545s можно исключительно в американском магазине Newegg.com, причём продаваться там в первое время будет единственный вариант — 2,5-дюймовый SSD ёмкостью 512 Гбайт.

На рынке потребительских твердотельных накопителей компания Intel в последнее время придерживалась несколько своеобразной стратегии, делая основной упор на продвижение бюджетных моделей, основанных на контроллерах Silicon Motion. Причём в ряде SSD, например, в Intel SSD 540s, компания отказывалась даже от использования флеш-памяти собственного производства, выбирая вместо этого дешёвые планарные чипы, поставляемые SK Hynix.

Intel SSD 545s же метит уровнем выше. В нём используется новый контроллер SMI SM2259, который представляет собой улучшенную версию SM2258 с более высокой производительностью. Хорошую скорость должно обеспечить и использование новой IMFT 3D TLC NAND второго поколения, которая обладает не только удвоенным числом слоёв, но и увеличенной по сравнению с трёхмерной памятью первого поколения производительностью при сохранении размеров ядра на уровне 256 Гбит.

Tweaktown.com

Результат тестирования Intel SSD 545s 512 Гбайт (по данным Twektown.com)

В результате для Intel SSD 545s 512 Гбайт декларирована скорость последовательных операций на уровне 550 и 500 Мбайт/с при чтении и записи соответственно, и производительность произвольных операций порядка 75 тыс IOPS при чтении и 90 тыс IOPS — при записи. Такие характеристики позволяют производителю говорить о том, что Intel SSD 545s с точки зрения быстродействия заметно превосходит предшественника в лице Intel SSD 540s и выступает прямым конкурентом для Samsung 850 EVO и Crucial MX300. Примерно к этому же уровню приведена и цена нового накопителя.

Результат тестирования Intel SSD 545s (по данным Twektown.com)

Результат тестирования Intel SSD 545s 512 Гбайт (по данным Twektown.com)

По параметрам же выносливости Intel SSD 545s обозначенных соперников и вовсе превосходит. Ресурс 512-Гбайт модификации установлен в достаточно щедрые 288 Тбайт перезаписей, а гарантийный срок составляет 5 лет.

Продажи 512-Гбайт версии Intel 545s уже начались, купить накопитель можно в онлайн-магазине Newegg.com, который совсем недавно расширил своё присутствие на 50 стран (Россия в их число не попала), по цене $180. В дальнейшем, по мере разворачивания массового производства 64-слойной 3D TLC NAND, модельный ряд Intel 545s будет наполнен накопителями с ёмкостью от 128 Гбайт до 2 Тбайт, расширится также и география продаж. Однако конкретные сроки пока не называются.

Transcend выпустила SATA-устройства SSD230 для массового покупателя

Тайваньская компания Transcend продолжает расширять ассортимент твердотельных накопителей форм-фактора 2,5 дюйма, ориентируясь на покупателей с ограниченным бюджетом, которые ищут недорогую альтернативу жёстким дискам. Вслед за выпуском моделей SSD220 производитель готов предложить публике похожие устройства SSD230 с привычным интерфейсом подключения SATA 6 Гбит/с. Новинки имеют объём 128, 256 и 512 Гбайт.

Transcend SSD230

Для представителей дебютировавшего семейства характерны серебристая расцветка корпуса, толщина 6,8 мм и масса 63 г. Внешняя оболочка Transcend SSD230 выполнена из алюминия. В составе накопителей используются микросхемы флеш-памяти типа 3D TLC NAND и буферная память DDR3. Модель контроллера на момент подготовки данной заметки известна не была. Соответственно, желающим приобрести устройства SSD230 лучше подождать появления их обзоров.

Transcend SSD230

Паспортные показатели производительности накопителей довольно неплохи. Так, скорость считывания данных может достигать 560 Мбайт/с, а скорость записи — 520 Мбайт/с (у младшей модели — 300 Мбайт/с). Скорости чтения и записи случайных блоков данных объёмом 4 Кбайт составляют 120/300 Мбайт/с у 128-гигабайтного SSD, 240/340 Мбайт/с у 256-гигабайтного и 340/340 Мбайт/с у 512-гигабайтного. Количество IOPS также коррелирует с объёмом накопителей:

  • Transcend SSD230 128 Гбайт: 30 000/76 000 (чтение/запись);
  • Transcend SSD230 256 Гбайт: 60 000/87 000;
  • Transcend SSD230 512 Гбайт: 87 000/87 000.
Transcend SSD230

Новинки поддерживают команду TRIM, технологии NCQ и Advanced Garbage Collection, и энергосберегающий режим DevSleep. Согласно спецификации, температура устройств не должна превышать 70 °C (у SSD220 верхний порог — 60 °C). На все накопители новой серии распространяется ограниченная трёхлетняя гарантия.

Transcend SSD230

Сравнить SSD230 с предшествующими накопителями можно, загрузив сравнительную таблицу характеристик в PDF-формате с официального сайта компании-производителя. Модель на 128 Гбайт маркетологи Transcend оценили в $51, 256-гигабайтную — в $82, 512-гигабайтную — в $162. Все цены актуальны прежде всего для рынка США и не учитывают налог с продаж.

Отметим, что фигуранты данной заметки являются первыми SSD тайваньского производителя, содержащими многослойную (3D) флеш-память. Ранее Transcend представила ряд внешних устройств с симметричным разъёмом USB Type-C. В их число вошли флеш-брелоки JetFlash 850S и JetFlash 890S, картридеры RDC8K и RDC2K, а также 2,5-дюймовый жёсткий диск StoreJet 25MC объёмом 1 Тбайт.

Накопитель Samsung 960 Evo будет доступен в следующем месяце

Анонс твердотельного накопителя Samsung 950 Pro в своё время произвёл фурор: в сравнении с первыми моделями SSD в формате M.2 он продемонстрировал непревзойдённый уровень производительности, не будучи при этом ОЕМ-решением, как Samsung SM951, или перелицованным серверным накопителем, как Intel 750. С подробностями можно ознакомиться в соответствующем обзоре. Сейчас компания готовится выпустить наследника 950 Pro с ещё более высокой производительностью.

Как сообщают зарубежные источники, в планах компании также выпуск более доступной модели под названием 960 Evo. Как и в случае с серией 850, в которую вошли SSD 850 Pro и 850 Evo, новинка будет использовать не MLC, а TLC 3D V-NAND, причём в новейшем 48-слойном варианте. Сердцем накопителя станет новый контроллер Samsung Polaris с поддержкой протокола NVMe. Ожидается полный модельный ряд с ёмкостями от 128 Гбайт до 1 Тбайт, форм-фактор — M.2 PCI Express x4 NVMe.

OEM-версия. Розничная, скорее всего, получит чёрную печатную плату

OEM-версия. Розничная, скорее всего, получит чёрную печатную плату

По сути, Samsung 960 Evo станет розничной версией ОЕМ-модели PM961. От неё следует ожидать схожей производительности, а она у PM961 весьма неплохая: до 3000 Мбайт/с при линейном чтении и до 1150 Мбайт/с при линейной записи, при этом на случайных операциях максимальные показатели составляют 360 и 280 тысяч IOPS соответственно, а это выше возможностей 950 Pro, которые находятся на уровне 300 и 110 тысяч IOPS. Благодаря применению многослойной TLC стоимость 960 Evo ожидается достаточно дружественной.

Seagate показала 60-Тбайт накопитель и PCI-E SSD с производительностью 10 Гбайт/с

В эти дни в г. Санта-Клара (штат Калифорния, США) проходит конференция Flash Memory Summit — одно из важнейших событий для крупных игроков рынка накопителей. Компания Seagate Technology в условиях низкого спроса на жёсткие диски постаралась, чтобы её новые продукты на базе флеш-технологий были замечены широкой публикой, потенциальными клиентами и инвесторами. Вниманию посетителей мероприятия в Санта-Кларе были предложены исключительные экспонаты — первый в мире твердотельный накопитель ёмкостью 60 Тбайт и PCI-E SSD со скоростью чтения до 10 Гбайт/с.

Seagate 60TB SAS SSD

Хранилище данных рекордной ёмкости (куда уж Samsung PM1633a с его 15,36 Тбайт для записи!) выполнено в форм-факторе 3,5 дюйма, как и первые массовые SSD-накопители корпоративного уровня. Устройство оснащено микросхемами флеш-памяти 3D TLC NAND производства Micron и одним-единственным контроллером — LSI/Seagate TT50761. Последний поддерживает использование чипов-коммутаторов ONFi для объединения в одном SSD максимум 1280 микросхем флеш-памяти.

Известные на данный момент характеристики накопителя перечислены ниже:

  • рабочее название: Seagate 60TB SAS SSD;
  • форм-фактор: SFF, 3,5 дюйма;
  • интерфейс: два разъёма SAS 12 Гбит/с;
  • ёмкость: 60 Тбайт;
  • скорость чтения/записи: до 1500/1000 Мбайт/с (последовательная);
  • количество IOPS при чтении: 150 000;
  • максимальное энергопотребление: 15 Вт.

Начало поставок первого 60-терабайтного SSD запланировано на следующий год. Seagate позиционирует его как универсальное хранилище для «холодных» и «горячих» данных. В перспективе возможен выпуск аналогичного накопителя ёмкостью 100 Тбайт.

В семейство новых SSD Seagate Nytro XP7200 с интерфейсом PCI Express 3.0 x16 вошли модели объёмом 3,8 и 7,7 Тбайт. Они рассчитаны на корпоративных заказчиков, которым необходима максимальная производительность накопителей в составе high-end серверов. Пиковые скорости чтения/записи данных равны 10 и 3,6 Гбайт/с соответственно, количество IOPS — до 940 000 при чтении и до 160 000 при записи. Карты расширения Nytro XP7200 потребляют максимум 26 Вт и нуждаются в радиаторе.

SSD Seagate Nytro XP7200

Архитектура накопителей проста до безобразия: к четырём разъёмам PCI-E 3.0 x4 на прямоугольной плате длиной около 17–18 см подключены четыре M.2 SSD Nytro XM1440, образующие RAID-массив уровня 0. В их основе лежит память eMLC, рассчитанная на большее число циклов стирания/записи данных, нежели MLC.

Nytro XM1440 в 2-Тбайт версии

Квартет накопителей Nytro XM1440 в 2-Тбайт версии

Массовое производство устройств Seagate Nytro XP7200 начнётся в четвёртом квартале.

Crucial расширила серию накопителей MX300

Твердотельные накопители Crucial серии MX пользуются в народе заслуженной любовью: при их невысокой стоимости они практически не уступают более дорогим решениям Samsung из серий 850 и 850 Pro, да к тому же имеют пусть и не идеальную, но всё-таки защиту от внезапного пропадания питания. Вслед за MX200, ставшим настоящим хитом, компания представила серию MX300 на базе 3D NAND. Изначально были доступны ёмкости до 750 Гбайт, чуть позже появился и вариант ёмкостью 1 Тбайт, а сейчас компания объявила о расширении максимальной ёмкости серии до 2 Тбайт.

Конечно, это пока ещё непривычная ёмкость для обычного пользовательского SSD, тем более что модель CT1050MX300SSD1 ёмкостью 1 Тбайт стоит $260, а значит, вдвое более ёмкая версия CT2050MX300SSD1 ударит по карману пользователя ещё сильнее. К сожалению, точной цены на данный момент пока нет, поскольку начало массовых продаж CT2050MX300SSD1 намечается на конец августа. На данный момент серия MX300 состоит из моделей ёмкостью 275, 750 и 525 Гбайт, 1 и 2 Тбайт в форм-факторе 2,5″. Версии M.2 существуют в ёмкостях до 1 Тбайт, выпуск более ёмкой модели не планируется, либо пока невозможен технически.

В конструкции Crucial MX300 используется 32-слойная память TLC 3D NAND производства Micron. Как и в некоторых моделях MX200, в MX300 реализована технология Dynamic Write Acceleration, когда вся память изначально конфигурируется как SLC, и лишь по мере заполнения данными переключается в режимы MLC и TLC. Линейные скорости стандартны для накопителей с интерфейсом SATA 3.0: 530 Мбайт/с при чтении и 510 Мбайт/с при записи. Производительность на случайных операциях также неплоха: 92 тысячи IOPS при чтении случайными блоками по 4 Кбайт и до 83 тысяч IOPS при записи тех же блоков. Накопители поддерживают ECC, DevSLP, TRIM, SMART, имеют защиту от сбоев по питанию и максимальный ресурс записи 400 Тбайт.

Альянс Toshiba и Western Digital преуспел в создании 64-слойной памяти BiCS 3D NAND

Ещё год назад мы сообщали, что компании Toshiba и SanDisk ведут активные исследовательские работы по созданию недорогой многослойной флеш-памяти под названием BiCS (bit cost scalable) 3D NAND и планируют начать её производство в 2016 году. Ныне SanDisk принадлежит одному из крупнейших производителей различных устройств хранения данных, корпорации Western Digital, и является её подразделением, но ранее заключённый альянс сохранил силу, и на днях компании объявили об успешном создании первых в мире 64-слойных чипов флеш-памяти BiCS 3D NAND, способных хранить по три бита в каждой ячейке.

Первые чипы BiCS 3D NAND уже существуют в кремнии

Первые чипы BiCS 3D NAND уже существуют в кремнии

Первые небольшие по объёмам поставки новых микросхем начнутся уже в конце этого года, а в полную силу производство должно развернуться в первой половине следующего, 2017 года. В настоящее время ведётся монтаж производственных линий. В сравнении с традиционной на сегодня 48-слойной флеш-памятью, выпускаемой Samsung, BiCS 3D NAND может предложить в 1,4 раза более плотную упаковку данных. Это позволит создать либо более ёмкие чипы в аналогичном форм-факторе, либо чипы более компактных размеров при неизменной ёмкости. К тому же BiCS 3D NAND имеет меньшую себестоимость производства, а значит, и цена конечных продуктов на базе этой памяти будет ниже. С надёжностью же у этой технологии дела обстоят отлично, как и у других версий 3D NAND.

Устройство и преимущества BiCS 3D NAND

Устройство и преимущества BiCS 3D NAND

Первыми ласточками станут чипы BiCS 3D NAND ёмкостью 256 Гбит, что в пересчёте на более привычные пользователю единицы составляет 32 Гбайт. Иными словами, небольшой флеш-накопитель на базе новой технологии Toshiba и WD будет состоять всего из двух чипов: контроллера и собственно микросхемы BiCS 3D NAND. Именно эта ёмкость пока является основной в планах альянса на 2017 год, но в будущем партнёры по бизнесу рассматривают возможность вывода на рынок аналогичных микросхем ёмкостью 512 Гбит (64 Гбайт). Как видим, предприятие, затеянное SanDisk и Toshiba, увенчалось полным успехом. План был даже перевыполнен: первоначально технология BiCS NAND была 48-слойной. Ждём появления первых устройств на базе новой многослойной памяти.

Новая статья: Обзор Samsung 850 EVO второй версии: с 48-слойной TLC 3D V-NAND внутри

Данные берутся из публикации Обзор Samsung 850 EVO второй версии: с 48-слойной TLC 3D V-NAND внутри

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Выяснились новые подробности исследования китайских смартфонов спецслужбами Литвы: опасения вызывают Huawei и Xiaomi 12 мин.
Yandex.Cloud развернёт облачную инфраструктуру в Германии 21 мин.
Слухи: Mojang Studios разрабатывает две новые игры по франшизе Minecraft 44 мин.
Новая The Witcher в разработке? CD Projekt RED ищет сценариста с опытом адаптации книг 45 мин.
Релиз ПК-версии метроидвании F.I.S.T.: Forged in Shadow Torch запланировали на октябрь 46 мин.
Новый анимационный фильм по мотивам Super Mario Bros. обзавёлся звёздным актёрским составом и сроками премьеры 2 ч.
Приключенческий экшен-платформер Kirby and the Forgotten Land отправит Кирби в загадочный трёхмерный мир 3 ч.
Оригинальная Dying Light и правда дебютирует на Switch в октябре, а сиквел получит облачную версию 3 ч.
Создатели тактической Project Triangle Strategy определились с названием и датой релиза игры 4 ч.
Switch-версия Star Wars: Knights of the Old Republic поступит в продажу 11 ноября 5 ч.
В России запустили производство МЭМС-датчиков для перспективных систем спутниковой навигации и автопилотов 2 ч.
Представлен смартфон ZTE Axon 30 Pro Plus UD Edition с подэкранной камерой и накопителем на 512 Гбайт 2 ч.
AMD захватила 16 % рынка серверных процессоров — это рекорд для компании 2 ч.
Innodisk представила накопители с интерфейсом PCIe 4.0 для платформ 5G и AIoT 3 ч.
Власти Сан-Франциско: Tesla вводит водителей в заблуждение названием своего автопилота 4 ч.
«Роскосмос» объявил тендер на исследования, связанные с подготовкой пилотируемых полётов к Луне — под это выделено 1,7 млрд рублей 4 ч.
BitFenix представила корпуса серии Prodigy M 2022 для компактных компьютеров 4 ч.
Kioxia представила прототип SSD с интерфейсом PCIe 5.0 и скоростью чтения до 14 000 Мбайт/с 5 ч.
Razer представила гарнитуру Kaira X для игровых консолей 5 ч.
Власти США готовы расширять санкции против Huawei при наличии необходимости 5 ч.