Micron анонсировала разработку первой в мире 232-слойной флеш-памяти 3D NAND — 128 Гбайт в одном чипе

Американская компания Micron анонсировала разработку первых в отрасли чипов флеш-памяти 3D NAND, состоящих из 232 слоёв. Массовый выпуск новинки на основе ячеек TLC начнётся в конце 2022 года. Появление первых продуктов на новой памяти ожидается в 2023 году. Возросшая плотность записи обещает снижение энергопотребления, рост скорости и уменьшение себестоимости, что будет конвертировано либо в прибыль Micron, либо в снижение цен на SSD.

Источник изображения: Micron

Чтобы добиться рекордного числа слоёв Micron воспользовалась испытанным ранее способом — она разместила один кристалл 3D NAND поверх другого, соединив их электрически и поместив на общее основание (подложку и контроллер). В процессе сращивания кристаллов часть слоёв была неизбежно потеряна, поэтому из двух 128-слойных кристаллов вышел не 256-слойный чип 3D NAND, а 232-слойный, что тоже неплохо.

Также следует отметить, что 256-слойную 3D NAND компания Samsung представила ещё в 2020 году, но массовое производство таких чипов не запустила. Поэтому предыдущими рекордсменами можно считать 176-слойные микросхемы флеш-памяти, выпуск которых и Micron, и Samsung начали во второй половине 2021 года. Также необходимо вспомнить о китайской компании YMTC, в арсенале которой вот-вот должна появиться 192-слойная 3D NAND.

Другим преимуществом новинки Micron можно считать перемещение управляющей электроники под кристалл с массивом ячеек. Это технология CMOS under array (CuA), которой в той или иной степени сегодня владеют все производители 3D NAND. Подобное позволяет уменьшить площадь кристалла памяти и на каждую пластину поместить ещё больше микросхем.

Компания Micron не раскрывает детальных спецификаций 232-слойных чипов. Известно, что ёмкость микросхем составляет 1 Тбит (128 Гбайт) и в целом они стали быстрее, что обещает появление ещё более производительных твердотельных накопителей.