Huawei подала патентную заявку, в которой описан литографический сканер со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV), передаёт UDN. Если компании удастся построить такой сканер и добиться достойной производительности, длительного времени безотказной работы и приемлемого выхода годной продукции, китайские компании получат доступ к технологиям класса менее 7 нм.
Источник изображения: huawei.com
Документы в Национальное управление интеллектуальной собственности Huawei подала в середине ноября, заявка зарегистрирована за номером 202110524685X, сообщает MyDrivers. В патентной заявке описаны ключевые компоненты EUV-сканера, в том числе генератор света с длиной волны 13,5 нм, комплект зеркал и система литографии. К сожалению, данный документ не означает фактической возможности Huawei построить эту сложную машину, включающую в себя множество современных компонентов, способных обеспечивать идеально согласованную работу в течение продолжительного времени. Кроме того, производство придётся обеспечить необходимым сырьём.
EUV-сканер с числовой апертурой 0,33 на сегодня является самым продвинутым оборудованием для производства полупроводников — его пытались построить многие компании, но успеха добилась только нидерландская ASML ценой более чем десяти лет работы и финансовой поддержки Intel, Samsung и TSMC. Используют или только собираются применять это оборудование только пять компаний во всём мире: Intel, Micron, Samsung, SK Hynix и TSMC. Но и они самостоятельно разрабатывали или планируют разрабатывать достаточно сложные технологические процессы, которые позволят использовать возможности EUV-сканера. Китайская SMIC получить такое оборудование не смогла, хотя оно уже было закуплено — иными словами, спрос на него в стране есть, и Huawei, видимо, пытается его удовлетворить.
Huawei, технологический гигант с годовым доходом на уровне $100 млрд, работает над множеством проектов разной направленности: в полупроводниковой отрасли её цели не ограничиваются одним только выпуском чипов — компания явно заинтересована в создании оборудования для производства кремниевых пластин.