На этой неделе южнокорейская компания Samsung Electronics посвятила инвесторов в ближайшие планы по переходу к выпуску продукции по новым ступеням своих литографических технологий. Во второй половине следующего года она рассчитывает выпускать изделия с использованием второго поколения 3-нм техпроцесса (SF3), а также производительного варианта 4-нм технологии (SF4X).
Источник изображения: Samsung Electronics
Во второй половине следующего года, как отмечает AnandTech, южнокорейский гигант пообещал наладить массовый выпуск продукции с использованием второго поколения 3-нм технологии и четвёртого поколения 4-нм техпроцесса для высокопроизводительных компонентов (HPC). Рынок должен вернуться к росту, поскольку в мобильном сегменте наблюдается оживление, а также растёт спрос на компоненты для высокопроизводительных вычислений.
Техпроцесс SF3 станет важным обновлением по сравнению с уже существующим SF3E, который применяется для выпуска ограниченного ассортимента продукции вроде ускорителей майнинга криптовалют с достаточно простой архитектурой. Техпроцесс SF3, по словам представителей Samsung, предоставит возможность создавать более разнообразные компоненты, поскольку ширина канала транзисторов с окружающим затвором (GAA) будет варьироваться.
Источник изображения: Anandtech, Samsung Electronics
Прямого сравнения техпроцессов SF3E и SF3 компания избегает, но отмечает, что последний по сравнению с SF4 он обеспечивает увеличение скорости переключения транзисторов на 22 % при неизменных энергопотреблении и плотности размещения элементов, либо снижения энергопотребления на 34 % при неизменных частотах и плотности транзисторов, а также позволяет в случае необходимости увеличить плотность размещения транзисторов на 21 %. В общем, техпроцесс SF3 позволит создавать компоненты с более сложной структурой, а потому ассортимент чипов, выпускаемых по второму поколению 3-нм техпроцесса Samsung, должен будет расшириться по сравнению с первым поколением.
Попутно продолжается развитие семейства 4-нм технологий Samsung. Версия SF4X подойдёт для выпуска высокопроизводительных компонентов типа центральных и графических процессоров, используемых в серверной среде. Подобное решение в ассортименте техпроцессов Samsung появится впервые за долгие годы. Скорость переключения транзисторов в рамках SF4X повысится на 10 %, а уровень энергопотребления снизится на 23 %. База для сравнения в данном случае не упоминается, но ею вполне может являться техпроцесс SF4 (4LPP). Прогресс достигнут за счёт оптимизаций на уровне структуры транзисторов и применению новой архитектуры MOL. Последняя позволяет опустить минимальное напряжение до 60 мВ, ограничить колебания силы тока в выключенном состоянии пределами 10 %, а также обеспечить стабильность работы компонентов при напряжениях свыше 1 В. Использование этой архитектуры при выпуске ячеек памяти типа SRAM позволяет повысить норму прибыли. Обычно новые техпроцессы как раз обкатываются микросхемах на памяти.