Оригинал материала: https://3dnews.ru/1106408

Samsung к 2027 году рассчитывает освоить 1,4-нм техпроцесс

Южнокорейская компания Samsung Electronics освоила выпуск 3-нм продукции в сочетании с использованием структуры транзисторов с окружающим затвором (GAA) ещё в середине 2022 года, опередив всех конкурентов, но существенного успеха среди клиентов это ей не принесло. Сейчас Samsung рассчитывает к 2027 году внедрить 1,4-нм литографические нормы, а также начать применение подвода питания с оборотной стороны кремниевой пластины ещё в рамках 2-нм техпроцесса.

 Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом стало известно по итогам выступления представителей Samsung на профильном мероприятии, как отмечают Bloomberg и Reuters. Компания напомнила своим клиентам, что она может одновременно снабжать их ускорители вычислений памятью типа HBM, заниматься производством чипов и их последующей упаковкой. Уже само по себе такое сочетание компетенций позволит сократить время производственного цикла на 20 %.

По прогнозам Samsung, к 2028 году ёмкость рынка полупроводниковых компонентов вырастет до $778 млрд, во многом благодаря распространению ускорителей вычислений для систем искусственного интеллекта. Непосредственно Samsung рассчитывает к тому времени увеличить количество клиентов, заказывающих у неё в производство такую продукцию, в пять раз от текущего уровня, а сопутствующую выручку поднять в девять раз. Представители Samsung разделяют взгляды основателя OpenAI Сэма Альтмана (Sam Altman) на потребности отрасли в производственных мощностях для выпуска ускорителей вычислений. По его мнению, для удовлетворения спроса необходимо будет построить десятки новых предприятий по выпуску чипов.

Транзисторы с круговым затвором (GAA), как считает Samsung, будут играть всё более значимую роль в производстве сложных чипов по передовым технологиям. К массовому производству 3-нм чипов второго поколения компания рассчитывает приступить во второй половине текущего года. Структура транзисторов GAA будет применяться и в рамках 2-нм техпроцесса Samsung. Более того, тогда же компания внедрит и подвод питания с оборотной стороны кремниевой пластины, но уже в рамках второго поколения собственного 2-нм техпроцесса. К 2027 году будет освоен выпуск чипов по 1,4-нм технлогии. По данным TrendForce, в первом квартале этого года доля Samsung на рынке контрактных услуг по производству чипов последовательно сократилась с 11,3 до 11 %. Лидером рынка остаётся TSMC, которая увеличила свою долю последовательно с 61,2 до 61,7 %.



Оригинал материала: https://3dnews.ru/1106408