Недавний прогноз отраслевой ассоциации SEMI говорит о том, что в текущем году мировые производственные мощности по выпуску полупроводниковых компонентов вырастут на 6 %, а в следующем году они увеличатся ещё на 7 %. На этом фоне будет наблюдаться опережающее развитие китайской полупроводниковой промышленности, которая нарастит мощности на 15 % в текущем году, и на 14 % в следующем.
Источник изображения: GlobalFoundries
К передовым техпроцессам отчёт SEMI относит нормы 5 нм и тоньше, связанные с ними мощности во всём мире вырастут на 13 % по итогам текущего года, во многом за счёт сохраняющегося бума систем искусственного интеллекта. В следующем году усилия лидеров рынка по освоению 2-нм техпроцессов приведут к тому, что мощности по выпуску передовой продукции вырастут на 17 %.
Совокупная производительность китайских компаний в текущем году вырастет на 15 % до 8,85 млн кремниевых пластин в месяц. В следующем году производственные мощности китайских участников рынка вырастут ещё на 14 % до 10,1 млн кремниевых пластин в месяц. Подобная динамика будет во многом обусловлена опасениями дальнейшего ужесточения санкций США, которые лишают китайские компании доступа к передовым компонентам и оборудованию для их производства на мировом рынке. Почти треть мировых производственных мощностей по выпуску чипов в следующем году будет приходиться на Китай.
Источник изображения: SEMI
Все прочие регионы, располагающие собственной полупроводниковой промышленностью, в следующем году ограничатся темпами роста на уровне не более 5 %. Вторым после Китая регионом окажется Тайвань с увеличенными до 5,8 млн кремниевых пластин в месяц мощностями (+4 %), Южная Корея займёт третье место за счёт увеличения объёмов обработки кремниевых пластин на 7 % до 5,4 млн штук в месяц. Япония прибавит 3 % до 4,7 млн пластин в месяц, обе Америки окажутся на пятом месте с приростом на 5 % до 3,2 млн пластин в месяц, следом расположится Европа с 2,7 млн пластин в месяц (+4 %), а Юго-Восточная Азия за пределами Китая прибавит 4 % до 1,8 млн пластин в месяц.
Контрактный сегмент рынка в текущем году нарастит свои мощности на 11 %, в следующем темпы роста замедлятся до 10 %, а к началу 2026 года в этой сфере будет обрабатываться по 12,7 млн кремниевых пластин ежемесячно. Бум искусственного интеллекта вызовет рост объёмов выпуска микросхем DRAM, к которым относится и HBM. В этом сегменте рынка производительность предприятий будет увеличена на 9 % как в текущем году, так и в следующем. На этом фоне рынок 3D NAND будет развиваться весьма консервативно: в этом году производственные мощности не увеличатся вовсе, а в следующем прибавят 5 %. Распространение систем ИИ приведёт к увеличению среднего объёма оперативной памяти в смартфонах массового сегмента с 8 до 12 Гбайт, а ноутбуки с процессорами нового поколения, способными ускорять ИИ, будут в минимальных конфигурациях оснащаться 16 Гбайт оперативной памяти.
