Накануне южнокорейская компания SK hynix в официальном пресс-релизе сообщила, что приступила к массовому производству памяти типа HBM3E с 12-слойных стеках ёмкостью по 36 Гбайт. Это не только самая современная память такого типа, но и самая ёмкая из ныне выпускаемых. Клиенты SK hynix получат эту память к концу текущего года.
Источник изображения: SK hynix
Нетрудно догадаться, что среди этих клиентов будет Nvidia, поскольку SK hynix остаётся главным поставщиком HBM различных поколений для этого разработчика графических процессоров и ускорителей вычислений. До сих пор, как отмечается в пресс-релизе южнокорейской компании, предельный объём в 24 Гбайта обеспечивался 8-слойным стеком HBM3E. Чипы DRAM, формирующие стек, компании удалось сделать на 40 % более тонкими, что в итоге позволило увеличить ёмкость стека на 50 % по сравнению с 8-слойным вариантом. SK hynix приступила к поставкам 8-слойных стеков HBM3E в марте этого года, поэтому соответствующий прогресс был ею достигнут всего за шесть месяцев.
С 2013 года SK hynix поставляет полный спектр микросхем семейства HBM. Скорость передачи информации в 12-слойном стеке HBM3E достигает 9,6 Гбит/с. Увеличение количества слоёв в стеке при одновременном уменьшении толщины каждого слоя сочетается с улучшением свойств теплопроводности на 10 % по сравнению с памятью предыдущего поколения. На утренних торгах в Сеуле котировки акций SK hynix выросли на 8,3 % после заявления о начале производства самой современной памяти семейства HBM. Всего с начала года акции компании укрепились в цене более чем на 25 %. Такой динамике способствовал и благоприятный прогноз по выручке на текущий квартал от конкурирующего производителя памяти Micron Technology.