Samsung Electronics решила ускорить подготовку мощностей к запуску массового производства чипов по 2-нм техпроцессу, сообщают отраслевые источники. Компания начала установку оборудования на линии полупроводникового завода S3 в южнокорейском Хвасоне. К первому кварталу следующего года эта линия, как рассчитывает компания, сможет обрабатывать 7000 пластин согласно 2-нм техпроцессу в месяц.
Источник изображения: BoliviaInteligente / unsplash.com
Ко второму кварталу будущего года Samsung также рассчитывает построить производственную линию для 1,4-нм техпроцесса на предприятии S5 на втором заводе в Пхёнтхэке (Pyeongtaek Plant 2) — она сможет обрабатывать 2000–3000 пластин ежемесячно. К концу следующего года компания переведёт все оставшиеся 3-нм производственные линии на фабрике S3 на технологию 2 нм.
Ранее стало известно, что Samsung перенесла дату запуска производства на полупроводниковом заводе в американском Техасе — первоначально он должен был открыться уже в конце 2024 года, но компания решила отложить старт на 2026 год. Samsung также перепрофилировала полупроводниковую линию на Pyeongtaek Fab 4 — из-за снижения спроса теперь на ней будет производиться память DRAM; было сокращено производство на Pyeongtaek Fab 3, где есть линия 4 нм.
Все эти перемены связаны с планом компании наладить производство чипов по технологии 2 нм в следующем году и приступить к массовому выпуску 1,4-нм чипов к 2027 году. Корейский производитель намеревается догнать своего конкурента TSMC: сейчас у Samsung 11,5 % мирового рынка контрактного производства полупроводников, а у лидера в лице TSMC — 62,3 %. Реализация этого плана — крупная ставка для Samsung, говорят эксперты: учитывая задержку в производстве 3-нм чипов и ряд других сложностей в полупроводниковом сегменте, развёртывание технологии 2 нм может либо спасти, либо уничтожить подразделение Samsung Foundry.