Являясь крупнейшим поставщиком памяти в целом, Samsung Electronics до сих пор не принимала активного участия в снабжении Nvidia микросхемами типа HBM3E для ускорителей вычислений. С подачи Bloomberg сегодня стало известно, что в декабре 8-ярусная память HBM3E прошла сертификацию Nvidia, но будет использоваться последней только в ускорителях для китайского рынка.
Источник изображения: Samsung Electronics
Добавим, что передовой среди массово поставляемых изделий сейчас считается 12-ярусная память HBM3E, её формально предлагают все три участника рынка: SK hynix, Micron и Samsung. Последняя, впрочем, уже долгое время не может сертифицировать свою 12-ярусную HBM3E для использования в ускорителях Nvidia, хотя до сих пор не оставляет надежды сделать это. Конкурирующая SK hynix уже снабжает Nvidia передовыми 12-ярусными чипами HBM3E собственного производства. Оба корейских производителя памяти надеются наладить массовые поставки микросхем HBM4 во второй половине текущего года, и позднее заполучить заказы Nvidia на этот вид продукции. Переработанную версию HBM3E корейский гигант надеется начать выпускать в марте этого года.
Ограниченность сферы применения HBM3E производства Samsung компанией Nvidia позволяет предположить, что этот поставщик до сих пор не может в полной мере удовлетворить запросы американского разработчика ускорителей для систем искусственного интеллекта. По всей видимости, Nvidia пока не может применять память HBM3E этой корейской марки в своих передовых ускорителях поколения Blackwell, и ограничится использованием в составе ускорителей семейства Hopper, которые пока можно поставлять в Китай с некоторыми оговорками. Если же санкции США на этом направлении будут усилены, то Samsung на время лишится возможности сотрудничать с Nvidia.