Компания Kioxia опубликовала обновлённый вариант своей «дорожной карты», из которой стало известно, что грядущая 332-слойная флеш-память BiCS 10-го поколения сможет предложить ёмкость всего 2 Тбит. Хотя этот показатель выглядит не слишком впечатляющим — такая же ёмкость у актуальных 218-слойных чипов, — производитель намекнул на возможность выпуска в рамках 10-го поколения чипов флэш-памяти большей ёмкости без использования технологии Penta-Level Cell (PLC).
Источник изображений: Kioxia
В настоящее время 332-слойная память NAND находится на этапе разработки. Он является частью того, что Kioxia называет «двухосевой стратегией» развития направления. Эта стратегия разделяет разработку на два направления: увеличение количества слоёв для повышения ёмкости и повышение производительности за счёт архитектуры Charge-Based Architecture (CBA), которая позволяет повысить пропускную способность, уменьшить задержки и снизить энергопотребление. По данным Kioxia, такой подход позволяет увеличивать ёмкость без ущерба для долговечности.
В дорожной карте Kioxia не говорится о планах компании в отношении PLC-решений, хотя другие вендоры уже работают в этом направлении. Вместо этого Kioxia, похоже, для удовлетворения потребностей рынка планирует удвоить усилия по совершенствованию процессов и разработке новых контроллеров.
В последнее время Kioxia сосредоточилась на двух семействах SSD: серии CM9, в которой особое внимание уделяется высокой производительности для ИИ-приложений, и серии LC9, которая ориентирована на большую ёмкость. Оба продукта построены на чипах BiCS FLASH 8-го поколения, в котором реализована технология CBA и поддержка энергоэффективных и высокопроизводительных рабочих нагрузок.
Kioxia также рассказала, что готовит SSD с использованием SLC-памяти XL-Flash с высоким показателем IOPS. Ожидается, что производительность этого накопителя превысит 10 млн операций ввода-вывода в секунду. Его должны представить официально во второй половине следующего года.