Принято считать, что производство памяти типа HBM, которая подразумевает технически сложную интеграцию нескольких ярусов кремниевых чипов, по плечу лишь продвинутым и крупным компаниям, причём далеко не всем. Это не помешало Nanya Technology и Etron образовать совместное предприятие, которое сосредоточится на разработке памяти типа HBM для самых различных сфер применения.
Источник изображения: Nanya Technology
Общий вектор деятельности нового СП, как отмечает TrendForce со ссылкой на TechNews — это разработка скоростной памяти для периферийных вычислений. Развитие систем искусственного интеллекта подразумевает, что часть интенсивных вычислений должна осуществляться на периферийном устройстве, поэтому спрос на скоростную память будет диктоваться не только серверной инфраструктурой. В расчёте на извлечение выгоды из этой тенденции Nanya Technology и Etron создали совместное предприятие, которое займётся освоением этой рыночной ниши. В капитал СП компаньоны вложат около $16,7 млн, причём 80 % акций достанутся Nanya, пропорционально объёму инвестиций.
Выпустить новые типы памяти HBM партнёры надеются к концу следующего года. Соответствующие чипы найдут своё применение в ПК, смартфонах, робототехнике и автомобильной электронике. Представители Nanya ранее сообщали, что компания не будет пытаться составить конкуренцию производителям HBM3 или HBM3E, а вместо этого сосредоточится на разработке более узкоспециализированных видов памяти. Как ожидается, упаковкой памяти HBM для нужд Nanya будет заниматься Formosa Advanced Technologies.
