Степень доверия руководства Nvidia к способности Samsung Electronics выпускать качественную память типа HBM4 была в этом месяце подтверждена совместным фото основателя первой из компаний с представителями второй. Дженсен Хуанг (Jensen Huang) прямо на кремниевой пластине с чипами HBM4 назвал эту память «удивительной». При этом Samsung уже разрабатывает HBM5 и HBM5E.
Источник изображения: Samsung Electronics
Соответствующую информацию на прошлой неделе опубликовал южнокорейский ресурс Business Korea. В случае с HBM5 в исполнении Samsung базовый кристалл для стека памяти будет выпускаться по 2-нм технологии, а HBM5E примерит кристаллы DRAM, выпущенные по седьмому поколению 10-нм техпроцесса, который условно обозначается как «1d». Samsung уже удалось договориться с Nvidia о производстве специализированных процессоров Groq 3 по 4-нм технологии на своих контрактных мощностях. Руководитель профильного подразделения Samsung Хан Чжин Ман (Han Jin-man) подчеркнул, что 4-нм процесс компании «никак нельзя считать посредственным».
Это заявление было сделано представителем Samsung Electronics на мероприятии GTC 2026, которое Nvidia проводила в Калифорнии для своих партнёров. Если учесть, что и руководство конкурирующей SK hynix было приглашено на конференцию в Сан-Хосе, лучшей иллюстрации значимости корейских поставщиков HBM в восприятии Nvidia и придумать сложно.
Представители Samsung пояснили, что HBM5 будет производиться с использованием 2-нм техпроцесса силами самой компании, если говорить о базовом кристалле. Чипы DRAM в стеке HBM5 будут выпускаться по шестому поколению 10-нм техпроцесса (1c). Строго говоря, последний уже применяется при выпуске кристаллов DRAM в стеке HBM4, он просто будет перенесён на HBM5. Основным новшеством станет использование собственного 2-нм техпроцесса Samsung для изготовления базового кристалла. В случае с HBM4 базовый кристалл Samsung производит по 4-нм технологии. Она смогла опередить конкурентов с началом поставок HBM4 для нужд Nvidia.
HBM5E будет выпускаться с использованием более свежего варианта 10-нм техпроцесса 1d в случае с кристаллами DRAM в стеке, а в его основании будет лежать базовый кристалл, производимый по всё тому же 2-нм техпроцессу. Очевидно, «шахматный порядок» модернизации техпроцессов при выпуске HBM позволяет Samsung снизить технологические риски. Спрос на 4-нм техпроцесс в ближайшее время будет заметно расти, как убеждены в Samsung, поскольку он применяется для выпуска базовых кристаллов HBM4.
В отношении стартапа Groq, который был недавно куплен Nvidia, способность Samsung выпускать его чипы объясняется просто: они сотрудничали ещё до сделки с 2023 года, Samsung принимала участие в разработке чипов LPU. На этапе подготовки к сделке Nvidia пришла к выводу, что 4-нм техпроцесс Samsung для соответствующих нужд вполне подходит, поэтому подрядчика по производству чипов Groq менять не стали. Их массовый выпуск будет начат на рубеже третьего и четвёртого кварталов этого года. Серьёзный спрос на чипы Groq 3 будет наблюдаться, начиная со следующего года. Глава Nvidia на GTC 2026 также оставил свой автограф и на кремниевой пластине с чипами Groq 3, назвав их «сверхбыстрыми».