С осени 2022 года власти США запретили поставки в Китай оборудования, позволяющего выпускать местным компаниям память 3D NAND с количеством слоёв более 128 штук. Samsung и SK hynix, которые значительную часть своей памяти выпускают именно в Китае, получили освобождение от этих правил. Первой из них это позволит освоить в Сиане выпуск 286-слойной 3D NAND уже в следующем году.
Источник изображения: Samsung Electronics
Разумеется, южнокорейские производители взялись гарантировать властям США, что получаемое ими для своих китайских предприятий оборудование никуда на сторону не попадёт. В конце марта, как сообщает TrendForce со ссылкой на Sisa Journal, компания Samsung начала на своём китайском предприятии в Сиане массовый выпуск 236-слойной памяти 3D NAND. Сейчас на этой площадке сворачивается производство устаревшей 128-слойной памяти, чтобы к следующему году наладить массовый выпуск 286-слойной памяти. Какое-то время она будет здесь производиться бок о бок с 236-слойной памятью. В Сиане Samsung производит около 40 % объёмов 3D NAND, поставляемых ею на мировой рынок.
На родине в Южной Корее Samsung уже готовится начать выпуск памяти более нового поколения, которое поднимет количество слоёв за пределы 400 штук. Соответствующее производство должно стартовать во второй половине текущего года. Конкурирующая SK hynix в ближайшие два года рассчитывает запустить серийное производство 300-слойной памяти с технологией гибридного соединения. Сейчас она производит 321-слойную память по классическому методу. Китайская YMTC в условиях адресных американских санкций уже освоила выпуск 270-слойноу памяти. Более того, Huawei недавно продемонстрировала способ повышения ёмкости твердотельных накопителей без увеличения количества слоёв памяти 3D NAND.