Сегодня 07 сентября 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Далёкое будущее оперативной памяти: NEO Semiconductor рассказала о своей сверхплотной и энергонезависимой 3D DRAM

Американская компания NEO Semiconductor сообщила о скорой демонстрации трёх новых технологий производства самой лучшей в мире оперативной памяти DRAM — сверхплотной, сверхбыстрой и даже немного энергонезависимой. Впервые новое решение в виде 3D DRAM было представлено в августе 2023 года и с тех пор превратилось в три разных версии технологии, хотя производители памяти мирового уровня всё ещё игнорируют эту революционную разработку.

 Источник изображения: NEO Semiconductor

Источник изображения: NEO Semiconductor

Компания NEO Semiconductor сделала ставку на вертикальное размещение ячеек памяти DRAM, что было реализовано при производстве памяти 3D NAND. Очевидно, что это позволит значительно увеличить плотность хранения данных в оперативной памяти. Разработчик говорит о чипах DRAM плотностью 512 Гбит — более чем в 10 раз больше, чем у современных массовых чипов памяти. Также увеличение плотности памяти ведёт к относительному снижению энергопотребления, что в условиях дефицита энергии так же важно, как и наращивание банков памяти.

На выставке IEEE с 18 по 21 мая 2025 года в Монтерее, штат Калифорния, США, компания NEO Semiconductor покажет три новые архитектуры ячеек DRAM, оптимизированных для выпуска стековым методом — это ячейки 1T1C, 3T0C и 1T0C. Причём все они или часть из них используют для транзисторных каналов материал IGZO, известный нам по производству тонкоплёночных транзисторов для дисплеев с высоким разрешением и низким потреблением.

Материалы IGZO или соединения оксидов индия-галлия-цинка — это конёк компании Sharp. В этом материале электроны обладают повышенной мобильностью без увеличения рабочих токов. По логике, оперативная память с IGZO-транзисторами унаследует эти качества, явив миру память с лучшими характеристиками по быстродействию и потреблению. В комплекте с многоуровневой архитектурой это может привести к революции в мире оперативной памяти, если технологией, наконец-то, заинтересуются Samsung, SK Hynix или кто-то подобный.

Добавим, как следует из обозначения архитектуры ячеек, ячейка 1T1C — это классическая DRAM с одним транзистором и одним конденсатором; ячейка 1T0C состоит из одного транзистора без конденсатора; а ячейка 3T0C — это три транзистора без конденсатора. Ячейки 1T1C и 3T0C, по признанию компании, способны сохранять данные без подачи питания в течение 450 с, что снизит потребление при регенерации. Скорость доступа достигает 10 нс. Но это всё расчётные данные, а экземпляры новой памяти должны быть впервые выпущены только в 2026 году. Ждём. Мир как никогда нуждается в высокоплотной и экономичной DRAM.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
NVIDIA потратит $1,5 млрд на аренду собственных ИИ-ускорителей у Lambda, в которую сама же и инвестировала 2 ч.
Семейство iPhone 17 окажется на 3,5 % популярнее предшествующего, как считают эксперты TrendForce 4 ч.
Tesla теперь называет свой автопилот «почти полным» 4 ч.
OnePlus и Hasselblad разорвали сотрудничество в сфере технологий обработки фото 5 ч.
Bose обновила полноразмерные наушники QuietComfort Ultra — цена не изменилась 8 ч.
Совокупная капитализация лидеров технологического рынка достигла $21 трлн — активнее других вырос Google 10 ч.
Трамп собрал с глав бигтехов обещания гигантских инвестиций в обмен на доступную энергию для дата-центров 12 ч.
Ryzen 5 9500F без встроенной графики вышел в Китае — самый доступный процессор на базе Zen 5 12 ч.
Утечка раскрыла дизайн супертонкого Samsung Galaxy S26 Edge, который выйдет в начале 2026 года 13 ч.
Broadcom получила нового клиента с заказом на $10 млрд — акции взлетели на 15 % 13 ч.