Сегодня 22 сентября 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

У Китая появился свой 10-нм импринтный литограф — альтернатива санкционному EUV

Ограничение доступа Китая к современному передовому оборудованию для выпуска микросхем вынуждает разработчиков из Поднебесной искать доступные альтернативы. Одной из них обещает стать нанопечать или NIL (Nanoimprint Lithography). Это сложная в реализации технология, предполагающая использование высокоточных штампов. Но даже здесь китайцы смогли удивить, предложив метод, способствующий повышению точности печати и экономии материалов.

 Источник изображения: Pulin Technology

Источник изображения: Pulin Technology

Импринтная литография — метод прямого механического переноса наноструктур на подложку с помощью твёрдого штампа. В отличие от оптической литографии, здесь изображение схемы для травления формируется за счёт давления. Подобные решения уже довольно давно предлагают Canon и Nanonex, но они остаются нишевыми и применяются при производстве фотоники, MEMS и биомедицинских чипов. Для массового выпуска чипов с нормами 3-5 нм технология пока не годится. Тем не менее, китайская разработка в условиях санкций способна стать полезным инструментом для китайской полупроводниковой промышленности.

Китайская компания Pulin Technology изготовила и испытала импринтную установку (степпер) для производства микросхем методом пошагового нанесения отпечатка шаблона (step-and-repeat). Другими словами, данная установка наносит отпечаток по частям, а не целиком. Кроме того, китайская машина предполагает капельное нанесение фоторезиста, что позволяет экономить материал при производстве.

Возможности инструмента серии PL-SR во многом повторяют характеристики NIL-оборудования компании Canon образца 2023 года — нанопечатной установки FPA-1200NZ2C. Одна из последних её реализаций была поставлена в 2024 году в США — в Техасский институт электроники (TIE). Инструмент позволяет печатать штампами с технологическими нормами масштаба 10 нм.

Нанесение методом штамповки рисунка с нормами 10 и менее нанометров на фоточувствительный слой резиста на кристалле технологически ничуть не проще, чем EUV-литография. Правда, специфика трудностей здесь иная: необходимы высочайшая сохранность и чистота формы в процессе использования. Зато для штамповки микросхем не нужен мощный источник лазерного излучения и невероятно сложная оптика, которая для EUV-диапазона требует зеркал вместо линз, что значительно усложняет процесс.

К сожалению, подробностей о новой машине не много. Известно лишь, что оборудование способно обрабатывать 12-дюймовые (300-мм) пластины, что было продемонстрировано на примере изготовления опытных чипов памяти, кремниевой фотоники и микродисплеев.

Покупателем первой импринтной установки PuLin PL-SR стала китайская фабрика по производству полупроводников — литограф прошёл все необходимые испытания и готов к работе над выпуском серийных чипов на 300-мм пластинах.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Activision показала «будущее сетевых сражений», но оценили его не все — геймплейный трейлер мультиплеера Call of Duty: Black Ops 7 2 ч.
Американский TikTok избавят от китайских корней — Oracle с нуля переобучит рекомендательный алгоритм 3 ч.
Konami поинтересовалась, ремейки каких Metal Gear фанаты хотят увидеть после Metal Gear Solid Delta: Snake Eater 3 ч.
Обновление Windows 11 сломало приложения для Blu-ray и цифрового ТВ 4 ч.
Майкл Делл, Ларри Эллисон и Лахлан Мёрдок войдут в группу покупателей американского сегмента TikTok 4 ч.
Журналисты проанализировали, почему всё меньше и меньше игр Xbox выходит на дисках 5 ч.
Навязчивые cookie-баннеры могут исчезнуть — в ЕС поняли, что они неэффективны 5 ч.
Календарь релизов — 22–28 сентября: Silent Hill f, Endless Legend 2 и Sonic Racing: CrossWorlds 5 ч.
Microsoft добавила в Windows 11 видеообои — впервые со времён Vista 6 ч.
«Это настоящая магия»: энтузиасты сделали браузерный порт GTA: Vice City и не знают, как его выпустить, чтобы «не нарушить чьи-либо права» 7 ч.