До сих пор перспективы сотрудничества Nvidia и Samsung в сфере использования памяти типа HBM3 или HBM3E в основном обсуждались на уровне слухов, но основатель первой из них, Дженсен Хуанг (Jensen Huang), на недавней пресс-конференции подчеркнул, что Nvidia готова сотрудничать как с SK hynix, так и с Samsung, и сейчас проводит сертификацию памяти последней.

Источник изображения: Samsung Electronics

По данным Nikkei Asian Review, Дженсен Хуанг пояснил, что HBM является очень сложным в производстве видом памяти, но её ценность высока. По его словам, Nvidia тратит много денег на закупку HBM. «Samsung является очень, очень хорошей компанией», — высказался основатель Nvidia. Микросхемы класса HBM этой марки, по его словам, Nvidia уже подвергает сертификации, и в будущем начнёт их использовать. До этого SK hynix была основным поставщиком современных типов памяти HBM для нужд Nvidia, как уже не раз отмечалось.

Назвав микросхемы HBM «технологическим чудом», глава Nvidia пояснил, что они позволяют улучшить энергоэффективность центров обработки данных, потребляя меньше электроэнергии в удельном выражении по сравнению с классической DRAM. Представители SK hynix подтвердили, что микросхемы HBM3E этой марки будут использоваться при оснащении ускорителей вычислений Nvidia семейства Blackwell. Производство HBM3E компания SK hynix уже освоила, и к поставкам профильных изделий приступит в ближайшее время.

«Есть невероятный потенциал модернизации для Samsung и SK hynix», — заявил глава Nvidia. Обе компании будут расти синхронно с бизнесом самой Nvidia, по его словам. Сотрудничеством с Samsung и SK hynix Дженсен Хуанг очень дорожит, как он признался на пресс-конференции.

Доминирующее положение SK hynix на рынке памяти HBM не даёт покоя Samsung Electronics, которая в целом является крупнейшим производителем микросхем памяти. По некоторым данным, Samsung готова последовать примеру конкурента, переняв у него одну из технологий, применяемых при упаковке микросхем HBM3 и HBM3E, чтобы добиться благосклонности Nvidia и увеличить объёмы поставок своей продукции для нужд этого клиента.

Источник изображения: SK hynix

Как сообщает Reuters, в текущем году SK hynix будет контролировать более 80 % поставок памяти класса HBM3 и HBM3E для нужд Nvidia, и это с учётом способности Micron наладить поставки своих микросхем HBM3E для ускорителей Nvidia H200 заставляет Samsung Electronics сильно нервничать. Как и SK hynix, компания Samsung уже способна создавать 12-слойные стеки HBM3E, но первая с 2021 года применяет технологию массовой оплавки с частичным заполнением формы (MUF) для создания изолирующих слоёв между кристаллами памяти в стеке, тогда как Samsung до сих пор полагалась на использование термокомпрессионной непроводящей плёнки (NCF), обеспечивающей худшие условия теплоотвода.

Кроме того, на конвейере SK hynix уровень выхода годных чипов HBM3 колеблется в пределах 60–70 %, как считают некоторые эксперты, а у Samsung он едва достигает 10–20 %, поэтому последняя заинтересована в улучшении технологии производства микросхем памяти этого типа. Для этого она собирается перейти на использование метода MUF для изоляции кристаллов памяти в стеке, пусть и постепенно. Компания закупает необходимое оборудование и расходные материалы, но к массовому выпуску памяти по технологии MUF будет готова только к следующему году. Предполагается, что сейчас и на протяжении некоторого времени в дальнейшем Samsung будет комбинировать на своих предприятиях технологии NCF и MUF. По крайней мере, официально Samsung считает технологию NCF оптимальным решением для выпуска чипов памяти HBM3E.

Как отмечают аналитики TrendForce, память типа HBM3 для нужд Nvidia компания Samsung поставляет с конца прошлого года, но в текущем квартале ей удалось стать поставщиком данных микросхем для ускорителей AMD Instinct MI300, поэтому дальнейшая экспансия бизнеса Samsung в этой сфере не будет зависеть исключительно от Nvidia. В текущем году также ожидается планомерное увеличение рыночной доли памяти типа HBM3E, в этом случае Samsung свою продукцию такого типа сертифицирует к концу текущего квартала, почти догнав основных конкурентов в лице SK hynix и Micron. Последняя свои микросхемы HBM3E начнёт поставлять Nvidia как раз в конце этого квартала, лишь слегка опередив Samsung. Корейский гигант сможет значительно укрепить свои позиции в сегменте HBM3E к концу этого года, как считают представители TrendForce.

Пока SK hynix удаётся удерживать статус основного поставщика микросхем HBM3 для компании NVIDIA, которая оснащает ею свои востребованные на рынке ускорители вычислений. Несмотря на планы SK hynix в текущем году удвоить объёмы выпуска памяти HBM, вся производственная программа на 2024 год уже распродана, как признаёт руководство компании.

Источник изображения: SK hynix

Соответствующие заявления сделал на страницах ресурса Korea IT Times вице-президент SK hynix по продажам и маркетингу Ким Ги Тхэ (Kim Ki-Tae). По его словам, компания была пионером в производстве HBM, предвидев развитие тех сегментов рынка, которые нуждаются в скоростной памяти, но и в этом году она сделает всё возможное для защиты своих лидирующих позиций. Разработка, выпуск и продажи HBM теперь курируются в составе SK hynix специальным подразделением, работу которого курирует как раз Ким Ги Тхэ. По его словам, спросом в текущем году будет пользоваться не только HBM3E, но и оперативная память типов DDR5 и LPDDR5T.

Все производственные квоты на выпуск HBM компания уже распродала до конца текущего года, и уже сейчас готовится к выполнению заказов в 2025 году, рассчитывая сохранить за собой лидирующие позиции на рынке и в следующем году. По прогнозам аналитиков, операционная прибыль SK hynix в этом году достигнет $7,5 млрд. На фоне прошлогодней выручки в размере $24,5 млрд это будет весьма достойным результатом, особенно с учётом необходимости нести расходы на кратное увеличение объёмов выпуска памяти типа HBM.

Квартальная отчётность SK hynix показала, что за предыдущие три месяца эта южнокорейская компания в пять с лишним раз увеличила объёмы выпуска памяти типа HBM, которая в своих различных разновидностях востребована в сегменте ускорителей вычислений для систем искусственного интеллекта. В текущем году SK hynix собирается увеличить объёмы производства HBM как минимум в два раза.

Источник изображения: SK hynix

Об этом руководство SK hynix, как сообщает Business Korea, заявило после объявления итогов четвёртого квартала. В текущем году компания планирует более чем в два раза увеличить объёмы производства микросхем типа HBM по сравнению с прошлым годом. По оценкам аналитиков, по итогам текущего года операционная прибыль превысит $7,5 млрд, во многом благодаря высокому спросу на ускорители вычислений, которые используют память типа HBM. Если учесть, что за весь прошлый год компания выручила $24,5 млрд, то операционная прибыль в размере более $7,5 млрд в текущем году стала бы весьма достойным результатом. Прошлый квартал SK hynix впервые за четыре предыдущих периода завершила с операционной прибылью, но её величина не превысила $259 млн.

Руководство SK hynix убеждено, что бум систем искусственного интеллекта позволит рынку памяти вырасти сильнее, чем это случилось в 2018 году. В текущем году рынок памяти точно будет расти, как убеждены представители компании. Ещё в прошлом квартале некоторые клиенты SK hynix начали увеличивать объёмы заказов, ожидая дальнейшего роста цен на память и рассчитывая приобрести их на более привлекательных условиях сейчас. Характерно, что в сегменте ПК и смартфонов спрос на память тоже начал расти. Уже в текущем полугодии спрос и предложение на рынке DRAM достигнут равновесия, по мнению руководства SK hynix, а на рынке NAND данное состояние будет достигнуто во втором полугодии.

Рекорд по операционной прибыли SK hynix установила в 2018 году, получив более $15 млрд за период. Ожидается, что в текущем году компания получит операционную прибыль в размере $7,5 млрд, а по итогам следующего она увеличится до $11,2 млрд. В предвкушении подобной динамики SK hynix и собирается увеличить объёмы выпуска памяти типа HBM более чем в два раза в текущем году. Конкурирующая Samsung Electronics, к слову, намерена сделать примерно то же самое.

В прошлом месяце SK hynix удалось стать второй по капитализации компанией из Южной Кореи, во многом благодаря высокому спросу на память типа HBM3, которой она снабжает ускорители вычислений NVIDIA для систем искусственного интеллекта. Данный фактор также способствовал завершению компанией SK hynix прошлого квартала с операционной прибылью впервые более чем за год.

Источник изображения: SK hynix

Как известно, прошлый год был для рынка памяти в целом очень тяжёлым, но сегмент HBM выделялся на этом фоне весьма выгодной для производителей конъюнктурой. Micron и Samsung стремятся получить место в цепочке поставщиков памяти типа HBM для нужд NVIDIA, но пока SK hynix в нём присутствовала единолично, она неплохо зарабатывала. Четыре предшествующих квартала для компании были убыточными, но в прошлом она получила операционную прибыль в размере $259 млн, но это всё равно не уберегло компанию от чистых убытков в размере $1 млрд. Выручка SK hynix в годовом сравнении по итогам четвёртого квартала выросла на 47 % до $8,5 млрд. По итогам всего года выручка компании достигла $24,5 млрд. Тем не менее, в прошлом квартале норма прибыли была отрицательной (-12 %), а по итогам всего года она достигала -28 %. Чистые убытки SK hynix по итогам года составили $6,84 млрд.

В прошлом квартале SK hynix смогла увеличить поставки DDR5 более чем в четыре раза, а поставки HBM3 выросли в пять с лишним раз. В текущем году компания рассчитывает приступить к массовому производству HBM3E и продолжить разработку памяти типа HBM4. Пока NVIDIA сохраняет за собой доминирующее положение в сегменте ускорителей вычислений, SK hynix сможет до конца текущего полугодия пользоваться своим преимуществом на этом рынке. В серверном сегменте будут наращиваться поставки DDR5, а мобильный сегмент воспользуется памятью типа LPDDR5 этой марки. Первому также будут предназначены модули памяти типа MCRDIMM повышенной ёмкости, а в мобильном сегменте будет внедряться формфактор LPCAMM2. Выпуск микросхем типа DDR5 и LPDDR5 по технологиям 10-нм класса будет налажен на китайском предприятии SK hynix в Уси.

В сегменте NAND, в котором восстановление идёт очень медленно, SK hynix собирается сосредоточиться на накопителях премиального класса. В текущем году приоритетом для компании станет стабильность и ограничение роста капитальных затрат, хотя на приоритетных направлениях развития экономить не планируется. Цены на флеш-память уже начали расти в прошлом квартале, а ситуация со складскими запасами должна нормализоваться в следующем полугодии. В случае с памятью DRAM нормализация будет достигнута в первой половине текущего года. Если стратегически важные направления бизнеса будут подкрепляться растущими капитальными затратами, то выпуск устаревающей продукции будет сокращаться. Спрос на DRAM и NAND в текущем году, по мнению представителей SK hynix, вырастет на 15–19 %.

Аналитики TrendForce уже предрекали, что в натуральном выражении поставки памяти типа HBM вырастут более чем вдвое в текущем году. В свою очередь, представители Gartner ориентируются на денежный оборот этого сегмента рынка, и считают, что он удвоится в следующем году. Это будет означать, что выручка производителей памяти типа HBM вырастет с 2 до 4,98 млрд долларов — почти в два с половиной раза, если сравнивать с уровнем прошлого года.

Источник изображения: AMD

Данный прогноз опубликовало тайваньское издание Business Times со ссылкой на данные Gartner. Уже в этом году на рынке появятся ускорители вычислений, использующие память типа HBM3e: компания NVIDIA представит H200 и B100, а компания AMD выведет на рынок ускорители Instinct MI300X. Поставщики памяти типа HBM3e уже готовы начать снабжать ею своих клиентов со второго квартала текущего года.

Бурное развитие рынка и хорошая прибыль помогут Samsung Electronics и Micron Technology отыграть часть позиций в сегменте HBM у компании SK hynix, которая на правах старожила занимает доминирующее положение. Расширение конкуренции будет способствовать не только наращиванию объёмов поставок, но и снижению цен.

Тайваньские производители в изготовлении HBM пока готовы участвовать опосредованно, хотя та же Nanya и имеет опыт выпуска такой памяти. Поставщик оборудования Licheng собирается наладить выпуск решений для тестирования и упаковки стеков памяти типа HBM, уже к концу текущего года соответствующее оборудование начнёт производиться. Компания Creative сотрудничает с TSMC и SK hynix с целью применения интерфейса GLink-2.5D, разработанного ею, при производстве микросхем памяти типа HBM3 в упаковке CoWoS. Интересуются сопутствующими технологиями и более мелкие компании.

Криптовалютный бум вынуждал NVIDIA платить поставщикам миллиарды долларов авансом каждый квартал, чтобы обеспечить рост производства необходимых компонентов. Сейчас ситуация изменилась лишь в том отношении, что на первое место вышли поставки ускорителей вычислений для ИИ, а крупные авансовые платежи от NVIDIA получают поставщики памяти типа HBM.

Источник изображения: SK hynix

Во всяком случае, об этом со ссылкой на южнокорейское издание Chosun Biz сообщает DigiTimes. По данным источников, компании SK hynix и Micron каждая получили от NVIDIA крупные платежи в размере от $540 до $770 млн. Эти средства должны гарантировать поставки для нужд NVIDIA указанными компаниями необходимого количества микросхем памяти HBM соответствующих поколений. Скорее всего, как предполагают корейские источники, речь идёт о микросхемах памяти типа HBM3e, которые понадобятся NVIDIA в наступающем году для производства нового поколения ускорителей вычислений.

Для производителей памяти уходящий 2023 год был тяжёлым с финансовой точки зрения, поэтому нехарактерные для этого рынка крупные авансовые платежи могут стать для них хорошим стимулом к наращиванию объёмов производства HBM3e. Такая память довольно сложна в производстве, поэтому расширение профильных мощностей требует существенных инвестиций.

Попутно сообщается, что Samsung Electronics всё же прошла сертификационные процедуры, позволяющие ей поставлять микросхемы памяти типа HBM3 и HBM3e для нужд NVIDIA, но проблема заключается в том, что последнюю разновидность памяти корейский гигант выпускает по 10-нм технологии четвёртого поколения, тогда как конкурирующая SK hynix уже освоила 10-нм технологию пятого поколения, получив преимущество по себестоимости такой продукции.

До сих пор единственным поставщиком микросхем HBM3 для нужд NVIDIA оставалась южнокорейская компания SK hynix, но в случае с HBM3e конкурирующая Micron Technology начала снабжать NVIDIA образцами своей продукции к концу июля, поэтому борьба за место на рынке в этом сегменте памяти будет ожесточённой. К 2026 году на рынок будет готова выйти память типа HBM4, которая годом позднее увеличит количество слоёв с 12 до 16 штук.

Источник изображения: SK hynix

Ближайшая перспектива в эволюции памяти типа HBM3e, как поясняет TrendForce — это выход 8-слойных микросхем, которые к первому кварталу следующего года должны пройти сертификацию NVIDIA и прочих клиентов, а затем перейти в фазу серийного производства. Micron Technology в этой сфере слегка опережает SK hynix, предоставив свои образцы для тестирования на пару недель раньше, а вот Samsung успела сделать это только к началу октября. Память типа HBM3e способна обеспечить скорость передачи информации от 8 до 9,2 Гбит/с, восьмислойные микросхемы объёмом 24 Гбайт будут выпускаться по техпроцессам класса 1-альфа (Samsung) или 1-бета (SK hynix и Micron). Их серийное производство к середине следующего года наладят все три компании, но две последних рассчитывают это сделать к началу второго квартала.

Во многом этот график будет определять ритмичность выхода новых ускорителей вычислений NVIDIA. В следующем году компания наладит поставки ускорителей H200 с шестью микросхемами HBM3e, до конца того же года выйдут ускорители B100 уже с восемью микросхемами HBM3e. Попутно будут выпускаться гибридные решения с центральными процессорами с Arm-совместимой архитектурой, именуемые GH200 и GB200.

Источник изображения: TrendForce

Конкурирующая компания AMD, по данным TrendForce, в 2024 году сосредоточится на использовании памяти типа HBM3 в семействе ускорителей Instinct MI300, а переход на HBM3e прибережёт для более поздних Instinct MI350. Тестирование памяти на совместимость в этом случае начнётся во второй половине 2024 года, а фактические поставки микросхем HBM3e для AMD стартуют не ранее первого квартала 2025 года.

Представленные во второй половине прошлого года ускорители Intel Habana Gaudi 2 ограничиваются использованием шести стеков HBM2e, преемники серии Gaudi 3 к середине следующего года увеличат количество стеков до 8 штук, но останутся верны использованию микросхем HBM2e.

Память типа HBM4 будет представлена только в 2026 году, она предложит использование 12-нм подложки, которая будет изготавливаться контрактными производителями. Количество слоёв в одном стеке памяти будет варьироваться между 12 и 16 штуками, причём микросхемы последнего типа появятся на рынке не ранее 2027 года. Впрочем, Samsung Electronics демонстрирует намерения представить HBM4 уже в 2025 году, наверстав упущенное по сравнению с предыдущими поколениями микросхем памяти этого класса.

В ближайшие годы сформируется и тренд на индивидуализацию дизайна решений с использованием памяти типа HBM. В частности, некоторые разработчики рассматривают возможность интеграции чипов такой памяти непосредственно на кристаллы с вычислительными ядрами. По крайней мере, NVIDIA подобные намерения уже приписываются, и именно в отношении микросхем типа HBM4.

Память типа HBM различных поколений активно используется ускорителями вычислений для систем искусственного интеллекта, а SK hynix пока остаётся единственным её поставщиком для нужд NVIDIA, которая доминирует на рынке этих ускорителей. Нет ничего удивительного в том, что в третьем квартале доля рынка DRAM компании SK hynix достигла рекордных для неё 35 %.

Источник изображения: SK hynix

Результатами статистических исследований Omdia поделился ресурс Business Korea. По словам экспертов, отрасль производства микросхем памяти типа DRAM стала одним из главных бенефициаров роста спроса на системы искусственного интеллекта. Если рынок DRAM в целом в период до 2027 года будет ежегодно прирастать на 21 % в среднем, по прогнозам аналитиков Omdia, то сегмент HBM в отдельности будет расти на 52 % ежегодно. По итогам текущего года доля HBM на рынке DRAM превысит 10 %, а в 2027 году она должна приблизиться к 20 %.

В более близкой перспективе спрос на HBM будет превышать предложение. В следующем году основные производители HBM удвоят объёмы выпуска такой памяти, но у них уже есть заказы на год вперёд, и удовлетворить их своевременно будет сложно даже после удвоения объёмов производства. Память типа HBM в 5–7 дороже классических типов DRAM, а менять её на новую потребители готовы чаще, в среднем раз в год или два. Всё это гарантирует производителям HBM стабильный рост выручки в обозримом будущем. В третьем квартале доля рынка DRAM компании SK hynix достигла максимальных 35 % за всю историю её существования.

Производителям памяти ради удовлетворения спроса на HBM порой даже придётся жертвовать планами по расширению выпуска других типов DRAM, как считают эксперты Omdia. Они также убеждены, что технологическая сложность HBM ограничит количество игроков рынка, и всего несколько компаний смогут делить между собой довольно высокую прибыль, получаемую в результате реализации памяти типа HBM. Только компании с хорошо выстроенной производственной инфраструктурой и контролем качества смогут сохранить свои позиции в этом сегменте рынка.

Преобладание негативных тенденций в финансовой отчётности Samsung, сильно зависящей от состояния рынка памяти, не помешало инвесторам найти поводы для оптимизма. По крайней мере, операционная прибыль компании в прошлом квартале превзошла ожидания аналитиков, в два раза они ошиблись и с прогнозом по степени снижения чистой прибыли.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как поясняет Bloomberg, аналитики в среднем ожидали получения компанией Samsung Electronics чистой прибыли в $1,86 млрд по итогам минувшего квартала, но фактически она достигла $4,1 млрд, хотя при этом и снизилась на 40 % в годовом сравнении. В прошлом квартале чистая прибыль компании сокращалась на 86 %, поэтому снижение темпов падения показателя можно считать определённым успехом.

Операционная прибыль сократилась за год на 77,6 % до $1,8 млрд, но всё равно оказалась выше ожиданий рынка. Зато в последовательном сравнении операционная прибыль компании выросла на 262,6 %. Совокупная выручка Samsung в прошлом квартале приблизилась к $50 млрд, лишь чуть-чуть не оправдав прогнозов аналитиков. В годовом сравнении выручка компании упала на 12,2 %. Собственные прогнозы по выручке и операционной прибыли, которые были названы в текущем месяце, Samsung Electronics даже слегка превзошла.

В текущем квартале уверенности Samsung в дальнейшем улучшении ситуации на рынке памяти добавляют стабилизация спроса и снижение темпов инфляции, а также выход новых продуктов в исполнении её клиентов, особенно в сегменте ПК и смартфонов. Помимо выхода новинок, спрос на память в этом квартале должны подогревать системы искусственного интеллекта.

Располагая самыми крупными производственными мощностями в мире, Samsung рассчитывает заработать на увеличении объёмов выпуска памяти типа HBM3 и HBM3E, которая сейчас востребована в сегменте систем искусственного интеллекта. По прогнозам сторонних аналитиков, в текущем квартале Samsung всё же будет допущена к поставкам памяти типа HBM3 для нужд компании NVIDIA, тогда как до этого потребности последней тщетно пыталась удовлетворить лишь SK hynix. С середины следующего года, по некоторым оценкам, Samsung начнёт снабжать памятью типа HBM3P ускорители вычислений следующего поколения. В четвёртом квартале, как ожидает Samsung, цены на память будут расти, а спрос на неё будет восстанавливаться ещё быстрее, чем в предыдущем. По мнению руководства корейской компании, отрасль достигла дна, и спрос на память начинает восстанавливаться в сегменте ПК и смартфонов. При этом в текущем году придётся и дальше сокращать объёмы выпуска памяти, но это в большей степени относится к микросхемам типа NAND. Помимо HBM3, компания будет увеличивать объёмы производства памяти типа DDR5.

На полупроводниковом направлении Samsung последовательно сократила операционные убытки с 3,26 до 2,8 млрд долларов. Начало выпуска смартфонов Apple iPhone 15, как предполагается, существенно увеличило доходы Samsung в сегменте панелей для экранов мобильных устройств.

Прибыль Samsung от реализации мобильных устройств выросла до $2,4 млрд, но по сравнению с прошлым годом изменилась незначительно. Особой популярностью пользовались флагманские модели серии Galaxy S23 и складные смартфоны марки. В мобильном сегменте спрос должен стабилизироваться в следующем году, по прогнозам руководства Samsung, объёмы поставок вырастут на двузначное количество процентов.

В текущем году Samsung увеличит капитальные расходы незначительно, до $39,7 млрд, но и эта сумма будет для компании рекордной. Из них примерно $35,1 млрд будут предназначены полупроводниковому сектору бизнеса. Приоритет будет отдан наращиванию производства микросхем памяти с высокой плотностью типа той же HBM3. В следующем году профильные производственные мощности планируется увеличить в два с половиной раза, как минимум. Представители Samsung на отчётном мероприятии выразили надежду, что NVIDIA не будет в дальнейшем полагаться на единственного поставщика памяти типа HBM3, коим остаётся конкурирующая SK hynix. После публикации отчётности акции Samsung начали было расти в цене, но потом упали на 0,3 %.

Являясь крупнейшим поставщиком микросхем памяти типа HBM, южнокорейская компания SK hynix до сих пор сохраняла исключительные права на снабжение ею ускорителей NVIDIA для систем искусственного интеллекта. Свежая статистика говорит о том, что заказами на поставку микросхем HBM3 и HBM3E компания загружена до конца 2024 года.

Источник изображения: SK hynix

Об этом со ссылкой на южнокорейские СМИ сообщило сегодня издание DigiTimes. По данным источника, все производственные квоты на выпуск памяти HBM3 и HBM3E у компании SK hynix уже забронированы клиентами. В ближайшие пять лет корейский производитель рассчитывает увеличивать объёмы её выпуска на 60–80 % ежегодно. При этом количество серверных систем, оснащаемых ускорителями с памятью типа HBM и используемыми для работы с искусственным интеллектом, будет расти ежегодно на 40 %, как ожидают в компании. В этом году около 10 % всех вводимых в эксплуатацию серверных систем будут ориентироваться на искусственный интеллект, по прогнозам SK hynix.

Корейский производитель будет в целом увеличивать долю более доходной продукции в своей программе. Помимо HBM, внимание будет уделяться выпуску микросхем памяти типа DDR5, а вот объёмы выпуска DDR4 компания будет агрессивно уменьшать уже в этом полугодии. В текущем квартале на 10 % будут сокращены объёмы выпуска твердотельной памяти типа NAND, поскольку рынок ещё не избавился от складских излишков по этому типу продукции. Концентрация на доходных видах памяти уже позволила SK hynix в третьем квартале последовательно увеличить среднюю цену реализации DRAM на 10 %, а объёмы поставок — на 20 %. Не менее важно, что данные шаги позволили компании после двух подряд убыточных кварталов вернуться к получению прибыли.

В начале прошлого месяца появились слухи о возможности заключения между Samsung и NVIDIA контракта на поставку памяти типа HBM3 для создания ускорителей вычислений. До сих пор такую память для нужд NVIDIA поставляла только конкурирующая SK hynix. Однако, теперь Bloomberg сообщает о наличии проблем у Samsung с заключением такого контракта, и подчёркивает отставание акций корейского гиганта по динамике роста курса от SK hynix в этом году.

Источник изображения: NVIDIA

Если акции Samsung Electronics в текущем году выросли на 24 %, то у SK hynix наблюдался рост котировок на 67 %. По сути, разрыв между ними достиг максимального значения за прошедшие десять лет. Общая ситуация на рынке микросхем памяти в этом году не может считаться благополучной, поэтому инвесторы обратили внимание на сегмент памяти типа HBM, которая востребована в сегменте ускорителей вычислений, лидирующие позиции в котором сейчас занимает NVIDIA. Поскольку спрос на продукцию последней значительно опережает возможности производителей, объёмы выпуска памяти типа HBM3 тоже растут стремительно, и от этой тенденции в большей степени выигрывает SK hynix, у которой есть контракт с NVIDIA.

Впрочем, как поясняет Bloomberg, аналитики начинают готовить аудиторию к полноценному выходу на этот рынок продукции Samsung. В течение следующих 12 месяцев, как ожидается, акции компании могут вырасти в цене на 30 %, тогда как у SK hynix потенциал дальнейшего роста ограничивается 20 %. Эксперты Eugene Investment & Securities, например, убеждены, что если Samsung начнёт поставлять новую версию HBM3 в этом году, то отставание от SK hynix сократится до четырёх или пяти месяцев. В следующем году Samsung дополнительно сократит разрыв с SK hynix, хотя последняя и сохраняет шансы остаться лидером в этом сегменте рынка. В 2025 году, как известно, Samsung намеревается предложить память типа HBM4, поэтому довольствоваться ролью догоняющего она будет не так долго.

Компания Samsung приступила к поставкам опытных образцов микросхем высокопроизводительной памяти HBM3E пятого поколения с кодовым названием Shinebolt, сообщает южнокорейское издание Business Korea. На фоне продолжающегося роста спроса на высокопроизводительное аппаратное обеспечение для задач, связанных с искусственным интеллектом, данный вид памяти становится более актуальным по сравнению с обычной DRAM.

Источник изображения: Wccftech

По словам производителя, новые чипы памяти HBM3E предлагают возросшую примерно на 50 % пропускную способность по сравнению с решениями Samsung предыдущего поколения. Опытные образцы Samsung обладают восьмиярусной компоновкой из 24-гигабитных микросхем. Сообщается, что производитель также завершает разработку 12-ярусных чипов памяти HBM3E ёмкостью 36 Гбайт.

Первые тесты показывают, что память Samsung HBM3E с кодовым именем Shinebolt обеспечивает пропускную способность на уровне 1,228 Тбайт/с, что выше показателя тех же чипов HBM3E от компании SK hynix, являющейся лидером в данной области.

Для производства памяти HBM компания Samsung последовательно применяет метод с использованием термокомпрессионной непроводящей пленки (TC-NCF). В свою очередь SK hynix для производства своих микросхем памяти HBM использует более передовой подход Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF), представляющий собой метод объединения нескольких чипов памяти на одной подложке посредством спайки.

По данным Business Korea, Samsung также продолжает исследовать более передовые процессы сборки стеков памяти HBM с использованием гибридной спайки.

Южнокорейской компании SK hynix придётся отстаивать титул производителя самой быстрой в мире памяти типа HBM3E, поскольку этим летом компания Micron Technology объявила о разработке аналогичных микросхем со скоростью передачи информации более 1,2 Тбайт/с. Как поясняют представители американского производителя, образцы HBM3E этой марки сейчас проходят тестирование силами клиентов, а выручку от поставок серийных микросхем компания начнёт получать в следующем году.

Источник изображения: Micron Technology

По имеющимся данным, память типа HBM3E в исполнении Micron обладает восьмиярусной компоновкой и объёмом 24 Гбайт на стек, при этом она выпускается по технологии 1β и обладает выдающимися показателями энергоэффективности. Во всяком случае, при том уровне быстродействия, что предлагает эта память в исполнении Micron, по словам представителей компании, она настолько экономичнее предложений конкурентов, что некоторые из получивших образцы клиентов просто не верят полученным ими результатам тестирования. Коммерческие поставки этих микросхем Micron начнёт в следующем году, а сейчас проводит процедуру сертификации этой продукции на соответствие требованиям NVIDIA.

Если учесть, что память типа HBM (обобщённо) марки Samsung должна получить доступ к производственной инфраструктуре NVIDIA в этом году, то в следующем её поставщиками станут все три крупнейших производителя, включая Micron и SK hynix. Последняя в этом смысле является «старожилом» сегмента, но высокий спрос на ускорители NVIDIA явно обеспечит рынком сбыта продукцию конкурентов SK hynix. Едва выйдя на рынок памяти типа HBM3E, компания Micron уже в следующем году ожидает выручить от её реализации несколько сотен миллионов долларов США. Динамичное развитие этого сегмента рынка позволит Micron компенсировать слабый спрос на других направлениях. В следующем году компания вложит серьёзные средства в создание производственных линий по выпуску и упаковке микросхем HBM3E. Объёмы выпуска начнут наращиваться в начале следующего календарного года, и к концу августа выручка от реализации HBM3E уже достигнет значимых величин — тех самых сотен миллионов долларов США, по всей видимости.

Обнаруженная в составе новейшего смартфона работающей под санкциями США компании Huawei память марки SK hynix появилась там против воли самого южнокорейского производителя, но данный факт сам по себе прервал рост курса акций компании, которые укрепились в цене с начала года на 60 % из-за увлечения инвесторов идеями повсеместного распространения технологий искусственного интеллекта.

Источник изображения: SK hynix

Как известно, до недавних пор SK hynix оставалась единственным поставщиком памяти типа HBM3 для ускорителей вычислений NVIDIA, спрос на которые, по данным руководства TSMC, в этом году вырос в три раза. Инвесторы справедливо рассуждали, что и SK hynix что-нибудь да перепадёт с хлебосольного стола NVIDIA. Недавно стало известно, что в ряды поставщиков HBM3 для нужд последней из компаний с октября попадёт и Samsung Electronics.

Тем не менее, коррекцию курса акций SK hynix вызвал именно скандал со смартфоном Huawei Mate 60 Pro, внутри которого обнаружилась память этой корейской марки, хотя подобное сотрудничество между производителями было запрещено правилами экспортного контроля США ещё с 2019 года. Официально SK hynix заявляет, что полностью подчиняется требованиям законодательства США, и Huawei своей памятью снабжать перестала сразу же, как только возникли соответствующие ограничения.

С прошлого четверга, как поясняет Bloomberg, акции SK hynix потеряли в цене 6 %, поскольку скандал с Huawei немного насторожил инвесторов. Ситуацию усугубили намерения китайских властей запретить использование Apple iPhone чиновниками и сотрудниками компаний с государственным участием. Спросу на новые смартфоны Apple это навредит, и поставки памяти SK hynix для нужд этого производителя смартфонов тоже сократятся. В следующем месяце корейский производитель памяти должен отчитаться о результатах квартала, и некоторые эксперты ожидают, что они окажутся хуже прогнозов.

В предыдущем квартале выручка SK hynix сократилась в годовом сравнении в два раза, компания уже три квартала подряд получает операционные убытки. Сейчас предпосылок для заметного улучшения спроса на микросхемы памяти на рынке попросту нет. Всё это подтолкнуло инвесторов, которые до этого вкладывались в акции SK hynix, зафиксировать прибыль.