Пользователям, желающим приобрести видеокарту AMD Radeon RX 9070 XT, следует тщательнее подходить к вопросу выбора той или иной версии ускорителя. Как показывают тесты, варианты RX 9070 XT, оснащающиеся чипами памяти Samsung, в среднем демонстрируют на 2 % меньше производительности по сравнению с моделями с памятью SK hynix. Однако память Samsung работает с менее высокими температурами.

Источник изображения: Tom's Hardware

Китайский энтузиаст с псевдонимом 51972 недавно опубликовал в социальной сети Bilibili результаты масштабного теста 22 версий видеокарт Radeon RX 9070 XT, оснащённых памятью Samsung и SK hynix, сравнив их между собой. Тесты проводились в бенчмарке 3DMark Speed Way. Каждая модель карты, оснащённая памятью Samsung, показала результаты на 1–2 % хуже, чем варианты карт с памятью SK hynix.

Даже самые быстрые образцы видеокарт с памятью Samsung показали меньшие результаты самых медленных версий Radeon RX 9070 XT с памятью SK hynix. По словам энтузиаста, он обратился в китайский офис AMD за комментарием, где ему ответили, что разница в быстродействии карт с чипами памяти Samsung и SK hynix заключается в более высоких задержках у чипов памяти Samsung.

Китайский энтузиаст не проводил игровых тестов карт с разной памятью. Весьма вероятно, что в реальных сценариях использования эта разница в производительности, как и разница в задержках у видеопамяти может быть не так заметна, как в том же синтетическом бенчмарке, и речь может идти о 58 кадрах в секунду в играх в одном случае и о 60 кадрах в другом.

Более ранние тесты также показали, что память Samsung греется при работе значительно меньше. Если чипы памяти SK hynix в видеокартах Radeon RX 9070 XT под нагрузкой могут разогреваться до более чем 85 градусов Цельсия, то память Samsung работает при температурах, не превышающих 75 градусов Цельсия даже в стресс-тестах Furmark.

Аналитический отчёт TrendForce за первый квартал 2025 года показывают, что глобальный доход отрасли производства памяти DRAM составил $27,01 млрд, что на 5,5 % ниже по сравнению с предыдущим кварталом. Эксперты полагают, что этот спад обусловлен падением контрактных цен на обычные микросхемы DRAM и сокращением объёмов поставок памяти HBM.

Источник изображения: Samsung

В первом квартале 2025 года SK hynix, несмотря на падение выручки на 7,1 % по сравнению с предыдущим кварталом, заняла лидирующее место среди производителей DRAM с выручкой $9,72 млрд. Растущая доля памяти HBM3e помогла компании сохранить средние цены продаж по сравнению с предыдущим кварталом.

Выручка Samsung по сравнению с предыдущим кварталом резко снизилась на 19 % до $9,1 млрд, обеспечив компании лишь второе место в рейтинге производителей DRAM. Падение продаж аналитики связывают в основном с невозможностью напрямую продавать память HBM в Китай и значительным сокращением поставок дорогостоящей HBM3e после модернизации производства.

Micron заняла третье место с $6,58 млрд выручки, что на 2,7 % выше по сравнению с предыдущим кварталом. Масштабные поставки памяти HBM3e компенсировали незначительное снижение средней цены продаж.

По мере перехода трёх ведущих поставщиков DRAM на передовые техпроцессы освобождающиеся рыночные ниши все чаще заполняются тайваньскими поставщиками, использующими зрелые процессы. Этим объясняется явный квартальный рост выручки для Nanya и Winbond в первом квартале.

Nanya начала поставки отдельных продуктов DDR5 и сообщила о выручке в размере $219 млн, что на 7,5 % больше, чем в предыдущем квартале. Winbond продемонстрировала существенный рост поставок памяти форматов LPDDR4 и DDR4, что увеличило выручку компании на 22,7 % до $146 млн, несмотря на общее снижение цен.

PSMC, которая сообщает только о своей внутренней выручке от потребительской DRAM, отметила снижение выручки за первый квартал на 1,4 % до $11 млн из-за сокращения выпуска пластин.

Источник изображения: TrendForce

В настоящий момент производители ПК и смартфонов наращивают складские запасы, стремясь по максимуму использовать 90-дневный льготный период перед введение повышенных таможенных тарифов, что привело к заметному увеличению объёмов поставок. Во втором квартал 2025 года TrendForce прогнозирует восстановление цен на основные контрактные позиции микросхем памяти с тенденцией к дальнейшему росту.

Спрос на увеличение пропускной способности памяти, используемой в системах искусственного интеллекта, подталкивает производителей быстрее осваивать выпуск HBM4. Между тем, эксперты TrendForce установили, что HBM4 в производстве окажется как минимум на 30 % дороже предшественницы, поскольку имеет более сложную компоновку.

Источник изображения: SK hynix

Во-первых, разрядность шины памяти при переходе от HBM3E к HBM4 удваивается с 1024 до 2048 бит. Соответственно, это приведёт к увеличению площади кристалла и расхода материала (кремния). Во-вторых, базовый кристалл HBM4 в отдельных вариантах исполнения будет содержать некоторые логические структуры, что тоже увеличит его стоимость. Подобная интеграция позволит повысить эффективность обмена данными и адаптировать микросхемы HBM4 к нуждам конкретных крупных клиентов.

Для HBM в целом планомерное увеличение сложности и себестоимости характерно, как поясняет TrendForce. Если HBM3E превзошла предшественницу на 20 %, то HBM4 светит прирост на все 30 %. Характерно, что скорость передачи информации у HBM4 увеличится главным образом за счёт удвоения пропускной способности шины, тогда как частота останется прежней и будет соответствовать режиму 8 Гбит/с. Количество ярусов в стеке тоже не изменится, оно будет достигать 12 или 16 штук.

Уже во второй половине 2026 года, по мнению аналитиков TrendForce, память типа HBM4 сможет обойти по своей популярности HBM3E. При этом южнокорейская компания SK hynix продолжит контролировать более 50 % рынка, а Samsung и Micron придётся выступать в роли догоняющих.

SK hynix объявила о разработке модулей памяти UFS 4.1 на основе самых высоких в мире 321-слойных ячеек памяти 3D NAND (или 4D NAND в терминологии самой компании). Эти модули предназначены для использования во встроенных накопителях мобильных устройств.

Источник изображения: skhynix.com

Для обеспечения стабильной работы систем искусственного интеллекта на мобильных устройствах требования к высокой производительности и низкому энергопотреблению памяти NAND постоянно возрастают, отметили в компании. Оптимизированные под ИИ-нагрузки компоненты UFS 4.1 должны помочь SK hynix укрепить позиции на рынке памяти для флагманских смартфонов.

Модули нового поколения обеспечивают прирост энергоэффективности на 7 % по сравнению с предыдущей версией, основанной на 238-слойных чипах NAND. Кроме того, их толщина уменьшена с 1 до 0,85 мм, что соответствует актуальному тренду на сверхтонкие смартфоны. Скорость передачи данных для новых модулей SK hynix UFS 4.1 достигает 4300 Мбайт/с — это самый высокий показатель последовательного чтения среди компонентов четвёртого поколения UFS. Показатели случайного чтения и записи, критически важные для многозадачности, увеличились на 15 % и 40 % соответственно.

Массовые поставки модулей UFS 4.1 нового образца SK hynix планирует начать в первом квартале следующего года. Они будут доступны в вариантах объёмом 512 Гбайт и 1 Тбайт.

Samsung официально заявила, что будет использовать технологию гибридного соединения (hybrid bonding) при производстве памяти HBM4. Это позволит снизить тепловыделение, улучшить пропускную способность и обеспечить более плотные межсоединения между кристаллами памяти. В то же время её главный конкурент и лидер на рынке HBM SK hynix предпочитает не спешить, рассматривая гибридное соединение как резервную технологию.

Источник изображения: AI

Современная высокоскоростная HBM-память представляет собой вертикальный стек из нескольких слоёв DRAM, установленных на базовом кристалле. Сейчас эти слои соединяются с помощью микробампов — микроскопических контактных площадок, передающих сигналы и питание между кристаллами. Для соединения используются технологии типа MR-MUF или TC-NCF. Также внутри каждого кристалла проходят сквозные соединения TSV, обеспечивающие вертикальное взаимодействие. Однако, как пишет Tom's Hardware, по мере роста скорости и числа слоёв микробампы становятся ограничивающим фактором в производительности и энергоэффективности.

Гибридное соединение решает эту проблему, позволяя напрямую соединять медные контактные площадки и оксидные слои кристаллов без использования микробампов. Такой подход позволяет достичь шага межсоединений менее 10 мкм, снизить сопротивление и ёмкость, увеличить плотность межсоединений и уменьшить толщину модуля. Но у технологии есть и два минуса — она значительно дороже традиционных методов и требует больше места на производственных линиях.

Отметим, что на этапе разработки HBM3E вся троица крупнейших производителей — Micron, Samsung и SK hynix — рассматривали возможность применения гибридного соединения, но в итоге Micron и Samsung выбрали TC-NCF, а SK hynix продолжила использовать MR-MUF. Теперь Samsung первой решается на переход на гибридное соединение для HBM4, тогда как SK hynix продолжает дорабатывать MR-MUF, надеясь, что её новая технология позволит создавать более тонкие 16-слойные модули HBM4, соответствующие стандартам JEDEC (775 мкм), но без дорогостоящего переоснащения производства.

Однако у Samsung есть определённое преимущество в виде собственной дочерней фирмы Semes, которая занимается выпуском производственного оборудования, что помогает снижать затраты на внедрение новых процессов. При этом пока неизвестно, готова ли Semes предоставить решения для массового производства HBM4 непосредственно с гибридным соединением.

Если Samsung успешно сертифицирует HBM4 с гибридным соединением, компания получит значительное технологическое преимущество перед Micron и SK hynix, что, по мнению аналитиков, может изменить конкурентный ландшафт на рынке памяти. Массовое производство запланировано на 2026 год, и именно тогда Samsung сможет вернуть утраченные рыночные позиции благодаря превосходству в трёх ключевых аспектах: производительности, тепловыделении и плотности межсоединений.

Южнокорейская компания SK hynix остаётся лидером рынка памяти типа HBM, которая востребована при производстве ускорителей вычислений. Строительство предприятия в США должно стать важным шагом по созданию в стране необходимой инфраструктуры для локализации производства подобных ускорителей. SK hynix недавно получила необходимое разрешение на строительство такого предприятия.

Источник изображения: SK hynix

Напомним, что оно должно разместиться в городе Уэст-Лафайетт, штат Индиана. В начале этого месяца публичные слушания по данному проекту завершились, причём SK hynix по их итогам получила возможность расположить своё предприятие на более крупном участке земли, чем предполагалось изначально. Хотя доступного для строительства пространства стало больше, возникла потенциальная проблема, поскольку новый участок изначально отводился под жилую застройку, и его назначение теперь придётся менять и согласовывать. Теоретически, это способно замедлить строительство фабрики.

Местные жители в ходе публичных слушаний выражали свою озабоченность способностью стройки негативно повлиять на окружающую среду, но муниципальные власти выделяли преимущества, приносимые проектом, вроде создания новых рабочих мест и инвестиций в размере $3,8 млрд, которые станут крупнейшими в истории города. Доступ к более крупному участку земли позволит SK hynix гибко реагировать на будущие изменения в спросе на память HBM, при необходимости наращивая объёмы производства за счёт строительства новых линий. Предприятие по упаковке памяти типа HBM должно быть построено и приступит к выпуску продукции во второй половине 2028 года.

Прокуратура Центрального округа Сеула по расследованию киберпреступлений сообщила, что 51-летний гражданин Республики Корея, обозначенный как «А», был арестован и обвинён в нарушении Закона о предотвращении недобросовестной конкуренции и охране коммерческой тайны. Обвиняемый ранее работал в компании SK hynix и в одном из её китайских филиалов, где, как предполагается, и совершил правонарушение — передал одной из местных компаний секреты производства чипов HBM.

Источник изображения: ИИ-генерация Grok 3/3DNews

Как пояснили в правоохранительных органах, «А» обвиняется в утечке конфиденциальных данных компании, которые он передал полупроводниковой компании HiSilicon во время своей работы в дочерней компании SK hynix в Китае в 2022 году.

По данным обвинения, обвиняемый сделал и сохранил более 11 000 фотографий технологических документов SK hynix, связанных с производством датчиков изображения CMOS (CIS). К технологии производства памяти HBM относится техпроцесс формирования металлических контактов на пластинах для соединения их в стеки. Это улучшает отвод тепла наружу и обеспечивает сквозное электрическое соединение нескольких слоёв кристаллов, чем производство памяти HBM отличается, например, от DRAM. Датчики изображения также используют схожую технологию, поскольку представляют собой стек из слоя фотодиодов, сигнального процессора и памяти.

Сообщается, что «А» удалил пометку «конфиденциально» и логотип компании с некоторых технических документов перед тем, как сделать их фотографии. Также выяснилось, что обвиняемый использовал материалы, составляющие коммерческую тайну, при составлении резюме, которое затем отправил в китайскую компанию.

На Североамериканском технологическом симпозиуме, который проводит TSMC, компания SK hynix представила образцы памяти нового поколения HBM4 и новые продукты на основе актуальной HBM3E.

Источник изображений: skhynix.com

С 12-слойными стеками памяти HBM4 производитель достиг скорости 2 Тбайт/с, что значительно превышает возможности HBM3E, у которой этот показатель составляет 1,2 Тбайт/с. SK hynix также показала образцы 16-слойной HBM3E. В марте корейская компания объявила, что первой в мире начала рассылать образцы HBM4 крупным клиентам, а подготовка к массовому производству памяти на основе новой технологии завершится во второй половине 2025 года. Под крупными клиентами, вероятно, подразумеваются Nvidia и AMD.

Если провести сравнение с игровым оборудованием, только один стек памяти HBM4 способен обеспечить более высокую пропускную способность, чем вся память видеокарты Nvidia GeForce RTX 5090, у которой 32 Гбайт GDDR7 с 1792 Гбайт/с или почти 1,8 Тбайт/с. Один стек HBM4 предлагает 2 Тбайт/с при ёмкости до 48 Гбайт. Но ускорители искусственного интеллекта обычно подключаются к нескольким стекам HBM одновременно, что позволяет им достигать скоростей, недоступных игровой графике. Так, один чип Nvidia B200 подключается к восьми HBM3E.

Как отмечалось накануне, аналитики ожидали от SK hynix роста квартальной выручки на 38 % и операционной прибыли на 129 %, но фактические объявленные этим южнокорейским производителем памяти показатели роста оказались выше. Выручка компании выросла в прошлом квартале на 42 %, а операционная прибыль увеличилась на 158 %.

Источник изображения: SK hynix

В абсолютном измерении выручка SK hynix достигла $12,36 млрд, а операционная прибыль выросла до $5,2 млрд. В последовательном сравнении наблюдалась отрицательная динамика, но она в целом характерна для перехода от четвёртого квартала к первому. Выручка SK hynix последовательно снизилась на 11 %, а операционная прибыль просела на 8 % после того, как в четвёртом квартале был установлен рекорд по соответствующему финансовому показателю. Результаты первого квартала не стали рекордными, но они уступили лишь итогам четвёртого квартала прошлого года.

Представители компании пояснили, что динамика прибыли в первом квартале отобразила её успехи в сфере реализации памяти для сегмента искусственного интеллекта. По мнению производителя, расходы участников рынка систем ИИ на развитие инфраструктуры продолжат расти, поскольку сохраняется спрос на создание «суверенных проектов» в этой сфере со стороны властей крупных стран. При этом в SK hynix подчёркивают, что геополитическая нестабильность создаст волатильность спроса во второй половине текущего года. Это не помешало компании сохранить свой прогноз по удвоению спроса на HBM по итогам всего 2025 года, поскольку соглашения на поставку соответствующей продукции в этом периоде были заключены ещё за год до этого. Развитие ИИ в сегменте смартфонов, по мнению руководства, подтолкнёт потребителей к обновлению своих устройств на содержащие более производительные чипы памяти.

В ходе предстоящего квартального отчёта о доходах SK hynix, вероятно, объявит, что впервые за несколько десятилетий соперничества сумела сместить Samsung с позиции мирового лидера по производству памяти DRAM, чему способствовал рост спроса на компоненты для систем искусственного интеллекта.

Источник изображения: skhynix.com

SK hynix, основной поставщик высокоскоростной памяти для Nvidia, по итогам минувшего квартала захватила 36 % рынка DRAM, тогда как Samsung достались лишь 34 %, сообщили аналитики Counterpoint Research. В IV квартале 2024 года Samsung, удерживавшая статус лидера в сегменте DRAM более 30 лет, показала прибыль ниже, чем SK hynix. Значительная часть выручки SK hynix приходится на высокоскоростную память для ИИ, считают аналитики.

DRAM (Dynamic Random Access Memory) — тип памяти, который преимущественно используется для обработки данных на компьютерах и серверах; чипы HBM (High Bandwidth Memory) включают в себя несколько установленных друг на друга кристаллов DRAM. Это позволяет значительно увеличить объёмы обрабатываемых данных, что особенно важно для ускорителей, применяемых при обучении ИИ. По прогнозам аналитиков, завтра SK hynix объявит о квартальном росте продаж на 38 % и увеличении операционной прибыли на 129 % за отчётный период. В сегменте HBM компания укрепила лидерство, заняв 70 % рынка. По итогам 2025 года за SK hynix, по прогнозам TrendForce, сохранится около половины рынка в битах, в то время как доля Samsung упадёт ниже 30 %, а Micron нарастит свою долю почти до 20 %.

Источник изображения: counterpointresearch.com

Сдерживающими факторами для развития рынка памяти эксперты называют санкции, введённые в отношении Китая, и американские пошлины. Сегмент HBM представляется уязвимым к любому замедлению роста производственных мощностей по упаковке чипов, поэтому фаворитом у инвесторов остаётся Samsung, способная «лучше выдержать замедление макроэкономики». Рентабельность по операционной прибыли SK hynix, по оценкам аналитиков, в минувшем квартале составила 36–38 %. Конкурент компании, Micron, по итогам квартала, завершившегося 27 февраля, продемонстрировал средний однозначный рост цен на DRAM. Samsung предварительно отчиталась об операционной прибыли в размере 6,6 трлн вон ($4,6 млрд) при выручке 79 трлн вон ($55,59 млрд); полный финансовый отчёт компания представит 30 апреля.

Южнокорейской компании SK hynix уже удавалось обойти более крупного в целом конкурента в лице Samsung Electronics по величине прибыли, поскольку она стала основным поставщиком достаточно доходной памяти семейства HBM для нужд Nvidia. Теперь лидерство SK hynix закрепилось и в показателях выручки.

Источник изображения: SK hynix

Как поясняет Counterpoint Research, по итогам первого квартала SK hynix стала крупнейшим поставщиком DRAM в показателях выручки, заняв 36 % мирового рынка. Непосредственно в сегменте HBM доля SK hynix в денежном выражении достигла 70 %. По прогнозам аналитиков, во втором квартале SK hynix продолжит укреплять свои позиции на рынке DRAM в денежных показателях.

Источник изображения: Counterpoint Research

При этом Samsung Electronics всё равно отстаёт от соперника не так сильно, поскольку всё ещё занимает 34 % рынка DRAM в показателях выручки. На третьем месте закрепилась Micron Technology с долей 25 %, которая тоже поставляет передовую память HBM для нужд Nvidia. Все прочие производители DRAM сообща контролируют не более 5 % рынка оперативной памяти. Следует учитывать, что HBM они не поставляют, хотя китайские производители предпринимают попытки наладить её выпуск в условиях американских санкций.

Импортные пошлины, вводимые США и Китаем, в ближайшее время на рынок HBM повлияют в минимальной степени. Во-первых, потому что спрос на ускорители вычислений очень высок, и рост цен его не особо снизит. Во-вторых, серверный рынок достаточно сильно распределён географически, а потому может подстраиваться под текущую конъюнктуру достаточно быстро и гибко. В долгосрочной же перспективе при сохранении торговых барьеров рынок HBM может пострадать из-за макроэкономических проблем в виде рецессии или депрессии, как поясняют представители Counterpoint Research.

Intel и SK hynix на этой неделе завершили сделку на общую сумму около $8,85 млрд по продаже бизнеса по производству флеш-памяти NAND американской компанией южнокорейской. Таким образом завершился двухэтапный процесс продажи бизнеса Intel по выпуску NAND, начатый в 2020 году.

Источник изображения: SK hynix

В четверг Intel получила от SK hynix последний платёж в размере $1,9 млрд. В свою очередь, под управление SK hynix официально перешли интеллектуальная собственность Intel в сфере разработки флеш-памяти NAND, а также сотрудники предприятий Intel, занятые в этом направлении. Это позволит командам Solidigm более тесно сотрудничать с SK hynix над будущими продуктами, отмечает DigiTimes.

«27 марта 2025 года произошло второе закрытие сделки. Сумма трансфера, полученного Intel при втором закрытии, составила приблизительно 1,9 млрд долларов за вычетом определённых корректировок», — говорится в заявлении Intel, направленном в Комиссию по ценным бумагам и биржам США.

Приобретение бизнеса Intel NAND компанией SK hynix проходило в два этапа. В 2021 году SK hynix приобрела бизнес Intel по производству SSD и завод по выпуску памяти NAND в Даляне (Китай) за $6,61 млрд. После этого SK hynix переименовала корпоративное подразделение Intel по производству SSD в Solidigm и продолжила его деятельность под новым брендом. Однако на этом этапе были переданы только физические активы и операции, связанные с SSD, за исключением интеллектуальной собственности Intel, инфраструктуры R&D и ключевого персонала, занятого в разработке и производстве NAND.

Сделка полностью завершилась в этом месяце, когда SK hynix выплатила оставшиеся $1,9 млрд (изначально предполагалось $2,24 млрд) для получения прав на интеллектуальную собственность Intel, а также инфраструктуру R&D и персонал. После этого Solidigm взяла на себя полный операционный контроль. Представитель Intel сообщил Tom's Hardware, что эта сделка «ещё больше укрепит баланс компании и повысит её финансовую гибкость».

Tom's Hardware отмечает, что между технологиями SK hynix и приобретёнными технологиями Intel по производству флеш-памяти NAND имеются фундаментальные различия. Intel исторически использовала технологию флеш-памяти с плавающим затвором, тогда как SK hynix в основном полагалась на технологию с ловушкой заряда (CTF). Поскольку Solidigm унаследовала линейки NAND-продуктов Intel, материнская компания SK hynix продолжила выпуск памяти NAND с плавающим затвором. Некоторые флагманские накопители Solidigm, основанные на высоконадёжной памяти 3D QLC, используют именно этот тип NAND.

В перспективе SK hynix, возможно, потребуется решить проблемы, связанные с двойными технологиями NAND. Первоначально компания может поддерживать отдельные производственные линии, предлагая специализированные продукты, использующие сильные стороны каждой технологии. Однако в долгосрочной перспективе стратегия может включать постепенную консолидацию вокруг единого технологического процесса для снижения сложности и производственных накладных расходов.

Solidigm, бывшее подразделение Intel по производству корпоративных SSD, значительно расширило присутствие SK hynix на рынке корпоративных систем хранения данных. Несмотря на технические различия в производстве NAND, SK hynix явно намерена стратегически использовать это приобретение для дальнейшего укрепления позиций в сегменте корпоративных SSD.

Также сообщается, что с завершением второй фазы сделки прекращено действие соглашения, позволявшего Intel производить пластины NAND на предприятии SK hynix в Даляне.

«В связи со вторым закрытием сделки соглашение о производстве и продаже пластин NAND, заключённое при первом этапе сделки между Intel, SK hynix и аффилированными лицами, в рамках которого Intel производила пластины NAND на предприятии SK hynix в Даляне, прекратило своё действие», — говорится в заявлении компании.

Южнокорейской компании SK hynix удалось стать крупнейшим поставщиком микросхем памяти семейства HBM именно благодаря сотрудничеству с Nvidia, которая использует такую память при производстве своих ускорителей вычислений для систем ИИ. Партнёр Nvidia убеждён, что распространение более доступных языковых моделей DeepSeek пойдёт ему на пользу, а не навредит.

Источник изображения: SK hynix

Когда выход языковых моделей DeepSeek стал откровением для тех, кто тратил внушительные средства и вычислительные ресурсы на обучение подобных систем искусственного интеллекта, часто стало звучать мнение о неизбежном спаде спроса на производительные ускорители вычислений. Многие поставщики компонентов, включая Nvidia, подобные настроения в силу понятных причин старались игнорировать и выступали с опровержениями, и SK hynix не стала исключением.

Глава SK hynix по мировым продажам и маркетингу Ли Сан Рак (Lee Sang-rak) пояснил, что появление DeepSeek в конечном итоге выгодно этому производителю памяти: «Это скорее всего окажет положительное влияние на средне- и долгосрочный спрос на микросхемы памяти для ИИ. С нашей точки зрения, мы не видим причин для снижения спроса на высокопроизводительные ускорители вычислений или HBM». Представитель компании также напомнил, что все квоты на поставку HBM на текущий год уже распроданы. В текущем полугодии SK hynix намерена заключить контракты на поставку памяти HBM в 2026 году. В этом году, по мнению руководства SK hynix, объёмы реализации HBM должны увеличиться более чем в два раза.

Опасения со стороны клиентов по поводу предстоящего в апреле повышения таможенных ставок на полупроводниковые компоненты в США до 25 %, по словам представителя SK hynix, подтолкнули их к опережающим закупкам памяти. Если учесть, что запасы продукции на стороне клиентов до этого сократились, для поставщиков это создало достаточно выгодные условия. SK hynix ожидает «взрывного роста» спроса на HBM в текущем году, как признался Ли Сан Рак.

Поскольку компания SK hynix уже созналась в начале поставок образцов микросхем памяти типа HBM4, было бы странно сохранять в тайне их характеристики. Представителям Computer Base удалось обобщить всю опубликованную в последние дни информацию о планах ведущих игроков рынка в сфере производства HBM4, и характеристики этой памяти интригуют.

Источник изображения: ComputerBase.de

Хотя SK hynix вчера объявила о начале поставки 12-ярусных стеков HBM4 объёмом 36 Гбайт со скоростью 8 Гбит/с. Но предельными эти показатели, конечно, не будут. Предсказуемо высота стеков сначала увеличится до 16 штук, а в перспективе достигнет и 20 штук, но последняя характеристика с высокой вероятностью будет присуща уже преемнице HBM4. SK hynix намерена предлагать 16-ярусные стеки HBM4 объёмом 48 Гбайт. Пропускной способностью в 8 Гбит/с тоже никто ограничиваться не собирается, поскольку та же Samsung Electronics намеревается поднять её до 9,2 Гбит/с.

Источник изображения: ComputerBase.de

В эти дни отметилась даже американская Micron Technology, лаконично заявив, что в больших количествах начнёт выпускать память типа HBM4 в 2026 году. Samsung попутно поясняет, что в 16-ярусном исполнении намерена предлагать и HBM4, и HBM4E, но если в первом случае предельный объём стека ограничится 36 Гбайт, то во втором он достигнет 64 Гбайт. Одновременно с 9,2 до 10 Гбит/с вырастет и пропускная способность памяти. При выпуске HBM4 и HBM4E, как поясняет Samsung, будет использоваться более сложная литография, присущая технологиям выпуска логических компонентов. Скорее всего, она потребуется для выпуска базового кристалла стека.

Компании Micron, Samsung и SK hynix анонсировали новые модули памяти SOCAMM на основе уложенных в стеки чипов LPDDR5X, ёмкость которых достигает 128 Гбайт. Технология ориентирована на серверы с низким энергопотреблением и на системы, использующие искусственный интеллект. Первые SOCAMM появятся в системах с Nvidia Grace Blackwell Ultra GB300 Superchip.

Источник изображения: Micron

Micron первой выпустит SOCAMM объёмом 128 Гбайт, используя свою технологию производства DRAM 1β (1-бета, пятое поколение 10-нм класса). Хотя компания не раскрывает точную скорость передачи данных, она заявляет поддержку скорости до 9,6 ГТ/с. В то же время представленный на конференции Nvidia GTC 2025 модуль SOCAMM от SK hynix работает на скорости до 7,5 ГТ/с. Дополнительно Tom's Hardware сообщает, что размер одного модуля SOCAMM составляет 14 × 90 мм, что примерно в три раза меньше стандартного модуля RDIMM, а внутри размещены до четырёх стеков по 16 микросхем памяти LPDDR5X.

Источник изображения: Tom's Hardware

Энергопотребление памяти является одним из ключевых факторов, влияющих на общую энергоэффективность серверов. В системах с терабайтами памяти DDR5 на сокет энергопотребление DRAM может превышать энергопотребление центрального процессора. Nvidia учла этот аспект при разработке своих процессоров Grace, ориентированных на использование энергоэффективной памяти LPDDR5X. Однако в машинах на базе GB200 Grace Blackwell компании пришлось использовать припаянные модули LPDDR5X, так как стандартные модули не могли обеспечить необходимую ёмкость.

Источник изображения: Tom's Hardware

SOCAMM от Micron решает эту проблему, предлагая стандартное модульное решение, способное вместить четыре 16-слойных стека LPDDR5X и обеспечивая тем самым высокую ёмкость. По словам представителей компании, их модули SOCAMM ёмкостью 128 Гбайт потребляют на треть меньше энергии, чем модули DDR5 R-DIMM такой же ёмкости. При этом пока неясно, станет ли SOCAMM отраслевым стандартом, поддерживаемым JEDEC, или останется проприетарным решением, разработанным Micron, Samsung, SK hynix и Nvidia для серверов на базе процессоров Grace и Vera.

В настоящее время Micron уже запустила массовое производство SOCAMM. Они появятся в системах на базе Nvidia GB300 Grace Blackwell Ultra Superchip во второй половине текущего года. Отметим, что модульная конструкция упрощает производство и обслуживание серверов, что, вероятно, положительно скажется на ценах на системы, в первую очередь, для нужд искусственного интеллекта.