Компания Samsung открыла в США новую исследовательскую лабораторию, сообщает издание The Korea Times со ссылкой на свои источники. Предприятие, расположенное в Кремниевой долине, занимается разработкой технологий оперативной памяти 3D DRAM в рамках программы Device Solutions America. По данным издания, задача новой лаборатории Samsung — вывести компанию в лидеры на мировом рынке памяти 3D DRAM.

Источник изображения: Samsung

3D DRAM представляет собой оперативную память DRAM, которую предполагается производить с использованием технологии трёхмерного размещения транзисторов вместо применяемого сейчас планарного размещения. Цель трёхмерного производственного процесса заключается в более эффективном использовании физических ограничений микросхем путём вертикального наложения дополнительных слоёв ячеек памяти или целых кристаллов друг на друга.

Примером технологии оперативной 3D-памяти может служить технология кеш-памяти 3D V-Cache, которая используется в потребительских процессорах AMD Ryzen X3D, а также в её некоторых серверных чипах. В данном случае 3D V-Cache представляет собой дополнительный слой кеш-памяти 3-го уровня, который наслаивается поверх основного слоя кеш-памяти L3 процессора.

The Korea Times напоминает, что именно Samsung является первой компанией, которая более десятилетия назад представила технологию трёхмерной флеш-памяти NAND, которую компания называет V-NAND. Она и по сей день используется в твердотельных накопителях. Кроме того, другие производители тоже освоили выпуск флеш-памяти 3D NAND, и с каждым годом наращивают число слоёв — в современных чипах их число перевалило за 230.

Технология трёхмерного производства кеш-памяти доказала свою эффективность в процессорном сегменте. Samsung ещё в октябре 2023 года заявила, что трёхмерная структура кристаллов оперативной памяти, производимых с использованием техпроцессов тоньше 10 нм, в перспективе позволит создавать более ёмкие чипы памяти DRAM с плотностью, превышающей 100 Гбит на микросхему.

Падение контрактных цен на DRAM, начавшееся ещё в четвёртом квартале 2021 года, удалось окончательно остановить лишь в четвёртой четверти 2023 года. Также в третьем квартале 2023 года удалось начать восстановление сегмента NAND, который демонстрировал спад четыре квартала подряд. И если производители сумеют удержать эффективный контроль над уровнем загрузки своих мощностей, восходящий тренд удастся сохранить, уверены аналитики TrendForce.

Источник изображения: samsung.com

Сезон роста откроется уже в текущем, первом квартале 2024 года, говорят аналитики TrendForce, подтверждая свои первоначальные прогнозы: рост цен на DRAM на 13–18 % и подорожание NAND на 18–23 % квартал к кварталу. Несмотря на в целом консервативный прогноз спроса во II квартале 2024 года, поставщики чипов памяти начали повышать коэффициенты загрузки мощностей уже в III квартале 2023 года. Ожидается, что покупатели NAND досрочно завершат пополнение запасов в I квартале 2024 года. Всё это уже привело к более умеренному росту цен в квартальном исчислении — на 3–8 % для DRAM и NAND в прогнозе на II квартал 2024 года.

Источник изображения: trendforce.com

III квартал 2024 года ознаменуется традиционным пиковым сезоном, когда североамериканские клиенты начнут энергичнее пополнять запасы ключевых компонентов. Контрактные цены на DRAM и NAND продолжат рост, который составит 8–13 %, но лишь при условии, что загрузка мощностей будет поддерживаться ниже 100 %. На рынке DRAM дальнейшему увеличению средней цены продажи (ASP) будут способствовать растущие темпы проникновения DDR5 и HBM.

Продолжение общего роста цен ожидается и в IV квартале 2024 года, опять же, если сохранится эффективная стратегия контроля производства. Рост цен квартал к кварталу составит 8–13 % — снова за счёт DDR5 и HBM, хотя по DDR5 к этому моменту не исключается и снижение показателей. Другими словами, рост контрактных цен в сегменте DRAM в 2024 году отражает изменения в ассортименте продукции, а не общий рост по всем чипам DRAM. Контрактные цены на NAND в IV квартале 2024 года вырастут на 0–5 % по сравнению с предыдущим кварталом.

Корпорация Microsoft установила минимально рекомендуемый объём оперативной памяти для ПК, работающих с ИИ-ассистентом Copilot, на уровне 16 Гбайт, сообщает TrendForce. По сути, это подтолкнёт активных пользователей ПК к модернизации своих систем. По меньшей мере, оперативной памяти придётся добавить, поскольку многие до сих пор обходились вдвое меньшим объёмом.

Источник изображения: Samsung Electronics

К таким рассуждениям приходит ресурс PC Gamer, который утверждает, что 8 Гбайт памяти уже давно считаются разумным минимумом объёма оперативной памяти для ПК. По крайней мере, это было справедливо для решения офисных задач, тогда как любители игр уже опираются на 16 Гбайт в качестве минимальной разумной отметки. Правда заключается в том, что и при работе с базовыми приложениями типа браузера с несколькими вкладками упереться в предел производительности по критерию оперативной памяти можно довольно быстро уже сейчас, если использовать лишь 8 Гбайт ОЗУ.

Цены на оперативную память DDR4 и DDR5 сейчас не так высоки, поэтому перейти с 8 на 16 Гбайт ОЗУ можно с умеренными затратами, если это возможно технически. Во всяком случае, не все ноутбуки позволяют провести такую операцию, и тогда придётся задуматься уже о замене всего устройства.

Распространение процессоров с функциями ускорения работы систем искусственного интеллекта начнётся уже в этом году, и рассчитывать на увеличение минимального объёма оперативной памяти лучше заблаговременно, пока цены на микросхемы DRAM не так высоки. В дальнейшем, как отмечают эксперты TrendForce, интеграция памяти типа LPDDR5x непосредственно на процессор или материнскую плату будет получать всё большее распространение, и тогда самостоятельное увеличение объёма ОЗУ станет невозможным.

Samsung разрабатывает новый тип памяти под названием Low Latency Wide I/O (LLW) DRAM, которая обладает очень высокой пропускной способностью, малой задержкой и низким энергопотреблением. Компания предлагает в первую очередь использовать новую память в системах искусственного интеллекта на базе больших языковых моделей (LLM), хотя также подобная память подойдёт и для других рабочих нагрузок, включая клиентские.

Источник изображения: Samsung

LLW DRAM от Samsung — это память с низким энергопотреблением, обладающая широкими возможностями ввода-вывода, низкой задержкой и пропускной способностью в 128 Гбайт/с на модуль (или стэк), что сопоставимо с сочетанием памяти DDR5-8000 и 128-битной шины. Одной из ключевых особенностей LLW DRAM от Samsung заявлено её низкое энергопотребление — 1,2 пДж/бит, хотя компания не сообщила, при какой скорости передачи данных измерена эта величина.

Хотя Samsung пока не раскрыла технических подробностей о LLW DRAM, стоит вспомнить, что компания уже некоторое время разрабатывает память с широкими интерфейсами, например, GDDR6W. Возможно, что Samsung объединяет ёмкость нескольких таких модулей DRAM, интегрированных в один корпус, с использованием технологии Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) для расширения пропускной способности интерфейса и снижения энергопотребления.

Samsung стандартизировала свою память GDDR6W во втором квартале 2022 года и планировала использовать её в системах искусственного интеллекта, высокопроизводительных вычислительных ускорителях и клиентских ПК. Вполне вероятно, что LLW DRAM будет использована в периферийных вычислительных устройствах для систем искусственного интеллекта, таких как смартфоны, ноутбуки и, возможно, автомобильные системы.

Samsung редко раскрывает информацию о том, когда её многообещающие технологии появятся на рынке, поэтому сроки выхода LLW DRAM в реальных устройствах пока неясны. Но, поскольку Samsung уже обнародовала подробности об ожидаемой производительности технологии, разработка LLW DRAM, вероятно, практически завершена.

На этой неделе южнокорейский гигант Samsung Electronics отчитается о предварительных итогах прошлого квартала, но даже такие значения для инвесторов станут важным индикатором состояния всего рынка полупроводниковых компонентов, поскольку эта компания является его крупнейшим участником. Прибыль Samsung должна сократиться на 14 %, что соответствует минимальному снижению за шесть предыдущих кварталов.

Источник изображения: Samsung Electronics

Даже отрицательная динамика прибыли, по словам South China Morning Post, в этом случае станет хорошим сигналом для участников рынка и инвесторов, поскольку прибыль крупнейшего производителя памяти по крайней мере замедлит темпы снижения до минимального за полтора года значения. Консенсус 30 аналитиков гласит, что в прошлом квартале операционная прибыль Samsung наверняка сократилась на 35 % до $2,82 млрд в годовом сравнении. Последний раз компания отчитывалась о росте квартальной прибыли в годовом сравнении во втором квартале 2022 года.

Полупроводниковый бизнес Samsung, как ожидается, в прошлом квартале ограничил свои операционные убытки суммой около $912 млн, что в три с лишним раза меньше, чем наблюдалось во втором и третьем кварталах прошлого года. Цены на память типов DRAM и NAND в четвёртом квартале начали расти, и это во многом способствовало улучшению динамики финансовых показателей деятельности Samsung. По оценкам TrendForce, в мобильном сегменте цены на DRAM в прошлом квартале выросли на 18–23 %, а цены на память типа NAND в мобильном сегменте могли увеличиться на 10–15 %. С первого полугодия Samsung неоднократно сокращала объёмы производства памяти, чтобы стимулировать рост цен. В прошлом квартале она также более активно распродавала запасы продукции по сравнению с конкурентами. Как ожидают эксперты, в сегменте DRAM компания Samsung уже должна была выйти на безубыточность в прошлом квартале.

В мобильном сегменте операционная прибыль Samsung могла в прошлом квартале достичь $1,9 млрд, отрицательное влияние на неё могли оказать снижающиеся объёмы продаж флагманских моделей смартфонов с гибким дисплеем. Каждая из двух моделей сократила объёмы реализации на 1 млн штук по сравнению с третьим кварталом, как считают аналитики.

Южнокорейский полупроводниковый гигант SK Hynix занял второе место в рейтинге рыночной капитализации Корейской биржи на конец 2023 года благодаря росту акций на фоне ожиданий восстановления рынка памяти, сообщил ресурс Nikkei Asia.

Источник изображения: SK Hynix

Корейский композитный индекс цен на акции (КОСПИ) вырос в 2023 году на 18,7 % под влиянием роста рыночной капитализации шести из 10 крупнейших компаний страны. В 2022 году из-за спада рынка чипов и роста процентных ставок упали акции всех 10 крупнейших компаний, за исключением LG Energy Solution, которая была включена в листинг в том же году.

Бесспорным лидером стала Samsung Electronics, чья рыночная капитализация выросла на 42 % до 468 трлн вон (около $356 млрд) на фоне ожиданий завершения спада рынка чипов. SK Hynix, нарастившая продажи чипов DRAM, увеличила свою рыночную капитализацию на 89 % до 103 трлн вон (около $78 млрд), в то время как занимающая в рейтинге третье место LG Energy Solution, производитель аккумуляторов, сократила капитализацию на 2 % до 100 трлн вон (около $76 млрд).

Вместе с SK Hynix лидером по росту акций стала сталелитейная компания POSCO Holdings (81 %) на фоне ожиданий увеличения доходов от производства материалов для аккумуляторов, поскольку её главный завод полностью восстановили после разрушений, нанесённых тайфуном.

Также поднялись в рейтинге Hyundai Motor и её дочерняя компания Kia благодаря продажам автомобилей класса high-end в Европе и США. Рыночная капитализация Hyundai выросла на 33 % до 43 трлн вон (около $33 млрд), а Kia — на 67 % до 40 трлн вон (около $30 млрд).

У компаний, связанных с производством аккумуляторов, показатели оказались не столь хорошими, LG Chem, материнская компания LG Energy Solution, и крупный производитель аккумуляторов Samsung SDI упали в рейтинге.

Продажи электромобилей выросли не так сильно, как ожидалось, в связи с чем вырос риск переизбытка предложения из-за значительных капвложений. Также влияет на изменения в рейтинге неопределённость в цепочке поставок аккумуляторов, вызванная напряжённостью между США и Китаем.

У технологических компаний, ориентированных на онлайн-технологии, год также был далеко не лучшим. На фоне насыщения южнокорейского рынка и ужесточения регуляторных правил в Южной Корее, Kakao продемонстрировала рост лишь на 2 %, опустившись с 10-го места в конце 2022 года на 14-е. В 2021 году она заняла пятое место.

Naver осталась на восьмом месте. Её опередил Coupang, крупный интернет-магазин, котирующийся на Нью-Йоркской фондовой бирже, с рыночной капитализацией в $28,9 млрд.

В минувшую среду в Южной Корее обвинили бывшего сотрудника Samsung Electronics в краже конфиденциальной информации, касающейся ключевых полупроводниковых технологий, с целью передачи их китайской компании за денежное вознаграждение, пишет ресурс Yonhap News Agency.

Источник изображения: Yonhap News Agency

Как стало известно, прокуратура Центрального округа Сеула предъявила обвинение гражданину Киму (Kim), который ранее занимал должность руководителя отдела в Samsung, в нарушении закона о защите промышленных технологий. Ким обвиняется в краже принадлежащей Samsung конфиденциальной информации, касающейся производства микросхем DRAM, и её передаче китайскому производителю чипов памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) для использования в разработке собственных продуктов.

Прокуратура подозревает Кима в передаче CXMT данных о семи ключевых технологиях для производства полупроводников и других технологиях Samsung в обмен на десятки миллионов долларов после его перехода в китайскую фирму в 2016 году. Также Ким подозревается в переманивании 20 технических специалистов из Samsung и других фирм в китайскую компанию, которым предлагалось высокое финансовое вознаграждение. Китайская CXMT, которая была новичком на рынке в 2016 году, быстро вышла в лидеры китайской отрасли по производству микросхем оперативной памяти DRAM.

По данному делу проходит ещё один экс-сотрудник Samsung, обвиняемый в сговоре с Кимом с целью кражи и передачи информации о ключевых технологиях его бывшей компании китайскому производителю CXMT.

В календаре Micron Technology тридцатого ноября завершился первый квартал фискального 2024 года, и говоря о показателях второго квартала, руководство сформировало благоприятный прогноз, который превзошёл ожидания аналитиков. Результаты минувшего квартала тоже оказались лучше прогнозных значений.

Источник изображения: Micron Technology

Выручка Micron в минувшем квартале выросла на 16 % до $4,73 млрд против ожидавшихся $4,54 млрд. Чистые убытки за период составили $1,05 млрд или $1,23 млрд, в зависимости от методики расчёта. Операционные расходы удалось немного сократить по сравнению с аналогичным периодом предыдущего фискального года, до $1,093 млрд. Норма операционных убытков составила 23,9 %, операционные убытки достигли $1,128 млрд. Выручка от реализации памяти типа DRAM достигла $3,4 млрд или 73 % от совокупной. Профильная выручка последовательно выросла на 24 %, объёмы поставок в натуральном выражении выросли более чем на 20 %, а средняя цена реализации выросла на несколько процентов. На долю NAND пришлись $1,2 млрд или 26 % общей выручки, на этом направлении выручка выросла на 2 % последовательно, а средняя цена реализации увеличилась на 20 %. С точки зрения сегментов рынка самым активно растущим оказался мобильный, он увеличил свою часть выручки Micron на 97 % до $1,3 млрд.

По словам генерального директора Micron Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), в прошедшем квартале компания добилась успехов не только за счёт повышения операционной дисциплины, но благодаря более высоким ценам на память по сравнению с ожидавшимися. В 2024 году, как он заявил, фундаментальные показатели деятельности компании будут улучшаться на протяжении всего периода, а ёмкость рынка по итогам 2025 календарного года достигнет рекордного значения. Особая ставка делается на продвижение памяти типа HBM в свете высокого спроса на системы искусственного интеллекта. Компания уже распродала всю память типа HBM, которую способна будет выпустить в 2024 году. В одноимённом фискальном периоде реализация HBM принесёт Micron сотни миллионов долларов выручки, по словам руководства. С технической точки зрения память этого типа является самым сложным видом продукции Micron, но и самым прибыльным. В минувшем фискальном квартале Micron уже отгрузила первым клиентам образцы микросхем типа HBM3E, которые обеспечивают на 10 % более высокое быстродействие и на 30 % сниженное энергопотребление по сравнению с конкурирующими предложениями этого типа.

О сотрудничестве с NVIDIA в этой сфере в презентации Micron было сказано отдельно. Сейчас память типа HBM3E производства Micron проходит последние этапы квалификационных испытаний, что позволит соответствующим микросхемам использоваться при производстве ускорителей NVIDIA GH200 и H200. Кроме того, микросхемы памяти Micron типа LPDDR5X уже используются в сочетании с процессорами NVIDIA Grace. Массовое производство HBM3E компания собирается начать в следующем календарном квартале.

В текущем фискальном квартале Micron рассчитывает выручить от $5,1 до $5,5 млрд, что выше ожидавшихся аналитиками $4,99 млрд. Убытки в пересчёте на одну акцию ограничатся диапазоном от 21 до 35 центов, тогда как аналитики прогнозировали до 62 центов убытков на одну акцию компании. После закрытия торгов акции Micron Technology выросли в цене на 4,8 %, хотя в ходе основной торговой сессии потеряли 4,2 %.

Глава Micron пояснил, что с точки зрения динамики цен 2024 год станет для отрасли по производству микросхем памяти периодом перехода к росту, но наращивать объёмы выпуска продукции компания будет осторожно. Сегмент ПК в 2024 календарном году вырастет на 2–5 %, как считает руководство Micron, сегмент смартфонов тоже демонстрирует признаки восстановления, но в 2024 году вырастет незначительно. В любом случае, в этих сегментах рынка покупатели хотя бы избавились от излишков памяти, как пояснил Мехротра. На ценах это сказывается благоприятным для производителей образом. С точки зрения баланса спроса и предложения на микросхемы памяти следующий год обеспечит возвращение к историческим уровням, как считает руководство компании. Предложение, во всяком случае, нормализуется уже в первой половине следующего года. В начале наступающего года DDR5 начнёт доминировать над DDR4 в структуре поставок продукции Micron. Для производства микросхемы HBM эквивалентной ёмкости требуется в два раза больше кремниевых пластин, чем для DDR5.

Распространение во второй половине следующего календарного года ПК с функцией ускорения работы систем искусственного интеллекта, по мнению представителей Micron, позволит увеличить среднее содержание оперативной памяти на один ПК на величину от 4 до 8 Гбайт, попутно увеличится и средняя ёмкость используемых твердотельных накопителей. В сегменте смартфонов прирост объёма оперативной памяти в силу появления такого фактора будет примерно таким же.

По итогам текущего года спрос на DRAM должен вырасти на 8–9 %, в сегменте твердотельной памяти он достигнет 19–19 %. В последующие годы спрос на DRAM будет измеряться 18–19 % в год, а на направлении NAND он достигнет 21–23 %. В 2024 году спрос на DRAM приблизится к этим показателям, а вот на рынке NAND темпы роста окажутся ниже. На протяжении 2024 года компания собирается удерживать поставки на уровне ниже потребностей рынка, чтобы способствовать реализации сохраняющихся складских запасов продукции.

TrendForce прогнозирует значительный сезонный рост цен в пределах 18–23 % на мобильную оперативной память (DRAM) и флеш-память (eMMC и UFS) в первом квартале 2024 года. Панические настроения среди клиентов, вызванные этим ростом, могут привести к дальнейшему повышению цен на рынке памяти, который контролируют несколько крупных игроков.

Источник изображения: unsplash.com

TrendForce отмечает, что рынок смартфонов часто является ранним индикатором экономического спада, поскольку покупатели и продавцы постоянно корректируют свои запасы в цепочке поставок. Тем не менее, поскольку запасы достигают минимального уровня, а последствия сокращения производства сохраняются, начинается устойчивый рост цен на память для смартфонов.

Наблюдения за рынком и прогноз на первый квартал 2024 года указывают на устойчивое планирование производства китайскими производителями смартфонов. Явный рост цен на память заставляет покупателей активно увеличивать свои закупочные усилия, поскольку они стремятся установить безопасный и конкурентоспособный уровень запасов.

Источник изображения: TrendForce

В целом, в первом квартале 2024 года цены на память, скорее всего, вырастут выше, чем в других секторах. Ожидается, что эта эскалация, вызванная устойчивым спросом со стороны клиентов и медленным расширением операций со стороны производителей, увеличит разрыв между спросом и предложением. Аналитики уверены, что цены на память станут ведущим фактором этой восходящей тенденции.

Компания Changxin Memory Technologies (CXMT) является лидером китайской отрасли по производству микросхем оперативной памяти DRAM, и на этой неделе стало известно не только о её прорыве в технологической сфере, но и намерениях привлечь инвестиции вместо IPO, которое откладывается. Привлечение средств будет происходить на фоне оценки капитализации CXMT в $19,5 млрд.

Источник изображения: CXMT

На конференции IEDM, как сообщают некоторые следящие за событиями в полупроводниковой отрасли блогеры, компания CXMT опубликовала научную работу, описывающую технологию создания транзисторов с окружающим затвором (GAA) на вертикальных каналах применительно к производству микросхем DRAM. Судя по краткой аннотации к этой работе, соответствующая структура транзисторов сочетается в памяти нового поколения с ёмкостными элементами шестиугольной формы, позволяя создавать архитектуру компактной ячейки памяти типа DRAM. Соотношение тока открытого состояния (I_on) к току утечки (I_off) в данном случае превышает 10⁹, что очень хорошо по меркам отрасли.

По сути, если CXMT удастся внедрить эту технологию в массовом производстве микросхем DRAM, это будет настоящим прорывом для всей китайской промышленности. Также это станет очередным свидетельством того, что Китай способен развивать полупроводниковую сферу даже под гнётом санкций. Если подобная память будет выпущена, это станет очередным поводом для США усугубить санкции в отношении CXMT.

Агентство Bloomberg отдельно сообщает, что CXMT вынуждена отложить выход на публичный фондовый рынок из-за сохранения не самой благоприятной макроэкономической ситуации. Вместо этого компания рассчитывает в частном порядке привлечь определённую сумму средств, которая оценит капитализацию её бизнеса в $19,5 млрд. Изменение структуры акционерного капитала компания в рамках подготовки к IPO завершила ещё в середине текущего года, но после консультации с регуляторами и инвесторами решила дождаться более благоприятных условий для выхода на открытый фондовый рынок.

Привлечённые в результате очередного раунда финансирования средства CXMT стремится потратить на расширение производственных мощностей в расчёте на оживление рынка памяти в 2024 году. Выпускающая твердотельную память китайская компания YMTC уже находится под санкциями США, и теперь остаётся ждать реакции американских регуляторов на успехи CXMT в создании новых технологий производства микросхем памяти типа DRAM. Компания прежде пользовалась существенной финансовой поддержкой правительственного инвестиционного фонда КНР, что также может привлечь к её деятельности внимание американских чиновников, отвечающих за расширение санкций.

Согласно исследованиям TrendForce, в третьем квартале 2023 года произошёл значительный подъём рынка оперативной памяти DRAM: общая выручка выросла до 13,48 миллиардов долларов. Это соответствует 18-процентному росту относительно предыдущего квартала.

Источник изображения: pixabay.com

Значительный рост выручки объясняется постепенным восстановлением спроса, что побуждает производителей активизировать закупки. В перспективе четвёртого квартала поставщики DRAM твёрдо намерены повышать цены, так как ожидается, что контрактные цены на чипы памяти вырастут примерно на 13–18 %. Вместе с тем, восстановление спроса будет не таким ярким, как в предыдущие пиковые сезоны. В целом, несмотря на спрос для поддержания запасов, закупки в серверном сегменте остаются ограниченными из-за высокого уровня запасов с прошлых кварталов, что предполагает ограниченный рост поставок DRAM в четвёртом квартале.

Следует отметить, что три основных производителя оперативной памяти отметили рост выручки в третьем квартале. Выручка Samsung выросла на 15,9 % до 5,25 миллиардов долларов США благодаря стабильному спросу на чипы большой ёмкости, который стимулируется развитием систем искусственного интеллекта и выходом на рынок чипов DDR5, выполненных по нормам 1α. SK hynix продемонстрировала самый заметный рост среди производителей, достигнув величины в 34,4 % при объёмах продаж в 4,626 миллиардов долларов США. Компания при этом значительно сократила разрыв в доле рынка с Samsung до менее чем 5 %. Выручка Micron выросла примерно на 4,2 % до 3,075 миллиардов долларов, несмотря на небольшое снижение ASP (Average Selling Price — средняя цена продажи), чему способствовал рост спроса и объёмов поставок.

Samsung, вместе с тем, форсировала сокращение производства к концу третьего квартала, в основном нацелившись на продукты DDR4 с одновременным увеличением уровней запасов. По прогнозам, в четвёртом квартале сокращение производства может усилиться до 30 %, что приведёт к снижению объёма выпускаемых пластин памяти. При этом, рассчитывая на постепенное восстановление спроса, Samsung планирует увеличить объёмы выпуска чипов памяти не раньше второго квартала 2024-го года. SK hynix выиграла на росте поставок памяти HBM и DDR5, и ожидает небольшого увеличения объёмов производства пластин к концу текущего года, а в следующем году — стабильного ежеквартального роста в соответствии с растущим проникновением DDR5 на рынок.

Micron, ранее сократившая производство, в настоящее время поддерживает относительно здоровый уровень запасов. В четвёртом квартале 2023-го года компания уже начала увеличивать объёмы выпуска пластин, в первую очередь уделяя особое внимание передовому техпроцессу 1β. По некоторым оценкам, объём обработки кремниевых пластин в 2024-м году продолжит незначительно расти, при этом основное внимание будет уделяться переходу на более современные производственные процессы.

В то же время, на Тайване поставки компании Nanya выросли до 17–19 % благодаря заказам от клиентов рынка персональных компьютеров и динамикой спотового рынка. Однако низкий спрос на основные продукты компании — память DDR3 и DDR4, — а также снижение цен ограничили рост выручки, которая в итоге составила скромные 244 миллиона долларов США. Агрессивная ценовая стратегия компании Winbond, направленная на расширение бизнеса по выпуску DDR3 и освоение новых производственных мощностей, способствовала росту отгрузок и увеличению выручки компании в третьем квартале до 112 миллионов долларов США.

Источник изображения: TrendForce

PSMC (Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation) рассчитывает свою выручку в основном от потребительских продуктов DRAM, за исключением, собственно, услуг фотолитографического производства пластин. Благодаря росту спотовых цен, наблюдалось небольшое увеличение спроса, что привело к росту квартальной выручки от DRAM на 4,4 %. Однако, если учесть доходы от фотолитографического производства чипов, то в этом квартале следует констатировать снижение на 5,5 %.

Аналитики Omdia недавно выяснили, что на рынке памяти типа DRAM в целом доля SK hynix уже достигла 35 % и не так далека от позиций лидера Samsung Electronics, занимающего 39,4 %. Если рассматривать отдельно рынок серверной памяти, то SK hynix уже обошла своего главного соперника, заняв в третьем квартале 49,6 % сегмента и оставив Samsung не более 35,2 % в показателях выручки. Первая получила $1,85 млрд, вторая — $1,313 млрд.

Источник изображения: SK hynix

Об этом со ссылкой на статистику TrendForce сообщает ресурс Business Korea. В выборку попали финансовые результаты поставщиков модулей памяти типа DRAM на серверный рынок, без учёта микросхем HBM, но если считать и их, то отрыв SK hynix от Samsung Electronics будет ещё больше. На рынке оперативной памяти в целом, как уже поясняли специалисты Omdia, компания Samsung продолжает лидировать, но в серверном сегменте она уступает SK hynix. Третье место в серверном сегменте досталось Micron с 15 % рынка и $560 млн выручки.

Вообще, серверная память в структуре рынка DRAM отвечает за 35–40 %, поэтому успехи SK hynix в этом сегменте и помогли компании приблизиться к Samsung с учётом других сегментов рынка. Продукция семейства DDR5 марки SK hynix, выпускаемая по техпроцессу 10-нм класса (1α, 4-е поколение) прошла сертификацию Intel, а память 5-го поколения (1β) сейчас проходит тестирование. Конкурирующая Samsung Electronics пока получила сертификат Intel только на память 3-го поколения, выпускаемую по техпроцессу 10-нм класса (1z). Компания HPE уже продемонстрировала серверные системы на основе памяти типа DDR5 пятого поколения SK hynix (1β).

Стоимость чипов оперативной памяти DRAM и флеш-памяти NAND на спотовом рынке существенно выросла. Такая динамика указывает на то, что усилия индустрии, направленные на борьбу с избыточным предложением чипов на рынке, наконец начали приносить плоды.

Источник изображения: Samsung

С точки зрения производителей памяти DRAM и NAND наблюдавшаяся в последнее время в отрасли ситуация, связанная с избытком чрезвычайно дешёвой продукции, является настоящим кризисом. Такое положение дел привело к резкому падению прибыли производителей, а также породило беспокойство о возможном банкротстве всей отрасли. При этом поддержание более высоких цен помогло некоторым компаниям, таким как Samsung и Micron, чувствовать себя более уверенно.

Данные аналитиков DRAMeXchange указывают на то, что спотовые цены на DRAM и NAND растут последние несколько месяцев. Стоимость чипов снижалась в 2022 году и начале 2023 года, но в июле-августе она достигла низшей точки, и с тех пор постепенно увеличивается. Хотя цена чипов DRAM и NAND пока не вернулась к значениям, которые фиксировались в начале года, за последние месяцы она существенно подросла. К примеру, два чипа памяти DDR4 ёмкостью 8 Гбит сейчас стоят на 10 % больше, чем в августе. При этом стоимость чипов NAND на 512 Гбит выросла почти в два раза с июля, а на 256 Гбит — на 55 % за тот же временной отрезок.

Причина, по которой цены на чипы памяти опустились так низко, в первую очередь заключается в замедлении мировой экономики после пандемии коронавируса. На этом фоне произошло снижение спроса, поскольку потребители сокращали расходы, что и стало причиной возникновения переизбытка чипов, повлекшего снижение цен. Наиболее тяжёлым был третий квартал 2022 года, по итогам которого глобальный доход от продаж чипов DRAM и NAND сократился на 30 % и 24 % соответственно.

Спотовые цены на чипы DRAM и NAND в 2023 году. Источник изображения: tomshardware.com

Для производителей это повлекло серьёзные последствия: прибыль Samsung в первом квартал 2023 года практически сошла на нет, тогда как Micron потеряла более $2 млрд. Вполне естественно, что эти компании значительно сократили производство чипов памяти, и теперь этот шаг начал оказывать существенное воздействие на предложение, благодаря чему стоимость чипов памяти снова растёт.

Некоторые результаты сложившейся в индустрии ситуации можно увидеть уже сейчас. В начале этого года стоимость твердотельных накопителей ёмкостью 1 Тбайт, оснащённых интерфейсом PCIe 4.0, упала до $35-$40. Уже сейчас в продаже будет непросто найти модель стоимостью хотя бы $50. Отмечается, что пока не наблюдается аналогичного повышения цен на оперативную память. Предположительно, это связано с тем, что цена на неё выросла не так сильно, но в будущем это может измениться.

Память типа HBM различных поколений активно используется ускорителями вычислений для систем искусственного интеллекта, а SK hynix пока остаётся единственным её поставщиком для нужд NVIDIA, которая доминирует на рынке этих ускорителей. Нет ничего удивительного в том, что в третьем квартале доля рынка DRAM компании SK hynix достигла рекордных для неё 35 %.

Источник изображения: SK hynix

Результатами статистических исследований Omdia поделился ресурс Business Korea. По словам экспертов, отрасль производства микросхем памяти типа DRAM стала одним из главных бенефициаров роста спроса на системы искусственного интеллекта. Если рынок DRAM в целом в период до 2027 года будет ежегодно прирастать на 21 % в среднем, по прогнозам аналитиков Omdia, то сегмент HBM в отдельности будет расти на 52 % ежегодно. По итогам текущего года доля HBM на рынке DRAM превысит 10 %, а в 2027 году она должна приблизиться к 20 %.

В более близкой перспективе спрос на HBM будет превышать предложение. В следующем году основные производители HBM удвоят объёмы выпуска такой памяти, но у них уже есть заказы на год вперёд, и удовлетворить их своевременно будет сложно даже после удвоения объёмов производства. Память типа HBM в 5–7 дороже классических типов DRAM, а менять её на новую потребители готовы чаще, в среднем раз в год или два. Всё это гарантирует производителям HBM стабильный рост выручки в обозримом будущем. В третьем квартале доля рынка DRAM компании SK hynix достигла максимальных 35 % за всю историю её существования.

Производителям памяти ради удовлетворения спроса на HBM порой даже придётся жертвовать планами по расширению выпуска других типов DRAM, как считают эксперты Omdia. Они также убеждены, что технологическая сложность HBM ограничит количество игроков рынка, и всего несколько компаний смогут делить между собой довольно высокую прибыль, получаемую в результате реализации памяти типа HBM. Только компании с хорошо выстроенной производственной инфраструктурой и контролем качества смогут сохранить свои позиции в этом сегменте рынка.

Заявлений, сделанных руководством двух крупнейших производителей микросхем памяти на прошлой неделе, оказалось достаточно для аналитиков, чтобы с уверенностью заявить о пройденном дне рынка и появлении предпосылок для его дальнейшего восстановления. При этом производители памяти не будут торопиться с наращиванием объёмов выпуска продукции, чтобы лучше контролировать динамику восстановления цен.

Источник изображения: SK hynix

Напомним, операционная прибыль Samsung Electronics в третьем квартале выросла последовательно в три с лишним раза, бизнес SK hynix по выпуску микросхем типа DRAM вернулся к прибыльности после получения убытков по итогам двух первых кварталов текущего года. По словам аналитиков Dalton Investments, на которых ссылается CNBC, восстановление цен на микросхемы памяти происходит во многом благодаря сокращению поставок новой продукции и истощению накопленных складских запасов в масштабах всего рынка. Производители ПК и мобильных устройств в условиях достижения ценами на память локальных минимумов готовы возобновить пополнение складских запасов или предлагать клиентам продукты с увеличенным объёмом памяти.

Представители Samsung Electronics на квартальном отчётном мероприятии подтвердили, что получают запросы на покупку новых партий памяти от многих клиентов, поскольку всё большее количество участников рынка сходится во мнении, что отрасль достигла дна. Эксперты Morningstar заявили, что квартальные отчёты крупнейших производителей памяти в лице Samsung и SK hynix доказывают, что отрасль по выпуску памяти достигла дна в полном соответствии с ожиданиями рынка.

Последовательно средние цены на микросхемы DRAM выросли на 4–6 % у Samsung и на 10 % у SK hynix в последовательном сравнении, а для первой из них это стало первым случаем повышения цен после восьми подряд кварталов непрерывного снижения. При этом складские запасы памяти по-прежнему превышают норму, как поясняют представители Morningstar, и это сильнее всего выражено в сегменте NAND. В следующем году, по мнению аналитиков, производители памяти не будут торопиться с наращиванием объёмов выпуска памяти, чтобы ограничивать предложение и стимулировать поддержание более высоких цен на память.

Аналитики TrendForce ожидают, что производители будут сокращать объёмы выпуска DRAM и NAND в следующем году, а спрос на эти виды памяти вырастет на 13 и 16 % соответственно. В случае с оперативной памятью складывается более выгодная конъюнктура, поскольку востребованная память типа HBM для ускорителей вычислений, применяемых в системах искусственного интеллекта, тоже относится к сегменту DRAM.