Тайваньская компания TSMC готовит под выпуск 2-нм компонентов сразу три площадки в разных частях острова, но свежие слухи упоминают о возможности замедления реализации соответствующих проектов. По меньшей мере одно из предприятий, на которых должен быть освоен массовый выпуск 2-нм изделий, займётся профильной деятельностью не ранее 2026 года, как сообщают источники.
Источник изображения: TSMC, TrendForce
Данным информационным поводом неожиданно заинтересовался вполне авторитетный ресурс TrendForce, который ссылается на публикации тайваньских СМИ. Как поясняет издание, TSMC рассчитывает освоить выпуск 2-нм продукции на трёх предприятиях в разных частях Тайваня: в Баошане (Синьчжу) на севере, Тайчжуне в центральной части острова, а также в Гаосюне на юге.
Первоначально, как отмечают источники, TSMC намеревалась построить предприятие Fab 20 в Баошане, чтобы оно уже во второй половине следующего года приступило к опытному производству 2-нм продукции, а в 2025 году освоило серийный выпуск 2-нм изделий. Сейчас муниципальные власти силами подрядных организаций приступили к формированию инженерной и дорожной инфраструктуры, которая понадобится будущему предприятию TSMC на севере острова. По слухам, строительство самого предприятия несколько задержится, поскольку спрос на полупроводниковые компоненты восстанавливается медленно, и производитель просто не уверен, что наращивать будущие мощности нужно прежними темпами. Вместо второй половины 2025 года, массовое производство 2-нм чипов на этой площадке TSMC может быть налажено только в 2026 году.
К слову, представители TSMC, по данным TrendForce, все эти слухи сопроводили только заявлением о сохранении намеченных темпов ввода в строй новых предприятий. В Гаосюне строительство предприятия для выпуска 2-нм чипов уже началось, а монтаж оборудования должен был начаться через месяц после предприятия в Баошане. В центральной части Тайваня предприятие в Тайчжуне начнёт возводиться только в следующем году, поэтому на сроки освоения 2-нм техпроцесса в масштабах всего бизнеса TSMC оно повлияет в наименьшей степени. По некоторым данным, местное предприятие TSMC может сразу перейти к освоению 1,4-нм или 1 нм техпроцесса, пропустив фазу 2 нм.
Как ожидается, при выпуске 2-нм изделий TSMC будет применять структуру транзисторов с окружающим затвором (GAA), которую Samsung Electronics уже взяла на вооружение в рамках своего 3-нм техпроцесса. Сложность данной технологии для TSMC закладывает определённые риски в части сроков освоения производства 2-нм чипов, а также уровня брака. В свою очередь, Intel к 2025 году уже планирует освоить техпроцесс 18A с различными компоновочными новшествами типа аналога GAA по имени RibbonFET и технологии PowerVia, которая предусматривает подачу питания с оборотной стороны подложки. Таким образом, TSMC в случае возникновения задержек с освоением 2-нм техпроцесса рискует отстать не только от Samsung, но и от Intel.