Молодая американская компания NEO Semiconductor представила ещё один вариант революционной стековой памяти X-DRAM собственной разработки. На этот раз производителям предложена память X-HBM, опередившая своё время на четверть века — а возможно, и больше. Чипы X-HBM обещают обеспечить в 16 раз более высокую пропускную способность или в 10 раз большую плотность записи по сравнению с самыми передовыми современными микросхемами памяти HBM.
Источник изображения: NEO Semiconductor
«X-HBM — это не постепенное обновление, а фундаментальный прорыв, — заявил Энди Сю (Andy Hsu), основатель и генеральный директор NEO Semiconductor. — Благодаря пропускной способности, в 16 раз превышающей показатели существующих решений, или в 10 раз большей плотности, X-HBM открывает перед производителями ИИ-чипов чёткий путь к производительности следующего поколения — на годы раньше запланированного срока. Это изменит правила игры, ускорит развитие ИИ-инфраструктуры, снизит энергопотребление и расширит масштабируемость ИИ в различных отраслях».
О перспективной архитектуре памяти X-DRAM компания NEO Semiconductor впервые заявила в 2020 году. Разработка защищена сотнями патентов. В целом речь идёт о стековой компоновке массивов ячеек памяти — по аналогии с архитектурой 3D NAND. Такой подход позволяет значительно повысить плотность записи и реализовать гораздо более широкую шину передачи данных к процессору.
Архитектура X-HBM предусматривает использование 32 768-битной шины памяти. Для сравнения: технология HBM5, которая всё ещё находится в разработке и, как ожидается, выйдет на рынок примерно в 2030 году, будет поддерживать шину шириной 4096 бит и плотность 40 Гбит на кристалл. Предполагается, что даже HBM8, которую ожидают к 2040 году, предложит лишь 16 384-битную шину и 80 Гбит на чип. На этом фоне X-HBM с 32 768-битной шиной данных и плотностью 512 Гбит на кристалл выглядит как гостья из далёкого будущего, способная приблизить разработчиков ИИ-чипов к технологиям завтрашнего дня на десятилетия раньше.
Также в арсенале NEO Semiconductor имеются чипы 3D X-AI, которые в дополнение к многослойной структуре содержат в себе слои нейронных сетей. Это позволяет обрабатывать данные непосредственно в памяти, экономя ресурсы GPU и СPU, а также снижая потребление.
Разные версии технологии X-DRAM компания ежегодно представляет на августовском саммите FMS. Текущий год не стал исключением — публике была показана память X-HBM. К сожалению, к производству этой и других версий стековой памяти от NEO Semiconductor пока никто из производителей не проявил интереса. Отрасль охотно говорит о революциях, но на практике каждое нововведение должно окупаться — а это не терпит спешки.
