Сегодня 22 сентября 2025
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Американский стартап придумал HBM-память из далёкого будущего, но ею никто не заинтересовался

Молодая американская компания NEO Semiconductor представила ещё один вариант революционной стековой памяти X-DRAM собственной разработки. На этот раз производителям предложена память X-HBM, опередившая своё время на четверть века — а возможно, и больше. Чипы X-HBM обещают обеспечить в 16 раз более высокую пропускную способность или в 10 раз большую плотность записи по сравнению с самыми передовыми современными микросхемами памяти HBM.

 Источник изображения: NEO Semiconductor

Источник изображения: NEO Semiconductor

«X-HBM — это не постепенное обновление, а фундаментальный прорыв, — заявил Энди Сю (Andy Hsu), основатель и генеральный директор NEO Semiconductor. — Благодаря пропускной способности, в 16 раз превышающей показатели существующих решений, или в 10 раз большей плотности, X-HBM открывает перед производителями ИИ-чипов чёткий путь к производительности следующего поколения — на годы раньше запланированного срока. Это изменит правила игры, ускорит развитие ИИ-инфраструктуры, снизит энергопотребление и расширит масштабируемость ИИ в различных отраслях».

О перспективной архитектуре памяти X-DRAM компания NEO Semiconductor впервые заявила в 2020 году. Разработка защищена сотнями патентов. В целом речь идёт о стековой компоновке массивов ячеек памяти — по аналогии с архитектурой 3D NAND. Такой подход позволяет значительно повысить плотность записи и реализовать гораздо более широкую шину передачи данных к процессору.

Архитектура X-HBM предусматривает использование 32 768-битной шины памяти. Для сравнения: технология HBM5, которая всё ещё находится в разработке и, как ожидается, выйдет на рынок примерно в 2030 году, будет поддерживать шину шириной 4096 бит и плотность 40 Гбит на кристалл. Предполагается, что даже HBM8, которую ожидают к 2040 году, предложит лишь 16 384-битную шину и 80 Гбит на чип. На этом фоне X-HBM с 32 768-битной шиной данных и плотностью 512 Гбит на кристалл выглядит как гостья из далёкого будущего, способная приблизить разработчиков ИИ-чипов к технологиям завтрашнего дня на десятилетия раньше.

Также в арсенале NEO Semiconductor имеются чипы 3D X-AI, которые в дополнение к многослойной структуре содержат в себе слои нейронных сетей. Это позволяет обрабатывать данные непосредственно в памяти, экономя ресурсы GPU и СPU, а также снижая потребление.

Разные версии технологии X-DRAM компания ежегодно представляет на августовском саммите FMS. Текущий год не стал исключением — публике была показана память X-HBM. К сожалению, к производству этой и других версий стековой памяти от NEO Semiconductor пока никто из производителей не проявил интереса. Отрасль охотно говорит о революциях, но на практике каждое нововведение должно окупаться — а это не терпит спешки.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Perplexity запустила ИИ-агента для электронной почты — он будет копаться в Outlook и Gmail за $200 в месяц 31 мин.
Комедийное приключение The Dungeon Experience от автора Paradigm заручилось поддержкой Devolver Digital и получило демоверсию в Steam 2 ч.
Activision показала «будущее сетевых сражений», но оценили его не все — геймплейный трейлер мультиплеера Call of Duty: Black Ops 7 4 ч.
Американский TikTok избавят от китайских корней — Oracle с нуля переобучит рекомендательный алгоритм 4 ч.
Konami поинтересовалась, ремейки каких Metal Gear фанаты хотят увидеть после Metal Gear Solid Delta: Snake Eater 5 ч.
Обновление Windows 11 сломало приложения для Blu-ray и цифрового ТВ 6 ч.
Майкл Делл, Ларри Эллисон и Лахлан Мёрдок войдут в группу покупателей американского сегмента TikTok 6 ч.
Журналисты проанализировали, почему всё меньше и меньше игр Xbox выходит на дисках 6 ч.
Навязчивые cookie-баннеры могут исчезнуть — в ЕС поняли, что они неэффективны 7 ч.
Календарь релизов — 22–28 сентября: Silent Hill f, Endless Legend 2 и Sonic Racing: CrossWorlds 7 ч.