Теги → dram
Быстрый переход

Micron: флагманские 5G-смартфоны будут сочетать 16 Гбайт ОЗУ с накопителем на 1 Тбайт

Для производителей памяти предстоящая экспансия сетей 5G и соответствующих смартфонов станет возможностью увеличить продажи собственной продукции. Возросшая пропускная способность сетей и повышающееся разрешение камер смартфонов поднимут требования к объёму набортной памяти. Micron ожидает, что прирост окажется двукратным.

Источник изображения: Micron Technology

Источник изображения: Micron Technology

Как отмечают аналитики Needham в своих комментариях, за три последних года выручка от реализации памяти для смартфонов в среднем по рынку увеличилась на 30 %, но Micron удалось добиться удвоения профильной выручки. По прогнозам Micron, в 2021 году будет продано 450 млн смартфонов с поддержкой 5G, а требования к объёму памяти этих устройств позволят увеличить объёмы реализации продукции данной компании.

Флагманские модели 5G-смартфонов будут оснащаться камерами, способными делать фотографии с разрешением 100 мегапикселей и снимать видео в разрешении 8K. По игровому быстродействию они приблизятся к настольным компьютерам. Таким устройствам потребуется до 16 Гбайт оперативной памяти и до 1 Тбайт твердотельной. Модели смартфонов среднего уровня будут сочетать не менее 6 Гбайт ОЗУ и 64 Гбайт памяти типа NAND.

Центры обработки данных тоже потребуют увеличения объёмов производства памяти, поэтому в ближайшие годы Micron рассчитывает на ежегодный прирост потребности в оперативной памяти на 15 %, в твердотельной — на 30 %. Стабильный рост спроса будет способствовать и большей предсказуемости цен на рынке памяти. Представители Needham считают, что курс акций Micron Technology в перспективе вырастет на 40 %, сейчас он приблизился к $46.

ADATA начала поставки модулей DDR4-памяти на настоящих китайских чипах

В связи с нарастанием американо-китайских трений китайскому хай-теку необходимо больше позитива. И он есть! Так, второй по величине в мире поставщик модулей памяти, тайваньская компания ADATA, начала поставки U-DIMM и SO-DIMM модулей на чипах DDR4 китайской компании ChangXin Memory. Это первый случай, когда представлены модули памяти на 10-нм чипах китайского производства.

Компания ADATA Technology подготовила к поставкам на китайский рынок модули памяти для настольных ПК и ноутбуков. Память выпускается в виде 8- и 16-Гбайт модулей DDR4-3000 МГц с таймингами 16-18-18-38. Модули удовлетворяют спецификациям JEDEC и экологическим требованиям RoHS. Похоже, вот она причина, по которой ChangXin заключила многолетнее лицензионное соглашение с компанией Rambus. Хотя ADATA не собирается поставлять модули на памяти ChangXin за пределы Китая, они попадут в ПК и ноутбуки, и не факт, что не выедут за пределы страны.

Согласно заявлению производителя, модули DDR4 на памяти ChangXin не только прошли всестороннее тестирование на платформах Intel и AMD, но и показали хороший потенциал для оверклокинга. В ADATA рассчитывают, что сотрудничество с ChangXin Memory со временем выльется и в появление модулей памяти промышленного и серверного назначения с чипами китайского производства.

Напомним, компания ChangXin начала выпускать память DDR4 и LPDDR4 в начале осени прошлого года с использованием 19-нм техпроцесса, в основе которого лежат развитые китайцами разработки немецкой компании Qimonda. Сейчас ChangXin разрабатывает 17-нм DRAM.

Рынок NAND и DRAM в третьем квартале 2019 года

Рынок NAND и DRAM в третьем квартале 2019 года

До конца года эта китайская компания планирует довести производство памяти на своих линиях до 40 тыс. 300-мм пластин в месяц. Это примерно 5 % от мирового рынка памяти. На самом деле, это впечатляет. Это в два раза больше, чем у ветерана с Тайваня, компании Nanya Technology. Тем самым ChangXin к концу текущего года может стать четвёртым по величине производителем DRAM. Если только США не срежут её на взлёте, ведь производственная деятельность компании подпадает под новые правила регулирования экспорта американских технологий.

Rambus продолжает набирать клиентуру среди китайских производителей памяти

Разработчик оригинальных сигнальных интерфейсов DRAM компания Rambus годами ковала представление о себе как о самой «юридической» компании Кремниевой долины. Это звание она вырвала в судебной борьбе с лидерами производства памяти и контроллеров памяти. Теперь пришёл черёд китайских компаний знакомится с Rambus. Добро пожаловать в мир цивилизованного бизнеса.

Как мы сообщали, в апреле этого года компания Rambus и один из крупнейших и пока единственный заметный в Китае производитель памяти типа DRAM, компания ChangXin Memory, подписали долгосрочное лицензионное соглашение. Детали соглашения традиционно не раскрываются, но нетрудно угадать, что китайцы надеются легализовать свою память и продукцию на её основе на зарубежных рынках. Не имея лицензии или собственных патентов, сделать это будет невозможно.

Компании Samsung и SK Hynix зависят от воли властей Китая. Имея заводы в Поднебесной, оба южнокорейских производителя вряд ли будут чинить юридические препоны своим китайским конкурентам на зарубежных рынках. С Micron сложнее. Она не производит память в Китае, но имеет виды на рынок памяти этой страны. Пока Micron выглядит несговорчивой, и даже с помощью Сената США сумела «забанить» такого начинающего китайского производителя памяти, как компанию Fujian Jinhua Integrated Circuit. Шантажировать же компанию Rambus китайцам вообще нечем. Ей придётся только платить.

Сегодня стало известно, что обширное многолетнее соглашение с Rambus подписал ещё один китайский производитель памяти, компания GigaDevice. Подробности договора также держатся в тайне. Но главное, что другая китайская компания получила от «изобретателя» DRAM карт-бланш на деятельность на западных рынках.

В то же время следует уточнить, что компания GigaDevice не располагает дизайном памяти DRAM для производства и ещё долго не будет готова приступить к массовому производству памяти. Этот производитель в прошлом вошёл в очень плотный контакт с компанией ChangXin Memory. Они вместе разрабатывали 19-нм техпроцесс для выпуска памяти. Также в руководящих структурах обеих компаний присутствуют одни и те же люди. Более того, одно время считалось, что ChangXin Memory ― это переименованная компания GigaDevice. Получение отдельной лицензии Rambus для GigaDevice опровергает это и даёт понять, что GigaDevice будет самостоятельным игроком на рынке DRAM.

Что касается планов GigaDevice, то разработка проекта собственных чипов памяти должна завершиться до конца текущего года. Для этого компания привлекла в конце прошлого года инвестиции в размере $3,32 млрд. Опытное производство памяти по фирменному проекту намечено на 2021 год. Массовое производство начнётся с 2022 года.

Цены на оперативную память выросли почти на 12 % с конца марта

Производство памяти в известной степени автоматизировано, поэтому меры по самоизоляции не нанесли ему существенного ущерба, но и говорить о полном его отсутствии тоже нельзя. На рынке моментальных сделок цены на оперативную память с конца марта успели вырасти на 11,9 %, по мере возвращения отрасли к жизни в условиях пандемии.

Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

Китайские предприятия по производству микросхем оперативной памяти начали наращивать объёмы выпуска продукции, как отмечает агентство Yonhap News. Спрос на память тоже остаётся достаточно высоким, поэтому цены на 8-гигабитные микросхемы DDR4 на спот-рынке с конца марта увеличились на 11,9 % до $3,29. Южнокорейские производители в лице Samsung и SK Hynix в третьем квартале должны увеличить объёмы поставок оперативной памяти, поэтому во втором полугодии цены должны снизиться.

Даже если серверный сегмент будет демонстрировать стабильный спрос на память на протяжении всего года, сегмент мобильных устройств неизбежно сократится. Специалисты TrendForce, например, ожидают сокращения мирового рынка смартфонов на 16,5 % во втором квартале по сравнению с аналогичным периодом прошлого года, а годовой объём выпуска смартфонов должен сократиться на 11,3 %. Падение будет самым сильным за последние годы, и винить в этом следует пандемию коронавируса и порождённый ею экономический кризис.

Анонсирован первый контроллер HBM3: быстрее, выше, сложнее

Компания SmartDV Technologies представила первый контроллер памяти HBM3, который доступен для лицензирования разработчиками различных систем-на-кристалле. Судя по всему, память типа HBM3 сможет предложить вдвое большую пропускную способность по сравнению с HBM2E, а также ёмкость одной микросхемы до 64 Гбайт, чем обеспечит задел на будущее на много лет вперёд.

Первый контроллер HBM3

К настоящему времени, комитет JEDEC утвердил черновой вариант HBM3. Формально, новая спецификация пока не утверждена, но черновая версия 0.7 типично называется Complete Draft (законченным черновиком), поддерживает все возможности стандарта и определяет все электрические характеристики для новой технологии. Как следствие, различные разработчики могут начинать проектировать свои контроллеры и технологии для проверки реализации этих контроллеров. SmartDV Technologies стала первой компанией, представившей контроллер HBM3, который может быть лицензирован разработчиками микросхем. Работоспособность контроллера была подтверждена при помощи программируемых матриц (FPGA). При этом желающие верифицировать корректность работы конечного SoC могут воспользоваться соответствующей верификационной интеллектуальной собственностью Cadence или SmartDV.

Контроллер HBM3 компании SmartDV может быть подключен практически к любым процессорам, использующим как стандартные (AMBA APB/AHB/AXI, VCI, OCP, Avalon, PLB, Tilelink, Wishbone), так и фирменные (проприетарные) внутричиповые соединения. Контроллер поддерживает до 16 портов AXI, интерфейсы DFI 4.0/5.0, 512-разрядную шину данных, коррекцию ошибок (ECC), псевдоканалы, а также иные технологии, знакомые нам по HBM2/HBM2E.

Наличие лицензируемого контроллера HBM3 позволяет разработчикам систем-на-кристалле добавить поддержку этой технологии в SoC, которые появятся на рынке через полтора – два года.

HBM2/HBM2E: До 24 Гбайт, до 410 Гбайт/с

Многослойные микросхемы памяти типа HBM/HBM2 базируются на нескольких устройствах DRAM, соединённых между собой тысячами межблочных соединений TSV (through silicon via), которые устанавливаются на ядро базовой/буферной логики (base/buffer logic die), занимающейся координацией их работы. Каждая микросхема HBM/HBM2 соединяется с контроллером памяти при помощи 1024-разрядной шины (которая в свою очередь делится на восемь 128-разрядных каналов), которая реализована на кремниевой соединительной подложке (silicon interposer).

Подобная архитектура позволяет получить высочайшую пропускную способность памяти. К примеру, микросхема Samsung Flashbolt c восемью устройствами DRAM, 1024-разрядной шиной и скоростью передачи данных 3200 Мтрансферов/с предлагает пропускную способность 410 Гбайт/с, а четыре таких устройства — 1,64 Тбайт/с (для сравнения, пропускная способность памяти у NVIDIA GeForce Titan RTX — 672 Гбайт/с). HBM3 пойдёт дальше.

HBM3: До 64 Гбайт, до 819,2 Гбайт/с

Поскольку стандарт HBM3 до сих пор не опубликован JEDEC, мы можем судить о возможностях нового типа памяти лишь очень поверхностно.

Судя по данным Cadence, разработчики HBM3 поставили задачу увеличить количество устройств памяти в сборке до 16, а скорость передачи данных до 6400 Мтрансферов/с благодаря увеличенному вдвое параметру burst length, до BL=8. Таким образом, передовая микросхема HBM3 сможет предложить ёмкость 64 Гбайт и пропускную способность 819,2 Гбайт/с. Стоит отметить, что контроллер SmartDV HBM3 поддерживает до 1 Гбайт памяти на 128-разрядный канал.

С точки зрения режимов работы, HBM3 не будет сколько-то сильно отличаться от HBM2E, так что внедрение новой памяти не обещает быть сложным.

Цена вопроса?

Как показывает практика HBM2, межблочные соединения TSV крайне сложны в производстве, ядро базовой логики непросто подсоединять к устройствам памяти, а соединительная подложка весьма дорога.

В случае с HBM3 предлагается нарастить количество устройств памяти, что увеличит количество TSV-соединений и усложнит структуры микросхемы. В дополнение ко всему, усложнится и сама базовая логика. При этом, 16 микросхем памяти будут производить немало тепловой энергии, что не упростит охлаждение всей сборки. Как правило, усложнение ведёт к удорожанию, а значит, себестоимость конечных продуктов на базе HBM3 обещает быть выше по сравнению с продукцией на основе HBM2E.

Судя по всему, HBM3 проектировалась в первую очередь для различных специализированных ускорителей и сложных многокристальных систем, которым требуется огромная пропускная способность памяти и себестоимость которых не критична. Увидит ли мир потребительские решения на базе HBM3, покажет лишь время, но вряд ли это произойдёт в обозримом будущем.

Говоря о сроках появления HBM3, стоит помнить, что формально новый стандарт ещё не готов, а целый ряд компаний работает над устройствами, которые будут использовать HBM2E. Как бы там ни было, до массового использования HBM3 ещё довольно далеко.

Китайская CXMT готовится начать производство DRAM по новому 17-нм техпроцессу

Компания ChangXin Memory Technologies (CXMT), ранее известная как Innotron, готовится начать производство динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) с использованием технологического процесса 17 нм (10G3). Новая технология использует ряд инноваций и позволит компании как увеличить возможности своей памяти, так и расширить её ассортимент.

CXMT начала производство 4-Гбит и 8-Гбит микросхем памяти типа DDR4 на своей фабрике около города Хэфэй (провинция Аньхой, КНР) в сентябре прошлого года. В настоящее время компания использует технологический процесс 19 нм (10G1), который по многом опирается на технологии и интеллектуальную собственность компании Qimonda. Некоторое время назад, по мере освоения 10G1 и повышения уровня выхода годных чипов, CXMT начала использовать её для производства памяти LPDDR4X.

Согласно сообщению сайта DigiTimes, китайская компания завершила разработку технологического процесса 17 нм (10G3) и готовится начать его использование для изготовления памяти во второй половине этого года. Более того, первые 17-нм микросхемы CXMT также планируется отгрузить в 2020 году. Источник не сообщает, какие микросхемы памяти будут производиться по технологии 17 нм изначально, но из ранних сообщений мы знаем, что 10G3 разрабатывалась с прицелом на DDR4, DDR5, LPDDR4X и LPDDR5.

Новый техпроцесс 10G3 продолжит полагаться на иммерсионную фотолитографию, но будет использовать новые конденсаторы, а также толстый алюминиевый редистрибутивный слой (redistributive layer, RDL), который требуется для создания многослойных 2.5D и 3D микросхем. Последние используются как в мобильных устройствах, так и для серверных модулей памяти. При этом, следующее поколение технологии CXMT, 10G5, задействует HKMG диэлектрики (high-k metal gate), а также воздушные зазоры (air-gap), что благоприятно скажется на частотном потенциале будущих микросхем памяти.

В настоящее время власти Китая вкладывают значительные средства в различные высокотехнологичные компании в рамках проекта «Сделано в Китае 2025». Поскольку Китай потребляет около половины мирового объёма DRAM, развитие собственной индустрии имеет огромный смысл для этой страны. Будучи лишь одним из производителей DRAM в КНР, CXMT является самым успешным китайским изготовителем памяти.

Основанная в 2016 году, компания уже построила свой первый производственный комплекс с площадью «чистой» комнаты 65000 м2, чья производительность к концу 2020 года должна увеличиться до 120 тысяч пластин диаметром 300 мм, что сравнимо с производительностью фабрики SK Hynix около Уси (провинция Цзянсу, КНР).

Рынкам DRAM и NAND предрекли стагнацию: низкие цены на память и SSD?

Выручка производителей оперативной памяти типа DRAM и энергонезависимой памяти типа NAND в этом и следующем году не достигнет рекордных уровней 2018 года, говорится в новом докладе компании IC Insights. Согласно данным аналитиков, на доходы изготовителей DRAM и NAND повлияет как перепроизводство памяти, так и низкий спрос, вызванный пандемией вируса SARS-CoV-2.

Микросхемы 3D NAND и SSD производства SK Hynix

Микросхемы 3D NAND и SSD производства SK Hynix

Поскольку оперативная и энергонезависимая память являются, по сути, сырьём, цены на DRAM и NAND зависят главным образом от баланса спроса и предложения. Спрос и цена на память росли в 2017–2018 годах, что увеличило выручку производителей DRAM и NAND c $79,4 млрд в 2016 до $129,9 млрд в 2017 году, и до $163,3 млрд в 2018 году. По мере увеличения производства DRAM, а также повышения ёмкости микросхем типа 3D NAND, цены на память существенно упали в 2019 году, до исторических минимумов в пересчёте на гигабайт. Как следствие, выручка производителей оперативной и энергонезависимой памяти в прошлом году снизилась до $110,4 млрд, или на 32 %.

Выручка производителей DRAM и NAND c 2012 года. Источник: IC Insights

Выручка производителей DRAM и NAND c 2012 года. Источник: IC Insights

Весь прошлый год производители памяти пытались сократить выпуск DRAM и 3D NAND, что отчасти помогло стабилизировать цены. До того, как пандемия нового короновируса оказала существенное влияние на мировую экономику, IC Insights прогнозировали рост выручки производителей памяти на 14 % по сравнению с прошлым годом. Однако, пандемия вируса SARS-CoV-2, глобальный карантин, сложности с производством, закрытие розничных магазинов и экономический спад заставили аналитиков изменить прогноз. Сейчас в IC Insights считают, что доход производителей DRAM и NAND останется на уровне 2019 года. При этом, DRAM-бизнес принесёт 53 % доходов производителей, а NAND-бизнес принесёт 45 % выручки. Лишь 2 % выручки изготовителей придутся на другие типы памяти.

Выручка производителей DRAM и NAND в 2020 году. Источник: IC Insights

Выручка производителей DRAM и NAND в 2020 году. Источник: IC Insights

Аналитики считают, что уже в следующем году спрос на память и/или её цена вырастут, что увеличит выручку производителей памяти на 21 %, до $133,1 млрд. Годом позже доход этих компаний может вырасти ещё на 29 %, до рекордных $171 млрд.

Модуль и микросхемы памяти Samsung Electronics

Модуль и микросхемы памяти Samsung Electronics

Будучи очень волатильными, рынки оперативной и энергонезависимой памяти как нельзя лучше отражают текущие ожидания для всего рынка ПК, серверов, смартфонов и других типов компьютеров. Судя по всему, прогнозы аналитиков в отношении спроса на указанные устройства в этом году весьма пессимистичны, но ожидания на последующие периоды куда радужней. Впрочем, учитывая тот факт, что мало кто обладает достоверными данными о грядущем экономическом кризисе и его влиянии на рынок IT, прогноз IC Insights может быть пересмотрен ещё не раз.

Модули памяти Corsair

Модули памяти Corsair

Полупроводниковый бизнес Samsung полон здоровья и богат планами

От продаж полупроводников в первом квартале Samsung выручила 17,64 трлн вон ($14,45 млрд) и получила операционную прибыль в размере 3,99 трлн вон ($3,27 млрд). Постоянные инвестиции в инфраструктуру 5G, рост спроса со стороны облачных приложений, связанных с удаленной работой и онлайн-обучением, обеспечили компании спрос на серверную память и память для ПК.

Использование потоковых сервисов и количество онлайн-покупок во время карантина выросло, а это вызывает рост спроса на услуги центров обработки данных и на память DRAM. Для серверов компания предлагает модули памяти высокой плотности, что помогло компенсировать снизившийся спрос на память для смартфонов. Что касается спроса на память для ПК, то ему помог переход пользователей на виртуальное общение и, как следствие, возросший интерес к домашним компьютерам.

Спросу на память NAND компании помог устойчивый курс на увеличение флеш-ёмкостей в смартфонах. В частности, смартфоны стали комплектоваться флеш-модулями объёмом свыше 128 Гбайт. Это обеспечило в первом квартале стабильный спрос на чипы флеш-памяти компании. Центры по обработке данных добавили к этому спрос на SSD серверного уровня, к чему подталкивает распространение «объёмных» цифровых материалов.

Во втором квартале для памяти DRAM на серверном направлении сюрпризов не ожидается. Спрос должен оставаться высоким (удалённая работа и прочее). Но на мобильном направлении может образоваться провал. Поэтому Samsung будет ориентироваться на серверный рынок и мигрировать на новые технологии производства памяти.

Что касается NAND, то здесь всё ещё лучше. Серверы требуют всё больше и больше SSD, поэтому Samsung сосредоточится на выпуске флеш-накопителей высокой плотности (свыше 2 Тбайт) и продолжит миграцию на выпуск 3D NAND 5-го поколения (96-слойной).

Во втором полугодии, несмотря на самую главную неопределённость в отношении спроса на память ― спрос на мобильные устройства, Samsung ожидает благоприятных условий для данного направления. Потребность в более быстром и надёжном облачном сервисе будет способствовать хорошим продажам серверной памяти и памяти для ПК. Как ожидают в компании, в среднесрочной и долгосрочной перспективе распространение облачных услуг будет ускоряться, и это обещает хорошо поддержать производителей памяти. Со своей стороны, Samsung сосредоточится на ускорении перехода к выпуску DRAM 1Z нм (третье поколение 10-нм класса) и 3D NAND 6-го поколения (128-слойной).

Слабый спрос на смартфоны не помешал подразделению Samsung по выпуску БИС (LSI) нарастить выручку. Возросшим спросом пользовались процессоры для смартфонов 5G и датчики изображения со сверхвысоким разрешением для флагманских моделей. Во втором квартале эффект новизны уйдёт, и интерес снизится, а пандемия к этому добавит своего негатива. В противовес этому компания сосредоточится на поставке датчиков изображения с рекордными разрешениями и SoC для смартфонов 5G. Скоро каждый получит по персональному микроскопу. Все станем вирусологами-натуралистами.

Прогноз на второе полугодие для подразделения по выпуску LSI-продукции умеренно благоприятный. Несмотря на «коронавирусную» неопределённость, спрос на датчики изображения премиального класса ожидается стабильным, как и спрос на SoC поколения 5G.

Бизнес компании по контрактному выпуску полупроводников ослабел по вине снижения спроса на HPC-чипы со стороны китайских клиентов. В ответ на это во втором квартале Samsung намерена расширить лидерство в области использования полупроводниковой EUV-литографии и, в частности, обещая начать массовый выпуск 5-нм продукции.

Во втором полугодии samsung намерена расширить производство 5-нм решений и обещает ещё сильнее сосредоточиться на разработке 3-нм техпроцесса. Также Samsung собирается выйти за рамки мобильных решений (SoC и других чипов) и включить в ассортимент выпуск по контракту потребительских и вычислительных решений. Жаль, что тут пока что нет подробностей, ведь Samsung приписывают намерение выпускать процессоры и графику как для NVIDIA, так и для Intel и AMD.

SK Hynix ожидает дефицита памяти DRAM и планирует ускорить ввод нового завода

Пандемия коронавируса SARS-CoV-2 и вызванная ею изоляция граждан увеличили нагрузки на центры по обработке данных и удалённые сервисы. Возникла насущная потребность в расширении мощностей и в комплектации серверов. В частности, ожидается рост спроса на память DRAM. Замершие было инвестиции в отрасль вновь готовы политься рекой и встретить дефицит памяти достойным предложением.

Глава SK Grup Чей Тэ Вон объявляет о начале строительства завода M16 (декабрь 2018 года)

Глава SK Group Чей Тэ Вон объявляет о начале строительства завода M16 (декабрь 2018 года)

По данным южнокорейских источников, компания SK Hynix рассматривает два шага для увеличения объёмов выпуска памяти DRAM в ближайшем будущем. Во-первых, завод компании в Китае в городе Уси может быть оснащён новыми производственными линиями для выпуска чипов DRAM. Во-вторых, ввод в строй новейшего и огромного предприятия M16 в южнокорейском городе Ичхон может быть ускорен. Тем самым суммарный объём ежемесячно обрабатываемых кремниевых пластин с памятью DRAM на заводах SK Hynix может быть увеличен ещё на 40–50 тыс. подложек. Это примерно 5 % от общемирового рынка памяти.

Первоначально завод M16 планировалось ввести в эксплуатацию в октябре 2020 года. Но в 2019 году в связи с продолжительным снижением цен на память инвестиции в отрасль были снижены и процесс строительства оказался растянутым во времени. Согласно последним планам, предприятие M16 должно начать работу в 2021 году. В связи с возможным ростом спроса на память из-за пандемии компания начала рассматривать вариант ускоренного ввода завода M16 в эксплуатацию. Это будет выражено в том, что закупки производственного оборудования могут начаться раньше. Не в январе или феврале 2021 года, как было запланировано, а уже нынешней осенью.

Что касается завода компании в Уси, то на этом предприятии есть свободные помещения, в которых можно развернуть дополнительные производственные мощности. Если руководство SK Hynix придёт к договорённости, то завоз новых линий на китайское предприятие компании может начаться летом. На эти цели потребуется $2,65 млрд.

Строительная площадка завода M16

Строительная площадка завода M16

Общие инвестиции в завод M16 в Ичхоне составят свыше $13 млрд. На этом предприятии будет выпускаться самая передовая память DRAM с техпроцессом класса 10 нм с использованием сканеров EUV. Сейчас SK Hynix спешит закупить производственное оборудование, поскольку карантинные меры могут привести к проблемам в цепочках поставок. Одновременно это даст возможность ускорить его развёртывание, если вдруг на горизонте замаячит угроза дефицита памяти.

DDR5: запуск на 4800 МТ/с, более 12 процессоров с поддержкой DDR5 в разработке

Ассоциация JEDEC до сих пор официально не опубликовала спецификацию оперативной памяти (dynamic random access memory, DRAM) следующего поколения DDR5. Но отсутствие формального документа не мешает производителям DRAM и разработчикам разнообразных систем на кристалле (system-on-chip, SoC) готовиться к её запуску. На прошлой неделе компания Cadence, разработчик аппаратного и программного обеспечения для создания микросхем, поделилась своей информацией касательно выхода DDR5 на рынок и её дальнейшего развития.

Платформы DDR5: более 12 в разработке

Массовость любого типа памяти определяется массовостью платформ с её поддержкой, и DDR5 не является исключением. В случае с DDR5 мы точно знаем, что её будут поддерживать процессоры AMD EPYC поколения Genoa, а также Intel Xeon Scalable поколения Sapphire Rapids, когда они будут выпущены в конце 2021 или в начале 2022 года. Компания Cadence, которая уже предлагает контроллер DDR5 и физический интерфейс (PHY) DDR5 разработчикам микросхем для лицензирования, говорит, что на данный момент в разработке находятся более дюжины SoC с поддержкой памяти следующего поколения. Часть этих систем-на-кристалле появятся раньше, часть — позже, но на данном этапе очевидно, что интерес к новой технологии весьма велик.

Специалисты Cadence уверены, что разработанные компанией контроллер DDR5 и PHY DDR5 полностью соответствуют будущей спецификации JEDEC версии 1.0, поэтому SoC, которые используют технологии Cadence, будут совместимы с модулями памяти DDR5, которые появятся позднее.

«Тесное участие в рабочих группах JEDEC является преимуществом. Мы получаем представление о том, как будет развиваться стандарт. Мы являемся поставщиком контроллеров и PHY и можем предвидеть любые потенциальные изменения на пути к окончательной стандартизации. В первые дни стандартизации мы смогли принять стандартные элементы, находящиеся в процессе разработки, и действовать вместе с нашими партнерами, чтобы получить работающий прототип контроллера и PHY. По мере того, как мы движемся к публикации стандарта, у нас появляется всё больше доказательств того, что наш пакет интеллектуальной собственности (IP) будет поддерживать соответствующие стандарту устройства DDR5», — сказал Марк Гринберг (Marc Greenberg), директор по маркетингу DRAM IP в Cadence.

Антре́: 16-Гбит микросхемы DDR5-4800

Переход на DDR5 представляет собой серьезный вызов для производителей памяти, поскольку новый тип DRAM должен одновременно обеспечить увеличение ёмкости микросхем, повышение скорости передачи данных, рост эффективной производительности (на тактовую частоту и на канал) и одновременное снижение энергопотребления. Кроме того, ожидается, что DDR5 упростит объединение нескольких устройств DRAM в одной упаковке, и это позволит существенно увеличить ёмкость модулей памяти по сравнению с тем, что индустрия использует сегодня.

Micron и SK Hynix уже объявили о начале поставок прототипов модулей памяти на базе 16-Гбит микросхем DDR5 своим партнёрам. Компания Samsung, крупнейший в мире производитель DRAM, официально не подтверждала начало поставок прототипов, но из её анонсов на конференции ISSCC 2019 мы знаем, что компания работает с 16-Гбит микросхемами и модулями типа DDR5 (впрочем, это не значит что 8-Гбит микросхем DDR5 не будет). В любом случае, судя по всему, память DDR5 будет доступна от всех трёх крупнейших производителей DRAM при начале появления соответствующих платформ на рынке.

В Cadence уверены, что первые микросхемы типа DDR5 получат ёмкость 16 Гбит и скорость передачи данных в 4800 МегаТрансферов в секунду (МТ/с). Косвенно это было подтверждено демонстрацией модуля SK Hynix DDR5-4800 на CES 2020 вкупе с анонсом начала сэмплинга (процесс посылки прототипов продукции партнерам). От DDR5-4800 новое поколение памяти будет развиваться в двух направлениях: ёмкость и производительность.

Общие векторы развития DDR5, согласно ожиданиям Cadence:

  • Ёмкость одной микросхемы начнётся с 16 Гбит, затем возрастёт до 24 Гбит (ждите модули памяти размером 24 Гбайт или 48 Гбайт), а затем до 32 Гбит.
    Что касается производительности, то Cadence ожидает, что скорость передачи данных DDR5 возрастет со скорости 4800 MT/c до скорости 5200 МТ/с через 12–18 месяцев после запуска DDR4-4800, а затем до 5600 МТ/с через ещё 12–18 месяцев, поэтому повышение производительности DDR5 на серверах будет происходят с довольно регулярном ритмом.

Что касается клиентских ПК, многое будет зависеть от контроллеров памяти в микропроцессорах и поставщиков модулей памяти, но модули DIMM для энтузиастов, безусловно, будут иметь лучшие характеристики, чем используемые в серверах.

Если говорить о рынке серверов, то благодаря микросхемам с ёмкостью 16 Гбит, оптимизации внутренней архитектуры DDR5, новым серверным архитектурам и использованию модулей RDIMM вместо модулей LRDIMM, системы с одним процессорным гнездом и модулями DDR5 объемом 256 Гбайт получат значительное увеличение производительности как с точки зрения пропускной способности, так и с точки зрения задержек доступа к данным (по сравнению с современными модулями LRDIMM).

В Cadence говорят о том, что технологические усовершенствования DDR5 позволят увеличить действительную пропускную способность памяти на 36% по сравнении с DDR4 даже при скорости передачи данных 3200 МТ/с. Впрочем, когда DDR5 заработает на проектных скоростях порядка 4800 МТ/с, фактическая пропускная способность станет на 87 % выше, чем у DDR4-3200 в любом случае. Тем не менее, одной из ключевых особенностей DDR5 станет также и возможность увеличивать плотность монолитной микросхемы памяти свыше 16 Гбит.

DDR5 уже в этом году?

Как отмечалось выше, AMD Genoa и Intel Sapphire Rapids должны появиться не раньше конца 2021 года, а более вероятно — начала 2022 года. Тем не менее, господин Гринберг из Cadence уверен в оптимистичном сценарии развития событий.

Производители памяти стремятся начать массовые поставки новых типов DRAM раньше, чем станут доступны платформы. Между тем, поставки за год до того, как AMD Genoa и Intel Sapphire Rapids появятся на рынке, кажутся немного преждевременными. Но появление пробных вариантов DDR5 имеет несколько разумных объяснений: процессоры AMD и Intel, поддерживающие DDR5, ближе, чем сообщают нам процессорные компании, либо есть другие SoC с поддержкой DDR5, которые выходят на рынок.

В любом случае, если спецификация DDR5 находится на стадии окончательного черновика, крупные производители DRAM могут начать массовое производство даже без опубликованного стандарта. Теоретически, разработчики SoC также могут начать отправлять свои разработки в производство уже на этом этапе. Между тем, трудно представить, что DDR5 захватит сколько-нибудь значительную долю рынка в 2020 - 2021 гг. без поддержки со стороны основных поставщиков процессоров.

Samsung первой начала выпускать память DRAM с использованием сканеров EUV: отгружен первый миллион модулей

Компания Samsung Electronics сообщила о преодолении знаковой вехи. Клиенты компании получили в своё распоряжение один миллион модулей памяти DDR4 на первых в мире кристаллах памяти, для выпуска которых использовались сканеры диапазона EUV. Все они прошли комплексное тестирование и рекомендованы для установки в ПК премиального уровня и в серверы.

Согласно устоявшейся традиции, Samsung не раскрывает точные нормы производства чипов памяти в новом поколении. Кодовое обозначение данного техпроцесса ― D1x. Отметим, сканеры EUV с длиной волны 13,5 нм используются только для небольшой части производственных операций. Полностью перевести выпуск памяти поколения D1x на проекцию со сверхжёстким излучением компания планирует в следующем году. Такая память получит обозначение D1a.

Использование в производстве сканеров EUV позволяет ощутимо сократить число повторяющихся шагов. Теперь вместо нескольких фотошаблонов и, соответственно, нескольких проходов лучом сканера по кремниевой подложке достаточно будет одного или двух фотошаблонов и одного–двух проходов. Это экономия ресурсов и времени, что выльется в снижение себестоимости памяти. По словам Samsung, благодаря сканерам EUV продуктивность производства памяти D1x при обработке 300-мм кремниевых пластин увеличилась в два раза. Это означает, что со временем себестоимость производства памяти также снизится примерно в два раза.

В следующем году с использованием техпроцесса D1a с применением сканеров EUV компания Samsung собирается начать масштабное производство памяти DDR5 и LPDDR5. Для нового стандарта памяти себестоимость имеет большое значение. Также для расширения выпуска памяти с использованием сканеров EUV компания планирует запустить на заводе в Пхёнтхэк (Республика Корея) вторую производственную линию, что произойдёт во второй половине текущего года.

Пандемия и память: оперативная станет немного дороже, а NAND-флеш упадёт в цене

Официальное объявление ВОЗ о пандемии заставило аналитиков переосмыслить все предыдущие прогнозы. Одними из первых отреагировали на новость специалисты торговой площадки TrendForce, которые держат руку на пульсе рынков памяти DRAM и NAND.

В Китае, где возник очаг коронавируса SARS-CoV-2, эпидемия пошла на спад, но в остальном мире, где с дисциплиной и народным здравоохранением всё не так однозначно, коронавирус начал распространяться как пожар в лесу после засухи. Тем самым в мировой экономике складывается ситуация, когда риск становится системным и не поддаётся быстрому купированию. Рынок памяти, сделали вывод аналитики, может развернуться в худшую сторону и упасть раньше, чем ожидалось.

Пандемия серьезно затруднит экономическую и социальную деятельность во всех странах и снизит покупательскую способность потребителей. С другой стороны, снижение спроса на продукцию уменьшит потребность в закупках памяти. Тем не менее, в первом и втором кварталах 2020 года средняя цена продажи памяти DRAM и NAND продолжит рост несмотря ни на что. Этому они обязаны низкому уровню складских запасов памяти у производителей. Более того, если рост средней цены продажи памяти продолжится, это будет стимулом ещё больше закупать пока ещё имеющуюся на складах память.

Настоящая проблема ожидает рынок в третьем квартале. Спрос на память может упасть до такого уровня, что производители не смогут оперативно распродавать складские излишки. Рост средней цены продажи памяти может остановиться и даже начать снижаться. Если к этому времени пандемия не прекратится, потребителей будут заботить товары первой необходимости, а не электронные гаджеты и бытовая техника. Попутно всемирная эпидемия увеличит затраты на логистику и здоровье сотрудников, а это, если история примет угрожающие масштабы, приведёт к перестановкам в масштабах всей отрасли.

В настоящее время тремя типами электронных продуктов, оказывающих наибольшее влияние на рынки DRAM и NAND, являются ноутбуки, серверы и смартфоны. Из этих трех категорий производство смартфонов подвергнется наибольшему сокращению. Несмотря на то, что после завершения новогодних праздников продажи смартфонов пошли в гору, фактическое производство смартфонов все еще находится в состоянии упадка.

Растущий спрос на удалённую работу и дистанционное обучение стимулировал соответствующий растущий спрос на серверы. Благодаря постоянным усилиям поставщиков облачных услуг по созданию инфраструктуры, пандемия не оказала заметного влияния на спрос на серверы. С другой стороны, большинство корпоративных клиентов выказали осторожность и временно законсервировали запланированные ранее капитальные затраты. Очевидно, что это отрицательно повлияет на рынок серверной продукции.

До всей этой истории с коронавирусом специалисты TrendForce прогнозировали вероятный постоянный рост цен на DRAM и NAND до конца 2020 года. Рост объёмов поставок для DRAM ожидался на 13 % в год, а NAND ― на 32 % в год. В ситуации пандемии этот прогноз работать не будет. Впрочем, память DRAM, как считают специалисты, продолжит расти в цене, даже если спрос на неё начнёт снижаться (разрыв между спросом и предложением останется постоянным, что говорит о лёгком дефиците этой продукции). Но вот память NAND, которой на рынке сегодня в избытке, во второй половине года может резко подешеветь. Тем более что есть намёки на ожидание спада спроса на флеш-память во втором квартале. В общем, SSD будут снова дешеветь, если они кому-то будут ещё нужны...

Продавцы DRAM расширяют предложения LPDDR5

Производители памяти расширили свои предложения DRAM для мобильных устройств LPDDR5, что позволит включать такую память в смартфоны среднего класса, обладающие поддержкой 5G. Samsung Electronics первой представила память LPDDR5. После выпуска своих моделей LPDDR5 ёмкостью 8 Гбайт в июле 2018 года компания также выпустила продукты LPDDR5 объёмом 12 Гбайт и 16 Гбайт, произведённые по техпроцессу 1y (10 нм).

Samsung ранее уже сообщала, что будет расширять производство мобильных DRAM LPDDR5 на своём предприятии в Пхёнтэке, и планирует начать во второй половине 2020 года массовый выпуск 16-Гбит кристаллов LPDDR5 с использованием технологии 1z (13–10 нм).

В свою очередь Micron Technology только что рассказала о начале поставок образцов памяти LPDDR5 в упаковках uMCP, предназначенных для смартфонов среднего класса 5G. Ранее в этом году Micron объявила о старте массового производства памяти LPDDR5 для флагманских смартфонов вроде серии Xiaomi Mi 10. Micron добавила, что в её новой упаковке uMCP5 используются чипы, произведённые по техпроцессу 1y (10 нм).

По данным DRAMeXchange, несмотря на текущие тенденции в индустрии, Samsung удалось увеличить свою операционную маржу до 36 % в четвёртом квартале 2019 года с 33 % в предыдущем квартале благодаря снижению затрат, связанных с переходом на технологию 1y (10 нм). SK Hynix и Micron столкнулись в тот же период со снижением операционной прибыли.

По словам DRAMeXchange, на заводе Micron в Таоюане на севере Тайваня (ранее Inotera Memories) производилось около 30 % продукции с использованием технологии 1y (10 нм).

Коронавирус вплотную подобрался к южнокорейскому заводу SK Hynix

Коронавирус вышел за пределы Китая. Более того, он близко подобрался к одному из южнокорейских заводов компании SK Hynix по выпуску микросхем оперативной памяти DRAM. Во избежание риска распространения инфекции компания вынуждена была ввести карантин в учебных корпусах при заводе в Ичхоне.

Завод M14 SK Hynix в Ичхоне

Завод M14 SK Hynix в Ичхоне

Как сообщает интернет-ресурс ZDNet, компания SK Hynix закрыла ряд своих учреждений и попросила работников этих заведений оставаться дома на карантине. Сделано это по той причине, что один из сотрудников находился в тесном контакте с пациентом, у которого выявлен коронавирус. Первые тесты показали заражение этого сотрудника, и сейчас он проходит второй раунд тестирования для подтверждения инфицирования.

На карантин отправлены 800 сотрудников SK Hynix. К счастью, это пока не повлияло на работу завода компании в Ичхоне, рядом с которым произошло заражение. Все сотрудники, отправленные на карантин, это либо новые работники на стадии обучения, либо обучающий персонал, а также работники больницы на территории кампуса. Закрыты только больница, там был выявлен ещё один сотрудник компании с признаками пневмонии, и учебные корпуса. Производственные цеха с 18 000 постоянными работниками SK Hynix, где выпускается память типа DRAM, продолжают работать в обычном режиме.

В Южной Корее коронавирус резко ускорил распространение во вторник, когда было объявлено о 31 подтверждённом случае заражения. Число заразившихся новой инфекцией в стране достигло 82 человек. Это тревожная тенденция. Корея ― это критически важное государство для мира компьютеров и не только. В ней сосредоточено почти 80 % производства памяти. С учётом высочайшей автоматизации вряд ли это производство будет остановлено полностью. Слабым звеном, скорее всего, могут стать каналы поставок сырья и транспорт. Очень хотелось бы этого избежать.

Micron начала поставки оперативной памяти LPDDR5

Компания Micron объявила, что первая партия оперативной памяти LPDDR5 для смартфонов находится в массовом производстве и уже поставляется клиентам. Новые чипы значительно быстрее и эффективнее, чем LPDDR4x.

LPDDR5 от Micron доступна в упаковках по 6, 8 и 12 Гбайт и предлагает скорость в 5,5 Гбит/с и 6,4 Гбит/с на контакт. Последний показатель на 50 % выше, чем у самых быстрых чипов LPDDR4x (4266 Мбит/с на контакт). Micron также заявила о снижении энергопотребления на 20 % по сравнению с LPDDR4x.

Компания обещает вскоре предложить многочиповые упаковки объединяющие кристаллы LPDDR5 и скоростные накопители UFS на основе флеш-памяти — эти продукты будут доступны в течение первой половины года и, видимо, позволят производителям экономить не только средства, но и внутреннее пространство смартфонов.

Наиболее заметными направлениями использования чипов LPDDR5 станут, безусловно, флагманские смартфоны этого года. Однако Micron также нацеливается на автомобильную электронику и сетевое оборудование — распространение 5G и технологий машинного обучения стимулирует спрос на более быструю память.

Одним из первых продуктов, который будет использовать новый тип оперативной памяти LPDDR5, станет новый флагманский смартфон Xiaomi Mi 10. Впрочем, ZTE тоже объявила об использовании такой памяти в грядущем аппарате Axon 10s Pro на базе Qualcomm Snapdragon 865.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥