Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Альтман: наличие оперативной памяти в ПК «довольно ужасно» — в ИИ ЦОД она была бы полезнее
31.10.2026 [01:22],
Николай Хижняк
Генеральный директор OpenAI Сэм Альтман (Sam Altman) заявил, что использование оперативной памяти (DRAM) в домашних компьютерах неэффективно с точки зрения глобального распределения ресурсов. По мнению Альтмана, ей место в центрах обработки данных. 
Источник изображения: @sama / x.com Свою позицию он озвучил в интервью YouTube-канала Cheeky Pint. По мнению главы OpenAI, в условиях ограниченных поставок полупроводников компоненты должны быть сосредоточены в облачных дата-центрах для достижения максимального уровня их полезной эксплуатации. «С точки зрения глобального распределения, на самом деле, это довольно ужасно, когда у каждого в собственном компьютере находится куча DRAM из ограниченных мировых запасов, которая используется в 5 % времени. В условиях жёсткого дефицита ресурсов необходимо стремиться к максимальной эффективности их использования в облаке. Но почему-то многие люди интуитивно считают иначе», — подчеркнул глава OpenAI. Хотя OpenAI и выпускает модели с открытым исходным кодом, основной бизнес компании строится на закрытых моделях, работающих в дата-центрах, поэтому, по сути, Альтман защищает бизнес-модель своей компании. Обычные ноутбуки или игровые ПК пока не представляют реальной угрозы для OpenAI. Однако развитие локального ИИ может привести к тому, что в будущем пользователям не придётся платить полную стоимость подписки на такие модели, как GPT-6 Luna, если у них будет достаточно мощное «железо» для запуска этих систем дома. Слова Альтмана намекают на то, что компания предпочла бы видеть оперативную память в своих дата-центрах, а не в домашних компьютерах. Но это вызывает у энтузиастов закономерные опасения: не движемся ли мы к будущему, где у нас не будет собственного оборудования или программного обеспечения, а останется лишь возможность арендовать ИИ-агента и вычислительные мощности в облаке? Позиция Альтмана отчасти опирается на предположение, что темпы строительства дата-центров не замедлятся. Кроме того, она исходит из убеждения, что использование оперативной памяти в дата-центрах для нужд ИИ (в режиме 24/7) — более рациональное применение ресурсов, чем использование той же памяти для работы с электронными таблицами, веб-серфинга, игр или даже эпизодического запуска нейросетей на домашних устройствах. Память будущего: Z2RAM объединит лучшее от DRAM, SRAM и NAND — в разработку вложился бывший глава Intel
28.10.2026 [12:32],
Алексей Разин
Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger) в прошлом году вложился в капитал стартапа Nagare Labs, который пытается разработать новый тип памяти, сочетающий лучшие характеристики DRAM, SRAM и флеш-памяти. Память типа Z2RAM обещает быть плотной как DRAM, быстрой как SRAM и масштабируемой, как флеш-память. 
Источник изображения: Nagare Labs По сути, как пояснил бывший глава Intel изданию The Register, на рынке технологий памяти существенных инноваций не наблюдалось на протяжении трёх последних десятилетий. Основные разработки сосредоточены вокруг SRAM, DRAM и флеш-памяти. Разрабатываемая Nagare Labs память Z2RAM должна быть почти такой же быстрой, как SRAM, близкой по плотности к DRAM, но при этом в производстве оставаться проще HBM или LPDDR. С другой стороны, как признаёт Гелсингер, в случае с HBM сочетание плотности и быстродействия является лучшим на рынке, хотя данный тип памяти и имеет множество ограничений типа плотности, энергопотребления и пропускной способности на периферийных участках чипа. Z2RAM как собирается обеспечить более высокую плотность, быстродействие и меньшее энергопотребление. Технология Nagare Labs базируется на оксидных полупроводниках и подразумевает интеграцию памяти непосредственно на вычислительные компоненты с использованием технологий сращивания в трёхмерной компоновке. Концептуально Z2RAM напоминает память 3D V-Cache, которую AMD устанавливает на свои процессоры Ryzen определённых моделей. В последнем случае в упаковке логического чипа размещается дополнительный слой с памятью типа SRAM, увеличивающий доступный объём кеша третьего уровня. В своём первом воплощении Z2RAM обещает плотность в пересчёте на бит более 5 раз выше, чем в случае с SRAM. Если кристалл SRAM может разместить только 64 Мбайт памяти, то Z2RAM в том же пространстве предлагает уже 320 Мбайт при сохранении пропускной способности на сопоставимом с SRAM уровне. Подобные объёмы вряд ли впечатляют на фоне флагманских ускорителей с памятью HBM, но для ускорителей на основе SRAM типа Nvidia Groq это будет существенным прогрессом. В частности, чипы Groq 3 типа LPU предлагают около 500 Мбайт памяти типа SRAM, и теоретически, при переходе на Z2RAM этот объём может быть увеличен в пять раз и более. По словам Гелсингера, бум ИИ выявил серьёзную потребность как в пропускной способности, так и в ёмкости типов памяти, используемых в существующей инфраструктуре, поэтому к разработкам, способным обеспечить прорыв в данной сфере, имеется огромный интерес и находятся капитальные ресурсы на их стимулирование. Как поясняют представители Nagare Labs, по уровню быстродействия Z2RAM больше способна соперничать с SRAM, но функционально она больше похожа на DRAM с точки зрения механизма хранения данных. Ячейка DRAM состоит из одного транзистора, одного конденсатора и одного физического конденсатора. Ячейка Z2RAM содержит два транзистора, но использует ёмкость затвора второго транзистора для хранения заряда. На операциях чтения это позволяет снизить задержки по сравнению с DRAM. Кроме того, Z2RAM подразумевает вертикальную компоновку в несколько ярусов, как это происходит с HBM, но с точки зрения технологии производства такая память ближе к формированию слоёв в микросхемах NAND, поэтому она и будет значительно дешевле HBM и проще в изготовлении. Прототипы Z2RAM за пределы лабораторий Z2RAM пока не выбрались, поэтому Nagare Labs ищет партнёра с опытной производственной линией, который мог бы выпустить первые образцы микросхем памяти этого типа. Стартап планирует получить работоспособные чипы в течение четырёх лет и наладить массовые поставки серийных экземпляров за ближайшие десять лет. Компания также готова сотрудничать с разработчиками сторонних чипов, которые желают интегрировать Z2RAM на свои компоненты. Правда, на этом пути появляется препятствие в виде отсутствия стандартного интерфейса. Стартап мог бы разработать его своими силами, но это довольно сложная задача. Низкая стабильность свойств изделий из оксидных полупроводников также представляет проблему с точки зрения масштабирования производства Z2RAM. Строгие отраслевые стандарты, по словам представителей Nagare Labs, уже похоронили немало разработок в сфере создания новых типов памяти, но рынок одновременно открывает и новые возможности. Ситуация стремительно меняется, а ещё появляются новые протоколы. Китайская YMTC готовит серийное производство LPDDR5X со скоростью 9600 МТ/с и компоновкой 4F2
23.10.2026 [17:24],
Николай Хижняк
Китайская YMTC, известная как производитель флеш-памяти, выходит на рынок оперативной памяти и уже выпускает небольшие партии LPDDR5X. По данным Counterpoint Research, компания производит около 5000 кремниевых пластин с такой памятью в месяц и готовится к более массовому выпуску. Если планы удастся реализовать, у Китая появится ещё один собственный производитель памяти, способный бросить вызов Samsung, SK hynix и Micron. 
Источник изображения: TechPowerUp Согласно данным аналитической компании Counterpoint Research, с октября 2025 года на своём предприятии Fab 2 компания YMTC ежемесячно выпускает около 5000 кремниевых пластин с чипами LPDDR5X ёмкостью 16 Гбит (2 Гбайт) и скоростью передачи данных 7500 МТ/с. В настоящее время компания готовится к началу полномасштабного производства памяти LPDDR5X со скоростью 9600 МТ/с на своем предприятии Fab 3, используя технологию ячеек с вертикальными канальными транзисторами (Vertical Channel Transistor, VCT) и компоновкой 4F2. YMTC обладает существенным преимуществом благодаря технологиям работы с 3D-структурами в кремнии, что представляет собой следующий этап эволюции памяти. С помощью технологии Xtacking 4.0 компания может разделять пластины с ячейками памяти и пластины с периферийными логическими схемами, а затем объединять их посредством гибридного соединения (hybrid bonding) по принципу «пластина к пластине» (wafer-to-wafer). 
Источник изображения: YMTC Гибридное соединение позволяет создать прочную связь между двумя кремниевыми чипами: встроенные металлические контактные площадки сплавляются друг с другом, образуя единый кристалл. Таким образом можно соединять несколько отдельных кристаллов или целые кремниевые пластины, стыкуя их тыльными сторонами. Даже если YMTC продолжит масштабировать выпуск LPDDR5X, она сможет легко перейти к производству 3D DRAM, используя текущую версию технологии Xtacking 4.0 или её будущую итерацию (например, 5.0, о которой пока нет подробных сведений). Компания Micron, в свою очередь, недавно подтвердила, что не планирует выводить на рынок DRAM с компоновкой 4F2, предпочитая придерживаться классической архитектуры 6F2, вплоть до появления полноценной 3D DRAM. YMTC, наряду с другим китайским производителем CXMT, делает ставку на внедрение архитектуры 4F2. Это означает, что китайские компании могут иметь определённое преимущество в плане проектирования ячеек памяти, несмотря на ограничения, связанные с использованием литографического оборудования DUV (глубокий ультрафиолет). Впрочем, когда технология 3D DRAM будет готова к массовому производству, YMTC окажется в числе компаний, имеющих наилучшие позиции для того, чтобы извлечь из этого выгоду. «Памяти всегда можно использовать больше»: глава Nvidia отверг опасения по поводу перепроизводства
22.10.2026 [19:37],
Анатолий Хаблюк
Основатель и генеральный директор Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang) не согласился с опасениями инвесторов касательно грядущей к 2029 году проблеме перепроизводства оперативной памяти. Он считает, что потребности индустрии искусственного интеллекта продолжат расти, а производителям микросхем будет непросто удовлетворить спрос даже после расширения мощностей. 
Источник изображения: Nvidia О своем отношении к прогнозам Хуанг рассказал в интервью CNBC на конференции GTC в Берлине. «Одно из замечательных свойств памяти заключается в том, что ее всегда можно использовать больше», — заявил руководитель Nvidia. По его словам, память с высокой пропускной способностью HBM останется востребованной в центрах обработки данных еще много лет. Хуанг также сообщил, что Nvidia использует энергоэффективную память LPDDR, применяемую также в ноутбуках и смартфонах, в своих вычислительных системах для искусственного интеллекта. По его словам, это позволило вдвое повысить энергоэффективность оборудования по сравнению с другими решениями на рынке. Компания намерена и дальше закупать большие объемы такой памяти. Оптимизм Хуанга расходится с настроениями инвесторов. На прошлой неделе за пять торговых дней акции SK hynix потеряли 26 %, Samsung Electronics — 22 %, а Micron Technology — около 11 %. Причиной распродажи стали прогнозы южнокорейских экспертов, допускающих избыток предложения памяти к 2029 году. Они полагают, что к 2030 году нынешний рост рынка может смениться спадом. Инвесторов беспокоит и развитие китайской ChangXin Memory Technologies (CXMT). Компания представила новую архитектуру микросхем, позволяющую увеличить плотность хранения данных. Участники рынка опасаются, что дальнейшие успехи CXMT усилят конкуренцию с Samsung, SK hynix и Micron. Илон Маск (Elon Musk) также предположил, что уже к 2028 году Китай сможет выпускать огромные объемы оперативной памяти. Хуанг допустил возможность сотрудничества Nvidia с CXMT. Он напомнил, что китайские предприятия давно участвуют в международных цепочках поставок, а их производственные возможности продолжают расти. По словам руководителя Nvidia, недооценивать китайских производителей не стоит. Одновременно глава Nvidia выступил против американских экспортных ограничений. Он считает, что запреты на поставки передовых полупроводников ускорили развитие собственных технологий в Китае и побудили власти страны увеличить поддержку отрасли. По мнению Хуанга, американские компании способны конкурировать с китайскими производителями и без подобных ограничений. 3D DRAM вместо 4F2: Micron назвала тупиковой технологию, которую внедряет китайская CXMT
22.10.2026 [10:26],
Алексей Разин
Для американского производителя памяти Micron Technology переход к памяти с вертикальными транзисторами не является столь же явной альтернативой, как для китайской CXMT. Первая из компаний видит больше перспектив в 3D DRAM, а 4F2 считает тупиковым вариантом развития, который себя не оправдает. 
Источник изображения: Micron Technology Хотя китайская компания CXMT с предсказуемой гордостью говорит о намерениях вывести на рынок модули DDR5 типа RDIMM на основе микросхем с компоновкой транзисторов 4F2, сторонние эксперты смотрят на ситуацию более трезво. Они отмечают, что для китайского производителя данный шаг является во многом вынужденным, поскольку CXMT лишена доступа к импортному оборудованию, позволяющему наладить выпуск памяти с более плотным размещением транзисторов иными способами. Президент и технический директор американской Micron Technology Скотт де Бур (Scott DeBoer) в интервью Nikkei вчера подтвердил, что компания не торопится переходить на компоновку ячеек памяти 4F2. По его словам, Micron изучала эту возможность на протяжении более 20 лет, но до сих пор не включает такую технологию в свои производственные планы. Вместо этого Micron собирается развивать классическую компоновку 6F2 и делать ставку на технологию 3D DRAM следующего поколения. Напомним, F в данном случае обозначает линейный размер и соответственно F2 определяет занимаемую ячейкой памяти площади на полупроводниковом кристалле. Классическая ячейка 6F2, таким образом, занимает больше места по сравнению с 4F2, которую торопится внедрить в условиях санкций китайская CXMT. Американская Micron работает в более комфортных условиях, а потому может долго не задумываться о такой миграции. Более того, технический директор Micron назвал подобное сравнение двух компоновок манипуляциями с «зеркалами и дымом», поскольку переход на 4F2, по его словам, вовсе не гарантирует увеличения ёмкости памяти. «Существует некое заблуждение, будто технология 4F2 действительно даёт какие-то преимущества по сравнению с 6F2. На самом деле именно шаг между конденсаторами определяет характеристики DRAM», — пояснил де Бур. По его словам, существенных преимуществ 4F2 не добавляет, а в производстве соответствующая память дороже и сложнее. Именно шаг размещения конденсаторов определяет плотность упаковки ячеек памяти и ёмкость чипа, в конечном итоге. Каждый конденсатор при этом должен хранить достаточный заряд, чтобы позволять надёжно считывать данные, поэтому шаг их размещения сократить довольно сложно по сравнению с обычным уменьшением размеров транзисторов. Если смотреть на дальнейшие перспективы масштабирования памяти с компоновкой 4F2 с точки зрения современной науки, как отмечает представитель Micron, то начинают вмешиваться законы физики. Именно они будут задавать те пределы, которые в конечном итоге заставят дизайн чипов памяти перейти к 3D DRAM вместо 4F2, по мнению де Бура. Конденсаторы в составе 3D DRAM имеют совершенно другую ориентацию, поскольку эта память «полностью вертикальна», как добавил он. Иначе масштабируются и сами возможности разработки 3D DRAM, а также вся сопутствующая оптимизация. По словам технического директора Micron, для этой компании «этап, на котором требуется EUV, совпадает с моментом выбора между изготовлением по технологии 4F2 и 6F2». Оборудование для производства чипов с использованием сверхжёсткого ультрафиолетового излучения (EUV), поставляемое нидерландской ASML, доступно Micron без экспортных ограничений, в отличие от китайских производителей памяти. Оперативная память для ПК в следующем году станет ещё дороже — и найти в магазинах её будет сложнее
22.10.2026 [07:14],
Алексей Разин
Оперативная память для ПК станет ещё более дефицитным товаром в следующем году, а потому рост цен на неё наверняка продолжится. Хуже всего ситуация будет обстоять в рознице, для людей, которые сами собирают себе ПК: память не только подорожает, но даже купить её будет сложнее. Продавать память в других сегментах рынка по-прежнему выгоднее, и потребности рядовых пользователей ПК обслуживаются поставщиками по остаточному принципу. 
Источник изображения: Kingston Technology Цены на любом рынке определяются соотношением спроса и предложения, и в случае с оперативной памятью для розничных потребителей следующий год не несёт ничего хорошего, как предполагают аналитики TrendForce. По их мнению, дефицит DRAM в потребительском секторе рынка ПК только усилится именно благодаря фактору ограниченного предложения. Смежные сегменты рынка будут оттягивать на себя доступные объёмы микросхем памяти, а направление ПК будет обеспечиваться по остаточному принципу, что будет способствовать дальнейшему росту цен. Некоторые производители ПК выразили надежду, что в 2027 году ситуация с доступностью памяти улучшится, но речь шла только об их собственных закупках, поскольку крупные игроки рынка имеют возможность заключать долгосрочные контракты. В розничном же сегменте с памятью для ПК, собираемых самостоятельно потребителями, в следующем году станет совсем плохо: мало того, что цены продолжат расти, так и купить память станет гораздо сложнее. Предложение в 2027 году не сможет существенно расшириться, поскольку основной объём дополнительных производственных мощностей будет введён в строй примерно к 2029 году. При этом спрос на DRAM в прочих сегментах рынка будет оставаться на высоком уровне. Облачные гиганты всё чаще переходят на долгосрочные соглашения с производителями памяти, и те обслуживают потребительский сегмент по остаточному принципу. По данным на начало осени, Samsung уже распределила по предварительным заказам до 70 % памяти, которую сможет выпустить до 2031 года, а квоты на следующий год практически распределены полностью у всех трёх основных производителей памяти. Сегмент HBM продолжает оттягивать на себя ресурсы производителей DRAM, поскольку для одного стека памяти этого типа требуется от 8 до 12 кристаллов, а ускорители вычислений с памятью HBM очень востребованы в инфраструктуре ИИ. Правда, эксперты TrendForce отмечают, что тенденция к увеличению количества ярусов в стеке HBM должна несколько замедлиться. По этой причине массовое производство 16-ярусных чипов HBM начнётся позже, чем предполагалось изначально. Всё будет зависеть от сроков повышения уровня выхода годной продукции и снижения её себестоимости. Во второй половине следующего года 8-ярусные чипы HBM займут основную часть рынка. Заказчики забронировали объёмы выпуска HBM компании Samsung на несколько лет вперёд. В следующем году цены на HBM должны увеличиться минимум в два раза. За микросхемы GDDR тоже разворачивается сильная конкуренция, поскольку видеокарты для рабочих станций, которые требуют в три раза большего объёма такой памяти по сравнению с потребительскими, всё чаще используются для работы в инфраструктуре ИИ. Соответственно, игровым видеокартам достаётся всё меньше памяти, и они в итоге дорожают в рознице и реже встречаются в продаже. С обычной DDR для ПК и серверных систем ситуация также меняется не в пользу потребительских решений. Серверный рынок начинает активнее использовать память типа LPDDR, в итоге потребительский оказывается в проигрыше. Даже ПК для разработчиков типа Nvidia RTX/DGX Spark и AMD Strix Halo оснащаются 128 Гбайт памяти, а это в восемь раз больше, чем у многих ноутбуков потребительского класса. В начале этого квартала некоторые системные интеграторы уже заявляли о росте цен на память на величину до 15 %. Эксперты TrendForce прогнозируют, что к концу года они могут вырасти на 15–20 %. С другой стороны, корпоративные клиенты не смогут бесконечно откладывать покупку памяти даже в условиях непрерывного роста цен, и в следующем году этот спрос выйдет на рынок, который будет ограничен со стороны предложения, тем самым создавая условия для дальнейшего роста цен. Высокие цены на память позволили китайской CXMT выйти в прибыль по итогам трёх первых кварталов этого года
18.10.2026 [08:14],
Алексей Разин
Первые девять месяцев прошлого года CXMT завершила с многомиллионными убытками, но аналогичный период текущего года удалось завершить с прибылью в размере почти $20 млрд. Выручка компании также выросла более чем в восемь раз. 
Источник изображения: CXMT Китайская компания CXMT, по данным Counterpoint Research на второй квартал текущего года, уже является четвёртым по величине производителем DRAM в денежном выражении, контролируя 10 % мировой выручки. Её собственная выручка во втором квартале выросла в годовом сравнении в два с половиной раза. Она также занимает четвёртое место в мире по объёмам производства памяти. Всё это до сих пор не позволяло ей избавиться от убытков, однако предварительные данные за девять месяцев этого года позволяют надеяться, что это сделать удалось в текущем году. Как сообщает Bloomberg со ссылкой на предварительную статистику за три прошедших квартала 2026 года, чистая прибыль CXMT за период должна расположиться в диапазоне от $19,6 до $19,8 млрд. В прошлом году три первых квартала принесли компании чистые убытки в размере $792 млн. Выручка CXMT по итогам девяти месяцев текущего года должна составить от $39,6 до $40,4 млрд. Это в разы выше прошлогодних $4,8 млрд, а именно — на 742 % больше. Понятно, что основной вклад в подобную динамику изменения выручки внесли стремительно растущие цены на микросхемы памяти, но CXMT при этом остаётся в числе мировых лидеров по темпам расширения своих производственных мощностей. Сидеть на мешках с деньгами, образно выражаясь, CXMT не собирается. Во-первых, средства нужны не только на расширение производства, но и освоение новых технологий. Во-вторых, CXMT готова потратить от $150 до $300 млн на выкуп собственных акций с рынка. Таким образом, в условиях бума ИИ акции компании остаются привлекательными для инвесторов, что подтверждают и итоги летнего IPO, которое сделало CXMT самой дорогой публичной компанией в Китае. Акции производителей памяти сильно подешевели, поскольку инвесторов напугала перспектива перепроизводства
16.10.2026 [06:43],
Алексей Разин
За прошедшие пять дней акции SK hynix потеряли в цене 26 %, акции Samsung Electronics просели на 22 %, а в случае с Micron Technology падение ограничилось 11 %. Инвесторов насторожил прогресс китайских конкурентов и предположение о неизбежности перепроизводства микросхем памяти к 2029 году. 
Источник изображения: Tech Daily, Unsplash Ещё в конце прошлой недели стало известно о намерениях китайской CXMT первой в мире начать поставки серийной памяти DDR5 с вертикальными транзисторами, обозначив важный технологический прорыв на фоне западных конкурентов. Эксперты поясняют, что для живущей в условиях санкций США китайской компании этот скачок во многом является вынужденной мерой, но рынком данный сигнал воспринимается, как подтверждение успехов CXMT в технологической сфере. Таким образом, если CXMT продолжит увеличивать свою долю на рынке, на акциях её конкурентов это скажется не самым лучшим образом. Аналитики в своих комментариях для CNBC пояснили, что сам по себе технологический прорыв не гарантирует прироста объёмов выпуска памяти CXMT. Новая технология обычно не обеспечивает высокого уровня выхода годной продукции на первых этапах, и если, условно, половину чипов придётся отбраковывать, то существенного увеличения объёмов выпуска памяти CXMT на первых порах мы не увидим. Предупреждать участников рынка об угрозе перепроизводства памяти косвенно стали не только руководители Broadcom и Intel, но и некоторые южнокорейские эксперты. Последние, как отмечает CNBC, со страниц Maeil Business Newspaper заявили, что к 2029 году рынок памяти буквально будет наводнён предложением, а к 2030 году суперцикл подойдёт к концу, уступив место фазе спада. Глава Tesla и SpaceX Илон Маск (Elon Musk) тоже не удержался от комментариев на эту тему, заявив, что «Китай к 2028 году будет выпускать много памяти». Все крупные производители памяти сейчас заняты расширением производственных мощностей, но в строй они будут введены только через три–пять лет, поэтому в среднесрочной перспективе дефицит будет сохраняться, поддерживая цены на высоком уровне и позволяя участникам рынка обогащаться и одновременно вкладывать деньги в дополнительные производственные линии. По прогнозам Counterpoint Research, в 2028 году цены на DRAM упадут на 23 % относительно 2027 года, но они всё равно будут примерно на 230 % выше уровня 2025 года. Даже если в 2028 году рынок памяти и вступит в фазу спада, она не будет проявляться так остро, как в прошлые годы. Во многом это обусловлено переходом на долгосрочные контракты, которые определяют объёмы поставок и цены на память на многие годы вперёд. Китайская CXMT намерена первой в мире выпустить передовую DDR5 с вертикальными транзисторами
11.10.2026 [07:13],
Алексей Разин
Китайский производитель памяти CXMT рассчитывает к концу текущего года вывести на рынок серверные модули DDR5 RDIMM на чипах с перспективной архитектурой 4F2. Она предусматривает использование вертикальных транзисторов, которые позволяют увеличить плотность ячеек памяти. 
Источник изображения: CXMT Как сообщает BigGo Finance, президент CXMT Цао Каньюй (Cao Kanyu) рассказал о планах компании 10 октября на четвёртой Конференции по чипам и чиплетам. По его словам, разработка архитектуры 4F2 достигла существенного прогресса, а выпуск новых модулей DDR5 RDIMM ожидается до конца года. В основе технологии лежит транзистор VSG (Vertical Surrounded Gate) с вертикальным каналом, окружённым затвором. Такая конструкция улучшает управление током, помогает снизить утечки и уменьшить влияние эффектов короткого канала. Кроме того, она позволяет сократить площадь ячеек памяти и повысить плотность записи данных. Обозначение 4F2 описывает площадь, которую занимает одна ячейка памяти на кристалле. Здесь F — условный минимальный размер элемента структуры памяти, а число перед ним показывает, во сколько раз площадь ячейки превышает квадрат со стороной F. Архитектура 4F2 предполагает, что одна ячейка DRAM занимает площадь, равную четырём таким квадратам. Для сравнения, в распространённой архитектуре 6F2 на одну ячейку приходится шесть квадратов. Чем меньше площадь ячейки, тем больше их можно разместить на одном кристалле, а значит, тем выше может быть ёмкость микросхемы при сопоставимых размерах. Первые варианты 4F2 предусматривали использование планарных транзисторов, а производство ячеек памяти и периферийных логических схем зависело от общих условий литографии и легирования. Из-за этих ограничений ранние разработки уступали по совокупным характеристикам отработанным решениям класса 6F2. По мере того как возможности дальнейшего уменьшения ячеек 6F2 приближаются к технологическим пределам, производители исследуют трёхмерные варианты реализации 4F2. Среди возможных подходов — разделение процессов изготовления DRAM и КМОП-логики, а также гибридное соединение кремниевых пластин для организации высокоскоростных межсоединений. Это позволило бы независимо оптимизировать плотность ячеек и производительность логики. По словам Цао Каньюя, CXMT располагает более чем 300 опубликованными семействами патентов, связанными с архитектурой 4F2. Ориентация на продвижение памяти этого поколения в серверном сегменте подчёркивает амбиции компании по завоеванию рынка компонентов для инфраструктуры ЦОД. В сентябре генеральный директор компании Чжао Лунь сообщил, что в первом полугодии вклад серверных продуктов в бизнес производителя увеличивался. В последнее время CXMT ускорила освоение новых поколений памяти. В конце августа компания объявила о начале массового производства LPDDR6, став одной из первых, кто приступил к коммерциализации этого стандарта. В сентябре ChangXin Memory Technologies сообщила о запуске массового производства памяти DRAM пятого поколения (G5). По заявлению компании, её характеристики приближаются к уровню передовых мировых разработок. По данным Counterpoint Research, во втором квартале текущего года CXMT занимала около 10 % мирового рынка DRAM по выручке, располагаясь на четвёртом месте среди производителей. Samsung, SK hynix и Micron также разрабатывают память на основе архитектуры 4F2 или аналогичных трёхмерных решений. Если CXMT удастся выпустить новые модули в заявленные сроки и добиться их квалификации у заказчиков, компания сможет укрепить позиции на серверном рынке. Пока, однако, речь идёт о планах выпуска, а не о мировом первенстве в массовом производстве 4F2 DRAM. Аналитики ожидают обрушения спроса на ноутбуки в 2027 году из-за роста цен
10.10.2026 [15:29],
Анжелла Марина
В 2027 году мировой рынок ноутбуков столкнётся с ослаблением спроса из-за подорожания оперативной памяти, процессоров и других комплектующих. При неблагоприятном сценарии поставки устройств могут сократиться на величину, близкую к 10 %, если производители переложат большую часть дополнительных затрат на покупателей, прогнозируют аналитики. 
Источник изображения: notebookcheck.net По оценке TrendForce, первоначально ожидается снижение мировых поставок ноутбуков в 2027 году на несколько процентов. Однако рост стоимости DRAM и процессоров может заставить производителей повысить розничные цены, из-за чего пользователи будут дольше откладывать замену устройств. В таком случае годовое падение поставок может достичь высоких однозначных значений, то есть приблизиться к 10 %. В 2026 году рынок ПК поддержали улучшение доступности процессоров, заблаговременные закупки производителями компонентов и перенос части покупок на более ранние сроки. Однако это не означает полноценного восстановления спроса: часть пользователей приобрела ноутбуки раньше, чем планировала, поэтому в последующие периоды активность покупателей может снизиться. Дополнительным фактором станет постепенное исчерпание запасов комплектующих, закупленных по более низким ценам. 
Источник изображения: TrendForce Аналитики приводят в качестве примера ноутбуки массового сегмента с рекомендованной розничной ценой производителя (MSRP) в $900. В третьем квартале 2026 года процессор, оперативная память DRAM и накопитель SSD обеспечивали около 68 % стоимости его комплектующих. Поэтому дальнейшее подорожание этих компонентов может существенно повлиять на себестоимость готовых устройств. Производителям придётся выбирать между повышением цен, сокращением собственной прибыли и уменьшением характеристик ноутбуков, например, объёма оперативной памяти. Изменения могут затронуть и географию производства. Доля ноутбуков, выпускаемых за пределами Китая, сократится с 24 % в 2025 году до 21 % в 2026-м, а в 2027 году может опуститься ниже 20 %. На фоне роста затрат на логистику, закупку комплектующих и управление цепочками поставок производители могут вернуть часть мощностей в Китай, если давление со стороны пошлин не усилится. При этом дефицит DRAM может сохраниться из-за высокого спроса со стороны серверов для ИИ, тогда как ситуация с NAND Flash способна улучшиться во второй половине 2027 года благодаря вводу новых производственных мощностей. Дополнительное давление на отрасль оказывают печатные платы (PCB), многослойные керамические конденсаторы (MLCC) и микросхемы управления питанием (PMIC). На их стоимость и сроки поставок влияют распределение производственных мощностей, цены на сырьё и геополитические факторы. TrendForce считает, что в 2027 году ключевым вопросом станет уже не столько наличие комплектующих, сколько готовность покупателей платить за подорожавшие устройства. Если производители смогут частично компенсировать рост затрат и скорректировать конфигурации ноутбуков, спад поставок останется умеренным. Однако при полном переносе дополнительных расходов на потребителей он может оказаться значительно сильнее в 2027 году. Память продолжает кормить Samsung — прибыль взлетела почти в 9 раз до рекордных $80 млрд
08.10.2026 [10:23],
Алексей Разин
Крупнейший производитель памяти на этой неделе подвёл предварительные итоги третьего квартала. Операционная прибыль Samsung Electronics в годовом сравнении выросла в 8,8 раза до рекордных $80,2 млрд. Выручка увеличилась на 126,6 % до $145,7 млрд, по предварительным оценкам.  Во-первых, операционная прибыль компании по итогам прошлого квартала впервые преодолела планку в 100 трлн вон. Во-вторых, подобного уровня по показателям операционной прибыли в квартальном измерении до этого не достигала ни одна компания технологического сектора. Собственный прогноз Samsung по величине операционной прибыли оказался слегка выше консенсуса LSEG. Точные итоги третьего квартала Samsung Electronics подведёт в конце этого месяца. Последовательно операционная прибыль компании выросла на 20 %, тогда как выручка увеличилась на 13,7 % по сравнению со вторым кварталом текущего года. Рекордных показателей по операционной прибыли компания достигает уже четвёртый квартал подряд. Как предполагается, локомотивом прибыли и выручки выступило подразделение Samsung по выпуску микросхем памяти. В натуральном выражении Samsung остаётся крупнейшим поставщиком чипов памяти, но в сегменте HBM по-прежнему уступает конкурирующей SK hynix. Эксперты Douglas Research Advisory предполагают, что у Samsung объёмы поставок HBM в прошлом квартале последовательно выросли почти на 50 %. Аналитики TrendForce прогнозируют, что в четвёртом квартале контрактные цены на DRAM вырастут на величину от 10 до 15 % по сравнению с третьим. Если учесть, что во втором квартале они выросли почти на 60 %, то в ближайшие месяцы можно будет говорить о снижении темпов роста цен на память, если прогнозы оправдаются. Это может сказаться на темпах роста выручки производителей памяти, поскольку объёмы поставок продукции они наращивают не столь активно, как отпускные цены. Курс акций Samsung после публикации квартального отчёта снизился на 0,7 %, поскольку инвесторы насторожились по поводу дальнейших перспектив динамики финансовых показателей компании. Помимо прочего, рост цен на память вредит собственному бизнесу Samsung по производству электронных устройств, и это сказывается на доходности профильного подразделения. При этом аналитики Counterpoint Research оптимистично смотрят на дальнейшие перспективы бизнеса Samsung по производству памяти. По их прогнозам, цены на DRAM в третьем квартале должны были вырасти на 10–20 % в последовательном сравнении, хотя ранее эксперты рассчитывали на 5–10 %. По их мнению, покупатели запасаются памятью впрок, опасаясь дальнейшего повышения цен и усиления дефицита, тем самым ещё сильнее разгоняя цены. Выиграть от роста прибыли Samsung могут и рядовые сотрудники компании, занятые в производстве памяти. По условиям существующих договорённостей с профсоюзами, годовые премии сотрудников этого подразделения могут достичь $560 000 на человека, если операционная прибыль компании по итогам текущего года выйдет на уровень $276 млрд. По итогам трёх прошедших кварталов она уже приблизилась к $190 млрд, поэтому шансы на достижение целевого показателя для осуществления премиальных выплат в указанном размере сохраняются. Подорожание памяти DRAM и NAND в этом квартале замедлится — но совсем чуть-чуть
01.10.2026 [14:59],
Алексей Разин
Оперативная и флеш-память в наступившем четвёртом квартале будут дрожать не так быстро, как в предыдущем, прогнозируют аналитики TrendForce. В сегменте DRAM цены последовательно увеличатся на 10–15 %, а на направлении NAND они вырастут на 15–20 %. Лишь цены на SSD корпоративного класса продолжат свой стремительный рост. 
Источник изображения: Micron Technology В сегменте NAND, по мнению специалистов TrendForce, в текущем квартале будет наблюдаться некоторое расслоение тенденций. Инфраструктура ИИ продолжит испытывать дефицит флеш-памяти, а вот потребительский сегмент столкнётся со снижением спроса из-за высоких цен. В любом случае, цены в целом по рынку твердотельной памяти продолжат расти, и по итогам текущего квартала последовательно увеличатся в среднем на 15–20 %. В прошлом квартале они должны были увеличиться на 18–23 %. Цены на DRAM в прошлом квартале выросли на 13–18 %, но с учётом HBM прирост составил 8–13 %. В текущем квартале, по мнению представителей TrendForce, цены на классическую DRAM вырастут на 10–15 %, а с учётом HBM прирост составит от 15 до 20 %. В сегменте ПК цены на DRAM будут расти, что скажется на стоимости готовых компьютеров и негативно повлияет на спрос. Производители памяти при этом продолжат агрессивно наращивать свои запасы микросхем оперативной памяти, ожидая сохранения дефицита в 2027 году и дальнейшего роста цен. Формально, свои обязательства перед клиентами поставщики памяти в сегменте ПК выполняют на протяжении всего текущего года, но дефицит может усилиться в следующем году из-за высокого спроса на память в серверном сегменте. На серверном направлении спрос на DRAM продолжает расти по мере того, как ситуация с доступностью серверных процессоров начала улучшаться. Поставщики памяти увеличили долю модулей RDIMM небольшого объёма в структуре своей продукции. Тем не менее, на этапе изготовления микросхем памяти всё равно сохраняются «узкие места», а потому удовлетворить спрос не получается. Динамику цен позволяют сгладить долгосрочные контракты на поставку памяти, которые получили распространение в серверном сегменте. В мобильном сегменте на рынок продолжают давить нехватка микросхем памяти малой ёмкости и высокие цены. В то же время, память мобильных форматов пользуется растущей популярностью у производителей серверного оборудования, привлекая их своей энергетической эффективностью. В таких условиях цены на мобильную DRAM могут только расти в ближайшее время, пусть и не так активно, как в трёх предыдущих кварталах 2026 года. 
Источник изображения: TrendForce В сегменте графической памяти к GDDR6 присматриваются производители ПК в надежде сократить себестоимость готовой продукции. Микросхемы GDDR7 пока востребованы главным образом при производстве ИИ-ускорителей, но они пользуются более высоким спросом по сравнению с GDDR6. Проблема заключается в том, что производство GDDR6 постепенно сворачивается, а выпуск GDDR7 наращивается недостаточно быстро для насыщения рынка, а потому цены остаются высокими и продолжают подниматься дальше. В сегменте потребительской DRAM спрос подпрыгивает из-за влияния смежных частей рынка. Например, такие микросхемы востребованы производителями SSD, которые поставляются в серверном сегменте. Крупным производителям выпускать потребительскую DRAM уже не выгодно, поэтому рынок всё больше зависит от тайваньских поставщиков. К счастью, темпы роста цен немного снижаются. В сфере клиентских SSD производители ПК могут довольствоваться запасами продукции, изготовленной в первой половине текущего года. Производители ПК при этом стараются снижать ёмкость предлагаемых в составе своих систем накопителей, чтобы экономить на их закупке. В этом сегменте NAND-памяти по итогу требуется меньше, чем ранее. Ценовая политика поставщиков становится более гибкой и не провоцирует удорожания накопителей прежними темпами. Зато в серверном сегменте SSD спрос на накопители в ёмкостном выражении по итогам текущего года должен вырасти более чем на 80 %, поскольку они очень востребованы облачными провайдерами, расширяющими вычислительную инфраструктуру для ИИ. Развитие агентских приложений поднимает спрос на твердотельные накопители, которые ускоряют работу с данными по сравнению с классическими жёсткими дисками. Рост цен на SSD корпоративного класса в четвёртом квартале должен ускориться по сравнению с третьим. В сегменте eMMC и UFS (карт памяти) производители смартфонов предпочитают обходиться созданными ранее запасами, а производители бытовой электроники не торопятся приобретать такую память по текущим высоким ценам. Динамика спроса в результате не особо выражена в этой сфере. Закупки осуществляются минимальными партиями, предусмотренными соглашениями с поставщиками. Цены на кремниевые пластины для изготовления памяти NAND достигли исторических высот, а потому их потребители в лице производителей микросхем не торопятся закупать в необходимых количествах. В то же время, сами поставщики кремниевых пластин пытаются ограничивать предложение, чтобы не снижать цены и обеспечивать существующую прибыльность своего бизнеса. Опять же, сопротивление покупателей ограничит дальнейший рост цен на пластины. Micron: память продолжит дорожать в 2027 году, а дефицит может сохраниться даже после 2028 года
01.10.2026 [12:22],
Алексей Разин
Выручка Micron Technology в минувшем фискальном квартале выросла почти в четыре раза — до $54 млрд, а чистая прибыль взлетела почти в 12 раз — до $37,7 млрд на фоне высоких цен на память. Вместе с отчётом о финансах производитель заявил, что дефицит памяти сохранится как минимум до 2028 года, а может продлиться и за пределы этого периода, и цены продолжат расти в 2027 году. 
Источник изображения: Micron Technology С точки зрения динамики основных финансовых показателей в четвёртом квартале 2026 фискального года, который завершился в её календаре третьего сентября, Micron превзошла ожидания инвесторов. Выручка достигла $54,23 млрд против заложенных в прогноз $51,07 млрд, а удельный доход на одну акцию составил $33,42 против $31,61. В текущем фискальном квартале Micron рассчитывает выручить $61,5 млрд, тогда как аналитики в среднем рассчитывают на сумму около $57 млрд. С начала года курс акций Micron вырос более чем на 500 %, поскольку инвесторы увидели в производителях памяти одних из главных бенефициаров бума искусственного интеллекта. Микросхемы памяти требуются для элементов вычислительной инфраструктуры в больших количествах, а существенно нарастить объёмы их выпуска в сжатые сроки не получается. По итогам всего фискального 2026 года Micron увеличила свою выручку более чем в три раза — с $37,4 до $133,2 млрд. Чистая прибыль увеличилась на 895 % — до $85 млрд. Поставки DRAM в прошлом квартале принесли Micron $39,8 млрд, что почти в три с половиной раза больше результата аналогичного периода прошлого года. Фактически именно микросхемы оперативной памяти формировали 73 % всей выручки компании за период. Серьёзный вклад на этом направлении сделала дорогая и востребованная память класса HBM. По словам руководства Micron, компания располагает основательным перспективным планом по выпуску новых типов HBM и уже сотрудничает с Nvidia по кастомизации HBM4E (NV-HBM) с учётом пожеланий этого заказчика, рассчитывая стать первопроходцем в этой области. Micron, по словам генерального директора Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), уже распродала весь объём производства памяти на следующий год. Клиенты, как он добавил, будут платить за память гораздо больше, чем в этом году. «В календарном 2027, как и 2028 годах мы ожидаем увидеть превышение спроса над предложением. Фактически, мы видим более сильную нехватку в отрасли в 2027 и 2028 годах по сравнению с 2026 годом. В целом, ситуация со спросом и предложением становится всё более напряжённой», — подчеркнул Мехротра. Он добавил, что в Micron пока не видят на горизонте сроков достижения баланса между спросом и предложением на рынке памяти. Конкурирующая Samsung Electronics в прошлом месяце призналась, что распродала около 70 % всей памяти, которую собирается выпустить до 2031 года. К 2028 году Micron введёт в строй новые мощности по производству памяти, но они не смогут моментально устранить дефицит, как предупредило руководство компании. Только в первой половине текущего фискального года капитальные затраты компании составят $25 млрд. Спрос на HBM, например, растёт быстрее, чем на классическую DRAM серверного класса. Интересно, что это не помогает Micron больше зарабатывать на HBM в удельном выражении, поскольку продавать классическую DRAM сейчас выгоднее. Компания хочет найти способы повысить доходность своего бизнеса по производству и реализации HBM. Впрочем, выпуск обоих типов памяти, по меркам отрасли, весьма прибылен даже сейчас. В облачном сегменте бизнеса Micron может похвастать нормой прибыли в 83 %, хотя за год до этого показатель не превышал 59 %. На серверном направлении, где основным видом продукции является классическая DDR, компания продемонстрировала увеличение нормы прибыли с 41 до 90 %. В текущем квартале компания рассчитывает увеличить норму прибыли до 86,25 %. Выручка от реализации твердотельных накопителей (SSD) в серверном сегменте по итогам прошлого квартала приблизилась к $10 млрд, увеличившись в годовом сравнении более чем на 1000 %. Тенденции в развитии актуальных ИИ-моделей позволяют Micron рассчитывать на сохранение высокого спроса и на память типа NAND в серверном сегменте, используемую для хранения и скоростной обработки данных. Гендир Acer рассказал, когда цены на ПК перестанут расти и начнут снижаться
21.09.2026 [09:38],
Алексей Разин
В условиях, в которых сейчас находится отрасль по производству ПК, сложно находить поводы для оптимизма, но председатель совета директоров и генеральный директор Acer Джейсон Чэнь (Jason Chen) ожидает, что к середине следующего года цены на ПК достигнут своего пика, после чего начнут падать. Он также утверждает, что дефицит памяти DDR4 и DDR5 не так силён, как принято говорить.  Кроме того, как заявляет Economic Daily News со ссылкой на комментарии главы Acer, центральных процессоров производителям ПК вполне хватает. По крайней мере, дорогие модели процессоров доступны в адекватных количествах, а о дефиците если и можно говорить, то применительно к моделям среднего и начального ценовых уровней. Тем не менее, в текущем квартале цены на ПК успеют вырасти на величину от 5 до 20 %, по его словам, а своего пикового значения они достигнут к середине следующего года, после чего начнут снижаться. Относительно перспектив сохранения дефицита микросхем памяти глава Acer тоже настроен оптимистично. По его словам, новые производственные мощности будут вводиться в строй, и это решит проблему дефицита, ибо он не может длиться до самого 2030 года. Проблема в отрасли, по мнению Чэня, сейчас заключается в готовности поставщиков комплектующих отгружать свою продукцию по высоким ценам, особенно если говорить о модулях памяти и SSD, но при этом клиенты самой Acer не готовы покупать её продукцию по действующим ценам. Чем больше памяти установлено в конкретной модели ПК, тем сильнее она подорожает в ближайшие месяцы. Заметим, что производители памяти в своих прогнозах несколько менее оптимистичны. Они считают, что следующий год будет очень трудным для отрасли с точки зрения сближения объёмов спроса и предложения в сегменте памяти. При этом долгосрочные соглашения у многих поставщиков памяти уже подписаны на несколько лет вперёд, и об отставании предложения от спроса говорят даже представители компании Intel. Они же убеждены, что дефицит памяти сохранится минимум до 2028 года. Китайская CXMT запустила массовое производство памяти DRAM пятого поколения
20.09.2026 [11:29],
Владимир Фетисов
Китайский компания CXMT, занимающаяся производством памяти DRAM, объявила о начале массового производства чипов памяти пятого поколения. В компании это назвали прорывом, который поможет Поднебесной создать сильного конкурента Samsung, SK hynix и Micron на глобальном рынке чипов памяти. 
Источник изображения: CXMT Новая платформа предназначена для создания более производительных чипов памяти по более низкой цене и с меньшим энергопотреблением. CXMT, которая в этом году вышла на шанхайскую биржу STAR Market, заявила о готовности дать производителям электроники дополнительный источник поставок чипов для смартфонов и других устройств. CXMT, являющаяся крупнейшим китайским производителем памяти DRAM, заявила, что новая технология позволяет повысить плотность ячеек памяти и изготавливать больше чипов из одной кремниевой пластины. Производитель отмечает, что смог сократить расстояние между ячейками до 11,95 нм. Этого удалось добиться с помощью четырёхкратного экспонирования, то есть повторения процедуры нанесения рисунка на литографическом сканере четыре раза для формирования более тонких структур схем. «В настоящее время наши технологические возможности не уступают самым передовым техпроцессам, используемым в отрасли для массового производства», — заявил недавно вице-президент CXMT Луо Сяодун (Luo Xiaodong). Вместе с этим CXMT представила две 24-гигабитные микросхемы памяти LPDDR5X, произведённые на новой платформе. Память этого типа в основном используется в смартфонах и другой портативной электронике. Каждый из новых продуктов хранит на 50 % больше данных по сравнению с предыдущими аналогичными решениями вендора. Обе микросхемы уже выпускаются серийно. Чипы выпускаются в двух вариантах, ориентированных на использование в устройствах разного типа. В CXMT отметили, что новая платформа позволяет выпускать как минимум на 50 % больше заготовок для чипов с одной кремниевой пластины по сравнению с показателем платформы четвёртого поколения. Этот показатель отражает потенциальное количество чипов, которое можно получить с пластины до исключения брака, а не долю изделий, прошедших финальное тестирование. |
© 1997—2026 3DNews
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
