Samsung объявила о выпуске первых в мире 24-гигабитных микросхем памяти GDDR7. Эта память отличается самой высокой на сегодняшний день ёмкостью и скоростью, превышающей 40 Гбит/с, что делает её идеальным решением для высокопроизводительных ускорителей будущего. Тестирование новинки основными заказчиками начнётся в этом году, а массовое производство запланировано на начало 2025 года. Весьма вероятно, эта память пропишется в GeForce RTX 5090 и других видеокартах нового поколения.

Источник изображений: Samsung

Новое решение от Samsung найдёт применение не только в традиционных областях — видеокартах, игровых консолях и системах автономного вождения, но также в дата-центрах и рабочих станциях для ИИ. Благодаря высокой скорости передачи данных и увеличенной ёмкости новая GDDR7 станет ключевым компонентом для инфраструктуры, требующей быстрого доступа к большим объёмам информации.

«Разработав в прошлом году первую в отрасли 16-гигабитную GDDR7, Samsung укрепила своё технологическое лидерство на рынке графической DRAM этим последним достижением», — заявил ЁнЧхоль Бэ (YongCheol Bae), исполнительный вице-президент по планированию продуктов памяти Samsung. Он также отметил, что компания продолжит выпускать инновационные продукты, отвечающие растущим потребностям индустрии ИИ и высокопроизводительных вычислений.

Новая 24-гигабитная GDDR7 использует DRAM пятого поколения, изготовленную по техпроцессу 10-нм класса, что позволило увеличить плотность ячеек на 50 % без изменения размеров упаковки. Это значительное технологическое достижение обеспечивает более высокую ёмкость и производительность по сравнению с предыдущими решениями.

Одним из ключевых технологических достижений Samsung является применение трёхуровневой амплитудно-импульсной модуляции PAM3, которая позволяет достигать скорости свыше 40 Гбит/с, что на 25 % быстрее по сравнению с предыдущим поколением GDDR6. В зависимости от условий эксплуатации производительность может увеличиваться до 42,5 Гбит/с.

Энергоэффективность новинки была значительно улучшена за счёт внедрения технологий, ранее использовавшихся в мобильных устройствах, теперь впервые применённых в графической памяти. Внедрение методов управления тактовой частотой и двухуровневого дизайна питания (VDD) позволило существенно сократить потребление энергии, что привело к повышению энергоэффективности более чем на 30 %. Это особенно критично для систем с высокой вычислительной нагрузкой, где каждый процент энергоэффективности приводит к ощутимым выгодам.

Для обеспечения стабильной работы GDDR7 при высоких скоростях обработки данных была минимизирована утечка тока за счёт использования новых методов управления питанием. Это позволяет значительно снизить энергопотери и повысить надёжность системы даже при максимальных нагрузках.

Контрактные цены на DRAM и NAND за сентябрь показали значительное снижение — виной всему стал низкий спрос на ПК и прочую потребительскую электронику. Об этом сообщил корейский ресурс The Elec.

Источник изображения: samsung.com

Цены на чипы DDR4 8Gb 1Gx8 в сентябре 2024 года упали на 17,07 % и остановились на отметке $1,7, обратили внимание аналитики компании DRAMeXchange. С октября прошлого года цены на DRAM после затяжного пике демонстрировали стабильный рост, но уже в августе этого года впервые показали снижение — тогда оно составило 2,38 %.

Одним только сегментом DRAM обвал цен на память не ограничился. За тот же период времени цены на чипы 128Gb 16Gx8 MLC также показали заметное снижение — оно составило 11,44 %. У производителей ПК по-прежнему фиксируется высокий уровень запасов, а значит, спрос на их продукцию до сих пор не восстановился, указывает владеющая DRAMeXchange компания TrendForce. В III квартале 2024 года поставки ПК выросли на 4,4 %, и это ниже прогноза аналитиков. При этом в запасах числится преимущественно память DDR4, а не более новая DDR5.

Фискальный квартал и год в целом в календаре Micron Technology завершились 29 августа, поэтому их итоги компания подвела лишь на этой неделе. Выручка за последний квартал минувшего фискального года выросла на 93 % до $7,75 млрд, годовая выручка выросла на 62 % до $25,11 млрд, но в текущем квартале она достигнет $8,7 млрд, превысив ожидания аналитиков. Акции производителя памяти на этом фоне выросли почти на 15 %.

Источник изображений: Micron Technology

Американская Micron Technology пока является наименее крупным игроком рынка памяти типа HBM, поскольку она по занимаемой доле рынка уступает как лидирующей SK hynix, так и южнокорейскому гиганту Samsung Electronics, который занимает первое место в мире по объёмам поставок всех типов памяти в совокупности. Это не мешает Micron заявлять, что она уже поставляет образцы 12-слойных стеков HBM3E объёмом 36 Гбайт, лишь чуть-чуть уступая по темпам технологического развития SK hynix. Последняя, напомним, уже приступила к их массовому производству. Micron намеревается сделать это в начале следующего календарного года.

Росту курса акций Micron способствовали и результаты прошлого квартала, которые превзошли ожидания аналитиков. По словам представителей компании, тенденция к росту спроса на микросхемы памяти наметилась и в сегменте ПК, а также смартфонов. Внедрение в этих устройствах функций локального ускорения работы систем искусственного интеллекта подразумевает увеличение потребности в объёме памяти, поэтому спрос на продукцию Micron будет расти, как считает компания. Объёмы поставок ПК по итогам текущего календарного года вырастут на несколько процентов, по мнению руководства компании. В следующем году рост рынка ПК ускорится, во многом из-за выхода Windows 12 и завершения поддержки Windows 10. Если в среднем ПК содержал 12 Гбайт оперативной памяти в прошлом году, то по мере распространения функции ИИ минимальным объёмом станут 16 Гбайт ОЗУ, а в среднем и верхнем ценовых диапазонов нормой станет наличие 32 и 64 Гбайт оперативной памяти соответственно.

Сильны конкурентные позиции Micron и в сегменте серверной памяти, как отмечает руководство. Высокий спрос на HBM заставил Micron распределить все квоты на её производство не только на текущий, но и на следующий год. В сегменте смартфонов объёмы поставок по итогам 2024 календарного года, по мнению Micron, вырастут на величину до 5 %, и продолжат рост в 2025 году. Если в прошлом году флагманские смартфоны в среднем оснащались 8 Гбайт памяти, то в следующем норма вырастет до 12 или 16 Гбайт.

Текущий фискальный квартал Micron рассчитывает завершить с рекордной выручкой в размере от $8,5 до $8,9 млрд. При этом норма прибыли компании достигнет 39,5 %. В минувшем квартале норма прибыли не превышала 35,3 %, но за год до этого она вообще была отрицательной. Аналитики в среднем рассчитывали на $8,28 млрд выручки и 37,7 % нормы прибыли в своих прогнозах на текущий фискальный квартал, поэтому акции компании и подскочили в цене после публикации отчётности. В наступившем фискальном году Micron рассчитывает получить многомиллиардную выручку в трёх категориях: HBM, оперативная память большой ёмкости и твердотельная память серверного назначения. В прошлом фискальном году Micron увеличила долю памяти серверного класса в общей выручки до рекордного уровня.

В прошлом квартале Micron достигла рекордной выручки в сегменте NAND и твердотельных накопителей. По итогам всего минувшего фискального года компания достигла рекордной выручки на серверном и автомобильном направлениях. В следующем календарном году Micron надеется приступить к массовому производству микросхем DRAM с использованием EUV-технологии класса 1γ, опытное уже осуществляется.

Компания продвигается в строительстве нового предприятия в Айдахо и ожидает получить разрешение властей на строительство предприятия в штате Нью-Йорк. В Индии возводится предприятие по тестированию и упаковке микросхем памяти, а китайское предприятие Micron такого профиля расширяется даже в условиях обоюдных санкций со стороны США и Китая. Приобретённое Micron предприятие Innolux по производству ЖК-панелей на Тайване будет переоборудовано под тестирование и сборку микросхем памяти DRAM.

Поставки HBM принесли в минувшем фискальном году сотни миллионов долларов выручки, как пояснили представители компании. В 2025 году ёмкость рынка HBM достигнет $25 млрд против $4 млрд двумя годами ранее, как ожидают в Micron, и доля данной компании на рынке HBM должна сравняться с её позициями на рынке DRAM в целом.

Спрос на DRAM по итогам текущего календарного года, как считают в Micron, вырастет на величину до 19 %, на память типа NAND — в районе 15 %, а в следующем году оба сегмента будут демонстрировать рост объёмов реализации памяти в среднем на 15 %. Цены на память в 2025 году будут расти из-за ограниченности производственных мощностей по сравнению с уровнем спроса.

Капитальные расходы Micron в минувшем фискальном году достигли $8,1 млрд, в наступившем они будут гораздо выше, достигая 35 % прогнозируемой выручки. В основном это будет вызвано необходимостью наращивать выпуск HBM и строить новые предприятия в США, которые будут субсидироваться властями по «Закону о чипах».

В прошедшем фискальном квартале выручка Micron на 69 % определялась реализацией микросхем типа DRAM. Профильная выручка компании выросла на 93 % в годовом сравнении и достигла $5,3 млрд. По итогам всего фискального года поставки DRAM увеличили профильную выручку Micron на 60 % до $17,6 млрд, это соответствует 70 % всей выручки компании за период.

В принципе, выручка от реализации NAND в четвёртом фискальном квартале не отставала по своей динамике от сегмента DRAM, увеличившись на 96 % до $2,4 млрд, но на этот тип продукции пришлось не более 31 % всей выручки Micron. Более того, в сегменте NAND компания в прошлом квартале получила рекордную выручку. По итогам года в целом профильная выручка выросла на 72 % до $7,2 млрд, но эта сумма соответствует только 29 % всей выручки компании.

Срез выручки четвёртого фискального квартала по направлениям деятельности выглядит таким образом: вычислительные и сетевые решения, охватывающие серверный сегмент, прибавили последовательно 17 % до $3 млрд, мобильное подразделение в силу сезонных явлений прибавило в выручке на 18 % последовательно до $1,9 млрд. В сегменте систем хранения данных рост выручки почти на четверть последовательно до $1,7 млрд был вызван спросом на твердотельные накопители серверного назначения, в этой сфере был установлен новый рекорд по выручке. Строго говоря, выручка от реализации NAND по итогам всего фискального года тоже была рекордной для Micron. Наконец, в сегменте встраиваемых решений выручка Micron сократилась на 9 % в последовательном сравнении до $1,2 млрд.

Полиция Южной Кореи арестовала двух бывших высокопоставленных сотрудников Samsung по подозрению в краже технологий в пользу Китая — это принесло компании ущерб на сумму более 4,3 трлн вон ($3,2 млрд), пишет Bloomberg со ссылкой на заявление ведомства.

Источник изображения: samsung.com

Арестованные оказывали помощь китайским чиновникам при строительстве завода полупроводниковой продукции, рассказало накануне управление полиции Сеула. Один из корейских бывших топ-менеджеров, 66-летний мужчина по фамилии Чой (Choi), нанял в своей стране экспертов в области микросхем и через совместное предприятие передал партнёрам технологии памяти, принадлежащие Samsung. Время и место совершения предполагаемого преступления в Китае в правоохранительных органах не назвали. Но некоторые подробности совпадают с подробностями дела, о котором стало известно в 2023 году, когда из-за санкций обострились отношения между Пекином и Вашингтоном. Тогда по подозрению в краже чертежей был задержан один из руководителей Samsung — он, по версии следствия, пытался воссоздать в Китае целый завод по производству полупроводников.

Южная Корея является мировым лидером в области производства чипов памяти и ключевым союзником Вашингтона, стремящегося сдержать технологическое развитие Китая. Последний инцидент связан с корейско-китайским СП Chengdu Gaozhen — Чой был его руководителем, а помогал ему конструктор завода по фамилии О (Oh). Корейские специалисты в прошлом году оказали помощь китайским властям в производстве микросхем DRAM по технологии 20 нм. Это не только нанесло ущерб Samsung, но и «ослабило конкурентоспособность страны в условиях мировой войны в области микросхем», заявили в правоохранительных органах. В полиции также добавили, что работу китайского предприятия удалось приостановить, но дальнейшие утечки технологий продолжают расследоваться. В Samsung от комментариев отказались.

Крупные технологические компании в 2024 году увеличили инвестиции в искусственный интеллект, благодаря чему операционная маржа Samsung и SK hynix, как ожидают аналитики, превысит 40 %. Два корейских производителя решили расширить сегмент DRAM — благодаря интенсивному росту ИИ он обещает превзойти остальное полупроводниковое производство.

Источник изображения: skhynix.com

Samsung построит производственную линию PH3 для DRAM и других компонентов на заводе в Пхёнтхэке в провинции Кёнгидо и приостановит строительство чистой комнаты для контрактного полупроводникового производства, узнало издание Korea Electronic Daily. На заводе будут выпускаться чипы DRAM для памяти HBM, которая станет устанавливаться на ИИ-ускорители AMD. Капитальные затраты Samsung на DRAM за исключением расходов на строительство зданий по итогам 2024 года вырастут на 9,2 % и достигнут $9,5 млрд — это рекордный показатель с 2020 года. А в 2025 году они, как ожидается, увеличатся ещё сильнее и достигнут $12 млрд.

SK hynix в минувшем году была вынуждена сократить производство, а теперь готова более чем утроить расходы на сектор DRAM: в 2023 году они были $2,3 млрд, а в 2024 году могут достичь $7,1 млрд. Глобальный рынок чипов памяти растёт: отрасль, которая включает в себя DRAM и NAND, в этом году готова продемонстрировать почти двухкратный рост до $175 млрд — для сравнения, рынок полупроводникового производства, на котором доминирует TSMC, остановится на $120,3 млрд. В 2025 году рынок чипов памяти превысит отметку в $200 млрд, из которых на DRAM придутся $162 млрд.

Источник изображения: samsung.com

Samsung и SK hynix намереваются вложить миллиарды долларов в разработку продуктов нового поколения, включая технологию обработки данных в памяти (Processing In Memory — PIM) и интерфейс CXL (Computer Express Link). В начале года SK hynix получила заманчивое предложение от производителя ИИ-ускорителей, который попросил корейскую компанию построить выделенную линию по производству чипов памяти и обещал внести авансовый платёж более чем в 500 млрд вон ($372,41 млн). Но SK hynix была вынуждена отклонить это предложение, поскольку уже обязалась поставить продукцию на 1 трлн вон ($744,81 млн) для Nvidia — мирового лидера в сегменте ИИ-ускорителей.

В этом году 13 крупнейших технологических компаний США и Китая, в том числе Google и Alibaba Group, намереваются вложить в центры обработки данных ИИ $226,2 млрд, и это на 33,7 % больше, чем в 2023 году. В 2025 году этот показатель вырастет дополнительно на 13,4 % до $256,6 млрд. Значительная часть этого бюджета, вероятно, будет потрачена на ИИ-ускорители, а значит, спрос на DRAM ещё останется высоким. Цены на память HBM, на которую приходятся 26 % ёмкости DRAM у Samsung и 28 % — у SK hynix, по состоянию на конец 2025 года будут в пять или шесть раз выше, чем на DDR5, что увеличит прибыльность обеих компаний. Рентабельность операционной прибыли Samsung и SK hynix составит более 40 %.

Эксперты TrendForce пришли к выводу, что в сложных макроэкономических условиях оживление спроса на рынке памяти постоянно спотыкается о новые препятствия, и наметившаяся было тенденция к росту цен к четвёртому кварталу во многом нивелируется. По крайней мере, в сегменте DRAM контрактные цены вырастут от силы на 3–8 %, а в сегменте NAND они даже опустятся на величину до 5 %.

Источник изображения: Intel

Производители модулей памяти DRAM, как отмечает источник, активно наращивают свои складские запасы необходимых для работы компонентов с третьего квартала прошлого года. В итоге ко второму кварталу текущего года «глубина» складских запасов выросла до 11–17 недель. Спрос на конечных рынках электронных устройств не восстанавливается такими темпами, как ожидалось. Запасы смартфонов в Китае превысили норму, а существующие модели ноутбуков клиенты покупать не торопятся, ожидая выхода новых систем на базе процессоров с функцией ускорения ИИ. Всё это приводит к сокращению спроса на подобные устройства.

Розничные поставки флеш-памяти NAND во втором квартале сократились в годовом сравнении на 40 %, и подобная динамика не позволяет участникам рынка надеяться на восстановление спроса во втором полугодии. В розничном сегменте на спрос негативно влияют высокая инфляция и высокие процентные ставки. Рост цен на микросхемы памяти при этом оказывает давление на норму прибыли производителей модулей памяти, а низкий спрос в рознице мешает повышать отпускные цены.

Смартфоны и ПК с функцией ускорения ИИ, по мнению представителей TrendForce, существенно на спрос в сегменте микросхем памяти повлиять в четвёртом квартале не смогут. Контрактные цены на DRAM в итоге не смогут заметно вырасти: в текущем квартале они поднимутся на 8–13 %, а в четвёртом увеличатся только на 3–8 %. Зато у памяти HBM проблем со спросом нет, и контрактные цены на данный вид продукции смогут прибавлять по 10–15 % ежеквартально. Цены на NAND вырастут в текущем квартале на 5–10 %, прежде чем упасть на 5 % в четвёртом. В 2025 году, по мнению экспертов, рост цен на DRAM будет стимулироваться в основном спросом на HBM, под выпуск которой перераспределяется всё больше мощностей. Из-за этого обычной DRAM выпускается меньше, и цены на неё растут.

Лидеры по производству микросхем памяти Samsung Electronics и SK hynix отмечают, что Китай значительно увеличил импорт южнокорейских чипов в первой половине 2024 года. Продажи Samsung Electronics в Китае выросли на 82 процента, а SK Hynix — на 122 процента. Причём 96 % выручки в Китае SK hynix обеспечили именно микросхемы памяти. Продажи Samsung в Китае более диверсифицированы и, в дополнение к микросхемам, охватывают смартфоны и бытовую технику.

Источник изображения: unsplash.com

Выручка от поставок в Китай чипов Samsung в первом полугодии 2024 года составила 32,35 трлн вон ($24,1 млрд), что на 82 % выше, чем аналогичный результат предыдущего года. На Китай пришлось около 31 % региональной выручки Samsung в размере 104,9 трлн вон, что на 28 % больше, чем за тот же период годом ранее.

SK Hynix также сообщила о росте продаж в Китае, при этом выручка от китайских клиентов выросла до 8,6 трлн вон ($6,4 млрд), что на 122 % выше результата за аналогичный период предыдущего года. Поставки в Китай принесли компании 30 % от 28,8 трлн вон ($21,49 млрд) общего дохода за первое полугодие. На фоне массированных поставок в Китай складские запасы SK Hynix во втором квартале сократились до самого низкого уровня за последние семь лет.

Рост продаж отмечается на фоне ожиданий ужесточения санкций США в отношении высокотехнологичной полупроводниковой продукции. Аналитики предполагают, что китайские импортёры вынуждены увеличивать складские запасы в преддверии обнародования новых ограничений. Особенно возросла активность закупок чипов, используемых в системах ИИ, таких как высокоскоростная память стандарта HBM (high-bandwidth memory).

На фоне бума генеративного ИИ китайским технологическим гигантам, таким как Huawei и Baidu, требуется всё больше полупроводниковой продукции, включая микросхемы памяти, центральные процессоры и графические процессоры. В октябре 2023 года ужесточение экспортных ограничений США остановило поставку в Китай и ряд других стран интегральных схем с более чем 50 миллиардами транзисторов. Однако память HBM пока не подпадает под эти ограничения, если продаётся как отдельный компонент.

Ещё одним фактором роста продаж стало восстановление цен, последовавшее за прошлогодним сокращением производства ведущими игроками полупроводникового рынка на фоне вялого спроса.

По данным TrendForce, выручка Samsung и SK Hynix от поставок DRAM во втором квартале составила 43 % и 35 % мирового рынка соответственно. При этом SK Hynix контролирует более 50 % рынка памяти HBM.

Производители микросхем оперативной памяти по примеру коллег из сегмента логических микросхем внедряют использование EUV-литографии, но это приводит к повышению затрат. Чтобы оправдать его, как считают представители SK hynix, микросхемы памяти нужно перевести на использование вертикальной компоновки транзисторов, и тогда фактическая себестоимость памяти даже снизится.

Источник изображения: SK hynix

Соответствующие комментарии Со Джэ Ука (Seo Jae Wook), отвечающего в SK hynix за научные исследования, приводит южнокорейский ресурс The Elec. Классический подход к использованию EUV-литографии в производстве микросхем памяти, по его словам, вряд ли можно считать рациональным с точки зрения влияния на себестоимость. Зато если перейти на использование транзисторов с вертикальной компоновкой (VG или 4F2), то площадь кристалла памяти можно сократить на 30 % по сравнению с классической технологией 6F2, и в комбинации с EUV такая компоновка позволит снизить затраты в два раза.

Samsung Electronics также рассматривает возможность производства так называемой 3D DRAM с «вертикальными» транзисторами, как и SK hynix, эта компания рассчитывает использовать техпроцессы с нормами менее 10 нм. Отрасль по производству оперативной памяти дальше не может полагаться только на планарную компоновку транзисторов, поскольку внедрение EUV-оборудования в данном случае становится неоправданно дорогим. Зато в сочетании с новой структурой транзисторов внедрение EUV-литографии может себя оправдать, как отмечают представители SK hynix. Впрочем, внедрение новой компоновки транзисторов потребует использования не только нового оборудования, но и новых материалов при производстве микросхем DRAM. Скорее всего, в массовом производстве технология приживётся не ранее 2027 года. В следующем десятилетии Samsung намеревается внедрить выпуск многослойной памяти DRAM.

Во II квартале 2024 года доходы отрасли DRAM выросли на 24,8 % по сравнению с предыдущим кварталом и составили $22,9 млрд, гласят данные TrendForce. Большинство производителей нарастило выручку за счёт поставок основных продуктов. Контрактные цены за минувший квартал продолжали расти, и в наступившем их рост обещает превысить предыдущие прогнозы из-за геополитических факторов.

Источник изображения: skhynix.com

Ключевые игроки в лице Samsung, SK hynix и Micron во II квартале нарастили поставки. Следуя тенденции I квартала продолжила увеличиваться и средняя цена продажи чипов памяти. Росту способствовали произошедшее в начале апреля землетрясение на Тайване и высокий спрос на продукцию в сегменте HBM — из-за них покупатели DRAM активизировали стратегию закупок. Окончательная корректировка контрактных цен во II квартале составила 13–18 %.

Samsung увеличила среднюю цену чипов на 17–19 % и нарастила поставки в битах, в результате чего выручка компании в сегменте DRAM выросла на 22 % до $9,82 млрд, и ей удалось сохранить лидирующие позиции на рынке. SK hynix за счёт сертификации и массовой поставки продукции HBM3E нарастила поставки в битах более чем на 20 %, благодаря чему её выручка увеличилась на 38,7 % до $7,91 млрд. Доход Micron во II квартале вырос на 14,1 % до $4,5 млрд, несмотря на небольшое снижение средневзвешенной цены продукции, а поставки в битах выросли на 15–16 %. Компания активно распродавала запасы DDR5, изготовленной по технологии 1-beta, но отстала от более крупных конкурентов.

Источник изображения: trendforce.com

Производители сумели сохранить прибыльность за счёт роста контрактных цен на DRAM, полной загрузки производственных мощностей и роста продаж дорогих продуктов — DDR5 и HBM. Samsung за квартал увеличила операционную прибыль с 22 % до 37 %, SK hynix — с 33 % до 45 %, а Micron — с 6,9 % до 13,1 %. Тайваньские производители во II квартале показали разные результаты. У Nanya Technology ослабились продажи потребительской DRAM, но благодаря росту цен компания нарастила операционную маржу с -30,7 % до -23,4 %. Winbond подняла контрактные цены на 24–26 % — в результате её доход вырос на 3,7 % до $168 млн. У PSMC выручка от потребительской DRAM снизилась на 13,5 %, но за счёт полупроводникового подряда общий доход компании показал рост на 2,2 %, отразив упреждающее наращивание запасов клиентами.

Большинство производителей DRAM в конце июля завершили переговоры о ценах на контракты в III квартале с OEM-производителями и поставщиками коммуникационных услуг — результаты превзошли ожидания. Поэтому TrendForce пересмотрела прогноз на повышение контрактных цен на обычную DRAM в III квартале, увеличив показатель роста на 5 п.п. до диапазона 8–13 %. Китайские поставщики телекоммуникационных услуг во II квартале опасались новых санкций США на закупки ИИ-чипов для своих нужд, поэтому начали активно накапливать запасы, удвоив масштаб закупок по сравнению с аналогичным периодом прошлого года. Это позволило производителям DRAM повысить цены, увеличили закупочные цены и американские поставщики телекоммуникационных услуг. Рост цен на серверную DRAM повлиял на цены DRAM и для ПК.

Samsung начала производить на своих заводах пластины HBM3E, чтобы обеспечить своевременные поставки соответствующей готовой продукции после прохождения сертификации. Вероятно, это повлияет на графики производства DDR5 во второй половине 2024 года. Производители завершают составление планов по мощностям на 2025 год — SK hynix и Samsung отдают в них приоритет HBM, а не DDR5, поэтому едва ли цены на DRAM в ближайшие кварталы возьмут курс на снижение.

На фоне растущего рыночного спроса на высокопроизводительную память для ИИ компания Samsung решила возобновить инвестиции в создание производственной линии чипов памяти DRAM 6-го поколения на своём заводе P4 в Пхёнтхэке с целью начать массовый выпуск таких микросхем в июне 2025 года, пишет южнокорейское издание ETNews.

Источник изображения: TrendForce

Источник сообщает, что память DRAM 6-го поколения, также известная как «1c», будет производиться с использованием техпроцесса класса 10 нм. Помимо Samsung такую память также планирует массово производить её южнокорейский конкурент SK hynix.

По информации ETNews, Samsung хотела начать строительство нового цеха P4 на своём заводе в Пхёнтхэке в 2022 году и изначально собиралась запустить его в 2024 году. Однако, завершив строительство производственного объекта и его обеспечение необходимой инфраструктурой, компания не стала оснащать новую линию производственным оборудованием. Из-за снизившегося спроса на рынке полупроводников Samsung сократила расходы путём снижения количества доступных мощностей.

Во второй половине прошлого года рынок полупроводников начал восстанавливаться, поэтому к середине года Samsung вновь перешла к инвестициям в новые проекты. Компания начала установку оборудования для выпуска флеш-памяти NAND на ранее неиспользуемом объекте P4 и теперь подтвердила планы по инвестициям в производство памяти DRAM 6-го поколения, пишет ETNews.

Пробные партии 1c DRAM компания Samsung собирается выпустить уже к концу текущего года, утверждает источник. Также сообщается, что производитель рассматривает возможность запуска производственной линии по выпуску микросхем памяти HBM4 с использованием технологии 1c DRAM во второй половине 2025 года.

Источник изображения: TrendForce

Аналитики TrendForce прогнозируют, что доходы отрасли производства памяти DRAM и NAND по итогам текущего года вырастут на 75 и 77 % соответственно, что объясняется стремительным ростом спроса на биты на фоне всеобщего бума ИИ. Эксперты также считают, что завод Samsung P4L станет ключевым источником выпуска микросхем памяти большой ёмкости. Согласно их оценкам, оборудование новой производственной линии для выпуска DRAM будет установлено к середине 2025 года, а массовое производство новых чипов начнётся в 2026-м.

Согласно последнему отчёту аналитической компании TrendForce, глобальная выручка от продаж компьютерной памяти DRAM и NAND в 2024 году вырастут на 75 % и 77 % соответственно. Этот рост будет обусловлен несколькими факторами, включая увеличение спроса и популярности высокопроизводительной памяти HBM.

Источник изображения: Micron

Кроме того, ожидается, что продажи в этих сферах будут продолжать расти и в 2025 году. При этом DRAM вырастет на 51 %, а NAND — на 29 %, достигнув рекордных показателей. Рост будут стимулировать увеличение капитальных расходов и повышенный спрос на первичные сырьевые материалы для Upstream-производства, такие как кремниевые пластины и химические вещества, одновременно увеличив ценовое давление на покупателей памяти.

По оценкам TrendForce, благодаря увеличению средних цен на DRAM на 53 % в 2024 году выручка от продаж DRAM достигнет 90,7 млрд долларов США в 2024 году, что на 75 % больше по сравнению с предыдущим годом. В следующем году средняя цена вырастет ещё на 35 %, а выручка достинет 136,5 млрд долларов США, что на 51 % больше по сравнению с 2024 годом. Ожидается также, что в 2024 году на долю HBM придётся 5 % от общего объёма поставок DRAM и 20 % от выручки.

Источник изображения: TrendForce

Кроме того, популярность таких типов памяти, как DDR5 и LPDDR5/5X, также будет способствовать увеличению средней цены на рынке. Ожидается, что к 2025 году доля DDR5 на рынке серверной памяти достигнет 60-65 %, а LPDDR5/5X займёт 60 % рынка мобильных устройств.

В сегменте флеш-памяти NAND рост будет стимулироваться внедрением 3D QLC — технологии, которая позволяет хранить больше данных на одном чипе. По прогнозам, в 2024 году на долю QLC будет приходиться 20 % от общего объёма поставок NAND, а в 2025 году этот показатель должен увеличится. При этом внедрение QLC на смартфонах и серверах станет ключевым фактором роста этого сегмента.

Источник изображения: TrendForce

Ситуация повлияет и на рынок, и на потребителей. Рекордная выручка позволит производителям памяти увеличить инвестиции в исследования и разработки, а также расширить производство. Прогнозируется рост капитальных затрат в индустрии DRAM и NAND на 25 % и 10 % соответственно в 2025 году.

Однако рост цен на память неизбежно приведёт к удорожанию электроники для конечных потребителей. При этом производителям электроники будет сложно переложить все расходы на покупателей, что может привести к снижению прибыли и, не исключено, что к снижению спроса.

В настоящее время в цепочке поставок памяти DRAM происходят события, которые, как ожидается, приведут к росту цен на различные продукты. В отчёте аналитиков TrendForce подчёркивается, что рост цен на память сохранится и в третьем квартале этого года, частично из-за повышенного спроса на серверы. Повышение цен на DRAM может существенно повлиять на стоимость новых поколений видеокарт, таких как серия NVIDIA GeForce RTX 50 и серия AMD Radeon RX 8000.

Источник изображения: AMD

Аналитики TrendForce полагают, что «восстановление спроса на серверы общего назначения в сочетании с увеличением доли производства HBM поставщиками DRAM заставило поставщиков сохранить тенденцию в отношении повышения цен». В результате ожидается, что средняя цена продажи (average selling price, ASP) DRAM в третьем квартале может вырасти на 8–13%. Наибольший рост цен ожидается для серверной DDR5 (8–13 %) и DDR4 (5–10 %), в то время как потребительские модули DDR5 и DDR4 подорожают лишь на 3–8 %.

Спрос на видеопамять на данный момент остаётся неизменным, но он резко возрастёт, когда производители видеокарт приступят к выпуску графических процессоров следующего поколения. Сейчас новые линейки графических процессоров вступают в стадию тестирования и производители постепенно наращивают производство GDDR7, которая на 20–30 % дороже GDDR6. Ожидается, что цены на видеопамять дополнительно увеличатся на 3–8 % в третьем квартале.

Источник изображения: TrendForce

«Поскольку производители твёрдо вступают в цикл повышения цен, а темпы роста не ослабевают, покупатели принимают стратегию постоянных запасов, что делает их более восприимчивыми к повышению цен, предлагаемому продавцами», — говорится в отчёте TrendForce.

Рост цен может оказать влияние на объёмы видеопамяти в новых видеокартах. В недалёком прошлом геймеры высказывали претензии Nvidia за явную экономию на видеопамяти, что дало конкурентное преимущество AMD.

Рост цен на оперативную память, по данным TrendForce, в настоящий момент поддерживается тенденцией к оживлению спроса в сегменте серверных систем общего назначения в комбинации с увеличением доли рынка, занимаемой микросхемами HBM. Всё это приведёт к тому, что в третьем квартале цены на оперативную память в серверном сегменте в среднем увеличатся на 8–13 %.

Источник изображения: Micron Technology

Если выделить из этой тенденции обычную DRAM, не включая HBM, то средний рост цен в третьем квартале достигнет 5–10 %. При этом доля HBM в структуре продаж по сравнению со вторым кварталом увеличится с 4 до 6 %. Во втором квартале восполнение складских запасов памяти на стороне клиентов не было особо активным. В третьем же квартале пополнению складов будут способствовать сезонные тенденции, связанные с рынком смартфонов и сферой деятельности облачных провайдеров. Объёмы поставок микросхем памяти для нужд этих двух сегментов в третьем квартале должны будут увеличиться.

В сегменте ПК средняя цена реализации оперативной памяти в третьем квартале последовательно увеличится на 3–8 %, как прогнозируют представители TrendForce. Во втором квартале наблюдался рост цен на 15–20 %, но ожидания производителей ПК на рост спроса в третьем квартале вряд ли оправдаются. При этом цены на DDR4 и DDR5 в этом сегменте растут примерно синхронно.

Источник изображения: TrendForce

В мобильном сегменте динамика цен на DRAM в третьем квартале будет такой же, демонстрируя рост на 3–8 % в последовательном сравнении. В следующем году производители памяти постараются более чётко контролировать баланс спроса и предложения, чтобы память не теряла в цене слишком сильно, уменьшая их прибыль. В третьем квартале им не удастся особо увеличить цену в ходе переговоров, поэтому цены вырастут незначительно. Меньше всего подорожает память типа LPDDR4/LPDDR4X, которая может даже слегка подешеветь.

В графическом сегменте цены тоже последовательно вырастут по итогам третьего квартала на 3–8 %. Производители видеокарт намерены стабильно восполнять свои запасы микросхем памяти, и если производители последней будут повышать цены, те вынуждены будут соглашаться на новые условия закупок. Постепенно наращиваются объёмы производства GDDR7, которая понадобится для видеокарт нового поколения, но эта память пока на 20–30 % дороже GDDR6. Поставки образцов памяти GDDR7 будут налажены уже в третьем квартале этого года, который наступит на следующей неделе.

В потребительском сегменте в целом сохраняется избыток памяти типов DDR3 и DDR4, но стремление производителей больше ресурсов выделять под выпуск востребованной HBM сокращает доступные для выпуска DDR мощности, а потому стоимость продукции растёт и на этом направлении. Во-вторых, специализирующимся на выпуске DDR3 и DDR4 тайваньским производителям памяти нужно добиться прибыльности, а потому они заинтересованы в повышении общего уровня цен. По этой причине цены на DDR3 и DDR4 в сегменте потребительской техники в третьем квартале последовательно вырастут на 3–8 %.

В серверном сегменте динамика цен на память в третьем квартале будет наиболее выраженной. Контрактные цены на DDR5 вырастут на 8–13 %. Запасы DDR4 на складах покупателей несколько выше, поэтому основной объём закупок будет приходиться именно на DDR5. И всё же, в среднем цены на оперативную память для серверов общего назначения в третьем квартале последовательно увеличатся на 8–13 %.

В четвёртом квартале рынок оперативной памяти, по мнению представителей TrendForce, продолжит демонстрировать рост цен, а доля HBM в структуре продаж будет увеличиваться и дальше. Производители смартфонов и провайдеры облачных услуг начнут восполнять свои складские запасы. Наращивание объёмов выпуска HBM будет стимулировать рост цен на прочие виды оперативной памяти, поскольку предложение в результате будет планомерно сокращаться.

На технологической конференции в марте этого года компания Samsung Electronics заявила, что рассчитывает наладить массовый выпуск трёхмерной DRAM к концу десятилетия. SK hynix, вдохновляемая своими успехами в сфере выпуска HBM, недавно сообщила, что в рамках экспериментального производства 3D DRAM получает 56 % годной продукции.

Источник изображения: SK hynix

Напомним, что используемая в сегменте высокоскоростных вычислений память типа HBM в традиционном толковании имеет компоновку 2.5D, а полноценную трёхмерную компоновку должна предложить память 3D DRAM, разработку которой сейчас ведут все три крупнейших производителя оперативной памяти: Samsung Electronics, SK hynix и Micron Technology.

По информации Business Korea, компания SK hynix на симпозиуме VLSI 2024 на прошлой неделе сообщила о промежуточных успехах в разработке памяти типа 3D DRAM. Пятислойные микросхемы компания уже может выпускать с уровнем выхода годной продукции 56,1 %, что довольно много для ранней стадии выпуска нового типа полупроводниковых изделий. Как отмечается, характеристики опытных образцов 3D DRAM в целом не уступают чипам с традиционной планарной компоновкой.

Само собой, предстоит проделать немалую работу по созданию условий для производства 3D DRAM в массовых количествах. Имеющиеся образцы такой памяти, по словам представителей SK hynix, не отличаются стабильностью с точки зрения быстродействия, а в плане пригодности к массовому производству имеет смысл рассчитывать на создание микросхем памяти с количеством слоёв от 32 до 192 штук.

Спотовые цены на память DRAM и NAND продолжают падать и едва ли в ближайшее время вырастут, считают аналитики TrendForce. Во-первых, у участников рынка всё ещё много запасов. Во-вторых, дополнительное влияние на цены DRAM оказали недавние действия китайского правительства против контрабанды восстановленных компонентов памяти.

Источник изображения: samsung.com

Спотовые цены на рынке DRAM продолжают снижаться, что резко контрастирует с контрактными ценами. Это происходит из-за избыточных запасов на заводах по производству модулей памяти, которые, как правило, закупают микросхемы на спотовом рынке. Снижению цен способствует и слабый спрос на рынке потребительских товаров: производителям готовых устройств не нужно больше памяти, и они на спотовом рынке не закупаются.

Спотовые цены DRAM. Источник изображения: trendforce.com

Ещё одним способствующим снижению цен фактором стала борьба с контрабандой на китайском рынке — дешевеют чипы DRAM, подвергшиеся процедуре реболлинга. Реболлинг — это метод ремонта чипов DRAM посредством замены шариков припоя на нижней стороне чипа, используемых для его соединения с печатной платой. Во многих случаях такие чипы начинают работать снова, но они уже не так надёжны, как новые. С конца мая средняя цена чипа DDR4 1Gx8 2666MT/s снизилась на 2,54 %, а только за последнюю неделю она упала с $1,881 до $1,835.

Спотовые цены NAND. Источник изображения: trendforce.com

Аналогичным образом проседает спотовый рынок NAND — у производителей SSD сформировались достаточные уровни запасов, что препятствует восстановлению спроса, несмотря на снижение цен спотовыми поставщиками. Растёт разрыв между спотовыми и контрактными ценами. И остаётся неопределённость в отношении спроса на пополнение запасов в III квартале 2024 года. Лишь на этой неделе спотовая цена на пластину 512 Гбит 3D TLC NAND снизилась на 0,57 % до $3,309. Из-за слабого спроса рынки DRAM и NAND переживают непростой период с точки зрения ценообразования. И в краткосрочной перспективе аналитики TrendForce восстановления цен не ожидают.