Теги → dram
Быстрый переход

DRAMeXchange: цены на память DRAM пошли вниз и резко снизятся ещё до апреля

Подразделение DRAMeXchange торговой площадки TrendForce продолжает сеять надежду в сердцах истосковавшихся по модернизации подсистем памяти пользователей ПК. На прошлой неделе аналитики посулили к концу 2019 года курс на двукратное снижение цен на память NAND (в идеале ― на SSD), а сегодня они делятся прогнозом о более резком, чем ожидалось снижении контрактных цен на оперативную память типа DRAM как в первом квартале, так и в течение всего 2019 года.

Прогноз DRAMeXchange на начало декабря 2018 года

Прогноз DRAMeXchange на начало декабря 2018 года

В декабре 2018 года, отмечают в DRAMeXchange, а у них на руках всегда есть либо данные о заключаемых контрактах, либо возможность опроса обеих договаривающихся сторон, цены на память DRAM практически не изменились по сравнению с ценами в ноябре. Ожидание новогодних праздников заставило покупателей из Северной Америки и Европы взять паузу в закупках памяти. Тем самым средняя контрактная цена продаж 8-Гбайт модулей застыла возле отметки $60, а модулей объёмом 4 Гбайт ― возле отметки $30. Но с началом нового года контрактные цены на модули неуклонно пошли вниз.

По данным аналитиков, поставщики памяти и производители OEM начали переговоры о заключении контрактов на закупку DRAM в первом квартале 2019 года ещё в декабре 2018 года. Скопившиеся инвентарные запасы памяти, слабый спрос со стороны производителей, пессимизм в вопросах прогноза развития мировой экономики как в среднесрочной, так и длительной перспективе привели к тому, что на начало января контрактные цены на 8-Гбайт модули снизились до $55 и ниже или на 10 % по сравнению с декабрём прошлого года. Тем самым возникла вероятность, что цены продолжат снижаться в феврале и в марте. И если раньше DRAMeXchange прогнозировали в первом квартале снижение цен на DRAM до 15 %, то теперь аналитики ожидают в первом квартале более резкого снижения: до 20 % и даже сильнее.

Наибольшей проблемой для рынка DRAM в DRAMeXchange считают преждевременное достижение критических объёмов инвентарных запасов. Дело не в том, что производство памяти в пересчёте на ёмкость увеличивается (растёт доля 8-Гбайт модулей и модулей большей ёмкости). Проблема в том, что  традиционный вялый сезон снижения спроса на память начался не в январе, а ещё в ноябре-декабре 2018 года. Быстрее всех на это отреагировала компания Micron, начав снижать контрактные цены ещё до замедления спроса. Благодаря наибольшим в индустрии скидкам компания смогла оптимизировать свои инвентарные запасы, тогда как компании Samsung и SK Hynix пропустили этот момент и сейчас подошли к критическому уровню затоваривания, хотя цены на память старались не снижать. В дальнейшем это приведёт к превышению предложения над спросом и может продлиться до конца 2019 года.

Интересно отметить, что производители модулей памяти страдают от олигополии на рынке DRAM не меньше своих клиентов. Основную часть сверхприбыли от дорожавшей два года оперативной памяти забрали производители микросхем. Производители модулей могли получать сверхприбыли только в 2017 году и только в том случае, если имели значительные инвентарные запасы памяти, закупленной до подорожания. В 2018 году маржа снизилась до критической отметки, благодаря конкуренции на рынке модулей, а после второй половины 2018 года те из них, кто имел затоваривание на складах, вошли в фазу нулевой прибыли или даже убытков. Память начала дешеветь, а для выпуска модулей приходилось использовать ранее купленную дорогую память. Тем самым часть производителей модулей памяти покажет в 2018 году не прибыль, а убытки. Новый 2019 год также не сулит им ничего хорошего, поскольку память продолжит дешеветь и не позволит получать стабильную маржу.

В 2019 году оперативная и флеш-память ощутимо подешевеют

Цены на оперативную память DRAM и флеш-память NAND в наступающем 2019 году будут стремительно снижаться, сообщает авторитетный тайваньский ресурс DigiTimes со ссылкой на отраслевые прогнозы.

Сообщается, что цены на микросхемы как оперативной, так и флеш-памяти будут изменяться таким образом, что уже в первом квартале можно будет зафиксировать их снижение более чем на 10 %. Причём твердотельная память подешевеет сильнее, чем оперативная.

По оценкам экспертов, цены на твердотельную память NAND постепенно снизятся более чем на 15 % уже в течение одного только первого квартала 2019 года. В дальнейшем, то есть во втором квартале, цены продолжат последовательно уменьшаться, правда, пока неизвестно, насколько стремительно.

Что касается микросхем оперативной памяти DRAM, то за весь 2019 год цены на неё, вероятно, упадут на 30–35 %. Обусловлено это будет в первую очередь увеличением предложения. По данным источников, производственные мощности, на которых выпускаются микросхемы оперативной памяти, будут прирастать примерно на 10–15 % в год в течение следующих двух лет.

Кроме того в первом квартале 2019 года поставки продукции с памятью DRAM для серверного сегмента рынка могут оказаться самыми слабыми за почти три года.

Рынок DRAM показал рекордный рост в 2018 году, но в 2019-м ожидается спад

По данным IC Insights, рынок DRAM останется самым быстрорастущим сегментом полупроводникового рынка в 2018 году. Прогнозируется, что это направление вырастет на 39 % по результатам года вслед за 77-процентным ростом в 2017 году. DRAM не первый раз занимает позицию номер один — аналогичное звание самого быстрорастущего полупроводникового сегмента этот тип памяти удерживал в 2013 и 2014 годах.

По словам IC Insights, как правило, DRAM находится либо в верхней, либо в нижней части списка в течение последних шести лет, демонстрируя его очень изменчивый и циклический характер. Прогнозы на 2019 год доказывают этот вывод как нельзя более красноречиво: DRAM займёт почти последнее место по темпам роста рынка в 2019 году: общий объем продаж динамической памяти снизится на 1 %.

После двух сильных лет роста сектора Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology — три крупнейших в мире производителя DRAM — расширили свои производственные мощности и начинают наращивать производство, благодаря чему уже не наблюдается столь сильного дефицита поставок, и стоимость DRAM начала, наконец, снижаться. В то же время поставки крупных серверов для ЦОД, которые были основным катализатором спроса на DRAM, начали сокращаться, поскольку экономическая неопределённость и торговое противостояние США и Китая влияют на принятие решений о продолжении наращивания облачных мощностей — это также должно способствовать снижению цен на DRAM.

По словам IC Insights, сегмент памяти NAND тоже значительно вырос за последние два года. Спрос на твердотельные накопители является ключевым фактором роста поставок высокоплотной и высокопроизводительной флеш-памяти, хотя смартфоны и мобильные устройства остаются важным потребителем NAND. Наконец, чипы для автомобильной электроники и специализированные микросхемы демонстрируют высокие показатели роста в течение последних двух лет. Всего же, по данным IC Insights, в 2018 году полупроводниковая индустрия увеличится на 17 %.

TrendForce: цены на DRAM продолжают падать, в начале 2019 года тенденция сохранится

Как сообщает DRAMeXchange, подразделение TrendForce, контрактные цены на продукцию DRAM начали снижаться начиная с последнего квартала текущего года. Для некоторых контрактов стоимость чипов была снижена вдвое, что очень редко наблюдается на рынке. Ситуация указывает на то, что OEM-производители в настоящее время прогнозируют дальнейшие проблемы рынка, так что снижение цен на память в первом квартале 2019 года должно продолжиться.

В ноябре этого года средние цены на модули DRAM низкого и среднего класса объёмом 4 и 8 Гбайт начали падать, в то время как цены модулей высокого класса остались на прежнем уровне. Средняя контрактная цена 4-Гбайт модулей DRAM за ноябрь снизилась на 3,2 % с $31 до $30. В то же время средняя контрактная цена модулей DRAM на 8 Гбайт уменьшилась на 1,6 % с $61 до $60.

DRAMeXchange считает, что средние отпускные цены на DRAM снизятся почти на 8 % в четвёртом квартале года по сравнению с третьим. В частности, память DRAM для ПК, серверов и специализированных решений продемонстрирует падение, близкое к 10 %. Для сравнения: средняя стоимость мобильной DRAM опустится лишь на 5 %, потому что ранее рост цен на этот вид памяти был более умеренным.

Если же говорить о первом квартале 2019 года, то ожидается дальнейшее увеличение предложения за счёт наращивания доли продуктов, выпускаемых по 1Y-нм нормам, повышения доли выхода годных чипов и дальнейшего расширения производственных мощностей на фабрике Samsung в Пхёнтхэке в последней четверти этого года. В то же время традиционно первый квартал года отличается пониженным спросом, к тому же рост рынка смартфонов почти остановился по сравнению с предыдущими годами. В результате снижение цен мобильной DRAM в начале 2019 года может усилиться, да и в целом ожидается более сильное падение стоимости DRAM, чем в последней четверти 2018 года.

На снижение цен также будут оказывать последствия торговые споры в США и Китая. В частности, продукты DDR4 могут продемонстрировать более резкое падение цен по сравнению с DDR3 из-за слабого спроса со стороны ПК и серверов.

Китай не собирается сдаваться в области DRAM, несмотря на трудности

Преимущество южнокорейских производителей памяти DRAM кажется бесспорным, учитывая, что Samsung Electronics и SK Hynix контролируют три четверти мирового рынка DRAM. Однако Китай, стремящийся улучшить свою полупроводниковую самодостаточность, сдаваться не собирается.

Китай является крупнейшим импортёром чипов памяти и при этом активно наращивает свои амбиции в качестве самостоятельного производителя. Тем не менее, недавние санкции США против производителя DRAM-памяти Fujian Jinhua Integrated Circuit Company, основанного при активной поддержке властей Китая, а также продолжающаяся напряжённость в торговле между США и Китаем замедлят темпы развития местного сектора чипов памяти.

Корейские Samsung и SK Hynix продолжают расширять свой технологический разрыв с конкурентами в сегменте DRAM, причём Samsung уже разрабатывает чипы LPDDR5 класса 10 нм, а SK Hynix представила первую в отрасли память DDR5, которая полностью соответствует стандартам JEDEC. Согласно данным DRAMeXchange, доля Samsung и SK Hynix на мировом рынке DRAM достигла 74,6 % в третьем квартале 2018 года, а за ними следует американская Micron Technology с долей в 21,1 %.

По мнению исполнительного директора Powerchip Technology Фрэнка Хуанга (Frank Huang), эскалация напряжённости в торговле между США и Китаем также приведёт к замедлению развития китайской полупроводниковой промышленности в целом. Запрет США на экспорт для Fujian Jinhua, обвиняемой вместе с UMC в краже коммерческих тайн Micron, является серьёзным препятствием на пути развития сектора памяти Китая. Первоначально Fujian Jinhua планировала приступить к производству DRAM первого поколения по технологи 3X-нм в конце 2018 года, но теперь деятельность компании переживает этап неопределённости.

Тем не менее, сама эта ситуация может ещё сильнее подтолкнуть китайское правительство к активным действиям по развитию местных высокотехнологичных отраслей промышленности, чтобы повысить самостоятельность страны, хотя речь идёт о долгой и сложной дороге.

Две других китайских начинающих компании в области памяти — Yangtze Memory Technologies (YMTC) и Innotron Memory (известная ранее как Hefei ChangXin или Hefei RuiLi) — готовятся к началу коммерческого производства в 2019 году, что станет значительным прогрессом Китая в области DRAM. Согласно последним сообщениям, YMTC приступила к поставке образцов своего 64-слойного 3D-NAND-чипа, а массовое производство, вероятно, начнётся в третьем квартале 2019 года. В 2020 году компания планирует перейти к массовому производству уже 128-слойной памяти.

Innotron должна представить свои инженерные образцы 8-Гбит чипов DDR4 в конце 2018 года и 8-Гбит LPDDR4 — в третьем квартале 2019 года, о чём заявил недавно назначенный исполнительный директор Имин Зу (Yiming Zhu). Компания также планирует завершить освоение 17-нм технологического процесса в 2021 году.

Производители памяти сосредоточены на освоении новых технологических норм

По словам аналитиков из DRAMeXchange, ведущие поставщики оперативной памяти DRAM смогли добиться роста операционной прибыли до рекордных уровней в третьем квартале 2018 года, хотя рост средней стоимости их продукции начал замедляться. Компании сейчас сосредоточены на повышении своих результатов с использованием более совершенных технологических процессов для оптимизации структуры затрат.

Операционная маржа (отношение операционной прибыли к объёму продаж) бизнеса DRAM у Samsung, согласно оценкам аналитиков, достигла 70 % в III квартале 2018 года. Samsung уже использует 1x-нм технологический процесс в массовом производстве и приступила в третьем квартале к развёртыванию более продвинутых 1y-нм норм.

В свою очередь, у SK Hynix, согласно выкладкам DRAMeXchange, операционная маржа бизнеса DRAM выросла в прошлом квартале с 63 % до 66 %, также благодаря значительному увеличению доли выхода годной 1x-нм продукции. SK Hynix начала печать чипов с использованием 1x-нм норм в конце 2017 года и сосредоточилась на повышении показателя годных кристаллов. Кроме того, SK Hynix планирует завершить до конца текущего года строительство своей второй 300-мм фабрики в китайском городе Уси. Новый объект начнёт вносить свой вклад в общий объем продукции DRAM в первой половине 2019 года, но наращивание объёмов производства будет происходить относительно медленно из-за неопределённости в мировой экономике.

Наконец, в третьем квартале операционная маржа Micron Technology увеличилась до 62 % c 60 % во втором, что DRAMeXchange также связывает с увеличением доли выпуска чипов, производимых с соблюдением 1х-нм норм в общем объёме производства. Тайваньская дочерняя компания Micron Memory Taiwan вскоре переведёт все свои производственные мощности на 1x-нм техпроцесс и приступит к освоению более совершенных 1z-нм норм. Тем не менее, последние вряд ли будут готовы к массовой печати до 2020 года. Другая тайваньская дочерняя компания, Micron Technology Taiwan, перешла на массовое 1x-нм производство и в конце 2018 года начнёт развивать свои 1y-нм нормы.

По мнению DRAMeXchange, у всех трёх ведущих производителей DRAM операционная маржа не возрастёт в последней четверти текущего года, поскольку их усилия по сокращению затрат вряд ли компенсируют влияние наметившегося постепенного падения цен на чипы памяти.

Мировой рынок памяти DRAM в третьем квартале достиг пика и готов покатиться вниз

Октябрьские отчёты производителей памяти DRAM о работе в третьем квартале календарного 2018 года позволили аналитикам свести воедино данные о рынке памяти за указанный период. Как рапортуют в DRAMeXchange, подразделении компании TrendForce, рынок памяти за квартал разросся на 9 % и достиг нового пика. При этом квартальное повышение цен на DRAM для основных рынков (ПК, серверов и смартфонов) составило всего от 0 до 2 %, а память типа DDR3 так и вовсе продавалась дешевле, чем кварталом ранее, как и память для видеокарт (–3 %), спрос на которые упал после спада ажиотажа на криптовалютном рынке.

Исходя из представленных цифр, рост рынка в отчётный период происходил не за счёт подорожания памяти, а за счёт увеличения выпуска как микросхем DRAM, так и за счёт увеличения производства в пересчёте на ёмкость. Но дальше ситуация начнёт развиваться не в пользу производителей, предостерегают в DRAMeXchange. С октября контрактные цены на отдельные виды памяти начали снижаться. В четвёртом квартале цены на память начнут падать на всех направлениях, в чём будет виновно перепроизводство на рынке DRAM. В первом квартале нового года ситуация усугубится ещё сильнее, поскольку к перепроизводству и затовариванию складов добавится сезонный фактор.

При достижении точки перелома на кривой роста цен на память крупные производители памяти и производители второго звена по-разному отреагировали на это событие. Тройка лидеров продолжила последовательно набирать выручку, а компании помельче сразу ушли в минус. Среди тройки лидеров отметилась компания Samsung. Средняя цена продажи памяти Samsung за квартал выросла всего на 1 %, но её выручка за квартал подскочила на 13,6 %. Произошло это за счёт наращивания объёмов производства в виде запуска в эксплуатацию только что построенных линий. Компания SK Hynix увеличила за квартал выручку от поставок DRAM на 6 %, а Micron — на 6,8 %. Micron также ввела в эксплуатацию новые мощности и заработала премию не на росте цен, а на увеличении выпуска продукции. Добавим, Samsung и SK Hynix вместе удерживаю 74,6 % мирового рынка памяти (в терминах выручки), из которых Samsung принадлежит 45,5 %, а SK Hynix — 29,1 %.

Интересно отметить, что хотя цены на память почти не росли, рентабельность производства памяти у каждой из компаний выросла до нового рекордного уровня. За это надо благодарить внедрение более тонких техпроцессов, что экономит средства на производство. Так, внедрение второго поколения техпроцесса класса 10 нм (1Y-nm) позволило Samsung за квартал увеличить операционную рентабельность с 69 % до 70 %. Компания SK Hynix за это же время увеличила операционную рентабельность с 63 % до 66 % (но за счёт перехода на техпроцесс 1X-nm — первого поколения 10-нм класса). Компания Micron увеличила операционную рентабельность с 60 % до 62 %, что произошло за счёт увеличения объёмов производства памяти с использованием техпроцесса 1X-nm.

Что касается перехода на новые техпроцессы, то Samsung удерживает наибольшую в индустрии долю производства DRAM с использованием техпроцесса. 1X-nm. Параллельно компания расширяет мощности с использованием техпроцесса 1Y-nm на заводе Line 17 и Line 18. До конца текущего года, как считают в Samsung, около 70 % DRAM компании будет выпускаться с использованием техпроцессов 1X-nm и 1Y-nm. В 2019 году компания будет планомерно переходить на техпроцесс 1Y-nm (второго поколения класса 10 нм).

Компания SK Hynix начала эксплуатировать техпроцесс 1X-nm в конце 2017 года с прицелом снизить уровень брака в течение первой половины 2018 года. Но самый значительный прогресс в этом произошёл в только третьем квартале этого года. В дополнение к этому до конца года SK Hynix завершит строительство в Китае своей второй 300-мм фабрики по выпуску DRAM. Этот завод начнёт поставлять память в первой половине 2019 года, но объёмы производства будут зависеть от развития торговых отношений США и Китая.

Подразделение Micron Memory Taiwan (бывшая компания Rexchip) всю память выпускает с использованием техпроцесса 1X-nm. Это предприятие пропустит внедрение техпроцесса 1Y-nm и сразу перейдёт к техпроцессу 1Z-nm, но это будет не раньше 2020 года. Другое подразделение американской компании — Micron Technology Taiwan (бывшая компания Inotera) — начала переходить на техпроцесс 1X-nm с 20-нм техпроцесса со второго квартала этого года. Техпроцесс 1Y-nm она начнёт внедрять до конца 2018 года и будет наращивать его долю в 2019 году.

Что касается некрупных тайваньских производителей памяти, то они не делают погоды, а состояние дел у них можно узнать из таблицы выше. Отметим только, что компании Powerchip и Winbond стали получать больше выручки от оказания услуг по проектированию чипов и от производства NAND SLC, чем от выпуска DRAM. Следовательно, при ухудшении ситуации им есть на что переориентироваться.

Китайские антимонопольщики могут оштрафовать Samsung, SK Hynix и Micron на $8 млрд

Ещё с начала этого года китайские антимонопольные органы начали вести расследование в отношении компаний Samsung, SK Hynix и Micron, которые подозреваются в завышении цен на оперативную память. Как все мы наблюдали, оптовые и розничные цены на микросхемы DRAM и продукцию с использованием памяти росли девять кварталов подряд с третьего квартала 2016 года. В нынешнем октябре цены на память впервые за два года продемонстрировали тенденцию к снижению. Не исключено, что к этому также приложили руку китайские антимонопольщики, которые провели ряд профилактических бесед с руководством Samsung в январе и руководством Micron в мае этого года.

На днях представители антимонопольного бюро Министерства торговли Китая по случаю 10-летнего юбилея организации провели пресс-конференцию, на которой рассказали о значительном продвижении антимонопольного разбирательства с компаниями Samsung, SK Hynix и Micron. По словам руководителя бюро, собрано много доказательств монопольного поведения этих компаний на рынке Китая. В то же время нельзя отрицать того факта, что представители всех трёх компаний активно сотрудничают со следствием, включая подписание руководством Samsung, SK Hynix и Micron ряда соглашений о взаимопонимании с антимонопольными регуляторами КНР.

Если вина производителей памяти будет доказана, согласно статьям 46, 47 и 49 китайского Антимонопольного закона, то им грозит штраф до 10 % от оборота за период, когда нарушалось законодательство, а именно за 2016 и 2017 годы. Сумма штрафа при этом может достигать 8 млрд. Впрочем, с компанией Micron у китайских регуляторов отдельный разговор. Она ещё не ответила за обвинения китайского производителя DRAM компании Fujian Jinhua в якобы краже технологий производства памяти, что, по мнению китайской стороны, является неправомочным.

В заключение приведём цифры, из которых становится понятен масштаб интереса компаний Samsung, SK Hynix и Micron к рынку памяти в Китае. Так, каждая из них в 2017 году выручила от продаж памяти в Поднебесной, соответственно, $25,386 млрд, $8,908 млрд и $10,388 млрд. Всего в 2017 году тройка лидеров производства DRAM заработала в Китае $44,68 млрд, что на 39,16 % больше, чем в 2016 году ($32,1 млрд). Им есть за что бороться в Китае, как и Китаю есть что с них взять. Да грядёт возмездие!

UMC заявляет о различии технологий производства DRAM её и Micron

В ответ на обвинения компании UMC в краже технологий производства памяти у компании Micron, выдвинутые в начале этого месяца Министерством юстиции США, тайваньский производитель полупроводников выпустил новое заявление. Как утверждают в UMC, разработанная компанией технология производства DRAM и сама структура кристалла памяти отличаются от тех, которые разработаны в компании Micron. В частности, память UMC содержит запоминающие ячейки в конфигурации 3 × 2 слоя, а память Micron строится исходя из конфигурации 2 × 3 слоя.

wsj.com

wsj.com

Кроме того, компания Micron вводит в заблуждение, когда утверждает о самостоятельной разработке технологий производства памяти в США. Например, около 10 лет назад Micron выкупила у японской компании Elpida тайваньского производителя памяти компанию Rexchip и через поглощённые активы получила доступ к 25-нм производству DRAM. Компания UMC предупреждает, что она готова закрыть глаза на эту подтасовку фактов, но в случае необходимости доказывать свою правоту будет действовать решительно и по обстоятельствам.

Как поясняют в UMC, компания начала выпускать память DRAM ещё в 1996 году и делала это до 2010 года, а позже разработала и приступила к выпуску чипов со встроенной DRAM. Интересно, что одним из первых клиентов этого тайваньского контрактника на чипы DRAM была американская компания Alliance Semiconductor Corporation. Для неё UMC начала выпускать микросхемы памяти уже в 1996 году. Штат разработчиков техпроцессов производства памяти UMC в разное время в среднем насчитывал около 150 человек и только в 2016 году, когда был заключён контракт на разработку производства памяти для китайской компании Jinhua, число разработчиков было увеличено до 300 человек.

На разработку нового 32-нм техпроцесса производства DRAM для китайцев компания UMC потратила много средств и два года. Очевидно, что это не самый новейший техпроцесс, который на два поколения отстаёт от современных техпроцессов DRAM с нормами класса 10 нм. Можно поверить UMC, что она опиралась на собственные разработки, а не на украденные у Micron или у кого-то другого. Кстати, UMC докладывает, что в составе её разработчиков DRAM трудятся не более 10 % бывших работников тайваньских филиалов Micron.

Полупроводниковый завод компании UMC (UMC)

Полупроводниковый завод компании UMC (UMC)

На время разбирательства в суде дела против UMC и Jinhua со стороны Министерства юстиции США тайваньская компания приостанавливает разработки для китайской стороны и надеется на возобновления сотрудничества после улаживания конфликта.

С октября контрактные цены на память DRAM начали падение

Аналитики подразделения DRAMeXchange торговой площадки TrendForce отметили начало падения контрактных (оптовых) цен на микросхемы памяти типа DRAM и модули памяти DDR4. Рост контрактных цен на память наблюдался девять кварталов подряд, что привело к росту цен на оперативную память всех типов и, в конечном итоге, увеличило стоимость продукции с использованием памяти. Признаки улучшения ситуации начали проявляться с начала текущего года. Это выразилось в том, что спотовые цены — продажа памяти в виде мгновенных сделок — начали снижаться в первом квартале 2018 года. В сентябре эти тенденции также себя проявили, а уже в октябре снижаться начали контрактные цены, что открывает тенденцию к повсеместному снижению цен на память и продукцию.

Согласно наблюдению DRAMeXchange, в четвёртом квартале снижение средней цены продажи памяти по контрактам составит 10,14 % по сравнению с третьим кварталом этого же года. Говорить о таком снижении можно уверенно по той причине, что большинство договоров на поставку уже заключено. Это означает, что оптовая цена на 4-Гбайт модули DDR4 в среднем уменьшится с $34,5 до $31. Модули памяти объёмом 8 Гбайт упадут за квартал в цене на 10,29 % или с $68 до $61. Поскольку рынок памяти вошёл в состояние перепроизводства, аналитики не исключают, что в ноябре и декабре память станет ещё дешевле. Также специалисты ожидают более сильного падения цен на 8-Гбайт модули, чем на 4-Гбайт. Кстати, в 2019 году 8-Гбайт модули DDR4 станут для DRAMeXchange базовыми для оценки рыночных тенденций. Это отражает курс производителей на выпуск более плотных 8-Гбит микросхем DRAM.

Отчасти в перепроизводстве DRAM виновна компания Intel. Дефицит процессоров не позволяет производителям модулей памяти увеличить выпуск и продажу модулей. На них банально нет должного спроса — некуда ставить. Эта тенденция затронет всю вторую половину 2018 года и будет усугублена традиционно вялым спросом на комплектующие в первом квартале 2019 года. Иными словами, кризис перепроизводства памяти со всеми негативными для производителя последствиями только усилится. Эти же тенденции будут наблюдаться как в сегменте памяти для смартфонов, так и в серверном сегменте. В целом в 2019 году снижение цен на память в годовом сравнении обещает составить до 20 %. Чтобы этот сценарий не воплотился в жизнь или закончился «мягкой посадкой», производители памяти намерены сократить расходы на расширение производства для выпуска DRAM.

Санкции Вашингтона стали причиной прекращения DRAM-разработок UMC и Jinhua

Власти Тайваня оперативно отреагировали на внесение китайской компании Jinhua Integrated Circuit (JHICC) в санкционный список США. При чём здесь Тайвань? Технологию производства памяти DRAM компания Jinhua разрабатывала совместно и на базе тайваньских R&D-центров тайваньского контрактного производителя чипов компании United Microelectronics Corp. (UMC). Совместные работы начались два с половиной года назад, а вкладом китайцев в общее дело стала закупка для центров UMC оборудования и прямая оплата работ. Попросту говоря, запрет на экспорт компании Jinhua американского оборудования напрямую коснулся части деятельности UMC.

Полупроводниковый завод компании UMC (UMC)

Полупроводниковый завод компании UMC (UMC)

Интересно, что UMC отреагировала на санкции не напрямую, а только после выпуска соответствующего бюллетеня Бюро по иностранным инвестициям Тайваня, в котором власти объяснили местному бизнесу, как следует относиться к сотрудничеству с компанией Jinhua. В компании UMC заявили, что сразу же прекратили совместную деятельность с китайцами, но они не могут влиять на судьбу уже переданных в Китай технологий.

Для компании JHICC специалисты UMC разработали технологию выпуска DRAM с использованием 32-нм техпроцесса. Китайцы отстают от лидеров рынка примерно на два поколения техпроцессов для производства памяти, но это не проблема. После прекращения исследовательских работ с UMC встаёт вопрос совершенствования производства. Что же, придётся им снова выкручиваться и как-то решать проблему. И они её решат, в чём практически можно не сомневаться.

Санкции США могут примерно на один квартал или дольше задержать начало массового выпуска памяти на заводе Jinhua. На днях мы сообщали, что Jinhua договорилась выкупить 20 % акций в китайском подразделении упаковщика чипов с Тайваня компании Siliconware Electronics (Fujian, Фуцзянь). Согласно новой информации, Siliconware Electronics приостанавливает планы развития отношений с Jinhua. Для китайцев Siliconware должна была начать упаковку и тестирование чипов памяти Jinhua в первом квартале нового года. Теперь эти сроки и договор о совместной работе под вопросом. Ждём ответного хода китайцев.

Китайский производитель DRAM под санкциями инвестирует в тайваньского упаковщика чипов

Как мы сообщали, буквально на днях китайская компания Jinhua Integrated Circuit (JHICC) была внесена в санкционный список США как угрожающая эффективности американских поставщиков памяти для военных систем. Можно предположить, что всему виной запрет продавать в Китае определённые разновидности модулей памяти DRAM и SSD компании Micron. Этот запрет наложен благодаря поданным в суд искам со стороны тайваньской компании UMC и китайской JHICC. Согласно решению ответственных органов США, компания JHICC лишается права на закупку компонентов, программного обеспечения и технологического оборудования, произведённых в США.

Для компании JHICC как для производителя чипов памяти существует проблема упаковки и тестирования чипов. Традиционно этими вопросами занимались преимущественно тайваньские компании, крупнейшими из которых сегодня считаются Siliconware Precision Industries (SPIL) и ASE Technology Holding (не так давно они обменялись акциями и представляют собой спаянный тандем). Китай в лице Tsinghua Unigroup попытался было купить по 25 % акций таких тайваньских упаковщиков, как Powertech, ChipMOS и SPIL, но действующее руководство Тайваня зарубило эту инициативу на корню.

Тогда китайцы начали выкупать доли или инвестировать в тайваньские предприятия по упаковке чипов на территории Китая. Здесь им тайваньские власти практически ничем не могли помешать. Так, та же Tsinghua инвестировала в дочернюю компанию Suzhou ASEN Semiconductors холдинга ASE Technology. Компания JHICC, которая может столкнуться с трудностями по закупке оборудования, ещё летом решила обратиться за помощью к дочернему предприятию SPIL на территории Китая. И этот запрос услышан и удовлетворён.

Популярный тайваньский интернет-ресурс DigiTimes докладывает, что Siliconware Electronics (Fujian, Фуцзянь) продаст около 20 % акций китайской компании Jinhua Integrated Circuit (JHICC). Цена вопроса — $22,5 млн с правом выкупа в дальнейшем дополнительного объёма акций. Подразделение Siliconware Electronics Fujian перестало упаковывать память в 2007 году, но готово возродить производство по требованию нового акционера. Другим крупным клиентом Siliconware Electronics Fujian является тайваньская компания UMC, которая неподалёку от неё располагает 300-мм производством с техпроцессами от 40 до 28 нм. Тронешь одну, не поздоровится другой.

SK Hynix продаёт всё больше фирменных SSD

Свой отчёт о работе в третьем квартале календарного 2018 года опубликовала компания SK Hynix. Консолидированная выручка компании за отчётный период составила 11,42 трлн вон ($10 млрд), операционная прибыль достигла значения 6,47 трлн вон ($5,7 млрд), а чистая прибыль равнялась 4,69 трлн вон ($4,1 млрд). Несмотря на стабилизацию цен на микросхемы DRAM и на падение цен на NAND, за квартал выручка и операционная прибыль SK Hynix выросла соответственно на 10 % и на 16 %. Тем самым все три ключевых финансовых показателя компании снова достигли новых рекордов: и выручка, и операционная прибыль, и чистая прибыль.

Поставки памяти DRAM в пересчёте на ёмкость за квартал выросли на 5 %. За это компания благодарит сезонный эффект увеличения спроса на смартфоны, а также стабильно высокий спрос на память серверного назначения. Средняя цена продаж памяти DRAM, тем не менее, выросла всего на 1 %. Увеличение спроса на память, как признаются в SK Hynix, обещает удержать цены на память от резкого снижения как в этом году, так и в следующем.

Поставки памяти NAND за квартал в пересчёте на биты выросли на 19 %, а средняя цена продажи микросхем флеш-памяти уменьшилась на 10 %. Этот негативный для производителя эффект компания компенсировала как наращиванием выпуска более плотной NAND-флеш, так и расширением ассортимента фирменных SSD. В третьем квартале выручка от поставок SSD компании значительно превысила 20 % от выручки всего флеш-бизнеса SK Hynix. Также более 20 % от продаж SSD компания получила на направлении производства твердотельных накопителей корпоративного назначения.

Дальнейшее развитие производства DRAM и NAND компания видит в совершенствовании техпроцессов и в стабильном массовом производстве новинок. В частности, второе поколение техпроцесса класса 10 нм (1Ynm) для выпуска DRAM будет разработано до конца текущего года. До конца года также завершатся разработки 96-слойной 3D NAND.

Что касается заводов, то к концу года завершится ввод в эксплуатацию расширенной «чистой» комнаты на китайском заводе SK Hynix в городе Уси (Wuxi FAB). Массовое производство памяти DRAM на этом предприятии стартует в первой половине 2019 года. Завод M15 FAB в Южной Корее, формальный ввод в эксплуатацию которого состоялся ранее в этом месяце, начнёт поставлять продукцию в виде 3D NAND также в первой половине будущего года.

SK Hynix призывает не рассчитывать на значительное снижение цен на память в 2019 году

Как мы помним, в десятых числах октября аналитическое подразделение DRAMeXchange торговой площадки TrendForce опубликовало очередной прогноз по динамике развития рынков памяти DRAM и NAND. Если верить аналитикам, в 2019 году ожидается существенное снижение цен как на DRAM (до 20 % в годовом сравнении), так и на NAND (до 30%). Для производителей памяти, которые в предыдущие 9 кварталов радовались растущим ценам на продукцию, выручке и прибыли, снижение цен сулит потери по всем ключевым финансовым показателям.

Впрочем, в компании SK Hynix считают, что DRAMeXchange сгущает краски и не учитывает всех современных реалий. По мнению представителей компании, которое было озвучено в среду в Сеуле на семинаре COEX, рынок памяти становится разнообразным, спрос на память растёт во всех проявлениях, олигополия никуда не делась, а некоторое снижение цен только подстегнёт спрос. Также надо учесть проблемы с переводом памяти на более тонкие техпроцессы, что ограничит поставки и не даст рухнуть ценам на память. Тем самым в 2019 году производитель не ожидает каких-либо существенных ценовых скачков на рынке памяти.

В среду в Сеуле на семинаре COEX ()

В среду в Сеуле на семинаре COEX (http://www.etnews.com)

Рынок DRAM, по словам SK Hynix, уже не вернётся к предыдущему состоянию. Возникнет новая нормаль уровнем выше, чем за три года до этого. Аналитики ошибаются, оперируя спросом и состоянием промышленности, действительными на 2015 год. За это время, например, значительно разросся рынок серверов и выросли объёмы памяти, устанавливаемой в мобильные устройства.

Производство памяти, напротив, стало сложнее, поскольку техпроцессы достигли того уровня, после которого уменьшение масштабов технологических норм сопряжено с гигантскими трудностями (и затратами). Если говорить о SK Hynix, то для компании объёмы поставок и себестоимость DRAM в 2019 году будут определяться темпами внедрения в производство второго поколения техпроцесса 10-нм класса, а памяти NAND — от внедрения 5-го поколения 3D NAND с числом слоёв свыше 90.

В целом компания ожидает в 2019 году стоимость рынка DRAM на уровне $100 млрд, а рынка NAND — до $60 млрд. В таких условиях следует рассчитывать на стабилизацию цен на память, а не на её снижение.

Cadence и Micron о DDR5: 16-Гбит чипы появятся в 2019 году

Ранее в этом году Cadence и Micron провели первую в отрасли публичную демонстрацию работы оперативной памяти (dynamic random access memory, DRAM) следующего поколения — DDR5. На мероприятии TSMC в начале этого месяца компании представили дополнительную информацию как о стандарте в целом, так и о разработке решений на его базе. Оказывается, окончательная спецификация DDR5 ещё не была принята JEDEC, но Micron всё ещё планирует начать производство чипов памяти DDR5 в конце 2019 года.

Как отмечалось ещё в мае, основной особенностью DDR5 SDRAM является увеличенная ёмкость микросхем, а не только более высокая производительность и низкое энергопотребление. Разумеется, DDR5 обеспечит скорость работы интерфейса от 4266 до 6400 МТрансферов/с, её напряжение питания снизится до 1,1 В с допустимым диапазоном колебаний 3 % (т. e. на ± 0,033 В) и будет использовать два независимых 32/40-разрядных канала на модуль (без/или с ECC). Кроме того, DDR5 увеличит эффективность командной шины (поскольку оба независимых канала будут иметь свою собственную 7-разрядную шину адресов (Add) и команд (Cmd)), получит лучшие схемы обновления, а также увеличенное количество групп банков для дополнительного увеличения производительности. Примечательно, что в Cadence говорят о том, что технологические усовершенствования DDR5 позволят увеличить реальную пропускную способность памяти на 36 % по сравнении с DDR4 даже при скорости передачи данных 3200 МТ/с, а после того, как DDR5 заработает на проектных скоростях вроде 4800 МТ/с, фактическая пропускная способность станет на 87 % выше, чем у DDR4-3200 (другой вопрос, какие при этом будут задержки). Тем не менее, одной из ключевых особенностей DDR5 станет именно возможность увеличивать плотность монолитной микросхемы памяти свыше 16 Гбит.

Прототип контроллера памяти компании Cadence

Прототип контроллера памяти компании Cadence

Ведущие производители оперативной памяти уже имеют в своём арсенале монолитные чипы DDR4 ёмкостью 16 Гбит, но эти устройства не могут предложить действительно высоких тактовых частот или скоростей ввода/вывода из-за законов физики. По этой причине компаниям вроде Micron предстоит проделать немалую работу, чтобы объединить высокую производительность и плотность ячеек DRAM. В частности, в Micron обеспокоены непостоянным временем удержания заряда ячейками памяти, а также другими феноменами на уровне атомов для микросхем памяти, произведённых по технологическим процессам 10–12 нм. При этом в случае с DDR5 шина Add/Cmd уже имеет встроенную терминацию, призванную сделать сигналы более чистыми и увеличить стабильность при высоких скоростях передачи данных. Кроме того, модули памяти высокой ёмкости будут экипироваться собственными регуляторами напряжения и управления питания. Таким образом, хотя стандарт DDR5 и адаптирован к тому, чтобы объединить производительность и плотность, компаниям вроде Micron потребуется проявить своё мастерство при изготовлении соответствующих микросхем.

Микросхемы памяти DDR5 производства Micron

Микросхемы памяти DDR5 производства Micron

Micron рассчитывает начать производство чипов памяти DDR5 ёмкостью 16 Гбит с использованием техпроцесса с «шириной затвора менее 18 нм» уже в конце 2019 года. Впрочем, это не означает, что одновременно с этим появятся приложения, использующие новую DRAM. В свою очередь, Cadence уже предлагает готовый блок DDR5 (контроллер + физический интерфейс), реализованный для техпроцессов TSMC N7 (7 nm, DUV) и N7+ (7 nm, DUV+EUV). Таким образом, у разработчиков систем на кристалле (system-on-chip, SoC) есть всё необходимое для создания совместимых с новым типом памяти SoC. Кроме того, в Cadence работают над соответствующими IP-блоками DDR5 и для более совершенных норм производства.

Предположения Cadence в области принятия DDR5 различными типами устройств

Предположения Cadence в области принятия DDR5 различными типами устройств

Учитывая ключевые преимущества DDR5, неудивительно, что серверы станут первыми устройствами, использующими новый тип оперативной памяти, согласно ожиданиям Cadence. Что особенно интересно, так это то, что в Cadence полагают, что SoC для клиентских компьютеров, произведенные по техпроцессу N7+, будут поддерживать DDR5. По сути, это означает, что подобные процессоры начнут появляться уже в 2020 году. Учитывая предсказываемые Cadence высокие темпы принятия DDR5 рынком, логично предполагать, что новый тип оперативной памяти будет поддержан широким спектром SoC.

Тенденции на рынке оперативной памяти по оценкам Cadence

Тенденции на рынке оперативной памяти по оценкам Cadence

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥