Как отмечалось накануне, аналитики ожидали от SK hynix роста квартальной выручки на 38 % и операционной прибыли на 129 %, но фактические объявленные этим южнокорейским производителем памяти показатели роста оказались выше. Выручка компании выросла в прошлом квартале на 42 %, а операционная прибыль увеличилась на 158 %.

Источник изображения: SK hynix

В абсолютном измерении выручка SK hynix достигла $12,36 млрд, а операционная прибыль выросла до $5,2 млрд. В последовательном сравнении наблюдалась отрицательная динамика, но она в целом характерна для перехода от четвёртого квартала к первому. Выручка SK hynix последовательно снизилась на 11 %, а операционная прибыль просела на 8 % после того, как в четвёртом квартале был установлен рекорд по соответствующему финансовому показателю. Результаты первого квартала не стали рекордными, но они уступили лишь итогам четвёртого квартала прошлого года.

Представители компании пояснили, что динамика прибыли в первом квартале отобразила её успехи в сфере реализации памяти для сегмента искусственного интеллекта. По мнению производителя, расходы участников рынка систем ИИ на развитие инфраструктуры продолжат расти, поскольку сохраняется спрос на создание «суверенных проектов» в этой сфере со стороны властей крупных стран. При этом в SK hynix подчёркивают, что геополитическая нестабильность создаст волатильность спроса во второй половине текущего года. Это не помешало компании сохранить свой прогноз по удвоению спроса на HBM по итогам всего 2025 года, поскольку соглашения на поставку соответствующей продукции в этом периоде были заключены ещё за год до этого. Развитие ИИ в сегменте смартфонов, по мнению руководства, подтолкнёт потребителей к обновлению своих устройств на содержащие более производительные чипы памяти.

Компания Micron официально заявила о повышении цен на память, ссылаясь на растущий спрос на DRAM и NAND-флеш. По прогнозам, тенденция к удорожанию сохранится до 2026 года. Причина проста — искусственный интеллект (ИИ), дата-центры и потребительская электроника требуют всё больше высокопроизводительных решений, однако предложение пока не успевает за спросом.

Источник изображения: Micron, tomshardware.com

Решение Micron, как отмечает Tom's Hardware, основано на недавнем периоде перепроизводства и падения доходов рынка памяти. Однако в последнее время цены начали постепенно восстанавливаться благодаря сокращению производства крупными игроками и росту интереса к ИИ и высокопроизводительным вычислениям. Теперь, когда Micron открыто заявила о повышении цен, ожидается, что за ней последуют и другие производители, такие как Samsung и SK Hynix, продолжая тенденцию удорожания.

В своём обращении к партнёрам Micron подчеркнула, что ключевым фактором пересмотра ценовой политики стал «непредсказуемый спрос в различных сегментах». В частности, компания отмечает, что ИИ-приложения стремительно развиваются, а значит, необходимо поддерживать конкурентоспособность продуктовой линейки. Micron также рекомендовала партнёрам заранее планировать закупки, чтобы избежать дефицита и перебоев с поставками.

Одним из главных драйверов роста цен является растущий спрос на высокоскоростную память HBM (High Bandwidth Memory), критически важную для ИИ-ускорителей и графических процессоров нового поколения. По мере того как Nvidia, AMD и Intel развивают свои ИИ-технологии, потребность в быстрой и энергоэффективной памяти только увеличивается. Несмотря на усилия Micron и её конкурентов по наращиванию объёмов производства, предложение всё ещё отстаёт от спроса, что дополнительно подогревает рост цен.

Чтобы справиться с этим вызовом, Micron недавно объявила о строительстве нового завода в Сингапуре, где будет производиться HBM-память. Инвестиции в проект составят $7 млрд, а запуск намечен на 2026 год. В планах также значится выпуск передовых решений, таких как HBM3E, HBM4 и HBM4E, что, по мнению экспертов, позволит компании укрепить позиции в стремительно растущем сегменте.

Влияние на рынок потребительской электроники
Помимо ИИ и дата-центров, оживление наблюдается и в сегменте потребительской электроники. Производители ПК и смартфонов начали увеличивать заказы на память, готовясь к новым продуктовым релизам в конце 2025 и начале 2026 года. Это является ещё одним аргументом в пользу повышения цен — спрос остаётся стабильно высоким, и, судя по всему, тенденция продолжится.

Поскольку Micron первой объявила о росте цен, теперь остаётся ждать реакции конкурентов и клиентов. Если текущий уровень спроса сохранится, отрасль может столкнуться с продолжительным повышением цен, что повлияет не только на корпоративные дата-центры, но и на бытовые устройства — от игровых компьютеров до смартфонов.

Глобальный доход отрасли DRAM по всему миру в IV квартале 2024 года превысил $28 млрд, что соответствует квартальному росту на 9,9 %. Положительная динамика обусловлена в первую очередь ростом контрактных цен на серверную DDR5 и поставками HBM, благодаря которым три ведущих поставщика DRAM в очередной раз нарастили выручку, отмечают аналитики TrendForce.

Источник изображения: samsung.com

Контрактные цены на продукцию развернулись преимущественно в сторону понижения, но только не в серверном сегменте, где американские облачные провайдеры увеличили закупки DDR5, тем самым поддержав рост цен на серверную DRAM. По итогам текущего квартала, как ожидается, будет отмечено замедление: производители DRAM снизят общие объёмы поставок в битах. Производители ПК и смартфонов будут избавляться от запасов, из-за чего производители DRAM переведут мощности с DDR4 и HBM на серверную DDR5. Спрос у облачных провайдеров снизится, спровоцировав падение контрактных цен как на DRAM, так и на HBM.

Источник изображения: trendforce.com

Ведущим поставщиком DRAM осталась Samsung с выручкой $11,25 млрд и ростом на 5,1 % квартал к кварталу. Однако её доля на рынке немного снизилась: из-за сокращения спроса на LPDDR4 и DDR4 компания уменьшила поставки в битах, поскольку OEM-производители ПК и смартфонов начали избавляться от запасов. Выручка второй в рейтинге, SK hynix, составила $10,46 млрд, что соответствует квартальному росту на 16,9 %; доля рынка компании увеличилась до 36,6 %. SK hynix нарастила поставки HBM3e и общие поставки в битах, компенсировав просадку в сегментах LPDDR4 и DDR4. Micron заняла третье место с выручкой $6,4 млрд, что на 10,8 % больше, чем кварталом ранее. Американский производитель также увеличил поставки в битах за счёт роста отгрузок серверной DRAM и HBM3e, благодаря чему его доля рынка за квартал не изменилась.

Выручка тайваньских производителей DRAM сократилась из-за ослабления спроса в потребительском сегменте и усиления конкуренции на рынке DDR4 со стороны китайских поставщиков. Доход Nanya Technology составил $203 млн, что на 19,3 % меньше, чем кварталом ранее; у Winbond выручка оказалась $119 млн, что на 22,4 % меньше, чем в предшествующем квартале. Доход PSMC в сегменте DRAM, в первую очередь потребительской, упал на 37,9 % в квартальном исчислении до $11 млн из-за сокращения объёмов производства пластин. Даже с учётом выручки от полупроводникового производства общий доход компании снизился на 10 % за квартал — это значит, что полупроводниковое производство для PSMC остаётся стабильно востребованным.

Исторически потребность в больших объёмах памяти активнее демонстрировали серверные системы и рабочие станции, поэтому производители модулей памяти в первую очередь удовлетворяли запросы соответствующих сегментов рынка, оставляя направление ПК на потом. В случае с модулями DDR5 планки объёмом 64 Гбайт для обычных ПК появились в продаже лишь недавно.

Источник изображения: Akiba PC Hotline

По крайней мере, об этом можно судить по публикации хранящего традиции десятилетиями японского ресурса Akiba PC Hotline, рассказывающего о новинках знаменитого местного рынка электроники оперативно и с иллюстрациями. Японским фоторепортёрам удалось зафиксировать факт появления в местной рознице комплектов памяти типа DDR5-5600 объёмом 2 × 64 Гбайт производства Crucial, подходящих для использования в настольных ПК.

Как известно, под маркой Crucial выпускает модули памяти и твердотельные накопители американская компания Micron Technology. Производитель на данный момент предлагает комплекты DDR5-5600 из двух 64-Гбайт модулей в форматах UDIMM и SO-DIMM.

В Японии, где импортируемая электроника традиционно облагается высокими пошлинами, комплект модулей типа UDIMM стоит более $322. Память предлагает задержки CL46-45-45 и совместимость с процессорами Intel Core Ultra 14-го поколения, а также процессорами AMD Ryzen 8000 или более молодыми. Функции Intel XMP и AMD Expo соответственно обеспечивают быстрый выбор оптимального с точки зрения быстродействия режима работы, заложено по два профиля в каждом (DDR5-5600 и DDR5-5200).

Рынок памяти DRAM ожидают перемены, поскольку падение цен на фоне слабого спроса заставляет крупнейших производителей, таких как Samsung Electronics, SK Hynix и Micron, корректировать свои стратегии. Эти компании увеличивают производство DDR5, а также памяти с высокой пропускной способностью (HBM) и к концу текущего года могут полностью отказаться от выпуска памяти DDR3 и DDR4.

Источник изображения: unsplash.com

Как пишет Digitimes, со ссылкой на издание Nikkei и индустриальные источники, три основных производителя памяти DRAM могут прекратить производство DDR3 и DDR4 к концу 2025 года. Это может привести к возможному дефициту поставок указанных типов памяти уже к осени. Оставшиеся предложения на рынке в значительной степени будут зависеть от тайваньских поставщиков, которые постараются заполнить освободившуюся нишу. По словам одного из ключевых дистрибьюторов компонентов, ожидаемая остановка производства памяти DDR3 и DDR4 может привести к значительным ограничениям поставок, усложнить динамику рынка и повлиять на стратегии ценообразования.

Согласно прогнозам тайваньского производителя памяти Nanya Technology, рынок DRAM достигнет нижней точки в первой половине 2025 года. Однако постепенное восстановление начнётся уже во втором квартале, чему будут способствовать рост спроса, более грамотное управление запасами, а также глобальные экономические стимулы. Спрос на облачные вычисления с использованием искусственного интеллекта останется высоким и будет стимулировать развитие сегмента периферийных вычислений. В то же время потребительский спрос вырастет незначительно, несмотря на региональные стимулы.

Эксперты рынка прогнозируют, что значительная часть новых производственных мощностей будет направлена на развитие технологий HBM и DDR5. Текущий спад цен и спроса на DDR3 и DDR4 сигнализирует о стратегическом сдвиге, поскольку ведущие производители памяти концентрируют свои ресурсы на масштабировании производственных возможностей HBM.

Столкнувшись со слабым спросом на устаревшие модели памяти DDR, компания Winbond Electronics модернизирует своё производство и собирается перейти на 16-нм техпроцесс во второй половине 2025 года. Сейчас компания использует 20-нм техпроцесс, в основном выпуская на его базе 4-гигабитную память DDR3 и DDR4. Переход на 16-нм техпроцесс позволит Winbond выпускать 8-гигабитную память DDR.

По данным inSpectrum, спотовые цены на DDR5 продолжают расти даже на фоне относительно вялого спроса, тогда как цены на DDR4 остаются стабильными. В свою очередь, спотовые цены на DDR3 в последние годы демонстрируют тенденцию к снижению.

Nvidia совместно с ведущими производителями SK Hynix, Samsung и Micron разрабатывает новый стандарт памяти, ориентированный на высокую производительность и компактные размеры. Стандарт получил название System On Chip Advanced Memory Module (SOCAMM) и уже проходит тестирование.

Источник изображения: Nvidia

Модуль может стать основой для следующего поколения компьютеров на базе искусственного интеллекта (ИИ) Nvidia Project Digits, анонсированных на CES 2025. Как пишет Tom's Hardware, новый стандарт обещает превзойти существующий модуль памяти Low-Power Compression Attached Memory Modules (LPCAMM) и традиционные DRAM-решения благодаря ряду преимуществ.

Во-первых, SOCAMM будет более экономически эффективным по сравнению с DRAM в формате SO-DIMM, так как технология позволяет разместить LPDDR5X-память непосредственно на подложке. Во-вторых, SOCAMM получит больше интерфейсов ввода/вывода — до 694 портов против 644 у LPCAMM и 260 у традиционной DRAM, что должно значительно увеличить пропускную способность и скорость обмена данными.

Кроме того, так как модуль отсоединяемый, это упростит модернизацию оборудования в дальнейшем. При этом, компактные размеры также помогут повысить общую ёмкость памяти.

Технические детали SOCAMM пока держатся в секрете, поскольку стандарт разрабатывается без участия совета JEDEC. Согласно имеющимся данным, Nvidia и партнёры в настоящее время обмениваются прототипами модуля для проведения тестов производительности.

Китайские производители памяти продолжают осваивать производство высокоскоростной памяти HBM, необходимой для искусственного интеллекта (ИИ) и высокопроизводительных вычислений (HPC). Уже третья по счёту китайская компания, Tongfu Microelectronics, являющаяся партнёром AMD, начала тестирование своих HBM-продуктов.

Источник изображения: en.tfme.com

Однако Tongfu Microelectronics не занимается производством памяти напрямую. Компания является третьим по величине в мире поставщиком услуг по аутсорсингу сборки и тестирования полупроводников (OSAT), а её наиболее значимым клиентом и одновременно акционером выступает AMD через совместное предприятие TF-AMD. Как отмечает Tom's Hardware, вклад крупного OSAT-игрока в разработку HBM делает ситуацию ещё более интересной, тем более, что Tongfu уже начала поставлять пробные партии HBM2-памяти некоторым своим клиентам.

Имена клиентов пока не раскрываются, но в их числе может быть, по утверждению издания Nikkei, компания Huawei, разрабатывающая ИИ-процессоры с HBM. Однако официально Tongfu на своём сайте ничего не заявляет по этому поводу, оставляя вопросы о масштабах её участия именно в HBM проектах, а не HBM2.

История создания Tongfu Microelectronics также заслуживает внимания. В 2015 году, когда AMD находилась в сложной финансовой ситуации, Tongfu согласилась создать совместное предприятие с Nantong Fujitsu Microelectronics (NFME). AMD передала свои сборочные и тестовые мощности в Сучжоу (город в Китае) и в Малайзии, получив взамен $371 млн и долю в новом предприятии. Позже NFME вошла в состав Tongfu Microelectronics, которая теперь управляет совместным предприятием TF-AMD вместе с AMD.

Отмечается, что на данный момент Tongfu не единственная компания в Китае, работающая с высокопропускной памятью. ChangXin Memory Technologies (CXMT), ведущий китайский производитель DRAM, уже некоторое время производит HBM2. Кроме того, в марте 2024 года к ним присоединилась компания Wuhan Xinxin, которая также начала выпуск HBM2.

Отрасль компонентов памяти отличается консервативным подходом: революционным изменениям производители предпочитают постепенные улучшения. Но к концу десятилетия миру может быть представлена монолитная 3D DRAM, правда, пока нет ясности, какую форму примет это решение, и когда такая память будет готова к массовому производству.

Источник изображения: samsung.com

В области флеш-памяти производителям удалось добиться значительных успехов — ёмкость компонентов повышается за счёт монолитной 3D-архитектуры. Но в области DRAM использовать это решение не получается, потому что существует потребность в достаточно крупных элементах для хранения заряда — как правило, это конденсаторы. Самый простой подход к увеличению объёма данных на однослойном чипе DRAM — уменьшение размера ячейки. Из-за вертикальных конденсаторов слои DRAM оказываются слишком толстыми, что затрудняет их размещение друг на друге. Чтобы решить эту проблему, одни производители пытаются размещать конденсаторы горизонтально, другие — вообще их исключить.

3D DRAM может иметь различные реализации. Одна из них уже используется в производстве — это память с высокой пропускной способностью (HBM), но в данном случае речь идёт о многослойном кристалле, а не монолитном, как в случае 3D NAND. Появление монолитного чипа 3D DRAM придаст импульс развитию направления HBM и окажет влияние на всю отрасль. Оптимизировать ячейки DRAM можно, уменьшив размеры элементов с помощью передовых методов литографии, например, создавать заготовки в два или четыре прохода. Samsung разрабатывает новую архитектуру ячеек 4F2, более компактную, чем актуальная 6F2, но для её создания потребуются новые материалы, в том числе сегнетоэлектрики.

Ещё одним перспективным направлением представляется укладка конденсатора на бок, что поможет снизить толщину слоёв, чтобы располагать эти слои вертикально. Производитель оборудования для выпуска чипов Lam Research предложил несколько способов достичь этой цели: перевернуть ячейку, сдвинуть линию битов и применять транзисторы с окружающим затвором (GAA). Рассматриваются конструкции DRAM вообще без конденсаторов; предлагается технология Floating Body DRAM (FB-DRAM) по аналогии флеш-памяти с плавающим затвором. Компания Neo Semiconductor предложила коммерческую технологию на основе ячейки Floating Body с двойным затвором. Моделирование показало, что «этот механизм способен повысить запас чувствительности и сохранение данных», заявил гендиректор компании Энди Сю (Andy Hsu). Таким образом, появление монолитной 3D DRAM действительно может быть не за горами, но производителям потребуются ещё несколько лет, прежде чем на поддержку одного из решений будут выделены средства.

Цены на обычную память DRAM снизятся на 8–13 %, а с учётом продукции HBM ожидаемое снижение цен составит 0–5 %. С таким прогнозом на первый квартал 2025 года выступила аналитическая компания TrendForce. Ключевыми причинами снижения цен на память эксперты называют уменьшение спроса на рынке и изменения ценовых тенденций в четвёртом квартале 2024 года.

Источник изображения: unsplash.com

Вялый покупательский спрос, ожидаемое увеличение производства DDR4 китайскими поставщиками и дешёвые чипы DRAM, наводнившие спотовый рынок, приведут к более резкому снижению цен на DDR4 по сравнению с DDR5. На этом фоне ожидается, что цены на DRAM для ПК продолжат снижаться быстрее, чем в предыдущем квартале.

Что касается серверной памяти DRAM, прогнозируется снижение контрактных цен как на DDR5, так и на DDR4 из-за слабого сезонного спроса в начале следующего года. Перепрофилирование значительных объёмов мощностей по выпуску памяти DDR4 производителями, а также в меньшей степени HBM для производства памяти DDR5 ещё больше увеличило объёмы предложений DDR5 на рынке, отмечают эксперты. В то же время внушительные складские запасы памяти DDR4 и планы китайских производителей по увеличению объёмов её выпуска в 2025 году приведут к ускорению снижения цен на этот вид продукции, считают аналитики.

TrendForce отмечает, что запасы чипов DRAM у производителей смартфонов вернулись к нормальному уровню. Ожидается, что в начале следующего года производители мобильных устройств продолжат придерживаться пассивной стратегии закупок новых чипов памяти, чтобы добиться более выгодных контрактных цен. В то же время поставки новых продуктов для первого квартала 2025 года начнутся уже к концу текущего года. В совокупности эта стратегия, как ожидается, приведёт к падению контрактных цен на память LPDDR4X и LPDDR5X на 8–13 % и 3–8 % соответственно.

Спрос на графическую память DRAM будет сдержанным в начале 2025 года. Ключевым драйвером роста станут поставки памяти нового поколения GDDR7. Однако на фоне общего снижения спроса на DRAM TrendForce прогнозирует, что средняя закупочная цена на графическую память DRAM в первом квартале снизится на 5–10 %. Хотя часть производственных мощностей постепенно перенаправляется на выпуск HBM, цены на графическую память DRAM вряд ли сохранят краткосрочную стабильность из-за её уязвимости к динамике внешнего рынка и возросшим запасам у покупателей.

Цены на потребительскую DRAM начали снижаться в четвёртом квартале 2024 года. Покупатели будут ожидать продолжения этого тренда в первом квартале 2025 года, что станет сильным рычагом воздействия при ведении переговоров с поставщиками.

Слабые продажи потребительских продуктов, ограниченный рост объёма памяти в составе техники, а также накопление запасов памяти со второго квартала 2024 года усилили давление на цены. Кроме того, ожидается, что избыточное предложение на спотовом рынке и продажи со скидками приведут к более резкому снижению контрактных цен на память в первом квартале 2025 года. Впоследствии прогнозируется, что цены на DDR3 и DDR4 снизятся на 3–8 % и 10–15 % соответственно.

Бурное развитие отрасли искусственного интеллекта сделало актуальными рассуждения о высоком энергопотреблении сопутствующей вычислительной инфраструктуры, но серверные компоненты нагружают окружающую среду не только во время эксплуатации, но и в процессе утилизации. Microsoft старается дать вторую жизнь списанным компонентам, чтобы снизить их влияние на экологию.

Microsoft, по данным TechRadar, объединила усилия с учёными из университетов Вашингтона и Карнеги-Меллона, чтобы разработать методику повторного использования ряда компонентов из отслуживших серверных систем. Концепция получила обозначение GreenSKUs — буквально, «зелёные комплектующие». Типовой срок амортизации серверных компонентов измеряется периодом от трёх до пяти лет, но по факту те же модули оперативной памяти могут прослужить гораздо дольше, просто за это время их обычно успевают заменить на более производительные. Твердотельные накопители также можно применять за пределами указанного срока эксплуатации, если они имеют приемлемую расчётную долговечность.

Современные технологии вроде интерфейса CXL позволяют объединять в одной системе компоненты разных поколений, при этом минимально теряя в производительности. Авторы инициативы разработали систему отбора бывших в использовании серверных компонентов для дальнейшего использования по критерию обеспечиваемого быстродействия и уровня энергопотребления. С программной стороны для таких «вторичных» серверов подбираются вычислительные нагрузки, с которыми они будут успешно справляться. Центральные процессоры AMD EPYC семейства Bergamo обеспечивают приемлемую производительность при низком энергопотреблении, в серверных системах GreenSKUs они соседствуют с модулями памяти и SSD, бывшими в употреблении.

По некоторым оценкам, инфраструктура облачных вычислений сейчас потребляет до 3 % мирового объёма ежегодно вырабатываемой электроэнергии. Уже к 2030 году она будет отвечать за 20 % углеродных выбросов. Используя подход GreenSKUs, величину выбросов удастся снизить на 8 %, как считают авторы инициативы. Если подход распространить на весь мир, то выбросы удастся снизить на пару десятых долей процента, а это уже сопоставимо с влиянием всего парка эксплуатируемых на территории США смартфонов на окружающую среду.

С точки зрения быстродействия серверных систем типа GreenSKUs приходится идти на ухищрения, стараясь снизить влияние возросших задержек в модулях памяти, а быстродействие твердотельных накопителей приходится увеличивать за счёт объединения в RAID-массивы. Кроме того, процессоры AMD Bergamo имеют ограниченное быстродействие кеша. Microsoft приходится балансировать характеристики всего комплекса серверных систем, чтобы GreenSKUs его не слишком явно снижали. Корпорация использует этот подход при развитии своей инфраструктуры Azure.

Статистика DRAMeXchange гласит, что в конце ноября контрактная стоимость 8-гигабитного чипа DDR4 не превышала $1,35. Если учесть, что в июле она достигала $2,1, можно говорить о снижении цены на 35,7 %. Снижение цен на ОЗУ во втором полугодии было обусловлено целым рядом факторов, как поясняют представители DRAMeXchange.

Источник изображения: Samsung Electronics

С одной стороны, спрос на смартфоны и ПК в текущем году так и не восстановился до желаемых производителями памяти уровней. Соответственно, производители устройств данных типов не стали наращивать складские запасы микросхем памяти. С другой стороны, китайские производители, освоившие выпуск чипов DDR4, начали его наращивать в надежде за счёт более низких цен привлечь к себе покупателей. По некоторым данным, та же CXMT продаёт 8-гигабитные чипы DDR4 по цене $1 за штуку, что почти в два раза ниже июльского уровня.

Аналитики Kiwoom Securities, на которых ссылается Business Korea, поясняют, что цены на ОЗУ в конце этого и начале следующего года упадут заметно сильнее, чем ожидалось. В условиях, когда CXMT и прочие производители наращивают объёмы выпуска памяти, предложение будет превышать потребности рынка как минимум до второго квартала следующего года. Для финансового благополучия той же Samsung подобная динамика цен представляет определённую угрозу.

Средняя цена сделки по покупке 16-гигабитных микросхем DDR5 в ноябре опускалась на 3,7 % до $4,05 по сравнению с октябрём. Если же сравнивать с уровнем июля, то снижение достигло 16,1 %. Затяжной характер снижения цен может подорвать способность крупных компаний типа Samsung и SK hynix инвестировать в модернизацию своих производственных линий и строительство новых. Поскольку они являются крупными налогоплательщиками в Южной Корее, это может оказать негативное влияние на всю национальную экономику.

Совокупная выручка мировых производителей чипов оперативной памяти DRAM по итогам III квартала 2024 года составила $26,02 млрд, что на 13,6 % больше, чем кварталом ранее, сообщили аналитики TrendForce. Рост обусловлен высоким спросом на память DDR5 и HBM для центров обработки данных — эту тенденцию не сломило ни снижение поставок LPDDR4 и DDR4 из-за сокращения запасов у китайских производителей смартфонов, ни расширение мощностей у китайских производителей DRAM.

Источник изображения: samsung.com

Средняя цена продажи (ASP) продолжила тенденцию к росту, взятую в предшествующем квартале; контрактные цены выросли на 8–13 %, а HBM усилила эту тенденцию, вытесняя производство обычной DRAM. На IV квартал аналитики прогнозируют квартальный рост общих поставок DRAM в битах, хотя ожидается, что активный выпуск HBM будет и дальше пагубно сказываться на производстве обычной DRAM. Китайские поставщики начали расширять мощности, что может побудить производителей ПК и смартфонов интенсивно избавляться от запасов и закупать более дешёвую DRAM. В результате контактные цены на обычную DRAM начнут снижаться.

Рост контрактных цен на DRAM для ПК и серверов в III квартале увеличил доходы трёх крупнейших производителей памяти. Первое место сохранила за собой Samsung, чья выручка составила $10,7 млрд — на 9 % больше, чем кварталом ранее. Из-за стратегического сокращения запасов LPDDR4 и DDR4 объёмы поставок в битах остались на уровне предыдущего квартала. SK hynix доложила о выручке в $8,95 млрд — второе место и рост на 13,1 % квартал к кварталу. Компания нарастила отгрузки HBM3e, но из-за слабых продаж LPDDR4 и DDR4 объёмы поставок в битах сократились на 1–3% в квартальном исчислении. Выручка Micron выросла на 28,3 % до $5,78 млрд из-за сильного роста поставок серверной DRAM и HBM3e — объёмы отгрузок в битах увеличились за квартал на 13 %.

Источник изображения: trendforce.com

Выручка тайваньских поставщиков в III квартале сократилась — они значительно отстали от трёх ведущих брендов. Поставки продукции Nanya Technology в битах сократились более чем на 20 % из-за ослабления спроса на потребительскую DRAM и роста конкуренции на рынке DDR4 со стороны китайских производителей. Из-за инцидента с отключением электроэнергии операционная прибыль компании снизилась с -23,4 % до -30,8 %. Выручка Winbond сократилась на 8,6 % в квартальном исчислении и составила $154 млн — спрос на потребительскую DRAM упал, поставки в битах сократились. PSMC доложила о снижении выручки от собственного производства потребительской DRAM на 27,6 %; но с учётом выручки от полупроводникового производства общая выручка компании от продажи DRAM увеличилась на 18 % — это связано с постоянным пополнением запасов от клиентов на полупроводниковое производство.

Процесс перехода на DDR5 и HBM3 набрал обороты, но память прежних поколений по-прежнему пользуется большой популярностью. На этом фоне китайские производители DRAM Changxin Memory (CXMT) и Fujian Jinhua предлагают огромные скидки на чипы DDR4 — до 50 % по сравнению с аналогичными микросхемами от южнокорейских производителей. В некоторых случаях цена на новые чипы DDR4 оказывается ниже, чем на восстановленные при помощи реболлинга.

Источник изображения: unsplash.com

Производственная мощность CXMT выросла с 70 000 пластин в месяц в 2022 году до 200 000 в 2024 году. Компания намерена увеличить объёмы производства до 300 000 пластин в месяц и занять 11 % мирового рынка DRAM в ближайшие годы. Fujian Jinhua, несмотря на санкции правительства США, также удалось нарастить производство DDR4.

Избыточное предложение чипов DDR4 привело к острой ценовой конкуренции: китайские производители предлагают цены на 50 % ниже, чем Micron, Samsung и SK hynix, и на 5 % ниже даже подержанных чипов памяти после реболлинга. Такое агрессивное ценообразование снижает цены на рынке DDR4, заметно влияя на потребительский сегмент. Тем не менее, промышленные клиенты по-прежнему осторожны в отношении памяти DRAM от китайских производителей.

Реагируя на ценовое давление, корейские производители DRAM сокращают производство DDR4 и переходят на DDR5 и HBM3 — микросхемы, которые китайские поставщики в настоящее время не в состоянии производить массово. Этот шаг направлен на сохранение прибыльности и противодействие конкурентному преимуществу китайских производителей в сегменте DDR4. Ожидается, что переход на DDR5 и HBM3 стабилизирует рынок DRAM, решив проблему избыточного предложения и перенаправив ресурсы на более продвинутые, пользующиеся высоким спросом технологии памяти.

Правительство Китая активно поддерживало расширение производства микросхем DRAM с помощью субсидий и национальной политики, способствуя росту внутреннего производства. Эта поддержка позволяет китайским производителям предлагать высококонкурентные цены, не беспокоясь о немедленной прибыльности, поскольку их целью является доминирование как на местных, так и на международных рынках.

Китайские производители DRAM также изучают косвенные стратегии выхода в такие регионы, как Индия, где они рассчитывают на партнёрские отношения с тайваньскими брендами. Этот подход призван смягчить политические и экономические риски, связанные с санкционной политикой США, и расширить присутствие на рынках, опасающихся прямых китайских продуктов.

CXMT недавно столкнулась с масштабной производственной задержкой, вызванной человеческим фактором. В брак отправились 65 000 пластин — почти треть месячного производства. Тем не менее, это не остановило расширение компании: мощности растут, а на заводах в Хэфэе и Пекине продолжается модернизация.

На квартальной конференции Intel главу компании Патрика Гелсингера (Patrick Gelsinger) спросили о намерениях компании использовать интеграцию памяти на одну подложку с процессором в будущем, по примеру представленных недавно Lunar Lake. Он однозначно дал понять, что подобных планов у компании нет, и последующие центральные процессоры Intel будут иметь обычную компоновку.

Источник изображения: Intel

По словам Гелсингера, ситуация с компоновкой Lunar Lake остаётся по-своему уникальной. «Знаете, первоначально Lunar Lake создавался как нишевый продукт, с помощью которого мы хотели достичь высочайшего быстродействия и максимального времени работы от аккумулятора, а потом случились ИИ ПК», — поведал историю создания процессоров этого семейства глава корпорации. Компьютеры с возможностью локального ускорения работы систем искусственного интеллекта продемонстрировали свой потенциал массового применения, и Lunar Lake постепенно превратился в массовый продукт, как добавил Гелсингер.

Собственно Intel заниматься пусть и такой опосредованной, но реализацией памяти, не собирается, по словам генерального директора: «Это не самый удачный способ вести бизнес». Он тут же добавил: «На самом деле, это было всего один раз с Lunar Lake. Это не повторится с Panther Lake, Nova Lake и их преемниками. Мы будем создавать процессоры в более классической компоновке, с памятью, не связанной с их упаковкой». При этом на уровне упаковки процессора будут интегрироваться различные интерфейсы, вычислительные и графические блоки, нейронные сопроцессоры, но оперативная память будет существовать за пределами центральных процессоров, как подчеркнул Гелсингер.

Кстати, прошедшая квартальная конференция стала первым мероприятием Intel, на котором руководство публично признало существование планов по выпуску процессоров семейства Nova Lake. Об их существовании СМИ до этого узнали из документов Intel для внутреннего пользования, а публично такие планы компания никак не комментировала до последних пор. Предполагается, что процессоры Nova Lake в конце 2026 или начале 2027 года станут преемниками мобильных версий Panther Lake. Как уже отмечалось сегодня, часть кристаллов для Nova Lake продолжит выпускать TSMC.

Samsung объявила о выпуске первых в мире 24-гигабитных микросхем памяти GDDR7. Эта память отличается самой высокой на сегодняшний день ёмкостью и скоростью, превышающей 40 Гбит/с, что делает её идеальным решением для высокопроизводительных ускорителей будущего. Тестирование новинки основными заказчиками начнётся в этом году, а массовое производство запланировано на начало 2025 года. Весьма вероятно, эта память пропишется в GeForce RTX 5090 и других видеокартах нового поколения.

Источник изображений: Samsung

Новое решение от Samsung найдёт применение не только в традиционных областях — видеокартах, игровых консолях и системах автономного вождения, но также в дата-центрах и рабочих станциях для ИИ. Благодаря высокой скорости передачи данных и увеличенной ёмкости новая GDDR7 станет ключевым компонентом для инфраструктуры, требующей быстрого доступа к большим объёмам информации.

«Разработав в прошлом году первую в отрасли 16-гигабитную GDDR7, Samsung укрепила своё технологическое лидерство на рынке графической DRAM этим последним достижением», — заявил ЁнЧхоль Бэ (YongCheol Bae), исполнительный вице-президент по планированию продуктов памяти Samsung. Он также отметил, что компания продолжит выпускать инновационные продукты, отвечающие растущим потребностям индустрии ИИ и высокопроизводительных вычислений.

Новая 24-гигабитная GDDR7 использует DRAM пятого поколения, изготовленную по техпроцессу 10-нм класса, что позволило увеличить плотность ячеек на 50 % без изменения размеров упаковки. Это значительное технологическое достижение обеспечивает более высокую ёмкость и производительность по сравнению с предыдущими решениями.

Одним из ключевых технологических достижений Samsung является применение трёхуровневой амплитудно-импульсной модуляции PAM3, которая позволяет достигать скорости свыше 40 Гбит/с, что на 25 % быстрее по сравнению с предыдущим поколением GDDR6. В зависимости от условий эксплуатации производительность может увеличиваться до 42,5 Гбит/с.

Энергоэффективность новинки была значительно улучшена за счёт внедрения технологий, ранее использовавшихся в мобильных устройствах, теперь впервые применённых в графической памяти. Внедрение методов управления тактовой частотой и двухуровневого дизайна питания (VDD) позволило существенно сократить потребление энергии, что привело к повышению энергоэффективности более чем на 30 %. Это особенно критично для систем с высокой вычислительной нагрузкой, где каждый процент энергоэффективности приводит к ощутимым выгодам.

Для обеспечения стабильной работы GDDR7 при высоких скоростях обработки данных была минимизирована утечка тока за счёт использования новых методов управления питанием. Это позволяет значительно снизить энергопотери и повысить надёжность системы даже при максимальных нагрузках.