Эксперты TrendForce разделяют мнение многих участников рынка, согласно которому спрос на микросхемы памяти в следующем году продолжит расти благодаря буму ИИ. Тем не менее, сегменты DRAM и NAND будут сильно различаться в своей динамике. В частности, примерно через год предложение твердотельной памяти значительно улучшится и появятся предпосылки для снижения цен.

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Источник изображения: SK hynix

С другой стороны, в сегменте DRAM в следующем году будет сохраняться дефицит и тенденция к росту цен, как утверждают специалисты TrendForce. Это не значит, как поясняет источник, что производители DRAM не будут прилагать усилий к увеличению объёмов выпуска продукции, но в ближайшее время они сосредоточатся на оптимизации использования существующих мощностей, в том числе — благодаря переходу на более прогрессивные технологии. В случае же со строительством новых фабрик графики неизбежно растянутся до второй половины следующего года, как минимум. Тем самым, условия для появления новых мощностей по выпуску DRAM не возникнут до 2028 года.

Высокий спрос на память типа HBM, к тому же, не позволит поставкам вырасти пропорционально увеличению количества обрабатываемых кремниевых пластин. Как известно, на выпуск одного чипа HBM уходит гораздо больше кремниевых кристаллов, чем в случае с планарной памятью DRAM. Соответственно, насыщение рынка оперативной памятью в целом будет происходить медленнее, чем это могло бы произойти в эпоху до появления высокого спроса на HBM. При этом и цены на DRAM не смогут замедлить свой рост в следующем году в той же степени, как это произойдёт в сегменте NAND.

По оценкам TrendForce, объёмы поставок серверных систем в следующем году вырастут более чем на 17 %, которые должны быть продемонстрированы по итогам текущего года. Удельный объём HBM в одном сервере вырастет, этому будет способствовать и появление новых типов памяти вроде SOCAMM. Это также будет поддерживать спрос на DRAM на высоком уровне. Высокие цены на память будут подавлять спрос на ПК и смартфоны, поэтому в этих сегментах рынка в следующем году сохранится негативная динамика продаж.

Если цены на память продолжат расти сопоставимыми с этим годом темпами, то доля расходов на её покупку в структуре капитальных затрат облачных гигантов вырастет, и это повлияет на спрос, а затем и создаст условия для некоторого снижения цен.

Источник изображения: TrendForce

В сегменте NAND, как поясняет TrendForce, в текущем году объёмы выпуска увеличивались главным образом благодаря миграции на более прогрессивные технологии, а производственные площади не расширялись. Выпуск продукции для серверного сегмента оставался приоритетным видом деятельности. В следующем году предложение NAND начнёт расширяться активнее благодаря не только к переходу к выпуску памяти с большим количеством слоёв, но и благодаря появлению новых производственных мощностей. В серверном сегменте востребована память типа QLC, она же составит основную часть дополнительного объёма предложения в 2027 году. Сегмент потребительской электроники практически не имеет шансов на положительную динамику, поскольку высокие цены будут подавлять спрос, а ориентация на серверные SSD со стороны производителей будет способствовать сохранению дефицита. В отличие от сегмента DRAM, рынок NAND в следующем году имеет шансы перейти к состоянию, когда дефицит не будет столь сильно выраженным и даже может исчезнуть. Способствовать появлению дополнительного спроса может всплеск популярности агентских приложений в сфере ИИ, поскольку скоростные SSD в этом случае окажутся весьма востребованными.

В серверный сегмент в следующем году будет направляться до 43,7 5 всей DRAM против 42,2 % в текущем, как прогнозирует TrendForce. Мобильный сегмент сократит свою долю с 33,6 до 33,4 %. Рынок ПК сможет претендовать от силы на 5,6 % всей DRAM, хотя ещё в этом году данный показатель достигал 7,4 %. Зато сегмент графических решений увеличит свою долю с 11,9 до 13,6 %. Потребительская электроника «сдуется» с 4,9 до 3,7 %.

Доминирование серверного сегмента на рынке NAND будет выражено ещё сильнее, поскольку в следующем году он будет потреблять до 51,1 % всей флеш-памяти против 44,2 % в текущем. Мобильный сегмент ужмётся с 24,8 до 23,2 %, рынок ПК сможет претендовать на 11,5 % против нынешних 14,3 %, потребительская электроника сможет рассчитывать на сопоставимые доли. Игровым же консолям достанется от силы 1,6 % всей NAND в 2026 году в побитовом выражении. Для сравнения, в текущем году этот показатель достигнет 2,3 %, как считают в TrendForce.

Технологическая отрасль переживает кризис, связанный с дефицитом чипов памяти и сопутствующим ростом цен на них — это ощутили на себе даже Apple и Samsung. Apple пытается получить от властей США разрешение на закупку китайской памяти, но, возможно, вскоре ей это не понадобится.

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Источник изображения: samsung.com

Samsung начала предпринимать меры, чтобы к концу этого года нарастить производство DRAM на 15 %, и в первую очередь, чтобы удовлетворить спрос крупных клиентов, таких как Apple, узнало издание Seoul Economic Daily. Для этого компания построит новый завод на первой площадке в Хвасоне (Hwaseong Campus Complex 1). Сейчас здесь осуществляется основной этап (main fab) изготовления DRAM из кремниевых пластин, а финальная обработка (end fab) производится на предприятиях второго комплекса в Хвасоне (Hwaseong Complex 2) и площадки в Чхонане (Cheonan Campus).

Возведение дополнительного завода по финальной доработке чипов памяти на первой площадке оптимизирует логистику и поможет Samsung сократить время, которое затрачивается на транспортировку пластин между комплексами — в результате объём производства DRAM увеличится. На первой площадке в Хвасоне уже есть чистые помещения — это пространство освободилось после демонтажа старых линий по производству памяти. Появление производственной линии здесь будет выгодным в экономическом аспекте и в аспекте времени. А впоследствии расширится производство во втором комплексе в Хвасоне и на площадке в Чхонане.

Если в сфере поставок логических компонентов главным выгодоприобретателем в условиях бума ИИ можно смело считать компанию Nvidia, то в сегменте микросхем памяти на этой тенденции последних лет больше всего заработала SK hynix. Это формирует завышенные ожидания аналитиков, которые по итогам второго квартала не оправдались даже с учётом утроения выручки.

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Источник изображения: SK hynix

Как уточняет CNBC, по итогам второго квартала SK hynix выручила $54,55 млрд, что на 257 % больше итога аналогичного периода прошлого года, а операционная прибыль взлетела на 557 % и достигла $41,6 млрд. Последовательно выручка увеличилась на 51 %, а операционная прибыль выросла на 61 %. В любом случае, оба показателя оказались заметно ниже консенсус-прогноза аналитиков LSEG SmartEstimates. Более того, операционная прибыль во втором квартале достигла рекордной величины.

Важен и другой рубеж — операционная прибыль SK hynix за первое полугодие впервые в истории компании превысила 100 трлн вон, что соответствует сумме около $69 млрд. К массовым поставкам HBM4 компания приступила во втором квартале, в текущем полугодии объёмы её выпуска будут наращиваться, в прошлом полугодии также были отгружены первые образцы HBM4E. На предприятиях SK hynix в Южной Корее 321-слойная NAND к концу года будет формировать около 50 % объёмов производства.

SK hynix уже заключила около 10 долгосрочных контрактов на поставку памяти со своими клиентами, переговоры с дополнительными покупателями на эту тему продолжаются. По мнению некоторых аналитиков, конкурирующая Samsung Electronics цены на свою продукцию повышает более агрессивно, поэтому операционная прибыль SK hynix и не оправдала ожиданий рынка в минувшем квартале. К концу периода у SK hynix накопилось более $60 млрд свободных средств. Чистая прибыль компании во втором квартале выросла более чем в 13 раз до $64,5 млрд, но на две трети эта сумма определялась выгодой от инвестиций, поэтому напрямую об успешности бизнеса по производству памяти она не говорит. Скорее всего, SK hynix выручила крупную сумму от реализации своей доли в капитале конкурирующей Kioxia. По словам представителей SK hynix, в этом году компания потратит $27,5 млрд на строительство новых предприятий и расширение производства.

Появление на рынке модулей памяти с чипами CXMT не привело к ожидаемому снижению цен. Несмотря на расширение предложения, новые модули в Китае стоят практически столько же, а в отдельных случаях даже дороже аналогов Samsung и SK hynix.

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Источник изображения: CXMT

По сообщению Tom's Hardware, 64-гигабайтный модуль DDR5-5600 RDIMM на чипах Samsung или SK hynix продаётся на китайской площадке JD.com по цене 18 595 юаней ($2745), тогда как аналог той же ёмкости и с теми же характеристиками производства CXMT предлагается за 18 999 юаней ($2805). Разница составляет около 2,2 %, что, несмотря на высокую стоимость продукции, нельзя назвать существенным. Для сравнения, на американской площадке Amazon оперативная память DDR5-5600 RDIMM объёмом 64 Гбайт предлагается за $2425.

Хотя CXMT использует более старый техпроцесс производства DRAM, из-за чего её микросхемы отличаются более высоким энергопотреблением, меньшим потенциалом производительности и ограниченными возможностями разгона, компания, как и её конкурент YMTC, получает государственную поддержку в Китае. Это позволяет производителям выпускать память с более низкой себестоимостью, однако подобное преимущество не отражается напрямую на розничных ценах готовых модулей.

Отмечается, что стоимость продукции определяется не только производственными затратами, но и рыночной ситуацией. Например, на фоне ограниченных производственных мощностей производители памяти не заинтересованы в существенном снижении цен, а даже возможная более низкая стоимость чипов CXMT для производителей модулей не гарантирует уменьшения конечной цены для покупателей.

Дополнительное влияние на стоимость оказывает строгая процедура проверки, используемая крупными производителями оборудования, включая Apple, Dell и Corsair. В результате, чипы CXMT хоть и способны расширить доступность компонентов для производителей устройств, однако заметного снижения розничных цен на модули памяти ожидать пока не приходится.

SK hynix активизировала разработку DRAM с 3D-компоновкой поверх логического кристалла (3D-Stacked DRAM-on-Logic), предназначенной для работы на оборудовании нового поколения для систем искусственного интеллекта, в том числе мобильных. Компания начала набор специализирующихся на этой технологии инженеров через свой американский филиал в Сан-Хосе. SK hynix уже заключила соглашение с конкретным клиентом на разработку решений на основе этой технологии, передаёт ZDNet.

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Источник изображения: skhynix.com

SK hynix впервые начала нанимать специалистов по DRAM с 3D-компоновкой — она будет использоваться на ИИ-оборудовании нового поколения; этот шаг рассматривается как начало подготовки к выводу решения на рынок. В объявлении о вакансии уточняется, что работа будет вестись в тесном сотрудничестве с американским заказчиком в целях совместного создания кристаллов 3D-Stacked DRAM-on-Logic, то есть с вертикальной интеграцией DRAM непосредственно поверх системы на кристалле. В отличие от компоновки упакованных чипов (Package-on-Package — PoP) этот метод предполагает более короткие межсоединения и большее число каналов ввода-вывода на той же площади. Снижается задержка передачи данных, повышаются энергоэффективность и эффективнее используется пространство.

Технология разрабатывается для систем ИИ — они требуют высокой пропускной способности памяти и низкого потребления энергии, и возможностей традиционных схем PoP уже не хватает. Одним из наиболее перспективных областей применения технологии считаются мобильные процессоры — в этом сегменте часто используются передовые техпроцессы и технологии упаковки. Ведущими разработчиками таких систем являются Apple и Qualcomm.

Информация о работе над проектом соответствует дорожной карте SK hynix, которую корейская компания представила на технологическом симпозиуме TSMC в этом году. Президент и директор по развитию SK hynix Хён Ан (Hyun Ahn) заявил, что развитию ИИ-оборудования мешают несовершенства технологий памяти — требуются новые архитектуры, выход за рамки постепенных улучшений. Корейская компания, заявил он, совместно с TSMC намеревается применить передовые логические процессы к базовым кристаллам HBM4, расширить решение на высокоскоростную флеш-память (HBF), а также на схему 3D-компоновки DRAM поверх логического кристалла: дальнейшая интеграция памяти с логикой будет способствовать росту производительности и энергоэффективности.

Samsung параллельно тоже ведёт исследования в области 3D DRAM нового поколения. Недавно компания опубликовала совместную статью с imec, KU Leuven и Lam Research — материал посвящён архитектуре монолитной 3D DRAM с использованием каналов на оксидах полупроводников. Исследование пока остаётся на стадии моделирования, о планах выводить технологию на рынок пока не сообщается.

Чипы памяти DRAM в настоящее время являются одним из немногих продуктов в мире вычислительной техники, предложение которого настолько ограничено, что для стабилизации цепочки поставок может потребоваться ещё 10 лет. Такое мнение выразил председатель совета директоров компании Adata Чен Ли-бай (Chen Li-bai).

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Источник изображения: SK hynix

По его словам, пузырь искусственного интеллекта далёк от того, чтобы лопнуть, поскольку спрос на DRAM значительно превышает предложение, и даже с учётом расширения производственных мощностей производителями памяти по всему миру, дефицит DRAM сохранится ещё на десятилетие.

Заявление Чен Ли-бая было вызвано недавним падением акций TSMC, несмотря на рекордную прибыль производителя микросхем. Хотя некоторые наблюдатели рынка предположили, что это может указывать на спад ажиотажа вокруг ИИ, председатель совета директоров Adata выступил с противоположным заявлением, предположив, что до того, как пузырь лопнет, пройдёт ещё десять лет.

По словам Чен Ли-бая, обсуждение потенциального краха пузыря ИИ в отрасли может начаться только после 2030 года. После этого можно будет делать предварительные оценки того, сохранится ли повышенный спрос на память DRAM, флеш-память NAND и вычислительные мощности до 2040 или 2050 года. Текущая динамика спроса приводит к экспоненциальному росту всей вертикали в цепочке поставок памяти для ОЗУ, SSD, вычислительной техники, энергетической инфраструктуры и других областей. Общая тенденция указывает на то, что спрос будет продолжать опережать предложение в течение многих лет.

Ещё один момент, который следует учитывать, заключается в том, что текущие проекты расширения производства у южнокорейских SK hynix и Samsung, американской Micron и даже китайской CXMT недостаточны для удовлетворения спроса. Эти компании проявляют осторожность, не увеличивают резко доступные предложения и сохраняют сдержанность. Они понимают, что значительное увеличение производственных мощностей DRAM может потенциально нанести ущерб рентабельности бизнеса.

Три крупнейших производителя чипов оперативной памяти были вынуждены перенаправить почти все свои производственные мощности на поддержку масштабных проектов в области центров обработки данных для систем искусственного интеллекта. Потребительский сегмент отошёл на второй план, и китайские производители всё чаще воспринимаются как альтернатива.

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Источник изображения: x.com/zephyr_z9

Показатели китайского производителя чипов оперативной памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) растут быстрее, чем ожидалось: предполагается, что к концу 2026 году компания будет выпускать от 350 тыс. до 375 тыс. пластин DRAM в месяц. В 2020 году CXMT выпускала 40 тыс. пластин DDR4 в месяц; к концу 2025 года она вышла на 720 тыс. пластин за квартал. И если к концу текущего года она действительно выйдет на 375 тыс. пластин в месяц, то её мощности станут сопоставимы с показателями Micron.

CXMT может наращивать производственные мощности быстрее, чем производители памяти в других частях мира, указывают аналитики Citrini. Финансовая сторона вопроса больше не является препятствием, потому что бум ИИ спровоцировал резкий рост цен на память, а значит, и прибыль производителей. Продукция компании всё активнее используется в потребительской продукции — Corsair, в частности, устанавливает их на свои модули памяти, и эта практика может избежать беспрецедентных цен на современные продукты с DDR5. К 2030 году CXMT может выйти на 950 тыс. пластин в месяц, стать крупнейшим производителем в Китае и выступать наравне с крупнейшими компаниями мира.

Пока она не может выпускать ни высококлассные чипы DDR5, ни HBM. Но даже если DRAM от CXMT не будет самой быстрой из доступных, она всё равно может существенно изменить мировой рынок памяти, где сложилась непростая обстановка. Потребители всё чаще обращаются к китайской продукции как к возможной альтернативе, потому что из-за спроса на чипы памяти со стороны отрасли ИИ потребительская электроника резко подорожала.

Производители микросхем памяти, которые вкладывают в расширение собственных мощностей сотни миллиардов долларов, склонны успокаивать инвесторов по поводу вероятности очередного спада спроса аргументами из разряда исчезновения цикличности рынка. Некоторые эксперты предупреждают, что в сегменте классической DRAM признаки перепроизводства могут возникнуть уже в 2028 году.

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Источник изображения: SK hynix

Такого мнения придерживается профессор сеульского Университета Сюнгюнгван Квон Сок Чун (Kwon Seok-joon), на комментарии которого ссылается ресурс Financial Times: «Производители чипов строят свои планы, исходя из предположения, что спрос на ЦОД останется высоким в ближайшие два или три года. Но спрос на память упадёт, если отдача от инвестиций в ИИ не оправдает ожиданий». По его мнению, уже в 2028 году рынок памяти может столкнуться с кризисом перепроизводства.

Известный инвестор Майкл Бьюрри (Michael Burry), который в своё время предсказал мировой финансовый кризис 2008 года, убеждён, что всплеск инвестиций в строительство новых предприятий по производству памяти в действительности является «началом конца». Инвестор занял короткую позицию по акциям американского производителя памяти Micron Technology. По его словам, когда всё хорошо, акции растут в цене сильнее, чем следовало. Когда всё плохо, они падают в цене сильнее, чем могли бы. О специфике выживания на рынке памяти говорит хотя бы тот факт, что в девяностые годы прошлого века выпуском такой продукции занимались около 20 компаний, но сейчас основными игроками на рынке остаются только Samsung, SK hynix и Micron.

Две первые недавно объявили о намерениях вложить в расширение своих мощностей около $1,5 трлн на протяжении ближайших 15 лет. При этом основная часть новых предприятий по выпуску памяти будет введена в строй не ранее 2030 года. Долгосрочные контракты хоть и защищают производителей памяти от резких колебаний спроса и цен, глобально ситуацию изменить не способны. Дополнительные мощности в лучшем случае начнут влиять на объёмы поставок памяти через пять лет, а за это время ситуация со спросом может измениться. Кадровый дефицит является важным фактором, ограничивающим высокие темпы экспансии производства памяти. Лучше всего от перепроизводства защищён сегмент HBM, поскольку эта память сильнее адаптирована под нужды конкретных заказчиков, а вот универсальная DRAM может оказаться в избытке уже к 2029 году, как считает профессор Квон.

Активность китайских производителей памяти создаёт дополнительную сложность с формированием прогнозов, как подчёркивают аналитики Morgan Stanley. До 2028 года примерно 30 % расширения производственных мощностей будет приходиться именно на Китай, быстрее их будет наращивать только Южная Корея. При этом та же китайская CXMT не скрывает своего интереса к международному рынку. Если она будет наращивать мощности быстрее зарубежных конкурентов, то для мирового рынка памяти это станет потенциальным источником нестабильности.

Пандемия ударила по автомобильному производству неожиданным образом, когда поставщикам транспортных средств перестало хватать простейших полупроводниковых чипов. Сейчас все мощности полупроводниковой отрасли работают на сферу ИИ, интересы рынков ПК и смартфонов обслуживаются в последнюю очередь, а тем же автомобилям в современных условиях требуется довольно много памяти.

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Источник изображения: BYD

По данным TechNews, оборудование автопилота Tesla четвёртого поколения подразумевало использование 32 Гбайт памяти GDDR6/LPDDR, но выходящая в этом году версия 4+ уже удваивает этот объём до 64 Гбайт. Популярная среди автопроизводителей платформа Nvidia Orin также использует 32 или 64 Гбайт оперативной памяти. Казалось бы, это не так много, но только лишь DRAM потребности бортовой электроники автомобилей не ограничиваются.

Если в начальных конфигурациях бортовые системы машины, включая развлекательную и отвечающие за помощь водителю в управлении, требуют до 40 Гбайт оперативной памяти, то в старших конфигурациях её объём может превышать 100 Гбайт. В случае с твердотельной памятью NAND, используемой для долговременного хранения информации, разбег требований ещё больше. Обновления ПО, которые поступают «по воздуху», для своего временного хранения требуют до 10 Гбайт дискового пространства в минимальном случае, а с учётом резерва можно говорить о всех 50 Гбайт.

Для хранения большого количества изображений, используемых в работе систем автопилота, требуется от 100 до 300 Гбайт памяти. Попутно прогрессируют и мультимедийные системы автомобилей, некоторые из них берут на вооружение ИИ-ассистентов, что также поднимает требования к доступному дисковому пространству. Твердотельный накопитель современного автомобиля в этом случае должен обладать объёмом от 500 Гбайт до 1,5 Тбайт, и в будущем требования будут расти практически ежегодно.

Согласно прогнозу аналитиков Citrini Research, мировой дефицит чипов памяти сохранится до 2030 года, даже с учётом увеличения поставок микросхем из Китая. Спрос на DRAM по-прежнему будет превышать предложение, и ожидается, что этот дисбаланс окажется весьма значительным.

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Источник изображения: Laura Ockel / unsplash.com

По оценкам Citrini Research, к 2030 году прогнозируется дефицит памяти в объёме 28,7 эксабайт (Эбайт) при общем мировом спросе в 157,5 Эбайт. Таким образом, рынок недополучит около 25 % необходимого объёма памяти, считают эксперты. Эта цифра включает в себя как высокопроизводительную память HBM, так и традиционную DRAM, однако «основным узким местом остаётся DRAM общего назначения», говорится в отчёте. Согласно тем же оценкам, текущий уровень дефицита составляет около 18 %.

Источник изображений здесь и ниже: X / Zephyr

Примечательно, что оценка на 2030 год не охватывает спрос на память для физического ИИ (например, для роботов и беспилотных автомобилей). «Даже если мои оценки спроса со стороны дата-центров и сферы ИИ завышены (а это не так), они будут компенсированы спросом со стороны физического ИИ», — сообщил автор исследования из Citrini Research на своей странице в соцсети X.

Согласно текущим оценкам, в этом году глобальная производственная мощность DRAM составит 40 Эбайт. Это ненамного больше прогнозируемого объёма дефицита в 2030 году. «Я ожидаю дефицит на уровне 25 % на общем рынке DRAM. Отрасль сможет предложить только 91 Эбайт в год при спросе 120 Эбайт в год. Средняя цена продажи DRAM останется завышенной и, вероятно, будет держаться в диапазоне от 1,5 до 2,0 долларов за 1 Гбайт», — говорит автор исследования.

Как пишет портал PC Gamer, не исключено, что за это время на рынке могут появиться инновационные решения, связанные с повышением эффективности ИИ, которые помогут улучшить ситуацию и снизить спрос на память. Например, недавно разработанный Google алгоритм TurboQuant обещает шестикратное снижение потребления памяти ИИ-моделями. Правда, вопрос о том, действительно ли такие разработки снижают спрос или просто открывают возможности для ещё более широкого использования ИИ, также остаётся открытым.

Как бы иронично это ни звучало в разгар кризиса доступности оперативной памяти, компания Apple в рамках подготовки к выпуску флагманского процессора M7 Ultra предусмотрит для него поддержку 1,5 Тбайт оперативной памяти. Системы на его основе, тем самым, поравняются с компьютером Mac Pro на основе процессоров Intel образца 2019 года.

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Источник изображения: Apple

Компоновка процессоров Apple собственной разработки создавала определённые ограничения в части объёма поддерживаемой памяти, поскольку микросхемы DRAM интегрировались с процессором на одну подложку. Это поднимало скорость обмена, но не обеспечивало гибкости в выборе объёма памяти. Будущий процессор M7 Ultra, если верить Марку Гурману (Mark Gurman) из Bloomberg, обеспечит поддержку до 1,5 Тбайт оперативной памяти, что в два раза превышает возможности актуального M5 Ultra. Другой вопрос, как скоро подобные конфигурации станет возможным купить после анонса M7 Ultra, но его следует адресовать общей ситуации на рынке памяти, а не самой Apple. В нынешних ценах поддержка 1,5 Тбайт памяти обойдётся покупателю в $35 000, если рассматривать переход от 128 Гбайт.

Нынешнее поколение Mac Studio невольно сталкивается с сокращением объёма доступной оперативной памяти, как отмечает 9to5Mac. Система на базе M3 Ultra в этом году утратила модификацию с 512 Гбайт памяти, а затем и вариант с 256 Гбайт памяти. В итоге Mac Studio остался доступен лишь с 96 Гбайт оперативной памяти. Чтобы поднять планку до 128 Гбайт, необходимо выбирать версию Mac Studio на базе M4 Max. Дебютирующий в этом году M5 Ultra получит поддержку до 768 Гбайт памяти, и это будет рекордом для современного поколения продукции Apple.

Обывателю в наступившую эпоху ИИ-бума кажется, что память дорожает порой из-за самых непредсказуемых и противоречивых причин, и оснований хотя бы для стабилизации цен в ближайшем будущем не предвидится. Как отмечает DigiTimes, изначально эксперты рассчитывали на умеренный рост цен на память в этом квартале, но в сегменте DDR4 контрактные цены могут вырасти за период на 50 %.

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Источник изображения: Samsung Electronics

В качестве одной из причин упоминается рост спроса на твердотельные накопители корпоративного класса, который подстёгивает и цены на DRAM. Тайваньские производители памяти, которые специализируются на выпуске DDR4 и обретают всё большее влияние на рынок в свете отказа зарубежных конкурентов от производства памяти этого типа, в текущем квартале готовы поднять контрактные цены на DDR4 в 8-гигабитном исполнении на величину до 50 %. Дефицит памяти этого типа может сохраняться на протяжении двух последующих лет, как поясняют эксперты.

Контрактные цены на память растут непрерывно со второй половины прошлого года, и нет причин ожидать, что в текущем квартале этот рост прекратится. Даже самые консервативно настроенные аналитики считают, что в текущем квартале цены на память последовательно вырастут ещё на 10–20 %. В целом, конъюнктура спроса может меняться в пользу каких-то конкретных видов памяти, но общий тренд к росту цен остаётся неизменным. На рынке моментальных сделок, например, 16-гигабитные чипы DDR4 оказываются дороже аналогичных более современных DDR5. Тайваньские производители ожидают, что в текущем квартале контрактные цены на DDR4 последовательно вырастут сразу на 50 %.

Взаимосвязь цен на DDR4 со спросом на SSD корпоративного класса объясняется тем, что эти накопители оснащаются соответствующими микросхемами в качестве кеша для ускорения работы с наиболее востребованными данными. Как правило, на 1 Тбайт объёма NAND в таких накопителях выделяется 1 Гбайт DRAM. Поскольку спрос на SSD корпоративного класса вырос вместе с их средним объёмом, то и цены на DDR4 продолжают своё движение вверх. Samsung, Micron и SK hynix постепенно устранились с рынка DDR4 в пользу увеличения производства DDR5, поэтому балом теперь правят тайваньские поставщики памяти. Впрочем, случаются и откаты к развёртыванию производства DDR4, как это продемонстрировала недавно Micron на своём предприятии в штате Вирджиния. Память поколения DDR3 тоже продолжает поставляться, цены на неё растут. В бытовой электронике она применяется достаточно широко, а с учётом назревающего дефицита DDR4 спрос на неё тоже продолжит расти. Тем более, что в погоне за увеличением объёмов производства DDR4 от выпуска DDR3 постепенно отказываются и тайваньские производители. Дорожает даже DDR2, поскольку производители электронных устройств перестали пренебрегать и ею. В удельном выражении стоимость DDR3 сейчас даже выше, чем у DDR5.

На рынке NAND во втором полугодии сохранятся условия для роста цен не только на SLC, но и MLC. В первом случае цены на память такого типа уже успели вырасти на двузначную величину в процентах по итогам первого полугодия. Мощности тайваньских производителей DRAM загружены полностью, и при дальнейшем росте спроса на память они не смогут увеличить предложение своей продукции на рынке.

Как сообщалось накануне, компания MSI предусмотрела поддержку памяти DDR5-8000+ китайской марки CXMT для своих материнских плат с разъёмом AM5, подняв допустимые частоты эксплуатации. По информации Commercial Times, адаптация материнских плат тайваньских производителей под использование модулей памяти китайского происхождения в целом набирает обороты.

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Источник изображения: CXMT

Прежде всего, данные меры объясняются дефицитом памяти на мировом рынке. Поставки китайских чипов за пределы КНР довольно ограничены по своим объёмам, но ситуация может измениться, если нехватка продукции традиционных поставщиков из США, Южной Кореи и Тайваня затянется до конца следующего года или даже дольше. По словам тайваньских источников, вслед за китайской Lenovo использовать китайскую память совместно со своей продукцией готовятся и тайваньские поставщики. К слову, ноутбуки Lenovo с SSD китайского происхождения уже предлагаются даже на рынке США, поскольку найти там сейчас модели ПК дешевле $1000 не представляется возможным.

MSI провела оптимизацию своих материнских плат под модули памяти KingBank и Lexar, помимо уже упоминавшейся выше адаптации под работу в режиме DDR5-8000+ с памятью производства CXMT. Конкурирующая Asus начала сертификацию по программе ROG для модулей памяти китайских марок Biwin, Asgard и Lexar. Модули памяти Biwin также были замечены в составе игровых ноутбуков Acer Predator. Для игровых моделей ПК использование памяти китайских поставщиков до сих пор считается большой редкостью. Мощности китайских производителей памяти не так велики, чтобы всерьёз конкурировать с южнокорейскими по степени распространения продукции, но учитывать факт её присутствия на рынке тайваньским производителям теперь приходится. Экспансия китайской памяти за пределами домашнего рынка, помимо прочего, может способствовать снижению общего уровня цен.

В III квартале 2026 года Samsung рассчитывает в очередной раз повысить цены на память; компания выбрала агрессивную стратегию в переговорах с клиентами и стремится увеличить среднюю цену продажи (ASP) DRAM на 20 % по сравнению с предыдущим кварталом, передаёт ZDNet. Память LPDDR, с поставками которой наблюдаются проблемы как в серверном, так и в мобильном сегментах, может прибавить в цене и более 20 %, но нет ясности, как эту новость воспримут клиенты компании.

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Источник изображения: samsung.com

На рынке DRAM сохраняется нешуточная напряжённость — в III квартале ситуация едва ли улучшится, но из-за низкого потребительского спроса и эффекта высокой базы рост контрактных цен может замедлиться до диапазона от 13 до 18 % квартал к кварталу. У Samsung, однако, ASP выросла быстрее, чем у SK hynix. Отраслевые эксперты объясняют это большей долей Samsung на рынке массовой DRAM, где цены больше подвержены колебаниям, — и более агрессивной ценовой стратегией компании.

В I квартале Samsung подняла ASP на 90 % про сравнению с предыдущим; рост во II квартале оценивается в 50–60 %; в III квартале корейский производитель нацелен на 20 %. У SK hynix, в чьей продуктовой линейке больше HBM, рост ASP обещает быть более скромным. В будущем цены на DRAM останутся относительно стабильными — темпы их роста замедлятся, но значительно увеличится доля поставок в соответствии с долгосрочными соглашениями с ключевыми клиентами.

Ранее Micron сообщила, что заключила с клиентами 16 долгосрочных соглашений — эта стратегия отражает ожидания клиентов относительно сохранения дефицита предложения памяти в средне- и долгосрочной перспективе. Рост числа долгосрочных соглашений с зафиксированными минимальными ценами наряду с пересмотром цен на HBM поможет предотвратить резкий спад на рынке DRAM в следующем году. Тенденция к заключению долгосрочных соглашений затронула и автопром — одно из них Micron заключила с General Motors.

Не только производители памяти склоняются к мысли, что дефицит на этом рынке обретает долгосрочный характер, а цикличность изменения цен остаётся в прошлом. Эксперты Jefferies считают, что дефицит DRAM и NAND сократится как минимум до 2028 года, а привычные просадки цен после подъёма не будут радовать покупателей микросхем памяти в обозримом будущем.

Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700

Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку

Обзор беззеркальной камеры Sony Alpha 7 V: эволюция с человеческим лицом

Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги

Источник изображения: Micron Technology

В текущем квартале контрактные цены на память вырастут последовательно на 40–50 %, по мнению источника, а по итогам четвёртого квартала они увеличатся ещё на 30–40 %. Рост цен продолжится и в 2027 году, в общей сложности они поднимутся на 40–45 %, поскольку по итогам периода производители памяти ещё не успеют ввести в строй дополнительные мощности. Сейчас облачные гиганты выкупают до 50 % объёмов доступной на рынке памяти, но их доля может вырасти до 70 %. С поставщиками памяти они заключают долгосрочные контракты на период от двух лет, которые нередко подразумевают авансовые платежи до 40 % от общей суммы закупки.

В сегменте потребительской электроники подобные контракты на поставку памяти не заключаются. Из-за роста дефицита им достаётся всё меньше микросхем памяти, и это влияет не только на уровень цен, но и саму способность выпускать собственную продукцию в необходимых объёмах. Как и ранее, выгодная в производстве память HBM отвоёвывает себе всё больше пространства на конвейерах производителей, а потому классическая DRAM выпускается во всё меньших количествах. Компания Samsung Electronics по мере перехода к выпуску HBM4 сможет наверстать своё отставание от конкурентов, которое наблюдалось на этапе выпуска HBM3 и HBM3E.

Китайские производители памяти на мировую конъюнктуру существенно повлиять в лучшую сторону пока не могут. Передовую HBM они пока не производят в значимых количествах, а DRAM они отгружают главным образом на внутренний рынок КНР. Из-за технологического отставания от западных и корейских конкурентов на полтора или два поколения они не смогут изменить ситуацию на мировом рынке до конца 2027 года, как минимум. CXMT без доступа к EUV-литографии вряд ли сможет перейти к выпуску DDR6 или HBM3E в обозримой перспективе.

В сегменте NAND влияние Китая будет выражено сильнее, поскольку местные производители к 2028 году смогут выйти на мировой уровень как с технологической точки зрения, так и по объёмам поставок. Чтобы цены на DRAM к 2028 году начали снижаться, как считают эксперты Jefferies, к тому времени мировые объёмы производства должны вырасти на величину от 15 до 20 %, но для этого должны замедлиться темпы роста спроса на память со стороны инфраструктуры ИИ.