Статистика DRAMeXchange гласит, что в конце ноября контрактная стоимость 8-гигабитного чипа DDR4 не превышала $1,35. Если учесть, что в июле она достигала $2,1, можно говорить о снижении цены на 35,7 %. Снижение цен на ОЗУ во втором полугодии было обусловлено целым рядом факторов, как поясняют представители DRAMeXchange.

Источник изображения: Samsung Electronics

С одной стороны, спрос на смартфоны и ПК в текущем году так и не восстановился до желаемых производителями памяти уровней. Соответственно, производители устройств данных типов не стали наращивать складские запасы микросхем памяти. С другой стороны, китайские производители, освоившие выпуск чипов DDR4, начали его наращивать в надежде за счёт более низких цен привлечь к себе покупателей. По некоторым данным, та же CXMT продаёт 8-гигабитные чипы DDR4 по цене $1 за штуку, что почти в два раза ниже июльского уровня.

Аналитики Kiwoom Securities, на которых ссылается Business Korea, поясняют, что цены на ОЗУ в конце этого и начале следующего года упадут заметно сильнее, чем ожидалось. В условиях, когда CXMT и прочие производители наращивают объёмы выпуска памяти, предложение будет превышать потребности рынка как минимум до второго квартала следующего года. Для финансового благополучия той же Samsung подобная динамика цен представляет определённую угрозу.

Средняя цена сделки по покупке 16-гигабитных микросхем DDR5 в ноябре опускалась на 3,7 % до $4,05 по сравнению с октябрём. Если же сравнивать с уровнем июля, то снижение достигло 16,1 %. Затяжной характер снижения цен может подорвать способность крупных компаний типа Samsung и SK hynix инвестировать в модернизацию своих производственных линий и строительство новых. Поскольку они являются крупными налогоплательщиками в Южной Корее, это может оказать негативное влияние на всю национальную экономику.

Совокупная выручка мировых производителей чипов оперативной памяти DRAM по итогам III квартала 2024 года составила $26,02 млрд, что на 13,6 % больше, чем кварталом ранее, сообщили аналитики TrendForce. Рост обусловлен высоким спросом на память DDR5 и HBM для центров обработки данных — эту тенденцию не сломило ни снижение поставок LPDDR4 и DDR4 из-за сокращения запасов у китайских производителей смартфонов, ни расширение мощностей у китайских производителей DRAM.

Источник изображения: samsung.com

Средняя цена продажи (ASP) продолжила тенденцию к росту, взятую в предшествующем квартале; контрактные цены выросли на 8–13 %, а HBM усилила эту тенденцию, вытесняя производство обычной DRAM. На IV квартал аналитики прогнозируют квартальный рост общих поставок DRAM в битах, хотя ожидается, что активный выпуск HBM будет и дальше пагубно сказываться на производстве обычной DRAM. Китайские поставщики начали расширять мощности, что может побудить производителей ПК и смартфонов интенсивно избавляться от запасов и закупать более дешёвую DRAM. В результате контактные цены на обычную DRAM начнут снижаться.

Рост контрактных цен на DRAM для ПК и серверов в III квартале увеличил доходы трёх крупнейших производителей памяти. Первое место сохранила за собой Samsung, чья выручка составила $10,7 млрд — на 9 % больше, чем кварталом ранее. Из-за стратегического сокращения запасов LPDDR4 и DDR4 объёмы поставок в битах остались на уровне предыдущего квартала. SK hynix доложила о выручке в $8,95 млрд — второе место и рост на 13,1 % квартал к кварталу. Компания нарастила отгрузки HBM3e, но из-за слабых продаж LPDDR4 и DDR4 объёмы поставок в битах сократились на 1–3% в квартальном исчислении. Выручка Micron выросла на 28,3 % до $5,78 млрд из-за сильного роста поставок серверной DRAM и HBM3e — объёмы отгрузок в битах увеличились за квартал на 13 %.

Источник изображения: trendforce.com

Выручка тайваньских поставщиков в III квартале сократилась — они значительно отстали от трёх ведущих брендов. Поставки продукции Nanya Technology в битах сократились более чем на 20 % из-за ослабления спроса на потребительскую DRAM и роста конкуренции на рынке DDR4 со стороны китайских производителей. Из-за инцидента с отключением электроэнергии операционная прибыль компании снизилась с -23,4 % до -30,8 %. Выручка Winbond сократилась на 8,6 % в квартальном исчислении и составила $154 млн — спрос на потребительскую DRAM упал, поставки в битах сократились. PSMC доложила о снижении выручки от собственного производства потребительской DRAM на 27,6 %; но с учётом выручки от полупроводникового производства общая выручка компании от продажи DRAM увеличилась на 18 % — это связано с постоянным пополнением запасов от клиентов на полупроводниковое производство.

Процесс перехода на DDR5 и HBM3 набрал обороты, но память прежних поколений по-прежнему пользуется большой популярностью. На этом фоне китайские производители DRAM Changxin Memory (CXMT) и Fujian Jinhua предлагают огромные скидки на чипы DDR4 — до 50 % по сравнению с аналогичными микросхемами от южнокорейских производителей. В некоторых случаях цена на новые чипы DDR4 оказывается ниже, чем на восстановленные при помощи реболлинга.

Источник изображения: unsplash.com

Производственная мощность CXMT выросла с 70 000 пластин в месяц в 2022 году до 200 000 в 2024 году. Компания намерена увеличить объёмы производства до 300 000 пластин в месяц и занять 11 % мирового рынка DRAM в ближайшие годы. Fujian Jinhua, несмотря на санкции правительства США, также удалось нарастить производство DDR4.

Избыточное предложение чипов DDR4 привело к острой ценовой конкуренции: китайские производители предлагают цены на 50 % ниже, чем Micron, Samsung и SK hynix, и на 5 % ниже даже подержанных чипов памяти после реболлинга. Такое агрессивное ценообразование снижает цены на рынке DDR4, заметно влияя на потребительский сегмент. Тем не менее, промышленные клиенты по-прежнему осторожны в отношении памяти DRAM от китайских производителей.

Реагируя на ценовое давление, корейские производители DRAM сокращают производство DDR4 и переходят на DDR5 и HBM3 — микросхемы, которые китайские поставщики в настоящее время не в состоянии производить массово. Этот шаг направлен на сохранение прибыльности и противодействие конкурентному преимуществу китайских производителей в сегменте DDR4. Ожидается, что переход на DDR5 и HBM3 стабилизирует рынок DRAM, решив проблему избыточного предложения и перенаправив ресурсы на более продвинутые, пользующиеся высоким спросом технологии памяти.

Правительство Китая активно поддерживало расширение производства микросхем DRAM с помощью субсидий и национальной политики, способствуя росту внутреннего производства. Эта поддержка позволяет китайским производителям предлагать высококонкурентные цены, не беспокоясь о немедленной прибыльности, поскольку их целью является доминирование как на местных, так и на международных рынках.

Китайские производители DRAM также изучают косвенные стратегии выхода в такие регионы, как Индия, где они рассчитывают на партнёрские отношения с тайваньскими брендами. Этот подход призван смягчить политические и экономические риски, связанные с санкционной политикой США, и расширить присутствие на рынках, опасающихся прямых китайских продуктов.

CXMT недавно столкнулась с масштабной производственной задержкой, вызванной человеческим фактором. В брак отправились 65 000 пластин — почти треть месячного производства. Тем не менее, это не остановило расширение компании: мощности растут, а на заводах в Хэфэе и Пекине продолжается модернизация.

На квартальной конференции Intel главу компании Патрика Гелсингера (Patrick Gelsinger) спросили о намерениях компании использовать интеграцию памяти на одну подложку с процессором в будущем, по примеру представленных недавно Lunar Lake. Он однозначно дал понять, что подобных планов у компании нет, и последующие центральные процессоры Intel будут иметь обычную компоновку.

Источник изображения: Intel

По словам Гелсингера, ситуация с компоновкой Lunar Lake остаётся по-своему уникальной. «Знаете, первоначально Lunar Lake создавался как нишевый продукт, с помощью которого мы хотели достичь высочайшего быстродействия и максимального времени работы от аккумулятора, а потом случились ИИ ПК», — поведал историю создания процессоров этого семейства глава корпорации. Компьютеры с возможностью локального ускорения работы систем искусственного интеллекта продемонстрировали свой потенциал массового применения, и Lunar Lake постепенно превратился в массовый продукт, как добавил Гелсингер.

Собственно Intel заниматься пусть и такой опосредованной, но реализацией памяти, не собирается, по словам генерального директора: «Это не самый удачный способ вести бизнес». Он тут же добавил: «На самом деле, это было всего один раз с Lunar Lake. Это не повторится с Panther Lake, Nova Lake и их преемниками. Мы будем создавать процессоры в более классической компоновке, с памятью, не связанной с их упаковкой». При этом на уровне упаковки процессора будут интегрироваться различные интерфейсы, вычислительные и графические блоки, нейронные сопроцессоры, но оперативная память будет существовать за пределами центральных процессоров, как подчеркнул Гелсингер.

Кстати, прошедшая квартальная конференция стала первым мероприятием Intel, на котором руководство публично признало существование планов по выпуску процессоров семейства Nova Lake. Об их существовании СМИ до этого узнали из документов Intel для внутреннего пользования, а публично такие планы компания никак не комментировала до последних пор. Предполагается, что процессоры Nova Lake в конце 2026 или начале 2027 года станут преемниками мобильных версий Panther Lake. Как уже отмечалось сегодня, часть кристаллов для Nova Lake продолжит выпускать TSMC.

Samsung объявила о выпуске первых в мире 24-гигабитных микросхем памяти GDDR7. Эта память отличается самой высокой на сегодняшний день ёмкостью и скоростью, превышающей 40 Гбит/с, что делает её идеальным решением для высокопроизводительных ускорителей будущего. Тестирование новинки основными заказчиками начнётся в этом году, а массовое производство запланировано на начало 2025 года. Весьма вероятно, эта память пропишется в GeForce RTX 5090 и других видеокартах нового поколения.

Источник изображений: Samsung

Новое решение от Samsung найдёт применение не только в традиционных областях — видеокартах, игровых консолях и системах автономного вождения, но также в дата-центрах и рабочих станциях для ИИ. Благодаря высокой скорости передачи данных и увеличенной ёмкости новая GDDR7 станет ключевым компонентом для инфраструктуры, требующей быстрого доступа к большим объёмам информации.

«Разработав в прошлом году первую в отрасли 16-гигабитную GDDR7, Samsung укрепила своё технологическое лидерство на рынке графической DRAM этим последним достижением», — заявил ЁнЧхоль Бэ (YongCheol Bae), исполнительный вице-президент по планированию продуктов памяти Samsung. Он также отметил, что компания продолжит выпускать инновационные продукты, отвечающие растущим потребностям индустрии ИИ и высокопроизводительных вычислений.

Новая 24-гигабитная GDDR7 использует DRAM пятого поколения, изготовленную по техпроцессу 10-нм класса, что позволило увеличить плотность ячеек на 50 % без изменения размеров упаковки. Это значительное технологическое достижение обеспечивает более высокую ёмкость и производительность по сравнению с предыдущими решениями.

Одним из ключевых технологических достижений Samsung является применение трёхуровневой амплитудно-импульсной модуляции PAM3, которая позволяет достигать скорости свыше 40 Гбит/с, что на 25 % быстрее по сравнению с предыдущим поколением GDDR6. В зависимости от условий эксплуатации производительность может увеличиваться до 42,5 Гбит/с.

Энергоэффективность новинки была значительно улучшена за счёт внедрения технологий, ранее использовавшихся в мобильных устройствах, теперь впервые применённых в графической памяти. Внедрение методов управления тактовой частотой и двухуровневого дизайна питания (VDD) позволило существенно сократить потребление энергии, что привело к повышению энергоэффективности более чем на 30 %. Это особенно критично для систем с высокой вычислительной нагрузкой, где каждый процент энергоэффективности приводит к ощутимым выгодам.

Для обеспечения стабильной работы GDDR7 при высоких скоростях обработки данных была минимизирована утечка тока за счёт использования новых методов управления питанием. Это позволяет значительно снизить энергопотери и повысить надёжность системы даже при максимальных нагрузках.

Контрактные цены на DRAM и NAND за сентябрь показали значительное снижение — виной всему стал низкий спрос на ПК и прочую потребительскую электронику. Об этом сообщил корейский ресурс The Elec.

Источник изображения: samsung.com

Цены на чипы DDR4 8Gb 1Gx8 в сентябре 2024 года упали на 17,07 % и остановились на отметке $1,7, обратили внимание аналитики компании DRAMeXchange. С октября прошлого года цены на DRAM после затяжного пике демонстрировали стабильный рост, но уже в августе этого года впервые показали снижение — тогда оно составило 2,38 %.

Одним только сегментом DRAM обвал цен на память не ограничился. За тот же период времени цены на чипы 128Gb 16Gx8 MLC также показали заметное снижение — оно составило 11,44 %. У производителей ПК по-прежнему фиксируется высокий уровень запасов, а значит, спрос на их продукцию до сих пор не восстановился, указывает владеющая DRAMeXchange компания TrendForce. В III квартале 2024 года поставки ПК выросли на 4,4 %, и это ниже прогноза аналитиков. При этом в запасах числится преимущественно память DDR4, а не более новая DDR5.

Фискальный квартал и год в целом в календаре Micron Technology завершились 29 августа, поэтому их итоги компания подвела лишь на этой неделе. Выручка за последний квартал минувшего фискального года выросла на 93 % до $7,75 млрд, годовая выручка выросла на 62 % до $25,11 млрд, но в текущем квартале она достигнет $8,7 млрд, превысив ожидания аналитиков. Акции производителя памяти на этом фоне выросли почти на 15 %.

Источник изображений: Micron Technology

Американская Micron Technology пока является наименее крупным игроком рынка памяти типа HBM, поскольку она по занимаемой доле рынка уступает как лидирующей SK hynix, так и южнокорейскому гиганту Samsung Electronics, который занимает первое место в мире по объёмам поставок всех типов памяти в совокупности. Это не мешает Micron заявлять, что она уже поставляет образцы 12-слойных стеков HBM3E объёмом 36 Гбайт, лишь чуть-чуть уступая по темпам технологического развития SK hynix. Последняя, напомним, уже приступила к их массовому производству. Micron намеревается сделать это в начале следующего календарного года.

Росту курса акций Micron способствовали и результаты прошлого квартала, которые превзошли ожидания аналитиков. По словам представителей компании, тенденция к росту спроса на микросхемы памяти наметилась и в сегменте ПК, а также смартфонов. Внедрение в этих устройствах функций локального ускорения работы систем искусственного интеллекта подразумевает увеличение потребности в объёме памяти, поэтому спрос на продукцию Micron будет расти, как считает компания. Объёмы поставок ПК по итогам текущего календарного года вырастут на несколько процентов, по мнению руководства компании. В следующем году рост рынка ПК ускорится, во многом из-за выхода Windows 12 и завершения поддержки Windows 10. Если в среднем ПК содержал 12 Гбайт оперативной памяти в прошлом году, то по мере распространения функции ИИ минимальным объёмом станут 16 Гбайт ОЗУ, а в среднем и верхнем ценовых диапазонов нормой станет наличие 32 и 64 Гбайт оперативной памяти соответственно.

Сильны конкурентные позиции Micron и в сегменте серверной памяти, как отмечает руководство. Высокий спрос на HBM заставил Micron распределить все квоты на её производство не только на текущий, но и на следующий год. В сегменте смартфонов объёмы поставок по итогам 2024 календарного года, по мнению Micron, вырастут на величину до 5 %, и продолжат рост в 2025 году. Если в прошлом году флагманские смартфоны в среднем оснащались 8 Гбайт памяти, то в следующем норма вырастет до 12 или 16 Гбайт.

Текущий фискальный квартал Micron рассчитывает завершить с рекордной выручкой в размере от $8,5 до $8,9 млрд. При этом норма прибыли компании достигнет 39,5 %. В минувшем квартале норма прибыли не превышала 35,3 %, но за год до этого она вообще была отрицательной. Аналитики в среднем рассчитывали на $8,28 млрд выручки и 37,7 % нормы прибыли в своих прогнозах на текущий фискальный квартал, поэтому акции компании и подскочили в цене после публикации отчётности. В наступившем фискальном году Micron рассчитывает получить многомиллиардную выручку в трёх категориях: HBM, оперативная память большой ёмкости и твердотельная память серверного назначения. В прошлом фискальном году Micron увеличила долю памяти серверного класса в общей выручки до рекордного уровня.

В прошлом квартале Micron достигла рекордной выручки в сегменте NAND и твердотельных накопителей. По итогам всего минувшего фискального года компания достигла рекордной выручки на серверном и автомобильном направлениях. В следующем календарном году Micron надеется приступить к массовому производству микросхем DRAM с использованием EUV-технологии класса 1γ, опытное уже осуществляется.

Компания продвигается в строительстве нового предприятия в Айдахо и ожидает получить разрешение властей на строительство предприятия в штате Нью-Йорк. В Индии возводится предприятие по тестированию и упаковке микросхем памяти, а китайское предприятие Micron такого профиля расширяется даже в условиях обоюдных санкций со стороны США и Китая. Приобретённое Micron предприятие Innolux по производству ЖК-панелей на Тайване будет переоборудовано под тестирование и сборку микросхем памяти DRAM.

Поставки HBM принесли в минувшем фискальном году сотни миллионов долларов выручки, как пояснили представители компании. В 2025 году ёмкость рынка HBM достигнет $25 млрд против $4 млрд двумя годами ранее, как ожидают в Micron, и доля данной компании на рынке HBM должна сравняться с её позициями на рынке DRAM в целом.

Спрос на DRAM по итогам текущего календарного года, как считают в Micron, вырастет на величину до 19 %, на память типа NAND — в районе 15 %, а в следующем году оба сегмента будут демонстрировать рост объёмов реализации памяти в среднем на 15 %. Цены на память в 2025 году будут расти из-за ограниченности производственных мощностей по сравнению с уровнем спроса.

Капитальные расходы Micron в минувшем фискальном году достигли $8,1 млрд, в наступившем они будут гораздо выше, достигая 35 % прогнозируемой выручки. В основном это будет вызвано необходимостью наращивать выпуск HBM и строить новые предприятия в США, которые будут субсидироваться властями по «Закону о чипах».

В прошедшем фискальном квартале выручка Micron на 69 % определялась реализацией микросхем типа DRAM. Профильная выручка компании выросла на 93 % в годовом сравнении и достигла $5,3 млрд. По итогам всего фискального года поставки DRAM увеличили профильную выручку Micron на 60 % до $17,6 млрд, это соответствует 70 % всей выручки компании за период.

В принципе, выручка от реализации NAND в четвёртом фискальном квартале не отставала по своей динамике от сегмента DRAM, увеличившись на 96 % до $2,4 млрд, но на этот тип продукции пришлось не более 31 % всей выручки Micron. Более того, в сегменте NAND компания в прошлом квартале получила рекордную выручку. По итогам года в целом профильная выручка выросла на 72 % до $7,2 млрд, но эта сумма соответствует только 29 % всей выручки компании.

Срез выручки четвёртого фискального квартала по направлениям деятельности выглядит таким образом: вычислительные и сетевые решения, охватывающие серверный сегмент, прибавили последовательно 17 % до $3 млрд, мобильное подразделение в силу сезонных явлений прибавило в выручке на 18 % последовательно до $1,9 млрд. В сегменте систем хранения данных рост выручки почти на четверть последовательно до $1,7 млрд был вызван спросом на твердотельные накопители серверного назначения, в этой сфере был установлен новый рекорд по выручке. Строго говоря, выручка от реализации NAND по итогам всего фискального года тоже была рекордной для Micron. Наконец, в сегменте встраиваемых решений выручка Micron сократилась на 9 % в последовательном сравнении до $1,2 млрд.

Полиция Южной Кореи арестовала двух бывших высокопоставленных сотрудников Samsung по подозрению в краже технологий в пользу Китая — это принесло компании ущерб на сумму более 4,3 трлн вон ($3,2 млрд), пишет Bloomberg со ссылкой на заявление ведомства.

Источник изображения: samsung.com

Арестованные оказывали помощь китайским чиновникам при строительстве завода полупроводниковой продукции, рассказало накануне управление полиции Сеула. Один из корейских бывших топ-менеджеров, 66-летний мужчина по фамилии Чой (Choi), нанял в своей стране экспертов в области микросхем и через совместное предприятие передал партнёрам технологии памяти, принадлежащие Samsung. Время и место совершения предполагаемого преступления в Китае в правоохранительных органах не назвали. Но некоторые подробности совпадают с подробностями дела, о котором стало известно в 2023 году, когда из-за санкций обострились отношения между Пекином и Вашингтоном. Тогда по подозрению в краже чертежей был задержан один из руководителей Samsung — он, по версии следствия, пытался воссоздать в Китае целый завод по производству полупроводников.

Южная Корея является мировым лидером в области производства чипов памяти и ключевым союзником Вашингтона, стремящегося сдержать технологическое развитие Китая. Последний инцидент связан с корейско-китайским СП Chengdu Gaozhen — Чой был его руководителем, а помогал ему конструктор завода по фамилии О (Oh). Корейские специалисты в прошлом году оказали помощь китайским властям в производстве микросхем DRAM по технологии 20 нм. Это не только нанесло ущерб Samsung, но и «ослабило конкурентоспособность страны в условиях мировой войны в области микросхем», заявили в правоохранительных органах. В полиции также добавили, что работу китайского предприятия удалось приостановить, но дальнейшие утечки технологий продолжают расследоваться. В Samsung от комментариев отказались.

Крупные технологические компании в 2024 году увеличили инвестиции в искусственный интеллект, благодаря чему операционная маржа Samsung и SK hynix, как ожидают аналитики, превысит 40 %. Два корейских производителя решили расширить сегмент DRAM — благодаря интенсивному росту ИИ он обещает превзойти остальное полупроводниковое производство.

Источник изображения: skhynix.com

Samsung построит производственную линию PH3 для DRAM и других компонентов на заводе в Пхёнтхэке в провинции Кёнгидо и приостановит строительство чистой комнаты для контрактного полупроводникового производства, узнало издание Korea Electronic Daily. На заводе будут выпускаться чипы DRAM для памяти HBM, которая станет устанавливаться на ИИ-ускорители AMD. Капитальные затраты Samsung на DRAM за исключением расходов на строительство зданий по итогам 2024 года вырастут на 9,2 % и достигнут $9,5 млрд — это рекордный показатель с 2020 года. А в 2025 году они, как ожидается, увеличатся ещё сильнее и достигнут $12 млрд.

SK hynix в минувшем году была вынуждена сократить производство, а теперь готова более чем утроить расходы на сектор DRAM: в 2023 году они были $2,3 млрд, а в 2024 году могут достичь $7,1 млрд. Глобальный рынок чипов памяти растёт: отрасль, которая включает в себя DRAM и NAND, в этом году готова продемонстрировать почти двухкратный рост до $175 млрд — для сравнения, рынок полупроводникового производства, на котором доминирует TSMC, остановится на $120,3 млрд. В 2025 году рынок чипов памяти превысит отметку в $200 млрд, из которых на DRAM придутся $162 млрд.

Источник изображения: samsung.com

Samsung и SK hynix намереваются вложить миллиарды долларов в разработку продуктов нового поколения, включая технологию обработки данных в памяти (Processing In Memory — PIM) и интерфейс CXL (Computer Express Link). В начале года SK hynix получила заманчивое предложение от производителя ИИ-ускорителей, который попросил корейскую компанию построить выделенную линию по производству чипов памяти и обещал внести авансовый платёж более чем в 500 млрд вон ($372,41 млн). Но SK hynix была вынуждена отклонить это предложение, поскольку уже обязалась поставить продукцию на 1 трлн вон ($744,81 млн) для Nvidia — мирового лидера в сегменте ИИ-ускорителей.

В этом году 13 крупнейших технологических компаний США и Китая, в том числе Google и Alibaba Group, намереваются вложить в центры обработки данных ИИ $226,2 млрд, и это на 33,7 % больше, чем в 2023 году. В 2025 году этот показатель вырастет дополнительно на 13,4 % до $256,6 млрд. Значительная часть этого бюджета, вероятно, будет потрачена на ИИ-ускорители, а значит, спрос на DRAM ещё останется высоким. Цены на память HBM, на которую приходятся 26 % ёмкости DRAM у Samsung и 28 % — у SK hynix, по состоянию на конец 2025 года будут в пять или шесть раз выше, чем на DDR5, что увеличит прибыльность обеих компаний. Рентабельность операционной прибыли Samsung и SK hynix составит более 40 %.

Эксперты TrendForce пришли к выводу, что в сложных макроэкономических условиях оживление спроса на рынке памяти постоянно спотыкается о новые препятствия, и наметившаяся было тенденция к росту цен к четвёртому кварталу во многом нивелируется. По крайней мере, в сегменте DRAM контрактные цены вырастут от силы на 3–8 %, а в сегменте NAND они даже опустятся на величину до 5 %.

Источник изображения: Intel

Производители модулей памяти DRAM, как отмечает источник, активно наращивают свои складские запасы необходимых для работы компонентов с третьего квартала прошлого года. В итоге ко второму кварталу текущего года «глубина» складских запасов выросла до 11–17 недель. Спрос на конечных рынках электронных устройств не восстанавливается такими темпами, как ожидалось. Запасы смартфонов в Китае превысили норму, а существующие модели ноутбуков клиенты покупать не торопятся, ожидая выхода новых систем на базе процессоров с функцией ускорения ИИ. Всё это приводит к сокращению спроса на подобные устройства.

Розничные поставки флеш-памяти NAND во втором квартале сократились в годовом сравнении на 40 %, и подобная динамика не позволяет участникам рынка надеяться на восстановление спроса во втором полугодии. В розничном сегменте на спрос негативно влияют высокая инфляция и высокие процентные ставки. Рост цен на микросхемы памяти при этом оказывает давление на норму прибыли производителей модулей памяти, а низкий спрос в рознице мешает повышать отпускные цены.

Смартфоны и ПК с функцией ускорения ИИ, по мнению представителей TrendForce, существенно на спрос в сегменте микросхем памяти повлиять в четвёртом квартале не смогут. Контрактные цены на DRAM в итоге не смогут заметно вырасти: в текущем квартале они поднимутся на 8–13 %, а в четвёртом увеличатся только на 3–8 %. Зато у памяти HBM проблем со спросом нет, и контрактные цены на данный вид продукции смогут прибавлять по 10–15 % ежеквартально. Цены на NAND вырастут в текущем квартале на 5–10 %, прежде чем упасть на 5 % в четвёртом. В 2025 году, по мнению экспертов, рост цен на DRAM будет стимулироваться в основном спросом на HBM, под выпуск которой перераспределяется всё больше мощностей. Из-за этого обычной DRAM выпускается меньше, и цены на неё растут.

Лидеры по производству микросхем памяти Samsung Electronics и SK hynix отмечают, что Китай значительно увеличил импорт южнокорейских чипов в первой половине 2024 года. Продажи Samsung Electronics в Китае выросли на 82 процента, а SK Hynix — на 122 процента. Причём 96 % выручки в Китае SK hynix обеспечили именно микросхемы памяти. Продажи Samsung в Китае более диверсифицированы и, в дополнение к микросхемам, охватывают смартфоны и бытовую технику.

Источник изображения: unsplash.com

Выручка от поставок в Китай чипов Samsung в первом полугодии 2024 года составила 32,35 трлн вон ($24,1 млрд), что на 82 % выше, чем аналогичный результат предыдущего года. На Китай пришлось около 31 % региональной выручки Samsung в размере 104,9 трлн вон, что на 28 % больше, чем за тот же период годом ранее.

SK Hynix также сообщила о росте продаж в Китае, при этом выручка от китайских клиентов выросла до 8,6 трлн вон ($6,4 млрд), что на 122 % выше результата за аналогичный период предыдущего года. Поставки в Китай принесли компании 30 % от 28,8 трлн вон ($21,49 млрд) общего дохода за первое полугодие. На фоне массированных поставок в Китай складские запасы SK Hynix во втором квартале сократились до самого низкого уровня за последние семь лет.

Рост продаж отмечается на фоне ожиданий ужесточения санкций США в отношении высокотехнологичной полупроводниковой продукции. Аналитики предполагают, что китайские импортёры вынуждены увеличивать складские запасы в преддверии обнародования новых ограничений. Особенно возросла активность закупок чипов, используемых в системах ИИ, таких как высокоскоростная память стандарта HBM (high-bandwidth memory).

На фоне бума генеративного ИИ китайским технологическим гигантам, таким как Huawei и Baidu, требуется всё больше полупроводниковой продукции, включая микросхемы памяти, центральные процессоры и графические процессоры. В октябре 2023 года ужесточение экспортных ограничений США остановило поставку в Китай и ряд других стран интегральных схем с более чем 50 миллиардами транзисторов. Однако память HBM пока не подпадает под эти ограничения, если продаётся как отдельный компонент.

Ещё одним фактором роста продаж стало восстановление цен, последовавшее за прошлогодним сокращением производства ведущими игроками полупроводникового рынка на фоне вялого спроса.

По данным TrendForce, выручка Samsung и SK Hynix от поставок DRAM во втором квартале составила 43 % и 35 % мирового рынка соответственно. При этом SK Hynix контролирует более 50 % рынка памяти HBM.

Производители микросхем оперативной памяти по примеру коллег из сегмента логических микросхем внедряют использование EUV-литографии, но это приводит к повышению затрат. Чтобы оправдать его, как считают представители SK hynix, микросхемы памяти нужно перевести на использование вертикальной компоновки транзисторов, и тогда фактическая себестоимость памяти даже снизится.

Источник изображения: SK hynix

Соответствующие комментарии Со Джэ Ука (Seo Jae Wook), отвечающего в SK hynix за научные исследования, приводит южнокорейский ресурс The Elec. Классический подход к использованию EUV-литографии в производстве микросхем памяти, по его словам, вряд ли можно считать рациональным с точки зрения влияния на себестоимость. Зато если перейти на использование транзисторов с вертикальной компоновкой (VG или 4F2), то площадь кристалла памяти можно сократить на 30 % по сравнению с классической технологией 6F2, и в комбинации с EUV такая компоновка позволит снизить затраты в два раза.

Samsung Electronics также рассматривает возможность производства так называемой 3D DRAM с «вертикальными» транзисторами, как и SK hynix, эта компания рассчитывает использовать техпроцессы с нормами менее 10 нм. Отрасль по производству оперативной памяти дальше не может полагаться только на планарную компоновку транзисторов, поскольку внедрение EUV-оборудования в данном случае становится неоправданно дорогим. Зато в сочетании с новой структурой транзисторов внедрение EUV-литографии может себя оправдать, как отмечают представители SK hynix. Впрочем, внедрение новой компоновки транзисторов потребует использования не только нового оборудования, но и новых материалов при производстве микросхем DRAM. Скорее всего, в массовом производстве технология приживётся не ранее 2027 года. В следующем десятилетии Samsung намеревается внедрить выпуск многослойной памяти DRAM.

Во II квартале 2024 года доходы отрасли DRAM выросли на 24,8 % по сравнению с предыдущим кварталом и составили $22,9 млрд, гласят данные TrendForce. Большинство производителей нарастило выручку за счёт поставок основных продуктов. Контрактные цены за минувший квартал продолжали расти, и в наступившем их рост обещает превысить предыдущие прогнозы из-за геополитических факторов.

Источник изображения: skhynix.com

Ключевые игроки в лице Samsung, SK hynix и Micron во II квартале нарастили поставки. Следуя тенденции I квартала продолжила увеличиваться и средняя цена продажи чипов памяти. Росту способствовали произошедшее в начале апреля землетрясение на Тайване и высокий спрос на продукцию в сегменте HBM — из-за них покупатели DRAM активизировали стратегию закупок. Окончательная корректировка контрактных цен во II квартале составила 13–18 %.

Samsung увеличила среднюю цену чипов на 17–19 % и нарастила поставки в битах, в результате чего выручка компании в сегменте DRAM выросла на 22 % до $9,82 млрд, и ей удалось сохранить лидирующие позиции на рынке. SK hynix за счёт сертификации и массовой поставки продукции HBM3E нарастила поставки в битах более чем на 20 %, благодаря чему её выручка увеличилась на 38,7 % до $7,91 млрд. Доход Micron во II квартале вырос на 14,1 % до $4,5 млрд, несмотря на небольшое снижение средневзвешенной цены продукции, а поставки в битах выросли на 15–16 %. Компания активно распродавала запасы DDR5, изготовленной по технологии 1-beta, но отстала от более крупных конкурентов.

Источник изображения: trendforce.com

Производители сумели сохранить прибыльность за счёт роста контрактных цен на DRAM, полной загрузки производственных мощностей и роста продаж дорогих продуктов — DDR5 и HBM. Samsung за квартал увеличила операционную прибыль с 22 % до 37 %, SK hynix — с 33 % до 45 %, а Micron — с 6,9 % до 13,1 %. Тайваньские производители во II квартале показали разные результаты. У Nanya Technology ослабились продажи потребительской DRAM, но благодаря росту цен компания нарастила операционную маржу с -30,7 % до -23,4 %. Winbond подняла контрактные цены на 24–26 % — в результате её доход вырос на 3,7 % до $168 млн. У PSMC выручка от потребительской DRAM снизилась на 13,5 %, но за счёт полупроводникового подряда общий доход компании показал рост на 2,2 %, отразив упреждающее наращивание запасов клиентами.

Большинство производителей DRAM в конце июля завершили переговоры о ценах на контракты в III квартале с OEM-производителями и поставщиками коммуникационных услуг — результаты превзошли ожидания. Поэтому TrendForce пересмотрела прогноз на повышение контрактных цен на обычную DRAM в III квартале, увеличив показатель роста на 5 п.п. до диапазона 8–13 %. Китайские поставщики телекоммуникационных услуг во II квартале опасались новых санкций США на закупки ИИ-чипов для своих нужд, поэтому начали активно накапливать запасы, удвоив масштаб закупок по сравнению с аналогичным периодом прошлого года. Это позволило производителям DRAM повысить цены, увеличили закупочные цены и американские поставщики телекоммуникационных услуг. Рост цен на серверную DRAM повлиял на цены DRAM и для ПК.

Samsung начала производить на своих заводах пластины HBM3E, чтобы обеспечить своевременные поставки соответствующей готовой продукции после прохождения сертификации. Вероятно, это повлияет на графики производства DDR5 во второй половине 2024 года. Производители завершают составление планов по мощностям на 2025 год — SK hynix и Samsung отдают в них приоритет HBM, а не DDR5, поэтому едва ли цены на DRAM в ближайшие кварталы возьмут курс на снижение.

На фоне растущего рыночного спроса на высокопроизводительную память для ИИ компания Samsung решила возобновить инвестиции в создание производственной линии чипов памяти DRAM 6-го поколения на своём заводе P4 в Пхёнтхэке с целью начать массовый выпуск таких микросхем в июне 2025 года, пишет южнокорейское издание ETNews.

Источник изображения: TrendForce

Источник сообщает, что память DRAM 6-го поколения, также известная как «1c», будет производиться с использованием техпроцесса класса 10 нм. Помимо Samsung такую память также планирует массово производить её южнокорейский конкурент SK hynix.

По информации ETNews, Samsung хотела начать строительство нового цеха P4 на своём заводе в Пхёнтхэке в 2022 году и изначально собиралась запустить его в 2024 году. Однако, завершив строительство производственного объекта и его обеспечение необходимой инфраструктурой, компания не стала оснащать новую линию производственным оборудованием. Из-за снизившегося спроса на рынке полупроводников Samsung сократила расходы путём снижения количества доступных мощностей.

Во второй половине прошлого года рынок полупроводников начал восстанавливаться, поэтому к середине года Samsung вновь перешла к инвестициям в новые проекты. Компания начала установку оборудования для выпуска флеш-памяти NAND на ранее неиспользуемом объекте P4 и теперь подтвердила планы по инвестициям в производство памяти DRAM 6-го поколения, пишет ETNews.

Пробные партии 1c DRAM компания Samsung собирается выпустить уже к концу текущего года, утверждает источник. Также сообщается, что производитель рассматривает возможность запуска производственной линии по выпуску микросхем памяти HBM4 с использованием технологии 1c DRAM во второй половине 2025 года.

Источник изображения: TrendForce

Аналитики TrendForce прогнозируют, что доходы отрасли производства памяти DRAM и NAND по итогам текущего года вырастут на 75 и 77 % соответственно, что объясняется стремительным ростом спроса на биты на фоне всеобщего бума ИИ. Эксперты также считают, что завод Samsung P4L станет ключевым источником выпуска микросхем памяти большой ёмкости. Согласно их оценкам, оборудование новой производственной линии для выпуска DRAM будет установлено к середине 2025 года, а массовое производство новых чипов начнётся в 2026-м.

Согласно последнему отчёту аналитической компании TrendForce, глобальная выручка от продаж компьютерной памяти DRAM и NAND в 2024 году вырастут на 75 % и 77 % соответственно. Этот рост будет обусловлен несколькими факторами, включая увеличение спроса и популярности высокопроизводительной памяти HBM.

Источник изображения: Micron

Кроме того, ожидается, что продажи в этих сферах будут продолжать расти и в 2025 году. При этом DRAM вырастет на 51 %, а NAND — на 29 %, достигнув рекордных показателей. Рост будут стимулировать увеличение капитальных расходов и повышенный спрос на первичные сырьевые материалы для Upstream-производства, такие как кремниевые пластины и химические вещества, одновременно увеличив ценовое давление на покупателей памяти.

По оценкам TrendForce, благодаря увеличению средних цен на DRAM на 53 % в 2024 году выручка от продаж DRAM достигнет 90,7 млрд долларов США в 2024 году, что на 75 % больше по сравнению с предыдущим годом. В следующем году средняя цена вырастет ещё на 35 %, а выручка достинет 136,5 млрд долларов США, что на 51 % больше по сравнению с 2024 годом. Ожидается также, что в 2024 году на долю HBM придётся 5 % от общего объёма поставок DRAM и 20 % от выручки.

Источник изображения: TrendForce

Кроме того, популярность таких типов памяти, как DDR5 и LPDDR5/5X, также будет способствовать увеличению средней цены на рынке. Ожидается, что к 2025 году доля DDR5 на рынке серверной памяти достигнет 60-65 %, а LPDDR5/5X займёт 60 % рынка мобильных устройств.

В сегменте флеш-памяти NAND рост будет стимулироваться внедрением 3D QLC — технологии, которая позволяет хранить больше данных на одном чипе. По прогнозам, в 2024 году на долю QLC будет приходиться 20 % от общего объёма поставок NAND, а в 2025 году этот показатель должен увеличится. При этом внедрение QLC на смартфонах и серверах станет ключевым фактором роста этого сегмента.

Источник изображения: TrendForce

Ситуация повлияет и на рынок, и на потребителей. Рекордная выручка позволит производителям памяти увеличить инвестиции в исследования и разработки, а также расширить производство. Прогнозируется рост капитальных затрат в индустрии DRAM и NAND на 25 % и 10 % соответственно в 2025 году.

Однако рост цен на память неизбежно приведёт к удорожанию электроники для конечных потребителей. При этом производителям электроники будет сложно переложить все расходы на покупателей, что может привести к снижению прибыли и, не исключено, что к снижению спроса.