Опрос
|
реклама
Быстрый переход
В России появились модули ОЗУ кустарной сборки — их делают из б/у комплектующих
19.01.2026 [08:38],
Владимир Фетисов
Рост цен на чипы памяти и дефицит модулей ОЗУ привели к появлению на рынке России модулей кустарной сборки, основой которых становятся б/у комплектующие. Чипы памяти выпаиваются из сломанных видеокарт, ноутбуков и других устройств, после чего инсталлируются на новые печатные платы. Об этом пишут «Известия» со ссылкой на собственные источники. 
Источник изображения: unsplash.com В сообщении сказано, что сборщики таких комплектующих закупают на китайских онлайн-площадках печатные платы, после чего напаивают на них чипы памяти, снятые с вышедших из строя видеокарт, ноутбуков и других устройств. Один из собеседников издания рассказал, что недавно ему удалось выгодно перепродать специализирующейся на поставках комплектующих для ПК фирме партию примерно из 5 тыс. бывших в употреблении микросхем памяти. «Собирая из них готовые модули, а не перепродавая уже собранные изделия, покупатели могли дополнительно заработать несколько миллионов рублей», — считает собеседник издания. Основатель и владелец сервисного центра vik-on Виктор Веклич сумел собрать 32-гигабайтый модуль ОЗУ из подручных компонентов. Он рассказал, что для это были задействованы чипы памяти с двух модулей SODIMM стоимостью примерно 8 тыс. рублей каждый, а также печатная плата китайского производства. По его словам, себестоимость собранного им модуля составила около 17 тыс. рублей. Он также добавил, что получить чипы памяти можно, купив их в Китае или сняв с б/у компонентов. «Процесс достаточно кропотливый, особенно при использовании неновых чипов. Производство одной планки памяти вручную занимает около двух с половиной часов, и выпуск больших объёмов модулей из бывших в употреблении чипов затруднён, хотя отдельные этапы можно оптимизировать», — считает Веклич. Он добавил, что заниматься самостоятельной сборкой целесообразно только в формате хобби, поскольку самодельные модули не удастся реализовать по полной рыночной цене нового продукта. На одном из московских радиорынков журналистам «Известий» предложили приобрести модули ОЗУ на 32 Гбайт за 30 тыс. рублей. Продавцы заверили, что ничего не слышали о восстановленных устройствах. Вероятно, такого рода продукция пока не дошла до массового розничного рынка. Один из собеседников журналистов считает, что сейчас восстановленные модули памяти в основном распространяются в корпоративном сегменте. Любопытно, что в России существенно вырос спрос на оборудование для сборки электроники, в том числе модулей ОЗУ. Данные Wildberries & Russ указывают на то, что продажи специальных паяльных станций для перепайки микросхем в конце 2025 года выросли на 48 % по сравнению с началом года. Спрос на продвинутые приборы такого типа стоимостью выше 10 тыс. рублей подскочил на 72 %. Ведущий аналитик Mobile Research Group Эльдар Муртазин подтвердил, что сборка модулей памяти в России набирает обороты. Он назвал это явление беспрецедентным, поскольку раньше этим никто не занимался. При этом он считает, что в случае дальнейшего роста цен на комплектующие для ПК «самосборка» может захлестнуть массовый рынок. «В ситуации, когда стоимость памяти неуклонно стремится вверх, таких предложений будет всё больше и больше. Это как аффинаж — только в данном случае речь идёт о добыче из старой сломанной электроники не драгметаллов, а дефицитных микросхем», — отметил эксперт. Муртазин не стал оценивать масштабы производства самодельных модулей ОЗУ. По его мнению, себестоимость кустарных модулей памяти составляет около 20 % от цены нового изделия, что делает подобную сборку экономически привлекательной. Однако такие комплектующие могут вести себя непредсказуемо: модуль может работать корректно, сбоить или вовсе оказаться неработоспособным. Это обусловлено тем, что в условиях кустарной сборки планки памяти не проходят полноценный отбор, тестирование и контроль качества. Память дорожает всерьёз и надолго: цены DDR4, DDR3 и NOR Flash будут расти не только в этом квартале
19.01.2026 [08:34],
Алексей Разин
Механизмы воздействия бума ИИ на рынок микросхем памяти давно понятны. Производители сосредотачиваются на самых выгодных видах продукции, в результате предложение менее актуальных типов памяти стремительно сокращается, а цены растут. В этом квартале микросхемы DDR4 могут подорожать на 50 %, цены на DDR3 и NOR Flash тоже ползут вверх. 
Источник изображения: Micron Technology По данным Commercial Times, в текущем квартале цены на память типа DDR4 вырастут последовательно на 50 %, и во втором квартале они продолжат расти по инерции. Переход на выпуск DDR5 провоцирует сокращение поставок DDR4, а спрос на память этого поколения не думает снижаться. В частности, интерес к DDR4 почувствовали даже производители материнских плат для ПК, не говоря уже о конечных пользователях. С другой стороны, производство DDR3 сокращается ещё сильнее, хотя память этого типа по-прежнему используется в сетевом и телекоммуникационном оборудовании, и больше всего востребованы микросхемы большой ёмкости. Цены на DDR3 на этом фоне тоже стремительно растут. Как ожидают тайваньские источники, цены на DRAM будут расти на протяжении всего 2026 года. Представители TrendForce прогнозируют, что только в этом квартале контрактные цены вырастут на 55–60 % по сравнению с предыдущим кварталом. В сегменте твердотельной памяти активнее всего дорожает NAND типов SLC и MLC, в текущем квартале на 20 или 30 % вырастут цены на NOR Flash. Впрочем, рост цен открывает определённые возможности для тайваньских производителей памяти, поскольку они стремятся занимать освобождаемые зарубежными конкурентами рыночные ниши. Поставщики памяти начали пересматривать контрактные цены несколько раз за квартал, постоянно их повышая, и очередной раунд переговоров должен пройти с конца января по февраль. Ожидается, что цены вырастут сильнее, чем закладывалось в прогноз покупателями. Как считают в TrendForce, контрактные цены на NAND в этом квартале последовательно вырастут на 33–38 %. Samsung нарастит производство памяти всего на 5 % в 2026 году
17.01.2026 [13:59],
Павел Котов
Несмотря на значительный рост мирового спроса, компания Samsung увеличит производство DRAM всего на несколько процентов в этом году. Это значит, что проблема мирового дефицита памяти сохранится, и значительного облегчения ситуации в цепочке поставок ожидать не следует. 
Источник изображений: samsung.com Проблемы с поставками вынудили крупнейших производителей памяти в лице Samsung, Micron и SK hynix принять экстренные меры для удовлетворения спроса со стороны отрасли искусственного интеллекта. Samsung направила туда часть чипов DRAM из потребительского сегмента и собирается увеличить их производство за счёт расширения предприятия в южнокорейском Пхёнтхэке. Однако, узнал ресурс DigiTimes, общий объём производства пластин DRAM компания Samsung в этом году, по прогнозам, увеличит лишь на 5 %: за 2025 год компания выпустила 7,6 млн пластин, а в этом данный показатель может составить 8 млн, и впервые компания выйдет на 2 млн пластин в квартал. Отрицательным фактором станет временная потеря мощностей, связанная с переходом Samsung на шестое поколение технологии 10 нм для DRAM. SK hynix нарастит производство на 8 % до 6,48 млн пластин в год; Micron же останется при прошлогодних 3,6 млн пластин. Но рост производства в этом году не сможет покрыть прогнозируемого спроса. Сегодня предложение DRAM удовлетворяет лишь 60 % спроса клиентов, и в серверной DRAM покрывается менее половины потребностей. Только в I квартале 2026 года рост контрактных цен на DRAM может составить от 5 % до 60 % квартал к кварталу — в сегменте NAND он ожидается в диапазоне от 33 % до 38 % за тот же период. Недостаточно высокое предложение на рынке, отмечают наблюдатели, сохранится по меньшей мере до тех пор, пока не начнёт работать завод Samsung P4 в Пхёнтхэке, а это едва ли случится до 2027 года даже при ускоренном графике. SK hynix сможет значительно нарастить мощности только после полного ввода кластера в Йонъине в эксплуатацию.  Осложняет обстановку дефицит запасов по всей цепочке: в сегменте DRAM их хватает на две или три недели, в NAND — около шести недель. С октября 2025 года производство работает на близком к максимальному уровне, и восполнять запасы мешают недостаточно высокие производственные мощности. Истощаются и запасы у клиентов. Производители серверов не имеют возможности сформировать достаточно объёмные запасы, то же касается компаний, выпускающих иную готовую продукцию — возникают опасения по поводу крупномасштабных сбоев на рынке электроники в целом. Поставщики реагируют на дефицит резком повышением цен: в четвёртом квартале некоторые клиенты согласили платить сразу на 70 % больше, чем кварталом ранее; у Samsung средняя цена продажи подскочила на 43 %. Samsung и SK hynix не решаются значительно наращивать производство DRAM, потому что слишком сильное расширение может привести к избытку предложения после того, как спрос на системы ИИ стабилизируется. По последний оценкам, запросы клиентов на DRAM могут вырасти на 30 % в годовом исчислении, причём значительную часть от этого показатели составит спрос со стороны крупных компаний и производителей чипов, в том числе AMD и Nvidia. В сегменте NAND рост спроса ожидается в районе 20 %. Оцениваемый на основе капитальных затрат рост производства составит около 20 % в сегменте DRAM и 17 % для NAND, но следует отметить, что совокупные мощности всех трёх крупнейших производителей уже распроданы на весь 2026 год. Таким образом, планируемое увеличение поставок памяти Samsung представляется незначительным и в краткосрочной перспективе не окажет благотворного влияния на цепочку поставок. Более того, завод SK hynix M15X, расширение комплекса Samsung в Пхёнтхэке и новый завод Micron в американском Айдахо, скорее всего займутся удовлетворением спроса на HBM. Оба корейских гиганта сейчас занимаются активным развитием существующих и перспективных технологий HBM — HBM3, HBM3E и HBM4. Это значит, что в потребительском сегменте наращивание Samsung производства DRAM вообще может пройти незамеченным, и дефицит памяти с большой вероятностью сохранится ещё долгое время. Возможно, он не прекратится до 2028 года и даже со временем усилится из-за потребностей отрасли ИИ, заявил недавно вице-президент Micron. Как ожидается, цены на DRAM для ПК продолжат расти всю первую половину года, схожий эффект ожидает контрактные цены для мобильных устройств. Серверная DRAM в I квартале 2026 года подорожает ещё на 60 % по сравнению с предыдущим кварталом. Память DRAM подорожала почти на 10 % за неделю — поставщики придерживают чипы
14.01.2026 [16:37],
Анжелла Марина
Спотовые цены на рынке оперативной памяти DRAM продолжили уверенный рост, несмотря на низкие объёмы торгов. Аналитики TrendForce объясняют эту динамику позицией трейдеров, которые не спешат расставаться с имеющимися запасами в ожидании дальнейшего повышения стоимости. 
Источник изображения: Lenovo
Источник изображения: trendforce.com Схожая динамика прослеживается и в сегменте флеш-памяти NAND, где котировки также продолжили свой рост. Тем не менее, объёмы транзакций остаются невысокими из-за сочетания следующих факторов: значительно возросших цен, вялого спроса на потребительские товары и грядущей остановки фабрик на период празднования китайского Нового года. 
Источник изображения: trendforce.com Часть покупателей решила занять выжидательную позицию, однако спотовые трейдеры, сохраняя оптимизм относительно будущих рыночных трендов, отказались снижать цены ради стимулирования продаж. Такое противостояние привело к вялотекущей активности на рынке, но не остановило рост стоимости компонентов, отмечают аналитики. За отчётную неделю средняя спотовая цена на 512-гигабитные TLC-пластины увеличилась на 9,68 % и составила $15,052. Производители ПК и смартфонов получат в 2–5 раз меньше памяти, чем им требуется в этом году
14.01.2026 [14:54],
Алексей Разин
В текущем году предпосылок для облегчения ситуации с дефицитом микросхем памяти не ожидается, как убеждены аналитики KeyBanc. На этом фоне производители ПК и смартфонов будут ощущать сильнейшую нехватку чипов памяти. Фактически, им будет доставаться не более 20–45 % необходимых объёмов памяти, а цены на смартфоны вырастут.  Объёмы поставок микросхем памяти в серверном сегменте в этом году в ёмкостном выражении должны увеличиться на 50 %, контрактные цены на DRAM в первом квартале вырастут на 25 % и на величину от 10 до 12 % во втором квартале, по прогнозам экспертов KeyBanc. В сегменте NAND контрактные цены вырастут на 20 % в первом квартале и до 15 % во втором, по их мнению. За пределами сегмента ЦОД покупателям микросхем памяти будут доступны гораздо более скромные квоты, не более 20–45 % от фактической потребности. В результате, цены на память для ПК и смартфонов тоже продолжат расти, а ещё сократятся объёмы производства этих устройств. В количественном выражении поставки ПК сократятся в этом году на 5–10 %, а поставки смартфонов упадут на величину от 3 до 5 %. Более того, крупные поставщики смартфонов типа Apple и Samsung будут вынуждены увеличить стоимость своих устройств на $100–150. По мере наращивания поставок систем на базе процессоров Nvidia Vera, которые сочетаются с памятью типа LPDDR5X, будет усугубляться её дефицит на всём рынке. Эксперты KeyBanc предполагают, что эти системы потребуют такого же количества памяти, как и 150 млн смартфонов. Это менее 10 % ёмкости рынка смартфонов, так что давление на рынок LPDDR5X хоть и будет явно выраженным, окажется не критическим. Samsung вернула звание крупнейшего производителя DRAM, заработав больше всех в четвёртом квартале
13.01.2026 [10:08],
Алексей Разин
Для Samsung Electronics с репутационной точки зрения прошлый год не был простым. Компания уступила статус крупнейшего поставщика памяти SK hynix сперва в показателях прибыли, а затем и выручки. Тем не менее, к четвёртому кварталу Samsung удалось получить максимальную среди производителей DRAM выручку, что позволило ей реабилитироваться в профильном рейтинге. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как поясняет Counterpoint Research, ещё в третьем квартале прошлого года Samsung стала крупнейшим поставщиком памяти всех типов в денежном выражении, а по итогам четвёртого ей удалось отвоевать статус лидера в сегменте DRAM. По подсчётам экспертов, в прошлом квартале подразделение Samsung по выпуску всех типов памяти увеличило свою выручку на 34 % в последовательном сравнении до $25,9 млрд. Из этой суммы рекордные $19,2 млрд пришлись на сегмент DRAM, а оставшиеся $6,7 млрд были получены в сегменте NAND. Кроме того, выручка от реализации памяти обоих типов сформировала 40 % совокупной выручки Samsung за период, подчеркнув важность этого бизнеса для южнокорейского конгломерата. 
Источник изображения: Counterpoint Research Впрочем, понятно, что высокой динамике выручки Samsung от реализации памяти способствовал резкий рост цен, и в натуральном выражении объёмы поставок не выросли пропорционально. Общая выручка Samsung в четвёртом квартале достигла $63,3 млрд, а операционная прибыль выросла до $13,6 млрд. В сегменте DRAM доминировавшая на протяжении четырёх кварталов SK hynix вынуждена была сдаться под натиском Samsung, отступив на второе место. Эксперты Counterpoint Research ожидают, что в 2026 году у Samsung имеются все возможности для улучшения своих финансовых показателей. Помимо выхода смартфонов семейства Galaxy S26, к благоприятным факторам относится и предполагаемая сертификация памяти HBM4 под требования Nvidia. В отличие от SK Hynix, которая зависит и от TSMC, компания Samsung при выпуске HBM4 может полагаться на собственные передовые техпроцессы. Если с качеством продукции будет всё в порядке, то Samsung сможет заметно усилить свои позиции в прибыльном сегменте рынка, связанном с HBM4. Нехватка памяти в этом году будет ограничивать объёмы выпуска ПК и способствовать росту цен
13.01.2026 [08:54],
Алексей Разин
Влияние бума ИИ на рынок ПК не ограничится ростом цен на микросхемы памяти и накопители, как поясняют опрошенные The Register эксперты. В этом году дефицит памяти приведёт к тому, что производители ПК будут вынуждены отдавать предпочтение выпуску более дорогих моделей, а сами объёмы производства ПК сократятся из-за дефицита памяти и роста цен. 
Источник изображения: Lenovo По словам главного аналитика Omdia Бена Йэ (Ben Yeh), с первого по четвёртый кварталы прошлого года цены на массовые модули памяти для ПК и накопители выросли на величину от 40 до 70 %, и поставщики невольно были вынуждены перенести возросшие затраты на карманы покупателей. Как считает эксперт Omdia, в условиях дефицита памяти производители ПК предпочтут отдавать предпочтение поставкам более дорогих конфигураций, чтобы защитить свою прибыль. Компьютеры начального и среднего уровня в таких условиях станут более редким товаром. Ситуация будет различаться в зависимости от способности конкретного производителя ПК договориться с поставщиками памяти, поэтому кто-то в условиях таких ограничений сможет укрепить свои рыночные позиции за счёт менее удачливых конкурентов. Представители TrendForce прогнозируют, что общие объёмы поставок ноутбуков в этом году сократятся на 5,4 % до 173 млн штук по сравнению с предыдущим годом. Подобная тенденция скажется и на бизнесе Microsoft, поскольку переход на Windows 11 будет замедлен проблемами с покупкой новых ПК по вменяемым ценам и в необходимом количестве. Доля Windows 11 не особо выросла с момента прекращения технической поддержки Windows 10 в октябре прошлого года. В прошлом году лидером рынка ПК оставалась китайская Lenovo, занимающая почти его четверть, на втором месте оказалась HP Inc. с более чем 20 %, на третьем расположилась Dell (15 %), Apple не смогла дотянуть до 10 % на четвёртом, а замыкала пятёрку Asus с 7,2 % рынка. Эксперты Omdia отмечают, что участники рынка не ожидают снижения спроса на память до конца текущего года, как минимум. «Это печальная ситуация»: Micron попыталась оправдаться за закрытие Crucial
12.01.2026 [17:51],
Николай Хижняк
В конце прошлого года Micron объявила о судьбоносном решении закрыть бренд потребительских SSD и памяти Crucial. Теперь компания впервые прокомментировала информацию о своём уходе с потребительского рынка. Производитель также предупредил, что, несмотря на начало строительства новых заводов по производству памяти, не следует ожидать значительного увеличения объёмов выпуска чипов памяти, способного повлиять на предложение, по крайней мере до 2028 года. 
Источник изображения: Micron Ответ на критику решения компании закрыть Crucial прозвучал в интервью портала WCCFTech с Кристофером Муром (Christopher Moore), вице-президентом Micron по маркетингу подразделения мобильных и клиентских устройств. Издание не стало медлить и сразу же задало Муру вопросы о спорном, но не совсем неожиданном решении Micron закрыть потребительский бренд оперативной памяти и твердотельных накопителей Crucial в конце прошлого года. В начале декабря компания заявила, что собирается свернуть свой потребительский бизнес к концу следующего месяца (в январе 2026 года), перераспределив мощности на производство DRAM и SSD для корпоративного сектора и сегмента разработки решений в области искусственного интеллекта. Мура спросили, действительно ли поставщики памяти теперь ориентируются на сектор ИИ и «оставляют [рынок] потребителей позади» в результате этого. «Я не хотел бы говорить кому-то, что думать или что он неправ, но наша точка зрения заключается в том, что мы стараемся помогать потребителям по всему миру. Мы просто делаем это через разные каналы. У нас по-прежнему очень большой бизнес на клиентском и мобильном рынках. Мы также, конечно, обслуживаем наших клиентов из сегмента центров обработки данных. И сейчас ситуация такова, что общий объём целевого рынка (TAM) в сегменте ЦОД растёт просто невероятно. И мы хотим убедиться, что как компания также способствуем удовлетворению спроса этого рынка», — заявил Мур. Он добавил, что компания по-прежнему обслуживает клиентское направление рынка, поставляя оперативную память LPDDR5 OEM-производителям, таким как Dell и Asus, для использования, в том числе, в ноутбуках. Однако эта новость вряд ли утешит сообщество энтузиастов и любителей самостоятельной сборки ПК, сталкивающихся с колоссальным ростом цен на рынке ОЗУ и SSD. По словам Мура, Micron поддерживает связь со «всеми существующими брендами ПК», но компания просто не может позволить себе игнорировать спрос со стороны сегмента ИИ. «Сейчас происходит следующее: активно ведётся строительство центров обработки данных, и общий объём рынка (TAM) в сегменте корпоративных ЦОД растёт. Сначала он достиг 30–35 %, затем 40 %, а теперь и 50–60 % от общего рынка, что приводит к дефициту ресурсов. Вся отрасль испытывает нехватку. Думаю, это нужно понимать. Это не проблема Micron, это проблема всей отрасли, где мы и наши конкуренты спешим максимально удовлетворить потребности этих сегментов, а ресурсов просто не хватает. Это действительно печальная ситуация. Но я считаю очень важным, чтобы люди понимали, что мы по-прежнему обслуживаем потребительский рынок», — добавил Мур. 
Источник изображения: AMD Надежды профессиональных сборщиков, а также любителей самостоятельной сборки ПК связаны со строительством и вводом в эксплуатацию новых мощностей по производству памяти DRAM. Та же Micron ранее объявила о подготовке к началу строительства мегафабрики в Нью-Йорке стоимостью $100 млрд, где планирует производить 40 % всего объёма выпускаемой компанией DRAM-памяти к 2040-м годам. Мур в интервью WCCFTech также упомянул о предстоящем запуске завода ID1 в Айдахо, который должен начать работу в середине 2027 года, хотя изначально его ввод в эксплуатацию планировался на конец того же года. Однако топ-менеджер Micron предупредил, что «реальный, значимый объём производства» в цепочке поставок DRAM от нового завода в Айдахо станет заметен только к 2028 году. В настоящий момент Micron не справляется даже с текущим спросом. Генеральный директор компании заявил в декабре, что Micron способна удовлетворить лишь от половины до двух третей спроса на память, а это означает, что новые мощности в первую очередь будут направлены на восполнение существующего дефицита. Иными словами, даже если 2028 год может стать первым значимым шагом Micron к увеличению поставок DRAM, может пройти ещё несколько месяцев, прежде чем обычные потребители начнут замечать изменения к лучшему в ценах на сборку ПК. «Вы правы. Они [новые производственные линии] появятся. Для значительного увеличения объёма производства нам нужно больше чистых помещений, а это требует много времени. Поэтому три года назад мы начали строительство завода ID1 в Айдахо. Он должен быть введён в эксплуатацию в середине 2027 года — мы перенесли его открытие на более ранний срок, поскольку изначально ввод планировался к концу 2027 года. Но вы не увидите реального, значимого объёма производства к тому времени, как мы завершим все квалификационные испытания, клиенты примут продукцию и всё оборудование будет запущено и готово к работе, — это произойдёт не раньше 2028 года. Производители памяти спешат строить новые производственные линии, но различные ограничения в процессе в конечном итоге вынуждают их сдвигать сроки на несколько кварталов вперёд. А это значит, что для среднестатистического потребителя дефицит DRAM может сохраняться довольно долго или, по крайней мере, до тех пор, пока спрос со стороны ИИ не начнёт снижаться», — заявил Мур. Китайские учёные сообщили о разработке альтернативной ячейки памяти DRAM — дешевле и лучше «классики»
10.01.2026 [13:39],
Геннадий Детинич
Хотя Китай находится под санкциями в плане возможности закупок передового оборудования для производства чипов, включая оперативную память, работе исследователей это сильно не вредит. Более того, санкции заставляют активнее искать альтернативы классическим производствам, включая разработку перспективных архитектур. Одним из таких открытий стала разработка китайскими учёными архитектуры ячейки DRAM без обязательного конденсатора. 
Источник изображения: IME CAS О разработке сообщили исследователи из Института микроэлектроники при Китайской академии наук (IME CAS), создавшие техпроцесс производства новой памяти совместно с другими научными учреждениями Китая. В общем случае речь идёт о ячейке DRAM стандартного относительного размера 4F² (это минимальный размер классической ячейки памяти с одним транзистором и одним конденсатором). Тем самым ячейка новой архитектуры не больше классической, что уже намекает на хорошие перспективы разработки. Самое важное, что «китайская» ячейка не содержит отдельного конденсатора для хранения заряда (данных), что всегда служило проблемой для снижения масштаба техпроцесса производства DRAM. Вместо этого заряд хранится в канале управляющего транзистора ячейки, иначе называемого плавающим зарядом. Более того, у ячейки два управляющих транзистора (схема 2T0C), что позволяет им хранить заряд совместно в одном общем канале. Это повышает стабильность работы ячейки во всех режимах, включая снижение токов утечек. Также эта архитектура даёт возможность записывать два бита данных в каждую ячейку, обеспечивая четырёхуровневое значение заряда. Не менее хитро продуман техпроцесс производства новой памяти, и он предельно простой — заключается всего в одном экспонировании и одной обработке после экспонирования. Литографическая обработка производится сразу для заранее подготовленной многослойной пластины, состоящей из пяти нанометровых слоёв полупроводников, таких как материалы IGZO, тантал и другие, разделённых четырьмя слоями изолятора в лице диоксида кремния. В пластине за один проход вытравливаются углубления до 120 нм, стенки которых затем отжигом и напылением превратят в элементы транзисторов. Каждое углубление представляет собой два транзистора и, фактически, одну ячейку памяти. Транзисторы изготавливаются за один проход и поэтому не требуют совмещения по осям — процесс происходит как бы с самовыравниванием. Верхний транзистор отвечает за запись ячейки, а нижний — за чтение. Между ними физически расположен канал, одновременно являющийся местом для хранения заряда. Похоже, что проще техпроцесса для выпуска DRAM не придумать, что может стать основой для массового производства относительно недорогой оперативной памяти. Согласно проведённым исследованиям образцов новой памяти, ячейка может хранить данные 470–500 секунд без регенерации. Это не NAND-флеш, но тоже интересно с точки зрения снижения потребления новой архитектурой DRAM. Данное свойство может быть востребовано во встраиваемой архитектуре DRAM для мобильных применений. Задержка чтения составляет 50 нс, что сопоставимо с возможностью DDR5. Температурные дрейфы напряжения затвора находятся в допустимом диапазоне — менее 100 мВ для 85 °C. Одним словом, хоть сейчас в производство. Кстати, техпроцесс идеален для стекового многослойного выпуска оперативной памяти, с чем сегодня пока проблемы. Впрочем, ещё вопрос, попадёт ли эта память в производство. Очевидно, что одних лабораторных исследований для этого недостаточно. Неясны уровень брака и повторяемость характеристик в производственных условиях. Как бы там ни было, от лабораторных экземпляров до серийных чипов могут пройти даже не годы, а десятилетия, как показывает практика внедрения ReRAM, FeRAM, MRAM и других типов перспективной памяти. AMD не ожидает дефицита видеокарт Radeon в 2026 году, но роста цен не избежать
10.01.2026 [10:25],
Николай Хижняк
Прочные партнёрские отношения AMD с поставщиками памяти DRAM гарантируют отсутствие дефицита видеокарт Radeon в 2026 году. Об этом в разговоре с TweakTown на выставке CES 2026 заявил вице-президент и генеральный менеджер подразделения клиентских процессоров AMD и графики Radeon Дэвид Макафи (David McAfee).  Однако Макафи не исключил повышения цен на видеокарты, поскольку AMD стремится поддерживать конкурентоспособное соотношение производительности и цены для геймеров на фоне роста стоимости компонентов. Цены на чипы памяти DRAM на мировом рынке делают покупку компонентов ПК, таких как оперативная память, всё более недоступной. Аналогичные процессы распространяются и на рынок видеокарт, поскольку в них используется микросхемы видеопамяти. Например, флагманская видеокарта AMD последнего поколения RDNA 4, Radeon RX 9070 XT, стандартно комплектуется 16 Гбайт памяти GDDR6. «Сложности и проблемы рынка DRAM были очень подробно освещены в СМИ. Что касается нас, у нас налажены долгосрочные партнёрские отношения со всеми производителями DRAM, чтобы гарантировать удовлетворение наших потребностей в поставках DRAM для наших графических процессоров [Radeon] и обеспечить производство того, что нужно геймерам», — заявил Макафи. AMD не прогнозирует дефицита своих видеокарт Radeon для ПК-геймеров в 2026 году. «С этой точки зрения меня не беспокоит, что нынешние ограничения [на рынке памяти] приведут к дефициту видеокарт на рынке. Я думаю, у нас достаточно долгосрочных, глубоких и стратегически важных партнёрских соглашений. Это критически важная проблема, над решением которой мы работаем с нашими партнёрами каждый день», — добавил Макафи. Вторым важным вопросом, связанным с нынешним кризисом на рынке памяти, является ценообразование. Доступность — это одно, а продажа видеокарты по первоначально установленной цене — совсем другое. Хорошая новость заключается в том, что AMD полна решимости сохранить конкурентоспособность Radeon в условиях неопределённости в ближайшей перспективе, но повышение цен, вероятно, всё равно произойдет. «Наше конкурентное преимущество Radeon заключается в том, чтобы предоставить конечным пользователям больше за их деньги, и по мере изменения рыночной конъюнктуры мы хотим убедиться, что продолжаем это делать и обеспечиваем геймерам наилучшую производительность за доллар. Даже несмотря на рост стоимости компонентов, мы будем максимально активно работать в этом направлении, чтобы обеспечить максимальную производительность за доллар. Я не собираюсь утверждать, что цены на все эти компоненты останутся неизменными. Я думаю, что неизбежно что-то произойдёт. И мы стараемся максимально смягчить последствия, чтобы сохранить высокую ценность для конечных пользователей», — отметил топ-менеджер AMD. Ящик модулей DDR5 уже стоит, как дом в Шанхае — и покупателей памяти становится всё меньше
08.01.2026 [14:33],
Алексей Разин
Цены на оперативную память быстрее всего растут в серверном сегменте, китайский рынок не является исключением, но местные цены на DDR5 уже достигли того уровня, который начинает вызывать отторжение у покупателей. В частных беседах те уже признают, что сотня модулей памяти объёмом 256 Гбайт стоит столько же, как дом в Шанхае. 
Источник изображения: Micron Technology Если рассмотреть ситуацию подробнее, то за один модуль DDR5 указанного объёма в Китае просят от $5000 до $7000. По сути, в одном ящике при закупках для нужд ЦОД размещается 100 таких модулей, и в этом случае уже приходится говорить о стоимости в районе $700 000. За сопоставимую сумму в Шанхае — не самом дешёвом китайском мегаполисе, предлагаются жилые дома. При этом во многих случаях при покупке объекта недвижимости в указанном городе ещё и можно сэкономить относительно упоминаемой суммы. TrendForce напоминает, что в этом квартале контрактные цены на DRAM могут последовательно увеличиться сразу на 55–60 %, а в серверном сегменте данный прирост может оказаться ещё выше. Во многом в такой динамике цен на память виноваты американские облачные провайдеры, которые разогревают рынок своими огромными потребностями в развитии вычислительной инфраструктуры в условиях бума искусственного интеллекта. Контрактные цены на память NAND в этом квартале вырастут последовательно на 33–38 %, как предполагают эксперты TrendForce, так что редкий сегмент рынка памяти окажется в стороне от тенденции к всеобщему подорожанию. Даже потребительские накопители типа SSD в этих условиях готовятся вырасти в цене более чем на 40 %. Новая статья: Итоги-2025: почему память стала роскошью и что будет дальше
08.01.2026 [00:03],
3DNews Team
Серверы съедают всё: оперативная память подорожает ещё на 60 %, а SSD — на 40 % до конца марта
05.01.2026 [15:56],
Алексей Разин
В текущем квартале рынком памяти будут руководить прежние тенденции, как отмечает TrendForce. Производители памяти будут отдавать предпочтение потребностям серверного рынка, в результате чего контрактные цены на DDR вырастут последовательно на 55–60 %, а контрактные цены на NAND увеличатся на 33–38 % относительно четвёртого квартала минувшего года. 
Источник изображений: Samsung Electronics Активно скупаемая американскими облачными гигантами память продолжает дорожать, прочим потребителям приходится покупать её по всё более высоким ценам. В серверном сегменте контрактные цены на DRAM последовательно вырастут в этом квартале более чем на 60 %. В сегменте NAND всё сильнее проявляется разделение на потребительский сектор и направление ИИ. Основная часть твердотельной памяти уходит на производство SSD корпоративного класса, цены на клиентские SSD в итоге в текущем квартале могут вырасти более чем на 40 %. Поставщики DRAM, по мнению аналитиков TrendForce, в этом квартале продолжат отдавать приоритет обеспечению передовой продукцией серверного рынка. Основные производственные мощности и передовые технологии будут задействованы именно на серверном направлении. Классическая DRAM в условиях нарастающего дефицита может подорожать в масштабе контрактных цен на 55–60 % по сравнению с прошлым кварталом, а в сегменте NAND рост контрактных цен по всем товарным категориям достигнет 33–38 %. С учётом HBM контрактные цены на DRAM последовательно вырастут на 50–55 %. Сезонное снижение спроса на ноутбуки не помешает росту цен на оперативную память для ПК в этом квартале, поскольку для насыщения данного рынка выделяется всё меньше профильной продукции. Производители ПК вынуждены закупать память по более высоким ценам, многие сокращают удельный объём памяти в составе предлагаемых компьютеров. Растут цены не только на отдельные микросхемы памяти, но и модули памяти на их основе. В серверном сегменте ориентация на инференс в системах искусственного интеллекта увеличила спрос на память ещё в конце прошлого года. Американские облачные гиганты увеличивают объёмы закупок, опережая ранее сформированные графики. Именно они стали крупнейшими покупателями памяти на рынке, поглощая основную часть дополнительного предложения производителей. Наращивать поставки за счёт ранее сформированных запасов скоро перестанет получаться, а потому доступность памяти будет определяться способностью производителей наладить обработку дополнительного количества кремниевых пластин. Последовательный рост контрактных цен на серверную DRAM в этом квартале должен превысить 60 %. Рынок мобильной техники в первом квартале переживает сезонный спад спроса, но в условиях дефицита памяти улучшения ситуации с доступностью микросхем LPDDR4X и LPDDR5X ожидать не следует, по мнению представителей TrendForce. Дорожает и память для видеокарт, даже с учётом снижения спроса на графические решения Nvidia семейства GeForce RTX 6000. Память для видеокарт производится по схожим технологиям с DDR5, поэтому поставщики отдают приоритет последней, усиливая дефицит GDDR и провоцируя рост цен. Производители не торопятся наращивать объёмы выпуска продукции, что будет способствовать сохранению дефицита DRAM в целом.  В первом квартале, по прогнозу TrendForce, спрос на клиентские SSD последовательно сократится, поскольку объёмы поставок ноутбуков уменьшатся, а характеристики решений начального и среднего ценового уровня будут ухудшаться ради снижения себестоимости. Поставщикам SSD выгоднее концентрироваться на серверном рынке. Наибольшим дефицитом становятся ёмкие накопители на основе памяти типа QLC, которые ранее отличались относительно низкой стоимостью. В этом квартале клиентские SSD последовательно подорожают на 40 %, продемонстрировав самую высокую динамику цен в сегменте NAND. Как ожидают эксперты TrendForce, в текущем году мировой серверный рынок достигнет пика, во многом благодаря активности американских компаний по развитию вычислительной инфраструктуры для ИИ. В сегменте eMMC/UFS спрос на твердотельную память со стороны производителей смартфонов в текущем квартале просядет, поскольку в первой половине прошлого года производители активно стимулировали продажи, и все желающие закупились смартфонами на обозримую перспективу. В этом квартале продажи смартфонов последовательно сократятся на значительную величину. Сегмент хромбуков также не поможет рынку eMMC/UFS оживить спрос, а поставщики памяти этих типов будут сокращать предложение. Цены на кремниевые пластины для производства твердотельной памяти продолжат расти в силу целого набора факторов, хотя спрос и должен сократиться в текущем квартале. Китайский производитель памяти CXMT собирается выручить в ходе IPO до $4,2 млрд
01.01.2026 [09:00],
Алексей Разин
Давно понятно, что наблюдавшийся в прошлом году подъём цен на память вызван бумом ИИ, который нацелил ресурсы всех производителей на удовлетворение спроса в этом сегменте рынка. Пожалуй, для привлечения инвестиций производителям памяти лучшего времени не найти, поэтому китайская CXMT собирается выйти на биржу в Шанхае именно сейчас, рассчитывая привлечь $4,2 млрд. 
Источник изображения: CXMT В прошлом году CXMT, которая является крупнейшим производителем DRAM в Китае, почти удвоила свою выручку и ожидает благодаря этому перейти на безубыточность. В мировых масштабах CXMT является четвёртым по величине производителем DRAM, уступающим только тройке классических лидеров в лице Samsung, SK hynix и Micron. Вырученные на IPO деньги она намеревается направить на расширение производства памяти, модернизацию предприятий и разработку перспективных типов памяти. Ориентируясь главным образом на внутренний рынок Китая, компания вполне неплохо могла бы себя чувствовать при наличии достаточных для расширения производства сумм. Следует учитывать, что инвестиции в производство памяти не дают моментальной отдачи, на строительство новых линий уходят годы, а в условиях западных санкций китайским производителям сложно получать доступ к необходимым технологиям и обеспечивать экономически оправданный уровень выхода годной продукции. Спрос уже превышает предложение, и дальше разрыв будет только увеличиваться, поэтому CXMT предстоит действовать решительно, находя адекватное применение вырученным на IPO средствам. Недавно CXMT оказалась замешана в скандале с предполагаемой утечкой технологических секретов Samsung Electronics, поэтому определённые репутационные издержки могут помешать ей завоёвывать доверие инвесторов. Дополнительные производственные мощности когда-нибудь пригодятся, даже если к моменту насыщения рынка памяти на этом этапе CXMT со своим расширением производства не успеет. Nemix представила DDR5-комплект за $70 800 — и объяснила, почему он стоит так дорого
28.12.2025 [07:37],
Анжелла Марина
Компания Nemix из США, специализирующаяся на поставках памяти и накопителей для крупных технологических компаний и государственных структур, представила комплект оперативной памяти DDR5 общей ёмкостью 4 Тбайт. Набор состоит из 16 модулей ECC RDIMM (Registered Dual In-line Memory Module) по 256 Гбайт каждый, работающих на частоте 6400 МТ/с с CAS-латентностью 52 и при этом потребляющих всего 1,1 В напряжения. Однако внушительная цена комплекта делает его уделом высокобюджетных гиперскейлеров и энтузиастов экстремальных рабочих станций, где критически важны как объём памяти, так и её надёжность. 
Источник изображения: NEMIX Цена набора, как стало известно изданию TechPowerUp, составляет $70 800, что эквивалентно примерно $17,3 за гигабайт, то есть почти вдвое дороже, чем у потребительской DRAM, средняя стоимость которой сейчас находится на уровне $10 за 1 Гбайт. Такой ценовой разрыв объясняется не просто текущим дефицитом DRAM на рынке, а особыми техническими характеристиками этих модулей. В отличие от обычных DDR5-модулей, где коррекция ошибок (ECC) реализована только внутри самого чипа памяти (on-die ECC), в этих RDIMM используются дополнительные внешние микросхемы коррекции ошибок (off-die ECC). Встроенная ECC в DDR5 сама по себе не обеспечивает полной защиты от ошибок, так как она предназначена лишь для исправления сбоев внутри отдельного чипа, но чтобы гарантировать надёжность, памяти требуется дополнительная микросхема (на основе кремния), обеспечивающая коррекцию ошибок на уровне всего модуля. Именно это «кремниевое» решение делает такие модули пригодными для использования в гипермасштабируемых системах и рабочих станциях и объясняет их высокую стоимость. Хотя цена в $70 800 кажется астрономической, для крупных компаний она может быть оправдана, так как они, как правило, закупают такие комплекты большими объёмами и получают значительные оптовые скидки. Кроме того, в условиях острого дефицита DRAM-чипов на мировом рынке подобные решения становятся особенно востребованными для развёртывания инфраструктуры, где нельзя пожертвовать ни плотностью памяти, ни надёжностью. Если говорить о сценариях использования комплекта, то он включает обучение крупных моделей искусственного интеллекта, хранение терабайтов данных в оперативной памяти (in-memory databases), а также управление крупными кластерами виртуализации, где один физический сервер может одновременно обслуживать сотни контейнеров или виртуальных машин. В этом контексте его стоимость составляет лишь незначительную часть общих капитальных затрат на ИТ-инфраструктуру. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
