Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Подорожание памяти DRAM и NAND в этом квартале замедлится — но совсем чуть-чуть
01.10.2026 [14:59],
Алексей Разин
Оперативная и флеш-память в наступившем четвёртом квартале будут дрожать не так быстро, как в предыдущем, прогнозируют аналитики TrendForce. В сегменте DRAM цены последовательно увеличатся на 10–15 %, а на направлении NAND они вырастут на 15–20 %. Лишь цены на SSD корпоративного класса продолжат свой стремительный рост. 
Источник изображения: Micron Technology В сегменте NAND, по мнению специалистов TrendForce, в текущем квартале будет наблюдаться некоторое расслоение тенденций. Инфраструктура ИИ продолжит испытывать дефицит флеш-памяти, а вот потребительский сегмент столкнётся со снижением спроса из-за высоких цен. В любом случае, цены в целом по рынку твердотельной памяти продолжат расти, и по итогам текущего квартала последовательно увеличатся в среднем на 15–20 %. В прошлом квартале они должны были увеличиться на 18–23 %. Цены на DRAM в прошлом квартале выросли на 13–18 %, но с учётом HBM прирост составил 8–13 %. В текущем квартале, по мнению представителей TrendForce, цены на классическую DRAM вырастут на 10–15 %, а с учётом HBM прирост составит от 15 до 20 %. В сегменте ПК цены на DRAM будут расти, что скажется на стоимости готовых компьютеров и негативно повлияет на спрос. Производители памяти при этом продолжат агрессивно наращивать свои запасы микросхем оперативной памяти, ожидая сохранения дефицита в 2027 году и дальнейшего роста цен. Формально, свои обязательства перед клиентами поставщики памяти в сегменте ПК выполняют на протяжении всего текущего года, но дефицит может усилиться в следующем году из-за высокого спроса на память в серверном сегменте. На серверном направлении спрос на DRAM продолжает расти по мере того, как ситуация с доступностью серверных процессоров начала улучшаться. Поставщики памяти увеличили долю модулей RDIMM небольшого объёма в структуре своей продукции. Тем не менее, на этапе изготовления микросхем памяти всё равно сохраняются «узкие места», а потому удовлетворить спрос не получается. Динамику цен позволяют сгладить долгосрочные контракты на поставку памяти, которые получили распространение в серверном сегменте. В мобильном сегменте на рынок продолжают давить нехватка микросхем памяти малой ёмкости и высокие цены. В то же время, память мобильных форматов пользуется растущей популярностью у производителей серверного оборудования, привлекая их своей энергетической эффективностью. В таких условиях цены на мобильную DRAM могут только расти в ближайшее время, пусть и не так активно, как в трёх предыдущих кварталах 2026 года. 
Источник изображения: TrendForce В сегменте графической памяти к GDDR6 присматриваются производители ПК в надежде сократить себестоимость готовой продукции. Микросхемы GDDR7 пока востребованы главным образом при производстве ИИ-ускорителей, но они пользуются более высоким спросом по сравнению с GDDR6. Проблема заключается в том, что производство GDDR6 постепенно сворачивается, а выпуск GDDR7 наращивается недостаточно быстро для насыщения рынка, а потому цены остаются высокими и продолжают подниматься дальше. В сегменте потребительской DRAM спрос подпрыгивает из-за влияния смежных частей рынка. Например, такие микросхемы востребованы производителями SSD, которые поставляются в серверном сегменте. Крупным производителям выпускать потребительскую DRAM уже не выгодно, поэтому рынок всё больше зависит от тайваньских поставщиков. К счастью, темпы роста цен немного снижаются. В сфере клиентских SSD производители ПК могут довольствоваться запасами продукции, изготовленной в первой половине текущего года. Производители ПК при этом стараются снижать ёмкость предлагаемых в составе своих систем накопителей, чтобы экономить на их закупке. В этом сегменте NAND-памяти по итогу требуется меньше, чем ранее. Ценовая политика поставщиков становится более гибкой и не провоцирует удорожания накопителей прежними темпами. Зато в серверном сегменте SSD спрос на накопители в ёмкостном выражении по итогам текущего года должен вырасти более чем на 80 %, поскольку они очень востребованы облачными провайдерами, расширяющими вычислительную инфраструктуру для ИИ. Развитие агентских приложений поднимает спрос на твердотельные накопители, которые ускоряют работу с данными по сравнению с классическими жёсткими дисками. Рост цен на SSD корпоративного класса в четвёртом квартале должен ускориться по сравнению с третьим. В сегменте eMMC и UFS (карт памяти) производители смартфонов предпочитают обходиться созданными ранее запасами, а производители бытовой электроники не торопятся приобретать такую память по текущим высоким ценам. Динамика спроса в результате не особо выражена в этой сфере. Закупки осуществляются минимальными партиями, предусмотренными соглашениями с поставщиками. Цены на кремниевые пластины для изготовления памяти NAND достигли исторических высот, а потому их потребители в лице производителей микросхем не торопятся закупать в необходимых количествах. В то же время, сами поставщики кремниевых пластин пытаются ограничивать предложение, чтобы не снижать цены и обеспечивать существующую прибыльность своего бизнеса. Опять же, сопротивление покупателей ограничит дальнейший рост цен на пластины. Micron: память продолжит дорожать в 2027 году, а дефицит может сохраниться даже после 2028 года
01.10.2026 [12:22],
Алексей Разин
Выручка Micron Technology в минувшем фискальном квартале выросла почти в четыре раза — до $54 млрд, а чистая прибыль взлетела почти в 12 раз — до $37,7 млрд на фоне высоких цен на память. Вместе с отчётом о финансах производитель заявил, что дефицит памяти сохранится как минимум до 2028 года, а может продлиться и за пределы этого периода, и цены продолжат расти в 2027 году. 
Источник изображения: Micron Technology С точки зрения динамики основных финансовых показателей в четвёртом квартале 2026 фискального года, который завершился в её календаре третьего сентября, Micron превзошла ожидания инвесторов. Выручка достигла $54,23 млрд против заложенных в прогноз $51,07 млрд, а удельный доход на одну акцию составил $33,42 против $31,61. В текущем фискальном квартале Micron рассчитывает выручить $61,5 млрд, тогда как аналитики в среднем рассчитывают на сумму около $57 млрд. С начала года курс акций Micron вырос более чем на 500 %, поскольку инвесторы увидели в производителях памяти одних из главных бенефициаров бума искусственного интеллекта. Микросхемы памяти требуются для элементов вычислительной инфраструктуры в больших количествах, а существенно нарастить объёмы их выпуска в сжатые сроки не получается. По итогам всего фискального 2026 года Micron увеличила свою выручку более чем в три раза — с $37,4 до $133,2 млрд. Чистая прибыль увеличилась на 895 % — до $85 млрд. Поставки DRAM в прошлом квартале принесли Micron $39,8 млрд, что почти в три с половиной раза больше результата аналогичного периода прошлого года. Фактически именно микросхемы оперативной памяти формировали 73 % всей выручки компании за период. Серьёзный вклад на этом направлении сделала дорогая и востребованная память класса HBM. По словам руководства Micron, компания располагает основательным перспективным планом по выпуску новых типов HBM и уже сотрудничает с Nvidia по кастомизации HBM4E (NV-HBM) с учётом пожеланий этого заказчика, рассчитывая стать первопроходцем в этой области. Micron, по словам генерального директора Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), уже распродала весь объём производства памяти на следующий год. Клиенты, как он добавил, будут платить за память гораздо больше, чем в этом году. «В календарном 2027, как и 2028 годах мы ожидаем увидеть превышение спроса над предложением. Фактически, мы видим более сильную нехватку в отрасли в 2027 и 2028 годах по сравнению с 2026 годом. В целом, ситуация со спросом и предложением становится всё более напряжённой», — подчеркнул Мехротра. Он добавил, что в Micron пока не видят на горизонте сроков достижения баланса между спросом и предложением на рынке памяти. Конкурирующая Samsung Electronics в прошлом месяце призналась, что распродала около 70 % всей памяти, которую собирается выпустить до 2031 года. К 2028 году Micron введёт в строй новые мощности по производству памяти, но они не смогут моментально устранить дефицит, как предупредило руководство компании. Только в первой половине текущего фискального года капитальные затраты компании составят $25 млрд. Спрос на HBM, например, растёт быстрее, чем на классическую DRAM серверного класса. Интересно, что это не помогает Micron больше зарабатывать на HBM в удельном выражении, поскольку продавать классическую DRAM сейчас выгоднее. Компания хочет найти способы повысить доходность своего бизнеса по производству и реализации HBM. Впрочем, выпуск обоих типов памяти, по меркам отрасли, весьма прибылен даже сейчас. В облачном сегменте бизнеса Micron может похвастать нормой прибыли в 83 %, хотя за год до этого показатель не превышал 59 %. На серверном направлении, где основным видом продукции является классическая DDR, компания продемонстрировала увеличение нормы прибыли с 41 до 90 %. В текущем квартале компания рассчитывает увеличить норму прибыли до 86,25 %. Выручка от реализации твердотельных накопителей (SSD) в серверном сегменте по итогам прошлого квартала приблизилась к $10 млрд, увеличившись в годовом сравнении более чем на 1000 %. Тенденции в развитии актуальных ИИ-моделей позволяют Micron рассчитывать на сохранение высокого спроса и на память типа NAND в серверном сегменте, используемую для хранения и скоростной обработки данных. Гендир Acer рассказал, когда цены на ПК перестанут расти и начнут снижаться
21.09.2026 [09:38],
Алексей Разин
В условиях, в которых сейчас находится отрасль по производству ПК, сложно находить поводы для оптимизма, но председатель совета директоров и генеральный директор Acer Джейсон Чэнь (Jason Chen) ожидает, что к середине следующего года цены на ПК достигнут своего пика, после чего начнут падать. Он также утверждает, что дефицит памяти DDR4 и DDR5 не так силён, как принято говорить.  Кроме того, как заявляет Economic Daily News со ссылкой на комментарии главы Acer, центральных процессоров производителям ПК вполне хватает. По крайней мере, дорогие модели процессоров доступны в адекватных количествах, а о дефиците если и можно говорить, то применительно к моделям среднего и начального ценовых уровней. Тем не менее, в текущем квартале цены на ПК успеют вырасти на величину от 5 до 20 %, по его словам, а своего пикового значения они достигнут к середине следующего года, после чего начнут снижаться. Относительно перспектив сохранения дефицита микросхем памяти глава Acer тоже настроен оптимистично. По его словам, новые производственные мощности будут вводиться в строй, и это решит проблему дефицита, ибо он не может длиться до самого 2030 года. Проблема в отрасли, по мнению Чэня, сейчас заключается в готовности поставщиков комплектующих отгружать свою продукцию по высоким ценам, особенно если говорить о модулях памяти и SSD, но при этом клиенты самой Acer не готовы покупать её продукцию по действующим ценам. Чем больше памяти установлено в конкретной модели ПК, тем сильнее она подорожает в ближайшие месяцы. Заметим, что производители памяти в своих прогнозах несколько менее оптимистичны. Они считают, что следующий год будет очень трудным для отрасли с точки зрения сближения объёмов спроса и предложения в сегменте памяти. При этом долгосрочные соглашения у многих поставщиков памяти уже подписаны на несколько лет вперёд, и об отставании предложения от спроса говорят даже представители компании Intel. Они же убеждены, что дефицит памяти сохранится минимум до 2028 года. Китайская CXMT запустила массовое производство памяти DRAM пятого поколения
20.09.2026 [11:29],
Владимир Фетисов
Китайский компания CXMT, занимающаяся производством памяти DRAM, объявила о начале массового производства чипов памяти пятого поколения. В компании это назвали прорывом, который поможет Поднебесной создать сильного конкурента Samsung, SK hynix и Micron на глобальном рынке чипов памяти. 
Источник изображения: CXMT Новая платформа предназначена для создания более производительных чипов памяти по более низкой цене и с меньшим энергопотреблением. CXMT, которая в этом году вышла на шанхайскую биржу STAR Market, заявила о готовности дать производителям электроники дополнительный источник поставок чипов для смартфонов и других устройств. CXMT, являющаяся крупнейшим китайским производителем памяти DRAM, заявила, что новая технология позволяет повысить плотность ячеек памяти и изготавливать больше чипов из одной кремниевой пластины. Производитель отмечает, что смог сократить расстояние между ячейками до 11,95 нм. Этого удалось добиться с помощью четырёхкратного экспонирования, то есть повторения процедуры нанесения рисунка на литографическом сканере четыре раза для формирования более тонких структур схем. «В настоящее время наши технологические возможности не уступают самым передовым техпроцессам, используемым в отрасли для массового производства», — заявил недавно вице-президент CXMT Луо Сяодун (Luo Xiaodong). Вместе с этим CXMT представила две 24-гигабитные микросхемы памяти LPDDR5X, произведённые на новой платформе. Память этого типа в основном используется в смартфонах и другой портативной электронике. Каждый из новых продуктов хранит на 50 % больше данных по сравнению с предыдущими аналогичными решениями вендора. Обе микросхемы уже выпускаются серийно. Чипы выпускаются в двух вариантах, ориентированных на использование в устройствах разного типа. В CXMT отметили, что новая платформа позволяет выпускать как минимум на 50 % больше заготовок для чипов с одной кремниевой пластины по сравнению с показателем платформы четвёртого поколения. Этот показатель отражает потенциальное количество чипов, которое можно получить с пластины до исключения брака, а не долю изделий, прошедших финальное тестирование. Samsung хочет больше модулей DDR5, но ей негде их производить — на помощь придут сторонние компании
18.09.2026 [08:21],
Алексей Разин
Кризис на рынке DRAM как раз и начался из-за стремления его участников выпускать больше дорогой и востребованной HBM, тогда как под нужды выпуска DDR5 и DDR4 выделялось всё меньше площадей и ресурсов. Samsung Electronics сейчас просит своих партнёров выделить больше мощностей под выпуск готовых модулей DDR5, поскольку она сама для этого не располагает достаточными свободными площадями. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как отмечает The Elec, аналогичная просьба коснулась и производителей твердотельных накопителей (SSD), которые исторически Samsung предлагает и под собственной торговой маркой. Чтобы увеличить объёмы производства модулей DDR5 и SSD, компания вынуждена полагаться на своих подрядчиков, а не собственные силы. Её предприятия по тестированию и упаковке чипов в Чхонане и Онъяне модернизируются только с прицелом на увеличение объёмов тестирования и упаковки HBM, а также других передовых чипов. Рост объёмов выпуска модулей памяти типа DDR5 будет обеспечиваться благодаря профильным усилиям сторонних компаний, сотрудничающих с Samsung Electronics. Эту инициативу нельзя назвать новой, поскольку источники сообщают о проведении соответствующих переговоров с партнёрами Samsung ещё с июня прошлого года. В текущем году она даже попросила партнёров ускорить строительство профильных производственных линий. Компания начнёт в этом году строительство нового предприятия в Онъяне, но на его возведение уйдёт несколько лет. На севере Вьетнама у Samsung также появится завод по тестированию и упаковке чипов, который будет специализироваться не на самых современных видах продукции типа DDR4, LPDDR4, NAND и UFS для карт памяти. Тем не менее, собственные мощности по производству готовых модулей памяти у компании в ближайшие годы не особо расширятся. Одним из подрядчиков Samsung по выпуску модулей памяти является Dreamtech, которая сейчас активно расширяет производственные мощности на территории Индии. Ещё в ноябре прошлого года компания приступила к локальному выпуску модулей памяти типа DDR5 в этой южноазиатской стране. В июне текущего года этот подрядчик Samsung принял решение переоснастить одно из своих индийских предприятий, которое ранее выпускало печатные платы для смартфонов, под производство модулей памяти. Основная часть работ по его перевооружению будет завершена в этом месяце, после чего начнётся наращивание объёмов выпуска модулей памяти. Ежегодно здесь планируется производить более 50 млн единиц такой продукции. Hanyang Digitech занимается повышением эффективности своего предприятия по производству модулей памяти на территории Вьетнама. В первой половине текущего года в закупку нового оборудования и автоматизацию техпроцессов здесь было вложено $22,7 млн. SFA Semicon перевозит оборудование, которым ранее сама Samsung пользовалась на своём предприятии в Онъяне, на свой филиппинский завод. Последний сможет начать выпуск модулей памяти с ноября текущего года, а во втором квартале следующего года дополнительно его расширит. Корейское предприятие этой компании занимается упаковкой чипов памяти типа FBGA, которые затем будут монтироваться на модули памяти на Филиппинах. Micron создала планку DDR5 объёмом полтерабайта
16.09.2026 [10:23],
Алексей Разин
Американский производитель памяти Micron Technology в очередной раз подтвердил свою ориентацию на удовлетворение потребностей серверных клиентов анонсом модулей RDIMM объёмом 512 Гбайт, способных работать в режиме до DDR5-9200 включительно. Данные модули памяти уже проходят валидацию компаниями Intel и AMD, а серийно выпускаться они начнут во второй половине следующего года. 
Источник изображения: Micron Technology По сути, компания анонсировала новые модули памяти практически за год до их появления в продаже, но подобная предупредительность в целом характерна для серверного сегмента. Двухпроцессорный сервер с 24 слотами памяти может приютить до 12 Тбайт оперативной памяти DDR5 благодаря использованию подобных модулей RDIMM. Добиться подобной плотности размещения микросхем на модуле удалось при помощи технологии вертикального монтажа с использованием межслойных соединений TSV. Если представители AMD просто отметили, что ведут валидацию данных модулей памяти с точки зрения совместимости со своими серверными платформами, то в Intel прозрачно намекнули, что обеспечат поддержку таких модулей памяти в рамках серверных платформ нового поколения. Увеличение объёма информации, хранимой непосредственно в ОЗУ, по данным Micron, позволяет на 60 % снизить энергопотребление по сравнению с четырьмя модулями объёмом по 128 Гбайт, номинально формирующими аналогичный совокупный объём памяти. В задачах анализа данных с использованием Spark SVM модули RDIMM объёмом 512 Гбайт способны обеспечить прирост быстродействия до 1,4 раза по сравнению с конфигурациями, построенными на модулях памяти объёмом 256 Гбайт. При работе с базами данных RocksDB и Redis более ёмкие модули памяти также обеспечивают рост эффективности процесса обработки данных. Kioxia придумала, как победить дефицит DRAM — помогут быстрые SSD, но не обычным ПК
15.09.2026 [12:27],
Павел Котов
Kioxia ведёт разработку решений, призванных сократить зависимость центров обработки данных от дорогостоящей и дефицитной DRAM — связанные с искусственным интеллектом рабочие нагрузки требуют всё больших объёмов памяти. 
Источник изображения: kioxia.com Стратегия японской компании включает выпуск SSD с интерфейсом PCIe 6.0 и внедрение технологии расширения памяти CXL, хотя в Kioxia пока не делают прямых заявлений, что эти продукты полностью вытеснят DRAM. Производитель показал SSD серии GP1 с интерфейсом PCIe 6.0 и протоколом NVMe, разработанные, чтобы обеспечить сверхвысокую интенсивность операций ввода-вывода в инфраструктуре ИИ. Эти накопители поддерживают прямое подключение к графическим процессорам, что позволяет сократить объём передачи данных по стандартным системным шинам при интенсивных вычислительных нагрузках. Компания также представила SSD корпоративного класса CM10 и предназначенные для ЦОД накопители серии NX1 с поддержкой жидкостного охлаждения. В первых используется технология Kioxia BiCS FLASH десятого поколения; вторые имеют формфактор E1.S и поддерживают интерфейс PCIe 5.0. Эти продукты ориентированы на ЦОД, где важны повышение производительности и улучшение теплового режима. Перенос части нагрузок на флеш-накопители поможет смягчить проблему дефицита оперативной памяти и роста затрат, повлиявшую на мировые цепочки поставок. Kioxia намерена использовать быстродействующую память NAND в качестве прямой альтернативы DRAM, но не её замены. Одной из наиболее значимых разработок является представленная ранее серия модулей расширения памяти XL1 с поддержкой CXL, разработанных на основе технологии XL FLASH с низкими показателями задержки. CXL позволяет накопителям более тесно взаимодействовать с процессорами, создавая дополнительный объём памяти без необходимости перемещать каждый байт данных в DRAM. Сочетание высокоскоростной NAND с контроллером CXL позволяет более чем десятикратно сократить задержку при чтении данных по сравнению с традиционными решениями на основе NAND. XL1 позиционируется как решение, занимающее промежуточное положение между традиционной DRAM и обычными SSD по показателям производительности и стоимости. Частичная замена DRAM на модули CXL поможет удвоить объёмы памяти и на 30 % повысить производительность систем. Это важно, потому что NAND по своей природе медленнее DRAM, а значит, полная замена привела бы к снижению производительности в чувствительных к задержкам приложениях. Стратегия Kioxia предполагает дополнение DRAM, а не её полное исключение из конфигураций ИИ-серверов. По норме прибыли китайская CXMT уже обошла ведущих мировых производителей памяти
11.09.2026 [07:37],
Алексей Разин
Китайские производители памяти стремительно развиваются, и на мировом рынке DRAM компания CXMT уже занимает четвёртое место с долей 9,5 % в денежном выражении. Более того, по данным Quick FactSet и квартальной отчётности основных игроков мирового рынка, CXMT уже обошла их по норме прибыли во втором квартале текущего года. 
Источник изображения: CXMT Как поясняет Nikkei Asian Review, речь идёт о прибыли до вычета налогов и процентных выплат по кредитам (EBIT) — маржинальность бизнеса CXMT по этому критерию во втором квартале достигла 82 %. В сопоставимых показателях позади остались и SK hynix (76 %), и Samsung Electronics (70 %), хотя последняя формально остаётся крупнейшим производителем памяти по выручке. Абсолютная величина прибыли CXMT тоже значительно уступает результатам не только южнокорейских производителей памяти, перечисленных выше, но и американской Micron Technology. Тем не менее, по своей маржинальности бизнес CXMT оказывается более эффективным, чем у конкурентов, поскольку соотношение прибыли и затрат у неё лучшее в отрасли. Sandisk и Kioxia также уступают CXMT в этом смысле, хотя технически специализируются на выпуске памяти типа NAND, а не DRAM. Значительный вклад в прибыль CXMT делает память типа DDR5, которая сейчас весьма востребована в сегменте ЦОД. Структура рынка DDR5 такова, что цены на этот вид памяти подвержены более высоким колебаниям, чем в случае с той же HBM, которая уже давно поставляется по долгосрочным контрактам, не подразумевающим подобных скачков. Даже контракты на поставку DDR5 составлены таким образом, что оставляют поставщику возможность повышать цены в случае попутного движения биржевых цен. Уже в первом квартале норма прибыли при реализации DDR5 оказалась выше, чем в случае с HBM. После недавнего IPO компания CXMT стала крупнейшим эмитентом на фондовом рынке КНР, причём японскую Kioxia по своей капитализации она обошла примерно в три раза. Инвесторы в данном случае делают ставку на активное развитие бизнеса CXMT, и она оправдывает их надежды, не скрывая, что вырученные в ходе IPO средства главным образом направит на расширение производственных мощностей. Китайская CXMT первой в мире начала массовые поставки памяти типа LPDDR6 для смартфонов
08.09.2026 [07:05],
Алексей Разин
Вчерашний дебют складного смартфона Xiaomi 18 Fold формально развязал CXMT руки — эта китайская компания получила полное право заявить, что приступила к массовому производству памяти типа LPDDR6, которая впервые нашла применение во флагманской модели смартфона. С точки зрения демонстрации успехов китайской полупроводниковой промышленности это очень важный шаг. 
Источник изображения: CXMT Микросхемы объёмом 16 Гбайт предлагают максимальную скорость передачи информации 12 800 Мбит/с, в случае взаимодействия с чипом внутри смартфона она составляет 10 667 Мбит/с. Выпускаемые CXMT микросхемы LPDDR6 имеют конструктивное исполнение FBGA с 1295 контактами и соответствуют стандарту JEDEC. С учётом возможности LPDDR6 работать со скоростью передачи 12 800 Мбит/с, данный вид памяти обеспечивает увеличение пропускной способности на 60 % по сравнению с LPDDR5X, работающей на скорости 10 667 Мбит/с. При этом уровень энергопотребления снижается на 20 %, обеспечивая увеличение времени работы устройства от батареи. Более гибкое управление напряжением отдельных блоков в составе чипа LPDDR6 позволяет добиваться оптимального расхода энергии при разных типах вычислительной нагрузки. Этому также способствует интеллектуальное управление стратегическим планированием распределения ресурсов и задач. Подчёркивается, что более сложная в упаковке LPDDR6 по сравнению с LPDDR5 позволяет снизить тепловое сопротивление кристалла на 40 %. Под нагрузкой это способствует более эффективному отводу тепла от микросхем памяти LPDDR6. Помимо смартфонов, память этого типа найдёт применение в ПК, носимых устройствах, автомобилях, серверах для периферийных вычислений и робототехнике. По данным TrendForce, доля CXMT на мировом рынке DRAM в денежном выражении по итогам второго квартала последовательно выросла с 7,6 до 9,5 %. Это позволяет ей занимать четвёртое место среди крупнейших мировых производителей микросхем оперативной памяти. Для сравнения, конкурирующая южнокорейская SK hynix уже завершила разработку своей LPDDR6, которую будет выпускать по техпроцессу 10-нм класса, приступив к её поставкам на рынок в текущем полугодии. Samsung Electronics образцы LPDDR6 демонстрировала ещё в январе текущего года на CES 2026 в Лас-Вегасе, но пока не сообщила о сроках начала её массового производства. В серийном исполнении такая память должна будет работать со скоростью до 12 800 Мбит/с, а SK hynix замахивается даже на уровень 14 400 Мбит/с. Американская Micron образцы своей LPDDR6 уже отгружает клиентам, но о сроках начала коммерческих поставок предпочитает не говорить открыто. SK hynix успешно расширяет производство памяти DRAM по передовому техпроцессу 1c
07.09.2026 [22:05],
Николай Хижняк
Компания SK hynix переводит значительную часть своих производственных мощностей по выпуску оперативной памяти DRAM на новейший техпроцесс 1c, пишет TechPowerUp со ссылкой на южнокорейскую газету Chosun. 
Источник изображения: SK hynix По мере развития технологии DRAM компания переносит производство на более продвинутые техпроцессы 10-нм уровня. В первом квартале 2026 года на долю техпроцесса 10-нм класса шестого поколения 1c приходилось 10 % от общего объёма производства, а во втором этот показатель вырос до 13 %. Ожидается, что в текущем третьем квартале компания выпустит 24 % своей памяти DRAM на техпроцессе 1c, а в четвёртом этот показатель перевалит за треть (34 %). К первому кварталу 2027 года на долю техпроцесса 1c, как прогнозируется, придётся около 35 % от общего объёма производства, а на долю техпроцесса 1b, тоже 10-нм уровня, но пятого поколения, — 33 %, что сделает его самым распространённым техпроцессом SK hynix. Техпроцессы для производства DRAM отличаются от обычных логических техпроцессов, то есть тех, на базе которых выпускаются процессоры. Производители DRAM используют различные варианты техпроцессов от 10 до 19-нм (10-нм класса) и масштабируют их, добавляя больше слоёв EUV-литографии или улучшая другие характеристики. Для SK hynix доминирующий на данный момент техпроцесс 1b предполагает использование 12–13 нм по фактическому размеру и включает около четырёх слоёв EUV-литографии, в то время как самый передовой техпроцесс 1c предполагает уменьшение до 11–12 нм с использованием 5–6 слоёв EUV-литографии. SK hynix будет использовать техпроцесс 1c для производства памяти HBM4E, LPDDR6 и DDR5. На более старом техпроцессе 1b SK hynix производит память DDR5, LPDDR5X, HBM3E и HBM4. Для сравнения, другие производители DRAM, такие как Samsung, в настоящее время используют техпроцесс 1c только на 16 % своих производственных мощностей, в то время как у SK hynix этот показатель составляет 13 %. У Micron этот показатель равен 19 %, но SK hynix быстро наращивает производственные мощности и, как ожидается, в четвёртом квартале обгонит обе компании за счёт перехода на техпроцесс 1c. В перспективе SK hynix будет осваивать и другие техпроцессы, поскольку масштабирование DRAM становится всё более сложной задачей: стандартная планарная структура транзисторов 6F² сталкивается с физическими ограничениями при уменьшении размеров. Будущее за транзисторами с вертикальным затвором 4F² и трёхмерным стекированием DRAM, которые станут основой для наступления следующей эры DRAM, но узел 1c компания SK hynix будет использовать ещё долгие годы. Производители памяти не успевают за спросом — зато их выручка взлетела на 60 % во втором квартале
07.09.2026 [17:44],
Владимир Фетисов
Резкий рост контрактных цен на память DRAM привёл к увеличению объемов дохода её производителей. По данным компании TrendForce, доход индустрии DRAM во втором квартале нынешнего года вырос на 59,5 % до $154,73 млрд по сравнению с предыдущим трёхмесячным отрезком. 
Источник изображения: SK hynix Растущий спрос на ИИ-серверы, обусловленный продолжающимся расширением индустрии искусственного интеллекта, стимулировал увеличение поставок чипов памяти HBM3E, LPDDR5X и RDIMM разной ёмкости. Складские запасы поставщиков продолжают оставаться на исторически низком уровне, а дополнительные объёмы поставок в основном перенаправляются на использование в серверном оборудовании. В итоге объём поставок памяти DRAM в пересчёте на биты во втором квартале вырос незначительно. Аналитики TrendForce считают, что умеренный рост поставок памяти DRAM в пересчёте на биты станет одним из ключевых факторов, влияющих на выручку производителей в третьем квартале. Однако рост контрактных цен на чипы памяти DRAM, по прогнозам, замедлится до 13–18 % в квартальном исчислении. Эта тенденция отражает смещение части спроса с высокоёмких модулей RDIMM на продукты с меньшей ёмкостью, а также снижение способности потребителей в сегментах ПК и смартфонов выдержать дальнейшее повышение цен. Ожидается, что потребительский сегмент рынка DRAM покажет наиболее сильный рост цен, поскольку производители существенно сократили объём поставок. Во втором квартале самый высокий рост объёма поставок чипов памяти в пересчёте на биты среди крупнейших вендоров продемонстрировала Samsung. Этому способствовал ранний запуск серийного производства и поставок памяти HBM4. В сочетании с существенным ростом средней цены реализации это привело к тому, что квартальная выручка Samsung выросла до $60,98 млрд, что на 63,4 % больше по сравнению с предыдущим кварталом. В итоге компания заняла лидирующую позицию с долей рынка 39,4 %. 
Источник изображения: TrendForce На второй позиции расположилась SK hynix. Поскольку доля памяти HBM в общем объёме поставок в пересчёте на биты была самой высокой среди трёх крупнейших вендоров, рост средней цены реализации оказался не таким сильным. Тем не менее, выручка SK hynix во втором квартале выросла на 37,9 % по сравнению с предыдущим трёхмесячным отрезком и составила $38,59 млрд. При этом доля рынка компании снизилась до 24,9 %. В отчётном периоде Micron продолжала отдавать приоритет производству более дорогой серверной памяти DRAM, что обусловлено ограниченными производственными мощностями. Выручка компании выросла на 65,5 % квартал к кварталу и составила $36 млрд. За счёт этого доля вендора на рынке увеличилась до 23,3 %. Аналитики TrendForce считают, что в 2026–2027 годах три крупнейших производителя будут увеличивать объём поставок в пересчёте на биты в основном за счёт перехода на новые технологические процессы. Более мелкие игроки, такие как Nanya, Winbond и PSMC, сосредоточатся на производстве продукции по более зрелым технологиям. Их рост во втором квартале поддерживался рыночным спросом, который три крупнейших производителя уже не могут полностью удовлетворить по мере перехода на новые техпроцессы. Сильное повышение контрактных цен на DDR4 и DDR3 обеспечило рост выручки Nanya на 68,3 % квартал к кварталу — до $2,612 млрд. Выручка Winbond за этот же период выросла на 75,8 % и составила $998 млн. Выручка PSMC подскочила на 167,8 % — до $115 млн. «Украсть технологии, переманить инженеров»: у CXMT с самого начала был этот план, и она его придерживалась
04.09.2026 [17:41],
Павел Котов
У китайской компании CXMT существовал «Проект Хэфей» — масштабный план разработки DRAM, который, по версии южнокорейской прокуратуры, предусматривал получение ключевых технологий Samsung и переманивание её инженеров. Как сообщает NoCut News со ссылкой на материалы уголовного дела, план был составлен ещё в 2016 году, вскоре после основания CXMT. За прошедшее десятилетие китайская компания превратилась в крупного производителя DRAM и теперь контролирует около 10 % мирового рынка. 
Источник изображения: cxmt.com «Проект Хэфей» представлял собой поэтапный план разработки и запуска производства DRAM. Его примерно в августе 2016 года подготовили руководитель отдела разработки CXMT, прежде возглавлявший разработку DRAM в Samsung, и отвечавший за инвестиции в производственное оборудование сотрудник. Это произошло всего через два месяца после основания CXMT. Согласно материалам обвинения, к сентябрю 2016 года компания намеревалась получить ключевые технологические данные Samsung, включая технологическую карту Process Recipe Plan (PRP), к октябрю — привлечь ключевых инженеров Samsung, к июлю 2017 года — завершить подготовку технологии, а в августе 2018 года — начать массовое производство DRAM в объёме 10 000 пластин в месяц. PRP представляет собой подробное описание всего технологического процесса производства DRAM примерно из 620 этапов. Документ содержит названия и последовательность операций, параметры процессов, сведения об оборудовании, расходных материалах и используемых методах. Samsung разрабатывала свой 18-нм техпроцесс DRAM с апреля 2012 года, задействовав более 1100 специалистов и потратив около 1,6 трлн вон. Доступ к соответствующей информации внутри Samsung был ограничен, поскольку компания считала её коммерческой тайной. В августе 2016 года CXMT попыталась самостоятельно составить свой PRP для производства 18-нм DRAM на основе того, что вспомнили нанятые ею бывшие инженеры Samsung. Этого оказалось недостаточно: воспроизвести около 620 технологических этапов вместе с параметрами процессов и сведениями о материалах по памяти специалисты не смогли. Однако уже в сентябре CXMT, по версии прокуратуры, получила информацию из PRP Samsung, включавшую даже названия поставщиков оборудования и номера его моделей. На основе этих данных с 23 по 26 сентября был подготовлен собственный PRP компании, который затем передали бывшим специалистам Samsung для проверки и дополнения. В 2019 году CXMT заявила о разработке 8-Гбит чипов DDR4 и начала их продажи в Китае. Последовавший ИИ-бум и глобальный дефицит памяти способствовали стремительному росту компании: её доля на мировом рынке DRAM увеличилась примерно с 4 % во втором квартале 2025 года до 10 % во втором квартале 2026-го. К концу 2026 года CXMT рассчитывает довести производственные мощности трёх своих предприятий до 350 000 пластин в месяц — для сравнения, Micron выпускает около 375 000–385 000 пластин. Компания также планирует построить ещё одно предприятие в Пекине и в перспективе увеличить совокупные мощности более чем до 600 000 пластин в месяц. Во втором квартале 2026 года выручка CXMT выросла на 716 %, а после июльского IPO на шанхайской площадке STAR Market акции компании подорожали на 466 %. В ходе размещения CXMT привлекла $8,6 млрд. Около 70 % привлечённых средств компания намерена направить на дальнейшее расширение производства DRAM, а не на более дорогую и сложную HBM. При этом CXMT уже поставляла образцы HBM3E китайским разработчикам ИИ-ускорителей T-Head и Cambricon. Южнокорейская прокуратура в декабре прошлого года оценивала ущерб Samsung от предполагаемой утечки технологий как минимум в десятки триллионов вон. Расследование продолжается: дело рассматривает Центральный районный суд Сеула, а допросы свидетелей должны продолжаться до октября. Китай наступает на большую тройку производителей памяти — CXMT отвоевала 10 % рынка
03.09.2026 [21:45],
Николай Хижняк
По данным аналитиков Counterpoint Research, китайский производитель памяти CXMT во втором квартале 2026 года занял уже 10 % мирового рынка DRAM по выручке. Выручка компании выросла на 150 % по сравнению с аналогичным периодом прошлого года, то есть в 2,5 раза, и ещё на 25 % относительно предыдущего квартала. Благодаря этому доля CXMT увеличилась с 8 % в первом квартале до 10 % во втором. 
Источник изображения: TechPowerUp Это особенно примечательный результат с учётом ограниченного доступа китайской полупроводниковой отрасли к передовому зарубежному производственному оборудованию. CXMT продолжает наращивать присутствие на мировом рынке DRAM и постепенно сокращает отставание от трёх его крупнейших участников — Samsung, SK hynix и Micron. 
Источник изображения: Counterpoint Research Среди производителей DRAM первое место по-прежнему занимает Samsung с долей 38 % по выручке. На SK hynix приходится 25 %, а на Micron — 24 %. За последний год расстановка сил заметно изменилась: доля SK hynix сократилась с 39 до 25 %, тогда как Samsung укрепила лидерство. Доля Micron в последние кварталы колебалась в районе 22–24 %, а Nanya за год удвоила свой показатель с 1 до 2 %. Counterpoint также отслеживает распределение выручки на мировом рынке памяти HBM, который пока практически полностью поделён между тремя крупнейшими производителями памяти. 
Источник изображения: Counterpoint Research Здесь лидером остаётся SK hynix с долей 50 %, за ней следует Samsung с 33 %, а Micron занимает 18 %. При этом позиции SK hynix заметно ослабли: годом ранее на компанию приходилось 64 % выручки мирового рынка HBM. Главным бенефициаром перераспределения стала Samsung, которая быстро наращивает поставки на фоне перехода рынка от HBM3E к HBM4. CXMT в статистике крупнейших поставщиков HBM пока не фигурирует. Китайская компания лишь недавно приступила к производству HBM3E, поэтому её выход на этот рынок ещё не успел заметно отразиться на выручке. По оценке Counterpoint, для этого может потребоваться ещё один-два квартала. DDR4 теперь стоит в 8,6 раза дороже, чем десять лет назад
02.09.2026 [09:39],
Павел Котов
Высокоскоростная память HBM, которая используется в ускорителях искусственного интеллекта, продолжает поглощать ограниченные ресурсы производителей памяти, что приводит к росту цен на стандартную память для ПК — рынок не спасает даже слабый спрос на ноутбуки и другие потребительские устройства. 
Источник изображения: samsung.com По итогам августа контрактная цена на стандартный чип DRAM — 8-гигабитный DDR4 — по итогам августа выросла на 4,17 % до $25, подсчитали в TrendForce. Это значит, что с июня 2016 года, когда компания начала отслеживать этот рынок, память подорожала в 8,6 раза. Цены росли 11 месяцев подряд с апреля минувшего по февраль этого года и продолжили рост с апреля этого года до настоящего момента. Наблюдается эффект инверсии цен: старые модули DDR4 теперь торгуются выше новых DDR5. Поставки ноутбуков, гласят прогнозы аналитиков, в этом году сократятся на 10,5 %; при этом аналитики TrendForce были вынуждены повысить прогноз роста контрактных цен на DRAM для ПК в III квартале с диапазона 15–20 % до 18–23 %. В ходе августовских переговоров некоторые поставщики подписали контракты по ценам на 23–28 %, то есть они по-прежнему сохраняют рычаги влияния. Дисбаланс спроса и предложения обернулся спровоцированным ИИ эффектом вытеснения. HBM потребляет значительно больше кремниевых пластин, чем обычная DRAM. Производители памяти выделяют в первую очередь производственные линии для выпуска HBM и серверной DRAM, в результате чего мощностей для устаревшей DDR4 стало значительно меньше. Производители ПК опасаются, что им не хватит компонентов памяти, и начинают закупать её впрок, стремясь обеспечить запасы на срок более десяти недель. На рынке флеш-памяти NAND ценовые тенденции резко различаются в зависимости от продуктов. Контрактная цена на 128-гигабитные чипы MLC в августе выросла всего на 1,42 % до $30,48. Для сравнения, в июле диапазон роста был 4,26–8,17 %, и к настоящему моменту покупатели упёрлись в потолок расходов и покупать память дороже они уже не намерены. А вот цены на более старые SLC-чипы в августе показали рост в диапазоне 16,51–28,22 %. Сильнее всего подорожали 4-гигабитные чипы; цены на 2- и 8-гигабитные увеличились более чем на 20 %. Дефицит возник из-за того, что производители заняты в основном высокорентабельной 3D NAND и прекращают инвестиции в старые решения, хотя спрос на них сохраняется — например, в сегментах телекоммуникационного оборудования и интеллектуальных счётчиков такие компоненты заменить непросто. В сентябре цены на DRAM намного вырастут, SLC покажет «ограниченный рост», а MLC, вероятно, стабилизируется на текущем уровне цен, говорят аналитики TrendForce. Intel всё же не вернётся к выпуску микросхем памяти
31.08.2026 [07:53],
Алексей Разин
В уходящем месяце генеральный директор Intel Лип-Бу Тан (Lip-Bu Tan) довольно двусмысленно обратился к теме инвестиций в технологии, связанные с производством и интеграцией памяти, попутно напомнив, что нанял на работу бывшего главу SK hynix. Финансовому директору Intel Дэвиду Зинснеру (David Zinsner) пришлось пояснять, что у компании нет планов по возвращению к самостоятельному изготовлению микросхем памяти. 
Источник изображения: Intel Напомним, что с 1968 года Intel примерно до середины восьмидесятых годов производила микросхемы DRAM, а уже в этом веке пыталась предложить собственную версию NAND, но после продала профильный бизнес южнокорейской компании SK hynix. На недавней технологической конференции Deutsche Bank Зинснер прокомментировал слухи о возвращении Intel на рынок памяти следующим образом: «Я бы предпочёл избегать рынка памяти. Поэтому я надеялся, что вы не будете говорить о том, что мы возвращаемся на рынок DRAM». Далее он пояснил, что генеральный директор Лип-Бу Тан в своих недавних комментариях имел в виду углубление сотрудничества с партнёрами и клиентами в сфере устранения «узких мест», которые мешают масштабированию быстродействия памяти. «Думаю, что он видит нас в роли ключевого игрока, занимающегося этой работой, которая включает взаимодействие с тремя основными производителями памяти, и у него налажены хорошие отношения с ними…, и мы регулярно обсуждаем вещи, которые могли бы делать вместе. Кроме того, есть способы разработать продукт, его архитектуру, наши продукты, которые лучше себя проявят при взаимодействии с памятью», — попытался пояснить позицию главы компании Intel её финансовый директор. Переход на технологию упаковки EMIB-T, помимо прочего, тоже будет служить достижению этой цели, поскольку повысит эффективность интеграции компонентов. |
© 1997—2026 3DNews
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
