Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Оперативная память дорожает быстрее золота — ИИ разогнал рост цен на DRAM до 171 % за год
04.11.2025 [22:11],
Николай Хижняк
Цены на чипы DRAM продолжают стремительно расти из-за непомерного спроса со стороны индустрии искусственного интеллекта. Издание Commercial Times сообщает, что контрактные цены на DRAM выросли на целых 171,8 % по сравнению с аналогичным периодом прошлого года по состоянию на третий квартал 2025 года. Более того, динамика роста цен на память DRAM превзошла недавний рост цен на золото. 
Источник изображения: Corsair Председатель совета директоров Adata Чэнь Либай (Chen Libai) заявил, что четвёртый квартал 2025 года ознаменует начало масштабного «бычьего» рынка DRAM — состояния, при котором цены продолжат расти. По его мнению, в 2026 году, вероятно, будет наблюдаться серьёзный дефицит DRAM. Значительный рост цен на память стал постоянной темой в отрасли в 2025 году. В конце прошлого месяца аналитики спрогнозировали рост цен до 50 % в четвёртом квартале 2025 года, что превысило прогноз 30-процентного роста со стороны покупателей данной продукции. В сентябре наблюдался рост контрактных цен на чипы NAND и DRAM на 15–20 %. Всё это (и многое другое) в совокупности привело к колоссальному росту контрактных цен на DRAM на 171,8 % в годовом исчислении. Потребуется время, чтобы этот рост полностью отразился на розничном рынке, однако первые признаки уже наблюдаются — и в ближайшие месяцы тенденция будет только усиливаться. Проблема для потребителей заключается в том, что производители памяти смещают приоритеты в пользу типов памяти, ориентированных на центры обработки данных (RDIMM и HBM), и в результате сокращают выпуск модулей DDR5, предназначенных для обычных пользователей. Текущие цены на модули памяти для настольных ПК уже отражают острый дефицит чипов, с которым сталкивается отрасль. Портал Tom’s Hardware приводит пример крупного американского ритейлера Newegg, у которого цены на стандартные планки памяти DDR5 выросли примерно вдвое по сравнению с тем, что было всего несколько месяцев назад. Например, сейчас комплект двухканальной памяти Corsair Vengeance RGB DDR5-6000 МТ/с (2×16 Гбайт) продаётся на Newegg за $183. Если посмотреть историю цен на агрегаторе PCPartPicker, то в июле этот же комплект стоил всего $91. Цены растут не только на чипы DRAM, но также на флеш-память NAND и даже на жёсткие диски. Всё это вызвано высоким спросом со стороны производителей серверов для ИИ. Эксперты предполагают, что эта ценовая тенденция сохранится как минимум на ближайшие четыре года. Контракты именно такой продолжительности уже заключили производители оборудования для ИИ с ведущими поставщиками памяти, такими как Samsung и SK hynix. SK hynix зарабатывает больше всех на памяти DRAM три квартала подряд, но Samsung снова дышит в затылок
01.11.2025 [10:04],
Алексей Разин
Долгое время Samsung Electronics оставалась не только крупнейшим производителем памяти, но и крупнейшим поставщиком полупроводниковой продукции. С появлением востребованной Nvidia памяти типа HBM вызов ей бросила SK hynix, которая к первому кварталу текущего года обошла Samsung не только по величине прибыли, но и в показателях выручки. Своё лидерство она сохраняет по сей день. 
Источник изображения: SK hynix По крайней мере, на это указывают данные Counterpoint Research, опубликованные на уходящей неделе одновременно с квартальной отчётностью обоих производителей памяти. Выручка SK hynix от реализации DRAM в третьем квартале выросла в годовом сравнении на 54 % до $13,7 млрд, во многом благодаря HBM, которая относится к этой категории. При этом доля SK hynix на рынке DRAM с первого квартала текущего года снизилась с 36 до 35 %, успев во втором квартале подняться до 38 %. Это говорит о том, что конкуренты навёрстывают упущенное. 
Источник изображения: Counterpoint Research По крайней мере, Samsung Electronics удалось последовательно увеличить свою долю с 32 до 34 %, а Micron Technology те же два процентных пункта подняла до уровня 25 %, который был ей присущ и в первом квартале. Занимающая второе место Samsung в третьем квартале нарастила свою выручку в сегменте DRAM на 24 % год к году и на 29 % последовательно. Характерно, что год назад Samsung была лидером в этой сфере и занимала 40 % мирового рынка DRAM в показателях выручки, тогда как SK hynix довольствовалась 33 %. К слову, если опираться на статистику Counterpoint Research, четвёртое место на мировом рынке DRAM в денежном выражении уже давно занимает китайская CXMT, хотя её доля измеряется единицами процентов. На рынке HBM в отдельности SK hynix продолжает лидировать с долей 58 %, в третьем квартале этот тип памяти обеспечил 40 % выручки компании в сегменте DRAM. Дешёвая память закончилась: цены на DDR4 и DDR5 удвоились всего за пару месяцев и продолжат расти
31.10.2025 [09:21],
Алексей Разин
Бум систем искусственного интеллекта первоначально влиял только на рынок комплектующих серверного класса, но теперь неприятные эффекты наблюдают и покупатели компонентов для потребительских ПК. Модули оперативной памяти за последние несколько месяцев подорожали вдвое, за ними тянутся SSD и HDD, а поставщики считают, что нормализация ситуации произойдёт не ранее середины следующего года. 
Источник изображения: Micron Technology По крайней мере, подобных прогнозов придерживаются в беседе с PCGamer представители компании Team Group, которая поставляет на розничный рынок как твердотельные накопители, так и модели памяти. Непосредственно этот ресурс отмечает, что стоимость модулей DDR5-6000 объёмом 32 Гбайт марки Corsair в американской рознице с начала текущего года выросла почти вдвое до $184, причём резкий рост цен начался примерно с середины августа. Память типа DDR4 не отстаёт по абсолютной величине цен, а по динамике роста даже обгоняет DDR5. Так, модули DDR4-3600 объёмом 32 Гбайт в исполнении всё той же Corsair за последние месяцы подорожали на 115 % и достигли уровня в $161, который практически стирает разницу в цене с более современной DDR5. Как уже не раз отмечалось, крупные производители микросхем DRAM переключились на DDR5, поэтому предложение DDR4 сокращается и вызывает рост цен. Память типа DDR5 при этом дорожает, потому что её в огромных количествах закупают компании, вливающие десятки миллиардов долларов США в строительство вычислительной инфраструктуры для ИИ. Жёсткие диски впервые за несколько десятилетий тоже оказались в дефиците на фоне бума ИИ. Облачные провайдеры кинулись скупать твердотельные накопители, цены на них тоже поднялись, причём даже в потребительском сегменте, а не только в серверном. По мнению представителей Team Group, на рынке памяти баланс спроса и предложения может быть достигнут не ранее середины следующего года. Аналитики считают, что спрос будет превышать предложение на протяжении последующих трёх или четырёх лет. Угроза так называемого «пузыря» в сфере ИИ отодвигается на несколько лет, поэтому пока участники рынка активно наращивают поставки, хотя и стараются учесть неприятный опыт пандемии, когда резкое увеличение объёмов производства вызвало затянувшийся кризис перенасыщения рынка. В любом случае, память подорожала надолго, и тенденция может коснуться и сопутствующих компонентов, которые в том или ином виде требуются для построения инфраструктуры ИИ. Xiaomi объяснила недовольным покупателям смартфонов, что они дорожают из-за памяти
24.10.2025 [14:15],
Алексей Разин
Сегмент микросхем памяти для мобильных устройств не может существовать отдельно от рынка в целом, поэтому тенденция роста цен из-за бума искусственного интеллекта начала сказываться и на стоимости смартфонов. По крайней мере, представителям китайской Xiaomi пришлось объяснять пользователей, почему новые модели смартфонов оказались дороже своих предшественников. 
Источник изображения: Xiaomi По данным Reuters, представленное накануне семейство смартфонов Redmi K90 стартует с отметки $364 за вариант с 16 Гбайт оперативной памяти и 256 Гбайт твердотельной. Год назад модель Redmi K80 вышла на рынок по цене около $350. Кроме того, за версию Redmi K90 с 16 Гбайт памяти и накопителем объёмом 512 Гбайт не самым расторопным покупателям придётся отдавать по $450. Тем не менее, представители производителя заверили клиентов, что купившие такие смартфоны в течение ближайших 30 дней смогут ограничиться суммой в $407. Позже данная скидка будет упразднена и цены вернутся на прежний уровень. Президент Xiaomi Лю Вэйбин (Lu Weibing) был вынужден обратиться к покупателям со страниц социальной сети Weibo: «Давление цен передалось на стоимость наших новых продуктов. Рост цен на микросхемы памяти превысил ожидания и может ускориться в дальнейшем». Пожалуй, радоваться сложившейся тенденции могут разве что производители памяти, которые начали больше зарабатывать. Рост цен на память продолжается — NAND начала обгонять DRAM
22.10.2025 [14:31],
Алексей Разин
Привыкший находиться в гуще событий полупроводниковой отрасли ресурс TrendForce продолжает регулярно отслеживать изменение цен на память. Первоначально именно в сегменте DRAM началось оживление спроса, вызванное бумом ИИ, но теперь память типа NAND дорожает даже более высокими темпами, в несколько раз превышающими динамику цен на рынке оперативной памяти. 
Источник изображения: Samsung Electronics По словам источника, за предыдущие семь дней торговля DDR4 и DDR5 заметно оживилась, поскольку покупатели начали подстраховываться от дальнейшего роста цен и покупать память на текущих уровнях. Средняя цена ходовых микросхем типа DDR4 за прошедшую неделю на рынке моментальных сделок в результате выросла на 9,86 %. В сегменте NAND стоимость некоторых кремниевых пластин с твердотельной памятью за неделю подскочила на 15–20 %. В сегменте DRAM, как поясняет TrendForce, производители модулей памяти начали сдерживать реализацию продукции, рассчитывая позже продать её по более высоким ценам. Это дополнительно способствует повышению цен на оперативную память, но при этом объёмы продаж тоже росли на прошедшей неделе, поскольку производителям электроники важно поддерживать стабильные складские запасы комплектующих. 
Источник изображения: TrendForce В сегменте NAND производители не стесняются поднимать цены, поэтому на срочном рынке они росли на величину до 15–20 % по сравнению с предыдущей неделей. Больше всего подорожали 512-гигабитные и 1-терабитные чипы памяти типа TLC. Ограничение предложения в сочетании с ожиданиями дальнейшего роста цен вызвало повышенную активность покупателей и в этом сегменте. Кремниевые пластины с микросхемами TLC по 512 гигабит выросли в цене на этой неделе на 27,96 % на рынке моментальных сделок, как сообщает TrendForce. За прошлую неделю цены на память DRAM подскочили в среднем на 5,4 % и это не предел
01.10.2025 [13:28],
Алексей Разин
Бум систем искусственного интеллекта, как известно, начал подогревать цены не только на HBM и DRAM, но и на NAND. Предыдущие семь дней тоже характеризовались активным ростом цен на DRAM на рынке моментальных сделок, как отмечают эксперты TrendForce. Средняя цена самых популярных видов DRAM выросла на 5,4 % до $6,359. 
Источник изображения: Samsung Electronics По словам авторов отчёта, поставщики ожидают дальнейшего роста цен, а потому на рынке моментальных сделок они движутся вверх. Продавцы не спешат продавать продукцию по текущим ценам, тогда как покупатели хотели бы создать запас памяти, приобретённой по тем же самым ценам, пока они не продолжили свой рост. Подобное несоответствие спроса и предложения вызывает рост цен на рынке моментальных сделок. Положительная динамика замечена в случае с микросхемами DDR5, DDR4 и DDR3. Наиболее активно растут цены на востребованные версии DDR4, где прирост за неделю измерялся более чем 11 %, а во многих случаях приближался к 10 %, память типа DDR3 за неделю тоже подорожала почти на 10 %. 
Источник изображения: TrendForce На рынке флеш-памяти динамика цен была неоднородной за предыдущие семь дней, по словам представителей TrendForce. Так, если микросхемы типа MLC и SLC от силы выросли в цене на рынке моментальных сделок на пру процентов, то востребованная TLC подорожала сразу на 5,44 %. Участники рынка ждут повышения контрактных цен на NAND, а потому не спешат реализовывать продукцию по текущим ценам. Главный китайский производитель флеш-памяти YMTC займётся разработкой и выпуском HBM для ИИ-ускорителей
26.09.2025 [06:56],
Алексей Разин
Перед китайскими компаниями ИТ-сектора остро стоит проблема импортозамещения компонентной базы, и до недавних пор считалось, что в сфере поставок памяти типа HBM для ускорителей вычислений они полностью зависят от зарубежных производителей и страдают от санкций. Теперь выясняется, что выпуском HBM в Китае готова заняться не только CXMT, но и конкурирующая YMTC. 
Источник изображения: YMTC Для последней, напомним, профильным видом деятельности исторически являлось производство твердотельной памяти типа NAND, в котором она преуспела настолько, что приблизилась к мировым лидерам буквально на два шага в сложности используемых технологий, после чего и была «удостоена» санкций со стороны США и их ближайших союзников. Ранее уже сообщалось, что ради обеспечения технологического суверенитета КНР компании CXMT и YMTC готовы пойти на сотрудничество, обеспечив в перспективе выпуск памяти типа HBM3 на территории страны. В новой публикации Reuters со ссылкой на осведомлённые источники сообщается, что YMTC начнёт расширять свои производственные линии с прицелом на выпуск памяти типа DRAM. Из соответствующих кристаллов в дальнейшем можно методом штабелирования изготавливать микросхемы памяти HBM, если будут освоены соответствующие технологии их упаковки и вертикального соединения. YMTC уже осваивает соответствующую технологию упаковки чипов DRAM, как поясняет Reuters. Кроме того, компания намерена выделить часть мощностей строящейся третьей фабрики в Ухане под выпуск микросхем DRAM, хотя предприятие в целом будет ориентировано на производство традиционной для этой компании 3D NAND. На эти нужды YMTC предварительно выделила $2,9 млрд. В Ухане уже действуют два предприятия YMTC по выпуску 3D NAND, они способны ежемесячно обрабатывать 160 000 кремниевых пластин типоразмера 300 мм, если ориентироваться на прошлогодние данные. В этом году производительность двух предприятий будет увеличена ещё на 65 000 кремниевых пластин в месяц, как ожидают аналитики Morgan Stanley. Добавим, что усилия по разработке памяти HBM независимо предпринимает и компания Huawei Technologies, в чём она неожиданно призналась в этом месяце. Сложно сказать, насколько усилия YMTC, CXMT и Huawei по выпуску памяти HBM для ускорителей вычислений будут скоординированы, но объёмы выпуска соответствующих компонентов в ближайшие несколько лет придётся существенно нарастить, чтобы достичь поставленных целей в сфере развития национальной инфраструктуры ИИ. Оперативная память подорожает: Samsung повысила цены на DRAM и мобильную NAND на 5–30 %
22.09.2025 [17:04],
Николай Хижняк
По данным корейского издания News Daily, компания Samsung Electronics сообщила о повышение контрактных цен на чипы памяти DRAM на 15–30 %, а на флеш-память NAND — примерно на 5–10 % в ответ на заметное ухудшение баланса спроса и предложения на рынке. 
Источник изображения: Samsung Сообщается, что Samsung уведомила основных клиентов о новых условиях контрактных закупок чипов памяти на четвертый квартал этого года. Компания скорректировала цены на фоне постепенного сокращения производства старого поколения памяти и одновременного резкого роста спроса на память со стороны операторов гипермасштабных облачных сервисов и производителей ПК с поддержкой ИИ и флагманских смартфонов. Конкуренты Samsung, такие как SK hynix и Micron, тоже сообщили о подобных корректировках: несколько поставщиков уведомили клиентов о двузначном росте цен и временных ограничениях на новые предложения. Покупатели уже столкнулись с ценовым давлением в сегменте закупок чипов для серверов и мобильных устройств хранения данных. Для поставщиков же это стало тактическим решением переориентировать производство на более прибыльные линейки продуктов следующего поколения. Отмечается, что Samsung повысила контрактные цены на чипы памяти DRAM LPDDR4X, LPDDR5 и LPDDR5X, а также встраиваемые форматы NAND, такие как eMMC и UFS. Между тем, дефицит памяти DDR4 на короткое время также резко подтолкнул спотовые цены. Как считают некоторые аналитики, повышение контактных цен на чипы памяти сыграет значительную роль в росте краткосрочной прибыли Samsung с 2,9 трлн южнокорейских вон (около $2,085 млрд) до свыше 6 трлн южнокорейских вон (около $4,3 млрд). Переориентирование мощностей для производства чипов DDR5 и HBM и приоритет на выпуск продуктов, которые используются ускорителями ИИ, ограничивают объём предложений для производства потребительской памяти DRAM. На фоне сокращения производства старых поколений памяти Samsung также ускоряет разработку чипов памяти нового стандарта LPDDR6. Производители флеш-памяти готовятся резко задрать цены — грядёт подорожание SSD
15.09.2025 [13:54],
Алексей Разин
Наибольшую выгоду от бума ИИ до сих пор получали преимущественно производители ускорителей вычислений и компонентов для них, включая поставщиков памяти типа HBM, а вот прочая отрасль по выпуску памяти оставалась в стороне от этих тенденций. В следующем году всё может измениться, как считают участники рынка, — многие из них уже начали готовиться к резкому росту цен. 
Источник изображения: Micron Technology О настроениях поставщиков памяти и их ближайших партнёров поведало тайваньское издание DigiTimes. Компания SanDisk в этой сфере, как отмечается, выступила в роли инициатора неприятных для покупателей изменений, объявив о повышении цен на NAND на 10 %. Компания Micron Technology, как отмечают источники, на этой неделе перестала раскрывать цены на DRAM и NAND своим клиентам, желающим заключить контракты на поставку такой продукции. По некоторым оценкам, Micron готовится повысить цены на твердотельную память сразу на 30 % уже по итогам четвёртого квартала текущего года. Некоторые производители твердотельных накопителей ожидают, что цены вырастут на 10 или 15 %. Micron в этой сфере, как предполагается, пока «прощупывает почву». В следующем году, по мнению экспертов, облачные гиганты начнут остро нуждаться в твердотельных накопителях большой ёмкости — в силу сохранения так называемого бума систем искусственного интеллекта. Потребительский рынок сам по себе дополнительной потребности в твердотельных накопителях испытывать не должен, но концентрация производителей на удовлетворении спроса в серверном сегменте неизбежно приведёт к повышению цен на всём рынке. В этом году до 30 % всех проданных SSD могут оказаться в серверных системах. Больше всего вырастет спрос на QLC NAND, поскольку этот тип памяти позволяет создавать наиболее доступные твердотельные накопители большой ёмкости, востребованные в инфраструктуре ИИ. Во второй половине следующего года на рынке может образоваться дефицит флеш-памяти NAND. Разработчик контроллеров для SSD — тайваньская компания Phison Electronics, по данным DigiTimes, пока также перестала информировать клиентов о ценах на свою продукцию, ожидая соответствующих сигналов от поставщиков твердотельной памяти. В четвёртом квартале начнут формироваться новые долгосрочные контракты на поставку микросхем NAND и DRAM, поэтому цены скоро вырастут достаточно серьёзно, если производители будут уверены, что столкнутся с дефицитом в следующем году. Оперативная память DRAM также может подорожать по сопоставимым причинам. По крайней мере, всё та же Micron Technology перестала предоставлять клиентам информацию и о текущих ценах на DDR4, DDR5, LPDDR4 и LPDDR5. Не исключено, что в ближайшие месяцы цены вырастут на 10 %, а по некоторым позициям типа памяти для автомобильной электроники будет наблюдаться рост на все 70 %. Собственно говоря, дефицит DDR4 из-за снятия этой памяти с производства крупными поставщиками уже подогревает цены, и дорожать начала даже DDR5. Мировые продажи DRAM во втором квартале подскочили на 17,1 % — SK hynix усилила лидерство
02.09.2025 [14:39],
Павел Котов
Выручка мировой индустрии памяти DRAM во II квартале 2025 года выросла на 17,1 % и составила $31,63 млрд, подсчитали аналитики TrendForce. Этому способствовали рост контрактных цен на традиционную DRAM, увеличение поставок и расширение объёмов производства памяти HBM. 
Источник изображения: skhynix.com OEM-производители ПК, производители смартфонов и поставщики услуг связи нарастили закупки DRAM, в ход пошли запасы производителей, в результате чего контрактные цены на большинство продуктов пошли вверх. По итогам II квартала 2025 года SK hynix отгрузила больше памяти в битах, чем планировала, но рост средней цены продажи (ASP) оказался недостаточно высоким из-за значительной доли недорогой DDR4. Корейский производитель нарастил выручку на 25,8 % квартал к кварталу — до $12,23 млрд — и закрепил за собой статус лидера рынка с долей 38,7 %. Второе место заняла Samsung, которой удалось увеличить как поставки в битах, так и среднюю цену продажи: выручка выросла на 13,7 % по сравнению с предыдущим кварталом — до $10,35 млрд, а доля рынка снизилась до 32,7 %. Третьей стала Micron, которая резко увеличила объём поставок в битах, но не смогла улучшить показатель ASP из-за роста доли DDR4 в ассортименте. Выручка американского производителя увеличилась на скромные 5,7 % в квартальном исчислении — до $6,95 млрд, при этом доля рынка сократилась до 22 %. 
Источник изображения: trendforce.com II квартал 2025 года ознаменовался уверенным ростом показателей у тайваньских поставщиков — они воспользовались тем, что лидеры рынка не во всех случаях смогли удовлетворить запросы клиентов. Резкий рост поставок показала Nanya Technology за счёт активного пополнения запасов со стороны OEM-производителей ПК и спроса в потребительском сегменте. Средняя цена продажи у компании снизилась, но выручка подскочила сразу на 56 % квартал к кварталу — до $340 млн. Увеличила поставки и Winbond: при стабильной средней цене продажи она нарастила выручку на 24,9 % по сравнению с прошлым кварталом — до $180 млн. PSMC, которая занимается ещё и контрактным производством полупроводников, нарастила выручку в сегменте выпуска DRAM на 86,4 % в квартальном исчислении — до $20 млн; правда, с учётом контрактного производства полупроводников доходы компании показали квартальное падение на 2,9 %. Оперативной памяти много не бывает: бельгийцы создали прототип 120-слойной 3D DRAM
26.08.2025 [13:49],
Геннадий Детинич
Исследователи из бельгийского центра Imec и Гентского университета (UGent) разработали и испытали технологию выращивания многослойной структуры для производства памяти 3D DRAM. В своё время это получилось с памятью 3D NAND. Теперь пришёл черёд создавать «небоскрёбы» из ячеек DRAM, потребность в которой растёт с каждым годом. 
Источник изображений: Imec Ячейка оперативной памяти устроена несколько сложнее ячейки памяти NAND. DRAM требует комбинации быстродействующего транзистора и конденсатора. Это подразумевает более сложную архитектуру и расширенный набор материалов, что плохо поддаётся масштабированию в сторону многослойных структур. Но прогресс не стоит на месте, и учёные из Imec, имеющие колоссальный опыт разработки передовых техпроцессов, возможно, нашли решение. Исследователи смогли вырастить на 300-мм подложке многослойные структуры в виде чередующихся слоёв кремния (Si) и кремний-германия (SiGe). Прототип будущей 3D DRAM содержит 120 тончайших слоёв, уложенных друг на друга с атомарной точностью. Сложность заключается в том, что кремний и кремний-германий имеют несовпадающую атомную решётку, поэтому при наложении друг на друга в кристаллических структурах этих материалов возникают напряжения (сжатия и растяжения), способные привести к дефектам и неработоспособности памяти. Для лучшей сцепки разнородных слоёв исследователям пришлось добавить в материалы углерод.  Кремний и германий поочерёдно осаждались на подложку из газовой фазы. Строгий контроль условий осаждения позволил избежать дефектов. Созданные в лаборатории многослойные структуры пока далеки от того, чтобы их можно было назвать памятью. Это лишь заготовка, позволяющая оценить степень чистоты и наличие дефектов — чрезмерных напряжений кристаллической решётки в слоях. Кроме того, проделанная работа лежала в канве разработки полевых транзисторов с круговым затвором (Gate-All-Around Field-Effect Transistor, GAAFET) и комплементарных полевых транзисторов (Complementary FET, CFET), которые создаются в Imec. Всё вместе обещает привести к взрывному росту оперативной памяти в устройствах и в платформах ИИ, а также для обработки данных. За прошедшие десятилетия лозунг «Памяти много не бывает» ничуть не утратил актуальность, став для IT-индустрии наиболее насущным. Ажиотаж вокруг DDR4 и DDR5 стал утихать — спотовые цены на оперативную память немного спали
20.08.2025 [12:54],
Алексей Разин
Третий квартал, согласно прогнозам экспертов TrendForce, должен характеризоваться ростом контрактных цен на оперативную память (DRAM). Тем не менее, на рынке моментальных сделок сейчас наблюдается некоторое снижение цен на чипы DDR4 и DDR5 определённого ассортимента. Рынок NAND при этом не демонстрирует заметных изменений. 
Источник изображения: Samsung Electronics Специалисты TrendForce проанализировали ситуацию на рынке микросхем памяти в период с 13 по 19 августа, и пришли к выводу, что в сфере моментальных сделок по DRAM объёмы продаж пошли на спад, тогда как ещё недавно спрос подогревали опасения по поводу скорого прекращения выпуска DDR4 крупнейшими производителями. Сейчас ажиотаж в той или иной мере улёгся, и цены на отдельные позиции DDR4 и DDR5 по сравнению с первой половиной месяца снизились более чем на 1 %. Примечательно, что спотовые цены на DDR3 за это время выросли на 3,43 %, поэтому ситуация не была однородной. В случае с DDR4 и DDR5 некоторое охлаждение спроса пока не привело к существенному снижению цен. По мнению представителей TrendForce, в ближайшие недели цены на DDR4 останутся достаточно стабильными, тогда как цены на DDR5 будут медленно снижаться на рынке моментальных сделок. На рынке NAND наблюдается некоторая стабилизация цен при сохранении достаточно слабого спроса и существенной неопределённости по поводу дальнейшей динамики сегмента. Участники рынка в большинстве своём заняли выжидательную позицию. На рынке моментальных сделок стоимость 512-гигабитных пластин с памятью типа TLC в начале этой недели последовательно снизилась на 0,36 % до $2,8 за чип. Samsung когда-то зарабатывала больше всех на памяти DRAM — теперь её доля рухнула до 32,7 %
15.08.2025 [13:07],
Алексей Разин
Компания Samsung Electronics на протяжении нескольких лет являлась крупнейшим производителем полупроводниковой продукции, но поскольку подобные критерии измеряются в выручке, то бум искусственного интеллекта с его популярностью HBM вынудил южнокорейского гиганта уступить место SK hynix на рынке DRAM. Доля Samsung в этом сегменте в денежном выражении по итогам прошлого полугодия сократилась до 32,7 %. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как сообщают южнокорейские СМИ, на рынке DRAM по итогам прошлого полугодия Samsung Electronics довольствовалась долей выручки не более 32,7 %, хотя ещё в прошлом году она достигала 41,5 %. В целом, в полугодовом измерении это первый случай снижения доли Samsung до уровня менее 40 % за время, прошедшее с 2014 года. Для сравнения, в 2016 году Samsung контролировала 48 % выручки на рынке DRAM, и это был максимальный уровень за всю историю существования компании. Нынешнее падение во многом обусловлено тем, что Samsung не особо участвует в снабжении Nvidia памятью HBM, которая сделала SK hynix лидером рынка DRAM в показателях выручки. По оценкам TrendForce, сейчас SK hynix контролирует примерно 36 % выручки в сегменте DRAM. Samsung не собирается мириться с таким положением дел, и будет не только усиленно готовить к поставкам для нужд Nvidia 12-ярусную память типа HBM3E, но и выпускать простую DDR5 для серверных систем. Сейчас Samsung снабжает Nvidia 8-ярусными чипами HBM3E ускорители H20 для китайского рынка, но в идеале она бы хотела наладить поставки 12-ярусной HBM3E в значительно более крупных количествах. Samsung также надеется наверстать упущенное на этапе распространения HBM4, поскольку этот тип памяти будет гораздо сильнее адаптироваться под нужды конкретных заказчиков. Для этого компания ищет опытных специалистов в области упаковки микросхем, чтобы быстрее начать осваивать рынок HBM4. Попытаться заработать на уходящей DDR4 этот производитель явно не захочет, а вот продвигать DDR5 и LPDDR5 он готов. На фоне бума ИИ компания Micron решилась улучшить свой квартальный прогноз
12.08.2025 [08:29],
Алексей Разин
Приближение к концу очередного фискального квартала заставило Micron Technology пересмотреть изначальный прогноз по динамике выручки и норме прибыли за период. Эту новость можно отнести к разряду приятных для инвесторов, поскольку по факту Micron ожидает завершить период с более выдающимися финансовыми результатами по сравнению с заложенными в ранний прогноз. 
Источник изображения: Micron Technology Итак, диапазон квартальной выручки изначально был немного шире, но ниже по своему среднему значению: от $10,4 до $11 млрд. Теперь Micron рассчитывает выручить за квартал, который завершится 28 августа текущего года, от $11,1 до $11,3 млрд. Центр диапазона, другими словами, сместился вверх на $500 млн. Норма прибыли должна уложиться в диапазон от 44 до 45 % против прежнего диапазона от 41 до 43 %. Удельный доход на одну акцию должен составить от $2,78 до $2,92 против прежнего диапазона от $2,35 до $2,65. Ключевые категории продукции, по словам представителей Micron, реализуются сейчас по более высоким ценам, чем ожидалось, что и позволяет улучшить финансовый прогноз. В особенности цены способствуют росту выручки на направлении DRAM, но наиболее прибыльная HBM как раз относится к этому сегменту. Улучшение прогноза было благосклонно воспринято фондовым рынком, акции Micron подорожали после открытия торгов в Нью-Йорке на 7,1 %, что является дневным максимум за последние три месяца. Даже если цены на HBM будут снижаться или расти меньшими темпами, объёмы поставок соответствующих микросхем позволят Micron нивелировать это влияние. Масштабные инвестиции в производство памяти на территории США, которые за несколько последующих лет в совокупности достигнут $200 млрд, ограждают продукцию Micron от воздействия повышенных таможенных пошлин. Представители компании выразили готовность активно сотрудничать и с другими производителями, развивающими своё присутствие на территории США. Samsung провалила ИИ-гонку, недооценив значимость HBM — и теперь под ударом экономика всей Южной Кореи
08.08.2025 [18:59],
Сергей Сурабекянц
Samsung Electronics известна потребителям своими мобильными телефонами и плоскими телевизорами, но крупнейшим её продуктом являются микросхемы памяти, которые стали критически важными в обострившейся гонке за передовой искусственный интеллект. И в этой гонке Samsung отстаёт — её обогнала SK hynix, захватив 62 % рынка оперативной памяти с высокой пропускной способностью (High-Bandwidth Memory, HBM). 
Источник изображения: unsplash.com На протяжении десятилетий Samsung была ведущим мировым производителем памяти DRAM (Dynamic Random Access Memory — динамическая память с произвольным доступом), используемой практически во всех электронных устройствах. Но компания оказалась не готова к резво возросшему спросу на память HBM, спровоцированному непрекращающимся бумом искусственного интеллекта. SK hynix в партнёрстве с Advanced Micro Devices оказалась более прозорливой и превзошла Samsung, став крупнейшим мировым производителем DRAM. На сегодняшний день SK hynix контролирует 62 % поставок чипов HBM и является основным поставщиком этой продукции для таких технологических лидеров, как Nvidia. Для сравнения, Samsung во втором квартале этого года занимала всего 17 % мирового рынка HBM и затратила огромные усилия, что остаться поставщиком для Nvidia. 
Источник изображения: SK hynix Samsung рассчитывает на следующее поколений чипов памяти, которые должны вернуть ей утраченные позиции, но удастся ли ей сделать это в условиях жёсткой конкуренции, пока неясно. Важно отметить, что Samsung Electronics входит в число компаний, во многом определяющих экономическое положение Южной Кореи, и от успешности её бизнеса без преувеличения зависит благосостояние немалого процента жителей страны. |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
