Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Samsung получила первый работоспособный кристалл памяти, выпущенный по технологии тоньше 10 нм
27.04.2026 [07:21],
Алексей Разин
Являясь крупнейшим производителем памяти, южнокорейская Samsung Electronics старается своевременно переходить на использование более современных литографических норм, поскольку это в долгосрочной перспективе позволяет сократить издержки на выпуск памяти. Недавно компания получила первый работоспособный кристалл DRAM, изготовленный по технологии тоньше 10 нм. 
Источник изображения: Samsung Electronics Традиционно литографические нормы в сфере производства микросхем памяти отстают от сферы логических компонентов, поскольку в первом случае передовые технологии просто не требуются и себя не оправдывают. Так или иначе, до недавних пор производители памяти активно осваивали техпроцессы 10-нм класса, которые ранжировались в такой последовательности: 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c и 1d (в порядке убывания параметров геометрии). Samsung недавно получила первый работоспособный образец кристалла DRAM, изготовленный по техпроцессу поколения 10a, который открывает эпоху литографических норм тоньше 10 нм в производстве памяти. Линейные размеры в данном случае варьируются в диапазоне от 9,5 до 9,7 нм, как уточняет The Elec. Последующие этапы внедрения данного техпроцесса подразумевают начало его использования при массовом производстве чипов памяти в 2028 году. Три последовательных технологии (10a, 10b и 10c) будут подразумевать использование архитектуры ячеек 4F2 и транзисторов с вертикальным каналом (VCT). В рамках последующей технологии 10d компания собирается перейти на 3D DRAM. Samsung подстраховалась на тот случай, если 10a не получится внедрить в массовом производстве, параллельно разрабатывая альтернативные технологии, но получение работоспособных образцов позволяет надеяться, что основной сценарий сработает. Внедрение 10a влечёт для Samsung риски, связанные с увеличением плотности размещения ячеек памяти. Структура 4F2 подразумевает увеличение количества ячеек на единице площади кристалла на 30–50 %. Одновременно транзисторы с вертикальным каналом (VCT) позволяют разместить конденсатор над транзистором, также увеличивая плотность компоновки элементов на кристалле. Периферийные схемы будут изготавливаться на отдельном кристалле и монтироваться под основной методом гибридного соединения пластин. Изменения в компоновке повлекли и замену химического состава элементов. Вместо кремния Samsung будет изготавливать каналы транзисторов из оксида индия, галлия и цинка (IGZO) для подавления токов утечки и обеспечения более стабильного хранения данных в ячейках памяти более компактной структуры. В выборе материала для слововой линии Samsung рассматривала две альтернативы: нитрид титана и молибден, но второй обладает повышенной коррозионной активностью и требует внедрения нового оборудования, поэтому чаша весов пока не склонилась к какому-то конкретному варианту. Вертикальные каналы в транзисторах, по мнению экспертов, являются первым шагом к созданию 3D DRAM, поэтому Samsung движется к этой технологии эволюционным путём. В то же время, Micron Technology и китайские производители памяти собираются миновать этап 4F2 и VCT, рассчитывая сразу перейти к 3D DRAM. Трёхмерная компоновка, помимо прочего, позволит наладить выпуск памяти с более высокой плотностью без использования сверхжёсткой ультрафиолетовой литографии (EUV), которая требует более дорогого оборудования. Для китайских производителей это вдвойне актуально с учётом отсутствия доступа к такому оборудованию в условиях западных санкций. Корейская SK hynix по примеру Samsung намерена применять 4F2 и VCT, но только в рамках техпроцесса 10b, а не 10a. 3D X-DRAM впервые воплотили в кремнии — оперативная память будущего стала ближе
23.04.2026 [22:17],
Геннадий Детинич
Стековое размещение ячеек оперативной памяти могло бы значительно повысить плотность хранения данных и решить проблему дефицита ОЗУ. Первый шаг в этом направлении сделала память HBM, но это оказалось недёшево и не для всех. Прорыв мог бы произойти только в том случае, если бы память DRAM пошла по пути производства памяти 3D NAND. Пока этого не произошло, но первый прототип такого решения уже воплощён в кремнии и привлёк внимание именитых инвесторов. 
Источник изображений: NEO Semiconductor О создании образца 3D X-DRAM в рамках доказательства концепции сообщила молодая американская компания NEO Semiconductor. Год назад она безуспешно искала поддержки среди производителей памяти, а сегодня у неё нет отбоя от инвесторов и заказчиков. Руководство компании утверждает, что ведутся интенсивные переговоры с рядом ведущих производителей памяти и это ускорит появление стековой ОЗУ. Важным моментом в деятельности NEO Semiconductor стало привлечение на свою сторону такого инвестора, как Стэн Ши (Stan Shih). В мире электроники это человек-легенда. Сейчас ему 81 год. В своё время он основал компанию Acer и около 20 лет возглавлял компанию TSMC. Также значимым стало сотрудничество с высшими учебными заведениями Тайваня — Национальным университетом Янмин Цзяотун (NYCU) и его подразделением — Школой инноваций в сфере взаимодействия промышленности и академических кругов (Industry-Academia Innovation School, IAIS). Образец также был изготовлен на Тайване — в Тайваньском научно-исследовательском институте полупроводников (National Institutes of Applied Research — Taiwan Semiconductor Research Institute, NIAR-TSRI). Вероятно, тестирование и измерение характеристик образца также были проведены в стенах NIAR-TSRI. В компании сообщают, что задержка чтения/записи составила менее 10 нс, время регенерации при 85 °C — более 1 секунды (в 15 раз лучше, чем в стандарте JEDEC — 64 мс), устойчивость к износу достигла 10¹⁴. Помехоустойчивость также была на высоком уровне. «Я рад, что благодаря тесному партнёрству между промышленностью и научными кругами удалось подтвердить осуществимость концепции 3D DRAM от NEO в реальных условиях кремниевого производства, — сказал Джек Сан (Jack Sun), старший вице-президент Нью-Йоркского университета и декан Института прикладных исследований в области науки и технологий, а также бывший технический директор TSMC. — Успешная проверка концепции не только демонстрирует потенциал инновационных архитектур памяти, но и подтверждает возможность внедрения передовых технологий памяти с использованием отработанных процессов».  По замыслу разработчиков NEO Semiconductor, стековая компоновка памяти DRAM и чрезвычайно широкая шина данных — порядка 32 000 бит — позволят создавать оперативную память с плотностью записи 512 Гбит на кристалл и пропускной способностью в 16 раз выше, чем у современной памяти HBM. Развитие стандарта HBM не предполагает появления ничего подобного раньше середины нынешнего века, тогда как NEO Semiconductor готова представить оперативную память с такими характеристиками в обозримом будущем. Samsung, SK Hynix и Micron покроют лишь 60 % мирового спроса на DRAM, а дефицит продлится до 2027 года
19.04.2026 [06:54],
Дмитрий Федоров
Дефицит памяти затронет производителей смартфонов и автопром. Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology наращивают производство DRAM в темпе, который покроет лишь 60 % спроса. Новые фабрики вводятся в эксплуатацию с задержками, а все три компании сосредоточились на производстве HBM для ИИ-чипов. Дефицит памяти начался осенью 2025 года, а цены на неё за I квартал 2026 года выросли примерно на 90 %. 
Источник изображения: Laura Ockel / unsplash.com На три компании приходится около 90 % мирового рынка памяти DRAM, и только они производят HBM. Samsung запустит четвёртый завод в Пхёнтхэке в 2026 году, но серийное производство начнётся не раньше 2027 года: часть мощностей займут логические чипы. Пятый завод там же строится под HBM и заработает не раньше 2028 года. Глава подразделения памяти Ким Чжэ Чжун (Kim Jae-june) в январе признал, что прирост предложения в 2026–2027 годах будет незначительным. SK Hynix в феврале открыла HBM-завод в Чхонджу — пока единственный ввод мощностей среди трёх лидеров, способный увеличить предложение в 2026 году. Строительство второго предприятия в Йонъине под Сеулом ускорено: завершение перенесено на февраль 2027 года, на 3 месяца раньше графика. Председатель SK Group Чхэ Тхэ Вон (Chey Tae-won) в середине марта допустил, что дефицит ИИ-памяти затянется до 2030 года из-за нехватки пластин и физических ограничений на быстрое наращивание производства. 
Мировой рынок DRAM почти полностью сосредоточен в руках Samsung Electronics, SK Hynix и Micron Technology, которые вместе контролируют около 90% рынка. Источник изображения: trendforce.com Micron запустит производство HBM в Айдахо и Сингапуре в 2027 году, в мае приступит к строительству завода в японской префектуре Хиросима — серийный выпуск там намечен на 2028 год. В январе компания договорилась о покупке предприятия на северо-западе Тайваня у Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp — продукция поступит на рынок во II полугодии 2027 года. По расчётам Counterpoint Research, для преодоления дефицита отрасль должна ежегодно наращивать производство на 12 % до 2027 года, тогда как текущие планы дают лишь 7,5 %. Достижение баланса директор по исследованиям Counterpoint МС Хван (MS Hwang) прогнозирует не раньше 2028 года. Нестабильность на Ближнем Востоке дополнительно давит на себестоимость памяти — растут цены на электроэнергию и сырьё. Дефицит сказывается и на смежных отраслях. Память формирует около 20 % себестоимости бюджетных смартфонов; к середине 2026 года эта доля может вырасти почти до 40 %. Продажи смартфонов в 2026 году сократятся на 13 %, прогнозирует IDC, производители автокомпонентов уже испытывают трудности с поставками. В условиях избытка предложения цены на обычную память способны резко упасть — именно это произошло в 2023 году после угасания постпандемийного спроса. Kioxia зафиксировала рекордный убыток, Micron и SK Hynix завершили год в минусе. Kioxia рассматривает строительство третьего завода, но сроков пока не называет. Спотовые цены на DDR4 упали на 5 % — впервые за год
10.04.2026 [17:55],
Павел Котов
Спотовая цена на 16-гигабитный чип DDR5 за последний месяц сократилась примерно на 5 % до $74,10, и это первое месячное снижение с февраля 2025 года — годом ранее этот чип стоил $3,20, то есть к настоящему моменту он подорожал на 2200 %, обращает внимание DigiTimes.  16-гигабитные чипы DDR5 за тот же период подешевели на сопоставимую величину; наиболее резкое падение обозначилось в китайских каталогах и на Amazon, где некоторые комплекты 32-гигабайтных DDR5 подешевели сразу на 30 %. Контрактного рынка, на котором закупаются производители и сборщики ПК, это пока не коснулось — только во II квартале аналитики предсказывают подорожание контрактной DRAM на 58–63 %, а NAND прибавит в цене 70–75 %. Для сравнения, в I квартале DRAM подорожала на рекордные 90–95 %. Ни три мировых лидера на рынке памяти — Samsung, SK hynix и Micron — ни китайские CXMT и YMTC цен пока не снизили, и клиенты по-прежнему подписывают долгосрочные соглашения о поставках. Спотовые продажи составляют незначительную долю от общего объёма поставок памяти, поэтому и влияние их на рынок в целом невелико. Тем временем на китайском рынке комплекты DDR5 на 32 Гбайт подешевели на 27 % за месяц, модули DDR4 на 8 и 16 Гбайт за неделю сбросили 25 %. Такую динамику обусловливают два фактора. Дистрибьюторы, накопившие запасы на пике роста, начали их распродавать, как только мелкие поставщики модулей исчерпали возможности переложить издержки на потребителей. С конца 2025 года наблюдается падение потребительского спроса — тогда Samsung подписала не подлежащее расторжению соглашение о поставках DDR4, но оно не распространялось на потребителей. Второй фактор — представленный Google алгоритм сжатия KV-кеша TurboQuant, позволяющий существенно сократить использование памяти системами искусственного интеллекта. Это побудило некоторых инвесторов распродать свои активы в опасении, что спрос на память со стороны крупных поставщиков может снизиться, если технология начнёт применяться повсеместно. Наконец, цены на устаревшую память DDR3 и MLC NAND продолжают расти, несмотря на общие тенденции спотового рынка. Некоторые поставщики решили отказаться от этих решений, чем спровоцировали сокращение предложения в этих сегментах. На память теперь уходит до 30 % расходов при создании ЦОД — в четыре раза больше, чем в 2023 году
03.04.2026 [20:41],
Николай Хижняк
По оценкам аналитиков SemiAnalysis, на память будет приходиться примерно 30 % от общего объёма капитальных затрат крупных гиперскейлеров в 2026 году, что резко контрастирует примерно с 2023 и 2024 годами, когда на эту статью приходилось лишь около 8 % расходов. Эксперты прогнозируют дальнейший рост затрат на память в 2027 году, что ознаменует почти четырёхкратное увеличение цен всего за четыре года. 
Источник изображения: SemiAnalysis SemiAnalysis ожидает, что цены на DRAM вырастут более чем вдвое в 2026 году, а средняя цена продажи (ASP) увеличится ещё на двузначное число процентов в 2027 году. Контрактные цены на память LPDDR5 уже выросли более чем в три раза с первого квартала 2025 года. По оценке аналитиков, цены на открытом рынке в этом квартале, вероятно, превысят $10 за Гбайт. Поставки высокопроизводительной памяти HBM, лежащей в основе ускорителей ИИ, по-прежнему будут испытывать дефицит до 2027 года, согласно прогнозам SemiAnalysis. Общие расходы на память составят значительную долю из примерно $250 млрд дополнительных затрат крупных гиперскейлеров, прогнозируемых на этот календарный год. Это уже отражается на ценах на серверы для ИИ: по данным SemiAnalysis, цены на ускорители Nvidia B200 к концу года вырастут до 20 %, в значительной степени из-за роста стоимости памяти. Данный анализ соответствует общему мнению в отрасли — ведущие производители компьютеров и серверного оборудования в ходе своих последних финансовых отчётов признали резкое увеличение стоимости компонентов. Например, Джефф Кларк (Jeff Clarke), операционный директор компании Dell, одного из крупнейших поставщиков компьютерного оборудования в мире, ещё по итогам третьего квартала прошлого года назвал темпы роста цен «беспрецедентными». Отдельно аналитики агентства Counterpoint Research прогнозируют, что модули памяти DDR5 объёмом 64 Гбайт RDIMM к концу 2026 года могут стоить вдвое дороже, чем в начале 2025 года. А серверы для ИИ, построенные на платформах Nvidia с поддержкой LPDDR, демонстрируют один из самых резких скачков цен из-за огромного объёма используемой памяти в каждой системе. В своём отчёте SemiAnalysis отмечает, что Nvidia пользуется преференциями при закупке памяти, поскольку поставщики предлагают компании так называемые VVP (Very Very Preferred) цены на DRAM. Эти цены «значительно ниже, чем озвучиваемые как для крупных облачных провайдеров, так и для рынка в целом». По мнению SemiAnalysis, это позволяет Nvidia снижать собственные затраты на серверы и в то же время занижает общие рыночные ценовые ориентиры, маскируя реальную серьёзность дефицита поставок для всех остальных. Основной конкурент Nvidia на рынке ИИ-ускорителей, компания AMD, таких преференций от поставщиков памяти не имеет, хотя в её ускорителях, как правило, на единицу продукта используется больше чипов памяти. AMD выпускает гораздо меньше ИИ-ускорителей, чем Nvidia, что делает её структурно более уязвимой к росту стоимости памяти в условиях гораздо меньшего масштаба производства процессоров для ИИ, говорится в отчёте. Другими словами, масштабы закупок Nvidia как HBM, так и обычной DRAM дают ей рычаги влияния, которыми покупатели с меньшим объёмом закупок просто не располагают. Xiaomi рассказала, насколько на самом деле смартфоны стали дороже из-за кризиса памяти
03.04.2026 [17:11],
Николай Хижняк
Компания Xiaomi впервые прокомментировала конкретное влияние кризиса на рынке памяти DRAM, раскрыв масштабы воздействия роста стоимости оперативной и флеш-памяти на себестоимость производства смартфонов. 
Источник изображения: Xiaomi Лу Вэйбин (Lu Weibing), президент подразделения смартфонов Xiaomi, сделал неожиданно конкретное заявление в китайской социальной сети Weibo о последствиях кризиса DRAM. Согласно этому заявлению, производство смартфонов с 12 Гбайт оперативной и 512 Гбайт флеш-памяти обходится компании на 1500 юаней ($220) дороже, чем в первом квартале 2025 года, а это значит, что такие смартфоны, как Xiaomi Redmi Note 15 Pro+, компании приходится продавать по значительно более высокой цене. Ещё более резким оказалось повышение цен на модели с 16 Гбайт оперативной и 1 Тбайт постоянной памяти, хотя Лу Вэйбин не привёл точных цифр для этой конфигурации. По его словам, цены на флеш-память выросли даже больше, чем ожидал технологический гигант, поэтому компания повысит рекомендованную розничную цену смартфонов Redmi K90 Pro Max, Redmi Turbo 5 и Redmi Turbo 5 Max в Китае с 11 апреля на 200 юаней (около $30). Заявлений об аналогичном повышении цен на мировом рынке от компании пока не было, но большинство моделей смартфонов Xiaomi и так продаются значительно дороже на международном рынке, поэтому у компании будет больше возможностей для смягчения последствий кризиса DRAM. Лу Вэйбин подчеркнул, что цены на смартфоны снова снизятся, как только цены на память начнут падать. В настоящее время невозможно предсказать, когда закончится кризис памяти DRAM. Некоторые аналитики ожидают снижения цен с 2028 года, некоторые поставщики опасаются, что дефицит памяти продлится до 2030 года. Дальнейшая динамика цен на DRAM и NAND в ближайшие месяцы будет зависеть, с одной стороны, от расширения производственных мощностей, а с другой — от спроса со стороны таких гигантов в области искусственного интеллекта, как OpenAI, которые в значительной степени ответственны за кризис памяти. Цены на DDR5 пошли вниз и потянули акции Micron, Samsung Electronics и SK hynix
31.03.2026 [19:17],
Дмитрий Федоров
Цены на память начали снижаться после нескольких месяцев роста. В марте розничная DDR5 впервые за восемь месяцев подешевела в Германии, часть комплектов в США потеряла более 20 % от недавних максимумов, а в Китае отдельные 16-гигабайтные модули за день подешевели более чем на $14. По данным TrendForce, этот разворот на рынке связывают с ослаблением ожиданий ажиотажного спроса на DRAM со стороны ИИ-компаний. 
Источник изображения: Andrey Matveev / unsplash.com В Китае розничные цены тоже пошли вниз. TrendForce оценила снижение стоимости массовых 16-гигабайтных модулей DDR5 примерно с 1300 (около $189) до 1000 юаней (около $145). Пользователь Harukaze сослался на распространённый отчёт по китайскому рынку, где утверждалось, что некоторые 16-гигабайтные модули за день подешевели более чем на 100 юаней (примерно $14,50). 
Источник изображения: @harukaze5719 / x.com Рост цен с октября рынок объяснял ожиданием, что ИИ-компании поглотят значительную часть предложения DRAM. Центральным сюжетом стала OpenAI: по сообщениям, компания подписала письма о намерениях, касающиеся поставок до 900 000 пластин в месяц, что усилило ожидания относительно сокращения предложения памяти. 
Источник изображения: trendforce.com Теперь часть рынка считает, что спрос остыл. Последнее снижение стоимости памяти связывают и с анонсом Google TurboQuant — метода сжатия для ИИ, который сокращает объём памяти для кэша данных больших языковых ИИ-моделей как минимум на 50 %. Это не отменяет спрос на DRAM, но усиливает сомнения в том, как долго цены смогут держаться на текущих уровнях. 
Источник изображения: @hardwarecanucks / x.com Акции отреагировали стремительно. В понедельник Micron потеряла 9,9 % и теперь торгуется почти на 30 % ниже максимума 18 марта. Мартовская распродажа в Южной Корее опустила котировки Samsung Electronics и SK hynix более чем на 20 %, а по итогам вторника они потеряли ещё 5,2 % и 7,6 % соответственно. При этом бумаги всё ещё стоят заметно выше, чем несколько месяцев назад. Котировки акций производителей DRAM стабилизировались после первичного влияния TurboQuant
29.03.2026 [08:24],
Алексей Разин
На этой неделе Google представила метод сжатия данных TurboQuant при работе с ИИ, который позволяет снизить потребность моделей в памяти в шесть раз без потери точности. Данный прорыв вызвал падение курсов акций крупных производителей памяти, но после более глубокого анализа ситуации котировки выборочно отыграли потери. 
Источник изображения: Samsung Electronics Данный метод сжатия данных, как поясняют эксперты, в большей мере влияет на потребность разработчиков ИИ в памяти типа NAND, поэтому производители микросхем прочих типов могут не переживать по поводу снижения спроса. Например, курсы акций Samsung и SK hynix, которые остаются крупнейшими производителями HBM, свои первоначальные потери отыграли. Поставщики DRAM в целом могут не переживать по поводу влияния метода TurboQuant на отрасль, чего нельзя сказать о производителях NAND. К концу рабочей недели акции Samsung отыграли ранние потери, тогда как ценные бумаги SK hynix сохранили разрыв в 1 % относительно курсовой стоимости по состоянию на четверг. Зато акции Sandisk и Kioxia, которые специализируются на выпуске NAND, продолжили своё падение. При этом следует учитывать, что с августа прошлого года первые подорожали более чем в десять раз, а вторые — более чем на 600 %. По оценкам специалистов Morgan Stanley, внедрение TurboQuant почти не угрожает производителям HBM, оно способно оказать влияние разве что на сегмент NAND. Данный метод сжатия применяется при инференсе, а не обучении языковых моделей, которое подразумевает активное использование GPU с установленной памятью типа HBM. По некоторым оценкам, внедрение TurboQuant всё равно не окажет долгосрочного влияния на рынок микросхем памяти, и наблюдаемая коррекция является краткосрочной. Тем не менее, эволюция отрасли может сформировать разные условия для работы производителей различных типов памяти, как отмечают эксперты. Samsung и SK hynix вложили в расширение производства памяти в Китае почти $1 млрд за прошлый год
27.03.2026 [14:42],
Алексей Разин
Ещё при президенте Байдене власти США пытались ограничить способность южнокорейских производителей памяти модернизировать и расширять свои предприятия на территории Китая, которые выдают основной объём продукции для мирового рынка. Тем не менее, Samsung и SK hynix умудрились сохранить доступ к американскому оборудованию для выпуска памяти, одновременно вкладываясь в модернизацию производства в Китае. 
Источник изображения: Samsung Electronics По крайней мере, как отмечает Business Korea, в прошлом году Samsung Electronics на модернизацию своего предприятия в китайском Сиане потратила $344 млн, что на 67,5 % больше затрат предыдущего года. Данное предприятие является единственной зарубежной площадкой Samsung по выпуску микросхем памяти NAND, причём оно обеспечивает до 40 % объёмов производства продукции для мирового рынка. Надо сказать, что инвестиции в китайский завод Samsung не были регулярными, после вложения $464 млн в 2019 году она на протяжении четырёх лет не подпитывала его существенными финансовыми ресурсами. В 2024 году компания направила на поддержку предприятия $184 млн, а в прошлом году увеличила сумму сразу на 67,5 %. Конкурирующая SK hynix в свои китайские предприятия по итогам прошлого года вложила более $663 млн, поскольку в Уси она располагает заводом по производству DRAM, а в Даляне ей от Intel досталась фабрика по производству 3D NAND. Первая из площадок в прошлом году удостоилась удвоенных инвестиций в размере $190 млн, а вторая получила $293 млн, что в полтора раза больше инвестиций 2024 года. Впервые с 2022 года, когда SK hynix купила у Intel предприятие в Даляне, этой компании пришлось вкладывать в свою китайскую производственную базу более $660 млн. В южнокорейской национальной валюте данная сумма составляет психологически важное значение в 1 трлн вон. В условиях бума ИИ память стала дефицитным товаром, поэтому доминирующие на рынке южнокорейские компании активно наращивают её выпуск. Samsung собирается наладить выпуск в Китае более прогрессивной 236-слойной памяти 3D NAND вместо прежней 128-слойной. Если учесть, что у себя на родине Samsung в этом году собирается наладить выпуск 400-слойной памяти, то отстающая на пару шагов 236-слойная вполне может прописаться в Китае с учётом политики сдерживания технологического развития этой страны. Предприятие SK hynix по производству DRAM в Уси также перейдёт с третьего на четвёртое поколение 10-нм техпроцесса (1a), это позволит выгодно производить здесь микросхемы DDR5. Данное предприятие в Китае обеспечивает более 30 % объёмов выпуска DRAM компании в мировом масштабе. Выпуск DDR5 стал прибыльнее HBM для всех крупнейших производителей памяти
23.03.2026 [10:06],
Алексей Разин
В декабре прошлого года руководство Micron Technology призналось, что норма прибыли при выпуске классических типов DRAM, например, DDR5, оказалась выше обеспечиваемой при производстве HBM. Недавно он снова вернулся к этому тезису, говоря об итогах минувшего фискального квартала. Конкуренты располагают примерно такими же финансовыми показателями. 
Источник изображения: Micron Technology По крайней мере, News 1 со ссылкой на руководство SK hynix сообщает, что обычная DDR уже обеспечивает норму прибыли в районе 80 %, тогда как при выпуске HBM она колеблется в районе 60 %. В прошлом квартале норма прибыли Micron в целом по компании выросла последовательно с 75 до 81 %, что также говорит о росте прибыльности бизнеса не только в сегменте HBM. Samsung на правах крупнейшего производителя памяти соответствующие тенденции прочувствовала ещё в конце прошлого года. Для выпуска HBM тоже требуются кристаллы DRAM, рост спроса на первый тип памяти первоначально вызывал рост цен на DDR5, поскольку последних чипов на рынке становилось меньше. В определённый момент производители бросились наращивать выпуск HBM в ущерб DDR5, поэтому цены на последнюю выросли до такого уровня, что сейчас её продавать выгоднее. Тем более, что затраты на выпуск DDR5 значительно ниже, чем в случае с HBM, а потому разница между доходами и расходами заметно больше, и прибыль растёт активнее. Южнокорейские производители опережают китайских в части технологий выпуска HBM примерно на три года, но если цены останутся на высоком уровне, то у китайских конкурентов появится определённый шанс закрепиться на международном рынке DDR. Правда, санкции США могут этому помешать, но китайские производители в любом случае заинтересованы в скорейшей организации массового выпуска HBM и экспансии производства DDR. В условиях дефицита памяти поставщики начали диктовать выгодные себе условия. Как уже отмечалось ранее, Samsung намеревается заключать со своими клиентами долгосрочные контракты на период от трёх до пяти лет, гарантируя поставку определённых объёмов продукции, но с привязкой цены к текущим уровням на рынке моментальных сделок. Кроме того, покупателям придётся сделать крупные авансовые платежи в пользу будущих поставок, и как они будут засчитываться, во многом будет зависеть от динамики рыночных цен. Micron со своими клиентами также заключает долгосрочные контракты, но они также охватывают и исследовательскую деятельность, поскольку будущие типы HBM, например, должны учитывать индивидуальные запросы конкретных клиентов, а потому соответствующую адаптацию памяти необходимо прописывать в договорах. Micron также сосредотачивается на комплексных поставках продукции для нужд ЦОД, которые охватывают DDR5 и HBM одновременно. Поскольку новые мощности по выпуску памяти будут введены в строй не ранее конца следующего года, при сохранении растущего спроса на микросхемы памяти будут увеличиваться и нормы прибыли производителей. Руководство SK hynix пытается найти инновационный подход к стабилизации цен на память, но удастся ли его реализовать, станет понятно в ближайшее время. Micron сейчас способна покрывать спрос на память от силы на две трети от требуемого уровня
22.03.2026 [08:07],
Алексей Разин
Недавние заявления руководства Micron Technology о намерениях увеличить капитальные затраты ради более полного удовлетворения спроса на память вызвали снижение курса акций компании. Тем не менее, генеральный директор Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) подчёркивает, что нынешние объёмы выпуска позволяют Micron покрывать лишь от 50 до 67 % спроса, а потому проблему дефицита решить не позволят. 
Источник изображения: Micron Technology Чтобы покрыть растущий спрос, Micron должна будет серьёзно потратиться на расширение производства, как подчеркнул глава компании. «Мы способны обеспечивать наших ключевых клиентов в среднесрочной перспективе лишь от 50 % до двух третей их потребности», — заявил Мехротра в интервью CNBC. По прогнозам руководства Micron, до конца текущего года на рынке сохранится дефицит как DRAM, так и NAND, причём и в следующем году такое положение дел будет актуально. Разрыв между спросом и предложением на рынке памяти глава Micron назвал «беспрецедентным». Выпуск DRAM для производителей сейчас является более выгодным бизнесом, поэтому доступные для производства NAND ресурсы перераспределяются в пользу первого типа памяти. Это вызывает дефицит и рост цен на твердотельную память. Кроме того, в сегменте DRAM основные объёмы продукции уходят на серверный рынок, в результате страдают сегмент ПК и смартфонов. Ещё одним следствием дефицита DRAM становится ускорение износа твердотельных накопителей (SSD), которые активнее используются для размещения файлов подкачки. Эти накопители тоже дорожают из-за роста цен на NAND. Для китайских производителей памяти сложившиеся условия представляют определённый шанс для выхода на международный рынок, но только не в тех случаях, когда поставки китайской памяти упираются в запреты со стороны США. Ведущие китайские производители памяти в лице YMTC и CXMT недавно исчезли из санкционного списка Пентагона, но могут вернуться в него после внесения изменений в профильные документы. Американским производителям электроники данная неопределённость в условиях дефицита памяти точно не добавит уверенности в будущем. Оперативка продолжит дорожать, а дефицит может затянуться до 2028 года, предупредил четвёртый крупнейший производитель DRAM
09.03.2026 [07:40],
Алексей Разин
Тайваньский производитель микросхем памяти Nanya Technology, являющийся четвёртым крупнейшим в мире производителем микросхем DRAM, на ситуацию на рынке оперативной памяти смотрит не особо оптимистично с точки зрения покупателей, поскольку в текущем квартале, по словам руководства компании, цены будут расти ежемесячно, в следующем заметно подскочат, а с дефицитом чипов удастся покончить не ранее второй половины 2028 года.  Издание ET News, на которое ссылается TrendForce, сообщает о готовности Samsung Electronics поднять цены на память более чем на 100 % по итогам первого квартала. Конкурирующие SK hynix и Micron также готовы предлагать DRAM по сопоставимым с Samsung ценам. Если ранее контрактные цены на поставку памяти оговаривались на год вперёд, то теперь интервал сократился до одного квартала, а в отдельных случаях — до месяца. По некоторым данным, Samsung своими поставками покрывает не более 60 % спроса на память. Уже сейчас формируются цены на второй квартал, и в среднем для тройки крупнейших производителей памяти они вырастут на 40 %. В случае с мелкими производителями памяти типа Nanya цены растут с отставанием от лидеров рынка, поэтому своего пика они как раз достигнут во втором квартале. По прогнозам TrendForce, контрактные цены на DRAM в первом квартале вырастут последовательно на 90–95 %, а с учётом HBM средний прирост достигнет 80–85 %. Руководство Nanya Technology отмечает, что влияние конфликта на Ближнем Востоке на бизнес компании будет минимальным, поскольку европейские клиенты формируют 5 % выручки этого производителя памяти, а доля стран Ближнего Востока вообще не превышает 1 %. Китайские производители памяти, как отмечает TrendForce, пока сосредоточились на выпуске чипов для смартфонов и прочих сегментов домашнего рынка КНР. Переход с DDR4 на более современные виды продукции потребовал бы существенных затрат времени и средств, поэтому основная часть китайских производителей от него наверняка пока воздержится. Цены на память теперь меняются каждый час — мелких производителей фактически отрезали от закупок
04.03.2026 [12:37],
Алексей Разин
Рынок спотовых сделок в сегменте микросхем памяти, как отмечает Tom’s Hardware со ссылкой на DigiTimes, перешёл к пересмотру цен буквально каждый час, и мелким производителям электроники просто не остаётся на нём места. Ограниченный объём памяти распределяется неравномерно между примерно 100 крупными покупателями и более чем 190 000 небольшими компаниями, которые в таких условиях просто не могут приобретать её. 
Источник изображения: Micron Technology Как поясняют тайваньские источники, облачные гиганты, крупные автопроизводители и игроки рынка смартфонов вроде Apple или Samsung менее чувствительны к росту цен на память, а поставщики к тому же больше дорожат отношениями с такими клиентами. Поэтому мелкие заказчики гораздо сильнее страдают от подорожания памяти и её дефицита. Делать предоплату за поставку памяти по нынешним ценам способны не все производители электроники, поэтому небольшие компании буквально вымываются с рынка. Пережить повышение цен на память многие компании пытаются со второй половины прошлого года. По текущим ценам покупать память могут не все участники рынка, поэтому они сокращают объёмы производства собственной продукции и переводят бизнес в режим выживания. Формально уход с рынка мелких покупателей снижает общий спрос на память, но пока ситуация далека от перевеса в сторону избытка предложения. Как ожидает TrendForce, в текущем квартале контрактные цены на DRAM последовательно вырастут почти вдвое, а NAND подорожает минимум в полтора раза. Во втором квартале цены на DRAM увеличатся ещё на 70 %, а специалисты IDC ожидают, что дефицит памяти сохранится до 2027 года включительно. Затраты производителей ПК и смартфонов на закупку памяти также растут: эксперты прогнозируют, что рынок смартфонов по итогам текущего года сократится на 13–31 %. На рынке ПК сложнее всего придётся небольшим производителям, которые не смогут закупать память на более выгодных по сравнению с крупными конкурентами условиях. Samsung и SK Hynix снова повысят контрактные цены на память во втором квартале — спрос не ослабевает
01.03.2026 [16:31],
Владимир Мироненко
Samsung Electronics и SK Hynix, два крупнейших в мире производителя DRAM, известили клиентов о повышении цен на память во втором квартале и уже ведут переговоры с ними по этому поводу, сообщил ресурс Seoul Economic Daily со ссылкой на источники в отрасли. 
Источник изображения: Seoul Economic Daily Масштабы повышения цен варьируются в зависимости от клиента, и, как сообщают источники, небольшим компаниям придётся согласиться на существенное повышение цен, чтобы зарезервировать поставки DRAM. «Текущие производственные мощности Samsung Electronics позволяют удовлетворить лишь около 60 % постоянно растущего спроса на DRAM», — говорит представитель отрасли, поэтому, в стремлении обеспечить себе необходимые объёмы поставок, клиенты не решатся выступить против значительного роста цен, даже если они в некоторых случаях вдвое превысят стоимость согласно предыдущим контрактам. Крупные компании, такие как Nvidia и Apple, обычно заключают контракты на квартал или полугодие. Более мелкие компании традиционно заключали контракты на основе ежемесячных рыночных цен. Сообщается, что с IV квартала 2025 года, когда цены на DRAM начали резко расти, средние и мелкие компании перешли на квартальные контракты, устанавливающие объёмы поставок, выгодные для Samsung и SK hynix. Аналитики ожидают, что цены на DRAM могут более чем удвоиться в этом году. Например, согласно прогнозу исследовательской компании Gartner, цены на память, включая DRAM и твердотельные накопители, вырастут к концу года на 130 %. По данным исследовательской компании DRAMeXchange, цена чипа DDR4 8 ёмкостью 8 Гбит в марте прошлого года составляла около $1,30, к концу года она подскочила до $9,30, а к февралю этого года — ещё на 40 % до $13. Эксперты рассматривают резкий рост цен на память не как временный дисбаланс спроса и предложения, а как структурную проблему, когда предложение не может угнаться за долгосрочным спросом. Это связано с переходом индустрии ИИ к агентному ИИ, по мере внедрения которого спрос на DRAM, поддерживающую инференс и вычисления, продолжает стремительно расти. Ситуация вряд ли улучшится в ближайшем будущем, поскольку производственные мощности трёх крупнейших производителей памяти DRAM в этом году останутся почти на прежнем уровне — лишь у SK hynix ожидается рост год к году на 7 %. «Поскольку компании внедряют не один, а два или три ИИ для разных целей, спрос на DRAM продолжает расти, — отметил представитель отрасли. — Так как объёмы поставок на следующий год уже распроданы, ожидается, что тенденция к росту цен сохранится». Мировые продажи DRAM взлетели на 29 % за прошлый квартал: цены подскочили на 50 %, а Samsung снова на первом месте
26.02.2026 [18:17],
Николай Хижняк
Расширение применения ИИ побудило поставщиков облачных услуг нарастить развёртывание центров обработки данных, включив в него не только серверы для ИИ, но и серверы общего назначения. Этот сдвиг привёл к росту закупок памяти за пределами HBM3e, LPDDR5X и RDIMM высокой ёмкости — до обычных RDIMM. Резкое увеличение спроса вызвало скачок контрактных цен на обычную DRAM, увеличив общую выручку отрасли до $53,58 млрд в IV квартале 2025 года — на 29,4 % больше по сравнению с предыдущим кварталом. 
Источник изображения: Samsung По данным TrendForce, во всех сегментах покупатели испытывают трудности с обеспечением достаточных поставок на фоне растущего дисбаланса между спросом и предложением. Это значительно усилило ценовую власть поставщиков. Контрактные цены на обычную DRAM выросли на 45–50 % по сравнению с предыдущим кварталом, тогда как усреднённые контрактные цены на обычную DRAM и HBM увеличились на 50–55 %, что свидетельствует об ускоренном росте во всех категориях продукции. В I квартале 2026 года ожидается сезонное снижение потребительского спроса, которое, как предполагается, ограничит рост поставок микросхем, потенциально сведя на нет последовательный рост для поставщиков. Однако, поскольку поставщики услуг связи уделяют приоритетное внимание обеспечению поставок памяти и остаются восприимчивыми к более высоким закупочным ценам, другим сегментам, вероятно, придётся последовать их примеру, чтобы сохранить свои квоты. TrendForce прогнозирует дальнейшее ускорение роста цен на память в I квартале 2026 года: ожидается, что цены на обычную DRAM вырастут на 90–95 % по сравнению с предыдущим кварталом, а цены на смешанную обычную DRAM + HBM — на 80–85 %. Выручка Samsung в IV квартале 2025 года выросла до $19,30 млрд, увеличившись на 43 % по сравнению с предыдущим кварталом, что повысило её долю рынка на 3,4 процентного пункта — до 36 %. Это позволило компании вернуть лидирующую позицию в рейтинге крупнейших поставщиков памяти DRAM. Средняя цена продажи выросла примерно на 40 % по сравнению с предыдущим кварталом (самый сильный рост среди трёх ведущих поставщиков), тогда как поставки микросхем увеличились на несколько процентов, чему способствовало расширение бизнеса HBM и что соответствовало прогнозам компании.  SK hynix сообщила о выручке в размере $17,22 млрд, что на 25,2 % больше по сравнению с предыдущим кварталом. Однако её рыночная доля снизилась на 1,1 процентного пункта — до 32,1 %, из-за чего компания опустилась на второе место в рейтинге крупнейших поставщиков. Средняя цена продажи выросла примерно на 20 % по сравнению с предыдущим кварталом, что отражает более высокий вклад выручки от HBM, где волатильность контрактных цен сравнительно ниже. Поставки в битовом выражении увеличились на несколько процентов, что соответствует прогнозам. Компания Micron сообщила о выручке в размере $11,98 млрд, что на 12,4 % больше по сравнению с предыдущим кварталом. При этом её рыночная доля снизилась на 3,3 процентного пункта — до 22,4 %. Компания сохранила за собой третье место среди крупнейших поставщиков. Средняя цена продажи выросла примерно на 17 % по сравнению с предыдущим кварталом — это самый низкий показатель среди трёх ведущих поставщиков. Поставки в битовом выражении сократились примерно на 4 % по сравнению с предыдущим кварталом. По мнению TrendForce, это говорит о том, что компания раньше своих южнокорейских конкурентов договорилась с клиентами о контрактных ценах, что привело к сравнительно более низкому фактическому уровню цен. Тайваньские поставщики DRAM продолжили демонстрировать уверенный рост, начавшийся во II квартале 2025 года. При этом большинство из них сообщили о последовательном росте выручки более чем на 30 % в IV квартале 2025 года. Эти поставщики в основном сосредоточены на выпуске продукции на основе зрелых технологических узлов. Тем самым они заполняют пробелы в поставках, возникшие в связи с переходом ведущих производителей памяти на выпуск решений на передовых техпроцессах. 
Источник изображения: SK hynix Выручка Nanya выросла на 54,7 % по сравнению с предыдущим кварталом и составила $970 млн. Объёмы поставок в битовом выражении увеличились на 10–15 %, а средние цены продаж выросли до 30 %. Операционная маржа резко повысилась — с 6 до 39,1 %. Этому способствовали существенный рост контрактных цен на DDR4 и DDR3, продолжающееся пополнение запасов крупными клиентами, а также стратегическое перераспределение мощностей по выпуску продукции на 20-нм и 1B техпроцессах в сторону более маржинальных решений DDR4. Winbond сообщила о выручке в размере $297 млн, что на 33,7 % больше по сравнению с предыдущим кварталом. Объёмы поставок в битовом выражении выросли на несколько процентов, а средние цены продаж — до 30 %. Рост был обусловлен увеличением поставок 4-Гбит чипов DDR4 на основе 20-нм техпроцесса. Согласно отчёту PSMC, выручка от продаж DRAM, за вычетом услуг по производству, выросла на 0,6 % по сравнению с предыдущим кварталом и составила $33 млн. С учётом выручки от продаж DRAM, связанной с производством, общий доход от продаж DRAM увеличился примерно на 5 % по сравнению с предыдущим кварталом. После заключения лицензионного соглашения с Micron на использование технологического процесса ожидается, что PSMC ускорит следующий этап расширения мощностей по производству DRAM. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
