Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Китайская CXMT первой в мире начала массовые поставки памяти типа LPDDR6 для смартфонов
08.09.2026 [07:05],
Алексей Разин
Вчерашний дебют складного смартфона Xiaomi 18 Fold формально развязал CXMT руки — эта китайская компания получила полное право заявить, что приступила к массовому производству памяти типа LPDDR6, которая впервые нашла применение во флагманской модели смартфона. С точки зрения демонстрации успехов китайской полупроводниковой промышленности это очень важный шаг. 
Источник изображения: CXMT Микросхемы объёмом 16 Гбайт предлагают максимальную скорость передачи информации 12 800 Мбит/с, в случае взаимодействия с чипом внутри смартфона она составляет 10 667 Мбит/с. Выпускаемые CXMT микросхемы LPDDR6 имеют конструктивное исполнение FBGA с 1295 контактами и соответствуют стандарту JEDEC. С учётом возможности LPDDR6 работать со скоростью передачи 12 800 Мбит/с, данный вид памяти обеспечивает увеличение пропускной способности на 60 % по сравнению с LPDDR5X, работающей на скорости 10 667 Мбит/с. При этом уровень энергопотребления снижается на 20 %, обеспечивая увеличение времени работы устройства от батареи. Более гибкое управление напряжением отдельных блоков в составе чипа LPDDR6 позволяет добиваться оптимального расхода энергии при разных типах вычислительной нагрузки. Этому также способствует интеллектуальное управление стратегическим планированием распределения ресурсов и задач. Подчёркивается, что более сложная в упаковке LPDDR6 по сравнению с LPDDR5 позволяет снизить тепловое сопротивление кристалла на 40 %. Под нагрузкой это способствует более эффективному отводу тепла от микросхем памяти LPDDR6. Помимо смартфонов, память этого типа найдёт применение в ПК, носимых устройствах, автомобилях, серверах для периферийных вычислений и робототехнике. По данным TrendForce, доля CXMT на мировом рынке DRAM в денежном выражении по итогам второго квартала последовательно выросла с 7,6 до 9,5 %. Это позволяет ей занимать четвёртое место среди крупнейших мировых производителей микросхем оперативной памяти. Для сравнения, конкурирующая южнокорейская SK hynix уже завершила разработку своей LPDDR6, которую будет выпускать по техпроцессу 10-нм класса, приступив к её поставкам на рынок в текущем полугодии. Samsung Electronics образцы LPDDR6 демонстрировала ещё в январе текущего года на CES 2026 в Лас-Вегасе, но пока не сообщила о сроках начала её массового производства. В серийном исполнении такая память должна будет работать со скоростью до 12 800 Мбит/с, а SK hynix замахивается даже на уровень 14 400 Мбит/с. Американская Micron образцы своей LPDDR6 уже отгружает клиентам, но о сроках начала коммерческих поставок предпочитает не говорить открыто. SK hynix успешно расширяет производство памяти DRAM по передовому техпроцессу 1c
07.09.2026 [22:05],
Николай Хижняк
Компания SK hynix переводит значительную часть своих производственных мощностей по выпуску оперативной памяти DRAM на новейший техпроцесс 1c, пишет TechPowerUp со ссылкой на южнокорейскую газету Chosun. 
Источник изображения: SK hynix По мере развития технологии DRAM компания переносит производство на более продвинутые техпроцессы 10-нм уровня. В первом квартале 2026 года на долю техпроцесса 10-нм класса шестого поколения 1c приходилось 10 % от общего объёма производства, а во втором этот показатель вырос до 13 %. Ожидается, что в текущем третьем квартале компания выпустит 24 % своей памяти DRAM на техпроцессе 1c, а в четвёртом этот показатель перевалит за треть (34 %). К первому кварталу 2027 года на долю техпроцесса 1c, как прогнозируется, придётся около 35 % от общего объёма производства, а на долю техпроцесса 1b, тоже 10-нм уровня, но пятого поколения, — 33 %, что сделает его самым распространённым техпроцессом SK hynix. Техпроцессы для производства DRAM отличаются от обычных логических техпроцессов, то есть тех, на базе которых выпускаются процессоры. Производители DRAM используют различные варианты техпроцессов от 10 до 19-нм (10-нм класса) и масштабируют их, добавляя больше слоёв EUV-литографии или улучшая другие характеристики. Для SK hynix доминирующий на данный момент техпроцесс 1b предполагает использование 12–13 нм по фактическому размеру и включает около четырёх слоёв EUV-литографии, в то время как самый передовой техпроцесс 1c предполагает уменьшение до 11–12 нм с использованием 5–6 слоёв EUV-литографии. SK hynix будет использовать техпроцесс 1c для производства памяти HBM4E, LPDDR6 и DDR5. На более старом техпроцессе 1b SK hynix производит память DDR5, LPDDR5X, HBM3E и HBM4. Для сравнения, другие производители DRAM, такие как Samsung, в настоящее время используют техпроцесс 1c только на 16 % своих производственных мощностей, в то время как у SK hynix этот показатель составляет 13 %. У Micron этот показатель равен 19 %, но SK hynix быстро наращивает производственные мощности и, как ожидается, в четвёртом квартале обгонит обе компании за счёт перехода на техпроцесс 1c. В перспективе SK hynix будет осваивать и другие техпроцессы, поскольку масштабирование DRAM становится всё более сложной задачей: стандартная планарная структура транзисторов 6F² сталкивается с физическими ограничениями при уменьшении размеров. Будущее за транзисторами с вертикальным затвором 4F² и трёхмерным стекированием DRAM, которые станут основой для наступления следующей эры DRAM, но узел 1c компания SK hynix будет использовать ещё долгие годы. Производители памяти не успевают за спросом — зато их выручка взлетела на 60 % во втором квартале
07.09.2026 [17:44],
Владимир Фетисов
Резкий рост контрактных цен на память DRAM привёл к увеличению объемов дохода её производителей. По данным компании TrendForce, доход индустрии DRAM во втором квартале нынешнего года вырос на 59,5 % до $154,73 млрд по сравнению с предыдущим трёхмесячным отрезком. 
Источник изображения: SK hynix Растущий спрос на ИИ-серверы, обусловленный продолжающимся расширением индустрии искусственного интеллекта, стимулировал увеличение поставок чипов памяти HBM3E, LPDDR5X и RDIMM разной ёмкости. Складские запасы поставщиков продолжают оставаться на исторически низком уровне, а дополнительные объёмы поставок в основном перенаправляются на использование в серверном оборудовании. В итоге объём поставок памяти DRAM в пересчёте на биты во втором квартале вырос незначительно. Аналитики TrendForce считают, что умеренный рост поставок памяти DRAM в пересчёте на биты станет одним из ключевых факторов, влияющих на выручку производителей в третьем квартале. Однако рост контрактных цен на чипы памяти DRAM, по прогнозам, замедлится до 13–18 % в квартальном исчислении. Эта тенденция отражает смещение части спроса с высокоёмких модулей RDIMM на продукты с меньшей ёмкостью, а также снижение способности потребителей в сегментах ПК и смартфонов выдержать дальнейшее повышение цен. Ожидается, что потребительский сегмент рынка DRAM покажет наиболее сильный рост цен, поскольку производители существенно сократили объём поставок. Во втором квартале самый высокий рост объёма поставок чипов памяти в пересчёте на биты среди крупнейших вендоров продемонстрировала Samsung. Этому способствовал ранний запуск серийного производства и поставок памяти HBM4. В сочетании с существенным ростом средней цены реализации это привело к тому, что квартальная выручка Samsung выросла до $60,98 млрд, что на 63,4 % больше по сравнению с предыдущим кварталом. В итоге компания заняла лидирующую позицию с долей рынка 39,4 %. 
Источник изображения: TrendForce На второй позиции расположилась SK hynix. Поскольку доля памяти HBM в общем объёме поставок в пересчёте на биты была самой высокой среди трёх крупнейших вендоров, рост средней цены реализации оказался не таким сильным. Тем не менее, выручка SK hynix во втором квартале выросла на 37,9 % по сравнению с предыдущим трёхмесячным отрезком и составила $38,59 млрд. При этом доля рынка компании снизилась до 24,9 %. В отчётном периоде Micron продолжала отдавать приоритет производству более дорогой серверной памяти DRAM, что обусловлено ограниченными производственными мощностями. Выручка компании выросла на 65,5 % квартал к кварталу и составила $36 млрд. За счёт этого доля вендора на рынке увеличилась до 23,3 %. Аналитики TrendForce считают, что в 2026–2027 годах три крупнейших производителя будут увеличивать объём поставок в пересчёте на биты в основном за счёт перехода на новые технологические процессы. Более мелкие игроки, такие как Nanya, Winbond и PSMC, сосредоточатся на производстве продукции по более зрелым технологиям. Их рост во втором квартале поддерживался рыночным спросом, который три крупнейших производителя уже не могут полностью удовлетворить по мере перехода на новые техпроцессы. Сильное повышение контрактных цен на DDR4 и DDR3 обеспечило рост выручки Nanya на 68,3 % квартал к кварталу — до $2,612 млрд. Выручка Winbond за этот же период выросла на 75,8 % и составила $998 млн. Выручка PSMC подскочила на 167,8 % — до $115 млн. «Украсть технологии, переманить инженеров»: у CXMT с самого начала был этот план, и она его придерживалась
04.09.2026 [17:41],
Павел Котов
У китайской компании CXMT существовал «Проект Хэфей» — масштабный план разработки DRAM, который, по версии южнокорейской прокуратуры, предусматривал получение ключевых технологий Samsung и переманивание её инженеров. Как сообщает NoCut News со ссылкой на материалы уголовного дела, план был составлен ещё в 2016 году, вскоре после основания CXMT. За прошедшее десятилетие китайская компания превратилась в крупного производителя DRAM и теперь контролирует около 10 % мирового рынка. 
Источник изображения: cxmt.com «Проект Хэфей» представлял собой поэтапный план разработки и запуска производства DRAM. Его примерно в августе 2016 года подготовили руководитель отдела разработки CXMT, прежде возглавлявший разработку DRAM в Samsung, и отвечавший за инвестиции в производственное оборудование сотрудник. Это произошло всего через два месяца после основания CXMT. Согласно материалам обвинения, к сентябрю 2016 года компания намеревалась получить ключевые технологические данные Samsung, включая технологическую карту Process Recipe Plan (PRP), к октябрю — привлечь ключевых инженеров Samsung, к июлю 2017 года — завершить подготовку технологии, а в августе 2018 года — начать массовое производство DRAM в объёме 10 000 пластин в месяц. PRP представляет собой подробное описание всего технологического процесса производства DRAM примерно из 620 этапов. Документ содержит названия и последовательность операций, параметры процессов, сведения об оборудовании, расходных материалах и используемых методах. Samsung разрабатывала свой 18-нм техпроцесс DRAM с апреля 2012 года, задействовав более 1100 специалистов и потратив около 1,6 трлн вон. Доступ к соответствующей информации внутри Samsung был ограничен, поскольку компания считала её коммерческой тайной. В августе 2016 года CXMT попыталась самостоятельно составить свой PRP для производства 18-нм DRAM на основе того, что вспомнили нанятые ею бывшие инженеры Samsung. Этого оказалось недостаточно: воспроизвести около 620 технологических этапов вместе с параметрами процессов и сведениями о материалах по памяти специалисты не смогли. Однако уже в сентябре CXMT, по версии прокуратуры, получила информацию из PRP Samsung, включавшую даже названия поставщиков оборудования и номера его моделей. На основе этих данных с 23 по 26 сентября был подготовлен собственный PRP компании, который затем передали бывшим специалистам Samsung для проверки и дополнения. В 2019 году CXMT заявила о разработке 8-Гбит чипов DDR4 и начала их продажи в Китае. Последовавший ИИ-бум и глобальный дефицит памяти способствовали стремительному росту компании: её доля на мировом рынке DRAM увеличилась примерно с 4 % во втором квартале 2025 года до 10 % во втором квартале 2026-го. К концу 2026 года CXMT рассчитывает довести производственные мощности трёх своих предприятий до 350 000 пластин в месяц — для сравнения, Micron выпускает около 375 000–385 000 пластин. Компания также планирует построить ещё одно предприятие в Пекине и в перспективе увеличить совокупные мощности более чем до 600 000 пластин в месяц. Во втором квартале 2026 года выручка CXMT выросла на 716 %, а после июльского IPO на шанхайской площадке STAR Market акции компании подорожали на 466 %. В ходе размещения CXMT привлекла $8,6 млрд. Около 70 % привлечённых средств компания намерена направить на дальнейшее расширение производства DRAM, а не на более дорогую и сложную HBM. При этом CXMT уже поставляла образцы HBM3E китайским разработчикам ИИ-ускорителей T-Head и Cambricon. Южнокорейская прокуратура в декабре прошлого года оценивала ущерб Samsung от предполагаемой утечки технологий как минимум в десятки триллионов вон. Расследование продолжается: дело рассматривает Центральный районный суд Сеула, а допросы свидетелей должны продолжаться до октября. Китай наступает на большую тройку производителей памяти — CXMT отвоевала 10 % рынка
03.09.2026 [21:45],
Николай Хижняк
По данным аналитиков Counterpoint Research, китайский производитель памяти CXMT во втором квартале 2026 года занял уже 10 % мирового рынка DRAM по выручке. Выручка компании выросла на 150 % по сравнению с аналогичным периодом прошлого года, то есть в 2,5 раза, и ещё на 25 % относительно предыдущего квартала. Благодаря этому доля CXMT увеличилась с 8 % в первом квартале до 10 % во втором. 
Источник изображения: TechPowerUp Это особенно примечательный результат с учётом ограниченного доступа китайской полупроводниковой отрасли к передовому зарубежному производственному оборудованию. CXMT продолжает наращивать присутствие на мировом рынке DRAM и постепенно сокращает отставание от трёх его крупнейших участников — Samsung, SK hynix и Micron. 
Источник изображения: Counterpoint Research Среди производителей DRAM первое место по-прежнему занимает Samsung с долей 38 % по выручке. На SK hynix приходится 25 %, а на Micron — 24 %. За последний год расстановка сил заметно изменилась: доля SK hynix сократилась с 39 до 25 %, тогда как Samsung укрепила лидерство. Доля Micron в последние кварталы колебалась в районе 22–24 %, а Nanya за год удвоила свой показатель с 1 до 2 %. Counterpoint также отслеживает распределение выручки на мировом рынке памяти HBM, который пока практически полностью поделён между тремя крупнейшими производителями памяти. 
Источник изображения: Counterpoint Research Здесь лидером остаётся SK hynix с долей 50 %, за ней следует Samsung с 33 %, а Micron занимает 18 %. При этом позиции SK hynix заметно ослабли: годом ранее на компанию приходилось 64 % выручки мирового рынка HBM. Главным бенефициаром перераспределения стала Samsung, которая быстро наращивает поставки на фоне перехода рынка от HBM3E к HBM4. CXMT в статистике крупнейших поставщиков HBM пока не фигурирует. Китайская компания лишь недавно приступила к производству HBM3E, поэтому её выход на этот рынок ещё не успел заметно отразиться на выручке. По оценке Counterpoint, для этого может потребоваться ещё один-два квартала. DDR4 теперь стоит в 8,6 раза дороже, чем десять лет назад
02.09.2026 [09:39],
Павел Котов
Высокоскоростная память HBM, которая используется в ускорителях искусственного интеллекта, продолжает поглощать ограниченные ресурсы производителей памяти, что приводит к росту цен на стандартную память для ПК — рынок не спасает даже слабый спрос на ноутбуки и другие потребительские устройства. 
Источник изображения: samsung.com По итогам августа контрактная цена на стандартный чип DRAM — 8-гигабитный DDR4 — по итогам августа выросла на 4,17 % до $25, подсчитали в TrendForce. Это значит, что с июня 2016 года, когда компания начала отслеживать этот рынок, память подорожала в 8,6 раза. Цены росли 11 месяцев подряд с апреля минувшего по февраль этого года и продолжили рост с апреля этого года до настоящего момента. Наблюдается эффект инверсии цен: старые модули DDR4 теперь торгуются выше новых DDR5. Поставки ноутбуков, гласят прогнозы аналитиков, в этом году сократятся на 10,5 %; при этом аналитики TrendForce были вынуждены повысить прогноз роста контрактных цен на DRAM для ПК в III квартале с диапазона 15–20 % до 18–23 %. В ходе августовских переговоров некоторые поставщики подписали контракты по ценам на 23–28 %, то есть они по-прежнему сохраняют рычаги влияния. Дисбаланс спроса и предложения обернулся спровоцированным ИИ эффектом вытеснения. HBM потребляет значительно больше кремниевых пластин, чем обычная DRAM. Производители памяти выделяют в первую очередь производственные линии для выпуска HBM и серверной DRAM, в результате чего мощностей для устаревшей DDR4 стало значительно меньше. Производители ПК опасаются, что им не хватит компонентов памяти, и начинают закупать её впрок, стремясь обеспечить запасы на срок более десяти недель. На рынке флеш-памяти NAND ценовые тенденции резко различаются в зависимости от продуктов. Контрактная цена на 128-гигабитные чипы MLC в августе выросла всего на 1,42 % до $30,48. Для сравнения, в июле диапазон роста был 4,26–8,17 %, и к настоящему моменту покупатели упёрлись в потолок расходов и покупать память дороже они уже не намерены. А вот цены на более старые SLC-чипы в августе показали рост в диапазоне 16,51–28,22 %. Сильнее всего подорожали 4-гигабитные чипы; цены на 2- и 8-гигабитные увеличились более чем на 20 %. Дефицит возник из-за того, что производители заняты в основном высокорентабельной 3D NAND и прекращают инвестиции в старые решения, хотя спрос на них сохраняется — например, в сегментах телекоммуникационного оборудования и интеллектуальных счётчиков такие компоненты заменить непросто. В сентябре цены на DRAM намного вырастут, SLC покажет «ограниченный рост», а MLC, вероятно, стабилизируется на текущем уровне цен, говорят аналитики TrendForce. Intel всё же не вернётся к выпуску микросхем памяти
31.08.2026 [07:53],
Алексей Разин
В уходящем месяце генеральный директор Intel Лип-Бу Тан (Lip-Bu Tan) довольно двусмысленно обратился к теме инвестиций в технологии, связанные с производством и интеграцией памяти, попутно напомнив, что нанял на работу бывшего главу SK hynix. Финансовому директору Intel Дэвиду Зинснеру (David Zinsner) пришлось пояснять, что у компании нет планов по возвращению к самостоятельному изготовлению микросхем памяти. 
Источник изображения: Intel Напомним, что с 1968 года Intel примерно до середины восьмидесятых годов производила микросхемы DRAM, а уже в этом веке пыталась предложить собственную версию NAND, но после продала профильный бизнес южнокорейской компании SK hynix. На недавней технологической конференции Deutsche Bank Зинснер прокомментировал слухи о возвращении Intel на рынок памяти следующим образом: «Я бы предпочёл избегать рынка памяти. Поэтому я надеялся, что вы не будете говорить о том, что мы возвращаемся на рынок DRAM». Далее он пояснил, что генеральный директор Лип-Бу Тан в своих недавних комментариях имел в виду углубление сотрудничества с партнёрами и клиентами в сфере устранения «узких мест», которые мешают масштабированию быстродействия памяти. «Думаю, что он видит нас в роли ключевого игрока, занимающегося этой работой, которая включает взаимодействие с тремя основными производителями памяти, и у него налажены хорошие отношения с ними…, и мы регулярно обсуждаем вещи, которые могли бы делать вместе. Кроме того, есть способы разработать продукт, его архитектуру, наши продукты, которые лучше себя проявят при взаимодействии с памятью», — попытался пояснить позицию главы компании Intel её финансовый директор. Переход на технологию упаковки EMIB-T, помимо прочего, тоже будет служить достижению этой цели, поскольку повысит эффективность интеграции компонентов. «Память на вес золота» уже не метафора — килограмм DRAM почти догнал по цене килограмм золота
26.08.2026 [13:39],
Алексей Разин
По данным Chosun Biz, экспортная стоимость микросхем DRAM южнокорейского производства за три года и семь месяцев выросла в 12,5 раза. Теперь килограмм такой памяти стоит столько же, сколько 620 граммов золота, и почти в 42 раза дороже килограмма серебра. 
Источник изображения: SK hynix Как поясняет TrendForce, по темпам подорожания DRAM за этот период значительно обогнала даже золото: если стоимость южнокорейской памяти выросла в 12,5 раза, то драгоценный металл подорожал лишь в 2,4 раза. Сейчас средняя экспортная стоимость килограмма микросхем DRAM из Южной Кореи достигает $92 183, причём за первые три недели августа она выросла на 401 % в годовом сравнении. Экспортная выручка Южной Кореи от поставок DRAM за тот же период увеличилась на 504,8 % год к году, до $9,8 млрд. Отчасти такая динамика объясняется увеличением ёмкости выпускаемых микросхем: чем больше памяти содержит каждый чип, тем выше его стоимость. За последний год средняя ёмкость экспортируемых из Южной Кореи микросхем DRAM удвоилась с 1 до 2 Гбайт. Однако одним этим фактором столь стремительный рост цен объяснить нельзя. По данным TrendForce, во второй половине прошлого года контрактные цены на серверную DRAM выросли на 64 %, а по итогам текущего года рост должен составить 270 %. Особенно резко память дорожала во втором квартале, когда контрактные цены последовательно увеличились на 53–58 %. В третьем квартале ожидается рост ещё на 13–18 %, а в четвёртом — на 3–8 %. Розничный рынок движется в том же направлении. В Германии средняя стоимость модулей DDR5 с июля прошлого года выросла в 4,86 раза, отмечает источник. Кратное подорожание наблюдается также в США и Японии. При этом даже по выросшим ценам память не всегда просто найти в продаже: специализированные боты буквально устроили за ней охоту, зачастую не оставляя обычным покупателям шансов приобрести востребованные модули по приемлемой цене. Выручка от реализации микросхем памяти превысит $1 трлн в следующем году, по версии Gartner
26.08.2026 [08:02],
Алексей Разин
Поскольку крупные производители памяти всё чаще признают, что в 2027 году дефицит этой продукции не будет устранён, условия для дальнейшего роста цен сохраняются. Такая обстановка позволяет аналитикам Gartner предположить, что совокупная выручка от реализации микросхем памяти по итогам следующего года превысит $1 трлн. Рынок полупроводниковых компонентов в целом при этом приблизится в денежном выражении к отметке $2 трлн. 
Источник изображения: Micron Technology Если быть точнее, то прогноз Gartner подразумевает увеличение выручки полупроводникового рынка в целом с $809 млрд до $1,55 трлн в текущем году, на приличные 92 %. В следующем году темпы роста этой выручки замедлятся, она увеличится только до $1,94 трлн. При этом доля сегмента ЦОД в совокупной выручке полупроводникового рынка вырастет с текущих 35,6 % до более чем 53 % к концу десятилетия, как считают эксперты. Это позволит выигрывать от ИИ-бума и тем сегментам рынка, которые не были в фаворитах на первых порах. 
Источник изображения: Gartner Например, без учёта сегмента памяти выручка полупроводникового рынка в этом году увеличится с $589 до $718 млрд, на уверенные 21,9 %, а по итогам следующего года вырастет до $864 млрд. Конечно, с динамикой выручки от реализации микросхем памяти её всё равно не сравниться. В сегменте DRAM выручка в этом году вырастет на 246,6 %, а в сегменте NAND — на все 371,9 %. В общей сложности, выручка от реализации памяти в этом году вырастет почти в четыре раза, с $220 до $837,3 млрд. В следующем году динамика заметно замедлится, но одновременно выручкой от реализации микросхем памяти будет преодолён важный рубеж в $1 трлн. Рост цен на память в следующем году отчасти должен замедлиться после ввода в строй дополнительных производственных мощностей или оптимизации использования существующих. Кризис памяти ударит по его инициаторам: память съест две трети капзатрат на ИИ-инфраструктуру
25.08.2026 [19:14],
Павел Котов
Облачные провайдеры по всему миру ускоряют инвестиции в инфраструктуру искусственного интеллекта. По итогам 2026 года общие капитальные затраты крупнейших операторов вырастут на 98 %, а в 2027 году — ещё на 50 %, прогнозирует TrendForce. 
Источник изображения: nvidia.com Этот стремительный рост будет частично обусловлен резким повышением контрактных цен на память и высоким спросом на неё. В 2026 году доля DRAM и NAND в капзатратах облачных провайдеров составит 47 %, а в 2027 году вырастет до 68 %. Резкий рост контрактных цен на память со второй половины 2025 года значительно увеличил долю этой статьи в расходах операторов. Цены на серверную DRAM во второй половине 2025 года выросли в совокупности на 64 %, а в течение 2026 года могут подняться ещё примерно на 270 %. Цены на корпоративные SSD во второй половине минувшего года увеличились примерно на 35 %, а в текущем году могут вырасти ещё на 235 %. 
Источник изображения: trendforce.com Во II квартале 2026 года производители чипов памяти стали заключать с клиентами долгосрочные соглашения, некоторые из которых предусматривают потолки цен, способные сдержать дальнейшее подорожание. Тем не менее в 2027 году контрактные цены на HBM могут вырасти ещё на 70–140 %. В 2026 году на долю HBM и серверной RDIMM в совокупности придётся 51 % поставок DRAM в пересчёте на биты. В 2027 году миграция на новые техпроцессы и ввод дополнительных производственных мощностей помогут увеличить поставки серверной DRAM и HBM ещё на 27 %. Рост контрактных цен на память, особенно на дорогую HBM, в сочетании с увеличением объёмов поставок приведёт к тому, что доля памяти в капзатратах облачных провайдеров в 2027 году достигнет 68 %. Это будет иметь два основных последствия для экосистемы ИИ. Во-первых, поставщики серверного оборудования и ИИ-ускорителей получат дополнительные основания для повышения цен на свою продукцию. В результате облачным провайдерам придётся ещё сильнее увеличивать капитальные расходы, если они захотят сохранить запланированные объёмы закупок ИИ-ускорителей. Во-вторых, операторы могут начать активнее оптимизировать архитектуру ИИ-систем, сокращая объём памяти в каждой из них. В частности, могут измениться конфигурации RDIMM и объёмы HBM, интегрированной в будущие ИИ-ускорители. Кроме того, может вырасти интерес к специализированным ИИ-ASIC, в которых архитектура конкретной модели реализована непосредственно на аппаратном уровне. Samsung попробует нарастить выпуск DRAM без строительства новых фабрик
24.08.2026 [11:54],
Алексей Разин
Производители памяти готовы использовать разные подходы к увеличению объёмов поставок продукции, и не всегда они связаны с банальным вводом в строй дополнительных производственных площадей. Samsung Electronics, как сообщает Chosun Biz, делает упор на повышение уровня выхода годной продукции и переход на более прогрессивные техпроцессы. 
Источник изображения: Samsung Electronics В этом случае дополнительные площади для увеличения объёмов выпуска продукции не требуются, и это позволяет быстрее наращивать объёмы производства памяти. По данным источника, сейчас Samsung сосредоточена на переводе производства DRAM с техпроцесса 1b на 1c, а также стабилизации показателей качества конечной продукции. По оценкам Omdia, в текущем году объёмы выпуска продукции Samsung в сегменте DRAM вырастут примерно на 6 % до 8,2 млн кремниевых пластин. В следующем году прирост ограничится 1,3 %, что обеспечит выпуск 8,28 млн кремниевых пластин. Отчасти в этом будет виновата и память типа HBM4, на производстве которой старается сосредоточиться Samsung. Представители компании на условиях анонимности подтвердили изданию, что с прошлого года Samsung Electronics считает приоритетной задачу увеличения объёмов производства памяти без фактического расширения площадей. На производственной площадке в Пхёнтхэке обновляется имеющееся оборудование. Если в прошлом году она обеспечивала 49,5 % объёмов производства DRAM в программе компании, то в следующем доля этого комплекса вырастет до 55,4 %. Впрочем, у таких методов увеличения объёмов выпуска продукции есть свои ограничения по сравнению с экстенсивными, подразумевающими строительство новых линий. Производственный комплекс Samsung в Хвасоне в последние три года демонстрирует если не стагнацию, то отрицательную динамику, по данным осведомлённых источников. Здесь компания модернизирует старые производственные линии, в отдельных случаях перевооружая линии по выпуску 2D NAND с целью перевода их на тестирование и упаковку DRAM. В 2024 году на долю зрелых версий DRAM и NAND приходилось 30 % выручки Samsung, поэтому подобные линии скрывают в себе определённый потенциал дальнейшей модернизации. В Хвасоне расширение площадей тоже замедлилось, поскольку Samsung предпочла сосредоточиться на перевооружении уже существующих линий прежнего поколения. С другой стороны, конкурирующая SK hynix придерживается более агрессивной производственной политики. Она собирается по итогам текущего года увеличить объёмы обработки кремниевых пластин почти на 10 % до 6,66 млн штук. Если в прошлом году Samsung опережала SK hynix на 27 % по объёмам выпуска DRAM, то по итогам следующего года разрыв может сократиться до 13,6 %. Эксперты считают, что в условиях дефицита памяти подход SK hynix обеспечивает больше гибкости в насыщении рынка. При этом приоритеты Samsung в какой-то мере будут способствовать увеличению объёмов выпуска продукции благодаря повышению качества и модернизации техпроцессов. Более 90 % трафика на сайты интернет-магазинов сейчас генерируют боты, охотящиеся за DDR5
24.08.2026 [08:38],
Алексей Разин
Не секрет, что в последние пару лет дефицит оперативной памяти и рост цен на неё вызван бурным развитием вычислительной инфраструктуры для систем искусственного интеллекта, но родственные технологии при этом применяются и при поиске модулей памяти в рознице. Исследователи утверждают, что в ряде случаев более 90 % обращений к страницам интернет-магазинов, на которых продаётся память DDR5, сейчас генерируют программные роботы. 
Источник изображения: Crucial Получается, что из десяти визитов на профильные страницы некоего интернет-магазина приходится только одно обращение живого человека. Исследование DataDome показало, что 91 предложение DDR5 в онлайн-рознице в среднем получало около 50 000 обращений в час. В среднем на каждую страницу приходилось по 551 запросу, каждые 6,5 секунд кто-то проверял, есть ли желанная память в наличии. Боты обращались к страницам сайтов, на которых предлагались не только игровые модули DDR5, но и разъёмы для их установки на материнские платы. Кроме того, эти программные средства использовали методы более частого обновления интернет-страниц, чтобы не получать устаревшие данные о наличии товара из кеша. Для сравнения, в марте пропорция автоматизированных запросов достигала «6:1», поэтому по её увеличению можно судить о сохранении высокого спроса на оперативную память. У рядовых покупателей остаётся всё меньше шансов купить память по адекватным для текущего состояния рынка ценам, поскольку все самые интересные предложения достаются специализированным ботам. Windows 11 позволит пользователям вручную распределять ресурсы памяти между играми и ИИ
24.08.2026 [08:14],
Алексей Разин
Редкий центральный процессор в потребительском сегменте в наши дни лишён собственной графической подсистемы, она обычно конкурирует за ресурсы памяти с другими задачами, поэтому Microsoft экспериментирует с возможностью ручной регулировки перераспределения этих ресурсов. Это особенно важно в сфере роста популярности агентских ИИ-задач, которым нужно много памяти. 
Источник изображения: Nvidia До сих пор распределение ресурсов оперативной памяти в этом случае осуществлялось на уровне операционной системы в автоматическом режиме, но в новой экспериментальной сборке Windows 11 (29648.1000) от 17 августа текущего года появилась функция «IntelligentCarveout», которая в аннотации к релизу нигде открыто не упоминается. Данная функция, как выяснили энтузиасты, имеет отношение к процессу резервирования памяти для графической подсистемы или нужд ИИ. Пользователь сам сможет задавать предел использования оперативной памяти по объёму для соответствующих нужд. Наличие подобных регулировок ранее упоминалось в документации Nvidia. Системы семейства RX Spark могут предлагаться с 128 Гбайт оперативной памяти, ресурсы которой разделяются между графическим процессором и вычислительными ядрами. Технически, графическая подсистема в составе RTX Spark может получить доступ к большему объёму памяти, чем дискретные решения типа GeForce RTX 5090, которые штатно оснащаются только 32 Гбайт GDDR7. Правда, следует понимать, что разделяемая память типа LPDDR5x работает медленнее специализированной памяти, устанавливаемой непосредственно на графических платах. Зато оспаривать преимущество по объёму этой памяти уже не приходится. Китайская CXMT не собиралась создавать DRAM с нуля — она просто украла секреты Samsung, сообщил свидетель
21.08.2026 [16:23],
Павел Котов
Крупнейший в Китае производитель оперативной памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) рассчитывал незаконно получить интеллектуальную собственность Samsung для разработки собственных решений, сообщило издание Maeil Business со ссылкой на показания, данные в рамках соответствующего уголовного дела. 
Источник изображения: cxmt.com У CXMT не было даже намерения разрабатывать собственную технологию производства DRAM с нуля — кража интеллектуальной собственности у Samsung носила характер стратегического решения, заявили в руководстве корейской компании. Обвинения основаны на показаниях бывшего инженера Samsung, известного под именем Чон (Jeon), который проработал там 28 лет, а в 2016 году перешёл в CXMT. В апреле 2026 года его приговорили в семи годам тюремного заключения за незаконное получение информации о технологическом плане в 600 шагов, касающемся процессов производства DRAM вообще и техпроцесса 18 нм в частности. Повторение технологического плана не даёт гарантии получения работоспособного процесса, но он может значительно ускорить разработку решения — в нём раскрываются последовательность этапов, условия осаждения или травления, отжиг, очистка, параметры имплантации, температуры, давления, типы инструментов и другие аспекты. При разработке процессов производства памяти этот документ может исключить огромное число проб и ошибок и обозначить схему интеграции. Для гарантированного результата необходимы те же или совместимые средства, и следует надлежащим образом исправить их характеристики. Технологически план может не раскрывать полной архитектуры транзисторов или физическую конструкцию; разработчикам требуется информация о поперечных сечениях, масках, схемах компоновки, правилах проектирования, размерах устройств, геометрии конденсаторов и о прочих элементах. Эту информацию уже можно получить методами обратного проектирования — объединив эти сведения с технологическим планом, опытный инженер DRAM может восстановить значительную часть технологии. Samsung понадобились пять лет, чтобы разработать всю технологию с нуля. CXMT, в свою очередь, запустила производство памяти DDR4 в 2019 году на основе техпроцесса 22 нм; массовое производство с использованием технологии 18 нм началось в 2023 году. Возникает вопрос, каким образом CXMT могла разработать память G1 класса 22 нм и как перешла на более совершенный техпроцесс 18 нм. Корейский суд вынес решение, что китайский производитель незаконно присвоил интеллектуальную собственность Samsung. SanDisk изготовила первые чипы секретной памяти 3D Matrix Memory — причём на обычных 300-мм пластинах
20.08.2026 [17:59],
Геннадий Детинич
Девять лет назад компания SanDisk начала разработку секретной оперативной памяти 3D Matrix Memory по типу 3D NAND. Подобной памяти ждут все, чтобы за те же деньги получить намного больше бит с каждого кристалла DRAM. И хотя SanDisk говорит о впечатляющем прогрессе, компания не спешит начинать производство революционных чипов. Просто её время ещё не пришло, говорит руководство. 
Источник изображений: SanDisk Как сообщил технический директор SanDisk Алпер Илкбахар (Alper Ilkbahar) на мероприятии Investor Day 2026, впервые на 300-мм пластинах были изготовлены чипы 3D Matrix Memory и упакованы в корпуса для дальнейших испытаний. В ходе тестов удалось продемонстрировать работоспособность отдельных областей памяти объёмом несколько гигабит, а уровень производительности, по словам руководства, уже очень близок к запланированным спецификациям конечного продукта. Годом ранее на той же сцене Илкбахар уже рассказывал об этой технологии, исследования которой ведутся с 2017 года. По сути, 3D Matrix Memory представляет собой потенциальную альтернативу DRAM с трёхмерной структурой, которая должна обеспечить сопоставимую производительность при кратно большей ёмкости. Конечная цель — снизить стоимость бита вдвое по сравнению с DRAM. За прошедший год, опираясь на тестовый образец, созданный совместно с исследовательским партнёром — бельгийским центром IMEC, компания добилась устойчивого прогресса: прототипы производятся на стандартном оборудовании для 300-мм пластин и делается это в рамках стековой компоновки памяти в несколько уровней.  Несмотря на обнадёживающие результаты, Илкбахар подчеркнул, что до возможного выхода на рынок ещё очень далеко. «Работа продолжается, но это проект с далёким по времени горизонтом. Мы будем держать вас в курсе прогресса», — заявил он. При этом обновлённый план, если его можно так назвать, не содержит никаких конкретных сроков следующих этапов. В своё время компания обещала начать выпуск 32–64-Гбит чипов 3D Matrix Memory, но не называла каких-либо дат. Добавим, что нет полной ясности о типе ячейки 3D Matrix Memory. Большинство экспертов склоняются к мысли, что это память типа PCM на основе фазового перехода вещества в ячейке. Подобную память компания SanDisk разрабатывала вместе с Intel в рамках проекта 3D XPoint. Как вариант, это может быть память типа ReRAM. В своё время компания Western Digital, которая позже купила SanDisk, занималась разработкой памяти типа ReRAM с компанией 4DS. В любом случае компания SanDisk избегает разговоров на эту тему. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
