Согласно исследованиям TrendForce, в третьем квартале 2023 года произошёл значительный подъём рынка оперативной памяти DRAM: общая выручка выросла до 13,48 миллиардов долларов. Это соответствует 18-процентному росту относительно предыдущего квартала.

Источник изображения: pixabay.com

Значительный рост выручки объясняется постепенным восстановлением спроса, что побуждает производителей активизировать закупки. В перспективе четвёртого квартала поставщики DRAM твёрдо намерены повышать цены, так как ожидается, что контрактные цены на чипы памяти вырастут примерно на 13–18 %. Вместе с тем, восстановление спроса будет не таким ярким, как в предыдущие пиковые сезоны. В целом, несмотря на спрос для поддержания запасов, закупки в серверном сегменте остаются ограниченными из-за высокого уровня запасов с прошлых кварталов, что предполагает ограниченный рост поставок DRAM в четвёртом квартале.

Следует отметить, что три основных производителя оперативной памяти отметили рост выручки в третьем квартале. Выручка Samsung выросла на 15,9 % до 5,25 миллиардов долларов США благодаря стабильному спросу на чипы большой ёмкости, который стимулируется развитием систем искусственного интеллекта и выходом на рынок чипов DDR5, выполненных по нормам 1α. SK hynix продемонстрировала самый заметный рост среди производителей, достигнув величины в 34,4 % при объёмах продаж в 4,626 миллиардов долларов США. Компания при этом значительно сократила разрыв в доле рынка с Samsung до менее чем 5 %. Выручка Micron выросла примерно на 4,2 % до 3,075 миллиардов долларов, несмотря на небольшое снижение ASP (Average Selling Price — средняя цена продажи), чему способствовал рост спроса и объёмов поставок.

Samsung, вместе с тем, форсировала сокращение производства к концу третьего квартала, в основном нацелившись на продукты DDR4 с одновременным увеличением уровней запасов. По прогнозам, в четвёртом квартале сокращение производства может усилиться до 30 %, что приведёт к снижению объёма выпускаемых пластин памяти. При этом, рассчитывая на постепенное восстановление спроса, Samsung планирует увеличить объёмы выпуска чипов памяти не раньше второго квартала 2024-го года. SK hynix выиграла на росте поставок памяти HBM и DDR5, и ожидает небольшого увеличения объёмов производства пластин к концу текущего года, а в следующем году — стабильного ежеквартального роста в соответствии с растущим проникновением DDR5 на рынок.

Micron, ранее сократившая производство, в настоящее время поддерживает относительно здоровый уровень запасов. В четвёртом квартале 2023-го года компания уже начала увеличивать объёмы выпуска пластин, в первую очередь уделяя особое внимание передовому техпроцессу 1β. По некоторым оценкам, объём обработки кремниевых пластин в 2024-м году продолжит незначительно расти, при этом основное внимание будет уделяться переходу на более современные производственные процессы.

В то же время, на Тайване поставки компании Nanya выросли до 17–19 % благодаря заказам от клиентов рынка персональных компьютеров и динамикой спотового рынка. Однако низкий спрос на основные продукты компании — память DDR3 и DDR4, — а также снижение цен ограничили рост выручки, которая в итоге составила скромные 244 миллиона долларов США. Агрессивная ценовая стратегия компании Winbond, направленная на расширение бизнеса по выпуску DDR3 и освоение новых производственных мощностей, способствовала росту отгрузок и увеличению выручки компании в третьем квартале до 112 миллионов долларов США.

Источник изображения: TrendForce

PSMC (Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation) рассчитывает свою выручку в основном от потребительских продуктов DRAM, за исключением, собственно, услуг фотолитографического производства пластин. Благодаря росту спотовых цен, наблюдалось небольшое увеличение спроса, что привело к росту квартальной выручки от DRAM на 4,4 %. Однако, если учесть доходы от фотолитографического производства чипов, то в этом квартале следует констатировать снижение на 5,5 %.

Аналитики Omdia недавно выяснили, что на рынке памяти типа DRAM в целом доля SK hynix уже достигла 35 % и не так далека от позиций лидера Samsung Electronics, занимающего 39,4 %. Если рассматривать отдельно рынок серверной памяти, то SK hynix уже обошла своего главного соперника, заняв в третьем квартале 49,6 % сегмента и оставив Samsung не более 35,2 % в показателях выручки. Первая получила $1,85 млрд, вторая — $1,313 млрд.

Источник изображения: SK hynix

Об этом со ссылкой на статистику TrendForce сообщает ресурс Business Korea. В выборку попали финансовые результаты поставщиков модулей памяти типа DRAM на серверный рынок, без учёта микросхем HBM, но если считать и их, то отрыв SK hynix от Samsung Electronics будет ещё больше. На рынке оперативной памяти в целом, как уже поясняли специалисты Omdia, компания Samsung продолжает лидировать, но в серверном сегменте она уступает SK hynix. Третье место в серверном сегменте досталось Micron с 15 % рынка и $560 млн выручки.

Вообще, серверная память в структуре рынка DRAM отвечает за 35–40 %, поэтому успехи SK hynix в этом сегменте и помогли компании приблизиться к Samsung с учётом других сегментов рынка. Продукция семейства DDR5 марки SK hynix, выпускаемая по техпроцессу 10-нм класса (1α, 4-е поколение) прошла сертификацию Intel, а память 5-го поколения (1β) сейчас проходит тестирование. Конкурирующая Samsung Electronics пока получила сертификат Intel только на память 3-го поколения, выпускаемую по техпроцессу 10-нм класса (1z). Компания HPE уже продемонстрировала серверные системы на основе памяти типа DDR5 пятого поколения SK hynix (1β).

Стоимость чипов оперативной памяти DRAM и флеш-памяти NAND на спотовом рынке существенно выросла. Такая динамика указывает на то, что усилия индустрии, направленные на борьбу с избыточным предложением чипов на рынке, наконец начали приносить плоды.

Источник изображения: Samsung

С точки зрения производителей памяти DRAM и NAND наблюдавшаяся в последнее время в отрасли ситуация, связанная с избытком чрезвычайно дешёвой продукции, является настоящим кризисом. Такое положение дел привело к резкому падению прибыли производителей, а также породило беспокойство о возможном банкротстве всей отрасли. При этом поддержание более высоких цен помогло некоторым компаниям, таким как Samsung и Micron, чувствовать себя более уверенно.

Данные аналитиков DRAMeXchange указывают на то, что спотовые цены на DRAM и NAND растут последние несколько месяцев. Стоимость чипов снижалась в 2022 году и начале 2023 года, но в июле-августе она достигла низшей точки, и с тех пор постепенно увеличивается. Хотя цена чипов DRAM и NAND пока не вернулась к значениям, которые фиксировались в начале года, за последние месяцы она существенно подросла. К примеру, два чипа памяти DDR4 ёмкостью 8 Гбит сейчас стоят на 10 % больше, чем в августе. При этом стоимость чипов NAND на 512 Гбит выросла почти в два раза с июля, а на 256 Гбит — на 55 % за тот же временной отрезок.

Причина, по которой цены на чипы памяти опустились так низко, в первую очередь заключается в замедлении мировой экономики после пандемии коронавируса. На этом фоне произошло снижение спроса, поскольку потребители сокращали расходы, что и стало причиной возникновения переизбытка чипов, повлекшего снижение цен. Наиболее тяжёлым был третий квартал 2022 года, по итогам которого глобальный доход от продаж чипов DRAM и NAND сократился на 30 % и 24 % соответственно.

Спотовые цены на чипы DRAM и NAND в 2023 году. Источник изображения: tomshardware.com

Для производителей это повлекло серьёзные последствия: прибыль Samsung в первом квартал 2023 года практически сошла на нет, тогда как Micron потеряла более $2 млрд. Вполне естественно, что эти компании значительно сократили производство чипов памяти, и теперь этот шаг начал оказывать существенное воздействие на предложение, благодаря чему стоимость чипов памяти снова растёт.

Некоторые результаты сложившейся в индустрии ситуации можно увидеть уже сейчас. В начале этого года стоимость твердотельных накопителей ёмкостью 1 Тбайт, оснащённых интерфейсом PCIe 4.0, упала до $35-$40. Уже сейчас в продаже будет непросто найти модель стоимостью хотя бы $50. Отмечается, что пока не наблюдается аналогичного повышения цен на оперативную память. Предположительно, это связано с тем, что цена на неё выросла не так сильно, но в будущем это может измениться.

Память типа HBM различных поколений активно используется ускорителями вычислений для систем искусственного интеллекта, а SK hynix пока остаётся единственным её поставщиком для нужд NVIDIA, которая доминирует на рынке этих ускорителей. Нет ничего удивительного в том, что в третьем квартале доля рынка DRAM компании SK hynix достигла рекордных для неё 35 %.

Источник изображения: SK hynix

Результатами статистических исследований Omdia поделился ресурс Business Korea. По словам экспертов, отрасль производства микросхем памяти типа DRAM стала одним из главных бенефициаров роста спроса на системы искусственного интеллекта. Если рынок DRAM в целом в период до 2027 года будет ежегодно прирастать на 21 % в среднем, по прогнозам аналитиков Omdia, то сегмент HBM в отдельности будет расти на 52 % ежегодно. По итогам текущего года доля HBM на рынке DRAM превысит 10 %, а в 2027 году она должна приблизиться к 20 %.

В более близкой перспективе спрос на HBM будет превышать предложение. В следующем году основные производители HBM удвоят объёмы выпуска такой памяти, но у них уже есть заказы на год вперёд, и удовлетворить их своевременно будет сложно даже после удвоения объёмов производства. Память типа HBM в 5–7 дороже классических типов DRAM, а менять её на новую потребители готовы чаще, в среднем раз в год или два. Всё это гарантирует производителям HBM стабильный рост выручки в обозримом будущем. В третьем квартале доля рынка DRAM компании SK hynix достигла максимальных 35 % за всю историю её существования.

Производителям памяти ради удовлетворения спроса на HBM порой даже придётся жертвовать планами по расширению выпуска других типов DRAM, как считают эксперты Omdia. Они также убеждены, что технологическая сложность HBM ограничит количество игроков рынка, и всего несколько компаний смогут делить между собой довольно высокую прибыль, получаемую в результате реализации памяти типа HBM. Только компании с хорошо выстроенной производственной инфраструктурой и контролем качества смогут сохранить свои позиции в этом сегменте рынка.

Заявлений, сделанных руководством двух крупнейших производителей микросхем памяти на прошлой неделе, оказалось достаточно для аналитиков, чтобы с уверенностью заявить о пройденном дне рынка и появлении предпосылок для его дальнейшего восстановления. При этом производители памяти не будут торопиться с наращиванием объёмов выпуска продукции, чтобы лучше контролировать динамику восстановления цен.

Источник изображения: SK hynix

Напомним, операционная прибыль Samsung Electronics в третьем квартале выросла последовательно в три с лишним раза, бизнес SK hynix по выпуску микросхем типа DRAM вернулся к прибыльности после получения убытков по итогам двух первых кварталов текущего года. По словам аналитиков Dalton Investments, на которых ссылается CNBC, восстановление цен на микросхемы памяти происходит во многом благодаря сокращению поставок новой продукции и истощению накопленных складских запасов в масштабах всего рынка. Производители ПК и мобильных устройств в условиях достижения ценами на память локальных минимумов готовы возобновить пополнение складских запасов или предлагать клиентам продукты с увеличенным объёмом памяти.

Представители Samsung Electronics на квартальном отчётном мероприятии подтвердили, что получают запросы на покупку новых партий памяти от многих клиентов, поскольку всё большее количество участников рынка сходится во мнении, что отрасль достигла дна. Эксперты Morningstar заявили, что квартальные отчёты крупнейших производителей памяти в лице Samsung и SK hynix доказывают, что отрасль по выпуску памяти достигла дна в полном соответствии с ожиданиями рынка.

Последовательно средние цены на микросхемы DRAM выросли на 4–6 % у Samsung и на 10 % у SK hynix в последовательном сравнении, а для первой из них это стало первым случаем повышения цен после восьми подряд кварталов непрерывного снижения. При этом складские запасы памяти по-прежнему превышают норму, как поясняют представители Morningstar, и это сильнее всего выражено в сегменте NAND. В следующем году, по мнению аналитиков, производители памяти не будут торопиться с наращиванием объёмов выпуска памяти, чтобы ограничивать предложение и стимулировать поддержание более высоких цен на память.

Аналитики TrendForce ожидают, что производители будут сокращать объёмы выпуска DRAM и NAND в следующем году, а спрос на эти виды памяти вырастет на 13 и 16 % соответственно. В случае с оперативной памятью складывается более выгодная конъюнктура, поскольку востребованная память типа HBM для ускорителей вычислений, применяемых в системах искусственного интеллекта, тоже относится к сегменту DRAM.

В конце октября стало известно, что основанная в начале этого десятилетия китайская компания Changxin Xinqiao привлекла $5,3 млрд на своё развитие и строительство предприятия по производству микросхем оперативной памяти в провинции Хэфэй на востоке страны. Как выясняется, данное предприятие обойдётся производителю в $21 млрд и начнёт работу через три года.

Источник изображения: CXMT

По крайней мере, как поясняет Nikkei Asian Review, именно такого плана сейчас придерживается руководство Changxin Xinqiao, которое, как известно, одновременно связано и с другим местным производителем памяти — компанией CXMT. В результате недавнего раунда финансирования треть акций первой из компаний досталась China Integrated Circuit Industry Investment — государственной структуре, призванной стимулировать развитие национальной полупроводниковой отрасли КНР. Эту организацию в прессе нередко называют «Большой фонд». Данный фонд намерен в рамках второй фазы привлечения средств китайских инвесторов собрать не менее $27 млрд на поддержку перспективных проектов полупроводниковой отрасли Китая.

Предыдущая фаза финансирования уже помогла встать на ноги компаниям YMTC и CXMT, которые стали крупнейшими производителями твердотельной и оперативной памяти в Китае соответственно. Как отмечает Nikkei, компания Changxin Xinqiao намерена тратить собранные средства на закупку отечественного оборудования для производства микросхем DRAM — по крайней мере, там, где это возможно с технологической точки зрения. К закупке оборудования молодой производитель памяти уже приступил, и после получения свежих средств от инвесторов ускорит этот процесс, чтобы через три года на построенном к тому моменту предприятии уже освоить массовый выпуск микросхем типа DRAM.

Продукция Changxin Xinqiao, по всей видимости, должна сыграть важную роль в переходе китайской вычислительной техники на использование комплектующих отечественного производства. Сейчас китайские компоненты покрывают не более 20–40 % потребностей местного рынка, по оценкам различных аналитических агентств. Полупроводниковые компоненты стали крупнейшей статьёй импорта в Китае, обойдя по важности нефть.

По большому счёту, все китайские производители микросхем памяти не могут похвастаться богатой историей, ведь даже поджимающая мировых лидеров в сегменте NAND компания YMTC была основана в 2016 году. Недавно правительственный фонд КНР вложил почти $2 млрд в капитал компании Changxin Xinqiao, которая была основана два года назад и собирается наладить выпуск оперативной памяти.

Источник изображения: CXMT

Как поясняет Reuters, так называемый Big Fund стал владельцем 33,15 % капитала компании Changxin Xinqiao, основанной в 2021 году в городе Хэфэй на востоке Китая. Примечательно, что возглавляет эту компанию руководитель более зрелого и известного производителя оперативной памяти — ChangXin Memory Technologies, также известной под обозначением CXMT. По данным китайских властей, Changxin Xinqiao подала заявку на строительство предприятия по выпуску микросхем памяти с использованием кремниевых пластин типоразмера 300 мм. Специфика проекта заключается в том, что на одной площадке будут объединены производственные мощности и центр разработки микросхем памяти типа DRAM.

Ранее в этом году Big Fund вложил в капитал компании YMTC почти $1,8 млрд. Очевидно, что китайские власти заинтересованы в развитии отечественной индустрии по выпуску микросхем памяти, поскольку санкции США и их внешнеполитических партнёров стремятся сдержать темпы экспансии китайской полупроводниковой промышленности. Если же вернуться к Changxin Xinqiao, то в её капитал вложил средства не только Big Fund, но и существующие акционеры, связанные с муниципальными властями Хэфэя и провинции Аньхой, в размере $1,4 млрд и $1,9 млрд соответственно. Третий этап сбора средств для Big Fund должен привлечь от государственных и частных инвесторов КНР до $40 млрд на развитие национальной полупроводниковой отрасли.

Контрактные цены на мобильную DRAM в IV квартале 2023 года могут вырасти на 13–18 %, уверены аналитики TrendForce. Тенденцию подхватит и сегмент мобильной NAND: в том же квартале рост контрактных цен на eMMC и UFS составит 10–15 %. Традиционно уступающая по рентабельности другим направлениям мобильная DRAM в этом квартале обещает стать флагманом роста цен.

Источник изображения: samsung.com

Эту тенденцию аналитики объясняют несколькими факторами. Со стороны предложения основу для роста цен заложили Samsung, которая значительно сократила производство, и Micron, которая подняла отпускные цены на 20 %. Стимулами со стороны спроса на мобильные DRAM и NAND стали традиционный сезонный всплеск и уникальная серия Huawei Mate 60, которая побудила другие китайские бренды расширить планы на производство. За короткий период обозначился всплеск спроса, обусловивший рост контрактных цен в IV квартале.

Роста цен аналитики ожидают и в I квартале 2024 года, хотя ему могут воспрепятствовать и негативные факторы: традиционное затишье в межсезонье и Китайский Новый год. Тем не менее, текущие прогнозы предполагают что контрактные цены на мобильные DRAM и NAND в этот период всё равно вырастут. Темпы их роста будут зависеть от того, продолжат ли поставщики придерживаться консервативной производственной стратегии и обеспечат ли потребители достаточный спрос для поддержки рынка.

Входящая в тройку крупнейших производителей памяти южнокорейская компания SK hynix свой квартальный отчёт опубликовала на этой неделе, заложив в сознание инвесторов ещё одно зерно надежды на восстановление рынка в обозримом будущем. По крайней мере, выручка компании за период сократилась на 17 % против 47 % кварталом ранее.

Источник изображения: SK hynix

В первом квартале текущего года, как напоминает Bloomberg, выручка SK hynix падала на все 58 %, поэтому нормализация ситуации на рынке памяти всё же отслеживается. В третьем квартале выручка компании сократилась на 17 % до $6,7 млрд год к году. Аналитики в среднем рассчитывали на $6 млрд выручки, поэтому компания в их восприятии выступила чуть лучше. Впрочем, операционные убытки SK hynix по итогам квартала достигли $1,32 млрд против ожидаемых $1,25 млрд, поэтому надежды инвесторов оправдались не во всём. Опять же, в сегменте памяти типа DRAM компания в третьем квартале вернулась к прибыльности после двух убыточных кварталов подряд. Бизнес по выпуску NAND хоть и остаётся убыточным, демонстрирует признаки улучшения ситуации. Сокращения объёмов выпуска памяти, предпринятые участниками рынка на фоне кризиса перепроизводства, уже начали приносить плоды: клиенты возвращаются к покупкам новых партий памяти, а цены начали стабилизироваться.

С началом торговой сессии курс акций SK hynix просел на 4,7 %, что стало максимальным дневным снижением за более чем 30 последних сессий. В целом с начала года акции SK hynix выросли в цене на 70 % против 23 % у Samsung Electronics, поскольку инвесторы видят в первой из компаний крупнейшего на данный момент поставщика памяти типа HBM3 для ускорителей вычислений, востребованных при создании систем искусственного интеллекта.

В 2024 году SK hynix намеревается поднять капитальные расходы, но делать это обещает по принципу разумной достаточности. Выпуск памяти семейства HBM как раз относится к числу приоритетных направлений с точки зрения капитальных расходов. В третьем квартале подразделение компании, отвечающее за выпуск оперативной памяти (DRAM) в целом, продемонстрировало рост средней цены реализации на 10 % в последовательном сравнении. Данный тип памяти обеспечил компанию двумя третями выручки в минувшем квартале. На долю NAND пришлось около четверти выручки SK hynix в третьем квартале.

По данным TrendForce, высокий уровень инфляции привёл к снижению спроса на потребительскую электронику. В результате этого глобальные продажи модулей памяти DRAM в 2022 году составили $17,3 млрд, что на 4,6 % меньше по сравнению с аналогичным показателем за предыдущий год. Финансовые показатели разных производителей модулей памяти DRAM существенно различаются из-за того, что они работают в разных областях и используют разные стратегии ведения бизнеса.

Источник изображения: unspalsh.com

Аналитики TrendForce подсчитали, что на долю пяти крупнейших поставщиков модулей DRAM в 2022 году приходилось 90 % от общего объема продаж модулей памяти. При этом на долю десяти крупнейших поставщиков пришлось 96 % выручки на глобальном рынке. Доминирующая позиция на рынке с долей 78 % остаётся за Kingston. Несмотря на низкий спрос со стороны конечных потребителей, сильные позиции бренда Kingston и обширная цепочка поставок продукции позволили ограничить снижение выручки до 5,3 %.

Отмечается, что различия в показателях выручки у производителей обусловлены тем, что разные бренды используют разные стратегии ведения бизнеса. Так занимающая второе место рейтинга компания Ramaxel продемонстрировала в 2022 году впечатляющий рост почти на 90 %. Однако этот рост во многом объясняется сильным падением в 2021 году. В прошлом году Ramaxel добилась существенных успехов в сегменте производства серверной памяти DRAM, а также продемонстрировала устойчивый рост поставок продукции OEM-производителям компьютеров. Всё это способствовало росту выручки в 2022 году.

Источник изображения: trendforce.com

Замыкает тройку лидеров ADATA, в основном специализирующаяся на потребительских продуктах. Компания осваивала в прошлом году новые направления, но доля производителя на глобальном рынке невелика, поэтому ему трудно противостоять повсеместному сокращению спроса. В результате объём выручки ADATA в 2022 году сократился на 10 %. Компания POWEV, благодаря успеху своего бренда на рынке киберспорта и использованию разнообразных моделей продаж продукции, сумела увеличить полученную выручка на 12,7 %. Это позволило производителю занять четвёртую строчку рейтинга крупнейших производителей DRAM. Компания Kimtigo, несмотря на активную разработку продуктов и глобальную экспансию, не смогла преодолеть негативное воздействия снижения спроса на потребительскую электронику. Это привело к снижению выручки в 2022 году, но всё же производитель поднялся до пятого места в рейтинге.

Компания Smart Modular, ориентирующаяся на промышленный рынок, столкнулась с проблемами, вызванными инфляцией, повлиявшей на ограничение корпоративных бюджетов на закупки оборудования. Это привело к снижению выручки на 16,1 %. Patriot Memory в отчётном периоде сумела нарастить выручку на 15,1 %, что позволило ей подняться на седьмое место рейтинга. Innodisk, несмотря на падение выручки на 17,8 %, переместилась с девятого на восьмое место в рейтинге производителей DRAM. Team Group столкнулась с сокращением выручки на 21,4 %, а замыкающая десятку Apacer — на 16,6 %.

Стоит отметить, что в рейтинг TrendForce не входят компании, которые помимо модулей памяти делают и сами чипы, то есть Samsung, Micron и SK hynix. Также рейтинг посчитан на основе публичных отчётов, поэтому не является исчерпывающим.

Около 90 % выпускаемой в мире оперативной памяти сейчас поставляется тремя компаниями, две из которых (Samsung и SK hynix) относятся к Южной Корее, а третья является американской — Micron Technology. При этом доля США на мировом рынке памяти сейчас едва достигает 2 %, но через 20 лет руководство Micron надеется увеличить этот показатель до 15 %.

Источник изображения: Micron Technology

Об этом в интервью CNBC рассказал генеральный директор Micron Technology Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra). По его словам, в производственной программе компании доля выпускаемой на территории США памяти к тому времени вырастет с 10 до 60 %. Для этого будут построены новые предприятия в штатах Айдахо и Нью-Йорк. В первом из штатов выпуск памяти на новом предприятии будет налажен в 2026 году, а предприятие в штате Нью-Йорк начнёт возводиться в конце следующего года, чтобы к 2027 году наладить выпуск микросхем памяти. Подобные предприятия, по словам представителей Micron, обязаны быть крупными, чтобы обеспечить экономию расходов на масштабах производства. В штате Нью-Йорк компания рассчитывает за двадцать лет построить четыре предприятия, потратив на это до $100 млрд. На первом этапе в плане субсидий она уже может рассчитывать на поддержку властей штата в размере $5,5 млрд, также подана заявка и на субсидирование из федерального бюджета по так называемому «Закону о чипах». На строительство предприятия в Айдахо планируется потратить $15 млрд. Сейчас Micron свои передовые чипы памяти производит преимущественно в Японии и на Тайване, но в ближайшие годы она рассчитывает усилить роль США в этой сфере.

Долгое время Micron не строила новых предприятий, а свою экспансию на рынке осуществляла за счёт поглощения более мелких производителей и их производственных площадок. В частности, с 1998 года Micron провела 11 соответствующих сделок. Теперь пришла пора взяться за строительство новых предприятий, и текущий спад на рынке памяти не смущает руководство Micron Technology. В сегменте смартфонов потребность в увеличении объёма памяти проявит себя довольно скоро из-за роста вычислительной нагрузки и появления более «тяжёлого» транслируемого по сети контента. В сегменте искусственного интеллекта будет расти спрос на скоростную память типа HBM. Автопилот и развитие автомобильной электроники обеспечат спрос на память со стороны транспортной отрасли.

Предприятие Micron в штате Нью-Йорк, строительство которого начнётся в следующем году, будет ежедневно потреблять объём воды, сопоставимый с ёмкостью 25 олимпийских бассейнов, а также потреблять объём электроэнергии, которого хватило бы на 25 000 домовладений. Говоря о преимуществах строительства предприятия в США, руководство Micron отмечает низкую стоимость энергоресурсов. При этом здесь дороже рабочая сила, а также выше затраты на строительство предприятий, но и по этому показателю прочие регионы планеты догоняют США. Нехватку квалифицированных кадров Micron старается побороть за счёт сотрудничества с американскими университетами. В конце концов, в ближайшие пару десятилетий компании предстоит в одном только штате Нью-Йорк принять на работу около 50 000 жителей США, поэтому целевые образовательные программы приходится запускать уже сейчас. Micron даже финансирует деятельность тематического летнего лагеря для подростков, чтобы формировать у молодёжи интерес к полупроводниковой отрасли.

В четвёртом квартале ожидается повышение цен на чипы флеш-памяти NAND и оперативной памяти DRAM — рост цен на последние за этот период составит 3–8 %, уверены аналитики TrendForce. Дальнейшая судьба этой тенденции будет определяться готовностью поставщиков удержать сниженные объёмы производства и степенью восстановления фактического спроса, а ключевым рынком в данном разрезе окажется серверный.

Источник изображения: samsung.com

В сегменте DRAM для ПК уже в III квартале был взят курс на рост цен DDR5. Ожидаемое подорожание DDR4 станет стимулом для OEM-производителей компьютеров нарастить закупки. При этом запасы поставщиков пока остаются значительными, угроза дефицита отсутствует, а Samsung была вынуждена дополнительно сократить производство. Перед лицом отрицательной валовой прибыли от продуктов DRAM большинство производителей исчерпало возможности и дальше снижать цены, нащупывая почву для их роста — таким образом, рост цен в секторе DDR4 для ПК составит 0–5 %, в DDR5 — 3–8 %. Учитывая, что DDR5 сейчас находится на стадии интенсивного внедрения, диапазон роста в 3–8 % будет актуален для всего рынка DRAM для ПК в IV квартале.

Если во II квартале запасы покупателей серверной DRAM составляли 20 %, то в последнее время они выросли до 30–35 %. Но поскольку в III квартале фактически задействованы были 15 %, то освоение рынка происходит медленнее, чем ожидалось. Сокращение производства Samsung затронуло сегмент DDR4, в результате чего сократились и поставки серверной продукции DDR4. В таких условиях ресурсов для дальнейшего снижения цен на DDR4 больше не остаётся, и производители в стремлении нарастить прибыль ускоряют выпуск DDR5. На рынке серверной продукции средние цены на DDR4 в IV квартале меняться не будут, а цены на DDR5 продолжат движение по нисходящей. Но с учётом роста поставок DDR5 и их разницы в цене с DDR4 на 50–60 % смешанная средняя цена продажи (ASP) пойдёт в рост. В результате за IV квартал контрактные цены на DRAM вырастут на 3–8 %.

Источник изображения: trendforce.com

В сегменте мобильной DRAM запасы вернулись к здоровому уровню раньше, чем в других. Благодарить за это следует эластичность цен, вызванную увеличением ёмкости памяти на устройство и оживлению спроса во второй половине 2023 года. Производство смартфонов в IV квартале едва ли достигнет прошлогодних показателей, но традиционный сезонный рост на 10 % является определяющим показателем для спроса на мобильную DRAM. Стоит, однако, отметить, что запасы производителей остаются высокими, а сокращение производства ещё не успело отразиться на избыточном предложении, зато производители уже начали настаивать на повышении цен. Для продукции с высокими запасами, такими как LPDDR4X и товары, изготовленные на основе старых производственных процессов, рост контрактных цен в IV квартале будет 3–8 %. А вот запасы LPDDR5(X) не столь велики, и здесь рост цен составит 5–10 %.

Динамика нишевого рынка оперативной памяти для видеокарт и игровых консолей, и готовность потребителей платить больше позволяют предположить, что закупки 16-Гбит чипов GDDR6 в преддверии роста цен в 2024 году останутся стабильными. В III квартале NVIDIA выпустила обновлённый серверный ускоритель L40S, что способствовало истощению запасов производителя. Игровые ноутбуки демонстрируют высокие продажи, опережая показатели по рынку лэптопов в целом. Все эти процессы приведут к росту контрактных цен на графическую DRAM на 3–8 % в IV квартале.

В сентябре Samsung начала в значительной мере сокращать производство — в IV квартале соответствующие показатели могут выйти на 30 %. В ожидании сокращения запасов производители стремятся повысить цены на потребительскую DRAM — до 10 %, что помогло бы им избежать убытков. Некоторые подняли цены уже в конце сентября, но спрос по-прежнему остаётся вялым. В итоге баланс спроса и предложения установить не получается, и рост контрактных цен на потребительскую DRAM, по прогнозам, в IV квартале составит 3–8 %, что ниже целевых показателей у производителей.

В 2016 году корейская компания Samsung Electronics первой в отрасли выпустила на рынок микросхемы памяти HBM первого поколения для применения в сегменте высокопроизводительных вычислений. Через год появилась 8-слойная память типа HBM2, позже вышли микросхемы HBM2E и HBM3, а память типа HBM4 компания рассчитывает представить в 2025 году.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как сообщается в корпоративном блоге компании, при выпуске микросхем типа HBM4 будут применяться инновации, направленные на улучшение термодинамических свойств этого вида продукции — проще говоря, будут применены решения для лучшего отвода тепла. При сборке стеков памяти будет применяться непроводящая полимерная плёнка, дополнительно механически защищающая монтируемые друг на друга чипы. Метод гибридного медного соединения будет сочетать медные проводники с плёночным оксидным изолятором вместо традиционного припоя.

Кроме того, как признаются представители Samsung Electronics, в начале 2023 года компания создала подразделение, курирующее передовые методы упаковки чипов. Своим клиентам южнокорейский гигант будет готов предложить услуги по тестированию и упаковке чипов с использованием методов 2.5D и 3D, которые могут быть востребованы разработчиками компонентов для высокопроизводительных вычислений и систем искусственного интеллекта.

К числу своих технологических достижений Samsung также относит выпуск микросхем оперативной памяти типа DDR5, позволяющих создавать модули памяти объёмом 128 Гбайт, а также освоение 12-нм техпроцесса в данной сфере. В дальнейшем компания рассчитывает использовать для выпуска микросхем памяти литографические нормы тоньше 10 нм.

В сфере высокопроизводительных вычислений может найти достойное применение и технология HBM-PIM, предусматривающая выполнение определённой части вычислений непосредственно силами самой микросхемы памяти. Быстродействие при этом удаётся повысить до 12 раз по сравнению с традиционной архитектурой микросхем памяти. Помимо HBM, такая архитектура будет внедряться и на микросхемах памяти, работающих с протоколом CXL.

Представленные недавно модули оперативной памяти LPCAMM, по словам представителей Samsung, можно будет применять не только в ноутбуках, но и в серверных системах, где их высокая плотность позволит увеличить объём используемой оперативной памяти без дополнительной потребности в занимаемых площадях. Такие модули памяти будет занимать на 60 % меньше места по сравнению с SO-DIMM, а производительность при этом вырастает на величину до 50 %. Энергетическая эффективность таких модулей памяти выше на 70 %.

Компания Micron Technology сообщила о начале массового производства и поставок 16-гигабитных чипов памяти DDR5, выполненных по самому передовому технологическому процессу производителя — 1β (1-beta). На основе этой памяти могут создаваться модули ОЗУ для серверов и персональных компьютеров со скоростью до 7200 МТ/с.

Источник изображений: Micron

Компания заявляет, что переход на техпроцесс 1β с передовой технологией High-K CMOS, четырёхфазной регулировкой тактовой частоты и синхронизацией тактов позволил увеличить производительность на 50 %, а энергоэффективность на ватт увеличена на 33 % по сравнению с прошлым поколением памяти.

С ростом количества ядер CPU для удовлетворения растущих потребностей рабочих нагрузок центров обработки данных значительно возрастает и потребность в более ёмкой памяти с высокой пропускной способностью. Память DRAM DDR5 со скоростью передачи данных до 7200 МТ/с на основе техпроцесса 1β от Micron позволяет масштабировать вычислительные возможности с более высокой производительностью для таких сфер, как обучение и интеграция искусственного интеллекта (ИИ), генеративного ИИ, анализ данных и базы данных в памяти (IMDB) в центрах обработки данных и на клиентских платформах.

Новые микросхемы памяти Micron получили объём 16, 24 и 32 Гбит (2, 3 и 4 Гбайт) и предлагают скорость работы от 4800 до 7200 MT/с. Новая память будет доступна как в серверном, так и в потребительском сегменте. Micron планирует распространить использование передового техпроцесса 1β на производство кристаллов памяти LPDDR5x, GDDR7 и даже HBM3e, отмечает производитель.

Южнокорейской компании Samsung Electronics аналитики накануне предрекали снижение операционной прибыли на 80 % до $1,56 млрд, но собственная предварительная статистика крупнейшего в мире производителя памяти оказалась более оптимистичной. Операционная прибыль должна сократиться на 78 % до $1,8 млрд в годовом сравнении, а выручка последовательно даже вырастет на 11,5 % до $50,02 млрд, как считают в компании.

Источник изображения: Samsung Electronics

Эти предварительные результаты третьего квартала пока отображают лишь собственные ожидания руководства Samsung Electronics, но сейчас фондовый рынок реагирует на итоги их сопоставления с прогнозами сторонних аналитиков, которые оказались хуже. На этом фоне акции корейского гиганта выросли в цене на 3,16 %. Операционная прибыль компании в последовательном сравнении вообще должна вырасти более чем в 16 раз. Впрочем, консенсус аналитиков по размеру выручки упоминал чуть более высокую сумму в районе $50,6 млрд.

Если опираться на собственный прогноз Samsung Electronics, выручка компании в третьем квартале должна снизиться на 13 % в годовом сравнении. Во втором квартале падение ключевых показателей было более сильным, поэтому умеренность снижения операционной прибыли и выручки по сравнению с предыдущим кварталом тоже отчасти воодушевила инвесторов. В целом, ранее Samsung уже заявляла, что ожидает восстановления спроса на свою продукцию во втором полугодии, а объёмы выпуска памяти типа HBM рассчитывала удвоить. Впрочем, на итогах третьего квартала всё ещё в значительной степени сказывались последствия решения Samsung сократить объёмы производства памяти из-за сохраняющегося затоваривания складов. По мнению аналитиков Eugene Investment & Securities, отрасль по производству памяти успешно миновала дно рынка, и результаты Samsung это доказывают.