Опрос
|
реклама
Быстрый переход
На фоне бума ИИ компания Micron решилась улучшить свой квартальный прогноз
12.08.2025 [08:29],
Алексей Разин
Приближение к концу очередного фискального квартала заставило Micron Technology пересмотреть изначальный прогноз по динамике выручки и норме прибыли за период. Эту новость можно отнести к разряду приятных для инвесторов, поскольку по факту Micron ожидает завершить период с более выдающимися финансовыми результатами по сравнению с заложенными в ранний прогноз. 
Источник изображения: Micron Technology Итак, диапазон квартальной выручки изначально был немного шире, но ниже по своему среднему значению: от $10,4 до $11 млрд. Теперь Micron рассчитывает выручить за квартал, который завершится 28 августа текущего года, от $11,1 до $11,3 млрд. Центр диапазона, другими словами, сместился вверх на $500 млн. Норма прибыли должна уложиться в диапазон от 44 до 45 % против прежнего диапазона от 41 до 43 %. Удельный доход на одну акцию должен составить от $2,78 до $2,92 против прежнего диапазона от $2,35 до $2,65. Ключевые категории продукции, по словам представителей Micron, реализуются сейчас по более высоким ценам, чем ожидалось, что и позволяет улучшить финансовый прогноз. В особенности цены способствуют росту выручки на направлении DRAM, но наиболее прибыльная HBM как раз относится к этому сегменту. Улучшение прогноза было благосклонно воспринято фондовым рынком, акции Micron подорожали после открытия торгов в Нью-Йорке на 7,1 %, что является дневным максимум за последние три месяца. Даже если цены на HBM будут снижаться или расти меньшими темпами, объёмы поставок соответствующих микросхем позволят Micron нивелировать это влияние. Масштабные инвестиции в производство памяти на территории США, которые за несколько последующих лет в совокупности достигнут $200 млрд, ограждают продукцию Micron от воздействия повышенных таможенных пошлин. Представители компании выразили готовность активно сотрудничать и с другими производителями, развивающими своё присутствие на территории США. Samsung провалила ИИ-гонку, недооценив значимость HBM — и теперь под ударом экономика всей Южной Кореи
08.08.2025 [18:59],
Сергей Сурабекянц
Samsung Electronics известна потребителям своими мобильными телефонами и плоскими телевизорами, но крупнейшим её продуктом являются микросхемы памяти, которые стали критически важными в обострившейся гонке за передовой искусственный интеллект. И в этой гонке Samsung отстаёт — её обогнала SK hynix, захватив 62 % рынка оперативной памяти с высокой пропускной способностью (High-Bandwidth Memory, HBM). 
Источник изображения: unsplash.com На протяжении десятилетий Samsung была ведущим мировым производителем памяти DRAM (Dynamic Random Access Memory — динамическая память с произвольным доступом), используемой практически во всех электронных устройствах. Но компания оказалась не готова к резво возросшему спросу на память HBM, спровоцированному непрекращающимся бумом искусственного интеллекта. SK hynix в партнёрстве с Advanced Micro Devices оказалась более прозорливой и превзошла Samsung, став крупнейшим мировым производителем DRAM. На сегодняшний день SK hynix контролирует 62 % поставок чипов HBM и является основным поставщиком этой продукции для таких технологических лидеров, как Nvidia. Для сравнения, Samsung во втором квартале этого года занимала всего 17 % мирового рынка HBM и затратила огромные усилия, что остаться поставщиком для Nvidia. 
Источник изображения: SK hynix Samsung рассчитывает на следующее поколений чипов памяти, которые должны вернуть ей утраченные позиции, но удастся ли ей сделать это в условиях жёсткой конкуренции, пока неясно. Важно отметить, что Samsung Electronics входит в число компаний, во многом определяющих экономическое положение Южной Кореи, и от успешности её бизнеса без преувеличения зависит благосостояние немалого процента жителей страны. Американский стартап придумал HBM-память из далёкого будущего, но ею никто не заинтересовался
06.08.2025 [10:02],
Геннадий Детинич
Молодая американская компания NEO Semiconductor представила ещё один вариант революционной стековой памяти X-DRAM собственной разработки. На этот раз производителям предложена память X-HBM, опередившая своё время на четверть века — а возможно, и больше. Чипы X-HBM обещают обеспечить в 16 раз более высокую пропускную способность или в 10 раз большую плотность записи по сравнению с самыми передовыми современными микросхемами памяти HBM. 
Источник изображения: NEO Semiconductor «X-HBM — это не постепенное обновление, а фундаментальный прорыв, — заявил Энди Сю (Andy Hsu), основатель и генеральный директор NEO Semiconductor. — Благодаря пропускной способности, в 16 раз превышающей показатели существующих решений, или в 10 раз большей плотности, X-HBM открывает перед производителями ИИ-чипов чёткий путь к производительности следующего поколения — на годы раньше запланированного срока. Это изменит правила игры, ускорит развитие ИИ-инфраструктуры, снизит энергопотребление и расширит масштабируемость ИИ в различных отраслях». О перспективной архитектуре памяти X-DRAM компания NEO Semiconductor впервые заявила в 2020 году. Разработка защищена сотнями патентов. В целом речь идёт о стековой компоновке массивов ячеек памяти — по аналогии с архитектурой 3D NAND. Такой подход позволяет значительно повысить плотность записи и реализовать гораздо более широкую шину передачи данных к процессору. Архитектура X-HBM предусматривает использование 32 768-битной шины памяти. Для сравнения: технология HBM5, которая всё ещё находится в разработке и, как ожидается, выйдет на рынок примерно в 2030 году, будет поддерживать шину шириной 4096 бит и плотность 40 Гбит на кристалл. Предполагается, что даже HBM8, которую ожидают к 2040 году, предложит лишь 16 384-битную шину и 80 Гбит на чип. На этом фоне X-HBM с 32 768-битной шиной данных и плотностью 512 Гбит на кристалл выглядит как гостья из далёкого будущего, способная приблизить разработчиков ИИ-чипов к технологиям завтрашнего дня на десятилетия раньше. Также в арсенале NEO Semiconductor имеются чипы 3D X-AI, которые в дополнение к многослойной структуре содержат в себе слои нейронных сетей. Это позволяет обрабатывать данные непосредственно в памяти, экономя ресурсы GPU и СPU, а также снижая потребление. Разные версии технологии X-DRAM компания ежегодно представляет на августовском саммите FMS. Текущий год не стал исключением — публике была показана память X-HBM. К сожалению, к производству этой и других версий стековой памяти от NEO Semiconductor пока никто из производителей не проявил интереса. Отрасль охотно говорит о революциях, но на практике каждое нововведение должно окупаться — а это не терпит спешки. Цены на DDR4 стабилизировались, а флеш-память NAND приготовилась дорожать
30.07.2025 [11:55],
Алексей Разин
Специализирующиеся на анализе тенденций рынка памяти эксперты TrendForce отметили, что после периода роста цены на DDR4 на рынке моментальных сделок немного стабилизировались, к началу текущей недели они по ряду позиций либо выросли на десятые доли процента, либо сопоставимо снизились. В случае с DDR5 наблюдался рост, а покупатели NAND начали готовиться к росту цен заблаговременно. 
Источник изображения: Micron Technology Как отмечает источник, 16-битные микросхемы памяти демонстрирую более выраженную поддержку по цене по сравнению с 8-битными, если говорить о номенклатуре изделий для рынка ПК. Впрочем, DDR4 сейчас всё ещё пользуется более высоким спросом по сравнению с DDR5, поскольку покупателям не даёт покоя мысль о прекращении производства данных микросхем крупнейшими игроками рынка. Цены на DDR5 на рынке моментальных сделок немного снижаются. В частности, полученные из выведенных из эксплуатации модулей чипы DDR5 на этой неделе подешевели с $1,6 до $1,53. Это указывает на то, что контрактные цены в будущем могут снизиться. Усреднённая цена ходовых чипов DRAM на рынке моментальных сделок снизилась на пару процентов до $5,118 за штуку. Если говорить о ценах на NAND, то стоимость микросхемы типа TLC в 512-гигабитном исполнении выросла на этой неделе на 0,63 % до $2,717. Некоторые покупатели начали поднимать котировки на приобретение NAND по собственной инициативе, поскольку заранее узнали о намерениях поставщиков поднять цены в третьем квартале. Цены на чипы SLC выросли на величину около процента, чипы MLC на рынке моментальных сделок выросли на 0,32 или 0,86 %, в зависимости от ёмкости. Апгрейд старых ПК скоро подорожает — память DDR4 взлетит в цене до конца сентября
07.07.2025 [14:29],
Алексей Разин
О своих намерениях снять с производства DDR4 уже заявили не только трое крупнейших производителей DRAM в лице Samsung, SK hynix и Micron, но и китайская CXMT. Потребители спешат создать запасы памяти этого типа, на фоне растущего спроса потянулись вверх контрактные цены. Аналитики TrendForce считают, что в текущем квартале они могут вырасти на 38–43 %. 
Источник изображения: SK hynix Как отмечается в очередном прогнозе, в прошлом квартале контрактные цены на DDR4 для применения в ПК выросли на 13–18 %, в серверном сегменте они увеличились на 18–23 %, в мобильном сегменте прирост был самым скромным, не превышая 5 %, если говорить о LPDDR4X. При этом цены на DDR5 двигались вверх более сдержанными темпами, в сегменте ПК и серверного оборудования они увеличились на 3–8 %, память LPDDR5X в мобильном сегменте уложилась в тот же диапазон. В третьем квартале, как ожидают представители TrendForce, цены на DDR4 для ПК увеличатся на 38–43 %, в серверном сегменте рост ограничится 28–33 %, в мобильном 23–28 %. Память типа DDR5 тоже будет дорожать, но всё теми же темпами, что и в прошлом квартале, в среднем от 3 до 8 % по всем основным сегментам, разве что мобильная LPDDR5X прибавит от 5 до 10 %. В среднем, классическая DRAM, в составе которой не учитывается HBM, во втором квартале подорожала на 5–10 %. Что характерно, с учётом HBM прирост уложился в тот же диапазон, поскольку данный тип памяти формировал примерно 9 % объёмов поставок в указанном периоде. В третьем же квартале классическая DRAM прибавит в цене от 10 до 15 %, но с учётом HBM прирост будет определяться диапазоном от 15 до 20 %. Доля HBM в структуре поставок по итогам текущего квартала увеличится до 10 %. 
Источник изображения: TrendForce Примечательно, что в этом квартале контрактные цены на GDDR6 вырастут на величину от 28 до 33 %, если верить прогнозу TrendForce, а память типа GDDR7 прибавит от 5 до 10 %. Спрос на GDDR в целом в третьем квартале будет диктоваться производителями графических процессоров, выводящих на рынок новые модели видеокарт. При этом рост цен не будет столь существенным, поскольку спрос на новые видеокарты в целом не очень высок. С другой стороны, производители памяти уже готовятся к выпуску GDDR7, ожидая выхода видеокарт Nvidia нового поколения, поэтому и предложение GDDR6 будет сокращаться. Именно по этой причине память GDDR6 будет дорожать в третьем квартале. Микросхемы типа DDR3, которые находят своё применение в сегменте потребительской электроники, в текущем квартале подорожают от силы на 5 %. Зато память типа DDR4 аналогичного назначения вырастет в цене на 40–45 %. По словам аналитиков TrendForce, тайваньские производители памяти пока не могут в достаточных количествах выпускать DDR4, поэтому спрос на данный тип памяти будет заметно превышать предложение и поднимать цены. Приоритет в поставках будет отдаваться клиентам из серверного сегмента, что дополнительно будет способствовать подорожанию памяти на прочих направлениях поставок. С другой стороны, не все производители в этой ситуации готовы завершать выпуск DDR4 в те сроки, которые были оговорены изначально, кто-то сохранит эту память на конвейере, позволив быстрее удовлетворить спрос. Впрочем, это в большей мере касается именно серверного сегмента. Samsung стала на шаг ближе к HBM4 — компания готова к выпуску DRAM шестого поколения
02.07.2025 [12:11],
Павел Котов
Компания Samsung Electronics получила внутреннее подтверждение готовности к массовому производству оперативной памяти DRAM шестого поколения. Компания завершила процесс разработки передового техпроцесса 1c класса 10 нм, передаёт Korea Herald. Это приближает Samsung к выпуску памяти HBM4. 
Источник изображения: samsung.com Ранее стало известно, что при тестировании техпроцесса 1c Samsung удалось добиться выхода годной продукции на уровне от 50 % до 70 %. Таким образом, корейский производитель укладывается в установленный им самим график смены поколений продукции примерно раз в два года. Он имеет особое значение для стратегии Samsung в области памяти с высокой пропускной способностью — запуск массового производства стеков HBM4 на базе DRAM шестого поколения запланирован на вторую половину этого года. В мае компания объявила, что в производстве HBM4 будет использовать технологию гибридного соединения — она помогает снизить тепловыделение, обеспечивая при этом высокую пропускную способность памяти. Она будет отвечать растущим требованиям, которые предъявляются к компонентам для ускорителей искусственного интеллекта и систем высокопроизводительных вычислений. В настоящее время доминирующая на рынке HBM компания SK hynix также ведёт разработку HBM4, но на базе DRAM пятого поколения. В марте она начала поставлять крупнейшим клиентам образцы HBM4 с расчётом запустить массовое производство этой памяти также во второй половине года. Samsung ещё предстоит получить одобрение своего варианта HBM4 от Nvidia, которая может обеспечить её заказами в больших объёмах; корейский производитель также ожидает одобрения 12-слойной HBM3E — здесь она рассчитывает на сотрудничество и с Nvidia, и с AMD. Выручка Micron от реализации HBM последовательно выросла на 50 %
26.06.2025 [07:39],
Алексей Разин
В конце мая в календаре Micron Technology завершился очередной фискальный квартал, итоги которого она смогла подвести только накануне, сообщив о росте выручки по итогам периода на 36 % в годовом сравнении до $9,3 млрд. Последовательно выручка от реализации HBM выросла почти на 50 %, что позволило компании порадовать инвесторов оптимистичным прогнозом на текущий квартал. 
Источник изображения: Micron Technology Как отмечается в пресс-релизе Micron, в сегменте центров обработки данных выручка компании по итогам прошлого квартала более чем удвоилась и достигла рекордной величины. Строго говоря, совокупная выручка Micron от реализации DRAM в минувшем квартале достигла рекордной суммы во многом благодаря HBM и серверному сегменту в целом. Квартальная выручка в размере $9,3 млрд также превзошла ожидания рынка, находившиеся на отметке $8,87 млрд. Текущий квартал является последним в 2025 фискальном году для Micron, весь год компания рассчитывает завершить с рекордной выручкой и солидной прибылью. Соответственно, прогноз на четвёртый фискальный квартал оказался лучше ожиданий рынка, в него заложен диапазон выручки от $10,4 до $11 млрд, что выше упоминаемой сторонними аналитиками суммы ($9,89 млрд). Удельный доход на одну акцию в размере $2,5 также превышает ожидания рынка ($2,03). По словам представителей Micron, в прошлом квартале стремление клиентов закупить больше памяти в ожидании роста таможенных тарифов оказало на выручку компании минимальное влияние. Во второй половине календарного года Micron рассчитывает на хороший спрос. Кроме того, за этот период доля Micron на рынке HBM должна подтянуться к общим показателям, характерным для сегмента DRAM в целом. Сейчас Micron снабжает своими чипами HBM новейших поколений как Nvidia, так и AMD. Поскольку Samsung немного отстаёт от конкурентов в этой сфере, Micron сохраняет возможность укреплять свои позиции на перспективном рынке. Кавардак на рынке памяти продолжается — 16-Гбит чипы DDR4 стоят уже вдвое дороже DDR5 такой же ёмкости
25.06.2025 [13:06],
Алексей Разин
Ещё не так давно производители памяти жаловались на низкие цены и затоваренные склады, но в этом полугодии ситуация начала меняться в лучшую для них сторону. По крайней мере, в марте экспорт микросхем типа DRAM из Южной Кореи вырос на 27,8 % в денежном выражении год к году, а за первые 20 дней июня он увеличился на 25,5 %. 
SK hynix Подобной статистикой делится ресурс KED Global со ссылкой на KED Aicel. В денежном выражении экспорт DRAM из Южной Кореи за первые двадцать дней июня достиг $1,9 млрд, по данным этого источника. В статистике при этом не учитываются поставки наиболее дорогой памяти типа HBM, которая формально относится к сегменту DRAM, но пользуется повышенным спросом из-за бума систем искусственного интеллекта. По сути, такая динамка говорит о росте спроса на обычную оперативную память, которая применяется в ПК и серверном оборудовании. Американские производители такого оборудования начали запасаться памятью впрок в ожидании роста таможенных тарифов, это отчасти объясняет рост спроса на DRAM. Кроме того, концентрация на более выгодной HBM оттягивает ресурсы производителей, поэтому обычная DRAM остаётся в дефиците. Наблюдаемая динамика цен и спроса на рынке не укладывается в привычные сезонные тенденции, по словам экспертов. Как отмечает TrendForce, за последние недели цены на DDR4 выросли более чем на 20 %, в отдельных случаях они почти удвоились всего за месяц. Цены толкает вверх и информация о намерениях крупнейших производителей памяти прекратить выпуск DDR4 и переключиться на более современную DDR5. Последняя в мобильном сегменте за месяц выросла в цене на 9 %. Если в марте экспорт DRAM из Южной Кореи, где расположены два крупнейших производителя — Samsung Electronics и SK hynix, вырос на 27,8 %, то в апреле он уже подскочил на 38 %, а в мае на 36 %. За первые двадцать дней июня он вырос на 25,5 %. По прогнозам TrendForce, цены на DRAM общего назначения в третьем квартале вырастут на величину от 18 до 23 %. Аналитики Morgan Stanley ожидают, что рынок памяти достигнет локального минимума по ценам в начале 2026 года — раньше, чем ожидалось изначально. Китайская CXMT скоро займёт до 9 % мирового рынка памяти DDR5
22.06.2025 [07:51],
Алексей Разин
Динамика развития китайской отрасли по производству чипов памяти беспокоила власти США ещё при президенте Байдене, поскольку он ввёл ограничения на поставку в КНР оборудования для выпуска именно микросхем памяти. Тем не менее, лидирующая на китайском рынке CXMT вскоре может занять от 7 до 9 % мирового рынка DDR5. 
Источник изображения: CXMT К подобному выводу приходят в своих рассуждениях специалисты Counterpoint Research. По их словам, в текущем году CXMT на 50 % увеличит объёмы выпуска микросхем оперативной памяти (DRAM). Это позволит китайскому производителю увеличить свою долю на рынке памяти с 6 до 8 % к концу текущего года. При этом важно, что CXMT приложит усилия к расширению производства современных микросхем типа DDR5 и LPDDR5. В первом случае доля компании на мировом рынке к концу года вырастет до 7 %, во втором — с 0,5 до 9 %. Не только Counterpoint Research считает, что китайские производители памяти будут увеличивать своё влияние на мировом рынке памяти. По мнению TrendForce, на рынке DRAM и NAND в совокупности китайские производители по итогам третьего квартала текущего года смогут занять 10,1 %, впервые превысив условную планку в десять процентов. Кстати, пятипроцентный барьер они преодолели всего лишь во втором квартале прошлого года, поэтому темпы экспансии их производства очень высоки. При этом нельзя сказать, чтобы у той же CXMT всё шло гладко. Компания испытывает трудности с освоением новых технологий, к числу которых относится использование металлизированных затворов и материалов с высокой диэлектрической константой (high-k). В ближайшее время CXMT также предстоит освоить массовый выпуск микросхем DRAM с трёхмерной компоновкой, примером которой может служить память класса HBM. Micron вложит $200 млрд в производство чипов в США и создаст 90 тысяч рабочих мест
14.06.2025 [05:30],
Анжелла Марина
Micron Technology объявила о масштабных планах по инвестированию $200 млрд в развитие собственного производства полупроводниковых компонентов на территории США. В рамках этой инициативы будет создано около 90 тысяч рабочих мест, а также будут построены новые фабрики в некоторых штатах и модернизирован завод в Вирджинии. 
Источник изображения: micron.com Инвестиционные намерения были обнародованы в четверг в рамках сотрудничества с администрацией президента США Дональда Трампа (Donald Trump), которая активно поддерживает рост отечественного машиностроения и стремится укрепить позиции страны в области искусственного интеллекта (ИИ), сообщает The Wall Street Journal. Micron направит около $150 млрд на производство памяти внутри страны, включая строительство двух крупных фабрик в штате Айдахо, до четырёх фабрик в Нью-Йорке, модернизацию действующего завода в Вирджинии и развитие технологий высокопроизводительной упаковки чипов. Эти меры позволят Micron справиться с растущим рыночным спросом, сохранить долю на рынке и достичь цели по выпуску 40 % DRAM-памяти на американских мощностях. Дополнительные $50 млрд будут инвестированы в исследования и разработки, что, по заявлению компании, укрепит технологическое лидерство США. Глава компании Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) отметил, что инвестиции такого рода «демонстрируют приверженность развитию инноваций и укреплению отечественной полупроводниковой отрасли». На настоящий момент уже достигнуты договоренности о ключевых этапах строительства первой фабрики в Айдахо, где запуск производства DRAM намечен на 2027 год. В конце 2025 года планируется приступить к подготовке площадки в Нью-Йорке после завершения необходимых экологических проверок на уровне штата и федерального правительства. Кроме того, компания ожидает, что все её инвестиции в американские проекты будут соответствовать требованиям для получения налогового кредита на развитие передового машиностроения. Министр торговли США Ховард Лютник (Howard Lutnick) отметил, что президент Трамп всегда подчёркивал важность развития производства в стране, и масштабные инвестиции Micron окажут поддержку таким ключевым отраслям, как искусственный интеллект, автомобилестроение, авиакосмическая и оборонная промышленность. Мировые продажи памяти DRAM упали на 5,5 % в первом квартале — сильнее всех просела Samsung
03.06.2025 [18:47],
Сергей Сурабекянц
Аналитический отчёт TrendForce за первый квартал 2025 года показывают, что глобальный доход отрасли производства памяти DRAM составил $27,01 млрд, что на 5,5 % ниже по сравнению с предыдущим кварталом. Эксперты полагают, что этот спад обусловлен падением контрактных цен на обычные микросхемы DRAM и сокращением объёмов поставок памяти HBM. 
Источник изображения: Samsung В первом квартале 2025 года SK hynix, несмотря на падение выручки на 7,1 % по сравнению с предыдущим кварталом, заняла лидирующее место среди производителей DRAM с выручкой $9,72 млрд. Растущая доля памяти HBM3e помогла компании сохранить средние цены продаж по сравнению с предыдущим кварталом. Выручка Samsung по сравнению с предыдущим кварталом резко снизилась на 19 % до $9,1 млрд, обеспечив компании лишь второе место в рейтинге производителей DRAM. Падение продаж аналитики связывают в основном с невозможностью напрямую продавать память HBM в Китай и значительным сокращением поставок дорогостоящей HBM3e после модернизации производства. Micron заняла третье место с $6,58 млрд выручки, что на 2,7 % выше по сравнению с предыдущим кварталом. Масштабные поставки памяти HBM3e компенсировали незначительное снижение средней цены продаж. По мере перехода трёх ведущих поставщиков DRAM на передовые техпроцессы освобождающиеся рыночные ниши все чаще заполняются тайваньскими поставщиками, использующими зрелые процессы. Этим объясняется явный квартальный рост выручки для Nanya и Winbond в первом квартале. Nanya начала поставки отдельных продуктов DDR5 и сообщила о выручке в размере $219 млн, что на 7,5 % больше, чем в предыдущем квартале. Winbond продемонстрировала существенный рост поставок памяти форматов LPDDR4 и DDR4, что увеличило выручку компании на 22,7 % до $146 млн, несмотря на общее снижение цен. PSMC, которая сообщает только о своей внутренней выручке от потребительской DRAM, отметила снижение выручки за первый квартал на 1,4 % до $11 млн из-за сокращения выпуска пластин. 
Источник изображения: TrendForce В настоящий момент производители ПК и смартфонов наращивают складские запасы, стремясь по максимуму использовать 90-дневный льготный период перед введение повышенных таможенных тарифов, что привело к заметному увеличению объёмов поставок. Во втором квартал 2025 года TrendForce прогнозирует восстановление цен на основные контрактные позиции микросхем памяти с тенденцией к дальнейшему росту. Оперативная память скоро подорожает: Samsung подняла контрактные цены на DRAM
12.05.2025 [18:59],
Сергей Сурабекянц
Ожидание ввода в действие новых таможенных тарифов США заставило производителей устройств увеличивать свои складские запасы полупроводниковых компонентов. Повышенный спрос вызвал ответную реакцию со стороны Samsung. Компания увеличила цены на память DRAM. Это изменение в недалёком будущем выразится в росте цен на конечные продукты, причём не только на модули оперативной памяти, но также на различную электронику. 
Источник изображения: Samsung Согласно отчёту аналитической компании ETNews, Samsung значительно повысила цены на DDR5 и DDR4 DRAM. Эти изменения нашли отражения в тексте новых контрактов с клиентами. DDR4 DRAM подорожала на 20 %, а DDR5 DRAM — на 5 %. Поскольку компоненты производства Samsung используются многими другими производителями устройств, логично ожидать роста цен на них в ближайшем будущем. Samsung — один из ведущих производителей и поставщиков полупроводниковой отрасли, поэтому повышение цен компанией обязательно повлияет на уровень отпускных цен других участников рынка. В конечном итоге, любое подобное повышение цен оплатит конечный потребитель. Источник, знакомый с ситуацией, отметил: «Samsung заключила контракты по новым, более высоким ценам, что говорит о том, что рост цен на DRAM становится отраслевым трендом». Вице-президент подразделения по производству памяти Ким Джэ Чжун (Kim Jae-joon) отметил, что «из-за глобальных тарифных рисков клиенты активнее закупают комплектующие, и их запасы исчерпываются быстрее, чем предполагалось». Ситуация на рынке оперативной памяти начала меняться в апреле, когда американская компания Micron — третий по величине производитель DRAM — объявила о планах повысить цены, сославшись на повышение пошлин в США. Данные аналитической компании DRAMeXchange подтверждают: в апреле средняя цена на наиболее распространённый чип DDR4 — 8 Гбит с частотой 2133 МГц — выросла на 22,22 % по сравнению с мартом. Это первый рост с апреля прошлого года. Рост выручки и прибыли SK hynix превзошёл ожидания аналитиков
24.04.2025 [05:09],
Алексей Разин
Как отмечалось накануне, аналитики ожидали от SK hynix роста квартальной выручки на 38 % и операционной прибыли на 129 %, но фактические объявленные этим южнокорейским производителем памяти показатели роста оказались выше. Выручка компании выросла в прошлом квартале на 42 %, а операционная прибыль увеличилась на 158 %. 
Источник изображения: SK hynix В абсолютном измерении выручка SK hynix достигла $12,36 млрд, а операционная прибыль выросла до $5,2 млрд. В последовательном сравнении наблюдалась отрицательная динамика, но она в целом характерна для перехода от четвёртого квартала к первому. Выручка SK hynix последовательно снизилась на 11 %, а операционная прибыль просела на 8 % после того, как в четвёртом квартале был установлен рекорд по соответствующему финансовому показателю. Результаты первого квартала не стали рекордными, но они уступили лишь итогам четвёртого квартала прошлого года. Представители компании пояснили, что динамика прибыли в первом квартале отобразила её успехи в сфере реализации памяти для сегмента искусственного интеллекта. По мнению производителя, расходы участников рынка систем ИИ на развитие инфраструктуры продолжат расти, поскольку сохраняется спрос на создание «суверенных проектов» в этой сфере со стороны властей крупных стран. При этом в SK hynix подчёркивают, что геополитическая нестабильность создаст волатильность спроса во второй половине текущего года. Это не помешало компании сохранить свой прогноз по удвоению спроса на HBM по итогам всего 2025 года, поскольку соглашения на поставку соответствующей продукции в этом периоде были заключены ещё за год до этого. Развитие ИИ в сегменте смартфонов, по мнению руководства, подтолкнёт потребителей к обновлению своих устройств на содержащие более производительные чипы памяти. Micron предупредила о дальнейшем росте цен на DRAM и NAND, и обвинила в этом ИИ
31.03.2025 [22:17],
Анжелла Марина
Компания Micron официально заявила о повышении цен на память, ссылаясь на растущий спрос на DRAM и NAND-флеш. По прогнозам, тенденция к удорожанию сохранится до 2026 года. Причина проста — искусственный интеллект (ИИ), дата-центры и потребительская электроника требуют всё больше высокопроизводительных решений, однако предложение пока не успевает за спросом. 
Источник изображения: Micron, tomshardware.com Решение Micron, как отмечает Tom's Hardware, основано на недавнем периоде перепроизводства и падения доходов рынка памяти. Однако в последнее время цены начали постепенно восстанавливаться благодаря сокращению производства крупными игроками и росту интереса к ИИ и высокопроизводительным вычислениям. Теперь, когда Micron открыто заявила о повышении цен, ожидается, что за ней последуют и другие производители, такие как Samsung и SK Hynix, продолжая тенденцию удорожания. В своём обращении к партнёрам Micron подчеркнула, что ключевым фактором пересмотра ценовой политики стал «непредсказуемый спрос в различных сегментах». В частности, компания отмечает, что ИИ-приложения стремительно развиваются, а значит, необходимо поддерживать конкурентоспособность продуктовой линейки. Micron также рекомендовала партнёрам заранее планировать закупки, чтобы избежать дефицита и перебоев с поставками. Одним из главных драйверов роста цен является растущий спрос на высокоскоростную память HBM (High Bandwidth Memory), критически важную для ИИ-ускорителей и графических процессоров нового поколения. По мере того как Nvidia, AMD и Intel развивают свои ИИ-технологии, потребность в быстрой и энергоэффективной памяти только увеличивается. Несмотря на усилия Micron и её конкурентов по наращиванию объёмов производства, предложение всё ещё отстаёт от спроса, что дополнительно подогревает рост цен. Чтобы справиться с этим вызовом, Micron недавно объявила о строительстве нового завода в Сингапуре, где будет производиться HBM-память. Инвестиции в проект составят $7 млрд, а запуск намечен на 2026 год. В планах также значится выпуск передовых решений, таких как HBM3E, HBM4 и HBM4E, что, по мнению экспертов, позволит компании укрепить позиции в стремительно растущем сегменте. Влияние на рынок потребительской электроники Поскольку Micron первой объявила о росте цен, теперь остаётся ждать реакции конкурентов и клиентов. Если текущий уровень спроса сохранится, отрасль может столкнуться с продолжительным повышением цен, что повлияет не только на корпоративные дата-центры, но и на бытовые устройства — от игровых компьютеров до смартфонов. Мировые продажи памяти DRAM подскочили на 9,9 % в четвёртом квартале — в основном благодаря ажиотажу вокруг ИИ
27.02.2025 [19:23],
Павел Котов
Глобальный доход отрасли DRAM по всему миру в IV квартале 2024 года превысил $28 млрд, что соответствует квартальному росту на 9,9 %. Положительная динамика обусловлена в первую очередь ростом контрактных цен на серверную DDR5 и поставками HBM, благодаря которым три ведущих поставщика DRAM в очередной раз нарастили выручку, отмечают аналитики TrendForce. 
Источник изображения: samsung.com Контрактные цены на продукцию развернулись преимущественно в сторону понижения, но только не в серверном сегменте, где американские облачные провайдеры увеличили закупки DDR5, тем самым поддержав рост цен на серверную DRAM. По итогам текущего квартала, как ожидается, будет отмечено замедление: производители DRAM снизят общие объёмы поставок в битах. Производители ПК и смартфонов будут избавляться от запасов, из-за чего производители DRAM переведут мощности с DDR4 и HBM на серверную DDR5. Спрос у облачных провайдеров снизится, спровоцировав падение контрактных цен как на DRAM, так и на HBM. 
Источник изображения: trendforce.com Ведущим поставщиком DRAM осталась Samsung с выручкой $11,25 млрд и ростом на 5,1 % квартал к кварталу. Однако её доля на рынке немного снизилась: из-за сокращения спроса на LPDDR4 и DDR4 компания уменьшила поставки в битах, поскольку OEM-производители ПК и смартфонов начали избавляться от запасов. Выручка второй в рейтинге, SK hynix, составила $10,46 млрд, что соответствует квартальному росту на 16,9 %; доля рынка компании увеличилась до 36,6 %. SK hynix нарастила поставки HBM3e и общие поставки в битах, компенсировав просадку в сегментах LPDDR4 и DDR4. Micron заняла третье место с выручкой $6,4 млрд, что на 10,8 % больше, чем кварталом ранее. Американский производитель также увеличил поставки в битах за счёт роста отгрузок серверной DRAM и HBM3e, благодаря чему его доля рынка за квартал не изменилась. Выручка тайваньских производителей DRAM сократилась из-за ослабления спроса в потребительском сегменте и усиления конкуренции на рынке DDR4 со стороны китайских поставщиков. Доход Nanya Technology составил $203 млн, что на 19,3 % меньше, чем кварталом ранее; у Winbond выручка оказалась $119 млн, что на 22,4 % меньше, чем в предшествующем квартале. Доход PSMC в сегменте DRAM, в первую очередь потребительской, упал на 37,9 % в квартальном исчислении до $11 млн из-за сокращения объёмов производства пластин. Даже с учётом выручки от полупроводникового производства общий доход компании снизился на 10 % за квартал — это значит, что полупроводниковое производство для PSMC остаётся стабильно востребованным. |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
