Опрос
|
реклама
Быстрый переход
TSMC не хочет заниматься памятью, даже если просит Nvidia — компания ответила на слухи о выпуске DRAM
07.11.2026 [18:08],
Павел Котов
Ранее появилась информация, что TSMC по просьбе Nvidia изучает возможность наладить производство памяти типа 3D DRAM. Интерес к этой технологии возник на фоне роста спроса на оборудование для систем искусственного интеллекта, что привело к мировому дефициту и росту цен на DRAM. Реализация проекта помогла бы TSMC открыть новое направление бизнеса и существенно укрепить своё положение в цепочке поставок для отрасли ИИ. Но в компании подчеркнули, что специализируются исключительно на производстве логических чипов и намерены придерживаться этой стратегии, то есть, по сути, опровергли эту информацию. 
Источник изображений: tsmc.com «Хотим подчеркнуть, что TSMC всегда фокусируется на своём основном виде деятельности — контрактном производстве интегральных схем. Наша миссия — в долгосрочной перспективе оставаться надёжным технологическим партнёром и поставщиком производственных мощностей для мировой отрасли логических микросхем», — заявили в компании ресурсу Tom's Hardware. Ранее издание The Information со ссылкой на два источника сообщило, что в ответ на запрос Nvidia, своего крупнейшего клиента, TSMC всё же начала подготовку к производству 3D DRAM. Курирует новый проект, предположительно, Сюй Го-цинь (Hsu Kuo-chin) — вице-президент TSMC, отвечающий за передовые технологии упаковки, который ранее возглавлял тайваньское подразделение Micron. На мировом рынке обозначился повсеместный дефицит чипов памяти — она превратилась из рядового товара в стратегически важный ресурс, от наличия которого зависит, способна ли та или иная компания поставлять свою продукцию конечным потребителям. TSMC тесно сотрудничает с производителями DRAM и интегрирует кристаллы памяти в «системы в корпусе» (SiP), но у неё нет ни опыта, ни производственных мощностей для выпуска самой DRAM, не говоря уже о более сложной технологии 3D DRAM. От серийного выпуска последней сейчас далеки даже ведущие производители памяти, и реализация подобной стратегии не смогла бы решить проблему дефицита памяти как минимум в ближайшие пять лет. В отличие от традиционной DRAM, где ячейки памяти располагаются в одной плоскости, 3D DRAM предполагает их размещение на нескольких уровнях по вертикали, что позволяет увеличить ёмкость в расчёте на одну кремниевую пластину. Собственные разработки в области 3D DRAM сейчас ведут все три мировых лидера рынка памяти: Micron, Samsung и SK hynix. Стратегия Micron в области DRAM, в частности, предполагает развёртывание ещё как минимум четырёх поколений планарных техпроцессов, прежде чем начать выпуск 3D DRAM.  TSMC обладает лучшими в отрасли технологиями производства логических чипов, но выпуск DRAM потребует совершенно новых производственных процессов, и их пришлось бы разрабатывать с нуля, если бы компания действительно решила наладить производство памяти для своих клиентов. Создание 3D DRAM требует принципиально иных методов изготовления: требуется сформировать несколько слоёв ячеек памяти, обеспечив контроль над дефектами и приемлемый уровень выхода годных изделий. Не располагая конкурентоспособной технологией изготовления планарных DRAM, разработать технологический процесс 3D DRAM практически невозможно, а у TSMC такой технологии нет. Компания могла бы приобрести небольшого производителя памяти, обладающего собственными производственными мощностями, и открыть реальный путь к выпуску передовой DRAM, не разрабатывая решений с нуля. Но у небольших компаний, как правило, отсутствуют передовые техпроцессы для массового производства DRAM, так что TSMC всё равно пришлось бы вложить миллиарды долларов и потратить годы на исследования и разработку для создания современной технологии производства такой памяти. Выход в сегмент DRAM был бы сопряжён для TSMC со значительными рисками. Из-за дефицита памяти производители начинают наращивать выпуск, что в итоге приводит к избытку предложения, падению цен и снижению прибыльности. Это может осложнить и отношения компании с партнёрами — в частности, со SK hynix, для которой TSMC выпускает логические кристаллы для памяти HBM. Наконец, это грозит возникновением вопросов у регулирующих органов: компания уже занимает доминирующее положение в области производства логических чипов и передовой упаковки. Регуляторы могут инициировать проверку, не позволит ли TSMC вертикальная интеграция с производством памяти отдавать предпочтение собственной продукции в ущерб не располагающим такой вертикальной интеграцией конкурентам. С другой стороны, этот шаг мог бы усилить конкуренцию в сегменте DRAM, где сейчас доминируют всего три компании. В действительности TSMC не обязана производить DRAM, чтобы заработать на спросе на передовую память — ей хватило бы производства сложной логики для HBM, интеграции памяти с процессорами с помощью гибридного соединения SoIC, разработки индивидуальных решений с такими партнёрами, как GUC, и признанными производителями DRAM. TSMC вполне способна расширить своё присутствие на рынке передовой памяти, не вкладывая миллиардов в разработку конкурентоспособных технологий выпуска DRAM или десятков миллиардов — в создание дополнительных производств. Новые смартфоны всё чаще комплектуют б/у памятью — перепаянная DRAM будет в 9 % гаджетов в следующем году
07.11.2026 [01:44],
Анжелла Марина
Рост контрактных цен на мобильную память DRAM заставляет производителей смартфонов всё чаще использовать компоненты, ранее уже бывшие в эксплуатации. По прогнозу аналитической компании TrendForce, в 2026 году такие модули займут около 3–4 % рынка смартфонов, а в 2027 году их доля может увеличиться до 7–9 %. 
Источник изображения: Hal Gatewood/Unsplash Сейчас основную часть перепаянной памяти составляют модули LPDDR4X ёмкостью 4 Гбайт. Их преимущественно устанавливают в недорогие смартфоны с поддержкой 4G стоимостью менее 1300 юаней (около 16 000 рублей). Так как покупатели в этом сегменте особенно чувствительны к изменениям цен, то производители стараются сокращать себестоимость устройств, не повышая розничную стоимость. Использование б/у компонентов позволяет частично компенсировать подорожание комплектующих. Одновременно TrendForce ожидает, что в первом квартале 2027 года рост цен на DRAM ускорится. Это усилит давление на производителей смартфонов и может привести к распространению перепаянной памяти и других менее производительных компонентов в более дорогих ценовых категориях. При этом даже с учётом увеличения числа таких устройств их доля в общем годовом потреблении мобильной DRAM смартфонами в пересчёте на биты останется сравнительно небольшой, поэтому заметно повлиять на тенденцию роста контрактных цен они не смогут. Аналитики предупреждают, что экономия на перепаянной памяти сопряжена с дополнительными рисками. Поиск таких компонентов сложнее, а стабильность их качества менее предсказуема и может отрицательно сказаться на надёжности смартфонов и сроке их службы. Впоследствии этот тренд вообще способен привести к снижению доверия покупателей, ухудшению репутации брендов и увеличению расходов на гарантийный ремонт и обслуживание. Дефицит памяти раздул мировой рынок DRAM почти в пять раз — Samsung захватила 38 %
05.11.2026 [23:59],
Николай Хижняк
Высокий спрос на ускорители для задач искусственного интеллекта и оборудование для дата-центров привёл к рекордному росту цен на память и, как следствие, к рекордным доходам поставщиков. Согласно данным свежего отчёта аналитиков Counterpoint Research, выручка в сегменте DRAM в третьем квартале 2026 года увеличилась на внушительные 369 % по сравнению с аналогичным периодом прошлого года. 
Источник изображения: Micron Согласно аналитикам, основным драйвером роста в третьем квартале стало увеличение средних отпускных цен на DRAM. Хотя темпы роста цен замедлились по сравнению с резким скачком в первом полугодии, средняя цена достигла $1,9 за гигабит, что способствовало увеличению общей выручки в сегменте DRAM почти до $200 млрд (почти в пять раз больше, чем годом ранее). Ажиотажный спрос со стороны операторов дата-центров и создателей ИИ-ускорителей привёл к тому, что покупатели лишились возможности договариваться о скидках и жёстко конкурируют между собой за доступные объёмы поставок. Лидером рынка DRAM по итогам третьего квартала стала компания Samsung с долей 38 %. SK hynix продемонстрировала более высокие темпы роста по сравнению с предыдущим кварталом — её выручка увеличилась более чем на 40 %, что позволило компании вернуть часть доли рынка, утраченной ранее в этом году. Компания Micron также показала сильные результаты благодаря спросу на память для ИИ-дата-центров, однако темпы её роста оказались ниже, чем у Samsung и SK hynix. 
Источник изображения: Counterpoint Research Доля китайского производителя CXMT снизилась с 10 % во втором квартале до 9 % в третьем. Учитывая, что конкуренты начинают поставки памяти стандарта HBM4, которая продаётся по более высокой цене, в четвёртом квартале, доля CXMT, вероятно, останется под давлением. «Каждое новое поколение памяти HBM меняет расстановку сил среди лидеров рынка. Компания SK hynix доминировала в сегменте HBM3E, но сейчас темпы её роста замедлились, в то время как память HBM4 от Samsung была хорошо принята клиентами. Улучшив свои финансовые показатели в этом году, Samsung, как ожидается, в следующем году выйдет на первое место в сегменте HBM. В следующем году цены на память, вероятно, останутся высокими. Стоимость HBM, которая в текущем году отставала от цен на стандартные модули DRAM, теперь наверстывает упущенное. Долгосрочные соглашения (LTA) способствуют поддержанию уровня цен, а дефицит предложения сохранится, поскольку запуск новых крупных производственных мощностей ожидается не ранее 2028 года. В краткосрочной перспективе условия таких соглашений могут привести к различиям в финансовых результатах разных поставщиков, однако в долгосрочной перспективе все они, скорее всего, будут следовать общей тенденции к росту», — говорит М. С. Хван (MS Hwang), директор по исследованиям в Counterpoint Research. Аналитики также отметили важный структурный сдвиг. Развитие агентского ИИ спровоцировало колоссальный дефицит не только специализированной многослойной памяти HBM, но и классической оперативной памяти для серверов (DDR и LPDDR). Архитектура современных ИИ-систем требует изменения баланса между графическими и центральными процессорами. Соотношение GPU и CPU в серверных стойках сокращается с 4:1 до 2:1, а в новейших платформах, таких как Nvidia Vera Rubin, объём процессорной памяти на один сокет увеличился почти втрое — до 1,5 Тбайт. Как результат, годовая выручка от продаж обычной памяти DDR выросла на 500 %, а LPDDR — на 400 %. Эксперты Counterpoint Research прогнозируют, что дефицит DRAM и сверхвысокие цены на неё сохранятся как минимум на протяжении всего 2027 года. Альтман: наличие оперативной памяти в ПК «довольно ужасно» — в ИИ ЦОД она была бы полезнее
31.10.2026 [01:22],
Николай Хижняк
Генеральный директор OpenAI Сэм Альтман (Sam Altman) заявил, что использование оперативной памяти (DRAM) в домашних компьютерах неэффективно с точки зрения глобального распределения ресурсов. По мнению Альтмана, ей место в центрах обработки данных. 
Источник изображения: @sama / x.com Свою позицию он озвучил в интервью YouTube-канала Cheeky Pint. По мнению главы OpenAI, в условиях ограниченных поставок полупроводников компоненты должны быть сосредоточены в облачных дата-центрах для достижения максимального уровня их полезной эксплуатации. «С точки зрения глобального распределения, на самом деле, это довольно ужасно, когда у каждого в собственном компьютере находится куча DRAM из ограниченных мировых запасов, которая используется в 5 % времени. В условиях жёсткого дефицита ресурсов необходимо стремиться к максимальной эффективности их использования в облаке. Но почему-то многие люди интуитивно считают иначе», — подчеркнул глава OpenAI. Хотя OpenAI и выпускает модели с открытым исходным кодом, основной бизнес компании строится на закрытых моделях, работающих в дата-центрах, поэтому, по сути, Альтман защищает бизнес-модель своей компании. Обычные ноутбуки или игровые ПК пока не представляют реальной угрозы для OpenAI. Однако развитие локального ИИ может привести к тому, что в будущем пользователям не придётся платить полную стоимость подписки на такие модели, как GPT-6 Luna, если у них будет достаточно мощное «железо» для запуска этих систем дома. Слова Альтмана намекают на то, что компания предпочла бы видеть оперативную память в своих дата-центрах, а не в домашних компьютерах. Но это вызывает у энтузиастов закономерные опасения: не движемся ли мы к будущему, где у нас не будет собственного оборудования или программного обеспечения, а останется лишь возможность арендовать ИИ-агента и вычислительные мощности в облаке? Позиция Альтмана отчасти опирается на предположение, что темпы строительства дата-центров не замедлятся. Кроме того, она исходит из убеждения, что использование оперативной памяти в дата-центрах для нужд ИИ (в режиме 24/7) — более рациональное применение ресурсов, чем использование той же памяти для работы с электронными таблицами, веб-серфинга, игр или даже эпизодического запуска нейросетей на домашних устройствах. Память будущего: Z2RAM объединит лучшее от DRAM, SRAM и NAND — в разработку вложился бывший глава Intel
28.10.2026 [12:32],
Алексей Разин
Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger) в прошлом году вложился в капитал стартапа Nagare Labs, который пытается разработать новый тип памяти, сочетающий лучшие характеристики DRAM, SRAM и флеш-памяти. Память типа Z2RAM обещает быть плотной как DRAM, быстрой как SRAM и масштабируемой, как флеш-память. 
Источник изображения: Nagare Labs По сути, как пояснил бывший глава Intel изданию The Register, на рынке технологий памяти существенных инноваций не наблюдалось на протяжении трёх последних десятилетий. Основные разработки сосредоточены вокруг SRAM, DRAM и флеш-памяти. Разрабатываемая Nagare Labs память Z2RAM должна быть почти такой же быстрой, как SRAM, близкой по плотности к DRAM, но при этом в производстве оставаться проще HBM или LPDDR. С другой стороны, как признаёт Гелсингер, в случае с HBM сочетание плотности и быстродействия является лучшим на рынке, хотя данный тип памяти и имеет множество ограничений типа плотности, энергопотребления и пропускной способности на периферийных участках чипа. Z2RAM как собирается обеспечить более высокую плотность, быстродействие и меньшее энергопотребление. Технология Nagare Labs базируется на оксидных полупроводниках и подразумевает интеграцию памяти непосредственно на вычислительные компоненты с использованием технологий сращивания в трёхмерной компоновке. Концептуально Z2RAM напоминает память 3D V-Cache, которую AMD устанавливает на свои процессоры Ryzen определённых моделей. В последнем случае в упаковке логического чипа размещается дополнительный слой с памятью типа SRAM, увеличивающий доступный объём кеша третьего уровня. В своём первом воплощении Z2RAM обещает плотность в пересчёте на бит более 5 раз выше, чем в случае с SRAM. Если кристалл SRAM может разместить только 64 Мбайт памяти, то Z2RAM в том же пространстве предлагает уже 320 Мбайт при сохранении пропускной способности на сопоставимом с SRAM уровне. Подобные объёмы вряд ли впечатляют на фоне флагманских ускорителей с памятью HBM, но для ускорителей на основе SRAM типа Nvidia Groq это будет существенным прогрессом. В частности, чипы Groq 3 типа LPU предлагают около 500 Мбайт памяти типа SRAM, и теоретически, при переходе на Z2RAM этот объём может быть увеличен в пять раз и более. По словам Гелсингера, бум ИИ выявил серьёзную потребность как в пропускной способности, так и в ёмкости типов памяти, используемых в существующей инфраструктуре, поэтому к разработкам, способным обеспечить прорыв в данной сфере, имеется огромный интерес и находятся капитальные ресурсы на их стимулирование. Как поясняют представители Nagare Labs, по уровню быстродействия Z2RAM больше способна соперничать с SRAM, но функционально она больше похожа на DRAM с точки зрения механизма хранения данных. Ячейка DRAM состоит из одного транзистора, одного конденсатора и одного физического конденсатора. Ячейка Z2RAM содержит два транзистора, но использует ёмкость затвора второго транзистора для хранения заряда. На операциях чтения это позволяет снизить задержки по сравнению с DRAM. Кроме того, Z2RAM подразумевает вертикальную компоновку в несколько ярусов, как это происходит с HBM, но с точки зрения технологии производства такая память ближе к формированию слоёв в микросхемах NAND, поэтому она и будет значительно дешевле HBM и проще в изготовлении. Прототипы Z2RAM за пределы лабораторий Z2RAM пока не выбрались, поэтому Nagare Labs ищет партнёра с опытной производственной линией, который мог бы выпустить первые образцы микросхем памяти этого типа. Стартап планирует получить работоспособные чипы в течение четырёх лет и наладить массовые поставки серийных экземпляров за ближайшие десять лет. Компания также готова сотрудничать с разработчиками сторонних чипов, которые желают интегрировать Z2RAM на свои компоненты. Правда, на этом пути появляется препятствие в виде отсутствия стандартного интерфейса. Стартап мог бы разработать его своими силами, но это довольно сложная задача. Низкая стабильность свойств изделий из оксидных полупроводников также представляет проблему с точки зрения масштабирования производства Z2RAM. Строгие отраслевые стандарты, по словам представителей Nagare Labs, уже похоронили немало разработок в сфере создания новых типов памяти, но рынок одновременно открывает и новые возможности. Ситуация стремительно меняется, а ещё появляются новые протоколы. Китайская YMTC готовит серийное производство LPDDR5X со скоростью 9600 МТ/с и компоновкой 4F2
23.10.2026 [17:24],
Николай Хижняк
Китайская YMTC, известная как производитель флеш-памяти, выходит на рынок оперативной памяти и уже выпускает небольшие партии LPDDR5X. По данным Counterpoint Research, компания производит около 5000 кремниевых пластин с такой памятью в месяц и готовится к более массовому выпуску. Если планы удастся реализовать, у Китая появится ещё один собственный производитель памяти, способный бросить вызов Samsung, SK hynix и Micron. 
Источник изображения: TechPowerUp Согласно данным аналитической компании Counterpoint Research, с октября 2025 года на своём предприятии Fab 2 компания YMTC ежемесячно выпускает около 5000 кремниевых пластин с чипами LPDDR5X ёмкостью 16 Гбит (2 Гбайт) и скоростью передачи данных 7500 МТ/с. В настоящее время компания готовится к началу полномасштабного производства памяти LPDDR5X со скоростью 9600 МТ/с на своем предприятии Fab 3, используя технологию ячеек с вертикальными канальными транзисторами (Vertical Channel Transistor, VCT) и компоновкой 4F2. YMTC обладает существенным преимуществом благодаря технологиям работы с 3D-структурами в кремнии, что представляет собой следующий этап эволюции памяти. С помощью технологии Xtacking 4.0 компания может разделять пластины с ячейками памяти и пластины с периферийными логическими схемами, а затем объединять их посредством гибридного соединения (hybrid bonding) по принципу «пластина к пластине» (wafer-to-wafer). 
Источник изображения: YMTC Гибридное соединение позволяет создать прочную связь между двумя кремниевыми чипами: встроенные металлические контактные площадки сплавляются друг с другом, образуя единый кристалл. Таким образом можно соединять несколько отдельных кристаллов или целые кремниевые пластины, стыкуя их тыльными сторонами. Даже если YMTC продолжит масштабировать выпуск LPDDR5X, она сможет легко перейти к производству 3D DRAM, используя текущую версию технологии Xtacking 4.0 или её будущую итерацию (например, 5.0, о которой пока нет подробных сведений). Компания Micron, в свою очередь, недавно подтвердила, что не планирует выводить на рынок DRAM с компоновкой 4F2, предпочитая придерживаться классической архитектуры 6F2, вплоть до появления полноценной 3D DRAM. YMTC, наряду с другим китайским производителем CXMT, делает ставку на внедрение архитектуры 4F2. Это означает, что китайские компании могут иметь определённое преимущество в плане проектирования ячеек памяти, несмотря на ограничения, связанные с использованием литографического оборудования DUV (глубокий ультрафиолет). Впрочем, когда технология 3D DRAM будет готова к массовому производству, YMTC окажется в числе компаний, имеющих наилучшие позиции для того, чтобы извлечь из этого выгоду. «Памяти всегда можно использовать больше»: глава Nvidia отверг опасения по поводу перепроизводства
22.10.2026 [19:37],
Анатолий Хаблюк
Основатель и генеральный директор Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang) не согласился с опасениями инвесторов касательно грядущей к 2029 году проблеме перепроизводства оперативной памяти. Он считает, что потребности индустрии искусственного интеллекта продолжат расти, а производителям микросхем будет непросто удовлетворить спрос даже после расширения мощностей. 
Источник изображения: Nvidia О своем отношении к прогнозам Хуанг рассказал в интервью CNBC на конференции GTC в Берлине. «Одно из замечательных свойств памяти заключается в том, что ее всегда можно использовать больше», — заявил руководитель Nvidia. По его словам, память с высокой пропускной способностью HBM останется востребованной в центрах обработки данных еще много лет. Хуанг также сообщил, что Nvidia использует энергоэффективную память LPDDR, применяемую также в ноутбуках и смартфонах, в своих вычислительных системах для искусственного интеллекта. По его словам, это позволило вдвое повысить энергоэффективность оборудования по сравнению с другими решениями на рынке. Компания намерена и дальше закупать большие объемы такой памяти. Оптимизм Хуанга расходится с настроениями инвесторов. На прошлой неделе за пять торговых дней акции SK hynix потеряли 26 %, Samsung Electronics — 22 %, а Micron Technology — около 11 %. Причиной распродажи стали прогнозы южнокорейских экспертов, допускающих избыток предложения памяти к 2029 году. Они полагают, что к 2030 году нынешний рост рынка может смениться спадом. Инвесторов беспокоит и развитие китайской ChangXin Memory Technologies (CXMT). Компания представила новую архитектуру микросхем, позволяющую увеличить плотность хранения данных. Участники рынка опасаются, что дальнейшие успехи CXMT усилят конкуренцию с Samsung, SK hynix и Micron. Илон Маск (Elon Musk) также предположил, что уже к 2028 году Китай сможет выпускать огромные объемы оперативной памяти. Хуанг допустил возможность сотрудничества Nvidia с CXMT. Он напомнил, что китайские предприятия давно участвуют в международных цепочках поставок, а их производственные возможности продолжают расти. По словам руководителя Nvidia, недооценивать китайских производителей не стоит. Одновременно глава Nvidia выступил против американских экспортных ограничений. Он считает, что запреты на поставки передовых полупроводников ускорили развитие собственных технологий в Китае и побудили власти страны увеличить поддержку отрасли. По мнению Хуанга, американские компании способны конкурировать с китайскими производителями и без подобных ограничений. 3D DRAM вместо 4F2: Micron назвала тупиковой технологию, которую внедряет китайская CXMT
22.10.2026 [10:26],
Алексей Разин
Для американского производителя памяти Micron Technology переход к памяти с вертикальными транзисторами не является столь же явной альтернативой, как для китайской CXMT. Первая из компаний видит больше перспектив в 3D DRAM, а 4F2 считает тупиковым вариантом развития, который себя не оправдает. 
Источник изображения: Micron Technology Хотя китайская компания CXMT с предсказуемой гордостью говорит о намерениях вывести на рынок модули DDR5 типа RDIMM на основе микросхем с компоновкой транзисторов 4F2, сторонние эксперты смотрят на ситуацию более трезво. Они отмечают, что для китайского производителя данный шаг является во многом вынужденным, поскольку CXMT лишена доступа к импортному оборудованию, позволяющему наладить выпуск памяти с более плотным размещением транзисторов иными способами. Президент и технический директор американской Micron Technology Скотт де Бур (Scott DeBoer) в интервью Nikkei вчера подтвердил, что компания не торопится переходить на компоновку ячеек памяти 4F2. По его словам, Micron изучала эту возможность на протяжении более 20 лет, но до сих пор не включает такую технологию в свои производственные планы. Вместо этого Micron собирается развивать классическую компоновку 6F2 и делать ставку на технологию 3D DRAM следующего поколения. Напомним, F в данном случае обозначает линейный размер и соответственно F2 определяет занимаемую ячейкой памяти площади на полупроводниковом кристалле. Классическая ячейка 6F2, таким образом, занимает больше места по сравнению с 4F2, которую торопится внедрить в условиях санкций китайская CXMT. Американская Micron работает в более комфортных условиях, а потому может долго не задумываться о такой миграции. Более того, технический директор Micron назвал подобное сравнение двух компоновок манипуляциями с «зеркалами и дымом», поскольку переход на 4F2, по его словам, вовсе не гарантирует увеличения ёмкости памяти. «Существует некое заблуждение, будто технология 4F2 действительно даёт какие-то преимущества по сравнению с 6F2. На самом деле именно шаг между конденсаторами определяет характеристики DRAM», — пояснил де Бур. По его словам, существенных преимуществ 4F2 не добавляет, а в производстве соответствующая память дороже и сложнее. Именно шаг размещения конденсаторов определяет плотность упаковки ячеек памяти и ёмкость чипа, в конечном итоге. Каждый конденсатор при этом должен хранить достаточный заряд, чтобы позволять надёжно считывать данные, поэтому шаг их размещения сократить довольно сложно по сравнению с обычным уменьшением размеров транзисторов. Если смотреть на дальнейшие перспективы масштабирования памяти с компоновкой 4F2 с точки зрения современной науки, как отмечает представитель Micron, то начинают вмешиваться законы физики. Именно они будут задавать те пределы, которые в конечном итоге заставят дизайн чипов памяти перейти к 3D DRAM вместо 4F2, по мнению де Бура. Конденсаторы в составе 3D DRAM имеют совершенно другую ориентацию, поскольку эта память «полностью вертикальна», как добавил он. Иначе масштабируются и сами возможности разработки 3D DRAM, а также вся сопутствующая оптимизация. По словам технического директора Micron, для этой компании «этап, на котором требуется EUV, совпадает с моментом выбора между изготовлением по технологии 4F2 и 6F2». Оборудование для производства чипов с использованием сверхжёсткого ультрафиолетового излучения (EUV), поставляемое нидерландской ASML, доступно Micron без экспортных ограничений, в отличие от китайских производителей памяти. Оперативная память для ПК в следующем году станет ещё дороже — и найти в магазинах её будет сложнее
22.10.2026 [07:14],
Алексей Разин
Оперативная память для ПК станет ещё более дефицитным товаром в следующем году, а потому рост цен на неё наверняка продолжится. Хуже всего ситуация будет обстоять в рознице, для людей, которые сами собирают себе ПК: память не только подорожает, но даже купить её будет сложнее. Продавать память в других сегментах рынка по-прежнему выгоднее, и потребности рядовых пользователей ПК обслуживаются поставщиками по остаточному принципу. 
Источник изображения: Kingston Technology Цены на любом рынке определяются соотношением спроса и предложения, и в случае с оперативной памятью для розничных потребителей следующий год не несёт ничего хорошего, как предполагают аналитики TrendForce. По их мнению, дефицит DRAM в потребительском секторе рынка ПК только усилится именно благодаря фактору ограниченного предложения. Смежные сегменты рынка будут оттягивать на себя доступные объёмы микросхем памяти, а направление ПК будет обеспечиваться по остаточному принципу, что будет способствовать дальнейшему росту цен. Некоторые производители ПК выразили надежду, что в 2027 году ситуация с доступностью памяти улучшится, но речь шла только об их собственных закупках, поскольку крупные игроки рынка имеют возможность заключать долгосрочные контракты. В розничном же сегменте с памятью для ПК, собираемых самостоятельно потребителями, в следующем году станет совсем плохо: мало того, что цены продолжат расти, так и купить память станет гораздо сложнее. Предложение в 2027 году не сможет существенно расшириться, поскольку основной объём дополнительных производственных мощностей будет введён в строй примерно к 2029 году. При этом спрос на DRAM в прочих сегментах рынка будет оставаться на высоком уровне. Облачные гиганты всё чаще переходят на долгосрочные соглашения с производителями памяти, и те обслуживают потребительский сегмент по остаточному принципу. По данным на начало осени, Samsung уже распределила по предварительным заказам до 70 % памяти, которую сможет выпустить до 2031 года, а квоты на следующий год практически распределены полностью у всех трёх основных производителей памяти. Сегмент HBM продолжает оттягивать на себя ресурсы производителей DRAM, поскольку для одного стека памяти этого типа требуется от 8 до 12 кристаллов, а ускорители вычислений с памятью HBM очень востребованы в инфраструктуре ИИ. Правда, эксперты TrendForce отмечают, что тенденция к увеличению количества ярусов в стеке HBM должна несколько замедлиться. По этой причине массовое производство 16-ярусных чипов HBM начнётся позже, чем предполагалось изначально. Всё будет зависеть от сроков повышения уровня выхода годной продукции и снижения её себестоимости. Во второй половине следующего года 8-ярусные чипы HBM займут основную часть рынка. Заказчики забронировали объёмы выпуска HBM компании Samsung на несколько лет вперёд. В следующем году цены на HBM должны увеличиться минимум в два раза. За микросхемы GDDR тоже разворачивается сильная конкуренция, поскольку видеокарты для рабочих станций, которые требуют в три раза большего объёма такой памяти по сравнению с потребительскими, всё чаще используются для работы в инфраструктуре ИИ. Соответственно, игровым видеокартам достаётся всё меньше памяти, и они в итоге дорожают в рознице и реже встречаются в продаже. С обычной DDR для ПК и серверных систем ситуация также меняется не в пользу потребительских решений. Серверный рынок начинает активнее использовать память типа LPDDR, в итоге потребительский оказывается в проигрыше. Даже ПК для разработчиков типа Nvidia RTX/DGX Spark и AMD Strix Halo оснащаются 128 Гбайт памяти, а это в восемь раз больше, чем у многих ноутбуков потребительского класса. В начале этого квартала некоторые системные интеграторы уже заявляли о росте цен на память на величину до 15 %. Эксперты TrendForce прогнозируют, что к концу года они могут вырасти на 15–20 %. С другой стороны, корпоративные клиенты не смогут бесконечно откладывать покупку памяти даже в условиях непрерывного роста цен, и в следующем году этот спрос выйдет на рынок, который будет ограничен со стороны предложения, тем самым создавая условия для дальнейшего роста цен. Высокие цены на память позволили китайской CXMT выйти в прибыль по итогам трёх первых кварталов этого года
18.10.2026 [08:14],
Алексей Разин
Первые девять месяцев прошлого года CXMT завершила с многомиллионными убытками, но аналогичный период текущего года удалось завершить с прибылью в размере почти $20 млрд. Выручка компании также выросла более чем в восемь раз. 
Источник изображения: CXMT Китайская компания CXMT, по данным Counterpoint Research на второй квартал текущего года, уже является четвёртым по величине производителем DRAM в денежном выражении, контролируя 10 % мировой выручки. Её собственная выручка во втором квартале выросла в годовом сравнении в два с половиной раза. Она также занимает четвёртое место в мире по объёмам производства памяти. Всё это до сих пор не позволяло ей избавиться от убытков, однако предварительные данные за девять месяцев этого года позволяют надеяться, что это сделать удалось в текущем году. Как сообщает Bloomberg со ссылкой на предварительную статистику за три прошедших квартала 2026 года, чистая прибыль CXMT за период должна расположиться в диапазоне от $19,6 до $19,8 млрд. В прошлом году три первых квартала принесли компании чистые убытки в размере $792 млн. Выручка CXMT по итогам девяти месяцев текущего года должна составить от $39,6 до $40,4 млрд. Это в разы выше прошлогодних $4,8 млрд, а именно — на 742 % больше. Понятно, что основной вклад в подобную динамику изменения выручки внесли стремительно растущие цены на микросхемы памяти, но CXMT при этом остаётся в числе мировых лидеров по темпам расширения своих производственных мощностей. Сидеть на мешках с деньгами, образно выражаясь, CXMT не собирается. Во-первых, средства нужны не только на расширение производства, но и освоение новых технологий. Во-вторых, CXMT готова потратить от $150 до $300 млн на выкуп собственных акций с рынка. Таким образом, в условиях бума ИИ акции компании остаются привлекательными для инвесторов, что подтверждают и итоги летнего IPO, которое сделало CXMT самой дорогой публичной компанией в Китае. Акции производителей памяти сильно подешевели, поскольку инвесторов напугала перспектива перепроизводства
16.10.2026 [06:43],
Алексей Разин
За прошедшие пять дней акции SK hynix потеряли в цене 26 %, акции Samsung Electronics просели на 22 %, а в случае с Micron Technology падение ограничилось 11 %. Инвесторов насторожил прогресс китайских конкурентов и предположение о неизбежности перепроизводства микросхем памяти к 2029 году. 
Источник изображения: Tech Daily, Unsplash Ещё в конце прошлой недели стало известно о намерениях китайской CXMT первой в мире начать поставки серийной памяти DDR5 с вертикальными транзисторами, обозначив важный технологический прорыв на фоне западных конкурентов. Эксперты поясняют, что для живущей в условиях санкций США китайской компании этот скачок во многом является вынужденной мерой, но рынком данный сигнал воспринимается, как подтверждение успехов CXMT в технологической сфере. Таким образом, если CXMT продолжит увеличивать свою долю на рынке, на акциях её конкурентов это скажется не самым лучшим образом. Аналитики в своих комментариях для CNBC пояснили, что сам по себе технологический прорыв не гарантирует прироста объёмов выпуска памяти CXMT. Новая технология обычно не обеспечивает высокого уровня выхода годной продукции на первых этапах, и если, условно, половину чипов придётся отбраковывать, то существенного увеличения объёмов выпуска памяти CXMT на первых порах мы не увидим. Предупреждать участников рынка об угрозе перепроизводства памяти косвенно стали не только руководители Broadcom и Intel, но и некоторые южнокорейские эксперты. Последние, как отмечает CNBC, со страниц Maeil Business Newspaper заявили, что к 2029 году рынок памяти буквально будет наводнён предложением, а к 2030 году суперцикл подойдёт к концу, уступив место фазе спада. Глава Tesla и SpaceX Илон Маск (Elon Musk) тоже не удержался от комментариев на эту тему, заявив, что «Китай к 2028 году будет выпускать много памяти». Все крупные производители памяти сейчас заняты расширением производственных мощностей, но в строй они будут введены только через три–пять лет, поэтому в среднесрочной перспективе дефицит будет сохраняться, поддерживая цены на высоком уровне и позволяя участникам рынка обогащаться и одновременно вкладывать деньги в дополнительные производственные линии. По прогнозам Counterpoint Research, в 2028 году цены на DRAM упадут на 23 % относительно 2027 года, но они всё равно будут примерно на 230 % выше уровня 2025 года. Даже если в 2028 году рынок памяти и вступит в фазу спада, она не будет проявляться так остро, как в прошлые годы. Во многом это обусловлено переходом на долгосрочные контракты, которые определяют объёмы поставок и цены на память на многие годы вперёд. Китайская CXMT намерена первой в мире выпустить передовую DDR5 с вертикальными транзисторами
11.10.2026 [07:13],
Алексей Разин
Китайский производитель памяти CXMT рассчитывает к концу текущего года вывести на рынок серверные модули DDR5 RDIMM на чипах с перспективной архитектурой 4F2. Она предусматривает использование вертикальных транзисторов, которые позволяют увеличить плотность ячеек памяти. 
Источник изображения: CXMT Как сообщает BigGo Finance, президент CXMT Цао Каньюй (Cao Kanyu) рассказал о планах компании 10 октября на четвёртой Конференции по чипам и чиплетам. По его словам, разработка архитектуры 4F2 достигла существенного прогресса, а выпуск новых модулей DDR5 RDIMM ожидается до конца года. В основе технологии лежит транзистор VSG (Vertical Surrounded Gate) с вертикальным каналом, окружённым затвором. Такая конструкция улучшает управление током, помогает снизить утечки и уменьшить влияние эффектов короткого канала. Кроме того, она позволяет сократить площадь ячеек памяти и повысить плотность записи данных. Обозначение 4F2 описывает площадь, которую занимает одна ячейка памяти на кристалле. Здесь F — условный минимальный размер элемента структуры памяти, а число перед ним показывает, во сколько раз площадь ячейки превышает квадрат со стороной F. Архитектура 4F2 предполагает, что одна ячейка DRAM занимает площадь, равную четырём таким квадратам. Для сравнения, в распространённой архитектуре 6F2 на одну ячейку приходится шесть квадратов. Чем меньше площадь ячейки, тем больше их можно разместить на одном кристалле, а значит, тем выше может быть ёмкость микросхемы при сопоставимых размерах. Первые варианты 4F2 предусматривали использование планарных транзисторов, а производство ячеек памяти и периферийных логических схем зависело от общих условий литографии и легирования. Из-за этих ограничений ранние разработки уступали по совокупным характеристикам отработанным решениям класса 6F2. По мере того как возможности дальнейшего уменьшения ячеек 6F2 приближаются к технологическим пределам, производители исследуют трёхмерные варианты реализации 4F2. Среди возможных подходов — разделение процессов изготовления DRAM и КМОП-логики, а также гибридное соединение кремниевых пластин для организации высокоскоростных межсоединений. Это позволило бы независимо оптимизировать плотность ячеек и производительность логики. По словам Цао Каньюя, CXMT располагает более чем 300 опубликованными семействами патентов, связанными с архитектурой 4F2. Ориентация на продвижение памяти этого поколения в серверном сегменте подчёркивает амбиции компании по завоеванию рынка компонентов для инфраструктуры ЦОД. В сентябре генеральный директор компании Чжао Лунь сообщил, что в первом полугодии вклад серверных продуктов в бизнес производителя увеличивался. В последнее время CXMT ускорила освоение новых поколений памяти. В конце августа компания объявила о начале массового производства LPDDR6, став одной из первых, кто приступил к коммерциализации этого стандарта. В сентябре ChangXin Memory Technologies сообщила о запуске массового производства памяти DRAM пятого поколения (G5). По заявлению компании, её характеристики приближаются к уровню передовых мировых разработок. По данным Counterpoint Research, во втором квартале текущего года CXMT занимала около 10 % мирового рынка DRAM по выручке, располагаясь на четвёртом месте среди производителей. Samsung, SK hynix и Micron также разрабатывают память на основе архитектуры 4F2 или аналогичных трёхмерных решений. Если CXMT удастся выпустить новые модули в заявленные сроки и добиться их квалификации у заказчиков, компания сможет укрепить позиции на серверном рынке. Пока, однако, речь идёт о планах выпуска, а не о мировом первенстве в массовом производстве 4F2 DRAM. Аналитики ожидают обрушения спроса на ноутбуки в 2027 году из-за роста цен
10.10.2026 [15:29],
Анжелла Марина
В 2027 году мировой рынок ноутбуков столкнётся с ослаблением спроса из-за подорожания оперативной памяти, процессоров и других комплектующих. При неблагоприятном сценарии поставки устройств могут сократиться на величину, близкую к 10 %, если производители переложат большую часть дополнительных затрат на покупателей, прогнозируют аналитики. 
Источник изображения: notebookcheck.net По оценке TrendForce, первоначально ожидается снижение мировых поставок ноутбуков в 2027 году на несколько процентов. Однако рост стоимости DRAM и процессоров может заставить производителей повысить розничные цены, из-за чего пользователи будут дольше откладывать замену устройств. В таком случае годовое падение поставок может достичь высоких однозначных значений, то есть приблизиться к 10 %. В 2026 году рынок ПК поддержали улучшение доступности процессоров, заблаговременные закупки производителями компонентов и перенос части покупок на более ранние сроки. Однако это не означает полноценного восстановления спроса: часть пользователей приобрела ноутбуки раньше, чем планировала, поэтому в последующие периоды активность покупателей может снизиться. Дополнительным фактором станет постепенное исчерпание запасов комплектующих, закупленных по более низким ценам. 
Источник изображения: TrendForce Аналитики приводят в качестве примера ноутбуки массового сегмента с рекомендованной розничной ценой производителя (MSRP) в $900. В третьем квартале 2026 года процессор, оперативная память DRAM и накопитель SSD обеспечивали около 68 % стоимости его комплектующих. Поэтому дальнейшее подорожание этих компонентов может существенно повлиять на себестоимость готовых устройств. Производителям придётся выбирать между повышением цен, сокращением собственной прибыли и уменьшением характеристик ноутбуков, например, объёма оперативной памяти. Изменения могут затронуть и географию производства. Доля ноутбуков, выпускаемых за пределами Китая, сократится с 24 % в 2025 году до 21 % в 2026-м, а в 2027 году может опуститься ниже 20 %. На фоне роста затрат на логистику, закупку комплектующих и управление цепочками поставок производители могут вернуть часть мощностей в Китай, если давление со стороны пошлин не усилится. При этом дефицит DRAM может сохраниться из-за высокого спроса со стороны серверов для ИИ, тогда как ситуация с NAND Flash способна улучшиться во второй половине 2027 года благодаря вводу новых производственных мощностей. Дополнительное давление на отрасль оказывают печатные платы (PCB), многослойные керамические конденсаторы (MLCC) и микросхемы управления питанием (PMIC). На их стоимость и сроки поставок влияют распределение производственных мощностей, цены на сырьё и геополитические факторы. TrendForce считает, что в 2027 году ключевым вопросом станет уже не столько наличие комплектующих, сколько готовность покупателей платить за подорожавшие устройства. Если производители смогут частично компенсировать рост затрат и скорректировать конфигурации ноутбуков, спад поставок останется умеренным. Однако при полном переносе дополнительных расходов на потребителей он может оказаться значительно сильнее в 2027 году. Память продолжает кормить Samsung — прибыль взлетела почти в 9 раз до рекордных $80 млрд
08.10.2026 [10:23],
Алексей Разин
Крупнейший производитель памяти на этой неделе подвёл предварительные итоги третьего квартала. Операционная прибыль Samsung Electronics в годовом сравнении выросла в 8,8 раза до рекордных $80,2 млрд. Выручка увеличилась на 126,6 % до $145,7 млрд, по предварительным оценкам.  Во-первых, операционная прибыль компании по итогам прошлого квартала впервые преодолела планку в 100 трлн вон. Во-вторых, подобного уровня по показателям операционной прибыли в квартальном измерении до этого не достигала ни одна компания технологического сектора. Собственный прогноз Samsung по величине операционной прибыли оказался слегка выше консенсуса LSEG. Точные итоги третьего квартала Samsung Electronics подведёт в конце этого месяца. Последовательно операционная прибыль компании выросла на 20 %, тогда как выручка увеличилась на 13,7 % по сравнению со вторым кварталом текущего года. Рекордных показателей по операционной прибыли компания достигает уже четвёртый квартал подряд. Как предполагается, локомотивом прибыли и выручки выступило подразделение Samsung по выпуску микросхем памяти. В натуральном выражении Samsung остаётся крупнейшим поставщиком чипов памяти, но в сегменте HBM по-прежнему уступает конкурирующей SK hynix. Эксперты Douglas Research Advisory предполагают, что у Samsung объёмы поставок HBM в прошлом квартале последовательно выросли почти на 50 %. Аналитики TrendForce прогнозируют, что в четвёртом квартале контрактные цены на DRAM вырастут на величину от 10 до 15 % по сравнению с третьим. Если учесть, что во втором квартале они выросли почти на 60 %, то в ближайшие месяцы можно будет говорить о снижении темпов роста цен на память, если прогнозы оправдаются. Это может сказаться на темпах роста выручки производителей памяти, поскольку объёмы поставок продукции они наращивают не столь активно, как отпускные цены. Курс акций Samsung после публикации квартального отчёта снизился на 0,7 %, поскольку инвесторы насторожились по поводу дальнейших перспектив динамики финансовых показателей компании. Помимо прочего, рост цен на память вредит собственному бизнесу Samsung по производству электронных устройств, и это сказывается на доходности профильного подразделения. При этом аналитики Counterpoint Research оптимистично смотрят на дальнейшие перспективы бизнеса Samsung по производству памяти. По их прогнозам, цены на DRAM в третьем квартале должны были вырасти на 10–20 % в последовательном сравнении, хотя ранее эксперты рассчитывали на 5–10 %. По их мнению, покупатели запасаются памятью впрок, опасаясь дальнейшего повышения цен и усиления дефицита, тем самым ещё сильнее разгоняя цены. Выиграть от роста прибыли Samsung могут и рядовые сотрудники компании, занятые в производстве памяти. По условиям существующих договорённостей с профсоюзами, годовые премии сотрудников этого подразделения могут достичь $560 000 на человека, если операционная прибыль компании по итогам текущего года выйдет на уровень $276 млрд. По итогам трёх прошедших кварталов она уже приблизилась к $190 млрд, поэтому шансы на достижение целевого показателя для осуществления премиальных выплат в указанном размере сохраняются. Подорожание памяти DRAM и NAND в этом квартале замедлится — но совсем чуть-чуть
01.10.2026 [14:59],
Алексей Разин
Оперативная и флеш-память в наступившем четвёртом квартале будут дрожать не так быстро, как в предыдущем, прогнозируют аналитики TrendForce. В сегменте DRAM цены последовательно увеличатся на 10–15 %, а на направлении NAND они вырастут на 15–20 %. Лишь цены на SSD корпоративного класса продолжат свой стремительный рост. 
Источник изображения: Micron Technology В сегменте NAND, по мнению специалистов TrendForce, в текущем квартале будет наблюдаться некоторое расслоение тенденций. Инфраструктура ИИ продолжит испытывать дефицит флеш-памяти, а вот потребительский сегмент столкнётся со снижением спроса из-за высоких цен. В любом случае, цены в целом по рынку твердотельной памяти продолжат расти, и по итогам текущего квартала последовательно увеличатся в среднем на 15–20 %. В прошлом квартале они должны были увеличиться на 18–23 %. Цены на DRAM в прошлом квартале выросли на 13–18 %, но с учётом HBM прирост составил 8–13 %. В текущем квартале, по мнению представителей TrendForce, цены на классическую DRAM вырастут на 10–15 %, а с учётом HBM прирост составит от 15 до 20 %. В сегменте ПК цены на DRAM будут расти, что скажется на стоимости готовых компьютеров и негативно повлияет на спрос. Производители памяти при этом продолжат агрессивно наращивать свои запасы микросхем оперативной памяти, ожидая сохранения дефицита в 2027 году и дальнейшего роста цен. Формально, свои обязательства перед клиентами поставщики памяти в сегменте ПК выполняют на протяжении всего текущего года, но дефицит может усилиться в следующем году из-за высокого спроса на память в серверном сегменте. На серверном направлении спрос на DRAM продолжает расти по мере того, как ситуация с доступностью серверных процессоров начала улучшаться. Поставщики памяти увеличили долю модулей RDIMM небольшого объёма в структуре своей продукции. Тем не менее, на этапе изготовления микросхем памяти всё равно сохраняются «узкие места», а потому удовлетворить спрос не получается. Динамику цен позволяют сгладить долгосрочные контракты на поставку памяти, которые получили распространение в серверном сегменте. В мобильном сегменте на рынок продолжают давить нехватка микросхем памяти малой ёмкости и высокие цены. В то же время, память мобильных форматов пользуется растущей популярностью у производителей серверного оборудования, привлекая их своей энергетической эффективностью. В таких условиях цены на мобильную DRAM могут только расти в ближайшее время, пусть и не так активно, как в трёх предыдущих кварталах 2026 года. 
Источник изображения: TrendForce В сегменте графической памяти к GDDR6 присматриваются производители ПК в надежде сократить себестоимость готовой продукции. Микросхемы GDDR7 пока востребованы главным образом при производстве ИИ-ускорителей, но они пользуются более высоким спросом по сравнению с GDDR6. Проблема заключается в том, что производство GDDR6 постепенно сворачивается, а выпуск GDDR7 наращивается недостаточно быстро для насыщения рынка, а потому цены остаются высокими и продолжают подниматься дальше. В сегменте потребительской DRAM спрос подпрыгивает из-за влияния смежных частей рынка. Например, такие микросхемы востребованы производителями SSD, которые поставляются в серверном сегменте. Крупным производителям выпускать потребительскую DRAM уже не выгодно, поэтому рынок всё больше зависит от тайваньских поставщиков. К счастью, темпы роста цен немного снижаются. В сфере клиентских SSD производители ПК могут довольствоваться запасами продукции, изготовленной в первой половине текущего года. Производители ПК при этом стараются снижать ёмкость предлагаемых в составе своих систем накопителей, чтобы экономить на их закупке. В этом сегменте NAND-памяти по итогу требуется меньше, чем ранее. Ценовая политика поставщиков становится более гибкой и не провоцирует удорожания накопителей прежними темпами. Зато в серверном сегменте SSD спрос на накопители в ёмкостном выражении по итогам текущего года должен вырасти более чем на 80 %, поскольку они очень востребованы облачными провайдерами, расширяющими вычислительную инфраструктуру для ИИ. Развитие агентских приложений поднимает спрос на твердотельные накопители, которые ускоряют работу с данными по сравнению с классическими жёсткими дисками. Рост цен на SSD корпоративного класса в четвёртом квартале должен ускориться по сравнению с третьим. В сегменте eMMC и UFS (карт памяти) производители смартфонов предпочитают обходиться созданными ранее запасами, а производители бытовой электроники не торопятся приобретать такую память по текущим высоким ценам. Динамика спроса в результате не особо выражена в этой сфере. Закупки осуществляются минимальными партиями, предусмотренными соглашениями с поставщиками. Цены на кремниевые пластины для изготовления памяти NAND достигли исторических высот, а потому их потребители в лице производителей микросхем не торопятся закупать в необходимых количествах. В то же время, сами поставщики кремниевых пластин пытаются ограничивать предложение, чтобы не снижать цены и обеспечивать существующую прибыльность своего бизнеса. Опять же, сопротивление покупателей ограничит дальнейший рост цен на пластины. |
© 1997—2026 3DNews
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
