Эксперты TrendForce пришли к выводу, что в сложных макроэкономических условиях оживление спроса на рынке памяти постоянно спотыкается о новые препятствия, и наметившаяся было тенденция к росту цен к четвёртому кварталу во многом нивелируется. По крайней мере, в сегменте DRAM контрактные цены вырастут от силы на 3–8 %, а в сегменте NAND они даже опустятся на величину до 5 %.

Источник изображения: Intel

Производители модулей памяти DRAM, как отмечает источник, активно наращивают свои складские запасы необходимых для работы компонентов с третьего квартала прошлого года. В итоге ко второму кварталу текущего года «глубина» складских запасов выросла до 11–17 недель. Спрос на конечных рынках электронных устройств не восстанавливается такими темпами, как ожидалось. Запасы смартфонов в Китае превысили норму, а существующие модели ноутбуков клиенты покупать не торопятся, ожидая выхода новых систем на базе процессоров с функцией ускорения ИИ. Всё это приводит к сокращению спроса на подобные устройства.

Розничные поставки флеш-памяти NAND во втором квартале сократились в годовом сравнении на 40 %, и подобная динамика не позволяет участникам рынка надеяться на восстановление спроса во втором полугодии. В розничном сегменте на спрос негативно влияют высокая инфляция и высокие процентные ставки. Рост цен на микросхемы памяти при этом оказывает давление на норму прибыли производителей модулей памяти, а низкий спрос в рознице мешает повышать отпускные цены.

Смартфоны и ПК с функцией ускорения ИИ, по мнению представителей TrendForce, существенно на спрос в сегменте микросхем памяти повлиять в четвёртом квартале не смогут. Контрактные цены на DRAM в итоге не смогут заметно вырасти: в текущем квартале они поднимутся на 8–13 %, а в четвёртом увеличатся только на 3–8 %. Зато у памяти HBM проблем со спросом нет, и контрактные цены на данный вид продукции смогут прибавлять по 10–15 % ежеквартально. Цены на NAND вырастут в текущем квартале на 5–10 %, прежде чем упасть на 5 % в четвёртом. В 2025 году, по мнению экспертов, рост цен на DRAM будет стимулироваться в основном спросом на HBM, под выпуск которой перераспределяется всё больше мощностей. Из-за этого обычной DRAM выпускается меньше, и цены на неё растут.

Лидеры по производству микросхем памяти Samsung Electronics и SK hynix отмечают, что Китай значительно увеличил импорт южнокорейских чипов в первой половине 2024 года. Продажи Samsung Electronics в Китае выросли на 82 процента, а SK Hynix — на 122 процента. Причём 96 % выручки в Китае SK hynix обеспечили именно микросхемы памяти. Продажи Samsung в Китае более диверсифицированы и, в дополнение к микросхемам, охватывают смартфоны и бытовую технику.

Источник изображения: unsplash.com

Выручка от поставок в Китай чипов Samsung в первом полугодии 2024 года составила 32,35 трлн вон ($24,1 млрд), что на 82 % выше, чем аналогичный результат предыдущего года. На Китай пришлось около 31 % региональной выручки Samsung в размере 104,9 трлн вон, что на 28 % больше, чем за тот же период годом ранее.

SK Hynix также сообщила о росте продаж в Китае, при этом выручка от китайских клиентов выросла до 8,6 трлн вон ($6,4 млрд), что на 122 % выше результата за аналогичный период предыдущего года. Поставки в Китай принесли компании 30 % от 28,8 трлн вон ($21,49 млрд) общего дохода за первое полугодие. На фоне массированных поставок в Китай складские запасы SK Hynix во втором квартале сократились до самого низкого уровня за последние семь лет.

Рост продаж отмечается на фоне ожиданий ужесточения санкций США в отношении высокотехнологичной полупроводниковой продукции. Аналитики предполагают, что китайские импортёры вынуждены увеличивать складские запасы в преддверии обнародования новых ограничений. Особенно возросла активность закупок чипов, используемых в системах ИИ, таких как высокоскоростная память стандарта HBM (high-bandwidth memory).

На фоне бума генеративного ИИ китайским технологическим гигантам, таким как Huawei и Baidu, требуется всё больше полупроводниковой продукции, включая микросхемы памяти, центральные процессоры и графические процессоры. В октябре 2023 года ужесточение экспортных ограничений США остановило поставку в Китай и ряд других стран интегральных схем с более чем 50 миллиардами транзисторов. Однако память HBM пока не подпадает под эти ограничения, если продаётся как отдельный компонент.

Ещё одним фактором роста продаж стало восстановление цен, последовавшее за прошлогодним сокращением производства ведущими игроками полупроводникового рынка на фоне вялого спроса.

По данным TrendForce, выручка Samsung и SK Hynix от поставок DRAM во втором квартале составила 43 % и 35 % мирового рынка соответственно. При этом SK Hynix контролирует более 50 % рынка памяти HBM.

Производители микросхем оперативной памяти по примеру коллег из сегмента логических микросхем внедряют использование EUV-литографии, но это приводит к повышению затрат. Чтобы оправдать его, как считают представители SK hynix, микросхемы памяти нужно перевести на использование вертикальной компоновки транзисторов, и тогда фактическая себестоимость памяти даже снизится.

Источник изображения: SK hynix

Соответствующие комментарии Со Джэ Ука (Seo Jae Wook), отвечающего в SK hynix за научные исследования, приводит южнокорейский ресурс The Elec. Классический подход к использованию EUV-литографии в производстве микросхем памяти, по его словам, вряд ли можно считать рациональным с точки зрения влияния на себестоимость. Зато если перейти на использование транзисторов с вертикальной компоновкой (VG или 4F2), то площадь кристалла памяти можно сократить на 30 % по сравнению с классической технологией 6F2, и в комбинации с EUV такая компоновка позволит снизить затраты в два раза.

Samsung Electronics также рассматривает возможность производства так называемой 3D DRAM с «вертикальными» транзисторами, как и SK hynix, эта компания рассчитывает использовать техпроцессы с нормами менее 10 нм. Отрасль по производству оперативной памяти дальше не может полагаться только на планарную компоновку транзисторов, поскольку внедрение EUV-оборудования в данном случае становится неоправданно дорогим. Зато в сочетании с новой структурой транзисторов внедрение EUV-литографии может себя оправдать, как отмечают представители SK hynix. Впрочем, внедрение новой компоновки транзисторов потребует использования не только нового оборудования, но и новых материалов при производстве микросхем DRAM. Скорее всего, в массовом производстве технология приживётся не ранее 2027 года. В следующем десятилетии Samsung намеревается внедрить выпуск многослойной памяти DRAM.

Во II квартале 2024 года доходы отрасли DRAM выросли на 24,8 % по сравнению с предыдущим кварталом и составили $22,9 млрд, гласят данные TrendForce. Большинство производителей нарастило выручку за счёт поставок основных продуктов. Контрактные цены за минувший квартал продолжали расти, и в наступившем их рост обещает превысить предыдущие прогнозы из-за геополитических факторов.

Источник изображения: skhynix.com

Ключевые игроки в лице Samsung, SK hynix и Micron во II квартале нарастили поставки. Следуя тенденции I квартала продолжила увеличиваться и средняя цена продажи чипов памяти. Росту способствовали произошедшее в начале апреля землетрясение на Тайване и высокий спрос на продукцию в сегменте HBM — из-за них покупатели DRAM активизировали стратегию закупок. Окончательная корректировка контрактных цен во II квартале составила 13–18 %.

Samsung увеличила среднюю цену чипов на 17–19 % и нарастила поставки в битах, в результате чего выручка компании в сегменте DRAM выросла на 22 % до $9,82 млрд, и ей удалось сохранить лидирующие позиции на рынке. SK hynix за счёт сертификации и массовой поставки продукции HBM3E нарастила поставки в битах более чем на 20 %, благодаря чему её выручка увеличилась на 38,7 % до $7,91 млрд. Доход Micron во II квартале вырос на 14,1 % до $4,5 млрд, несмотря на небольшое снижение средневзвешенной цены продукции, а поставки в битах выросли на 15–16 %. Компания активно распродавала запасы DDR5, изготовленной по технологии 1-beta, но отстала от более крупных конкурентов.

Источник изображения: trendforce.com

Производители сумели сохранить прибыльность за счёт роста контрактных цен на DRAM, полной загрузки производственных мощностей и роста продаж дорогих продуктов — DDR5 и HBM. Samsung за квартал увеличила операционную прибыль с 22 % до 37 %, SK hynix — с 33 % до 45 %, а Micron — с 6,9 % до 13,1 %. Тайваньские производители во II квартале показали разные результаты. У Nanya Technology ослабились продажи потребительской DRAM, но благодаря росту цен компания нарастила операционную маржу с -30,7 % до -23,4 %. Winbond подняла контрактные цены на 24–26 % — в результате её доход вырос на 3,7 % до $168 млн. У PSMC выручка от потребительской DRAM снизилась на 13,5 %, но за счёт полупроводникового подряда общий доход компании показал рост на 2,2 %, отразив упреждающее наращивание запасов клиентами.

Большинство производителей DRAM в конце июля завершили переговоры о ценах на контракты в III квартале с OEM-производителями и поставщиками коммуникационных услуг — результаты превзошли ожидания. Поэтому TrendForce пересмотрела прогноз на повышение контрактных цен на обычную DRAM в III квартале, увеличив показатель роста на 5 п.п. до диапазона 8–13 %. Китайские поставщики телекоммуникационных услуг во II квартале опасались новых санкций США на закупки ИИ-чипов для своих нужд, поэтому начали активно накапливать запасы, удвоив масштаб закупок по сравнению с аналогичным периодом прошлого года. Это позволило производителям DRAM повысить цены, увеличили закупочные цены и американские поставщики телекоммуникационных услуг. Рост цен на серверную DRAM повлиял на цены DRAM и для ПК.

Samsung начала производить на своих заводах пластины HBM3E, чтобы обеспечить своевременные поставки соответствующей готовой продукции после прохождения сертификации. Вероятно, это повлияет на графики производства DDR5 во второй половине 2024 года. Производители завершают составление планов по мощностям на 2025 год — SK hynix и Samsung отдают в них приоритет HBM, а не DDR5, поэтому едва ли цены на DRAM в ближайшие кварталы возьмут курс на снижение.

На фоне растущего рыночного спроса на высокопроизводительную память для ИИ компания Samsung решила возобновить инвестиции в создание производственной линии чипов памяти DRAM 6-го поколения на своём заводе P4 в Пхёнтхэке с целью начать массовый выпуск таких микросхем в июне 2025 года, пишет южнокорейское издание ETNews.

Источник изображения: TrendForce

Источник сообщает, что память DRAM 6-го поколения, также известная как «1c», будет производиться с использованием техпроцесса класса 10 нм. Помимо Samsung такую память также планирует массово производить её южнокорейский конкурент SK hynix.

По информации ETNews, Samsung хотела начать строительство нового цеха P4 на своём заводе в Пхёнтхэке в 2022 году и изначально собиралась запустить его в 2024 году. Однако, завершив строительство производственного объекта и его обеспечение необходимой инфраструктурой, компания не стала оснащать новую линию производственным оборудованием. Из-за снизившегося спроса на рынке полупроводников Samsung сократила расходы путём снижения количества доступных мощностей.

Во второй половине прошлого года рынок полупроводников начал восстанавливаться, поэтому к середине года Samsung вновь перешла к инвестициям в новые проекты. Компания начала установку оборудования для выпуска флеш-памяти NAND на ранее неиспользуемом объекте P4 и теперь подтвердила планы по инвестициям в производство памяти DRAM 6-го поколения, пишет ETNews.

Пробные партии 1c DRAM компания Samsung собирается выпустить уже к концу текущего года, утверждает источник. Также сообщается, что производитель рассматривает возможность запуска производственной линии по выпуску микросхем памяти HBM4 с использованием технологии 1c DRAM во второй половине 2025 года.

Источник изображения: TrendForce

Аналитики TrendForce прогнозируют, что доходы отрасли производства памяти DRAM и NAND по итогам текущего года вырастут на 75 и 77 % соответственно, что объясняется стремительным ростом спроса на биты на фоне всеобщего бума ИИ. Эксперты также считают, что завод Samsung P4L станет ключевым источником выпуска микросхем памяти большой ёмкости. Согласно их оценкам, оборудование новой производственной линии для выпуска DRAM будет установлено к середине 2025 года, а массовое производство новых чипов начнётся в 2026-м.

Согласно последнему отчёту аналитической компании TrendForce, глобальная выручка от продаж компьютерной памяти DRAM и NAND в 2024 году вырастут на 75 % и 77 % соответственно. Этот рост будет обусловлен несколькими факторами, включая увеличение спроса и популярности высокопроизводительной памяти HBM.

Источник изображения: Micron

Кроме того, ожидается, что продажи в этих сферах будут продолжать расти и в 2025 году. При этом DRAM вырастет на 51 %, а NAND — на 29 %, достигнув рекордных показателей. Рост будут стимулировать увеличение капитальных расходов и повышенный спрос на первичные сырьевые материалы для Upstream-производства, такие как кремниевые пластины и химические вещества, одновременно увеличив ценовое давление на покупателей памяти.

По оценкам TrendForce, благодаря увеличению средних цен на DRAM на 53 % в 2024 году выручка от продаж DRAM достигнет 90,7 млрд долларов США в 2024 году, что на 75 % больше по сравнению с предыдущим годом. В следующем году средняя цена вырастет ещё на 35 %, а выручка достинет 136,5 млрд долларов США, что на 51 % больше по сравнению с 2024 годом. Ожидается также, что в 2024 году на долю HBM придётся 5 % от общего объёма поставок DRAM и 20 % от выручки.

Источник изображения: TrendForce

Кроме того, популярность таких типов памяти, как DDR5 и LPDDR5/5X, также будет способствовать увеличению средней цены на рынке. Ожидается, что к 2025 году доля DDR5 на рынке серверной памяти достигнет 60-65 %, а LPDDR5/5X займёт 60 % рынка мобильных устройств.

В сегменте флеш-памяти NAND рост будет стимулироваться внедрением 3D QLC — технологии, которая позволяет хранить больше данных на одном чипе. По прогнозам, в 2024 году на долю QLC будет приходиться 20 % от общего объёма поставок NAND, а в 2025 году этот показатель должен увеличится. При этом внедрение QLC на смартфонах и серверах станет ключевым фактором роста этого сегмента.

Источник изображения: TrendForce

Ситуация повлияет и на рынок, и на потребителей. Рекордная выручка позволит производителям памяти увеличить инвестиции в исследования и разработки, а также расширить производство. Прогнозируется рост капитальных затрат в индустрии DRAM и NAND на 25 % и 10 % соответственно в 2025 году.

Однако рост цен на память неизбежно приведёт к удорожанию электроники для конечных потребителей. При этом производителям электроники будет сложно переложить все расходы на покупателей, что может привести к снижению прибыли и, не исключено, что к снижению спроса.

В настоящее время в цепочке поставок памяти DRAM происходят события, которые, как ожидается, приведут к росту цен на различные продукты. В отчёте аналитиков TrendForce подчёркивается, что рост цен на память сохранится и в третьем квартале этого года, частично из-за повышенного спроса на серверы. Повышение цен на DRAM может существенно повлиять на стоимость новых поколений видеокарт, таких как серия NVIDIA GeForce RTX 50 и серия AMD Radeon RX 8000.

Источник изображения: AMD

Аналитики TrendForce полагают, что «восстановление спроса на серверы общего назначения в сочетании с увеличением доли производства HBM поставщиками DRAM заставило поставщиков сохранить тенденцию в отношении повышения цен». В результате ожидается, что средняя цена продажи (average selling price, ASP) DRAM в третьем квартале может вырасти на 8–13%. Наибольший рост цен ожидается для серверной DDR5 (8–13 %) и DDR4 (5–10 %), в то время как потребительские модули DDR5 и DDR4 подорожают лишь на 3–8 %.

Спрос на видеопамять на данный момент остаётся неизменным, но он резко возрастёт, когда производители видеокарт приступят к выпуску графических процессоров следующего поколения. Сейчас новые линейки графических процессоров вступают в стадию тестирования и производители постепенно наращивают производство GDDR7, которая на 20–30 % дороже GDDR6. Ожидается, что цены на видеопамять дополнительно увеличатся на 3–8 % в третьем квартале.

Источник изображения: TrendForce

«Поскольку производители твёрдо вступают в цикл повышения цен, а темпы роста не ослабевают, покупатели принимают стратегию постоянных запасов, что делает их более восприимчивыми к повышению цен, предлагаемому продавцами», — говорится в отчёте TrendForce.

Рост цен может оказать влияние на объёмы видеопамяти в новых видеокартах. В недалёком прошлом геймеры высказывали претензии Nvidia за явную экономию на видеопамяти, что дало конкурентное преимущество AMD.

Рост цен на оперативную память, по данным TrendForce, в настоящий момент поддерживается тенденцией к оживлению спроса в сегменте серверных систем общего назначения в комбинации с увеличением доли рынка, занимаемой микросхемами HBM. Всё это приведёт к тому, что в третьем квартале цены на оперативную память в серверном сегменте в среднем увеличатся на 8–13 %.

Источник изображения: Micron Technology

Если выделить из этой тенденции обычную DRAM, не включая HBM, то средний рост цен в третьем квартале достигнет 5–10 %. При этом доля HBM в структуре продаж по сравнению со вторым кварталом увеличится с 4 до 6 %. Во втором квартале восполнение складских запасов памяти на стороне клиентов не было особо активным. В третьем же квартале пополнению складов будут способствовать сезонные тенденции, связанные с рынком смартфонов и сферой деятельности облачных провайдеров. Объёмы поставок микросхем памяти для нужд этих двух сегментов в третьем квартале должны будут увеличиться.

В сегменте ПК средняя цена реализации оперативной памяти в третьем квартале последовательно увеличится на 3–8 %, как прогнозируют представители TrendForce. Во втором квартале наблюдался рост цен на 15–20 %, но ожидания производителей ПК на рост спроса в третьем квартале вряд ли оправдаются. При этом цены на DDR4 и DDR5 в этом сегменте растут примерно синхронно.

Источник изображения: TrendForce

В мобильном сегменте динамика цен на DRAM в третьем квартале будет такой же, демонстрируя рост на 3–8 % в последовательном сравнении. В следующем году производители памяти постараются более чётко контролировать баланс спроса и предложения, чтобы память не теряла в цене слишком сильно, уменьшая их прибыль. В третьем квартале им не удастся особо увеличить цену в ходе переговоров, поэтому цены вырастут незначительно. Меньше всего подорожает память типа LPDDR4/LPDDR4X, которая может даже слегка подешеветь.

В графическом сегменте цены тоже последовательно вырастут по итогам третьего квартала на 3–8 %. Производители видеокарт намерены стабильно восполнять свои запасы микросхем памяти, и если производители последней будут повышать цены, те вынуждены будут соглашаться на новые условия закупок. Постепенно наращиваются объёмы производства GDDR7, которая понадобится для видеокарт нового поколения, но эта память пока на 20–30 % дороже GDDR6. Поставки образцов памяти GDDR7 будут налажены уже в третьем квартале этого года, который наступит на следующей неделе.

В потребительском сегменте в целом сохраняется избыток памяти типов DDR3 и DDR4, но стремление производителей больше ресурсов выделять под выпуск востребованной HBM сокращает доступные для выпуска DDR мощности, а потому стоимость продукции растёт и на этом направлении. Во-вторых, специализирующимся на выпуске DDR3 и DDR4 тайваньским производителям памяти нужно добиться прибыльности, а потому они заинтересованы в повышении общего уровня цен. По этой причине цены на DDR3 и DDR4 в сегменте потребительской техники в третьем квартале последовательно вырастут на 3–8 %.

В серверном сегменте динамика цен на память в третьем квартале будет наиболее выраженной. Контрактные цены на DDR5 вырастут на 8–13 %. Запасы DDR4 на складах покупателей несколько выше, поэтому основной объём закупок будет приходиться именно на DDR5. И всё же, в среднем цены на оперативную память для серверов общего назначения в третьем квартале последовательно увеличатся на 8–13 %.

В четвёртом квартале рынок оперативной памяти, по мнению представителей TrendForce, продолжит демонстрировать рост цен, а доля HBM в структуре продаж будет увеличиваться и дальше. Производители смартфонов и провайдеры облачных услуг начнут восполнять свои складские запасы. Наращивание объёмов выпуска HBM будет стимулировать рост цен на прочие виды оперативной памяти, поскольку предложение в результате будет планомерно сокращаться.

На технологической конференции в марте этого года компания Samsung Electronics заявила, что рассчитывает наладить массовый выпуск трёхмерной DRAM к концу десятилетия. SK hynix, вдохновляемая своими успехами в сфере выпуска HBM, недавно сообщила, что в рамках экспериментального производства 3D DRAM получает 56 % годной продукции.

Источник изображения: SK hynix

Напомним, что используемая в сегменте высокоскоростных вычислений память типа HBM в традиционном толковании имеет компоновку 2.5D, а полноценную трёхмерную компоновку должна предложить память 3D DRAM, разработку которой сейчас ведут все три крупнейших производителя оперативной памяти: Samsung Electronics, SK hynix и Micron Technology.

По информации Business Korea, компания SK hynix на симпозиуме VLSI 2024 на прошлой неделе сообщила о промежуточных успехах в разработке памяти типа 3D DRAM. Пятислойные микросхемы компания уже может выпускать с уровнем выхода годной продукции 56,1 %, что довольно много для ранней стадии выпуска нового типа полупроводниковых изделий. Как отмечается, характеристики опытных образцов 3D DRAM в целом не уступают чипам с традиционной планарной компоновкой.

Само собой, предстоит проделать немалую работу по созданию условий для производства 3D DRAM в массовых количествах. Имеющиеся образцы такой памяти, по словам представителей SK hynix, не отличаются стабильностью с точки зрения быстродействия, а в плане пригодности к массовому производству имеет смысл рассчитывать на создание микросхем памяти с количеством слоёв от 32 до 192 штук.

Спотовые цены на память DRAM и NAND продолжают падать и едва ли в ближайшее время вырастут, считают аналитики TrendForce. Во-первых, у участников рынка всё ещё много запасов. Во-вторых, дополнительное влияние на цены DRAM оказали недавние действия китайского правительства против контрабанды восстановленных компонентов памяти.

Источник изображения: samsung.com

Спотовые цены на рынке DRAM продолжают снижаться, что резко контрастирует с контрактными ценами. Это происходит из-за избыточных запасов на заводах по производству модулей памяти, которые, как правило, закупают микросхемы на спотовом рынке. Снижению цен способствует и слабый спрос на рынке потребительских товаров: производителям готовых устройств не нужно больше памяти, и они на спотовом рынке не закупаются.

Спотовые цены DRAM. Источник изображения: trendforce.com

Ещё одним способствующим снижению цен фактором стала борьба с контрабандой на китайском рынке — дешевеют чипы DRAM, подвергшиеся процедуре реболлинга. Реболлинг — это метод ремонта чипов DRAM посредством замены шариков припоя на нижней стороне чипа, используемых для его соединения с печатной платой. Во многих случаях такие чипы начинают работать снова, но они уже не так надёжны, как новые. С конца мая средняя цена чипа DDR4 1Gx8 2666MT/s снизилась на 2,54 %, а только за последнюю неделю она упала с $1,881 до $1,835.

Спотовые цены NAND. Источник изображения: trendforce.com

Аналогичным образом проседает спотовый рынок NAND — у производителей SSD сформировались достаточные уровни запасов, что препятствует восстановлению спроса, несмотря на снижение цен спотовыми поставщиками. Растёт разрыв между спотовыми и контрактными ценами. И остаётся неопределённость в отношении спроса на пополнение запасов в III квартале 2024 года. Лишь на этой неделе спотовая цена на пластину 512 Гбит 3D TLC NAND снизилась на 0,57 % до $3,309. Из-за слабого спроса рынки DRAM и NAND переживают непростой период с точки зрения ценообразования. И в краткосрочной перспективе аналитики TrendForce восстановления цен не ожидают.

Мировая отрасль оперативной памяти DRAM по итогам I квартала продемонстрировала рост выручки на 5,1 % по сравнению с аналогичным периодом прошлого года, обращает внимание аналитическая компания TrendForce. Выручка отрасли за указанный период достигла $18,35 млрд — она была обусловлена ростом контрактных цен на основные продукты, причём ценовая динамика оказалась более значительной, чем в IV квартале 2023 года.

Источник изображения: samsung.com

В I квартале, который традиционно является не лучшим сезоном в отрасли, с сокращением поставок столкнулись все три крупнейших поставщика; более того, у производителей готовой продукции оказались высокие уровни запасов, из-за чего объёмы закупок дополнительно сократились. Средняя цена продажи (ASP) в результате роста контрактных цен в IV квартале 2023 года оставалась высокой. Самый высокий рост цен в отрасли показал сегмент мобильной DRAM благодаря высоким продажам китайских смартфонов. В потребительском сегменте рост цен оказался наиболее низким — производителям ещё предстоит очистить запасы.

Несмотря на то, что потребительский спрос остаётся слабым, ожидается, что объёмы поставок основных поставщиков в соответствии с традиционными сезонными переменами во II квартале будут расти. В результате некоторые OEM-производители начали договариваться о ценах выше первоначальных ожиданий аналитиков — предполагается, что контрактные цены во II квартале покажут рост на 13–18 %.

Источник изображения: trendforce.com

Выручка Samsung показала квартальный рост на 1,3 % до $8,05 млрд, но доля компании на рынке снизилась на 1,6 п.п. до 43,9 %. Компании удалось сохранить лидирующие позиции на рынке. Стратегия Samsung, направленная на увеличение средней цены на 20 % успешно компенсировала снижение объёма поставок, выраженное однозначным процентным показателем, продемонстрировав таким образом ориентацию на приоритет цены над объёмом. Квартальный рост доходов занявшей второе место SK hynix составил 2,6 % до $5,7 млрд — доля рынка компании снизилась на 0,7 п.п. до 31,1 %. Показатель ASP вырос на 20 %, компенсировав падение объёмов поставок аналогично Samsung.

Самым значительным квартальным ростом выручки на 17,8 % до $3,95 млрд отметилась Micron — это она перетянула на себя 2,3 п.п. доли рынка, заняв 21,5 % с третьим местом. Компания нарастила ASP на 23 % при снижении поставок на 4–5 %, снова обогнав двух корейских конкурентов. Micron обеспечила себе высокие показатели за счёт агрессивной ценовой стратегии и высоких поставок серверной DRAM для крупных американских клиентов. Во II квартале Samsung ожидает роста в пределах от низкого до высокого однозначных показателей; SK hynix прогнозирует средний однозначный рост, а Micron готовится к небольшому снижению.

В лагере тайваньских производителей Nanya в I квартале отметилась ростом отгрузок на низкий однозначный процент — это было обусловлено пополнением запасов из-за роста цен и медленным восстановлением продаж потребительской DRAM. Высокий однозначный рост показала ASP, в результате чего компания нарастила выручку на 10,5 % до $302 млн. Winbond в I квартале контрактных цен не повышала, но показала высокие отгрузки, увеличив выручку на 21,6 % до $162 млн. Расчёт выручки PSMC преимущественно включает её собственную DRAM-продукцию и исключает бизнес по полупроводниковому производству. Несмотря на восстановление загрузки мощностей, компания в I квартале показала снижение выручки DRAM на 28,2 % до $28 млн из-за поставок преимущественно недорогих продуктов DRAM и сокращения дней производства и отгрузки в праздничный сезон.

Рынок памяти DDR3 переживает серьёзный дисбаланс спроса и предложения, поскольку ведущие мировые производители, такие как Samsung, SK hynix и Micron, постепенно сворачивают производство этого типа памяти. Согласно отчёту Economic Daily News, сокращение выпуска DDR3 крупнейшими игроками на фоне продолжающегося высокого спроса со стороны устройств искусственного интеллекта и периферийных вычислений привело к значительному дефициту и росту цен.

Источник изображения: trendforce.com

Samsung уже сообщила своим клиентам о планах полностью прекратить производство DDR3 к концу второго квартала. SK hynix ещё в конце прошлого года перевела свои мощности по выпуску DDR3 на заводе в Уси (Китай) на производство DDR4. Micron также существенно сократила поставки DDR3, чтобы расширить выпуск более современных типов памяти, таких как DDR5 и HBM.

Samsung уже сообщила своим клиентам о планах полностью прекратить производство DDR3 к концу второго квартала. SK hynix ещё в конце прошлого года перевела свои мощности по выпуску DDR3 на заводе в Уси (Китай) на производство DDR4. Micron также существенно сократила поставки DDR3, чтобы расширить выпуск более современных типов памяти, таких как DDR5 и HBM.

Эксперты отрасли, в свою очередь, отмечают, что сокращение производства DDR3 ведущими производителями уже привело к росту цен на этот тип памяти, начиная со второй половины этого года, причём ожидается дальнейшее повышение. По прогнозам аналитической компании TrendForce, к концу 2024 года разрыв между спросом и предложением на рынке DDR3 может превысить 20-30 %, что приведёт к скачку цен на 50-100 % относительно текущего уровня, который и так уже находится ниже себестоимости.

Однако сложившаяся ситуация открывает определённые возможности для тайваньских производителей, специализирующихся на выпуске DDR3, таких как Winbond, Elite Semiconductor Microelectronics Technology (ESMT) и Etron. Эти компании смогут воспользоваться дефицитом и ростом цен, чтобы укрепить свои позиции на рынке и улучшить финансовые показатели. Ожидается, что преимущества от повышения цен на DDR3 станут очевидными для тайваньских производителей уже в ближайшие кварталы.

Несмотря на постепенный переход отрасли к новым стандартам памяти, спрос на DDR3 остаётся высоким благодаря широкому применению в различных устройствах. Например, большинство точек доступа WiFi 6 и даже готовящиеся к выпуску устройства следующего поколения WiFi 7 по-прежнему используют преимущественно DDR3 и DDR4. Кроме того, DDR3 продолжает активно применяться в периферийных вычислительных системах.

Таким образом, сочетание сокращения предложения и стабильно высокого спроса создаёт предпосылки для дальнейшего повышения цен на DDR3 в обозримом будущем. Хотя в долгосрочной перспективе рынок неизбежно будет смещаться в сторону более современных типов памяти, текущая ситуация благоприятна для производителей DDR3 и позволяет им укрепить своё финансовое положение.

Если активность TSMC на территории Японии можно объяснить заинтересованностью местных властей в возрождении национальной полупроводниковой промышленности, то Micron Technology предприятиями по выпуску оперативной памяти в Японии располагает с 2012 года, а потому строительство нового говорит о расширении производственной базы в этой стране.

Источник изображения: Micron Technology

Около 12 лет назад Micron Technology поглотила основанную в 1999 году японскую компанию Elpida Memory, с тех пор первая выпускает часть продукции на территории Страны восходящего солнца. Существующие предприятия Micron расположены в Хиросиме, но к концу 2027 года здесь появится ещё одно, способное выпускать микросхемы DRAM по литографической технологии 10-нм класса типа «гамма» (1γ), на его строительство предполагается выделить около $5,1 млрд.

Об этом сообщает Nikkei со ссылкой на японские СМИ. Власти Японии готовы предоставить Micron около $1,3 млрд субсидий на строительство нового предприятия. Для работы данного завода потребуются литографические сканеры ASML класса EUV, которые позволяют изготавливать чипы по современным техпроцессам. Первоначально Micron хотела построить новое предприятие в 2024 году, но рыночные условия вынудили компанию перенести график строительства на более поздний срок. Теперь возведение завода начнётся в 2026 году, а к работе он приступит к концу 2027 года.

Как отмечает TrendForce, в марте и апреле цены на микросхемы памяти типа DDR4 стабилизировались после примерно четырёх месяцев непрерывного роста, но этой стабильности теперь угрожает ситуация с балансом спроса и предложения на микросхемы HBM, которые могут выпускаться на тех же предприятиях, что и DDR4 или DDR5. Цены на память двух последних типов в текущем квартале могут вырасти минимум на 5–10 %.

Источник изображения: Micron Technology

Материал на страницах TrendForce ссылается на опубликованную Nikkei на прошлой неделе новость о намерениях поставщиков памяти поднять цены на DRAM на 5 или 10 % относительно первого квартала. Представители ресурса поясняют, что на данном этапе основным фактором, вызывающим рост цен на DDR4/DDR5, станет дефицит мощностей для выпуска HBM. Как уже отмечалось накануне, производство последнего типа памяти требует большего количества кремниевых пластин, поскольку кристаллы HBM сами по себе крупнее, да и уровень брака при производстве стеков HBM достаточно высок. Переориентируя производственные линии DRAM под выпуск более прибыльной HBM, компании невольно сокращают мощности, на которых можно выпускать DDR, и это предсказуемо создаёт условия для роста цен.

В сегменте HBM темпы строительства новых предприятий будут зависеть от прибыльности данного бизнеса. Сейчас все квоты на производство HBM у основных поставщиков уже распределены не только до конца текущего, но и на значительную часть следующего года. Новые же предприятия будут введены в строй не ранее следующего года. На рынок при этом выходят ускорители Nvidia с увеличенным объёмом памяти типа HBM3E, это лишь повышает спрос на соответствующие микросхемы. Стало быть, формируются условия для роста цен на прочие типы DRAM и дефицит предложения.

Экспансию производства памяти типа HBM с не совсем очевидной стороны попробовали оценить аналитики TrendForce. По их мнению, к концу этого года на производство HBM будут уходить до 35 % кремниевых пластин, обрабатываемых с использованием передовой литографии, применяемых для выпуска оперативной памяти (DRAM).

Источник изображения: Micron Technology

Если рассматривать техпроцессы 10-нм класса в целом, то они к концу года, по мнению специалистов TrendForce, будут использоваться для обработки до 40 % кремниевых пластин, используемых при производстве памяти DRAM. Как можно понять, основная часть таких пластин будет направляться в производство HBM. Во-первых, при выпуске HBM не так уж высок уровень выхода годной продукции, он сейчас составляет 50 или 60 % от силы. Во-вторых, кристаллы чипов памяти HBM имеют на 60 % большую площадь по сравнению с другими популярными типами DRAM, поэтому с одной пластины можно получить меньше чипов HBM, пригодных для использования по назначению. Соответственно, для выпуска памяти HBM по этой причине требуется больше кремниевых пластин. Если 35 % передовых пластин к концу года будут использоваться при производстве HBM, то оставшиеся 65 % распределят между собой LPDDR5X и DDR5.

Более того, эксперты TrendForce считают, что HBM3E в этом году успеет стать доминирующим на конвейере типом памяти HBM. Компании SK hynix и Micron её уже выпускают в массовых количествах для Nvidia, используя техпроцессы 10-нм класса типа «бета» для обработки кремниевых пластин. Компания Samsung Electronics готовится начать поставки своей памяти HBM3E для нужд Nvidia в середине текущего года. Она будет использовать техпроцессы 10-нм класса типа «альфа» для обработки соответствующих кремниевых пластин.

Спрос на кремниевые пластины при выпуске DRAM растёт ещё и по причине повышения среднего объёма памяти в удельном выражении на одно устройство. Больше всего тенденция выражена в серверном сегменте, где средний объём ОЗУ для сервера достиг 1,75 Тбайт из-за высокой популярности систем искусственного интеллекта. К концу текущего года, помимо прочего, DDR5 начнёт доминировать на рынке ОЗУ, перевалив за 50 % в показателях доли рынка.

Во втором полугодии вырастет сезонный спрос как на HBM3E, так и на DDR5 и LPDDR5X. При этом производители памяти будут осторожно наращивать свои мощности после ударившего по ним в прошлом году кризиса перепроизводства. Поскольку больше кремниевых пластин будет требоваться для выпуска HBM3E, то может возникнуть дефицит сырья для производства DDR5 и LPDDR5X. Цены на два последних типа памяти могут в результате вырасти.

Производители DRAM при этом могут столкнуться с полной загрузкой своих существующих предприятий к концу этого года, а планы по расширению мощностей они будут реализовывать лишь в следующем, поэтому в какой-то момент может сложиться дефицит мощностей по выпуску микросхем DRAM. Ускорители вычислений типа Nvidia GB200, оснащаемые 384 Гбайт памяти HBM3E в максимальной конфигурации, будут только усиливать спрос на память соответствующего типа. Разработка HBM4 тоже будет поддерживать тенденцию к росту спроса на кремниевые пластины, поэтому нехватка мощностей может стать серьёзной проблемой для производителей прочих типов DRAM. Финансировать же строительство новых линий они готовы лишь в том случае, если цены на память будут достаточно высокими, чтобы получать подходящую для этого прибыль.