Теги → dram
Быстрый переход

Samsung увеличит инвестиции в производство полупроводников в этом десятилетии до $151 миллиарда

Фантастический спрос на микрочипы побуждает производителей больше в них инвестировать. Компания Samsung намерена вложить огромные средства в производство полупроводников, причём, по сравнению с планами 2019 года, сумма ожидаемых инвестиций увеличилась на десятки миллиардов долларов.

https://www.sammobile.com

Если в 2019 году компания намеревалась потратить в этой сфере $115 миллиардов к 2030 году, то теперь эта сумма увеличилась до 151 миллиарда. На решение южнокорейского техногиганта повлиял сильнейший за минувшие десятилетия дефицит электронных комплектующих.

Компания намерена использовать дополнительные средства для разработки передовых технологий и расширения производства. Сейчас её полупроводниковый бизнес разбит на два кластера: Samsung Foundry разрабатывает архитектуру чипов, а System LSI занимается непосредственно производством, в том числе для сторонних заказчиков. Инвестиции в System LSI позволят расширить присутствие на рынке технологий нового поколения вроде 5G, систем искусственного интеллекта и автономного вождения.

Также объявлено, что производитель начал строительство нового завода P3 по производству полупроводников в Южной Корее. Массовый выпуск микросхем DRAM в соответствии с 14-нм техпроцессом и 5-нм чипов на основе EUV-литографии начнётся во второй половине 2022 года. Ожидается, что завод P3 откроется на шесть месяцев раньше графика, поэтому компания имеет временной резерв для того, чтобы определить приоритетные направления производства.

По словам заместителя председателя Samsung Electronics и главы Device Solutions Division доктора Кинама Кима (Kinam Kim), «вся полупроводниковая индустрия пришла к переломному моменту и теперь настало время наметить план для формирования долговременной стратегии и инвестиций. Для бизнеса, связанного с модулями памяти, где Samsung сохраняет безусловно лидирующую позицию, компания продолжит делать превентивные инвестиции для того, чтобы сохранять ведущую роль в отрасли».

Пока Samsung является одним из крупнейших производителей чипов в мире. При этом компания уступает тайваньской TSMC в разработке и внедрении передовых техпроцессов. Южнокорейский производитель намерен догнать и перегнать TSMC в этой сфере к 2030 году.

Samsung призналась, что её чипы DRAM «10-нм класса» выпускаются по техпроцессам выше 14 нм

Среди пользователей принято иронизировать над целой чередой «плюсов» при обозначении 14-нм техпроцессов Intel. Но отказ производителей памяти указывать техпроцессы для чипов DRAM представляется более масштабной жертвой маркетинговых войн. Производители памяти одиннадцать лет скрывают точные цифры техпроцессов выпуска памяти, но правда иногда всплывает и она шокирует.

Впервые о переходе на «классы» при обозначении техпроцесса производства памяти мы услышали в апреле 2010 года. Тогда компания Samsung ввела понятие «20-нм класса», заявив об этом в связи с анонсом новой памяти NAND. Произошло это, по всей видимости, по той причине, что техпроцесс Samsung стал отставать от конкурентов. Вскоре за Samsung последовали остальные производители, и мы только и слышали, что о поколениях памяти 20-нм и, позже, 10-нм классов.

Память класса 10-нм выпускается с 2013 года. Какая это память — 19-нм, 17-нм или меньше — можно было узнать только из неофициальных источников. По слухам, дальше всех вниз по лестнице технологических норм продвинулась компания Micron. Она якобы смогла наладить на Тайване то ли 14-нм производство DRAM, то ли 13-нм. Более того, в январе этого года Micron как громом поразила отрасль, заявив, что начала опытное производство чипов памяти с нормами в «нижней части 10-нм техпроцесса». Это означало, что компания первой начала выпускать DRAM с нормами 13 нм или менее.

Подобное заявление стало вызовом лидеру рынка DRAM компании Samsung, и её представители не смогли долго молчать. На днях на квартальной конференции один из старших руководителей Samsung признался, что память DRAM с нормами 14 нм под кодовым названием D1a компания начнёт выпускать позже в текущем году (скорее всего — во второй половине года). Это признание стало первым за 11 лет, что само по себе подчёркивает напряжённость конкурентной борьбы на рынке DRAM.

По мнению аналитиков, Samsung важно было дать понять инвесторам, что она несильно отстаёт от компании Micron по технологичности производства чипов DRAM. Более того, по ряду вещей она серьёзно опережает Micron. Например, Micron для производства DRAM всё ещё использует 193-нм сканеры, тогда как Samsung память поколения D1a будет выпускать преимущественно с использованием 13,5-нм сканеров EUV. Но факт остаётся фактом: в 10-нм классе продуктов DRAM компании Samsung центр тяжести был на дальнем конце шкалы.

SK hynix ускорит повышение объёмов производства памяти, использовав часть бюджета следующего года

Прогнозирование спроса на память было непростой задачей и в прежних условиях, а с утратой рынком стабильности становится своего рода «азартной игрой». Цены на оперативную память пока идут вверх, что определённо нравится производителям. И всё же, SK hynix воздержаться от увеличения объёмов выпуска не сможет, для чего даже займёт часть бюджета следующего года.

Источник изображения: Korea Portal

Источник изображения: Korea Portal

Как уже отмечалось недавно, в текущем квартале SK hynix рассчитывает последовательно увеличить выручку на 10 %, а операционную прибыль удвоить. В минувшем квартале операционная прибыль корейского производителя памяти выросла на 38 % по сравнению с аналогичным периодом предыдущего года. Первый квартал нынешнего года нарушил все сезонные тенденции, поскольку спрос на память в сегменте смартфонов и ПК оказался выше ожидаемого. В ближайшее время SK hynix, как отмечает Korea Portal, ожидает роста спроса на оперативную память на 30 %, на твердотельную память — на 35 %.

О готовности компании перенести часть бюджета 2022 года на второе полугодие текущего уже сообщил финансовый директор SK hynix Но Чон Вон (Noh Jong-won). В какой пропорции это будет сделано, не уточняется, но средства будут направлены на увеличение объёмов производства микросхем памяти. Если компания будет наращивать объёмы производства достаточно интенсивно, то и цены начнут снижаться быстрее, чем ожидалось, хотя в условиях нынешнего кризиса это никто гарантировать не берётся.

В текущем квартале цены на оперативную память продолжат расти

По прогнозам экспертов, цены на микросхемы оперативной памяти продолжат расти в текущем квартале, что позволит корейским производителям увеличить операционную прибыль. Цены на твердотельную память вернутся к росту впервые за четыре квартала, поскольку производители не стремятся много средств вкладывать в расширение мощностей.

Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

Как отмечают корейские источники, по итогам второго квартала Samsung Electronics хоть и продемонстрирует последовательное снижение выручки на 3 %, сможет увеличить операционную прибыль на 9 %. По оценкам экспертов, это будет обусловлено ростом средней цены реализации оперативной памяти, предназначенной для серверных и настольных систем. Показатель должен увеличиться на 13 % в последовательном сравнении. Спрос на оперативную память в серверном сегменте будет стимулироваться выходом 10-нм процессоров Intel Xeon семейства Ice Lake-SP. В мобильном сегменте тоже будет наблюдаться рост спроса на оперативную память.

Для компании SK hynix прогноз выглядит ещё более радужным. По итогам второго квартала выручка должна увеличиться последовательно на 10 %, а операционная прибыль вообще удвоится. Уже в первом квартале баланс спроса и предложения на память в сегменте ПК приблизился к равновесному состоянию, а в текущем спрос на память будет подогреваться и в серверном сегменте. Если в этом году производители будут активнее вкладываться в новые линии по выпуску оперативной памяти, то в следующем году цены опять пойдут вниз.

Цены на модули ОЗУ взлетят почти на треть из-за резкого подорожания чипов DRAM в апреле

На фоне глобального дефицита полупроводников резко выросла стоимость чипов оперативной памяти, говорится в последнем отчёте аналитической компании TrendForce. Контрактная цена 8-гигабитных микросхем DDR4 DRAM, широко использующихся для производства модулей ОЗУ для ПК и ноутбуков, в этом месяце выросла до $3,80. Это на 26,67 % выше, чем было в прошлом месяце.

В отчёте говорится, что это самый большой ежемесячный рост контрактной цены, который наблюдался с января 2017 года, когда стоимость чипов резко выросла на 35,8 процентов. В январе текущего года контрактные цены на память выросли на 5 %, но затем стабилизировались. Однако в апреле они показали резкий рост после обсуждений ведущими производителями своих дальнейших ценовых политик на второй квартал текущего года.

«На фоне возросших объёмов производства ноутбуков можно ожидать, что цены на модули ОЗУ для ПК во втором квартале 2021 года вырастут 23–28 %. Мировая вакцинация проходит медленно. Поэтому есть предпосылки считать, что многие по-прежнему будут работать и учиться из дома, что создаст повышение спроса на лэптопы», — говорится в отчёте TrendForce, который цитирует южнокорейское информационное агентство Yonhap.

Аналитики также прогнозируют рост стоимости серверной оперативной памяти на 20–25 процентов в апреле–июне, поскольку многие компании наращивают инвестиции в IT-сектор и облачные технологии.

«В первом квартале 2021 года наблюдалось снижение поставок, поэтому компании захотят восполнить пробелы во втором. Поставщики находятся в более выгодном положении в вопросах обсуждения цен, потому что рынок памяти DRAM — это олигополия», — отмечают эксперты.

Контрактные цены на микросхемы флеш-памяти NAND тоже начали ползти вверх. Например, стоимость 128-гбитных (16 Гбайт) чипов флеш-памяти MLC NAND выросла на 8,57 % и составила $4,56 в апреле. До этого в течение шести предыдущих месяцев она снизилась до $4,20. Согласно более ранним прогнозам TrendForce, контрактная стоимость чипов NAND должна была вырасти на 3–8 процентов во втором квартале этого года, поскольку с её поставками нет проблем.

Больше всего от роста цен на чипы DRAM и флеш-память NAND выиграют южнокорейские компании, поскольку двумя крупнейшими поставщиками этих типов памяти являются местные Samsung Electronics и SK Hynix. По данным TrendForce, по итогу 2020 года на обе компании пришлись 71,6 % поставок чипов DRAM, а также 44,5 % чипов флеш-память NAND. Оба производителя уже поделились оптимистичными прогнозами в рамках своих последних финансовых отчётов. По их мнению, спрос на чипы DRAM и флеш-память NAND вырастет по итогам года примерно 20, а также на более 30 процентов соответственно.

Высокий спрос на память поднял выручку SK hynix в первом квартале. Компания пообещала нарастить производство

Компания SK hynix объявила результаты работы в первом квартале календарного 2021 года. Для неё и для других производителей памяти это был удачный квартал, хотя обычно первые три месяца года — это сезон низких продаж. Но самое важное, что SK hynix не будет создавать искусственного дефицита на DRAM и NAND и обещает увеличить производство как одной, так и другой памяти.

Консолидированная выручка производителя за первый квартал 2021 года составила 8,494 трлн вон ($7,64 млрд), а операционная прибыль выросла до 1,324 трлн вон ($1,19 млрд). Рост состоялся как в квартальном отношении, так и за год. Рост за год оказался особенно внушительным. Снижение цен на память недолго радовало нас с вами. Пандемия коронавируса COVID-19 начала цикл роста цен на память раньше, чем это могло произойти в обычных условиях.

Интересно отметить, что чистая прибыль SK hynix за отчётный период в поквартальном сравнении снизилась на 44 % до 993 млрд вон ($893 млн). Компания не объясняет этот факт в пресс-релизе, но снижение чистой прибыли может означать инвестиции в производственные мощности и разработку техпроцессов, которые SK hynix не прекращает совершенствовать.

В частности, компания сообщила о скором завершении разработки техпроцесса 1αnm (альфа) с использованием EUV-сканеров и в данный момент собирается расширять выпуск DRAM с использованием техпроцесса 1Znm. В пересчёте на биты в первом квартале производство оперативной памяти SK hynix выросло на 4 % за квартал. Во втором квартале компания также будет наращивать производство чипов DRAM, ожидая дальнейшего роста спроса на память и роста цен на эту продукцию.

Финансовые показатели SK Hynix. Источник изображения: SK Hynix

Финансовые показатели SK hynix. Источник изображения: SK hynix

Помимо компьютерной памяти компания сосредоточилась на увеличении производства памяти для смартфонов и для видеокарт. Для смартфонов, например, рост поставок памяти в пересчёте на ёмкость достиг 21 % за квартал. Со второго квартала SK hynix обещает начать поставки модулей MCP (многочиповых) с объёмом 12 Гбайт DRAM.

Что касается флэш-памяти NAND, то SK hynix увеличит ассортимент продукции на 128-слойной NAND, чтобы нарастить продажи корпоративных твердотельных накопителей, и начнет массовое производство продукции на 176-слойной NAND, используя накопленные ноу-хау 128-слойной технологии. Компания будет и дальше укреплять технологическую конкурентоспособность в области NAND-флеш в целом.

Отдельно добавим, компания утвердила стратегию декарбонизации производства памяти, которая предусматривает полный переход на электричество из возобновляемых источников к 2050 году.

Оперативная память стала дорожать быстрее, чем прогнозировали аналитики

Специалисты TrendForce выявили начало быстрого роста оптовых закупочных цен на оперативную память. Исходя из мониторинга транзакций торговой площадки DRAMeXchange, выяснилось, что договорные цены на модули памяти за квартал выросли до 25 %. Это превышает данный ранее прогноз по ценам на память во втором квартале 2021 года, что вынуждает аналитиков корректировать предсказание в сторону ухудшения ситуации с памятью.

В настоящий момент, заявляют в TrendForce, продавцы и покупатели памяти находятся в критической стадии переговоров по заключению контрактов на поставку модулей памяти во втором квартале. Эти переговоры проходят в условиях, когда цена на 8-Гбайт модули DDR4, к примеру, за квартал выросла на 25 %, хотя ранее ожидалось, что квартальный рост цен на память едва ли превысит 18%. Поэтому предыдущий прогноз о среднем росте цен на память во втором квартале в пределах 13–18 % можно благополучно забыть. Новый прогноз предполагает, что во втором квартале средние цены на память увеличатся на 18–23 %.

В TrendForce подчёркивают, что на рынке памяти сложилась устойчивая олигополия — монополия немногих производителей. Это позволяет им диктовать цены на дефицитную продукцию. Дефицит же возник в условиях роста спроса на ноутбуки в условиях пандемии коронавируса COVID-19, когда учёба и работа переместились из аудиторий и офисов в домашние условия.

Скорректированный прогноз по росту цен на память во втьором квартале 2021 года. Источник изображения: TrendForce

Скорректированный прогноз по росту цен на оперативную память во втором квартале 2021 года. Источник изображения: TrendForce

Поскольку возможности для производства памяти ограниченные, например, линии необходимо перестраивать на выпуск тех или иных чипов — DDR3/4, графической памяти, мобильной или специальной — кто-то всегда рискует недополучить свой вид продукции. Это рождает опасения и не позволяет смело торговаться с поставщиками. Это отчётливо будет заметно в сфере памяти для персональных компьютеров, где аналитики во втором квартале ожидают самый большой рост цен — на уровне 23–28 %. Ежеквартальное производство ноутбуков во втором квартале обещает вырасти на 7,9 % по сравнению с первым кварталом этого года и это потянет за собой спрос на оперативную память, которой всем может не хватить.

На рынке серверной памяти специалисты ожидают квартального роста цен на 20–25 %. Память в этом сегменте будет расти не так стремительно, но всё равно опережающими предыдущие прогнозы темпами. Миграция в облака, COVID-19, дефицит и прочее заставит покупателей быть сговорчивее при заключении квартальных контрактов на закупку памяти серверного назначения.

Samsung укрепила доминирующее положение на рынке памяти для смартфонов в 2020 году

По данным аналитической компании Strategy Analytics, на долю Samsung Electronics, крупнейшего в мире производителя памяти DRAM и NAND, по итогам 2020 года приходилось 49 % глобального рынка памяти для смартфонов. По сравнению с 2019 годом показатель улучшился на два процентных пункта, что говорит о более чем уверенном доминировании южнокорейской компании в этом сегменте.

Что касается конкурентов Samsung на рыке памяти для смартфонов, то на второй строчке рейтинга с долей в 21 % расположилась южнокорейская компания SK hynix, а замыкает тройку лидеров американская Micron Technologies, которая по итогам 2020 года заняла 13 % рынка. В целом же глобальный рынок памяти для смартфонов в прошлом году вырос на 4 % по сравнению с предыдущим годом и достиг в $41 млрд.

Доля Samsung в сегменте модулей оперативной памяти DRAM для смартфонов составила 55 %, тогда как годом ранее этот показатель был равен 50,9 %. Доля SK hynix в этом сегменте упала с 29,2 % в 2019 году до 24 % в 2020 году, а вот Micron немного расширила своё присутствие с 18,5 % до 20 %. Общая выручка внутри рынка памяти DRAM для смартфонов за прошлый год выросла только 1 % из-за невысокого спроса на продукцию данного типа.

На рынке флеш-памяти NAND для смартфонов доля Samsung составила 42 %. В тройку лидеров в этом сегменте также вошли японская компания Kioxia с долей в 22 % и южнокорейская SK hynix, занявшая 17 % рынка. По данным Strategy Analytics, глобальный рынок флеш-памяти NAND для смартфонов продемонстрировал рост на уровне 8 % в годовом исчислении благодаря устойчивому спросу на флеш-накопители большой ёмкости, построенные на базе модулей NAND.

SK hynix рассчитывает заключить с Bosch контракт на поставку автокомпонентов сроком на десять лет

Многие производители электроники в свете роста популярности электромобилей видят хороший потенциал в автомобильном секторе, южнокорейская SK hynix не является исключением. По некоторым данным, она намеревается заключить с концерном Bosch контракт на поставку полупроводниковых компонентов сроком на десять лет.

Источник изображения: SK hynix

Источник изображения: SK hynix

О проведении переговоров между двумя компаниями со ссылкой на отраслевые источники сообщило корейское издание Pulse News. Ожидается, что именно поставки микросхем памяти станут главным предметом контракта SK hynix с компанией Bosch, являющейся одним из крупнейших производителей автокомпонентов. Для корейского поставщика это будет первый долгосрочный контракт в автомобильном сегменте.

Современный автомобиль уже содержит не менее 300 полупроводниковых компонентов, а с появлением систем активной помощи водителю третьего уровня это количество возрастает до 2000 позиций. Эволюционируют и бортовые информационно-развлекательные системы, им требуется всё больше памяти, как и смартфонам. В этом году, по прогнозам TrendForce, среднестатистический объём памяти бортовых систем нового автомобиля достигнет 4 Гбайт, удвоившись по сравнению с 2019 годом. К 2024 году показатель вырастет до 8 Гбайт, и автомобильная промышленность станет потреблять более трёх процентов всей выпускаемой оперативной памяти против нынешнего одного.

Ещё в 2016 году, как отмечают корейские источники, SK hynix сформировала рабочую группу, отвечающую за стратегию продвижения микросхем памяти на автомобильном рынке. Она адаптирует к нуждам этого сегмента как микросхемы DRAM, так и микросхемы NAND. Команда из примерно ста человек не только разрабатывает микросхемы памяти, но и способствует успешной их сертификации по требованиям отраслевых стандартов.

SK Hynix пообещала создать 600-слойные чипы флеш-памяти NAND — сейчас они насчитывают до 176 слоёв

Чипы флеш-памяти типа NAND получат более 600 слоёв по мере развития технологий памяти — об этом заявил исполнительный директор SK Hynix Ли Сок Хи (Lee Seok-hee) на международной конференции International Reliability Physics Symposium (IRPS), организованной Институтом инженеров электротехники и электроники (IEEE).

Yonhap

Yonhap

Господин Ли сказал: «Как в области DRAM, так и в сфере NAND компания работает над улучшением не только материалов полупроводников памяти, но и конструктивных структур и надёжности, чтобы повысить технологическую отдачу. Если нынешние усилия окажутся успешными, мы сможем масштабировать чипы DRAM ниже 10-нм техпроцесса и укладывать NAND более чем в 600 слоёв».

Стоит отметить, что самая совершенная на сегодняшний день флэш-память NAND имеет «лишь» 176 слоёв — она разработана американской компанией Micron. SK Hynix стала вторым разработчиком 176-слойного чипа в прошлом году и планирует начать массовое производство таких решений в этом году, раньше, чем Samsung Electronics.

Samsung Electronics

Samsung Electronics

Комментарии Ли по поводу разработки 600-слойного чипа показывают желание компании оставаться в лидерах мирового производства чипов NAND и уверенность в достижимости таких показателей.

Производитель в настоящее время улучшает структуры своей технологии травления HARC, чтобы иметь возможность укладывать больше слоёв при производстве NAND. По словам руководителя, компания также применила технологию атомно-слоевого осаждения для сохранения диэлектрических характеристик ячейки. А для решения проблемы напряжения плёнки, компания пытается оптимизировать оксидный и нитридный материалы ячейки.

Надёжность также является ключевым фактором для чипов памяти с расширением их сферы применения. «До сих пор для удовлетворения потребностей различных задач и клиентов требовались высокая плотность, высокая скорость и низкая мощность, — сказал он. — Но теперь, помимо этих требований, растёт запрос на высокие показатели надёжности для растущих рынков умных информационных и коммуникационных технологий вроде самоходных автомобилей и интеллектуального здравоохранения, где память будет, как ожидается, работать в течение длительного периода времени в экстремальных условиях».

SK hynix

SK hynix

Чтобы преодолеть ограничения производительности памяти в ближайшие 10 лет, производители начнут объединять память DRAM в одной упаковке или на одном кристалле с другими системными компонентами вроде центрального процессора. Среди преимуществ SSD по сравнению с HDD он назвал низкое энергопотребление NAND, позволяющее сократить выбросы углекислого газа на 93 %. «Если жёсткие диски в центрах обработки данных по всему миру будут заменены твердотельными накопителями, то к 2030 году мир сможет сократить выбросы углекислого газа на 41 миллион тонн, — сказал руководитель. — SK Hynix продолжит внедрять решения, которые помогают снизить потребление энергии и при этом предлагают лучшие вычислительные характеристики».

Резкий рост цен на память начал угрожать производству принтеров

Дисбаланс спроса и предложения на рынке полупроводниковых компонентов перестал быть управляемым. Участники рынка один за одним сообщают о новых последствиях наблюдаемых процессов. С начала года цена оперативной памяти на рынке моментальных сделок взлетела на 60 %, и теперь на нехватку памяти начали жаловаться производители принтеров.

Источник изображения: Nikkei Asian Review

Источник изображения: Nikkei Asian Review

Как поясняет Nikkei Asian Review, рынок моментальных сделок формирует не более 10 % сегмента микросхем оперативной памяти, но медианная цена микросхем DDR4 ёмкостью 4 Гбита с начала года выросла на 60 % и достигла максимального значения с марта прошлого года. Подобная динамика говорит о значительном превышении спросом возможностей предложения. По словам некоторых участников рынка, нынешняя ситуация может представлять угрозу для производителей принтеров, которые вынуждены обращаться для покупок памяти на рынок моментальных сделок.

Сохранение тенденции удалённой работы поддерживает спрос на принтеры для домашнего применения. Обычно производители закупают память большими партиями раз в несколько месяцев, но резкие изменения спроса заставили их обратиться на рынок моментальных сделок. В феврале производители памяти начали отдавать предпочтение более выгодным видам продукции, на рынке моментальных сделок возник дефицит предложения.

Оставшиеся 90 % рынка памяти относятся к сегменту долгосрочных контрактов, но и здесь в феврале наблюдался рост цен примерно на 10 % в последовательном сравнении. Многие клиенты начали перестраховываться и формировать заказы с существенным запасом по сравнению со своими реальными потребностями. Пока производители увеличат объёмы выпуска продукции, пройдёт какое-то время. Поставщики памяти считают, что улучшения ситуации следует ожидать не ранее июня этого года.

Оперативная память начала дорожать ускоренными темпами

Всего месяц назад аналитики осторожно оценивали тенденции к возможному росту цен на оперативную память. Но уже сегодня становится понятно, что цены на память удержать невозможно. Ситуация вышла из-под контроля и грозит резким подорожанием чипов DRAM абсолютно во всех категориях продуктов.

Аналитики TrendForce объявили, что рынок DRAM вступил в новый цикл роста цен. В среднем за первый квартал 2021 года подорожание памяти составит 3–8 %, но уже во втором квартале память станет дороже ещё на 13–18 %. Речь идёт о контрактных ценах на память. Это означает, что цены в закупках по срочным сделкам вырастут ещё сильнее, как и сильнее подорожает память в готовой продукции.

На рынке памяти для ПК погоду будут делать ноутбуки. Высокий спрос на мобильные системы сохраняется на фоне «экономики карантина», как аналитики стали называть удалённую работу и учёбу в период пандемии COVID-19. Производители ноутбуков имеют сравнительно низкие запасы памяти, поэтому опасения дефицита и роста цен заставят нарастить закупки модулей DRAM и ещё сильнее подстегнут контрактные цены. Тем самым во втором квартале рост цен на оперативную память для ПК составит 13–18%, хотя в первом квартале этот показатель был на уровне 3–8 %.

Цены на серверную память во втором квартале текущего года вырастут сильнее — до 20 %. Второй квартал обычно характеризуется активностью на серверном рынке. Производители памяти, что интересно, не спешат наращивать производство памяти в целом и серверной в частности, отдавая часть мощностей под выпуск датчиков изображений и ставших дефицитными других полупроводниковых компонентов. Тем самым, например, производственные мощности по выпуску чипов DRAM во втором квартале будет далеки от показателей выпуска середины прошлого года.

Рост цен на память для смартфонов и других мобильных применений будет самым небольшим — до 15 %. В целом на этом рынке могло не быть ажиотажа, но некоторые производители смартфонов решили перестраховаться и создать более значительные запасы памяти. На это повлияли опасения, что производители памяти отдадут часть мощностей под выпуск более рентабельной серверной памяти, что не лишено основания.

Ожидаемый рост цен на оперативную память в первом и втором кварталах 2021 года. Источник изображения: TrendForce

Ожидаемый рост цен на оперативную память в первом и втором кварталах 2021 года. Источник изображения: TrendForce

В сегменте графической памяти свои проблемы, которые также ускорят рост цен на эту категорию продуктов. Во-первых, образовался перекос в сторону производства памяти GDDR6, как более рентабельной. Массовая память GDDR5 рискует попасть в категорию дефицитной. Во-вторых, снова активизировались майнеры криптовалют, а в новом сезоне в ход пошли даже ноутбуки. Тем самым графическая память остро востребована во всех трёх основных категориях продуктов: в видеокартах, в платформах для майнинга и в приставках. Это ускорит рост цен на графическую память во втором квартале до 10–15 %. Дальнейшее повышение цен на криптовалюту может значительно изменить эти показатели.

Но самой дефицитной обещает оказаться память для потребительской электроники. Экономика карантина, развитие сетей 5G, миграция мощностей для нужд полупроводников в других категориях и множество других причин ведёт к тому, что производители снижают объёмы выпуска памяти DDR3. Всё это приведёт к росту цен на такую память во втором квартале до 20 %.

Автомобили через три года будут потреблять более 3 % всей оперативной памяти DRAM

По мере того, как автомобили становятся умнее, они будут потреблять всё больше и больше оперативной памяти. По прогнозам аналитиков TrendForce, к 2024 году на нужды автомобильной электроники ежегодно будет уходить свыше 3 % объёма от общего производства чипов DRAM.

В автомобильной электронике оперативная память идёт на выпуск четырёх категорий продуктов: информационно-развлекательных систем, систем помощи водителям (ADAS), устройств сбора/передачи телеметрии, а также для обслуживания цифровых кластеров в виде приборной панели и узлов. Основными потребителями чипов DRAM являются мультимедийная электроника и ADAS. Причём вторая будет расти быстрее, поскольку системы помощи водителям имеют больший потенциал для роста (ИИ, датчики, автопилоты и прочее).

Быстрый рост потребления памяти развлекательными системами обусловлен простой причиной — они не требуют особенно строгой сертификации в отличие от тех же систем помощи водителю. Сегодня в среднем подобные системы используют 1–2 Гбайт ОЗУ, но рост разрешения встроенных дисплеев и внедрение богатства функций подталкивает разработчиков увеличить объём бортовой памяти в информационно-развлекательной электронике до 4–8 Гбайт. При этом ожидается переход от памяти DDR3 к памяти LPDDR4.

Динамика потребления оперативной памяти автомобильной электроникой. Источник изображения: TrendForce

Динамика потребления оперативной памяти автомобильной электроникой. Источник изображения: TrendForce

В системы помощи водителю сегодня идут чуть большие объёмы ОЗУ — 2–4 Гбайт. Эти системы сегодня находятся на низких уровнях развития и по мере увеличения числа датчиков для обработки данных, и производительности процессоров и сопроцессоров ИИ и машинного обучения будут требовать всё больший и больший объём памяти, как и устанавливать высокие требования к пропускной способности памяти. Так что кроме роста объёма памяти системы ADAS будут сопровождаться переходом на стандарты LPDDR4/4X, LPDDR5 и, со временем, на GDDR5/HBM.

Электроника для обработки телеметрии в основном использует многочиповые упаковки и память LPDRAM. Это сопровождается миграцией с LPDDR2 к LPDDR4 и LPDDR5, поскольку быстрая передача данных диктует свои условия, и по мере перехода к сетям 5G эти требования будут расти. Очевидно, что телеметрия будет отбирать память у смартфонов и другой мобильной электроники.

Наконец, цифровые кластеры — инструменты и цифровые приборные панели — сегодня потребляют от 2 до 4 Гбайт DRAM в зависимости от степени оцифровки приборов. Эта категория продуктов, считают аналитики, практически не будет увеличивать потребление и окажет меньше всего влияния на рынок оперативной памяти.

Контрактные цены на оперативную память DRAM заметно подскочили на фоне дефицита полупроводников

Поскольку три доминирующих поставщика DRAM (Samsung, SK Hynix и Micron) в настоящее время испытывают дефицит производственных мощностей, ситуация на рынке памяти остаётся сложной. Воспользовавшись тем, что рынок DRAM вступил в период циклического подъёма в I квартале 2021 года, поставщики значительно повысили контрактные цены на специализированные чипы.

Интересно, что рост цен особенно силён для продуктов, принадлежащих к нижнему сегмент плотности и нишевым областям применения. Наибольшие изменения контрактных цен наблюдаются для специализированных чипов DDR2 и DDR3. Цены на DDR4 тоже поползли вверх под влиянием роста стоимости DDR3. Средняя контрактная цена DDR3 4 Гбит, которые по-прежнему остаются основными для специализированных направлений, подскочила в феврале на 6,8 % по сравнению с январём.

Что касается чипов DDR3 2 Гбит, то их средняя контрактная цена выросла почти на 9 % за месяц. Samsung значительно повысила цены на чипы DDR4 4 Гбит в ответ на резкий рост стоимости DDR3. Контрактные цены на чипы DDR4 4 Гбит для специализированных направлений выросли примерно на 6 % за месяц, а средняя стоимость DDR4 8 Гбит увеличилась примерно на 4 % за месяц — эти чипы преимущественно используются в качестве ОЗУ для ПК и серверов. Стоит сказать, что, несмотря на заметный рост в феврале, цены по более долгосрочным квартальным контрактам с ведущими клиентами оставались стабильными.

Интересно, что сейчас DDR3 начинает превосходить DDR4 по уровню прибыльности, из-за чего поставщики DRAM меняют свои стратегии. Например, Samsung замедлила планы по переводу части производственных мощностей DRAM на выпуск датчиков CMOS. Точно так же SK Hynix прекратила сокращать производство DRAM на старой фабрике M10. Micron продолжает сокращать выпуск продукции DDR3, но темпы перехода на более передовые нормы сейчас ниже, чем ожидалось.

Если говорить о более мелких тайваньских компаниях, то, например, Nanya даже перевела часть 20-нм и 30-нм производственных мощностей с выпуска DDR4 обратно на печать DDR3. Winbond в последнее время сосредоточилась на флеш-памяти, и её производственные мощности DRAM будут оставаться ограниченными до завершения строительства новой фабрики в Гаосюне. Тем не менее, Winbond преимущественно выпускает чипы DDR2 и DDR3 небольшой ёмкости (1 Гбит и 2 Гбит), и занимает в этой области довольно значительную долю — благодаря этому она сейчас получила возможность заметно повышать цены. Наконец, PSMC в последнее время фокусируется на печати логических микросхем, но благодаря росту цен на DDR3 собирается вернуть часть производственных мощностей обратно на выпуск DRAM.

Кстати, согласно прогнозам аналитиков из DigiTimes Research и Seeking Alpha, цены на память DRAM будут расти в течение всего 2021 года.

Цены на память DRAM будут расти в течение всего 2021 года, прогнозируют аналитики

По данным ресурса DigiTimes, в течение всего 2021 года ожидается рост цен на оперативную память DRAM, поскольку Samsung, SK Hynix и Micron не планируют увеличивать объёмы её производства несмотря на возросший уровень спроса. Источник сообщает, что производители решили перестраховаться и не наращивать мощности своих производств.

Это решение может привести к ограничениям объёмов мировых поставок памяти и как следствие её удорожанию. Помимо этого, в ближайшие месяцы ожидается рост спроса на флеш-память, пишет DigiTimes. Также добавляется, что в первом квартале этого года был замечен рост спотовых цен на специализированные чипы памяти DRAM, поскольку объёмы доступных предложений не соответствовали уровню спроса. Ситуация не улучшится в ближайшие несколько кварталов, считают аналитики.

Отчёт DigiTimes появился фактически в то же время, что и комментарии финансового директора компании Micron Дэвида Зинснера (David Zinsner), выступавшего на технологической конференции, организованной Morgan Stanley. Ссылаясь на исследования Seeking Alpha Зинснер отметил, что поставки чипов памяти DRAM будут ограничены в течение всего года, что вызовет всплеск цен. Ранее Micron также заявила, что ожидает сокращения объёмов поставок памяти в первом квартале этого года. Причиной послужило отключение электричества и землетрясение, повлиявшие на работу двух тайваньских заводов компании в декабре 2020 года. Остановки производств практически гарантированно приведут к росту цен оперативной памяти DRAM.

Некоторые источники уверены, что рост цен на память DRAM продолжится и в 2022 году, поскольку текущая стоимость пластин для производства чипов гораздо ниже, чем она была при пике цены в $3000 за пластину в 2018 году. Тем не менее спрогнозировать цены на память DRAM бывает весьма сложно, особенно с учётом такой далёкой перспективы, поскольку на них могут влиять очень много различных факторов.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Новая статья: Обзор лазерного принтера Pantum BP5100DW: когда скорость решает всё 2 ч.
Новая «безуглеродная» директива ЕС подтолкнёт дата-центры к переходу на СЖО 3 ч.
Qualcomm отчиталась об успешном завершении второго квартала с выручкой более $8 млрд 3 ч.
Facebook превзошла прогнозы по прибыли во втором квартале, однако опасается замедления роста в будущем 3 ч.
Oukitel представила 300-долларовый защищённый смартфон WP15 5G с батареей на 15 600 мА·ч 3 ч.
Новая статья: Обзор лэптопа HP ZBook Studio G7 (1J3W1EA): рабочая станция в корпусе ультрабука 4 ч.
Google отложила возвращение сотрудников в офисы из-за нового штамма коронавируса 5 ч.
Sapphire выпустила башенный кулер Nitro LTC для процессоров AMD с уровнем TDP до 100 Вт 6 ч.
Магнитная зарядка Realme MagDart подойдёт не только смартфонам, но и ноутбукам, планшетам и другим устройствам 7 ч.
Huawei вытеснили из пятёрки лидеров китайского рынка смартфонов 7 ч.