Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Дефицит открыл китайской памяти путь в ноутбуки HP, Dell, Acer и Asus
05.02.2026 [11:28],
Алексей Разин
На рынке микросхем памяти исторически доминируют южнокорейские Samsung и SK hynix, а также американская Micron, но возникший дефицит памяти открыл новые рыночные возможности для их тайваньских и китайских конкурентов. Крупные производители ноутбуков сейчас активно присматриваются к памяти китайских марок, как сообщает Nikkei Asian Review. 
Источник изображения: Acer Лидеры мирового рынка готовых ПК в лице HP Inc., Dell, Acer и Asustek Computer (Asus) рассматривают возможность впервые приступить к закупкам памяти китайского происхождения. Американская HP Inc. уже приступила к сертификационным тестам памяти китайской компании CXMT, поскольку тем самым она стремится обеспечить себя дополнительными источниками поставок. Производитель ПК намерен наблюдать за ситуацией на рынке памяти до середины 2026 года, и если дефицит продолжит усугубляться, он готов будет приступить к закупкам памяти CXMT для тех партий продукции, которые не попадут на американский рынок. Импортировать память CXMT в США мешают высокие пошлины и ряд санкционных ограничений. Американская Dell также рассматривает возможность использования микросхем DRAM производства китайской CXMT из-за опасений по поводу сохранения тенденции к росту цен на оперативную память до конца текущего года. Ряд производителей ПК рассматривает китайских поставщиков памяти в качестве «спасителей» в ситуации, когда мировые гиганты концентрируются на снабжении своей памятью ИИ-монстров типа Nvidia, Google и Amazon. Производители недорогих электронных устройств в условиях резкого роста цен на память оказались в сложной ситуации. В Китае существуют и контрактные производители электроники, готовые изготавливать устройства по спецификациям заказчика. Они также могут получить толчок к развитию бизнеса в условиях дефицита микросхем памяти на мировом рынке, закупая её у китайских поставщиков. Тайваньская Acer, которая является шестым по величине производителем ПК в мире, уже несколько лет полагается на китайских подрядчиков при выпуске своих устройств. Если последние начнут закупать китайскую память, Acer не будет этому противиться. Конкурирующая Asustek обратилась к своим китайским партнёрам с аналогичной просьбой. При этом тайваньским заказчикам придётся конкурировать за память китайского производства с местными компаниями типа Lenovo и Huawei. Первая, как и многие китайские производители смартфонов, уже давно использует память CXMT. Выпускающая твердотельную память китайская компания YMTC тоже не остаётся в стороне от тенденции выхода на мировые рынки. Она предлагает накопители под маркой ZhiTai на Тайване, Сингапуре, Филиппинах и Таиланде методом дистанционной торговли через T-Mall. По данным Counterpoint Research, по итогам прошлого года доля CXMT на мировом рынке памяти DRAM в денежном выражении достигла 5 %, тогда как у YMTC этот показатель составил 10 % от рынка NAND. В натуральном выражении, по количеству выпускаемой продукции, обе компании уже перевалили отметку в 10 % мирового рынка. По мнению экспертов Counterpoint Research, выпуск памяти NAND в Китае уже достиг таких масштабов, когда финансировать дальнейшее развитие можно исключительно за счёт операционной прибыли. В ближайшее время такого же уровня достигнет и производство DRAM в Китае. У выхода на мировой рынок китайской памяти может иметься и негативное последствие. Как только спрос перестанет расти, стадия перепроизводства может быть достигнута быстрее обычного. Производителям памяти придётся искать новые технические способы снижения затрат, и на это будут направлена часть их инновационной деятельности. Оперативная память DDR5 и DDR4 подорожает вдвое в этом квартале, а NAND — на 60 %
02.02.2026 [15:37],
Алексей Разин
С наступлением февраля эксперты TrendForce пришли к выводу, что сформированный ими в четвёртом квартале прогноз по динамике цен на микросхемы памяти не отображает реальной ситуации на рынке, а потому его следует скорректировать в сторону повышения, причём весьма заметно. Теперь ожидается, что DDR5 и DDR4 в этом квартале последовательно подорожает в два раза, а цены на NAND увеличатся на 55–60 %. 
Источник изображения: SK hynix Драйвером роста цен, по словам источника, остаётся высокий спрос на компоненты со стороны облачных провайдеров и серверного сегмента. Если ранее специалисты TrendForce ожидали, что в текущем квартале цены на DDR4 и DDR5 последовательно вырастут на 55–60 %, то теперь они призывают готовиться к росту на 90–95 %. Соответственно, в сегменте NAND последовательный рост цен пересмотрен с 33–38 % на 55–60 %. Не исключено, что это не последняя корректировка прогноза в сторону увеличения, поскольку ситуация меняется стремительно. В четвёртом квартале, как отмечают в TrendForce, объёмы поставок ПК превысили ожидания, а потому дефицит памяти усилился и за счёт этого фактора. В текущем квартале цены на DDR4 и DDR5 для персональных компьютеров последовательно вырастут более чем на 100 %, обновив квартальный рекорд по величине прироста. 
Источник изображения: TrendForce В серверном сегменте покупатели пытаются формировать долгосрочные контракты с поставщиками, которые подразумевают более стабильную ценовую политику, но и здесь цены последовательно готовы вырасти на 90 % в текущем квартале, если говорить о DRAM, и это тоже окажется максимальным приростом за всю историю наблюдений. Серверные SSD в этом квартале также подорожают, пусть и на более скромные 53–58 %, хотя и это станет квартальным рекордом. На такую величину около 90 % вырастут и цены на память типов LPDDR4X и LPDDR5X, усложнив жизнь производителям смартфонов. Китайские марки будут формировать новые контракты на закупку памяти в конце февраля, поэтому можно ожидать новой волны подорожания в этот период. В сегменте NAND предложение продолжает сжиматься, поскольку многие крупные производители предпочитают переориентировать больше своих мощностей на выпуск DRAM. Всё это способствует росту цен на твердотельную память, хотя в этом квартале прирост и ограничится величиной от 55 до 60 %, что выглядит не таким резким на фоне динамики рынка DRAM. Дополнительные объёмы выпуска NAND в краткосрочной перспективе могут быть получены только за счёт модернизации используемых техпроцессов. Если цены на классическую DRAM в целом в этом квартале последовательно увеличатся на 90–95 %, то с учётом HBM прирост достигнет 80–85 %. Прежде аналитики TrendForce ожидали, что в этом квартале цены на память с учётом HBM увеличатся лишь на 50–55 %. По сути, HBM в отдельности дорожает медленнее, чем классическая DRAM. Samsung, SK hynix и Micron стали перепроверять все заказы на поставку памяти, чтобы исключить закупки впрок
01.02.2026 [16:26],
Николай Хижняк
По данным Nikkei Asia, три крупнейших производителя микросхем памяти — Micron, SK hynix и Samsung Electronics — усилили контроль за заказами клиентов, чтобы предотвратить преднамеренное накопление запасов. Источники издания сообщают, что производители чипов памяти теперь требуют от клиентов раскрывать информацию о конечных потребителях и объёмах заказов, чтобы убедиться в подлинности спроса и предотвратить перебронирование или чрезмерное накопление запасов, которые могут ещё больше дестабилизировать рынок. 
Источник изображения: Micron Продолжающийся дефицит чипов памяти сильнее всего ударит по потребительской электронике начального и среднего уровня такой, как телевизоры, телеприставки, домашние маршрутизаторы, бюджетные планшеты, смартфоны и ПК. Автомобильный сектор также может столкнуться со значительным давлением из-за более длительных циклов сертификации. Последствия повышения цен на память уже начинают проявляться во всех сегментах потребительской электроники. По данным TrendForce, до дефицита на чипы DRAM приходилось всего 2,5–3 % от общей себестоимости компонентов при сборке тех же телевизоров. С тех пор эта доля быстро выросла до 6–7 %, что оказало значительное давление на прибыльность брендов. Менее крупные бренды с меньшим масштабом производства и ресурсами, вероятно, будут нести более тяжёлое бремя, чем гиганты рынка. На фоне роста затрат и ужесточения поставок производители ПК также могут сократить объёмы выпускаемых продуктов. Аналитики TrendForce снизили свой прогноз по поставкам ноутбуков на 2026 год, пересмотрев его снижение с 5,4 % в годовом исчислении до более резкого падения на 9,4 %. Как пишет Nikkei Asia, в ответ на дефицит некоторые производители даже начали скупать старые запасы продуктов, хранящихся на складах заказчиков. Извлечение микросхем памяти из этих устройств и их повторная установка на другие печатные платы, нередко в рамках продуктов совершенно другого сегмента, позволяет повторно использовать компоненты и обеспечить дополнительные поставки. Однако такой подход, как сообщается, ограничен вторичными рынками, которые могут мириться с потенциальными проблемами качества. Издание добавляет, что некоторые производители ПК также разрабатывают модели устройств начального уровня с дополнительными слотами для памяти, что позволит пользователям при необходимости увеличить объём памяти позже. Гиганты в сфере производства памяти недавно отреагировали на сохраняющийся дефицит. SK hynix сообщила, что её запасы DRAM резко сократились в годовом исчислении в четвёртом квартале прошлого года и, как ожидается, продолжат сокращаться во второй половине этого года, что говорит о том, что ситуация с поставками для клиентов, вероятно, останется напряженной ещё некоторое время. Что касается флеш-памяти NAND, SK hynix отметила, что её запасы — в первую очередь для SSD — сокращаются со второй половины прошлого года и сейчас находятся на уровне, сопоставимом с запасами DRAM. По информации Hankyung, запасы DRAM у Samsung сократились примерно до шести недель, что составляет примерно половину от типичных 10–12 недель. Обладая крупнейшими производственными мощностями среди большой тройки производителей памяти, Samsung имеет все шансы извлечь максимальную выгоду из сложившейся ситуации на рынке. SK hynix на фоне бума ИИ впервые обошла Samsung по величине годовой прибыли
01.02.2026 [11:45],
Алексей Разин
Исторически именно Samsung Electronics на протяжении многих лет то и дело становилась крупнейшим поставщиком полупроводниковых компонентов в мире в показателях выручки. SK hynix, которая контролирует более 60 % рынка HBM, уже обходила Samsung по квартальной прибыли, но по итогам прошлого года впервые сделала это с учётом 12-месячного периода в целом. 
Источник изображения: SK hynix Об этом позволяет судить опубликованная на уходящей неделе финансовая статистика Samsung Electronics и SK hynix, на которую ссылается издание CNBC. Именно высокая степень присутствия SK hynix в прибыльном сегменте HBM позволила компании в прошлом году получить операционную прибыль, превосходящую достижения Samsung Electronics — в целом более крупной компании. По версии Gartner, крупнейшим поставщиком полупроводниковой продукции в мире теперь является Nvidia, за ней следует Samsung, а SK hynix именно по итогам прошлого года поднялась с четвёртого места на третье, выгнав Intel из первой тройки. В национальной южнокорейской валюте операционная прибыль SK hynix за прошлый год достигла 47,2 трлн вон ($32,5 млрд), тогда как Samsung Electronics довольствовалась 43,6 трлн вон ($30 млрд). Кстати, если выделить операционную прибыль Samsung именно в сфере производства памяти, то она окажется заметно меньше предыдущей суммы — всего 24,9 трлн вон ($17,2 млрд). При этом SK hynix практически полностью концентрируется на производстве памяти, тогда как Samsung является многопрофильным холдингом. Впрочем, последняя из компаний тоже не обошлась без прогресса, ведь по итогам четвёртого квартала прошлого года в отдельности ей снова удалось стать лидером по выручке от реализации памяти. Аналитики также ожидают, что Samsung удастся укрепить свои позиции в сегменте памяти для систем ИИ после начала поставок HBM4, хотя SK hynix и сохранит за собой лидерство в этой сфере. Как ожидается, заказы Nvidia на оснащение ускорителей Vera Rubin памятью HBM4 примерно на две трети будут выполняться силами SK hynix. В третьем квартале SK hynix контролировала около 57 % выручки в сегменте HBM, на долю Samsung приходилось не более 22 %. Позиции SK hynix сильны и в более широком сегменте DRAM, который сейчас также переживает трансформацию в связи с бурным развитием инфраструктуры ИИ. Потребительская память Samsung подорожала в два-три раза с ноября, и вряд ли остановится
26.01.2026 [10:09],
Алексей Разин
В этот четверг Samsung Electronics будет отчитываться об итогах четвёртого квартала в полном формате, южнокорейская пресса в этой связи решила напомнить, что с ноября прошлого года цены на память данной марки в потребительском сегменте успели вырасти в два или три раза. Этому способствовала концентрация компании на нуждах серверного сегмента. 
Источник изображения: Samsung Electronics В корпоративном сегменте Samsung удаётся продавать память на 40 % дороже, чем в потребительском. Соответственно, компании в условиях дефицита выгоднее направлять свои ресурсы именно в корпоративный сегмент. Стоимость модуля DDR5-5600 объёмом 16 Гбайт с ноября прошлого года выросла более чем в два раза. Стоимость NAND и SSD в потребительском сегменте за этот период удвоилась, причём этой участи не избежали даже внешние накопители. Оптовым покупателям накопители Samsung объёмом 1 Тбайт и 2 Тбайт сейчас недоступны для заказа. Недавно, напомним, Samsung пришлось опровергать слухи о предстоящем повышении отпускных цен на свою память на 80 %. Так или иначе, складские запасы DRAM этой марки сократились до шести недель, хотя их обычная величина измеряется запасом, достаточным для обеспечения рынка на срок от 10 до 12 недель. Samsung остаётся крупнейшим поставщиком памяти в мире, у прочих игроков ситуация может быть ещё хуже. В серверном сегменте, как ожидает TrendForce, компания Samsung поднимет цены на DRAM на 60–70 % в текущем квартале. Контрактные цены на NAND с января Samsung тоже собирается повысить, хотя точное значение прироста пока не сообщается. Если неофициальные источники называли величину до 100 %, то знакомые с планами компании источники предпочитают упоминать более консервативный прирост, в любом случае превышающий 50 %. Примеру Samsung на рынке NAND готова последовать и конкурирующая SK hynix, а вот Sandisk якобы замахивается не 100-процентное повышение цен. В среднем, в первом квартале память типа NAND должна подорожать на 50–80 %. Взлетевшие цены на память разгонят рост рынка до 134 % в этом году — в следующем он замедлится до 53 %
24.01.2026 [07:21],
Алексей Разин
Специалисты TrendForce подсчитали, что в прошлом году выручка от реализации DRAM выросла на 73 % до $165,7 млрд, тогда как в сегменте NAND выручка ограничилась $69,7 млрд. В любом случае, этого хватило для роста совокупной выручки на 46 %. В текущем году общая динамика выручки может обеспечить её рост на 134 %, но в следующем всё ограничится увеличением на 53 %. 
Источник изображения: Micron Technology Как легко догадаться, с осени 2022 года спрос на память двигает вверх серверный сегмент, демонстрирующий растущую потребность в вычислительных мощностях для ИИ. Архитектура соответствующих серверных систем подразумевает, что основной спрос пришёлся на быструю память типа HBM, а NAND для твердотельных накопителей была востребована несколько меньше. В текущем году, по прогнозам TrendForce, выручка от реализации DRAM (к ней относится и HBM) кратно увеличится с $165,7 до $404,3 млрд, на направлении NAND она вырастет с $69,7 до $147,3 млрд. Таким образом, в сегменте DRAM выручка увеличится сразу на 144 %, но цены будут расти опережающими темпами по сравнению с объёмами производства памяти. Если исторически рост цен ограничивался 35 % в квартал, то в прошлом из-за высокого спроса на DDR5 они взлетели на 53–58 %. В текущем квартале они вырастут более чем на 60 %, как ожидают в TrendForce, а по некоторым категориям DRAM они просто удвоятся. Рост цен на DRAM не прекратится до конца текущего года. 
Источник изображения: TrendForce Архитектурные изменения в инфраструктуре ИИ будут толкать вверх и цены на NAND, поскольку в серверном рынке всё сильнее будут востребованы скоростные твердотельные накопители (SSD). Только в этом квартале цены на NAND вырастут последовательно на 55–60 %, положительная динамика сохранится до конца текущего года. Это позволит выручке от реализации NAND по итогам года увеличиться на 112 % до $147,3 млрд. В 2027 году цены продолжат расти, но темпы немного сбавятся. В частности, выручка от реализации DRAM увеличится на 65 % до $667 млрд, в сегменте NAND она и вовсе вырастет на 19 % до $175,7 млрд. Совокупная выручка от реализации обоих типов памяти вырастет только на 53 %, что тоже немало по историческим меркам. В Samsung назвали фейком информацию о скачке отпускных цен на память на 80 %
23.01.2026 [06:08],
Анжелла Марина
Samsung оперативно опровергла информацию о планируемом повышении цен на весь свой ассортимент выпускаемой памяти на 80 %. Представители компании и её партнёры по производству модулей памяти назвали распространяемые в сети данные «полной выдумкой». 
Источник изображений: Samsung По сообщению Tom's Hardware со ссылкой на тайваньское издание United Daily News, слухи о беспрецедентном подорожании возникли накануне после публикации предполагаемой внутренней служебной записки от дистрибьютора Samsung. В документе утверждалось, что из-за значительных изменений на мировом рынке полупроводников цены на всю продукцию компании будут увеличены на 80 %. Ситуацию усугубил один из инвестиционных аккаунтов в соцсети X, который ретвитнул этот документ, указав ссылку на «подтверждение» от сотрудника кампуса Samsung DS Giheung, где ведётся разработка и производство памяти. Опрошенные тайваньскими журналистами производители заявили, что не получали от Samsung никаких официальных уведомлений о подобном пересмотре ценовой политики, а в компании подтвердили, что, хотя рыночные цены действительно растут из-за сокращения предложения, одностороннее повышение стоимости продукции не входит в планы производителя. При этом некоторые дистрибьюторы начали самостоятельно поднимать отпускные цены, реагируя на информацию. Несмотря на опровержение конкретной цифры в 80 %, рынок памяти переживает кризис. В период с 2024 по 2025 год стоимость DRAM выросла на 171 % в годовом исчислении, опередив темпы роста цен на золото. Основной причиной дефицита стал высокий спрос со стороны клиентов, строящих ЦОД для искусственного интеллекта. Только за два месяца прошлого года (с сентября по ноябрь) цены Samsung на отдельные чипы памяти выросли на 60 %. Дополнительное напряжение на рынке создаёт ситуация с памятью DDR4. Ранее Samsung объявила об отсрочке прекращения выпуска этого типа памяти, однако, по имеющимся данным, это решение было продиктовано сделкой с ключевым заказчиком и вся производимая DDR4 память теперь направлена на серверный рынок. Память дорожает всерьёз и надолго: цены DDR4, DDR3 и NOR Flash будут расти не только в этом квартале
19.01.2026 [08:34],
Алексей Разин
Механизмы воздействия бума ИИ на рынок микросхем памяти давно понятны. Производители сосредотачиваются на самых выгодных видах продукции, в результате предложение менее актуальных типов памяти стремительно сокращается, а цены растут. В этом квартале микросхемы DDR4 могут подорожать на 50 %, цены на DDR3 и NOR Flash тоже ползут вверх. 
Источник изображения: Micron Technology По данным Commercial Times, в текущем квартале цены на память типа DDR4 вырастут последовательно на 50 %, и во втором квартале они продолжат расти по инерции. Переход на выпуск DDR5 провоцирует сокращение поставок DDR4, а спрос на память этого поколения не думает снижаться. В частности, интерес к DDR4 почувствовали даже производители материнских плат для ПК, не говоря уже о конечных пользователях. С другой стороны, производство DDR3 сокращается ещё сильнее, хотя память этого типа по-прежнему используется в сетевом и телекоммуникационном оборудовании, и больше всего востребованы микросхемы большой ёмкости. Цены на DDR3 на этом фоне тоже стремительно растут. Как ожидают тайваньские источники, цены на DRAM будут расти на протяжении всего 2026 года. Представители TrendForce прогнозируют, что только в этом квартале контрактные цены вырастут на 55–60 % по сравнению с предыдущим кварталом. В сегменте твердотельной памяти активнее всего дорожает NAND типов SLC и MLC, в текущем квартале на 20 или 30 % вырастут цены на NOR Flash. Впрочем, рост цен открывает определённые возможности для тайваньских производителей памяти, поскольку они стремятся занимать освобождаемые зарубежными конкурентами рыночные ниши. Поставщики памяти начали пересматривать контрактные цены несколько раз за квартал, постоянно их повышая, и очередной раунд переговоров должен пройти с конца января по февраль. Ожидается, что цены вырастут сильнее, чем закладывалось в прогноз покупателями. Как считают в TrendForce, контрактные цены на NAND в этом квартале последовательно вырастут на 33–38 %. Samsung нарастит производство памяти всего на 5 % в 2026 году
17.01.2026 [13:59],
Павел Котов
Несмотря на значительный рост мирового спроса, компания Samsung увеличит производство DRAM всего на несколько процентов в этом году. Это значит, что проблема мирового дефицита памяти сохранится, и значительного облегчения ситуации в цепочке поставок ожидать не следует. 
Источник изображений: samsung.com Проблемы с поставками вынудили крупнейших производителей памяти в лице Samsung, Micron и SK hynix принять экстренные меры для удовлетворения спроса со стороны отрасли искусственного интеллекта. Samsung направила туда часть чипов DRAM из потребительского сегмента и собирается увеличить их производство за счёт расширения предприятия в южнокорейском Пхёнтхэке. Однако, узнал ресурс DigiTimes, общий объём производства пластин DRAM компания Samsung в этом году, по прогнозам, увеличит лишь на 5 %: за 2025 год компания выпустила 7,6 млн пластин, а в этом данный показатель может составить 8 млн, и впервые компания выйдет на 2 млн пластин в квартал. Отрицательным фактором станет временная потеря мощностей, связанная с переходом Samsung на шестое поколение технологии 10 нм для DRAM. SK hynix нарастит производство на 8 % до 6,48 млн пластин в год; Micron же останется при прошлогодних 3,6 млн пластин. Но рост производства в этом году не сможет покрыть прогнозируемого спроса. Сегодня предложение DRAM удовлетворяет лишь 60 % спроса клиентов, и в серверной DRAM покрывается менее половины потребностей. Только в I квартале 2026 года рост контрактных цен на DRAM может составить от 5 % до 60 % квартал к кварталу — в сегменте NAND он ожидается в диапазоне от 33 % до 38 % за тот же период. Недостаточно высокое предложение на рынке, отмечают наблюдатели, сохранится по меньшей мере до тех пор, пока не начнёт работать завод Samsung P4 в Пхёнтхэке, а это едва ли случится до 2027 года даже при ускоренном графике. SK hynix сможет значительно нарастить мощности только после полного ввода кластера в Йонъине в эксплуатацию.  Осложняет обстановку дефицит запасов по всей цепочке: в сегменте DRAM их хватает на две или три недели, в NAND — около шести недель. С октября 2025 года производство работает на близком к максимальному уровне, и восполнять запасы мешают недостаточно высокие производственные мощности. Истощаются и запасы у клиентов. Производители серверов не имеют возможности сформировать достаточно объёмные запасы, то же касается компаний, выпускающих иную готовую продукцию — возникают опасения по поводу крупномасштабных сбоев на рынке электроники в целом. Поставщики реагируют на дефицит резком повышением цен: в четвёртом квартале некоторые клиенты согласили платить сразу на 70 % больше, чем кварталом ранее; у Samsung средняя цена продажи подскочила на 43 %. Samsung и SK hynix не решаются значительно наращивать производство DRAM, потому что слишком сильное расширение может привести к избытку предложения после того, как спрос на системы ИИ стабилизируется. По последний оценкам, запросы клиентов на DRAM могут вырасти на 30 % в годовом исчислении, причём значительную часть от этого показатели составит спрос со стороны крупных компаний и производителей чипов, в том числе AMD и Nvidia. В сегменте NAND рост спроса ожидается в районе 20 %. Оцениваемый на основе капитальных затрат рост производства составит около 20 % в сегменте DRAM и 17 % для NAND, но следует отметить, что совокупные мощности всех трёх крупнейших производителей уже распроданы на весь 2026 год. Таким образом, планируемое увеличение поставок памяти Samsung представляется незначительным и в краткосрочной перспективе не окажет благотворного влияния на цепочку поставок. Более того, завод SK hynix M15X, расширение комплекса Samsung в Пхёнтхэке и новый завод Micron в американском Айдахо, скорее всего займутся удовлетворением спроса на HBM. Оба корейских гиганта сейчас занимаются активным развитием существующих и перспективных технологий HBM — HBM3, HBM3E и HBM4. Это значит, что в потребительском сегменте наращивание Samsung производства DRAM вообще может пройти незамеченным, и дефицит памяти с большой вероятностью сохранится ещё долгое время. Возможно, он не прекратится до 2028 года и даже со временем усилится из-за потребностей отрасли ИИ, заявил недавно вице-президент Micron. Как ожидается, цены на DRAM для ПК продолжат расти всю первую половину года, схожий эффект ожидает контрактные цены для мобильных устройств. Серверная DRAM в I квартале 2026 года подорожает ещё на 60 % по сравнению с предыдущим кварталом. Память DRAM подорожала почти на 10 % за неделю — поставщики придерживают чипы
14.01.2026 [16:37],
Анжелла Марина
Спотовые цены на рынке оперативной памяти DRAM продолжили уверенный рост, несмотря на низкие объёмы торгов. Аналитики TrendForce объясняют эту динамику позицией трейдеров, которые не спешат расставаться с имеющимися запасами в ожидании дальнейшего повышения стоимости. 
Источник изображения: Lenovo
Источник изображения: trendforce.com Схожая динамика прослеживается и в сегменте флеш-памяти NAND, где котировки также продолжили свой рост. Тем не менее, объёмы транзакций остаются невысокими из-за сочетания следующих факторов: значительно возросших цен, вялого спроса на потребительские товары и грядущей остановки фабрик на период празднования китайского Нового года. 
Источник изображения: trendforce.com Часть покупателей решила занять выжидательную позицию, однако спотовые трейдеры, сохраняя оптимизм относительно будущих рыночных трендов, отказались снижать цены ради стимулирования продаж. Такое противостояние привело к вялотекущей активности на рынке, но не остановило рост стоимости компонентов, отмечают аналитики. За отчётную неделю средняя спотовая цена на 512-гигабитные TLC-пластины увеличилась на 9,68 % и составила $15,052. Производители ПК и смартфонов получат в 2–5 раз меньше памяти, чем им требуется в этом году
14.01.2026 [14:54],
Алексей Разин
В текущем году предпосылок для облегчения ситуации с дефицитом микросхем памяти не ожидается, как убеждены аналитики KeyBanc. На этом фоне производители ПК и смартфонов будут ощущать сильнейшую нехватку чипов памяти. Фактически, им будет доставаться не более 20–45 % необходимых объёмов памяти, а цены на смартфоны вырастут.  Объёмы поставок микросхем памяти в серверном сегменте в этом году в ёмкостном выражении должны увеличиться на 50 %, контрактные цены на DRAM в первом квартале вырастут на 25 % и на величину от 10 до 12 % во втором квартале, по прогнозам экспертов KeyBanc. В сегменте NAND контрактные цены вырастут на 20 % в первом квартале и до 15 % во втором, по их мнению. За пределами сегмента ЦОД покупателям микросхем памяти будут доступны гораздо более скромные квоты, не более 20–45 % от фактической потребности. В результате, цены на память для ПК и смартфонов тоже продолжат расти, а ещё сократятся объёмы производства этих устройств. В количественном выражении поставки ПК сократятся в этом году на 5–10 %, а поставки смартфонов упадут на величину от 3 до 5 %. Более того, крупные поставщики смартфонов типа Apple и Samsung будут вынуждены увеличить стоимость своих устройств на $100–150. По мере наращивания поставок систем на базе процессоров Nvidia Vera, которые сочетаются с памятью типа LPDDR5X, будет усугубляться её дефицит на всём рынке. Эксперты KeyBanc предполагают, что эти системы потребуют такого же количества памяти, как и 150 млн смартфонов. Это менее 10 % ёмкости рынка смартфонов, так что давление на рынок LPDDR5X хоть и будет явно выраженным, окажется не критическим. Samsung вернула звание крупнейшего производителя DRAM, заработав больше всех в четвёртом квартале
13.01.2026 [10:08],
Алексей Разин
Для Samsung Electronics с репутационной точки зрения прошлый год не был простым. Компания уступила статус крупнейшего поставщика памяти SK hynix сперва в показателях прибыли, а затем и выручки. Тем не менее, к четвёртому кварталу Samsung удалось получить максимальную среди производителей DRAM выручку, что позволило ей реабилитироваться в профильном рейтинге. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как поясняет Counterpoint Research, ещё в третьем квартале прошлого года Samsung стала крупнейшим поставщиком памяти всех типов в денежном выражении, а по итогам четвёртого ей удалось отвоевать статус лидера в сегменте DRAM. По подсчётам экспертов, в прошлом квартале подразделение Samsung по выпуску всех типов памяти увеличило свою выручку на 34 % в последовательном сравнении до $25,9 млрд. Из этой суммы рекордные $19,2 млрд пришлись на сегмент DRAM, а оставшиеся $6,7 млрд были получены в сегменте NAND. Кроме того, выручка от реализации памяти обоих типов сформировала 40 % совокупной выручки Samsung за период, подчеркнув важность этого бизнеса для южнокорейского конгломерата. 
Источник изображения: Counterpoint Research Впрочем, понятно, что высокой динамике выручки Samsung от реализации памяти способствовал резкий рост цен, и в натуральном выражении объёмы поставок не выросли пропорционально. Общая выручка Samsung в четвёртом квартале достигла $63,3 млрд, а операционная прибыль выросла до $13,6 млрд. В сегменте DRAM доминировавшая на протяжении четырёх кварталов SK hynix вынуждена была сдаться под натиском Samsung, отступив на второе место. Эксперты Counterpoint Research ожидают, что в 2026 году у Samsung имеются все возможности для улучшения своих финансовых показателей. Помимо выхода смартфонов семейства Galaxy S26, к благоприятным факторам относится и предполагаемая сертификация памяти HBM4 под требования Nvidia. В отличие от SK Hynix, которая зависит и от TSMC, компания Samsung при выпуске HBM4 может полагаться на собственные передовые техпроцессы. Если с качеством продукции будет всё в порядке, то Samsung сможет заметно усилить свои позиции в прибыльном сегменте рынка, связанном с HBM4. Нехватка памяти в этом году будет ограничивать объёмы выпуска ПК и способствовать росту цен
13.01.2026 [08:54],
Алексей Разин
Влияние бума ИИ на рынок ПК не ограничится ростом цен на микросхемы памяти и накопители, как поясняют опрошенные The Register эксперты. В этом году дефицит памяти приведёт к тому, что производители ПК будут вынуждены отдавать предпочтение выпуску более дорогих моделей, а сами объёмы производства ПК сократятся из-за дефицита памяти и роста цен. 
Источник изображения: Lenovo По словам главного аналитика Omdia Бена Йэ (Ben Yeh), с первого по четвёртый кварталы прошлого года цены на массовые модули памяти для ПК и накопители выросли на величину от 40 до 70 %, и поставщики невольно были вынуждены перенести возросшие затраты на карманы покупателей. Как считает эксперт Omdia, в условиях дефицита памяти производители ПК предпочтут отдавать предпочтение поставкам более дорогих конфигураций, чтобы защитить свою прибыль. Компьютеры начального и среднего уровня в таких условиях станут более редким товаром. Ситуация будет различаться в зависимости от способности конкретного производителя ПК договориться с поставщиками памяти, поэтому кто-то в условиях таких ограничений сможет укрепить свои рыночные позиции за счёт менее удачливых конкурентов. Представители TrendForce прогнозируют, что общие объёмы поставок ноутбуков в этом году сократятся на 5,4 % до 173 млн штук по сравнению с предыдущим годом. Подобная тенденция скажется и на бизнесе Microsoft, поскольку переход на Windows 11 будет замедлен проблемами с покупкой новых ПК по вменяемым ценам и в необходимом количестве. Доля Windows 11 не особо выросла с момента прекращения технической поддержки Windows 10 в октябре прошлого года. В прошлом году лидером рынка ПК оставалась китайская Lenovo, занимающая почти его четверть, на втором месте оказалась HP Inc. с более чем 20 %, на третьем расположилась Dell (15 %), Apple не смогла дотянуть до 10 % на четвёртом, а замыкала пятёрку Asus с 7,2 % рынка. Эксперты Omdia отмечают, что участники рынка не ожидают снижения спроса на память до конца текущего года, как минимум. «Это печальная ситуация»: Micron попыталась оправдаться за закрытие Crucial
12.01.2026 [17:51],
Николай Хижняк
В конце прошлого года Micron объявила о судьбоносном решении закрыть бренд потребительских SSD и памяти Crucial. Теперь компания впервые прокомментировала информацию о своём уходе с потребительского рынка. Производитель также предупредил, что, несмотря на начало строительства новых заводов по производству памяти, не следует ожидать значительного увеличения объёмов выпуска чипов памяти, способного повлиять на предложение, по крайней мере до 2028 года. 
Источник изображения: Micron Ответ на критику решения компании закрыть Crucial прозвучал в интервью портала WCCFTech с Кристофером Муром (Christopher Moore), вице-президентом Micron по маркетингу подразделения мобильных и клиентских устройств. Издание не стало медлить и сразу же задало Муру вопросы о спорном, но не совсем неожиданном решении Micron закрыть потребительский бренд оперативной памяти и твердотельных накопителей Crucial в конце прошлого года. В начале декабря компания заявила, что собирается свернуть свой потребительский бизнес к концу следующего месяца (в январе 2026 года), перераспределив мощности на производство DRAM и SSD для корпоративного сектора и сегмента разработки решений в области искусственного интеллекта. Мура спросили, действительно ли поставщики памяти теперь ориентируются на сектор ИИ и «оставляют [рынок] потребителей позади» в результате этого. «Я не хотел бы говорить кому-то, что думать или что он неправ, но наша точка зрения заключается в том, что мы стараемся помогать потребителям по всему миру. Мы просто делаем это через разные каналы. У нас по-прежнему очень большой бизнес на клиентском и мобильном рынках. Мы также, конечно, обслуживаем наших клиентов из сегмента центров обработки данных. И сейчас ситуация такова, что общий объём целевого рынка (TAM) в сегменте ЦОД растёт просто невероятно. И мы хотим убедиться, что как компания также способствуем удовлетворению спроса этого рынка», — заявил Мур. Он добавил, что компания по-прежнему обслуживает клиентское направление рынка, поставляя оперативную память LPDDR5 OEM-производителям, таким как Dell и Asus, для использования, в том числе, в ноутбуках. Однако эта новость вряд ли утешит сообщество энтузиастов и любителей самостоятельной сборки ПК, сталкивающихся с колоссальным ростом цен на рынке ОЗУ и SSD. По словам Мура, Micron поддерживает связь со «всеми существующими брендами ПК», но компания просто не может позволить себе игнорировать спрос со стороны сегмента ИИ. «Сейчас происходит следующее: активно ведётся строительство центров обработки данных, и общий объём рынка (TAM) в сегменте корпоративных ЦОД растёт. Сначала он достиг 30–35 %, затем 40 %, а теперь и 50–60 % от общего рынка, что приводит к дефициту ресурсов. Вся отрасль испытывает нехватку. Думаю, это нужно понимать. Это не проблема Micron, это проблема всей отрасли, где мы и наши конкуренты спешим максимально удовлетворить потребности этих сегментов, а ресурсов просто не хватает. Это действительно печальная ситуация. Но я считаю очень важным, чтобы люди понимали, что мы по-прежнему обслуживаем потребительский рынок», — добавил Мур. 
Источник изображения: AMD Надежды профессиональных сборщиков, а также любителей самостоятельной сборки ПК связаны со строительством и вводом в эксплуатацию новых мощностей по производству памяти DRAM. Та же Micron ранее объявила о подготовке к началу строительства мегафабрики в Нью-Йорке стоимостью $100 млрд, где планирует производить 40 % всего объёма выпускаемой компанией DRAM-памяти к 2040-м годам. Мур в интервью WCCFTech также упомянул о предстоящем запуске завода ID1 в Айдахо, который должен начать работу в середине 2027 года, хотя изначально его ввод в эксплуатацию планировался на конец того же года. Однако топ-менеджер Micron предупредил, что «реальный, значимый объём производства» в цепочке поставок DRAM от нового завода в Айдахо станет заметен только к 2028 году. В настоящий момент Micron не справляется даже с текущим спросом. Генеральный директор компании заявил в декабре, что Micron способна удовлетворить лишь от половины до двух третей спроса на память, а это означает, что новые мощности в первую очередь будут направлены на восполнение существующего дефицита. Иными словами, даже если 2028 год может стать первым значимым шагом Micron к увеличению поставок DRAM, может пройти ещё несколько месяцев, прежде чем обычные потребители начнут замечать изменения к лучшему в ценах на сборку ПК. «Вы правы. Они [новые производственные линии] появятся. Для значительного увеличения объёма производства нам нужно больше чистых помещений, а это требует много времени. Поэтому три года назад мы начали строительство завода ID1 в Айдахо. Он должен быть введён в эксплуатацию в середине 2027 года — мы перенесли его открытие на более ранний срок, поскольку изначально ввод планировался к концу 2027 года. Но вы не увидите реального, значимого объёма производства к тому времени, как мы завершим все квалификационные испытания, клиенты примут продукцию и всё оборудование будет запущено и готово к работе, — это произойдёт не раньше 2028 года. Производители памяти спешат строить новые производственные линии, но различные ограничения в процессе в конечном итоге вынуждают их сдвигать сроки на несколько кварталов вперёд. А это значит, что для среднестатистического потребителя дефицит DRAM может сохраняться довольно долго или, по крайней мере, до тех пор, пока спрос со стороны ИИ не начнёт снижаться», — заявил Мур. Китайские учёные сообщили о разработке альтернативной ячейки памяти DRAM — дешевле и лучше «классики»
10.01.2026 [13:39],
Геннадий Детинич
Хотя Китай находится под санкциями в плане возможности закупок передового оборудования для производства чипов, включая оперативную память, работе исследователей это сильно не вредит. Более того, санкции заставляют активнее искать альтернативы классическим производствам, включая разработку перспективных архитектур. Одним из таких открытий стала разработка китайскими учёными архитектуры ячейки DRAM без обязательного конденсатора. 
Источник изображения: IME CAS О разработке сообщили исследователи из Института микроэлектроники при Китайской академии наук (IME CAS), создавшие техпроцесс производства новой памяти совместно с другими научными учреждениями Китая. В общем случае речь идёт о ячейке DRAM стандартного относительного размера 4F² (это минимальный размер классической ячейки памяти с одним транзистором и одним конденсатором). Тем самым ячейка новой архитектуры не больше классической, что уже намекает на хорошие перспективы разработки. Самое важное, что «китайская» ячейка не содержит отдельного конденсатора для хранения заряда (данных), что всегда служило проблемой для снижения масштаба техпроцесса производства DRAM. Вместо этого заряд хранится в канале управляющего транзистора ячейки, иначе называемого плавающим зарядом. Более того, у ячейки два управляющих транзистора (схема 2T0C), что позволяет им хранить заряд совместно в одном общем канале. Это повышает стабильность работы ячейки во всех режимах, включая снижение токов утечек. Также эта архитектура даёт возможность записывать два бита данных в каждую ячейку, обеспечивая четырёхуровневое значение заряда. Не менее хитро продуман техпроцесс производства новой памяти, и он предельно простой — заключается всего в одном экспонировании и одной обработке после экспонирования. Литографическая обработка производится сразу для заранее подготовленной многослойной пластины, состоящей из пяти нанометровых слоёв полупроводников, таких как материалы IGZO, тантал и другие, разделённых четырьмя слоями изолятора в лице диоксида кремния. В пластине за один проход вытравливаются углубления до 120 нм, стенки которых затем отжигом и напылением превратят в элементы транзисторов. Каждое углубление представляет собой два транзистора и, фактически, одну ячейку памяти. Транзисторы изготавливаются за один проход и поэтому не требуют совмещения по осям — процесс происходит как бы с самовыравниванием. Верхний транзистор отвечает за запись ячейки, а нижний — за чтение. Между ними физически расположен канал, одновременно являющийся местом для хранения заряда. Похоже, что проще техпроцесса для выпуска DRAM не придумать, что может стать основой для массового производства относительно недорогой оперативной памяти. Согласно проведённым исследованиям образцов новой памяти, ячейка может хранить данные 470–500 секунд без регенерации. Это не NAND-флеш, но тоже интересно с точки зрения снижения потребления новой архитектурой DRAM. Данное свойство может быть востребовано во встраиваемой архитектуре DRAM для мобильных применений. Задержка чтения составляет 50 нс, что сопоставимо с возможностью DDR5. Температурные дрейфы напряжения затвора находятся в допустимом диапазоне — менее 100 мВ для 85 °C. Одним словом, хоть сейчас в производство. Кстати, техпроцесс идеален для стекового многослойного выпуска оперативной памяти, с чем сегодня пока проблемы. Впрочем, ещё вопрос, попадёт ли эта память в производство. Очевидно, что одних лабораторных исследований для этого недостаточно. Неясны уровень брака и повторяемость характеристик в производственных условиях. Как бы там ни было, от лабораторных экземпляров до серийных чипов могут пройти даже не годы, а десятилетия, как показывает практика внедрения ReRAM, FeRAM, MRAM и других типов перспективной памяти. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
