Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Samsung вернула звание крупнейшего производителя DRAM, заработав больше всех в четвёртом квартале
13.01.2026 [10:08],
Алексей Разин
Для Samsung Electronics с репутационной точки зрения прошлый год не был простым. Компания уступила статус крупнейшего поставщика памяти SK hynix сперва в показателях прибыли, а затем и выручки. Тем не менее, к четвёртому кварталу Samsung удалось получить максимальную среди производителей DRAM выручку, что позволило ей реабилитироваться в профильном рейтинге. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как поясняет Counterpoint Research, ещё в третьем квартале прошлого года Samsung стала крупнейшим поставщиком памяти всех типов в денежном выражении, а по итогам четвёртого ей удалось отвоевать статус лидера в сегменте DRAM. По подсчётам экспертов, в прошлом квартале подразделение Samsung по выпуску всех типов памяти увеличило свою выручку на 34 % в последовательном сравнении до $25,9 млрд. Из этой суммы рекордные $19,2 млрд пришлись на сегмент DRAM, а оставшиеся $6,7 млрд были получены в сегменте NAND. Кроме того, выручка от реализации памяти обоих типов сформировала 40 % совокупной выручки Samsung за период, подчеркнув важность этого бизнеса для южнокорейского конгломерата. 
Источник изображения: Counterpoint Research Впрочем, понятно, что высокой динамике выручки Samsung от реализации памяти способствовал резкий рост цен, и в натуральном выражении объёмы поставок не выросли пропорционально. Общая выручка Samsung в четвёртом квартале достигла $63,3 млрд, а операционная прибыль выросла до $13,6 млрд. В сегменте DRAM доминировавшая на протяжении четырёх кварталов SK hynix вынуждена была сдаться под натиском Samsung, отступив на второе место. Эксперты Counterpoint Research ожидают, что в 2026 году у Samsung имеются все возможности для улучшения своих финансовых показателей. Помимо выхода смартфонов семейства Galaxy S26, к благоприятным факторам относится и предполагаемая сертификация памяти HBM4 под требования Nvidia. В отличие от SK Hynix, которая зависит и от TSMC, компания Samsung при выпуске HBM4 может полагаться на собственные передовые техпроцессы. Если с качеством продукции будет всё в порядке, то Samsung сможет заметно усилить свои позиции в прибыльном сегменте рынка, связанном с HBM4. Нехватка памяти в этом году будет ограничивать объёмы выпуска ПК и способствовать росту цен
13.01.2026 [08:54],
Алексей Разин
Влияние бума ИИ на рынок ПК не ограничится ростом цен на микросхемы памяти и накопители, как поясняют опрошенные The Register эксперты. В этом году дефицит памяти приведёт к тому, что производители ПК будут вынуждены отдавать предпочтение выпуску более дорогих моделей, а сами объёмы производства ПК сократятся из-за дефицита памяти и роста цен. 
Источник изображения: Lenovo По словам главного аналитика Omdia Бена Йэ (Ben Yeh), с первого по четвёртый кварталы прошлого года цены на массовые модули памяти для ПК и накопители выросли на величину от 40 до 70 %, и поставщики невольно были вынуждены перенести возросшие затраты на карманы покупателей. Как считает эксперт Omdia, в условиях дефицита памяти производители ПК предпочтут отдавать предпочтение поставкам более дорогих конфигураций, чтобы защитить свою прибыль. Компьютеры начального и среднего уровня в таких условиях станут более редким товаром. Ситуация будет различаться в зависимости от способности конкретного производителя ПК договориться с поставщиками памяти, поэтому кто-то в условиях таких ограничений сможет укрепить свои рыночные позиции за счёт менее удачливых конкурентов. Представители TrendForce прогнозируют, что общие объёмы поставок ноутбуков в этом году сократятся на 5,4 % до 173 млн штук по сравнению с предыдущим годом. Подобная тенденция скажется и на бизнесе Microsoft, поскольку переход на Windows 11 будет замедлен проблемами с покупкой новых ПК по вменяемым ценам и в необходимом количестве. Доля Windows 11 не особо выросла с момента прекращения технической поддержки Windows 10 в октябре прошлого года. В прошлом году лидером рынка ПК оставалась китайская Lenovo, занимающая почти его четверть, на втором месте оказалась HP Inc. с более чем 20 %, на третьем расположилась Dell (15 %), Apple не смогла дотянуть до 10 % на четвёртом, а замыкала пятёрку Asus с 7,2 % рынка. Эксперты Omdia отмечают, что участники рынка не ожидают снижения спроса на память до конца текущего года, как минимум. «Это печальная ситуация»: Micron попыталась оправдаться за закрытие Crucial
12.01.2026 [17:51],
Николай Хижняк
В конце прошлого года Micron объявила о судьбоносном решении закрыть бренд потребительских SSD и памяти Crucial. Теперь компания впервые прокомментировала информацию о своём уходе с потребительского рынка. Производитель также предупредил, что, несмотря на начало строительства новых заводов по производству памяти, не следует ожидать значительного увеличения объёмов выпуска чипов памяти, способного повлиять на предложение, по крайней мере до 2028 года. 
Источник изображения: Micron Ответ на критику решения компании закрыть Crucial прозвучал в интервью портала WCCFTech с Кристофером Муром (Christopher Moore), вице-президентом Micron по маркетингу подразделения мобильных и клиентских устройств. Издание не стало медлить и сразу же задало Муру вопросы о спорном, но не совсем неожиданном решении Micron закрыть потребительский бренд оперативной памяти и твердотельных накопителей Crucial в конце прошлого года. В начале декабря компания заявила, что собирается свернуть свой потребительский бизнес к концу следующего месяца (в январе 2026 года), перераспределив мощности на производство DRAM и SSD для корпоративного сектора и сегмента разработки решений в области искусственного интеллекта. Мура спросили, действительно ли поставщики памяти теперь ориентируются на сектор ИИ и «оставляют [рынок] потребителей позади» в результате этого. «Я не хотел бы говорить кому-то, что думать или что он неправ, но наша точка зрения заключается в том, что мы стараемся помогать потребителям по всему миру. Мы просто делаем это через разные каналы. У нас по-прежнему очень большой бизнес на клиентском и мобильном рынках. Мы также, конечно, обслуживаем наших клиентов из сегмента центров обработки данных. И сейчас ситуация такова, что общий объём целевого рынка (TAM) в сегменте ЦОД растёт просто невероятно. И мы хотим убедиться, что как компания также способствуем удовлетворению спроса этого рынка», — заявил Мур. Он добавил, что компания по-прежнему обслуживает клиентское направление рынка, поставляя оперативную память LPDDR5 OEM-производителям, таким как Dell и Asus, для использования, в том числе, в ноутбуках. Однако эта новость вряд ли утешит сообщество энтузиастов и любителей самостоятельной сборки ПК, сталкивающихся с колоссальным ростом цен на рынке ОЗУ и SSD. По словам Мура, Micron поддерживает связь со «всеми существующими брендами ПК», но компания просто не может позволить себе игнорировать спрос со стороны сегмента ИИ. «Сейчас происходит следующее: активно ведётся строительство центров обработки данных, и общий объём рынка (TAM) в сегменте корпоративных ЦОД растёт. Сначала он достиг 30–35 %, затем 40 %, а теперь и 50–60 % от общего рынка, что приводит к дефициту ресурсов. Вся отрасль испытывает нехватку. Думаю, это нужно понимать. Это не проблема Micron, это проблема всей отрасли, где мы и наши конкуренты спешим максимально удовлетворить потребности этих сегментов, а ресурсов просто не хватает. Это действительно печальная ситуация. Но я считаю очень важным, чтобы люди понимали, что мы по-прежнему обслуживаем потребительский рынок», — добавил Мур. 
Источник изображения: AMD Надежды профессиональных сборщиков, а также любителей самостоятельной сборки ПК связаны со строительством и вводом в эксплуатацию новых мощностей по производству памяти DRAM. Та же Micron ранее объявила о подготовке к началу строительства мегафабрики в Нью-Йорке стоимостью $100 млрд, где планирует производить 40 % всего объёма выпускаемой компанией DRAM-памяти к 2040-м годам. Мур в интервью WCCFTech также упомянул о предстоящем запуске завода ID1 в Айдахо, который должен начать работу в середине 2027 года, хотя изначально его ввод в эксплуатацию планировался на конец того же года. Однако топ-менеджер Micron предупредил, что «реальный, значимый объём производства» в цепочке поставок DRAM от нового завода в Айдахо станет заметен только к 2028 году. В настоящий момент Micron не справляется даже с текущим спросом. Генеральный директор компании заявил в декабре, что Micron способна удовлетворить лишь от половины до двух третей спроса на память, а это означает, что новые мощности в первую очередь будут направлены на восполнение существующего дефицита. Иными словами, даже если 2028 год может стать первым значимым шагом Micron к увеличению поставок DRAM, может пройти ещё несколько месяцев, прежде чем обычные потребители начнут замечать изменения к лучшему в ценах на сборку ПК. «Вы правы. Они [новые производственные линии] появятся. Для значительного увеличения объёма производства нам нужно больше чистых помещений, а это требует много времени. Поэтому три года назад мы начали строительство завода ID1 в Айдахо. Он должен быть введён в эксплуатацию в середине 2027 года — мы перенесли его открытие на более ранний срок, поскольку изначально ввод планировался к концу 2027 года. Но вы не увидите реального, значимого объёма производства к тому времени, как мы завершим все квалификационные испытания, клиенты примут продукцию и всё оборудование будет запущено и готово к работе, — это произойдёт не раньше 2028 года. Производители памяти спешат строить новые производственные линии, но различные ограничения в процессе в конечном итоге вынуждают их сдвигать сроки на несколько кварталов вперёд. А это значит, что для среднестатистического потребителя дефицит DRAM может сохраняться довольно долго или, по крайней мере, до тех пор, пока спрос со стороны ИИ не начнёт снижаться», — заявил Мур. Китайские учёные сообщили о разработке альтернативной ячейки памяти DRAM — дешевле и лучше «классики»
10.01.2026 [13:39],
Геннадий Детинич
Хотя Китай находится под санкциями в плане возможности закупок передового оборудования для производства чипов, включая оперативную память, работе исследователей это сильно не вредит. Более того, санкции заставляют активнее искать альтернативы классическим производствам, включая разработку перспективных архитектур. Одним из таких открытий стала разработка китайскими учёными архитектуры ячейки DRAM без обязательного конденсатора. 
Источник изображения: IME CAS О разработке сообщили исследователи из Института микроэлектроники при Китайской академии наук (IME CAS), создавшие техпроцесс производства новой памяти совместно с другими научными учреждениями Китая. В общем случае речь идёт о ячейке DRAM стандартного относительного размера 4F² (это минимальный размер классической ячейки памяти с одним транзистором и одним конденсатором). Тем самым ячейка новой архитектуры не больше классической, что уже намекает на хорошие перспективы разработки. Самое важное, что «китайская» ячейка не содержит отдельного конденсатора для хранения заряда (данных), что всегда служило проблемой для снижения масштаба техпроцесса производства DRAM. Вместо этого заряд хранится в канале управляющего транзистора ячейки, иначе называемого плавающим зарядом. Более того, у ячейки два управляющих транзистора (схема 2T0C), что позволяет им хранить заряд совместно в одном общем канале. Это повышает стабильность работы ячейки во всех режимах, включая снижение токов утечек. Также эта архитектура даёт возможность записывать два бита данных в каждую ячейку, обеспечивая четырёхуровневое значение заряда. Не менее хитро продуман техпроцесс производства новой памяти, и он предельно простой — заключается всего в одном экспонировании и одной обработке после экспонирования. Литографическая обработка производится сразу для заранее подготовленной многослойной пластины, состоящей из пяти нанометровых слоёв полупроводников, таких как материалы IGZO, тантал и другие, разделённых четырьмя слоями изолятора в лице диоксида кремния. В пластине за один проход вытравливаются углубления до 120 нм, стенки которых затем отжигом и напылением превратят в элементы транзисторов. Каждое углубление представляет собой два транзистора и, фактически, одну ячейку памяти. Транзисторы изготавливаются за один проход и поэтому не требуют совмещения по осям — процесс происходит как бы с самовыравниванием. Верхний транзистор отвечает за запись ячейки, а нижний — за чтение. Между ними физически расположен канал, одновременно являющийся местом для хранения заряда. Похоже, что проще техпроцесса для выпуска DRAM не придумать, что может стать основой для массового производства относительно недорогой оперативной памяти. Согласно проведённым исследованиям образцов новой памяти, ячейка может хранить данные 470–500 секунд без регенерации. Это не NAND-флеш, но тоже интересно с точки зрения снижения потребления новой архитектурой DRAM. Данное свойство может быть востребовано во встраиваемой архитектуре DRAM для мобильных применений. Задержка чтения составляет 50 нс, что сопоставимо с возможностью DDR5. Температурные дрейфы напряжения затвора находятся в допустимом диапазоне — менее 100 мВ для 85 °C. Одним словом, хоть сейчас в производство. Кстати, техпроцесс идеален для стекового многослойного выпуска оперативной памяти, с чем сегодня пока проблемы. Впрочем, ещё вопрос, попадёт ли эта память в производство. Очевидно, что одних лабораторных исследований для этого недостаточно. Неясны уровень брака и повторяемость характеристик в производственных условиях. Как бы там ни было, от лабораторных экземпляров до серийных чипов могут пройти даже не годы, а десятилетия, как показывает практика внедрения ReRAM, FeRAM, MRAM и других типов перспективной памяти. AMD не ожидает дефицита видеокарт Radeon в 2026 году, но роста цен не избежать
10.01.2026 [10:25],
Николай Хижняк
Прочные партнёрские отношения AMD с поставщиками памяти DRAM гарантируют отсутствие дефицита видеокарт Radeon в 2026 году. Об этом в разговоре с TweakTown на выставке CES 2026 заявил вице-президент и генеральный менеджер подразделения клиентских процессоров AMD и графики Radeon Дэвид Макафи (David McAfee).  Однако Макафи не исключил повышения цен на видеокарты, поскольку AMD стремится поддерживать конкурентоспособное соотношение производительности и цены для геймеров на фоне роста стоимости компонентов. Цены на чипы памяти DRAM на мировом рынке делают покупку компонентов ПК, таких как оперативная память, всё более недоступной. Аналогичные процессы распространяются и на рынок видеокарт, поскольку в них используется микросхемы видеопамяти. Например, флагманская видеокарта AMD последнего поколения RDNA 4, Radeon RX 9070 XT, стандартно комплектуется 16 Гбайт памяти GDDR6. «Сложности и проблемы рынка DRAM были очень подробно освещены в СМИ. Что касается нас, у нас налажены долгосрочные партнёрские отношения со всеми производителями DRAM, чтобы гарантировать удовлетворение наших потребностей в поставках DRAM для наших графических процессоров [Radeon] и обеспечить производство того, что нужно геймерам», — заявил Макафи. AMD не прогнозирует дефицита своих видеокарт Radeon для ПК-геймеров в 2026 году. «С этой точки зрения меня не беспокоит, что нынешние ограничения [на рынке памяти] приведут к дефициту видеокарт на рынке. Я думаю, у нас достаточно долгосрочных, глубоких и стратегически важных партнёрских соглашений. Это критически важная проблема, над решением которой мы работаем с нашими партнёрами каждый день», — добавил Макафи. Вторым важным вопросом, связанным с нынешним кризисом на рынке памяти, является ценообразование. Доступность — это одно, а продажа видеокарты по первоначально установленной цене — совсем другое. Хорошая новость заключается в том, что AMD полна решимости сохранить конкурентоспособность Radeon в условиях неопределённости в ближайшей перспективе, но повышение цен, вероятно, всё равно произойдет. «Наше конкурентное преимущество Radeon заключается в том, чтобы предоставить конечным пользователям больше за их деньги, и по мере изменения рыночной конъюнктуры мы хотим убедиться, что продолжаем это делать и обеспечиваем геймерам наилучшую производительность за доллар. Даже несмотря на рост стоимости компонентов, мы будем максимально активно работать в этом направлении, чтобы обеспечить максимальную производительность за доллар. Я не собираюсь утверждать, что цены на все эти компоненты останутся неизменными. Я думаю, что неизбежно что-то произойдёт. И мы стараемся максимально смягчить последствия, чтобы сохранить высокую ценность для конечных пользователей», — отметил топ-менеджер AMD. Ящик модулей DDR5 уже стоит, как дом в Шанхае — и покупателей памяти становится всё меньше
08.01.2026 [14:33],
Алексей Разин
Цены на оперативную память быстрее всего растут в серверном сегменте, китайский рынок не является исключением, но местные цены на DDR5 уже достигли того уровня, который начинает вызывать отторжение у покупателей. В частных беседах те уже признают, что сотня модулей памяти объёмом 256 Гбайт стоит столько же, как дом в Шанхае. 
Источник изображения: Micron Technology Если рассмотреть ситуацию подробнее, то за один модуль DDR5 указанного объёма в Китае просят от $5000 до $7000. По сути, в одном ящике при закупках для нужд ЦОД размещается 100 таких модулей, и в этом случае уже приходится говорить о стоимости в районе $700 000. За сопоставимую сумму в Шанхае — не самом дешёвом китайском мегаполисе, предлагаются жилые дома. При этом во многих случаях при покупке объекта недвижимости в указанном городе ещё и можно сэкономить относительно упоминаемой суммы. TrendForce напоминает, что в этом квартале контрактные цены на DRAM могут последовательно увеличиться сразу на 55–60 %, а в серверном сегменте данный прирост может оказаться ещё выше. Во многом в такой динамике цен на память виноваты американские облачные провайдеры, которые разогревают рынок своими огромными потребностями в развитии вычислительной инфраструктуры в условиях бума искусственного интеллекта. Контрактные цены на память NAND в этом квартале вырастут последовательно на 33–38 %, как предполагают эксперты TrendForce, так что редкий сегмент рынка памяти окажется в стороне от тенденции к всеобщему подорожанию. Даже потребительские накопители типа SSD в этих условиях готовятся вырасти в цене более чем на 40 %. Новая статья: Итоги-2025: почему память стала роскошью и что будет дальше
08.01.2026 [00:03],
3DNews Team
Данные берутся из публикации Итоги-2025: почему память стала роскошью и что будет дальше Серверы съедают всё: оперативная память подорожает ещё на 60 %, а SSD — на 40 % до конца марта
05.01.2026 [15:56],
Алексей Разин
В текущем квартале рынком памяти будут руководить прежние тенденции, как отмечает TrendForce. Производители памяти будут отдавать предпочтение потребностям серверного рынка, в результате чего контрактные цены на DDR вырастут последовательно на 55–60 %, а контрактные цены на NAND увеличатся на 33–38 % относительно четвёртого квартала минувшего года. 
Источник изображений: Samsung Electronics Активно скупаемая американскими облачными гигантами память продолжает дорожать, прочим потребителям приходится покупать её по всё более высоким ценам. В серверном сегменте контрактные цены на DRAM последовательно вырастут в этом квартале более чем на 60 %. В сегменте NAND всё сильнее проявляется разделение на потребительский сектор и направление ИИ. Основная часть твердотельной памяти уходит на производство SSD корпоративного класса, цены на клиентские SSD в итоге в текущем квартале могут вырасти более чем на 40 %. Поставщики DRAM, по мнению аналитиков TrendForce, в этом квартале продолжат отдавать приоритет обеспечению передовой продукцией серверного рынка. Основные производственные мощности и передовые технологии будут задействованы именно на серверном направлении. Классическая DRAM в условиях нарастающего дефицита может подорожать в масштабе контрактных цен на 55–60 % по сравнению с прошлым кварталом, а в сегменте NAND рост контрактных цен по всем товарным категориям достигнет 33–38 %. С учётом HBM контрактные цены на DRAM последовательно вырастут на 50–55 %. Сезонное снижение спроса на ноутбуки не помешает росту цен на оперативную память для ПК в этом квартале, поскольку для насыщения данного рынка выделяется всё меньше профильной продукции. Производители ПК вынуждены закупать память по более высоким ценам, многие сокращают удельный объём памяти в составе предлагаемых компьютеров. Растут цены не только на отдельные микросхемы памяти, но и модули памяти на их основе. В серверном сегменте ориентация на инференс в системах искусственного интеллекта увеличила спрос на память ещё в конце прошлого года. Американские облачные гиганты увеличивают объёмы закупок, опережая ранее сформированные графики. Именно они стали крупнейшими покупателями памяти на рынке, поглощая основную часть дополнительного предложения производителей. Наращивать поставки за счёт ранее сформированных запасов скоро перестанет получаться, а потому доступность памяти будет определяться способностью производителей наладить обработку дополнительного количества кремниевых пластин. Последовательный рост контрактных цен на серверную DRAM в этом квартале должен превысить 60 %. Рынок мобильной техники в первом квартале переживает сезонный спад спроса, но в условиях дефицита памяти улучшения ситуации с доступностью микросхем LPDDR4X и LPDDR5X ожидать не следует, по мнению представителей TrendForce. Дорожает и память для видеокарт, даже с учётом снижения спроса на графические решения Nvidia семейства GeForce RTX 6000. Память для видеокарт производится по схожим технологиям с DDR5, поэтому поставщики отдают приоритет последней, усиливая дефицит GDDR и провоцируя рост цен. Производители не торопятся наращивать объёмы выпуска продукции, что будет способствовать сохранению дефицита DRAM в целом.  В первом квартале, по прогнозу TrendForce, спрос на клиентские SSD последовательно сократится, поскольку объёмы поставок ноутбуков уменьшатся, а характеристики решений начального и среднего ценового уровня будут ухудшаться ради снижения себестоимости. Поставщикам SSD выгоднее концентрироваться на серверном рынке. Наибольшим дефицитом становятся ёмкие накопители на основе памяти типа QLC, которые ранее отличались относительно низкой стоимостью. В этом квартале клиентские SSD последовательно подорожают на 40 %, продемонстрировав самую высокую динамику цен в сегменте NAND. Как ожидают эксперты TrendForce, в текущем году мировой серверный рынок достигнет пика, во многом благодаря активности американских компаний по развитию вычислительной инфраструктуры для ИИ. В сегменте eMMC/UFS спрос на твердотельную память со стороны производителей смартфонов в текущем квартале просядет, поскольку в первой половине прошлого года производители активно стимулировали продажи, и все желающие закупились смартфонами на обозримую перспективу. В этом квартале продажи смартфонов последовательно сократятся на значительную величину. Сегмент хромбуков также не поможет рынку eMMC/UFS оживить спрос, а поставщики памяти этих типов будут сокращать предложение. Цены на кремниевые пластины для производства твердотельной памяти продолжат расти в силу целого набора факторов, хотя спрос и должен сократиться в текущем квартале. Китайский производитель памяти CXMT собирается выручить в ходе IPO до $4,2 млрд
01.01.2026 [09:00],
Алексей Разин
Давно понятно, что наблюдавшийся в прошлом году подъём цен на память вызван бумом ИИ, который нацелил ресурсы всех производителей на удовлетворение спроса в этом сегменте рынка. Пожалуй, для привлечения инвестиций производителям памяти лучшего времени не найти, поэтому китайская CXMT собирается выйти на биржу в Шанхае именно сейчас, рассчитывая привлечь $4,2 млрд. 
Источник изображения: CXMT В прошлом году CXMT, которая является крупнейшим производителем DRAM в Китае, почти удвоила свою выручку и ожидает благодаря этому перейти на безубыточность. В мировых масштабах CXMT является четвёртым по величине производителем DRAM, уступающим только тройке классических лидеров в лице Samsung, SK hynix и Micron. Вырученные на IPO деньги она намеревается направить на расширение производства памяти, модернизацию предприятий и разработку перспективных типов памяти. Ориентируясь главным образом на внутренний рынок Китая, компания вполне неплохо могла бы себя чувствовать при наличии достаточных для расширения производства сумм. Следует учитывать, что инвестиции в производство памяти не дают моментальной отдачи, на строительство новых линий уходят годы, а в условиях западных санкций китайским производителям сложно получать доступ к необходимым технологиям и обеспечивать экономически оправданный уровень выхода годной продукции. Спрос уже превышает предложение, и дальше разрыв будет только увеличиваться, поэтому CXMT предстоит действовать решительно, находя адекватное применение вырученным на IPO средствам. Недавно CXMT оказалась замешана в скандале с предполагаемой утечкой технологических секретов Samsung Electronics, поэтому определённые репутационные издержки могут помешать ей завоёвывать доверие инвесторов. Дополнительные производственные мощности когда-нибудь пригодятся, даже если к моменту насыщения рынка памяти на этом этапе CXMT со своим расширением производства не успеет. Nemix представила DDR5-комплект за $70 800 — и объяснила, почему он стоит так дорого
28.12.2025 [07:37],
Анжелла Марина
Компания Nemix из США, специализирующаяся на поставках памяти и накопителей для крупных технологических компаний и государственных структур, представила комплект оперативной памяти DDR5 общей ёмкостью 4 Тбайт. Набор состоит из 16 модулей ECC RDIMM (Registered Dual In-line Memory Module) по 256 Гбайт каждый, работающих на частоте 6400 МТ/с с CAS-латентностью 52 и при этом потребляющих всего 1,1 В напряжения. Однако внушительная цена комплекта делает его уделом высокобюджетных гиперскейлеров и энтузиастов экстремальных рабочих станций, где критически важны как объём памяти, так и её надёжность. 
Источник изображения: NEMIX Цена набора, как стало известно изданию TechPowerUp, составляет $70 800, что эквивалентно примерно $17,3 за гигабайт, то есть почти вдвое дороже, чем у потребительской DRAM, средняя стоимость которой сейчас находится на уровне $10 за 1 Гбайт. Такой ценовой разрыв объясняется не просто текущим дефицитом DRAM на рынке, а особыми техническими характеристиками этих модулей. В отличие от обычных DDR5-модулей, где коррекция ошибок (ECC) реализована только внутри самого чипа памяти (on-die ECC), в этих RDIMM используются дополнительные внешние микросхемы коррекции ошибок (off-die ECC). Встроенная ECC в DDR5 сама по себе не обеспечивает полной защиты от ошибок, так как она предназначена лишь для исправления сбоев внутри отдельного чипа, но чтобы гарантировать надёжность, памяти требуется дополнительная микросхема (на основе кремния), обеспечивающая коррекцию ошибок на уровне всего модуля. Именно это «кремниевое» решение делает такие модули пригодными для использования в гипермасштабируемых системах и рабочих станциях и объясняет их высокую стоимость. Хотя цена в $70 800 кажется астрономической, для крупных компаний она может быть оправдана, так как они, как правило, закупают такие комплекты большими объёмами и получают значительные оптовые скидки. Кроме того, в условиях острого дефицита DRAM-чипов на мировом рынке подобные решения становятся особенно востребованными для развёртывания инфраструктуры, где нельзя пожертвовать ни плотностью памяти, ни надёжностью. Если говорить о сценариях использования комплекта, то он включает обучение крупных моделей искусственного интеллекта, хранение терабайтов данных в оперативной памяти (in-memory databases), а также управление крупными кластерами виртуализации, где один физический сервер может одновременно обслуживать сотни контейнеров или виртуальных машин. В этом контексте его стоимость составляет лишь незначительную часть общих капитальных затрат на ИТ-инфраструктуру. Грядёт волна задержек новых ноутбуков от крупнейших брендов из-за дефицита DRAM
27.12.2025 [15:10],
Павел Котов
Дефицит чипов памяти, в том числе оперативной, уже оказал отрицательное влияние на потребительский рынок: одни производители повышают цены, другие предлагают покупателям приобретать планки памяти самостоятельно — дошло до возвращения 8-Гбайт модулей во флагманские смартфоны. И это только начало. 
Источник изображения: Samsung Дефицит оперативной памяти вскоре приведёт к тому, что крупные бренды начнут задерживать выпуск продукции на рынок, и коснётся это, в частности, сегментов ноутбуков и мобильных устройств, передаёт корейское деловое издание Chosun Biz. Крупные производители компьютеров, в том числе HP и Lenovo, уже заключили соглашения с поставщиками памяти в стремлении обеспечить себя комплектующими для предстоящего цикла запуска продукции, сообщили изданию инсайдеры и отраслевые аналитики. Несмотря на это, эксперты прогнозируют задержки с выпуском новой продукции, потому что спрос на DRAM всё ещё превышает предложение. В качестве альтернативных сценариев допускается повышение цен, которое составит около 30 % в премиум-сегменте — при том, что по отрасли в целом цены уже подскочили на 9 % — либо сокращение сегмента премиальных ноутбуков. Будут ли эти невесёлые сценарии реализовываться в соответствии с прогнозами, станет ясно уже очень скоро — в начале наступающего года стартует выставка CES 2026, на которой ожидается множество презентаций новых продуктов. В следующем году 20 % производства памяти будет работать на нужды ИИ
26.12.2025 [14:30],
Алексей Разин
В масштабах истории всей компьютерной отрасли бум искусственного интеллекта кажется лишь коротким моментом, но он уже начинает перекраивать всю конъюнктуру рынка компонентов. По некоторым оценкам, к началу наступающего года 20 % производственных линий, выпускающих память DRAM, будет занято производством памяти для нужд ИИ 
Источник изображения: Micron Technology Об этом сообщает Commercial Times, подчёркивая, что в следующем году потребность облачного рынка в высокоскоростной памяти будет измеряться 3 эксабайтами. И это лишь 7,5 % от всего объёма оперативной памяти, который будет выпущен. Но вместе с тем, под производство памяти для сегмента ИИ будет уходить до 20 % мощностей. Современные тенденции в развитии инфраструктуры ИИ таковы, что формируется высокий спрос на большие объёмы памяти типа HBM и GDDR7, а для их производства требуется гораздо больше ресурсов, чем в случае с классической DDR. В частности, на выпуск 1 Гбайт HBM уходит в четыре раза больше сырья, а в случае с GDDR7 пропорция достигает 1,7x. Рынок систем ИИ серьёзно нагружает производство микросхем памяти, дефицит только усиливается. Мировые мощности по выпуску DRAM в следующем году достигнут 40 эксабайт. При этом производственные мощности в сегменте DRAM не смогут прирастать более чем на 15 или 20 % в год, и разрыв между спросом и предложением продолжит увеличиваться. Концентрация на выпуске более дорогой и выгодной памяти для сегмента ИИ продолжит толкать цены на классическую DDR вверх. На нужды одного только инференса на стороне крупных облачных игроков типа Google или AWS уйдёт до 750 петабайт памяти, что примерно соответствует одной четвёртой общей потребности. И это лишь минимальная оценка, которая с учётом необходимости формирования резервов и быстрого строительства вычислительных мощностей легко удваивается до полутора эксабайт. Частные облачные системы (Meta✴✴ и Apple) в комбинации с китайским внутренним рынком потребуют ещё до 800 петабайт памяти. Ещё 500 петабайт необходимо для обучения новых языковых моделей. Рост цен на DRAM чуть замедлился к концу года, но это временное явление
25.12.2025 [08:40],
Алексей Разин
Специалисты TrendForce продолжают неусыпно следить за динамикой цен на рынке памяти, их новейший отчёт указывает на сохранение тенденции к росту цен, но с небольшим сезонным нюансом — кратковременный рост предложения немного его замедлил. Вряд ли влияние этого фактора надолго сохранится, поэтому в следующем году цены на память продолжат свой рост. 
Источник изображения: Kingston Technology По информации TrendForce, за период с 17 по 23 декабря включительно стоимость наиболее востребованных чипов памяти DRAM на рынке моментальных сделок в среднем выросла на 9,52 % до $21,75, если рассматривать чипы поколения DDR4. При этом в сегменте находились варианты чипов, которые за указанный период подорожали на величину до 12,87 %. Устаревшая DDR3 пользуется гораздо меньшим спросом, её стоимость выросла всего на 2,23 %. 
Источник изображения: TrendForce Крупнейшим поставщиком модулей памяти остаётся Kingston, она на этой неделе резко подняла цены на свою продукцию, но одновременно продавцы старались увеличить количество предлагаемого товара, чтобы более выгодно отобразить выручку под конец года в своих отчётах. Это лишь немного сдержало рост цен, но не смогло существенно повлиять на тенденцию к их повышению. 
Источник изображения: TrendForce Контрактные цены на NAND тоже растут, подтягивая за собой спот-рынок. Многие продавцы на этом фоне придерживают партии товара, рассчитывая позже продать их по более высоким ценам. Подобный искусственный дефицит тоже способствует росту цен. За предыдущие семь дней до 23 декабря цены на 512-гигабитные чипы TLC выросли на 19,73 % до $11,517. Память типа SLC и MLC подорожала менее заметно, на величину от 0,72 до 3,15 %. Десять экс-сотрудников Samsung арестованы за кражу технологий DRAM 10-нм класса для Китая
23.12.2025 [22:44],
Николай Хижняк
Правоохранительные органы Южной Кореи арестовали 10 бывших сотрудников компании Samsung, которые, как утверждается, передали технологии производства памяти DRAM на основе некоего техпроцесса 10-нм класса китайской компании ChangXin Memory Technologies (CXMT). Бывшие сотрудники Samsung обвиняются в нарушении «Закона о предотвращении разглашения и защите промышленных технологий», более известного как «Закон о защите промышленных технологий». 
Источник изображения: Samsung Из десяти арестованных пятеро являлись ключевыми сотрудниками подразделения разработок Samsung Electronics, включая бывшего руководителя. Остальные — бывшие руководители подразделений, отвечавших за новые разработки и исследования. По данным Asia Business Daily, после основания CXMT в 2016 году китайская компания переманила руководителей и ключевых сотрудников из Samsung Electronics, которая на тот момент была единственным предприятием, занимавшимся массовым производством DRAM 10-нм класса. Утверждается, что утечка позволила CXMT произвести первую в Китае DRAM 10-нм уровня в 2023 году, и, по мнению прокуратуры Южной Кореи, похищенные технологии также заложили основу для прогресса китайской компании в области памяти HBM. Компания CXMT начала массовое производство памяти HBM2 в 2024 году. Ожидается, что она займёт до 15 % глобального рынка данного вида памяти, что приведёт к триллионным убыткам в корейских вонах как для Samsung, так и для национальной экономики Южной Кореи. Сообщается, что некий «г-н А», бывший руководитель Samsung, отвечал за разработку технологии выпуска DRAM 10-нм класса для CXMT, в то время как «г-н Б», ключевой сотрудник, участвовавший в исследованиях этой технологии, предположительно скопировал информацию о производстве DRAM на одном из предприятий Samsung. Издание Chosun Daily сообщает, что «г-н Б» вручную переписал 12 страниц информации о технологии 10-нм уровня, чтобы избежать обнаружения, поскольку компании-производители полупроводников очень внимательно относятся к своей информации, поэтому копирование файлов с компьютера или их фотографирование с помощью смартфона могло бы привести к его немедленному задержанию. Это не первый случай ареста сотрудников южнокорейских технологических компаний за кражу информации в интересах китайских компаний. В начале этого года бывший сотрудник SK hynix был задержан перед посадкой на рейс в Китай, а другой инженер был приговорён к 18 месяцам тюремного заключения за попытку продажи информации компании Huawei. В прошлом году также были арестованы два бывших руководителя Samsung по обвинению в краже конфиденциальной информации и использовании её для создания собственного завода по производству микросхем в Китае. Однако в последнем деле фигурирует больше людей, чем в предыдущих случаях. Сообщается, что группа использовала подставные компании для передачи информации и постоянно меняла местоположение своих офисов, чтобы избежать обнаружения. Южнокорейская прокуратура также заявила, что группа старалась действовать крайне скрытно, «предполагая, что за ними может следить Национальная разведывательная служба», и даже использовала криптографию для экстренной связи. Дефицит довёл до криминала: сотрудники Samsung брали взятки за оптовые поставки памяти без очереди
20.12.2025 [01:37],
Николай Хижняк
По данным DigiTimes, Samsung расследует случаи предполагаемых откатов, связанных с продажами памяти DRAM и NAND на Тайване. В сообщении говорится, что штаб-квартира Samsung тайно направила следователей на Тайвань для проведения «внутреннего расследования» и опроса сотрудников подразделений, связанных с полупроводниками, после того как источники в цепочке поставок указали на случаи неоправданных скидок при закупке памяти. 
Источник изображения: VideoCardz «В расследовании, проводимом Samsung, фигурируют несколько сотрудников и дистрибьюторов Samsung, подозреваемых в получении откатов, связанных с микросхемами памяти. В дело вовлечены даже Сингапур и Китай», — пишет DigiTimes. В своём материале DigiTimes отмечает, что нынешний дефицит и рост цен на память отличаются от предыдущих циклов, и аналитики ожидают, что кризис продлится до 2027 года. Неудержимый спрос на чипы памяти, связанный с активным развитием систем искусственного интеллекта, смещает предложение крупных производителей памяти, таких как Samsung, SK Hynix и Micron, в сторону более маржинальных продуктов — HBM и компонентов для корпоративного сектора, в то время как доступность обычных чипов памяти DRAM и NAND сокращается. Одновременно с этим консервативный подход производителей к расширению мощностей после пандемии COVID-19, в сочетании с ускоренным выводом из эксплуатации устаревших производственных процессов DDR4, ещё больше усугубил дисбаланс спроса и предложения. Издание утверждает, что в рамках расследования Samsung уже провела несколько опросов, а сама ситуация привела к кадровым перестановкам, начиная с отделов маркетинга и продаж. В отчёте также поднимается вопрос о том, что проблема выходит за пределы Тайваня и может касаться операций Samsung в Сингапуре и Китае, хотя более подробные детали на этот счёт не сообщаются. Представитель Samsung в разговоре с DigiTimes заявил, что внутреннее расследование является частью «рутинных операционных процедур», и отказался от дальнейших комментариев. |
|
✴ Входит в перечень общественных объединений и религиозных организаций, в отношении которых судом принято вступившее в законную силу решение о ликвидации или запрете деятельности по основаниям, предусмотренным Федеральным законом от 25.07.2002 № 114-ФЗ «О противодействии экстремистской деятельности»; |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
