Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Китайские учёные сообщили о разработке альтернативной ячейки памяти DRAM — дешевле и лучше «классики»
10.01.2026 [13:39],
Геннадий Детинич
Хотя Китай находится под санкциями в плане возможности закупок передового оборудования для производства чипов, включая оперативную память, работе исследователей это сильно не вредит. Более того, санкции заставляют активнее искать альтернативы классическим производствам, включая разработку перспективных архитектур. Одним из таких открытий стала разработка китайскими учёными архитектуры ячейки DRAM без обязательного конденсатора. 
Источник изображения: IME CAS О разработке сообщили исследователи из Института микроэлектроники при Китайской академии наук (IME CAS), создавшие техпроцесс производства новой памяти совместно с другими научными учреждениями Китая. В общем случае речь идёт о ячейке DRAM стандартного относительного размера 4F² (это минимальный размер классической ячейки памяти с одним транзистором и одним конденсатором). Тем самым ячейка новой архитектуры не больше классической, что уже намекает на хорошие перспективы разработки. Самое важное, что «китайская» ячейка не содержит отдельного конденсатора для хранения заряда (данных), что всегда служило проблемой для снижения масштаба техпроцесса производства DRAM. Вместо этого заряд хранится в канале управляющего транзистора ячейки, иначе называемого плавающим зарядом. Более того, у ячейки два управляющих транзистора (схема 2T0C), что позволяет им хранить заряд совместно в одном общем канале. Это повышает стабильность работы ячейки во всех режимах, включая снижение токов утечек. Также эта архитектура даёт возможность записывать два бита данных в каждую ячейку, обеспечивая четырёхуровневое значение заряда. Не менее хитро продуман техпроцесс производства новой памяти, и он предельно простой — заключается всего в одном экспонировании и одной обработке после экспонирования. Литографическая обработка производится сразу для заранее подготовленной многослойной пластины, состоящей из пяти нанометровых слоёв полупроводников, таких как материалы IGZO, тантал и другие, разделённых четырьмя слоями изолятора в лице диоксида кремния. В пластине за один проход вытравливаются углубления до 120 нм, стенки которых затем отжигом и напылением превратят в элементы транзисторов. Каждое углубление представляет собой два транзистора и, фактически, одну ячейку памяти. Транзисторы изготавливаются за один проход и поэтому не требуют совмещения по осям — процесс происходит как бы с самовыравниванием. Верхний транзистор отвечает за запись ячейки, а нижний — за чтение. Между ними физически расположен канал, одновременно являющийся местом для хранения заряда. Похоже, что проще техпроцесса для выпуска DRAM не придумать, что может стать основой для массового производства относительно недорогой оперативной памяти. Согласно проведённым исследованиям образцов новой памяти, ячейка может хранить данные 470–500 секунд без регенерации. Это не NAND-флеш, но тоже интересно с точки зрения снижения потребления новой архитектурой DRAM. Данное свойство может быть востребовано во встраиваемой архитектуре DRAM для мобильных применений. Задержка чтения составляет 50 нс, что сопоставимо с возможностью DDR5. Температурные дрейфы напряжения затвора находятся в допустимом диапазоне — менее 100 мВ для 85 °C. Одним словом, хоть сейчас в производство. Кстати, техпроцесс идеален для стекового многослойного выпуска оперативной памяти, с чем сегодня пока проблемы. Впрочем, ещё вопрос, попадёт ли эта память в производство. Очевидно, что одних лабораторных исследований для этого недостаточно. Неясны уровень брака и повторяемость характеристик в производственных условиях. Как бы там ни было, от лабораторных экземпляров до серийных чипов могут пройти даже не годы, а десятилетия, как показывает практика внедрения ReRAM, FeRAM, MRAM и других типов перспективной памяти. AMD не ожидает дефицита видеокарт Radeon в 2026 году, но роста цен не избежать
10.01.2026 [10:25],
Николай Хижняк
Прочные партнёрские отношения AMD с поставщиками памяти DRAM гарантируют отсутствие дефицита видеокарт Radeon в 2026 году. Об этом в разговоре с TweakTown на выставке CES 2026 заявил вице-президент и генеральный менеджер подразделения клиентских процессоров AMD и графики Radeon Дэвид Макафи (David McAfee).  Однако Макафи не исключил повышения цен на видеокарты, поскольку AMD стремится поддерживать конкурентоспособное соотношение производительности и цены для геймеров на фоне роста стоимости компонентов. Цены на чипы памяти DRAM на мировом рынке делают покупку компонентов ПК, таких как оперативная память, всё более недоступной. Аналогичные процессы распространяются и на рынок видеокарт, поскольку в них используется микросхемы видеопамяти. Например, флагманская видеокарта AMD последнего поколения RDNA 4, Radeon RX 9070 XT, стандартно комплектуется 16 Гбайт памяти GDDR6. «Сложности и проблемы рынка DRAM были очень подробно освещены в СМИ. Что касается нас, у нас налажены долгосрочные партнёрские отношения со всеми производителями DRAM, чтобы гарантировать удовлетворение наших потребностей в поставках DRAM для наших графических процессоров [Radeon] и обеспечить производство того, что нужно геймерам», — заявил Макафи. AMD не прогнозирует дефицита своих видеокарт Radeon для ПК-геймеров в 2026 году. «С этой точки зрения меня не беспокоит, что нынешние ограничения [на рынке памяти] приведут к дефициту видеокарт на рынке. Я думаю, у нас достаточно долгосрочных, глубоких и стратегически важных партнёрских соглашений. Это критически важная проблема, над решением которой мы работаем с нашими партнёрами каждый день», — добавил Макафи. Вторым важным вопросом, связанным с нынешним кризисом на рынке памяти, является ценообразование. Доступность — это одно, а продажа видеокарты по первоначально установленной цене — совсем другое. Хорошая новость заключается в том, что AMD полна решимости сохранить конкурентоспособность Radeon в условиях неопределённости в ближайшей перспективе, но повышение цен, вероятно, всё равно произойдет. «Наше конкурентное преимущество Radeon заключается в том, чтобы предоставить конечным пользователям больше за их деньги, и по мере изменения рыночной конъюнктуры мы хотим убедиться, что продолжаем это делать и обеспечиваем геймерам наилучшую производительность за доллар. Даже несмотря на рост стоимости компонентов, мы будем максимально активно работать в этом направлении, чтобы обеспечить максимальную производительность за доллар. Я не собираюсь утверждать, что цены на все эти компоненты останутся неизменными. Я думаю, что неизбежно что-то произойдёт. И мы стараемся максимально смягчить последствия, чтобы сохранить высокую ценность для конечных пользователей», — отметил топ-менеджер AMD. Ящик модулей DDR5 уже стоит, как дом в Шанхае — и покупателей памяти становится всё меньше
08.01.2026 [14:33],
Алексей Разин
Цены на оперативную память быстрее всего растут в серверном сегменте, китайский рынок не является исключением, но местные цены на DDR5 уже достигли того уровня, который начинает вызывать отторжение у покупателей. В частных беседах те уже признают, что сотня модулей памяти объёмом 256 Гбайт стоит столько же, как дом в Шанхае. 
Источник изображения: Micron Technology Если рассмотреть ситуацию подробнее, то за один модуль DDR5 указанного объёма в Китае просят от $5000 до $7000. По сути, в одном ящике при закупках для нужд ЦОД размещается 100 таких модулей, и в этом случае уже приходится говорить о стоимости в районе $700 000. За сопоставимую сумму в Шанхае — не самом дешёвом китайском мегаполисе, предлагаются жилые дома. При этом во многих случаях при покупке объекта недвижимости в указанном городе ещё и можно сэкономить относительно упоминаемой суммы. TrendForce напоминает, что в этом квартале контрактные цены на DRAM могут последовательно увеличиться сразу на 55–60 %, а в серверном сегменте данный прирост может оказаться ещё выше. Во многом в такой динамике цен на память виноваты американские облачные провайдеры, которые разогревают рынок своими огромными потребностями в развитии вычислительной инфраструктуры в условиях бума искусственного интеллекта. Контрактные цены на память NAND в этом квартале вырастут последовательно на 33–38 %, как предполагают эксперты TrendForce, так что редкий сегмент рынка памяти окажется в стороне от тенденции к всеобщему подорожанию. Даже потребительские накопители типа SSD в этих условиях готовятся вырасти в цене более чем на 40 %. Новая статья: Итоги-2025: почему память стала роскошью и что будет дальше
08.01.2026 [00:03],
3DNews Team
Данные берутся из публикации Итоги-2025: почему память стала роскошью и что будет дальше Серверы съедают всё: оперативная память подорожает ещё на 60 %, а SSD — на 40 % до конца марта
05.01.2026 [15:56],
Алексей Разин
В текущем квартале рынком памяти будут руководить прежние тенденции, как отмечает TrendForce. Производители памяти будут отдавать предпочтение потребностям серверного рынка, в результате чего контрактные цены на DDR вырастут последовательно на 55–60 %, а контрактные цены на NAND увеличатся на 33–38 % относительно четвёртого квартала минувшего года. 
Источник изображений: Samsung Electronics Активно скупаемая американскими облачными гигантами память продолжает дорожать, прочим потребителям приходится покупать её по всё более высоким ценам. В серверном сегменте контрактные цены на DRAM последовательно вырастут в этом квартале более чем на 60 %. В сегменте NAND всё сильнее проявляется разделение на потребительский сектор и направление ИИ. Основная часть твердотельной памяти уходит на производство SSD корпоративного класса, цены на клиентские SSD в итоге в текущем квартале могут вырасти более чем на 40 %. Поставщики DRAM, по мнению аналитиков TrendForce, в этом квартале продолжат отдавать приоритет обеспечению передовой продукцией серверного рынка. Основные производственные мощности и передовые технологии будут задействованы именно на серверном направлении. Классическая DRAM в условиях нарастающего дефицита может подорожать в масштабе контрактных цен на 55–60 % по сравнению с прошлым кварталом, а в сегменте NAND рост контрактных цен по всем товарным категориям достигнет 33–38 %. С учётом HBM контрактные цены на DRAM последовательно вырастут на 50–55 %. Сезонное снижение спроса на ноутбуки не помешает росту цен на оперативную память для ПК в этом квартале, поскольку для насыщения данного рынка выделяется всё меньше профильной продукции. Производители ПК вынуждены закупать память по более высоким ценам, многие сокращают удельный объём памяти в составе предлагаемых компьютеров. Растут цены не только на отдельные микросхемы памяти, но и модули памяти на их основе. В серверном сегменте ориентация на инференс в системах искусственного интеллекта увеличила спрос на память ещё в конце прошлого года. Американские облачные гиганты увеличивают объёмы закупок, опережая ранее сформированные графики. Именно они стали крупнейшими покупателями памяти на рынке, поглощая основную часть дополнительного предложения производителей. Наращивать поставки за счёт ранее сформированных запасов скоро перестанет получаться, а потому доступность памяти будет определяться способностью производителей наладить обработку дополнительного количества кремниевых пластин. Последовательный рост контрактных цен на серверную DRAM в этом квартале должен превысить 60 %. Рынок мобильной техники в первом квартале переживает сезонный спад спроса, но в условиях дефицита памяти улучшения ситуации с доступностью микросхем LPDDR4X и LPDDR5X ожидать не следует, по мнению представителей TrendForce. Дорожает и память для видеокарт, даже с учётом снижения спроса на графические решения Nvidia семейства GeForce RTX 6000. Память для видеокарт производится по схожим технологиям с DDR5, поэтому поставщики отдают приоритет последней, усиливая дефицит GDDR и провоцируя рост цен. Производители не торопятся наращивать объёмы выпуска продукции, что будет способствовать сохранению дефицита DRAM в целом.  В первом квартале, по прогнозу TrendForce, спрос на клиентские SSD последовательно сократится, поскольку объёмы поставок ноутбуков уменьшатся, а характеристики решений начального и среднего ценового уровня будут ухудшаться ради снижения себестоимости. Поставщикам SSD выгоднее концентрироваться на серверном рынке. Наибольшим дефицитом становятся ёмкие накопители на основе памяти типа QLC, которые ранее отличались относительно низкой стоимостью. В этом квартале клиентские SSD последовательно подорожают на 40 %, продемонстрировав самую высокую динамику цен в сегменте NAND. Как ожидают эксперты TrendForce, в текущем году мировой серверный рынок достигнет пика, во многом благодаря активности американских компаний по развитию вычислительной инфраструктуры для ИИ. В сегменте eMMC/UFS спрос на твердотельную память со стороны производителей смартфонов в текущем квартале просядет, поскольку в первой половине прошлого года производители активно стимулировали продажи, и все желающие закупились смартфонами на обозримую перспективу. В этом квартале продажи смартфонов последовательно сократятся на значительную величину. Сегмент хромбуков также не поможет рынку eMMC/UFS оживить спрос, а поставщики памяти этих типов будут сокращать предложение. Цены на кремниевые пластины для производства твердотельной памяти продолжат расти в силу целого набора факторов, хотя спрос и должен сократиться в текущем квартале. Китайский производитель памяти CXMT собирается выручить в ходе IPO до $4,2 млрд
01.01.2026 [09:00],
Алексей Разин
Давно понятно, что наблюдавшийся в прошлом году подъём цен на память вызван бумом ИИ, который нацелил ресурсы всех производителей на удовлетворение спроса в этом сегменте рынка. Пожалуй, для привлечения инвестиций производителям памяти лучшего времени не найти, поэтому китайская CXMT собирается выйти на биржу в Шанхае именно сейчас, рассчитывая привлечь $4,2 млрд. 
Источник изображения: CXMT В прошлом году CXMT, которая является крупнейшим производителем DRAM в Китае, почти удвоила свою выручку и ожидает благодаря этому перейти на безубыточность. В мировых масштабах CXMT является четвёртым по величине производителем DRAM, уступающим только тройке классических лидеров в лице Samsung, SK hynix и Micron. Вырученные на IPO деньги она намеревается направить на расширение производства памяти, модернизацию предприятий и разработку перспективных типов памяти. Ориентируясь главным образом на внутренний рынок Китая, компания вполне неплохо могла бы себя чувствовать при наличии достаточных для расширения производства сумм. Следует учитывать, что инвестиции в производство памяти не дают моментальной отдачи, на строительство новых линий уходят годы, а в условиях западных санкций китайским производителям сложно получать доступ к необходимым технологиям и обеспечивать экономически оправданный уровень выхода годной продукции. Спрос уже превышает предложение, и дальше разрыв будет только увеличиваться, поэтому CXMT предстоит действовать решительно, находя адекватное применение вырученным на IPO средствам. Недавно CXMT оказалась замешана в скандале с предполагаемой утечкой технологических секретов Samsung Electronics, поэтому определённые репутационные издержки могут помешать ей завоёвывать доверие инвесторов. Дополнительные производственные мощности когда-нибудь пригодятся, даже если к моменту насыщения рынка памяти на этом этапе CXMT со своим расширением производства не успеет. Nemix представила DDR5-комплект за $70 800 — и объяснила, почему он стоит так дорого
28.12.2025 [07:37],
Анжелла Марина
Компания Nemix из США, специализирующаяся на поставках памяти и накопителей для крупных технологических компаний и государственных структур, представила комплект оперативной памяти DDR5 общей ёмкостью 4 Тбайт. Набор состоит из 16 модулей ECC RDIMM (Registered Dual In-line Memory Module) по 256 Гбайт каждый, работающих на частоте 6400 МТ/с с CAS-латентностью 52 и при этом потребляющих всего 1,1 В напряжения. Однако внушительная цена комплекта делает его уделом высокобюджетных гиперскейлеров и энтузиастов экстремальных рабочих станций, где критически важны как объём памяти, так и её надёжность. 
Источник изображения: NEMIX Цена набора, как стало известно изданию TechPowerUp, составляет $70 800, что эквивалентно примерно $17,3 за гигабайт, то есть почти вдвое дороже, чем у потребительской DRAM, средняя стоимость которой сейчас находится на уровне $10 за 1 Гбайт. Такой ценовой разрыв объясняется не просто текущим дефицитом DRAM на рынке, а особыми техническими характеристиками этих модулей. В отличие от обычных DDR5-модулей, где коррекция ошибок (ECC) реализована только внутри самого чипа памяти (on-die ECC), в этих RDIMM используются дополнительные внешние микросхемы коррекции ошибок (off-die ECC). Встроенная ECC в DDR5 сама по себе не обеспечивает полной защиты от ошибок, так как она предназначена лишь для исправления сбоев внутри отдельного чипа, но чтобы гарантировать надёжность, памяти требуется дополнительная микросхема (на основе кремния), обеспечивающая коррекцию ошибок на уровне всего модуля. Именно это «кремниевое» решение делает такие модули пригодными для использования в гипермасштабируемых системах и рабочих станциях и объясняет их высокую стоимость. Хотя цена в $70 800 кажется астрономической, для крупных компаний она может быть оправдана, так как они, как правило, закупают такие комплекты большими объёмами и получают значительные оптовые скидки. Кроме того, в условиях острого дефицита DRAM-чипов на мировом рынке подобные решения становятся особенно востребованными для развёртывания инфраструктуры, где нельзя пожертвовать ни плотностью памяти, ни надёжностью. Если говорить о сценариях использования комплекта, то он включает обучение крупных моделей искусственного интеллекта, хранение терабайтов данных в оперативной памяти (in-memory databases), а также управление крупными кластерами виртуализации, где один физический сервер может одновременно обслуживать сотни контейнеров или виртуальных машин. В этом контексте его стоимость составляет лишь незначительную часть общих капитальных затрат на ИТ-инфраструктуру. Грядёт волна задержек новых ноутбуков от крупнейших брендов из-за дефицита DRAM
27.12.2025 [15:10],
Павел Котов
Дефицит чипов памяти, в том числе оперативной, уже оказал отрицательное влияние на потребительский рынок: одни производители повышают цены, другие предлагают покупателям приобретать планки памяти самостоятельно — дошло до возвращения 8-Гбайт модулей во флагманские смартфоны. И это только начало. 
Источник изображения: Samsung Дефицит оперативной памяти вскоре приведёт к тому, что крупные бренды начнут задерживать выпуск продукции на рынок, и коснётся это, в частности, сегментов ноутбуков и мобильных устройств, передаёт корейское деловое издание Chosun Biz. Крупные производители компьютеров, в том числе HP и Lenovo, уже заключили соглашения с поставщиками памяти в стремлении обеспечить себя комплектующими для предстоящего цикла запуска продукции, сообщили изданию инсайдеры и отраслевые аналитики. Несмотря на это, эксперты прогнозируют задержки с выпуском новой продукции, потому что спрос на DRAM всё ещё превышает предложение. В качестве альтернативных сценариев допускается повышение цен, которое составит около 30 % в премиум-сегменте — при том, что по отрасли в целом цены уже подскочили на 9 % — либо сокращение сегмента премиальных ноутбуков. Будут ли эти невесёлые сценарии реализовываться в соответствии с прогнозами, станет ясно уже очень скоро — в начале наступающего года стартует выставка CES 2026, на которой ожидается множество презентаций новых продуктов. В следующем году 20 % производства памяти будет работать на нужды ИИ
26.12.2025 [14:30],
Алексей Разин
В масштабах истории всей компьютерной отрасли бум искусственного интеллекта кажется лишь коротким моментом, но он уже начинает перекраивать всю конъюнктуру рынка компонентов. По некоторым оценкам, к началу наступающего года 20 % производственных линий, выпускающих память DRAM, будет занято производством памяти для нужд ИИ 
Источник изображения: Micron Technology Об этом сообщает Commercial Times, подчёркивая, что в следующем году потребность облачного рынка в высокоскоростной памяти будет измеряться 3 эксабайтами. И это лишь 7,5 % от всего объёма оперативной памяти, который будет выпущен. Но вместе с тем, под производство памяти для сегмента ИИ будет уходить до 20 % мощностей. Современные тенденции в развитии инфраструктуры ИИ таковы, что формируется высокий спрос на большие объёмы памяти типа HBM и GDDR7, а для их производства требуется гораздо больше ресурсов, чем в случае с классической DDR. В частности, на выпуск 1 Гбайт HBM уходит в четыре раза больше сырья, а в случае с GDDR7 пропорция достигает 1,7x. Рынок систем ИИ серьёзно нагружает производство микросхем памяти, дефицит только усиливается. Мировые мощности по выпуску DRAM в следующем году достигнут 40 эксабайт. При этом производственные мощности в сегменте DRAM не смогут прирастать более чем на 15 или 20 % в год, и разрыв между спросом и предложением продолжит увеличиваться. Концентрация на выпуске более дорогой и выгодной памяти для сегмента ИИ продолжит толкать цены на классическую DDR вверх. На нужды одного только инференса на стороне крупных облачных игроков типа Google или AWS уйдёт до 750 петабайт памяти, что примерно соответствует одной четвёртой общей потребности. И это лишь минимальная оценка, которая с учётом необходимости формирования резервов и быстрого строительства вычислительных мощностей легко удваивается до полутора эксабайт. Частные облачные системы (Meta✴✴ и Apple) в комбинации с китайским внутренним рынком потребуют ещё до 800 петабайт памяти. Ещё 500 петабайт необходимо для обучения новых языковых моделей. Рост цен на DRAM чуть замедлился к концу года, но это временное явление
25.12.2025 [08:40],
Алексей Разин
Специалисты TrendForce продолжают неусыпно следить за динамикой цен на рынке памяти, их новейший отчёт указывает на сохранение тенденции к росту цен, но с небольшим сезонным нюансом — кратковременный рост предложения немного его замедлил. Вряд ли влияние этого фактора надолго сохранится, поэтому в следующем году цены на память продолжат свой рост. 
Источник изображения: Kingston Technology По информации TrendForce, за период с 17 по 23 декабря включительно стоимость наиболее востребованных чипов памяти DRAM на рынке моментальных сделок в среднем выросла на 9,52 % до $21,75, если рассматривать чипы поколения DDR4. При этом в сегменте находились варианты чипов, которые за указанный период подорожали на величину до 12,87 %. Устаревшая DDR3 пользуется гораздо меньшим спросом, её стоимость выросла всего на 2,23 %. 
Источник изображения: TrendForce Крупнейшим поставщиком модулей памяти остаётся Kingston, она на этой неделе резко подняла цены на свою продукцию, но одновременно продавцы старались увеличить количество предлагаемого товара, чтобы более выгодно отобразить выручку под конец года в своих отчётах. Это лишь немного сдержало рост цен, но не смогло существенно повлиять на тенденцию к их повышению. 
Источник изображения: TrendForce Контрактные цены на NAND тоже растут, подтягивая за собой спот-рынок. Многие продавцы на этом фоне придерживают партии товара, рассчитывая позже продать их по более высоким ценам. Подобный искусственный дефицит тоже способствует росту цен. За предыдущие семь дней до 23 декабря цены на 512-гигабитные чипы TLC выросли на 19,73 % до $11,517. Память типа SLC и MLC подорожала менее заметно, на величину от 0,72 до 3,15 %. Десять экс-сотрудников Samsung арестованы за кражу технологий DRAM 10-нм класса для Китая
23.12.2025 [22:44],
Николай Хижняк
Правоохранительные органы Южной Кореи арестовали 10 бывших сотрудников компании Samsung, которые, как утверждается, передали технологии производства памяти DRAM на основе некоего техпроцесса 10-нм класса китайской компании ChangXin Memory Technologies (CXMT). Бывшие сотрудники Samsung обвиняются в нарушении «Закона о предотвращении разглашения и защите промышленных технологий», более известного как «Закон о защите промышленных технологий». 
Источник изображения: Samsung Из десяти арестованных пятеро являлись ключевыми сотрудниками подразделения разработок Samsung Electronics, включая бывшего руководителя. Остальные — бывшие руководители подразделений, отвечавших за новые разработки и исследования. По данным Asia Business Daily, после основания CXMT в 2016 году китайская компания переманила руководителей и ключевых сотрудников из Samsung Electronics, которая на тот момент была единственным предприятием, занимавшимся массовым производством DRAM 10-нм класса. Утверждается, что утечка позволила CXMT произвести первую в Китае DRAM 10-нм уровня в 2023 году, и, по мнению прокуратуры Южной Кореи, похищенные технологии также заложили основу для прогресса китайской компании в области памяти HBM. Компания CXMT начала массовое производство памяти HBM2 в 2024 году. Ожидается, что она займёт до 15 % глобального рынка данного вида памяти, что приведёт к триллионным убыткам в корейских вонах как для Samsung, так и для национальной экономики Южной Кореи. Сообщается, что некий «г-н А», бывший руководитель Samsung, отвечал за разработку технологии выпуска DRAM 10-нм класса для CXMT, в то время как «г-н Б», ключевой сотрудник, участвовавший в исследованиях этой технологии, предположительно скопировал информацию о производстве DRAM на одном из предприятий Samsung. Издание Chosun Daily сообщает, что «г-н Б» вручную переписал 12 страниц информации о технологии 10-нм уровня, чтобы избежать обнаружения, поскольку компании-производители полупроводников очень внимательно относятся к своей информации, поэтому копирование файлов с компьютера или их фотографирование с помощью смартфона могло бы привести к его немедленному задержанию. Это не первый случай ареста сотрудников южнокорейских технологических компаний за кражу информации в интересах китайских компаний. В начале этого года бывший сотрудник SK hynix был задержан перед посадкой на рейс в Китай, а другой инженер был приговорён к 18 месяцам тюремного заключения за попытку продажи информации компании Huawei. В прошлом году также были арестованы два бывших руководителя Samsung по обвинению в краже конфиденциальной информации и использовании её для создания собственного завода по производству микросхем в Китае. Однако в последнем деле фигурирует больше людей, чем в предыдущих случаях. Сообщается, что группа использовала подставные компании для передачи информации и постоянно меняла местоположение своих офисов, чтобы избежать обнаружения. Южнокорейская прокуратура также заявила, что группа старалась действовать крайне скрытно, «предполагая, что за ними может следить Национальная разведывательная служба», и даже использовала криптографию для экстренной связи. Дефицит довёл до криминала: сотрудники Samsung брали взятки за оптовые поставки памяти без очереди
20.12.2025 [01:37],
Николай Хижняк
По данным DigiTimes, Samsung расследует случаи предполагаемых откатов, связанных с продажами памяти DRAM и NAND на Тайване. В сообщении говорится, что штаб-квартира Samsung тайно направила следователей на Тайвань для проведения «внутреннего расследования» и опроса сотрудников подразделений, связанных с полупроводниками, после того как источники в цепочке поставок указали на случаи неоправданных скидок при закупке памяти. 
Источник изображения: VideoCardz «В расследовании, проводимом Samsung, фигурируют несколько сотрудников и дистрибьюторов Samsung, подозреваемых в получении откатов, связанных с микросхемами памяти. В дело вовлечены даже Сингапур и Китай», — пишет DigiTimes. В своём материале DigiTimes отмечает, что нынешний дефицит и рост цен на память отличаются от предыдущих циклов, и аналитики ожидают, что кризис продлится до 2027 года. Неудержимый спрос на чипы памяти, связанный с активным развитием систем искусственного интеллекта, смещает предложение крупных производителей памяти, таких как Samsung, SK Hynix и Micron, в сторону более маржинальных продуктов — HBM и компонентов для корпоративного сектора, в то время как доступность обычных чипов памяти DRAM и NAND сокращается. Одновременно с этим консервативный подход производителей к расширению мощностей после пандемии COVID-19, в сочетании с ускоренным выводом из эксплуатации устаревших производственных процессов DDR4, ещё больше усугубил дисбаланс спроса и предложения. Издание утверждает, что в рамках расследования Samsung уже провела несколько опросов, а сама ситуация привела к кадровым перестановкам, начиная с отделов маркетинга и продаж. В отчёте также поднимается вопрос о том, что проблема выходит за пределы Тайваня и может касаться операций Samsung в Сингапуре и Китае, хотя более подробные детали на этот счёт не сообщаются. Представитель Samsung в разговоре с DigiTimes заявил, что внутреннее расследование является частью «рутинных операционных процедур», и отказался от дальнейших комментариев. «В течение 2026 года и дальше» — Micron напугала, насколько затянется дефицит памяти
18.12.2025 [21:57],
Николай Хижняк
Компания Micron, один из трёх крупнейших поставщиков памяти в мире, прогнозирует сложные месяцы для мирового рынка оперативной памяти. В рамках квартального финансового отчёта генеральный директор Micron Санджай Мехротра (Sanjay Mehrotra) заявил, что «жёсткие отраслевые условия» на рынке DRAM и NAND, как ожидается, сохранятся «в течение 2026 года и дальше», поскольку искусственный интеллект стимулирует рост спроса. 
Источник изображения: Micron Technology В разгар бума ИИ Micron зарабатывает больше, чем когда-либо, поскольку такие компании, как OpenAI, Meta✴✴, Microsoft и Google, оснащают свои центры обработки данных мощными ИИ-чипами, поставляемыми в комплекте с высокоскоростной памятью HBM. Компания в очередной раз отчиталась о рекордной выручке в размере $13,64 млрд за прошедший квартал, что является значительным скачком по сравнению с $8,71 млрд, полученными за тот же период прошлого года. Micron недавно сообщила о закрытии своего бизнеса по производству потребительской продукции Crucial и смещении фокуса на гораздо более прибыльное производство памяти HBM, для выпуска которой используется в три раза больше кремниевых пластин по сравнению со стандартной DRAM. Это приводит к сокращению ресурсов, доступных для производства чипов памяти DRAM, применяемых в потребительских ПК, смартфонах, смарт-телевизорах и даже автомобилях. Дисбаланс в доступности памяти DRAM уже начал приводить к росту цен на комплекты оперативной памяти DDR5, и ожидается, что вскоре это повлияет и на другие устройства. «За последние несколько месяцев планы наших клиентов по созданию центров обработки данных для ИИ привели к резкому увеличению прогнозируемого спроса на память и хранилища», — сказал Мехротра во время конференции по итогам квартала, добавив, что «объём предложения будет существенно отставать от спроса в обозримом будущем». Micron также заявила в своём отчёте, что эти «ограничения предложения в сегменте чипов памяти» могут повлиять на поставки ПК в следующем году. Компания стремится нарастить производство и ожидает увеличения поставок DRAM и NAND-памяти на 20 % в следующем году, однако этого всё ещё недостаточно, чтобы полностью удовлетворить спрос. Kingston посоветовала закупаться ОЗУ и SSD, или будет поздно — NAND подорожала в 2,5 раза и это не предел
16.12.2025 [18:17],
Сергей Сурабекянц
Менеджер Kingston по продажам SSD для ЦОД Кэмерон Крэндалл (Cameron Crandall) в недавнем интервью заявил, что цены на чипы для модулей оперативной памяти и SSD продолжат расти в течение всего 2026 года. По его данным, NAND подорожала «на 246 %» по сравнению с первым кварталом 2025 года, причём 70 % этого роста пришлись на последние 60 дней. Поскольку этот компонент составляет 90 % от общей стоимости SSD, компании придётся соответствующим образом скорректировать цены. 
Источник изображений: Kingston Сразу стоит отметить, что Крэндалл ошибся в вопросе того, насколько на самом деле подорожала флеш-память. А цена выросла примерно в 2,5 раза, то есть ему следовало упомянуть 146 %, но вероятно он запутался в понятиях. Это, тем не менее, не отменят факта значительного подорожания памяти. Крэндалл заявил, что цены растут «как никогда раньше» за все 29 лет его работы в Kingston. На вопрос о том, как потребители могут справиться с продолжающимся дефицитом и ростом цен, он ответил: «Я думаю, что лучшее, что можно сделать, если вы планируете обновить свою систему, — это сделать это сейчас, а не ждать, потому что цены будут продолжать расти. Мой совет сегодня — не откладывать покупку, потому что через 30 дней она будет дороже, и, скорее всего, ещё дороже через 30 дней после этого». Хотя заявление Крэндалла противоречит некоторым другим прогнозам, обещающим стабилизацию цен на DRAM в течение следующих шести-восьми месяцев, он настаивает, что на рынке памяти существует ценовой цикл и что сейчас мы находимся на подъёме. Вероятно, именно поэтому компании-производители памяти сдерживают расширение своих производственных линий или строительство новых заводов. Если пузырь искусственного интеллекта лопнет, производители чипов могут оказаться владельцами дорогостоящих запасов NAND с нулевым спросом. Крэндалл также коснулся ситуации с уходом некоторых производителей памяти (например, Micron) с потребительского рынка. Он заявил, что Kingston сосредоточена на канале дистрибуции и, наряду с другими поставщиками SSD и оперативной памяти, сможет компенсировать потери, вызванные закрытием Crucial.  Крэндалл надеется, что дефицит не затянется надолго и этот «ценовой апокалипсис» не продлится десятилетие. Тем не менее, он уверен, что цены в ближайшее время не снизятся: «Ситуация плохая, и сейчас она только ухудшается». Он рекомендует не откладывать покупку SSD и оперативной памяти, а совершить её как можно скорее. На Amazon всплыли поддельные DDR5 — это DDR2 с распечатанными радиаторами
16.12.2025 [15:06],
Алексей Разин
Чем дороже товар, тем выше соблазн его подделать, и в этом полугодии в эту категорию начали попадать модули памяти типа DDR5. Как отмечает популярный ресурс VideoCardz, одному из его испанских читателей удалось приобрести на Amazon четыре комплекта памяти Adata XPG Caster в конфигурации 2 × 16 Гбайт, один из них оказался низкосортной подделкой на базе DDR2 или DDR. 
Источник изображений: VideoCardz, BravoNorris Планируя использовать часть купленных комплектов памяти при сборке компьютеров, BravoNorris столкнулся с тем, что один из них оказался подделкой. Внутри заводского блистера с полноценными опознавательными знаками DDR5 указанной серии лежала пара модулей DDR2 или DDR с наклеенными на них бумажными имитациями радиаторов от настоящей памяти ADATA XPG Caster. В нагрузку к этим фальшивкам шла подобранная по весу и обрезанная по размеру упаковки металлическая перфорированная пластина.  Как правило, в таких случаях автором подделки может выступать предыдущий покупатель товара на маркетплейсе. Схема мошенничества давно знакома: сперва приобретается нормальный товар, потом содержимое упаковки подменяется на фальшивку, и оформляется возврат товара. Мошенник получает свои деньги от маркетплейса, оставляет себе полноценно функционирующее оригинальное изделие, ему лишь нужно потратиться на создание видимости отсутствия у возвращаемого товара дефектов. В случае с добросовестным испанцем, которому Amazon невольно продал фальшивый комплект оперативной памяти, заявка на возврат уже оформлена, но средства на его счёт пока не поступили. В подобных случаях имеет смысл записывать на камеру весь процесс распаковки изделия после покупки, чтобы иметь весомые доказательства подлога. |
|
✴ Входит в перечень общественных объединений и религиозных организаций, в отношении которых судом принято вступившее в законную силу решение о ликвидации или запрете деятельности по основаниям, предусмотренным Федеральным законом от 25.07.2002 № 114-ФЗ «О противодействии экстремистской деятельности»; |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
