Около 90 % выпускаемой в мире оперативной памяти сейчас поставляется тремя компаниями, две из которых (Samsung и SK hynix) относятся к Южной Корее, а третья является американской — Micron Technology. При этом доля США на мировом рынке памяти сейчас едва достигает 2 %, но через 20 лет руководство Micron надеется увеличить этот показатель до 15 %.

Источник изображения: Micron Technology

Об этом в интервью CNBC рассказал генеральный директор Micron Technology Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra). По его словам, в производственной программе компании доля выпускаемой на территории США памяти к тому времени вырастет с 10 до 60 %. Для этого будут построены новые предприятия в штатах Айдахо и Нью-Йорк. В первом из штатов выпуск памяти на новом предприятии будет налажен в 2026 году, а предприятие в штате Нью-Йорк начнёт возводиться в конце следующего года, чтобы к 2027 году наладить выпуск микросхем памяти. Подобные предприятия, по словам представителей Micron, обязаны быть крупными, чтобы обеспечить экономию расходов на масштабах производства. В штате Нью-Йорк компания рассчитывает за двадцать лет построить четыре предприятия, потратив на это до $100 млрд. На первом этапе в плане субсидий она уже может рассчитывать на поддержку властей штата в размере $5,5 млрд, также подана заявка и на субсидирование из федерального бюджета по так называемому «Закону о чипах». На строительство предприятия в Айдахо планируется потратить $15 млрд. Сейчас Micron свои передовые чипы памяти производит преимущественно в Японии и на Тайване, но в ближайшие годы она рассчитывает усилить роль США в этой сфере.

Долгое время Micron не строила новых предприятий, а свою экспансию на рынке осуществляла за счёт поглощения более мелких производителей и их производственных площадок. В частности, с 1998 года Micron провела 11 соответствующих сделок. Теперь пришла пора взяться за строительство новых предприятий, и текущий спад на рынке памяти не смущает руководство Micron Technology. В сегменте смартфонов потребность в увеличении объёма памяти проявит себя довольно скоро из-за роста вычислительной нагрузки и появления более «тяжёлого» транслируемого по сети контента. В сегменте искусственного интеллекта будет расти спрос на скоростную память типа HBM. Автопилот и развитие автомобильной электроники обеспечат спрос на память со стороны транспортной отрасли.

Предприятие Micron в штате Нью-Йорк, строительство которого начнётся в следующем году, будет ежедневно потреблять объём воды, сопоставимый с ёмкостью 25 олимпийских бассейнов, а также потреблять объём электроэнергии, которого хватило бы на 25 000 домовладений. Говоря о преимуществах строительства предприятия в США, руководство Micron отмечает низкую стоимость энергоресурсов. При этом здесь дороже рабочая сила, а также выше затраты на строительство предприятий, но и по этому показателю прочие регионы планеты догоняют США. Нехватку квалифицированных кадров Micron старается побороть за счёт сотрудничества с американскими университетами. В конце концов, в ближайшие пару десятилетий компании предстоит в одном только штате Нью-Йорк принять на работу около 50 000 жителей США, поэтому целевые образовательные программы приходится запускать уже сейчас. Micron даже финансирует деятельность тематического летнего лагеря для подростков, чтобы формировать у молодёжи интерес к полупроводниковой отрасли.

В четвёртом квартале ожидается повышение цен на чипы флеш-памяти NAND и оперативной памяти DRAM — рост цен на последние за этот период составит 3–8 %, уверены аналитики TrendForce. Дальнейшая судьба этой тенденции будет определяться готовностью поставщиков удержать сниженные объёмы производства и степенью восстановления фактического спроса, а ключевым рынком в данном разрезе окажется серверный.

Источник изображения: samsung.com

В сегменте DRAM для ПК уже в III квартале был взят курс на рост цен DDR5. Ожидаемое подорожание DDR4 станет стимулом для OEM-производителей компьютеров нарастить закупки. При этом запасы поставщиков пока остаются значительными, угроза дефицита отсутствует, а Samsung была вынуждена дополнительно сократить производство. Перед лицом отрицательной валовой прибыли от продуктов DRAM большинство производителей исчерпало возможности и дальше снижать цены, нащупывая почву для их роста — таким образом, рост цен в секторе DDR4 для ПК составит 0–5 %, в DDR5 — 3–8 %. Учитывая, что DDR5 сейчас находится на стадии интенсивного внедрения, диапазон роста в 3–8 % будет актуален для всего рынка DRAM для ПК в IV квартале.

Если во II квартале запасы покупателей серверной DRAM составляли 20 %, то в последнее время они выросли до 30–35 %. Но поскольку в III квартале фактически задействованы были 15 %, то освоение рынка происходит медленнее, чем ожидалось. Сокращение производства Samsung затронуло сегмент DDR4, в результате чего сократились и поставки серверной продукции DDR4. В таких условиях ресурсов для дальнейшего снижения цен на DDR4 больше не остаётся, и производители в стремлении нарастить прибыль ускоряют выпуск DDR5. На рынке серверной продукции средние цены на DDR4 в IV квартале меняться не будут, а цены на DDR5 продолжат движение по нисходящей. Но с учётом роста поставок DDR5 и их разницы в цене с DDR4 на 50–60 % смешанная средняя цена продажи (ASP) пойдёт в рост. В результате за IV квартал контрактные цены на DRAM вырастут на 3–8 %.

Источник изображения: trendforce.com

В сегменте мобильной DRAM запасы вернулись к здоровому уровню раньше, чем в других. Благодарить за это следует эластичность цен, вызванную увеличением ёмкости памяти на устройство и оживлению спроса во второй половине 2023 года. Производство смартфонов в IV квартале едва ли достигнет прошлогодних показателей, но традиционный сезонный рост на 10 % является определяющим показателем для спроса на мобильную DRAM. Стоит, однако, отметить, что запасы производителей остаются высокими, а сокращение производства ещё не успело отразиться на избыточном предложении, зато производители уже начали настаивать на повышении цен. Для продукции с высокими запасами, такими как LPDDR4X и товары, изготовленные на основе старых производственных процессов, рост контрактных цен в IV квартале будет 3–8 %. А вот запасы LPDDR5(X) не столь велики, и здесь рост цен составит 5–10 %.

Динамика нишевого рынка оперативной памяти для видеокарт и игровых консолей, и готовность потребителей платить больше позволяют предположить, что закупки 16-Гбит чипов GDDR6 в преддверии роста цен в 2024 году останутся стабильными. В III квартале NVIDIA выпустила обновлённый серверный ускоритель L40S, что способствовало истощению запасов производителя. Игровые ноутбуки демонстрируют высокие продажи, опережая показатели по рынку лэптопов в целом. Все эти процессы приведут к росту контрактных цен на графическую DRAM на 3–8 % в IV квартале.

В сентябре Samsung начала в значительной мере сокращать производство — в IV квартале соответствующие показатели могут выйти на 30 %. В ожидании сокращения запасов производители стремятся повысить цены на потребительскую DRAM — до 10 %, что помогло бы им избежать убытков. Некоторые подняли цены уже в конце сентября, но спрос по-прежнему остаётся вялым. В итоге баланс спроса и предложения установить не получается, и рост контрактных цен на потребительскую DRAM, по прогнозам, в IV квартале составит 3–8 %, что ниже целевых показателей у производителей.

В 2016 году корейская компания Samsung Electronics первой в отрасли выпустила на рынок микросхемы памяти HBM первого поколения для применения в сегменте высокопроизводительных вычислений. Через год появилась 8-слойная память типа HBM2, позже вышли микросхемы HBM2E и HBM3, а память типа HBM4 компания рассчитывает представить в 2025 году.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как сообщается в корпоративном блоге компании, при выпуске микросхем типа HBM4 будут применяться инновации, направленные на улучшение термодинамических свойств этого вида продукции — проще говоря, будут применены решения для лучшего отвода тепла. При сборке стеков памяти будет применяться непроводящая полимерная плёнка, дополнительно механически защищающая монтируемые друг на друга чипы. Метод гибридного медного соединения будет сочетать медные проводники с плёночным оксидным изолятором вместо традиционного припоя.

Кроме того, как признаются представители Samsung Electronics, в начале 2023 года компания создала подразделение, курирующее передовые методы упаковки чипов. Своим клиентам южнокорейский гигант будет готов предложить услуги по тестированию и упаковке чипов с использованием методов 2.5D и 3D, которые могут быть востребованы разработчиками компонентов для высокопроизводительных вычислений и систем искусственного интеллекта.

К числу своих технологических достижений Samsung также относит выпуск микросхем оперативной памяти типа DDR5, позволяющих создавать модули памяти объёмом 128 Гбайт, а также освоение 12-нм техпроцесса в данной сфере. В дальнейшем компания рассчитывает использовать для выпуска микросхем памяти литографические нормы тоньше 10 нм.

В сфере высокопроизводительных вычислений может найти достойное применение и технология HBM-PIM, предусматривающая выполнение определённой части вычислений непосредственно силами самой микросхемы памяти. Быстродействие при этом удаётся повысить до 12 раз по сравнению с традиционной архитектурой микросхем памяти. Помимо HBM, такая архитектура будет внедряться и на микросхемах памяти, работающих с протоколом CXL.

Представленные недавно модули оперативной памяти LPCAMM, по словам представителей Samsung, можно будет применять не только в ноутбуках, но и в серверных системах, где их высокая плотность позволит увеличить объём используемой оперативной памяти без дополнительной потребности в занимаемых площадях. Такие модули памяти будет занимать на 60 % меньше места по сравнению с SO-DIMM, а производительность при этом вырастает на величину до 50 %. Энергетическая эффективность таких модулей памяти выше на 70 %.

Компания Micron Technology сообщила о начале массового производства и поставок 16-гигабитных чипов памяти DDR5, выполненных по самому передовому технологическому процессу производителя — 1β (1-beta). На основе этой памяти могут создаваться модули ОЗУ для серверов и персональных компьютеров со скоростью до 7200 МТ/с.

Источник изображений: Micron

Компания заявляет, что переход на техпроцесс 1β с передовой технологией High-K CMOS, четырёхфазной регулировкой тактовой частоты и синхронизацией тактов позволил увеличить производительность на 50 %, а энергоэффективность на ватт увеличена на 33 % по сравнению с прошлым поколением памяти.

С ростом количества ядер CPU для удовлетворения растущих потребностей рабочих нагрузок центров обработки данных значительно возрастает и потребность в более ёмкой памяти с высокой пропускной способностью. Память DRAM DDR5 со скоростью передачи данных до 7200 МТ/с на основе техпроцесса 1β от Micron позволяет масштабировать вычислительные возможности с более высокой производительностью для таких сфер, как обучение и интеграция искусственного интеллекта (ИИ), генеративного ИИ, анализ данных и базы данных в памяти (IMDB) в центрах обработки данных и на клиентских платформах.

Новые микросхемы памяти Micron получили объём 16, 24 и 32 Гбит (2, 3 и 4 Гбайт) и предлагают скорость работы от 4800 до 7200 MT/с. Новая память будет доступна как в серверном, так и в потребительском сегменте. Micron планирует распространить использование передового техпроцесса 1β на производство кристаллов памяти LPDDR5x, GDDR7 и даже HBM3e, отмечает производитель.

Южнокорейской компании Samsung Electronics аналитики накануне предрекали снижение операционной прибыли на 80 % до $1,56 млрд, но собственная предварительная статистика крупнейшего в мире производителя памяти оказалась более оптимистичной. Операционная прибыль должна сократиться на 78 % до $1,8 млрд в годовом сравнении, а выручка последовательно даже вырастет на 11,5 % до $50,02 млрд, как считают в компании.

Источник изображения: Samsung Electronics

Эти предварительные результаты третьего квартала пока отображают лишь собственные ожидания руководства Samsung Electronics, но сейчас фондовый рынок реагирует на итоги их сопоставления с прогнозами сторонних аналитиков, которые оказались хуже. На этом фоне акции корейского гиганта выросли в цене на 3,16 %. Операционная прибыль компании в последовательном сравнении вообще должна вырасти более чем в 16 раз. Впрочем, консенсус аналитиков по размеру выручки упоминал чуть более высокую сумму в районе $50,6 млрд.

Если опираться на собственный прогноз Samsung Electronics, выручка компании в третьем квартале должна снизиться на 13 % в годовом сравнении. Во втором квартале падение ключевых показателей было более сильным, поэтому умеренность снижения операционной прибыли и выручки по сравнению с предыдущим кварталом тоже отчасти воодушевила инвесторов. В целом, ранее Samsung уже заявляла, что ожидает восстановления спроса на свою продукцию во втором полугодии, а объёмы выпуска памяти типа HBM рассчитывала удвоить. Впрочем, на итогах третьего квартала всё ещё в значительной степени сказывались последствия решения Samsung сократить объёмы производства памяти из-за сохраняющегося затоваривания складов. По мнению аналитиков Eugene Investment & Securities, отрасль по производству памяти успешно миновала дно рынка, и результаты Samsung это доказывают.

Год назад компания Micron Technology, бравируя своим американским происхождением, объявила о грандиозных планах по развитию производства памяти на территории США, рассчитывая получить государственную поддержку в рамках «Закона о чипах». Торжественная церемония начала строительства предприятия в штате Айдахо состоялась на этой неделе.

Источник изображения: Micron Technologies

Как подчёркивается в пресс-релизе, это первый за последние двадцать лет такого рода проект на территории США, реализуемый исконно американской компанией. Церемония закладки фундамента приурочена к 45-летнему юбилею компании Micron Technology, и компанию передовому предприятию в штате Айдахо составит научно-исследовательский центр, расположенный по соседству со штаб-квартирой. В экономику штата на протяжении жизненного цикла предприятия руководство Micron планирует вложить $15,3 млрд, а непосредственно местным компаниям достанется около $13 млрд. Помимо 2000 рабочих мест на предприятии, Micron будет способствовать появлению ещё около 15 000 вакансий на стройке и в смежных отраслях. За последующие десять лет Micron собирается вложить в экономику родного штата не менее $75 млн, которые будут направлены на пользу обществу и обучение кадров. Во всяком случае, на новом предприятии будет использоваться только электроэнергия из возобновляемых источников, а водные ресурсы будут полностью использоваться повторно после очистки.

В штате Айдахо, как подчёркивает Micron, располагается единственное на территории страны предприятие по выпуску опытных образцов памяти DRAM. Местными специалистами зарегистрировано две трети патентных заявок, принадлежащих компании. В среднем они регистрируют до трёх патентных заявок ежедневно, если распределить всё количество на период существования научно-исследовательского центра. Появление по соседству передового предприятия, позволяющего выпускать в массовых количествах микросхемы памяти, обеспечит мощный синергетический эффект, как убеждены в Micron.

Так называемые «чистые помещения», в которых будет налажен выпуск микросхем памяти типа DRAM, будут введены в строй на новом предприятии с 2025 года, объёмы производства памяти будут наращиваться пропорционально спросу. В идеале, площадь «чистых помещений» на предприятии сможет приблизиться к 56 000 м². Здесь же расположится и крупнейший «чистый цех» на территории США. Ещё в августе этого года Micron подала заявку на получение субсидий на реализацию проектов в Айдахо и штате Нью-Йорк, но выделение средств со стороны американских властей пока не гарантируется.

Цикличность рынка памяти наглядно характеризуется итогами фискального года, который в календаре Micron Technology завершился 31 августа. За прошедший период компания выручила только $15,54 млрд, что примерно в два раза меньше итога предыдущего фискального года. Квартал был завершён с $4,01 млрд, продемонстрировав последовательный рост выручки на 6,9 %, но в годовом сравнении она упала на 40 %.

Источник изображения: Micron Technology

В минувшем квартале Micron 69 % всей выручки получила от реализации оперативной памяти типа DRAM, на этом направлении она последовательно выросла на 3 % до $2,8 млрд. В натуральном выражении поставки последовательно увеличились на 14–15 %, но средняя цена реализации упала на 8–9 %. По итогам всего года выручка от реализации DRAM составила 71 % совокупной выручки Micron, по сравнению с предыдущим фискальным годом она сократилась на 51 % до $11 млрд.

Источник изображения: Seeking Alpha

Выпуск памяти типа NAND принёс Micron в четвёртом квартале $1,2 млрд, что на 19 % больше результата третьего фискального квартала. В структуре совокупной выучки данный вид деятельности формировал 30 %, в натуральном выражении поставки последовательно выросли более чем на 40 %, но средняя цена реализации снизилась на 14–15 %. По итогам фискального года выручка от реализации твердотельной памяти составила 27 % от совокупной, она снизилась на 46 % до $4,2 млрд по сравнению с предыдущим фискальным годом.

Источник изображения: Seeking Alpha

В мобильном сегменте Micron в минувшем квартале выручила $1,2 млрд, что на 48 % больше итогов предыдущего квартала, но на 20 % меньше по сравнению с аналогичным периодом предыдущего года. В целом по итогам фискального года выручка Micron в мобильном сегменте сократилась на 50 % до $3,6 млрд. В сегменте сетевых решений и вычислений выручка прошлого квартала последовательно выросла на 14 % до $1,2 млрд, но в годовом сравнении опустилась на 59 %. В целом за год она сократилась на 58 % до $5,7 млрд.

Источник изображения: Seeking Alpha

Сегмент встраиваемых решений в минувшем квартале принёс Micron только $860 млн выручки, что на 6 % меньше итогов предыдущего, а также на 34 % меньше итогов аналогичного периода прошлого года. По итогам всего фискального года профильная выручка сократилась на 31 % до $3,6 млрд. Наконец, в сегменте систем хранения данных выручка Micron по итогам квартала выросла последовательно на 18 % до $739 млн, но в годовом сравнении опустилась на 17 %. По итогам всего фискального года профильная выручка сократилась на 44 % до $2,6 млрд.

И квартал ($1,2 млрд), и весь фискальный год ($4,8 млрд) компания завершила с операционными убытками, а чистые убытки составили соответственно $1,2 млрд и $4,9 млрд. Отрицательной оказалась и норма прибыли: минус 9 % по итогам квартала и минус 8 % по итогам фискального года. Выручка компании падает уже пять кварталов подряд, но в текущем Micron рассчитывает переломить тенденцию.

В ушедшем году капитальные затраты Micron достигли $7 млрд, а в следующем слегка превысят эту сумму. Компания существенно пересмотрела долю средств, которые будут направлены на масштабирование производства памяти типа HBM, но соответствующим планам необходимо посвятить отдельную публикацию. По родственным причинам в два раза увеличатся расходы на создание линий по тестированию и упаковке чипов памяти. Компания рассчитывает получить от властей США субсидии на строительство предприятий в штатах Айдахо и Нью-Йорк.

Хотя руководство Micron рассчитывает на восстановление спроса на память в 2024 фискальном году, который уже начался, на производственных линиях с использованием зрелых техпроцессов степень загрузки конвейера будет ниже оптимальной даже на протяжении какой-то части 2024 календарного года. На передовых технологических направлениях спрос начнёт опережать производственные возможности Micron во второй половине следующего года. Часть оборудования, которое было задействовано при выпуске памяти по зрелым техпроцессам, удастся переоснастить для наращивания объёмов выпуска по более современным технологиям.

В целом, Micron связывает большие надежды даже не с 2024 годом, а с 2025-м, поскольку к тому времени компания рассчитывает получать рекордную выручку по мере роста спроса на компоненты для систем искусственного интеллекта, и память типа HBM3E в этом прогрессе будет играть важнейшую роль. Сейчас компания способна выпускать 232-слойную память типа 3D NAND, по графику идёт освоение более сложной компоновки. В календарном 2025 году будет освоен и выпуск памяти типа DRAM поколения 1-гамма с использованием EUV-литографии.

В прошлом квартале клиенты Micron существенно сократили складские излишки памяти, и сейчас объёмы поставок продукции со стороны производителя начинают более или менее точно соответствовать реальному уровню спроса на рынке. По крайней мере, в сегменте смартфонов и ПК ситуация со складскими запасами нормализовалась. Автомобильный рынок победил дефицит, а вот серверный пока страдает от излишков, но и здесь ситуация должна нормализоваться в начале 2024 календарного года. Тогда же серверный сегмент вернётся к росту спроса на микросхемы памяти.

В начале следующего года в структуре поставок продукции Micron микросхемы DDR5 начнут доминировать над DDR4, и в этом отношении компания опередит остальную отрасль. Образцы модулей типа DDR5 объёмом 128 Гбайт на основе чипов памяти с монолитным кристаллом уже поставляются клиентам компании.

По прогнозам Micron, в текущем календарном году объёмы поставок ПК сократятся на 11–12 %, а в следующем году увеличатся на 2–5 %. Компания верит, что в последующие пару лет стимулировать спрос в сегменте ПК будут новые платформы с поддержкой ускорения работы систем искусственного интеллекта. Как известно, AMD и Intel соответствующие наборы команд в свои процессоры уже внедряют.

Сегмент смартфонов по итогам этого года сократит поставки продукции на 4–5 %, но в следующем пропорционально их увеличит, как считают в Micron. Удельное содержание памяти в смартфонах увеличивается, поскольку спрос смещается в сторону более дорогих моделей, которые при этом эксплуатируются дольше. Примерно треть реализуемых сейчас смартфонов, по данным компании, оснащается 8 Гбайт ОЗУ и 256 Гбайт твердотельной памяти, что на 7 процентных пунктов больше, чем год назад.

В целом, как ожидает руководство Micron, степень загрузки линий по выпуску памяти типов DRAM и NAND будет оставаться ниже уровней 2022 года ещё достаточно долго. Соответственно, на простое расширение производственных мощностей компания в следующем году будет тратить меньше средств, чем в минувшем. В следующем году рынок NAND и DRAM будет восстанавливаться, а объёмы производства памяти будут отставать от темпов роста спроса, причём в сегменте DRAM это будет выражено сильнее. Уже сейчас цены на продукцию Micron вернулись к росту, и тенденция сохранится как минимум до конца текущего календарного года.

В текущем квартале Micron рассчитывает выручить от $4,2 до $4,6 млрд, при этом норма прибыли останется отрицательной, но по модулю сократится с нынешних 9 до 2 или 6 %. Публикация отчётности вызвала снижение курса акций компании на 3,61 % после закрытия основной торговой сессии.

На фоне сокращения производства крупнейшими компаниями и ликвидации складских запасов начинают восстанавливаться цены на флэш-память NAND, за которыми могут последовать цены на DRAM, сообщают аналитики TrendForce со ссылкой на данные тайваньского издания TechNews.

Источник изображения: samsung.com

Чтобы сократить потери, поставщики флеш-памяти NAND в 2023 году неоднократно докладывали о сокращении производства — мера призвана остановить дальнейшее снижение цен и задать тренд к их росту. Эта стратегия уже начала приносить результаты: в августе участились сообщения о повышении контрактных цен на пластины для памяти NAND, в сентябре цены продолжили рост, в результате чего сегмент DRAM оказался в положении догоняющего.

Samsung как ведущий игрок продолжила сокращение производства — оно преимущественно коснулось продукции на чипах с числом слоёв менее 128. Только в сентябре её выпуск сократился почти на 50 %, что побудило последовать этому примеру и других производителей, а также привело к корректировке запасов. В IV квартале цены на память NAND продолжат расти, считают эксперты. По версии TrendForce, за последние три месяца 2023 года рост составит 3–8 %, хотя первоначально планировались 0–5 %.

Ценовая динамика в сегменте DRAM отстаёт от показателей NAND, но стратегия сокращения производства и ликвидации запасов в IV квартале поможет переломить ситуацию. Дополнительным позитивным фактором здесь обещает стать рынок систем искусственного интеллекта, где спрос пока остаётся высоким. Высокий спрос также отмечается в сегментах DDR5 и DDR3, хотя от последнего крупные игроки постепенно отказались. Самым массовым является DDR4 — здесь активно ликвидируются запасы, но этому процессу угрожает грядущее семейство процессоров Intel Meteor Lake, которые поддерживают только DDR5.

Аналитическое агентство TrendForce ожидает, что страдающие от кризиса перепроизводства поставщики памяти в 2024 году продолжат стратегию сокращения производства как DRAM, так и NAND. Рост спроса на бытовую электронику в первом полугодии 2024 года маловероятен, а затраты на серверы общего назначения снизятся из-за давления со стороны серверов ИИ. В результате темпы роста спроса на DRAM и NAND в 2024 году прогнозируются на уровне 13 % и 16 % соответственно.

Источник изображений: unsplash.com

В секторе ПК годовой темп роста средней ёмкости DRAM прогнозируется примерно на уровне 12,4 %, в основном за счёт новых процессоров Intel Meteor Lake, которые поступят в массовое производство в конце года. Эксклюзивность DDR5 и LPDDR5 этой платформы, вероятно, сделает DDR5 основным направлением роста во второй половине 2024 года.

Темпы роста объёмов клиентских SSD для ПК прогнозируются в районе 8–10 %. Интерес потребителей всё больше смещается в сторону облачных решений, а спрос на ноутбуки с большой ёмкостью памяти снижается. Несмотря на то, что модели с накопителями ёмкостью 1 Тбайт становятся все более доступными, преобладающим вариантом конфигурации остаётся 512 Гбайт.

Поставщики стараются поддерживать стабильность цен за счёт значительного сокращения производства, в результате чего OEM-производители ПК могут столкнутся с повышенными затратами на твердотельные накопители. Это в сочетании с повышением Microsoft лицензионных сборов за установки Windows на диски ёмкостью от 1 Тбайт, вероятно, замедлит дальнейший рост средней ёмкости SSD.

Ежегодный темп роста средней ёмкости серверной DRAM оценивается в 17,3 %. Этот всплеск в первую очередь вызван сменой поколений серверных платформ, потребностями облачных провайдеров и высокими требованиями серверов ИИ.

Предполагаемый годовой темп роста средней ёмкости корпоративных SSD составляет 14,7 %. Что касается поставщиков облачных решений, внедрение процессоров с поддержкой PCle 5.0 скорее всего приведёт к увеличению закупок накопителей ёмкостью 8 Тбайт. При этом вклад серверов ИИ в этот рост останется весьма ограниченным.

Ежегодный темп роста производства смартфонов в 2024 году оценивается на уровне скромных 2,2 %, что во многом обусловлено глобальным экономическим спадом. Согласно прогнозам, в 2023 году средний объем памяти DRAM в смартфонах вырастет примерно на 14,3 %. Эксперты полагают, что в течение 2024 года эта тенденция сохранится и приведёт к росту средней ёмкости памяти мобильных устройств ещё на 7,9 %.

Источник изображения: Trendforce

Ожидается, что растущий спрос на хранение мультимедийных файлов и рост проникновения 5G приведут к увеличению средней ёмкости накопителей в смартфонах. Однако сокращение производства флеш-памяти и осторожность производителей смартфонов в управлении затратами в 2024 году может привести к уменьшению количества моделей среднего и низкого уровня с хранилищем размером более 1 Тбайт. Учитывая отсутствие в настоящее время у Apple, на которую традиционно ориентируются другие производители смартфонов, планов по выпуску моделей iPhone с накопителями ёмкостью более 1 Тбайт, TrendForce ожидает, что средняя ёмкость хранилища смартфонов вырастет в пределах 13 % в 2024 году.

Растущий спрос на серверные системы для искусственного интеллекта привёл к росту поставок памяти HBM. В сочетании с волной наращивания запасов DDR5 на стороне клиента, второй квартал 2023 года показал рост поставок всех трёх основных крупнейших производителей оперативной памяти DRAM. Выручка индустрии за второй квартал достигла $11,43 млрд — это рост на 20,4 % по сравнению с первым кварталом и прекращение спада, продолжавшегося до этого три квартала подряд.

Источник изображения: unspalsh.com

Наибольший рост квартальных поставок, более 35 %, продемонстрировала SK hynix. Поставки DDR5 и HBM с более высокой средней ценой продажи (ASP — Average Selling Price), значительно увеличились. В результате ASP выросла на 7-9 %, что привело к увеличению выручки за второй квартал 2023 года почти на 50 %. С доходом в $3,44 млрд SK hynix заняла второе место в отрасли, лидируя по темпам роста в этом секторе.

Samsung, в отличие от SK hynix, показала падение ASP примерно на 7-9 %. Однако, благодаря наращиванию складских запасов клиентами и увеличению спроса на серверы искусственного интеллекта, объёмы поставок всё же немного увеличились, что привело к росту выручки за второй квартал на 8,6 % по сравнению с первым кварталом, достигнув $4,53 млрд и обеспечив компании лидирующую позицию по валовому доходу.

Micron, занявшая третье место, немного задержалась с разработкой HBM. Тем не менее, поставки DDR5 составляли значительную долю, сохраняя ASP относительно стабильным. Выручка компании во втором квартале составила около $2,95 млрд, показав рост на 15,7 % по сравнению с первым кварталом.

В целом, из-за продолжающегося снижения контрактных цен на различные продукты, поставщики продолжают сообщать об отрицательной рентабельности операционной прибыли. Во втором квартале 2023 года операционная рентабельность Samsung улучшилась с -24 % до -9 %. SK hynix продемонстрировала одновременный рост выручки и ASP, что повысило операционную рентабельность с -50 % до -2 %. Операционная рентабельность Micron также слегка улучшилась с -55,4 % до -36 %.

Поставки Nanya снижаются уже более четыре квартала подряд. Однако благодаря заказам на телевизоры во втором квартале 2023 года выручка компании выросла примерно на 8,2 %. Выручка Winbond во втором квартале выросла на 6,9 %, в первую очередь благодаря объявлению тендеров в Китае и введённым в строй дополнительным мощностям, что обеспечило большую гибкость ценообразования и привело к увеличению заказов.

PSMC в основном получает доход от потребительских продуктов DRAM собственного производства. Из-за низкого спроса и не самого современного техпроцесса, лишённого конкурентных ценовых преимуществ, выручка PSMC снизилась на 7,8 % по сравнению с первой четвертью года, сделав компанию единственным поставщиком, у которого наблюдался спад во втором квартале.

Источник изображения: Trendforce

Эксперты полагают, что доходы индустрии DRAM продолжат расти в третьем квартале 2023 года. Планомерное сокращение производства поставщиками препятствует дальнейшему снижению цен. Ожидается, что убытки из-за падения цен уменьшатся, а рентабельность наконец сместится от убытков в сторону прибыли.

SK hynix объявила о том, что разработала память HBM3E — высокоскоростную оперативную память (DRAM) следующего поколения для высокопроизводительных вычислений и в частности для сферы ИИ. Эта память, по утверждению компании, является самой производительной в мире и в настоящее время проходит проверки и тесты у клиентов SK hynix.

Источник изображений: news.skhynix.com

HBM (High Bandwidth Memory) — это высокоскоростная память, которая представляет собой стек из вертикально соединённых нескольких чипов DRAM, что обеспечиваем значительное увеличение скорости обработки данных по сравнению с обычными чипами DRAM. HBM3E — это улучшенная версия памяти HBM3 пятого поколения, которая пришла на смену предыдущим поколениям: HBM, HBM2, HBM2E и HBM3.

SK hynix подчёркивает, что успешная разработка HBM3E стала возможной благодаря опыту компании, полученному в качестве единственного массового производителя HBM3. Планируется, что массовое производство HBM3E начнётся в первой половине следующего года, что укрепит лидирующие позиции компании на рынке памяти для ИИ.

По данным SK hynix, новинка не только соответствует самым высоким отраслевым стандартам по скорости, ключевому параметру памяти для задач ИИ, но и в других категориях, включая ёмкость, теплоотвод и удобство использования. HBM3E способна обрабатывать данные со скоростью до 1,15 Тбайт/с, что эквивалентно передаче за секунду более 230 полнометражных фильмов в разрешении Full HD размером 5 Гбайт каждый.

Кроме того, HBM3E имеет улучшенный на 10 % теплоотвод благодаря применению передовой технологии Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF2). Новая память также обеспечивает обратную совместимость, что позволит использовать её в уже существующих ускорителях, которые создавались под HBM3.

«Мы давно сотрудничаем с SK hynix в области памяти с высокой пропускной способностью для передовых ускоренных вычислительных решений. Мы с нетерпением ждём продолжения нашего сотрудничества с HBM3E для создания следующего поколения вычислений с ИИ», — сказал Иэн Бак (Ian Buck), вице-президент по гипермасштабным и высокопроизводительным вычислениям в NVIDIA.

Сунгсу Рю (Sungsoo Ryu), руководитель отдела планирования продуктов DRAM в SK hynix, подчеркнул, что компания укрепила свои рыночные позиции, дополнив линейку продуктов HBM, которая находится в центре внимания в свете развития технологии ИИ.

На очередном годовом саммите по флеш-памяти, который традиционно проходит в августе, компания NEO Semiconductor, разработчик технологий для производства флеш-памяти 3D NAND и оперативной памяти 3D DRAM, представит фирменные технологии во всём объёме. Глава компании лично выступит перед элитой производителей флеш-памяти, надеясь убедить их в назревших революционных изменениях.

Источник изображений: NEO Semiconductor

Американская компания NEO Semiconductor представила фирменную архитектуру и технологию производства многослойной флеш-памяти в 2020 году и аналогичную архитектуру для выпуска многослойной оперативной памяти DRAM в мае этого года. Компания имеет все необходимые патенты и технологии для организации массового выпуска чипов флеш-памяти и DRAM по её лицензии. Но у неё до сих пор нет клиентов и активное участие в работе Flash Memory Summit 2023 должно стать прорывом. У компании на мероприятии будет отдельный стенд и запланированы выступления перед аудиторией.

«Я с нетерпением жду возможности представить на Flash Memory Summit 2023 наши новые революционные архитектуры, которые создадут беспрецедентную ценность для полупроводниковых компаний, производящих продукты памяти, облачных провайдеров и корпоративных компаний, внедряющих решения для хранения данных, — сказал Энди Хсу (Andy Hsu), основатель и генеральный директор NEO Semiconductor и выдающийся изобретатель технологий, имеющий более 120 американских патентов. — Для преодоления проблем масштабирования срочно требуется новая структура DRAM, использующая 3D-дизайн. 3D X-DRAM — это высокоскоростное, высокоплотное, недорогое решение с низким уровнем брака, которое позволит создать новое поколение приложений и услуг будущего».

Многослойной памятью 3D NAND сегодня никого не удивишь. Наоборот, найти сегодня твердотельный накопитель с планарной флеш-памятью — это настоящее испытание. Но производители оперативной памяти не спешат с переходом на 3D. Поэтому на «флеш-саммите» NEO Semiconductor будет бить в 3D DRAM, явно выходя за рамки мероприятия.

Компания пока не раскрывает подробностей архитектуры многослойной оперативной памяти, говоря лишь об отказе от конденсаторов в ячейках и о переходе на технологию плавающего заряда FBC (floating body cell). Вероятно саммит внесёт больше ясности в этот вопрос. Но с чем точно не поспоришь, что планарная DRAM почти исчерпала варианты для наращивания плотности на единицу площади кристалла. В то же время приложения ИИ требуют кратного увеличения объёмов оперативной памяти и если мы не хотим, чтобы АЭС росли как грибы после дождя (а по другому сегодня мощнейшие центры по обработке данных питать нечем), то плотность чипов DRAM необходимо быстро увеличивать, что также сопровождается снижением потребления на единицу хранения данных.

Чтобы совсем не скатиться в тему оперативной памяти на саммите, представители NEO Semiconductor расскажут о преимуществах своей «многоэтажной» архитектуры для таких перспективных заменителей флеш-конструкций, как 3D NOR, 3D Ferroelectric RAM (FFRAM), 3D Resistive RAM (RRAM), 3D Magnetoresistive RAM (MRAM) и 3D Phase Change Memory (PCM). В любом случае, будет интересно.

Южнокорейская компания SK hynix на этой неделе отчиталась о результатах второго квартала, которые превзошли ожидания аналитиков. Выручка производителя памяти хоть и сократилась почти в два раза относительно аналогичного периода прошлого года до $5,7 млрд, оказалась выше прогнозируемой. Во втором полугодии SK hynix рассчитывает на некоторое восстановление спроса в отдельных сегментах рынка памяти.

Источник изображения: SK hynix

Операционные убытки компании во втором квартале достигли $2,2 млрд, что было несколько хуже ожиданий рынка. Год назад квартал завершился для SK hynix операционной прибылью в размере $3,3 млрд. По мнению некоторых отраслевых аналитиков, для рынка памяти в целом и SK hynix в отдельности худшее уже позади. Компания отметила резкий рост спроса на память для серверных систем, работающих с ИИ, во втором квартале, а также наблюдала рост цен в этом сегменте в последовательном сравнении.

Капитальные затраты в текущем году SK hynix сократит почти в два раза по сравнению с предыдущим, в текущем полугодии компания также продолжит уменьшать объёмы выпуска памяти типа NAND. Данные меры принесут свои плоды в этом полугодии, как считают представители компании. Спрос на память в серверном сегменте в целом будет слабым, в мобильном сегменте возможно некоторое оживление спроса в связи с сезонным фактором в виде предстоящего выхода новых моделей смартфонов крупных игроков рынка вроде Apple. В текущем квартале объёмы поставок флеш-памяти типа NAND останутся на существующем уровне за счёт складских запасов, а вот её производство SK hynix продолжит сокращать.

По данным Bloomberg Intelligence, во втором квартале спрос на производительную оперативную память серверного назначения марки SK hynix последовательно вырос более чем в два раза, что говорит о способности компании выиграть от ажиотажа вокруг систем искусственного интеллекта. Компания пообещала увеличивать производственные мощности по выпуску микросхем DDR5 высокой ёмкости и памяти типа HBM3. Так называемая графическая память, к которой относится и HBM3, во втором квартале формировала до 20 % выручки в сегменте DRAM. Такие микросхемы востребованы при производстве ускорителей вычислений.

Во втором полугодии, по мнению руководства SK hynix, начнёт восстанавливаться спрос на память со стороны корпоративных клиентов и в игровом сегменте. По крайней мере, в последовательном сравнении можно будет говорить о положительной динамике продаж.

Выход на рынок первой гарнитуры дополненной реальности Apple, который намечен на начало следующего года, потребовал инновационного подхода к разработке некоторых её комплектующих. Устройство Vision Pro получит не только уникальные дисплеи, но и оптимизированные микросхемы оперативной памяти, позволяющие с минимальной задержкой обрабатывать информацию, поступающую с датчиков. Поставщиком ОЗУ для Apple Vision Pro станет южнокорейская компания SK hynix.

Источник изображения: Apple

Об этом поведало издание The Korea Herald со ссылкой на собственные осведомлённые источники. Apple данную информацию комментировать предсказуемо отказалась, как и SK hynix. По словам первоисточника, SK hynix специально для гарнитуры Apple Vision Pro разработала гигабитные микросхемы памяти типа DRAM, которые ради снижения задержек при передаче информации получили в восемь раз больше контактов ввода-вывода, чем обычные чипы такого класса.

Микросхема ОЗУ в составе Vision Pro будет работать в тесной связке со специализированным чипом R1, который компания Apple специально разработала для обработки данных, поступающих с 12 камер, пяти датчиков и шести микрофонов. Задержки при обработке информации не превышают 12 миллисекунд, а внутри Vision Pro процессор R1 и модуль памяти SK hynix конструктивно будут объединены общим корпусом. Это позволит дополнительно снизить задержки в обработке сигналов датчиков.

Сотрудничество SK hynix с Apple подчёркивает взятый корейским производителем памяти курс на расширение ассортимента специализированных микросхем памяти. Не так давно эта компания представила первую в мире микросхему HBM третьего поколения с 12-ярусной компоновкой. Подобные чипы востребованы в сегменте ускорения вычислений, которые на волне бума систем искусственного интеллекта пользуются огромным спросом.

Отраслевые аналитики уже сформировали собственные прогнозы относительно динамики финансовых показателей Samsung Electronics в минувшем квартале, итоги которого корейской компании только предстоит подвести. По прогнозам экспертов, квартальная прибыль Samsung обвалится на 96 % до минимального значения с четвёртого квартала 2008 года.

Источник изображения: Samsung Electronics

В тот период компания столкнулась с операционными убытками в размере $568 млн. Второй квартал 2022 года Samsung завершила с операционной прибылью в размере $10,8 млрд. Как ожидается, в текущем году второй квартал принёс компании не более $427 млн операционной прибыли. Во многом такой результат может быть обусловлен увеличением убытков от реализации микросхем памяти до $3 млрд.

По оценкам аналитиков TrendForce, в минувшем квартале цены на микросхемы оперативной памяти снизились на величину от 13 до 18 %, клиентам Samsung просто не требовалась новая память, поскольку они использовали имеющиеся складские запасы. Решение многих производителей ограничить объёмы выпуска микросхем памяти помогло замедлить снижение цен, своего дна они достигнут в третьем квартале текущего года, но о восстановлении рынка памяти, по мнению аналитиков, можно будет говорить не ранее следующего года.

Как ожидается, Samsung воспользуется кризисом для смещения приоритетов на производство компонентов для систем искусственного интеллекта, которые сейчас пользуются повышенным спросом. Речь идёт как о самостоятельном производстве микросхем памяти типа HBM, так и о контрактном производстве чипов для сторонних заказчиков. В сегменте мобильных устройств операционная прибыль Samsung, по мнению нескольких аналитиков, достигла $2,5 млрд. Дебют своих новых флагманских смартфонов с гибким дисплеем Samsung наметила на июль, желая опередить выход нового поколения Apple iPhone с хорошим запасом.