Эксперты TrendForce до апрельского землетрясения на Тайване ожидали, что по итогам второго квартала контрактные цены на DRAM вырастут на 3–8 %, а флеш-память подорожает на 13–18 %, но актуальная обстановка позволяет им рассчитывать на более заметный рост цен на DRAM и NAND в силу целого ряда факторов.

Источник изображения: SK hynix

В частности, контрактные цены на DRAM по итогам второго квартала теперь могут вырасти на 13–18 %, а в сегменте NAND — на 15–20 %. Если само по себе землетрясение на Тайване способно повлиять на рынок памяти лишь в узких его сегментах, то высокий спрос на HBM и экспансия выпуска микросхем HBM3E влияют на него гораздо сильнее.

По словам специалистов TrendForce, до апрельского землетрясения цены на память DRAM и NAND для смартфонов и ПК росли на протяжении двух или трёх кварталов подряд, и покупатели не были готовы спокойно воспринимать дальнейшее повышение цен, но после землетрясения некоторые производители компьютеров начали перестраховываться и закупать память по существенно возросшим ценам, хотя и не в массовом порядке. К концу апреля контрактные цены на память из-за этого успели вырасти сильнее, чем ожидалось в начале квартала.

Во-вторых, производители памяти стали более агрессивно смещать приоритеты в сторону выпуска HBM, из-за этого мощности под выпуск DRAM других типов и NAND могли сокращаться. Компания Samsung Electronics, например, к концу текущего года рассчитывает задействовать под выпуск стеков HBM3E до 60 % всех мощностей, пригодных для выпуска памяти по техпроцессу «альфа» 10-нм класса. Естественно, возможности по выпуску памяти других типов с использованием этой технологии в результате сократятся — может быть ограничено производство DDR5, например. Покупатели даже начали запасаться памятью заранее, опасаясь предстоящего дефицита в третьем квартале. Представители TrendForce в своих прогнозах исходят из предположения, что во втором квартале память типа HBM займёт не более 4 % структуры поставок производителей.

В сегменте серверных твердотельных накопителей стремление провайдеров облачных услуг добиться более высокой энергетической эффективности в сегменте систем искусственного интеллекта толкает их более активно закупать накопители на основе памяти типа QLC. Поставщики последней в ответ на резкий рост спроса искусственно сдерживают темпы отгрузок, поскольку пока не понимают, как будет складываться конъюнктура рынка дальше, и не желают остаться без адекватных запасов продукции. Сейчас память типа NAND в основном реализуется по цене, обеспечивающей окупаемость производства, но компании не торопятся вкладывать средства в увеличение объёмов выпуска флеш-памяти.

В стороне от этих тенденций, как поясняют представители TrendForce, останется память типа eMMC и UFS, поскольку она ограничится минимальным ростом контрактных цен во втором квартале на 10 %.

С начала текущего года цены на микросхемы оперативной памяти и без того росли с переменным успехом после прошлогоднего затоваривания, а землетрясение на Тайване в начале апреля придало им дополнительный стимул. В результате, контрактные цены на DRAM вырастут во втором квартале на 20 или 25 %, как считают эксперты TrendForce.

Источник изображения: Samsung Electronics

Растущий спрос на оперативную память уже заставил южнокорейских производителей поднять цены, только в мае микросхемы DDR5 подорожают на 13 %, а DDR4 — где-то на 10 %. Для тайваньских поставщиков, которые в основном зарабатывают на выпуске микросхем DDR3, открывается возможность поднять цены на свою продукцию на 10–15 %. В целом, по мнению источника, контрактные цены на DRAM во втором квартале вырастут на 20–25 %.

Землетрясение, которое максимально проявило себя 3 апреля текущего года у восточного побережья Тайваня, причинило ограниченный ущерб местным предприятиям по производству оперативной памяти. По сути, к 8 апреля основные предприятия Micron, Nanya и Winbond уже полностью восстановили выпуск микросхем памяти на Тайване, а в случае с Micron и PSMC на отдельных площадках производительность к тому времени достигала 80–90 % от максимальной. По оценкам TrendForce, апрельское землетрясение от силы сократило объёмы выпуска DRAM на Тайване на 1 % в масштабах всего второго квартала.

Впрочем, это не помешало Micron поднять цены на DRAM и SSD на 25 % по итогам оценки ущерба и рыночной ситуации в целом. Samsung выпуск DDR3 свернула досрочно, из-за чего многие покупатели этого типа памяти вынуждены были обратиться к Nanya и Winbond за дополнительными заказами, а те в итоге подняли цены на второй квартал на 10–15 %. Переход на выпуск более современных типов памяти усугубляет дефицит старых и способствует росту цен. Ко втором полугодию спрос будет опережать предложение на 20–30 %, по мнению представителей TrendForce. Сейчас производители DDR3 вынуждены продавать память по цене ниже себестоимости, и во втором полугодии цены могут вырасти на 50 или даже 100 %. Тайваньским производителям памяти такая ситуация будет выгодна.

Компания Samsung сообщила о разработке энергоэффективной оперативной памяти LPDDR5X DRAM, обладающей скоростью передачи данных до 10,7 Гбит/с на контакт, что является самым высоким показателем в индустрии. Конкуренты ничего подобного предложить пока что не могут.

Источник изображения: Samsung

Память Samsung LPDDR5X DRAM со скоростью 10,7 Гбит/с производится с применением 12-нм техпроцесса. Компания отмечает, что ей удалось разработать самые компактные чипы LPDDR5X на рынке.

Новая память Samsung не только обеспечивает на 25 % более высокую производительность и обладает на 30 % более высокой плотностью по сравнению с предыдущим поколением памяти LPDDR5X, но также позволяет увеличить ёмкость одного комплекта мобильной DRAM до 32 Гбайт, «что делает её оптимальным решением для устройств эпохи искусственного интеллекта, которым требуется высокопроизводительная, более ёмкая и энергоэффективная оперативная память».

Производитель отмечает, что его новая память LPDDR5X сочетает специализированные технологии энергосбережения, такие как оптимизированное изменение мощности, которое регулирует мощность в соответствии с рабочей нагрузкой, а также расширенные интервалы режима пониженного энергопотребления, которые продлевают периоды энергосбережения. Эти улучшения повышают энергоэффективность памяти на 25 % по сравнению с предыдущим поколением, что позволяет мобильным устройствам с её применением обеспечивать более продолжительное время автономной работы.

Массовое производство памяти Samsung LPDDR5X со скоростью 10,7 Гбит/с начнётся во второй половине текущего года, следом за всеми необходимыми проверками со стороны производителей мобильных платформ и устройств на их основе.

Крупнейшие компании на рынке флеш-памяти, включая Micron, Samsung и Western Digital, объявили о повышении цен на свои продукты. Причины называются самые разные, однако производители отчасти ссылаются на землетрясение на Тайване. Правда, если производственные мощности Micron действительно пострадали, Samsung, похоже, пытается извлечь больше прибыли из корпоративного сегмента и повышенного спроса на ИИ-технологии.

Источник изображения: Samsung

Случившееся 3 апреля землетрясение стало сильнейшим в регионе за последние 25 лет и привело к многочисленным разрушениям. Сразу после окончания стихийного бедствия Micron остановила большую часть производства на Тайване. Сильнее всего пострадали высокотехнологичные производства серверной DRAM, потребительскому направлению NAND для SSD и флэш-накопителей повезло больше. Тайваньские СМИ сообщают, что за последние месяцы Micron подняла цены более чем на 20 %, что, видимо, не особо сказалось на поставках потребительских продуктов компании.

Samsung также объявила о повышении цен на корпоративные SSD, которые, вероятно, во втором квартале 2024 года подорожают на 20–25 %. По слухам, на рынке наблюдается дефицит корпоративных SSD, что вполне логично, ведь их, вероятно, используют в системах искусственного интеллекта. Однако основным компонентом ИИ-вычислений остаются графические процессоры, и там всё тоже не слишком гладко. По всей видимости, Samsung решила воспользоваться дефицитом SSD на рынке ИИ-систем и сыграть на этом. А поскольку компания удерживает 40 % рынка корпоративных SSD, её ценовые решения влияют на всю отрасль.

Western Digital не осталась в стороне и объявила о повышении цен на HDD и накопители на флеш-памяти, ссылаясь на перебои с поставками.

На прошлой неделе Тайвань пережил сильное землетрясение. Два дня назад появились сообщения, что производители памяти перестали публиковать контрактные цены на чипы DRAM, что вызвало беспокойство по поводу возможного повышения цен. Возможно, повышение действительно происходит, но свежий отчёт TrendForce указывает, что последствия землетрясения были устранены производителями DRAM в течение недели. А общее воздействие катаклизма на производство DRAM и вовсе оказалось минимальным — на уровне 1 %.

Источник изображения: Micron

В общей сложности TrendForce провела оценку пяти заводов по производству DRAM, принадлежащих четырём поставщикам, пострадавшим от землетрясения. В их число входят два завода Micron и по одному от Nanya, Winbond и PSMC. Ниже приведена таблица TrendForce с более подробным объяснением этих данных. Из неё следует, что к 8 апреля большинство производителей полностью или почти полностью восстановили выпуск продукции. В целом ситуация в этом сегменте отрасли выглядит оптимистично — по крайней мере, с точки зрения объёмов производства.

Источник изображения: TrendForce

На фоне подтверждённого предстоящего повышения цен на жёсткие диски и флеш-память NAND (по крайней мере, со стороны Western Digital) новости о том, что производители DRAM в основном уже оправились от землетрясения без серьёзных последствий безусловно кажутся поводом для оптимизма.

Хотя большинство производителей, за исключением SK hynix с её мобильной DRAM, до сих пор не обновили свои контрактные цены на память, предполагаемая аналитиками возможная корректировка цен ожидается «умеренной». TrendForce не изменила своего прошлого прогноза относительно ожидаемого роста цен на память DRAM. Во втором квартале он составит 3–8 %, считают эксперты.

Судя по всему, самый высокий потенциал повышения цен у памяти DDR3. Однако здесь всё объясняется, скорее, возрастом самого продукта и, следовательно, дефицитом. Также ожидается некоторый рост цен у высокопроизводительной серверной оперативной памяти. Каких-либо количественных оценок ожидаемого роста цен в этом сегменте памяти на данный момент нет. Однако как сообщается, основная часть ущерба у компании Micron была нанесена оборудованию для производства серверной оперативной памяти. Высокоскоростную память HBM компания Micron выпускает в Японии. На её производство землетрясение не повлияло.

На чипы памяти DDR4 и DDR5 для потребительского сегмента рост цен если и ожидается, то минимальный, поскольку на данную продукцию сейчас наблюдается самый низкий спрос. Большинство людей просто уже закупились памятью DDR4 или DDR5. По мнению TrendForce, с учётом больших запасов этой памяти на рынке «небольшое повышение цен, вызванное землетрясением, будет быстро отрегулировано».

TrendForce предоставила свежий отчёт о динамике работы тайваньских полупроводниковых заводов после произошедшего 3 апреля землетрясения. Многие фабрики оказались расположены в районах, подвергшихся землетрясению 4-го уровня интенсивности. Поскольку на тайваньских полупроводниковых заводах приняты меры по смягчению сейсмических воздействий на 1-2 уровня, предприятия в основном смогли быстро возобновить работу после остановок и проведённых инспекций.

Источник изображения: Maxence Pira / unsplash.com

В секторе производства памяти DRAM землетрясение сильнее всего затронуло завод Fab 3A компании Nanya в городе Синьбэй (Новый Тайбэй), а также завод Micron, расположенный в районе Линькоу в Тайбэе. На фабрике Nanya в основном производятся продукты на основе 20–30 нм техпроцессов, а также ведётся разработка нового техпроцесса 1β (1-бета). Заводы Micron в Линькоу и Тайчжун, объединённые в одно предприятие, являются критически важными площадками для производства DRAM, где применяется передовой техпроцесс производителя 1β. Ожидается, что оба производства полностью восстановятся в течение нескольких дней. Другие предприятия по производству DRAM постепенно возобновили работу после инспекций. Компании PSMC и Winbond сообщили об отсутствии ущерба.

Что касается контрактного производства чипов, то фабрики TSMC по обработке 150- и 200-мм пластин, включая заводы Fab 2, Fab 3, Fab 5, Fab 8, а также Fab 12 с исследовательским центром, новейший завод Fab 20 в Баошане и Синьчжу расположены в районах, подвергшихся землетрясению 4-го уровня интенсивности. На заводе Fab 12 прорвало трубы и был нанесён некоторый ущерб оборудованию, в основном связанному с 2-нм техпроцессом, который массово не используется производителем. Ожидается, что эти повреждения окажут краткосрочное влияние на операционную деятельность компании и потенциально потребует приобретения нового оборудования, что приведёт к незначительному увеличению капитальных затрат. Другие предприятия компании возобновили производство вскоре после проведённых инспекций, указавших на отсутствие какого-либо значимого ущерба.

Заводы TSMC, где применяются передовые технологические процессы от 3 до 5 нм, отличаются более высокими коэффициентами загрузки мощностей. Они не эвакуировали персонал и сумели возобновить более 90 % своей деятельности в течение 6–8 часов после землетрясения. Заводы по упаковке чипов с использованием технологии CoWoS, в частности AP3 в Лунтане и AP6 в Чжунане, после эвакуации персонала вскоре возобновили деятельность несмотря на то, что в ходе инспекций были выявлены некоторые повреждения водой холодильных агрегатов. Благодаря резервным установкам работа быстро была восстановлена.

В Синьчжу у компании UMC находятся одно предприятие по обработке 150-мм и шесть заводов для 200-мм кремниевых пластин. Кроме того, в Тайнане расположен завод для обработки 300-мм пластин. В основном на этих фабриках массово выпускается продукция по нормам от 90 до 22 нм. У PSMC в Синьчжу и Мяоли находятся предприятия по обработке 200- и 300-мм пластин, где в основном выпускаются продукты нишевых сегментов с применением 25 и 21 нм техпроцессов. У Vanguard три завода для обработки 200-мм пластин находится в Синьчжу и один в городе Таоюань. Все они возобновили производство вскоре после кратковременного закрытия для инспекции и эвакуации персонала.

Компания Samsung добавила в свой план по выпуску новых продуктов память 3D DRAM. Информацией об этом производитель поделился на технологической конференции Memcom. Компания планирует представить первый технологический процесс для производства 3D DRAM в течение ближайших четырёх лет.

Источник изображения: Samsung

Крупнейший в мире производитель памяти планирует внедрить производство DRAM с транзисторами с вертикальным каналом (VCT) при переходе на техпроцессы тоньше 10 нм для выпуска памяти, следует из слайда компании, продемонстрированного на конференции Memcom.

Транзистор с вертикальным каналом (VCT) может представлять собой разновидность FinFET, в котором проводящий канал обёрнут тонким кремниевым «плавником», образующим корпус транзистора. VCT также может представлять собой транзистор с кольцевым затвором (GAA), в котором материал затвора окружает проводящий канал со всех сторон. В случае Samsung речь, судя по всему, идёт о процессе производства DRAM на основе FinFET.

От внедрения техпроцесса тоньше 10 нм для производства памяти компанию Samsung отделяет два поколения техпроцессов. Наиболее свежим сейчас является пятое поколение технологии 10-нм класса (фактически 12 нм), которая была представлена в середине 2023 года. Samsung готовит ещё две технологии 10-нм класса, а первое поколение техпроцесса тоньше 10-нм ожидается у производителя во второй половине этого десятилетия.

Источник изображения: Tokyo Electron

Применение 3D-транзисторов для DRAM подразумевает создание и применение конструкции ячеек формата 4F², считающегося с одной из самых эффективных схем расположения ячеек памяти с точки зрения производственных затрат. Производитель оборудования для выпуска чипов, компания Tokyo Electron, ожидает, что производство DRAM с VCT и форматом ячеек 4F² начнётся в 2027–2028 годах. Компания полагает, что для производства DRAM на основе VCT производителям памяти придётся использовать новые материалы для конденсаторов и разрядных шин.

Из предоставленного Samsung изображения планов по выпуску будущих продуктов также становится известно, что компания планирует адаптировать технологию производства многоуровневой памяти DRAM в начале 2030-х, тем самым значительно повысив плотность своих чипов памяти в ближайшие десять лет.

После роста в конце прошлого и начале текущего года, в последнее время спотовые цены на память DRAM стали снижаться, и этот процесс наблюдается уже не первую неделю, сообщает аналитическая компания TrendForce. В сегменте NAND торги остаются вялыми из-за чрезмерных объёмов запасов.

Источник изображения: samsung.com

Текущее снижение спотовых цен на память DRAM является одной из причин относительно консервативного прогноза TrendForce. Производителям продукции противостоят слабый спрос на каналах продаж и постоянный рост уровня запасов. Из-за этого у спотовых трейдеров начало возникать ощущение необходимости распродавать свои активы. Сокращение денежного потока становится все более заметным, и продавцы продолжают снижать цены, чтобы стимулировать продажи.

Источник изображения: trendforce.com

Разрыв между спотовыми и контрактными ценами на модули памяти будет увеличиваться, прогнозируют аналитики TrendForce. Спотовые цены служат опережающим индикатором общего ценового тренда, и такое развитие событий оказывается вредным для рынка. Средняя спотовая цена на основные чипы (DDR4 1Gx8 2666 МТ/с) снизилась на 0,26 %: на минувшей неделе она была $1,921, а на этой стала $1,916.

Источник изображения: trendforce.com

В сегменте NAND трейдеры накопили чрезмерный объём запасов, из-за чего операции здесь проходят довольно вяло. После Китайского Нового года их традиционно агрессивного пополнения не произошло, что заставило некоторых спотовых трейдеров задуматься о возможности сокращения запасов. Цены на пластины TLC ёмкостью 512 Гбит в течение недели не менялись, сохраняя уровень $3,764.

Последний отчёт аналитической компании TrendForce показал, что, несмотря на усилия поставщиков DRAM по сокращению товарных запасов, общий прогноз спроса на этот год остаётся не слишком оптимистичным. Окажет своё влияние и значительное повышение цен поставщиками в четвёртом квартале 2023 года. В результате контрактные цены на DRAM во втором квартале, по прогнозам, вырастут в пределах 3–8 %.

Источник изображения: unsplash.com

Окончательная победа DDR5 на потребительском рынке должна привести к увеличению спроса на DRAM для ПК во втором квартале. Ожидается, что по мере того, как производители перейдут на более совершенные и экономически эффективные процессы производства DDR5, их прибыльность значительно вырастет. Аналитики полагают, что ожидаемый рост спроса на ПК с искусственным интеллектом может привести к небольшому замедлению роста цен на DDR5 во втором квартале.

В секторе серверной DRAM наблюдается постоянная тенденция к увеличению запасов DDR5. Тем не менее, по состоянию на первый квартал, DDR5 не проникла на рынок так широко, как ожидалось. Производители наращивают производство DDR5 и используют стратегии объединения заказов для повышения прибыльности, что приводит к постепенному замедлению роста цен на DDR5. Контрактные цены на DDR4, как ожидается, вырастут больше, чем на DDR5 во втором квартале, постепенно сокращая ценовой разрыв между ними. В целом, контрактные цены на серверную DRAM, по прогнозам, вырастут во втором квартале примерно на 3–8 %, что отражает общую динамику рынка.

Рынок мобильной DRAM достаточно сбалансирован, но не показывает заметных признаков развития. Сокращение производства в сочетании с устойчивым спросом на протяжении предыдущих трёх кварталов привело к значительному истощению запасов производителей. Этот поставило в более выгодное положение поставщиков, которые стремясь повысить свою прибыльность, добиваются повышения контрактных цен на мобильную DRAM на 10–15 %. Аналитики TrendForce полагают, что пассивная переговорная позиция покупателей умерит эти агрессивные ценовые предложения, а рост цен на мобильную DRAM во втором квартале составит те же 3–8 %.

В секторе графической DRAM спрос на модули GDDR6 ёмкостью 16 Гбайт остаётся стабильно высоким, и покупатели, как правило, готовы согласиться с повышением цен со стороны продавцов. В настоящее время не наблюдается никаких признаков потенциального снижения цен. Кроме того, производители переводят производственные мощности на производство HBM, что приводит к относительно консервативному плану производства GDDR. Тем не менее, по прогнозам, контрактные цены на графическую DRAM во втором квартале вырастут на 3–8 %.

Источник изображения: TrendForce

Потребительская DRAM пользуется стабильным спросом в первую очередь в секторах, связанных с ИИ, а также в сфере телевидения и сетевых технологий. Однако спрос остаётся слабым из-за медленного продвижения проектов в китайском секторе ИТ и телекоммуникаций. Существует заметная разница в ценовых стратегиях между крупными мировыми производителями и тайваньскими компаниями. Первые извлекли выгоду из бума ИИ, значительно сократив свои запасы и последовательно поднимают цены, вторые продолжают испытывать последствия высоких товарных запасов, что не даёт им проводить агрессивную ценовую политику.

Комитет стандартизации полупроводниковой продукции (JEDEC) принял новый стандарт памяти JESD239 Graphics Double Data Rate (GDDR7) SGRAM. Микросхемы памяти GDDR7 обеспечат вдвое большую пропускную способность по сравнению с GDDR6 —до 192 Гбайт/с на чип, что должно удовлетворить спрос на скоростную память не только в игровом сегменте, но и на рынке высокопроизводительных вычислений и ИИ.

Источник изображения: Samsung

Стандарт JESD239 GDDR7 является первым стандартом JEDEC для памяти DRAM, в котором используется технология интерфейса импульсно-амплитудной модуляции (PAM) для высокочастотных операций. В GDDR7 используется версия PAM3, которая улучшает соотношение сигнал/шум (SNR) для работы на высоких частотах, одновременно повышая энергоэффективность модулей памяти. Благодаря использованию трёх уровней (+1, 0, -1) для передачи трёх битов за два цикла по сравнению с традиционным интерфейсом NRZ (без возврата к нулю), где реализована передача двух битов за два цикла, PAM3 обеспечивает более высокую скорость передачи данных за один цикл, что приводит к улучшению производительности.

Другими особенностями памяти GDDR7 являются:

• независимые от ядра шаблоны тренировки LFSR (регистр сдвига с линейной обратной связью) и счетчики ошибок для повышения точности и сокращения времени тренировки;
• удвоение числа независимых каналов с двух до четырёх по сравнению с GDDR6;
• поддержка плотности чипов от 16 до 32 Гбит, включая поддержку двухканального режима для удвоения пропускной способности системы;
• удовлетворение потребности рынка в надёжном, доступном и удобном в обслуживании решения за счёт внедрения новейших функций обеспечения целостности данных, включая ECC на кристалле (ODECC) с отчётами об ошибках в реальном времени, проверкой данных, проверкой ошибок и очисткой, а также чётности адресов команд с блокировкой команд (CAPARBLK).

В пресс-релизе JEDEC отмечается, что ведущие производители памяти, включая Micron, Samsung и SK hynix, а также компании AMD и NVIDIA, выпускающие продукты на основе их решений, выразили интерес к новому стандарту памяти GDDR7.

Выручка индустрии, связанной с выпуском оперативной памяти DRAM, по итогам четвёртого квартала 2023 года выросла на 29,6 % по сравнению с предыдущим кварталом и достигла $17,46 млрд, подсчитали в TrendForce. Рост связан с активизацией усилий по накоплению запасов потребителями и строгим контролем объёма производства со стороны ведущих производителей. В текущем квартале прогнозируется рост контрактных цен на 20 % при небольшом снижении объёмов поставок.

Источник изображения: samsung.com

Звание лидера сохранила за собой Samsung, которой удалось увеличить выручку на 50 % квартал к кварталу до $7,95 млрд в основном за счёт поставок DDR5, отгрузки серверной DRAM выросли более чем на 60 %. SK hynix нарастила поставки на 1–3 %, но за счёт сегментов HBM и DDR5 и серверной DRAM смогла увеличить среднюю цену продажи (ASP) на 17–19 %, а выручка выросла на 20,2 % до $5,56 млрд. Micron отметилась ростом объёмов и цен на 4–6 % по каждому показателю, что помогло ей увеличить выручку на 8,9 % до $3,35 млрд за квартал из-за относительно невысоких долей DDR5 и HBM.

Источник изображения: trendforce.com

Samsung в I квартале начала восстанавливать производство, достигнув уровня загрузки до 80 % после значительного сокращения в IV квартале 2023 года. Во второй половине года ожидается заметный рост спроса, что приведёт к постоянному увеличению производственных мощностей в течение IV квартала 2024 года. SK hynix активно расширяет мощности HBM, особенно с развёртыванием массового производства HBM3e. Micron также активизирует выпуск полупроводниковых пластин, стремясь увеличить долю передового техпроцесса 1-beta для продуктов HBM, DDR5 и LPDDR5(X).

Тайваньская Nanya демонстрирует рост объёмов и цен, но из-за медленного восстановления продаж в потребительском секторе выручка компании в IV квартале увеличилась на 12,1 % до $274 млн. Winbond, запустившая новые мощности на заводе KH, нацелилась на сокращение запасов и расширение клиентской базы без повышения контрактных цен — её доходы выросли на 19,5 % до $133 млн. PSMC сыграла на росте спотовых и контрактных цен и активизировала поставки клиентам, а из-за низкого начального показателя её выручка в сегменте DRAM выросла на 110 % до $39 млн. С учётом полупроводникового подряда общий доход PSMC увеличился на 11,6 %.

Компания Samsung открыла в США новую исследовательскую лабораторию, сообщает издание The Korea Times со ссылкой на свои источники. Предприятие, расположенное в Кремниевой долине, занимается разработкой технологий оперативной памяти 3D DRAM в рамках программы Device Solutions America. По данным издания, задача новой лаборатории Samsung — вывести компанию в лидеры на мировом рынке памяти 3D DRAM.

Источник изображения: Samsung

3D DRAM представляет собой оперативную память DRAM, которую предполагается производить с использованием технологии трёхмерного размещения транзисторов вместо применяемого сейчас планарного размещения. Цель трёхмерного производственного процесса заключается в более эффективном использовании физических ограничений микросхем путём вертикального наложения дополнительных слоёв ячеек памяти или целых кристаллов друг на друга.

Примером технологии оперативной 3D-памяти может служить технология кеш-памяти 3D V-Cache, которая используется в потребительских процессорах AMD Ryzen X3D, а также в её некоторых серверных чипах. В данном случае 3D V-Cache представляет собой дополнительный слой кеш-памяти 3-го уровня, который наслаивается поверх основного слоя кеш-памяти L3 процессора.

The Korea Times напоминает, что именно Samsung является первой компанией, которая более десятилетия назад представила технологию трёхмерной флеш-памяти NAND, которую компания называет V-NAND. Она и по сей день используется в твердотельных накопителях. Кроме того, другие производители тоже освоили выпуск флеш-памяти 3D NAND, и с каждым годом наращивают число слоёв — в современных чипах их число перевалило за 230.

Технология трёхмерного производства кеш-памяти доказала свою эффективность в процессорном сегменте. Samsung ещё в октябре 2023 года заявила, что трёхмерная структура кристаллов оперативной памяти, производимых с использованием техпроцессов тоньше 10 нм, в перспективе позволит создавать более ёмкие чипы памяти DRAM с плотностью, превышающей 100 Гбит на микросхему.

Падение контрактных цен на DRAM, начавшееся ещё в четвёртом квартале 2021 года, удалось окончательно остановить лишь в четвёртой четверти 2023 года. Также в третьем квартале 2023 года удалось начать восстановление сегмента NAND, который демонстрировал спад четыре квартала подряд. И если производители сумеют удержать эффективный контроль над уровнем загрузки своих мощностей, восходящий тренд удастся сохранить, уверены аналитики TrendForce.

Источник изображения: samsung.com

Сезон роста откроется уже в текущем, первом квартале 2024 года, говорят аналитики TrendForce, подтверждая свои первоначальные прогнозы: рост цен на DRAM на 13–18 % и подорожание NAND на 18–23 % квартал к кварталу. Несмотря на в целом консервативный прогноз спроса во II квартале 2024 года, поставщики чипов памяти начали повышать коэффициенты загрузки мощностей уже в III квартале 2023 года. Ожидается, что покупатели NAND досрочно завершат пополнение запасов в I квартале 2024 года. Всё это уже привело к более умеренному росту цен в квартальном исчислении — на 3–8 % для DRAM и NAND в прогнозе на II квартал 2024 года.

Источник изображения: trendforce.com

III квартал 2024 года ознаменуется традиционным пиковым сезоном, когда североамериканские клиенты начнут энергичнее пополнять запасы ключевых компонентов. Контрактные цены на DRAM и NAND продолжат рост, который составит 8–13 %, но лишь при условии, что загрузка мощностей будет поддерживаться ниже 100 %. На рынке DRAM дальнейшему увеличению средней цены продажи (ASP) будут способствовать растущие темпы проникновения DDR5 и HBM.

Продолжение общего роста цен ожидается и в IV квартале 2024 года, опять же, если сохранится эффективная стратегия контроля производства. Рост цен квартал к кварталу составит 8–13 % — снова за счёт DDR5 и HBM, хотя по DDR5 к этому моменту не исключается и снижение показателей. Другими словами, рост контрактных цен в сегменте DRAM в 2024 году отражает изменения в ассортименте продукции, а не общий рост по всем чипам DRAM. Контрактные цены на NAND в IV квартале 2024 года вырастут на 0–5 % по сравнению с предыдущим кварталом.

Корпорация Microsoft установила минимально рекомендуемый объём оперативной памяти для ПК, работающих с ИИ-ассистентом Copilot, на уровне 16 Гбайт, сообщает TrendForce. По сути, это подтолкнёт активных пользователей ПК к модернизации своих систем. По меньшей мере, оперативной памяти придётся добавить, поскольку многие до сих пор обходились вдвое меньшим объёмом.

Источник изображения: Samsung Electronics

К таким рассуждениям приходит ресурс PC Gamer, который утверждает, что 8 Гбайт памяти уже давно считаются разумным минимумом объёма оперативной памяти для ПК. По крайней мере, это было справедливо для решения офисных задач, тогда как любители игр уже опираются на 16 Гбайт в качестве минимальной разумной отметки. Правда заключается в том, что и при работе с базовыми приложениями типа браузера с несколькими вкладками упереться в предел производительности по критерию оперативной памяти можно довольно быстро уже сейчас, если использовать лишь 8 Гбайт ОЗУ.

Цены на оперативную память DDR4 и DDR5 сейчас не так высоки, поэтому перейти с 8 на 16 Гбайт ОЗУ можно с умеренными затратами, если это возможно технически. Во всяком случае, не все ноутбуки позволяют провести такую операцию, и тогда придётся задуматься уже о замене всего устройства.

Распространение процессоров с функциями ускорения работы систем искусственного интеллекта начнётся уже в этом году, и рассчитывать на увеличение минимального объёма оперативной памяти лучше заблаговременно, пока цены на микросхемы DRAM не так высоки. В дальнейшем, как отмечают эксперты TrendForce, интеграция памяти типа LPDDR5x непосредственно на процессор или материнскую плату будет получать всё большее распространение, и тогда самостоятельное увеличение объёма ОЗУ станет невозможным.

Samsung разрабатывает новый тип памяти под названием Low Latency Wide I/O (LLW) DRAM, которая обладает очень высокой пропускной способностью, малой задержкой и низким энергопотреблением. Компания предлагает в первую очередь использовать новую память в системах искусственного интеллекта на базе больших языковых моделей (LLM), хотя также подобная память подойдёт и для других рабочих нагрузок, включая клиентские.

Источник изображения: Samsung

LLW DRAM от Samsung — это память с низким энергопотреблением, обладающая широкими возможностями ввода-вывода, низкой задержкой и пропускной способностью в 128 Гбайт/с на модуль (или стэк), что сопоставимо с сочетанием памяти DDR5-8000 и 128-битной шины. Одной из ключевых особенностей LLW DRAM от Samsung заявлено её низкое энергопотребление — 1,2 пДж/бит, хотя компания не сообщила, при какой скорости передачи данных измерена эта величина.

Хотя Samsung пока не раскрыла технических подробностей о LLW DRAM, стоит вспомнить, что компания уже некоторое время разрабатывает память с широкими интерфейсами, например, GDDR6W. Возможно, что Samsung объединяет ёмкость нескольких таких модулей DRAM, интегрированных в один корпус, с использованием технологии Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) для расширения пропускной способности интерфейса и снижения энергопотребления.

Samsung стандартизировала свою память GDDR6W во втором квартале 2022 года и планировала использовать её в системах искусственного интеллекта, высокопроизводительных вычислительных ускорителях и клиентских ПК. Вполне вероятно, что LLW DRAM будет использована в периферийных вычислительных устройствах для систем искусственного интеллекта, таких как смартфоны, ноутбуки и, возможно, автомобильные системы.

Samsung редко раскрывает информацию о том, когда её многообещающие технологии появятся на рынке, поэтому сроки выхода LLW DRAM в реальных устройствах пока неясны. Но, поскольку Samsung уже обнародовала подробности об ожидаемой производительности технологии, разработка LLW DRAM, вероятно, практически завершена.