Сегодня 22 апреля 2018
18+
MWC 2018
Теги → производство микросхем
Быстрый переход

Intel удваивает усилия по разработке 3D NAND своими силами

Долгие годы компания Intel разрабатывала и выпускала память NAND-флеш и 3D NAND вместе с компанией Micron. Начиная со следующего года каждая из этих компаний займётся самостоятельной разработкой новых версий многослойной памяти. Напомним, в январе Intel сообщила, что до конца года будет завершена разработка «третьего поколения» 3D NAND в виде 96-слойных чипов и в дальнейшем инженерные коллективы её и Micron будут работать раздельно (за исключением разработок, связанных с памятью 3D XPoint).

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

В «чистой комнате» производственного комплекса IMFT (Intel Micron Flash Technologies)

В принципе, намёк на отдаление от Micron появился ещё в 2015 году, когда Intel приступила к переводу своего китайского завода в городе Далянь с выпуска системной логики и NAND-флеш на производство 3D NAND. Завод модернизирован и приступил к массовому выпуску 64-слойной памяти. Очевидно, в первой половине следующего года это предприятие начнёт выпускать 96-слойную память 3D NAND. И если с производством у компании полный порядок, то инженерный коллектив явно потребует усиления. Как ни крути, инженерная база Micron в США сильна своими специалистами и оборудованием, а через несколько месяцев её двери для Intel будут закрыты.

Как сообщает сайт Motley Fool, Intel активно набирает специалистов для «формирования новой и передовой команды инженеров под руководством Technology and Strategy Office (TSO) с прицелом на значительное снижение затрат [на производство], улучшение продукции и реализацию возможностей оборудования и техпроцессов для будущих поколений производства 3D NAND». Можно предположить, что целевая инженерная группа Intel по разработке 3D NAND разместится вблизи завода в Китае (близость разработчиков и производства часто становится залогом успеха). В любом случае, Intel надо будет компенсировать интеллектуальный разрыв с Micron.

В заключение напомним, что Intel может искать тесной связи с китайскими производителями чипов. Например, циркулирует слух, что NAND-продукцию завода в городе Далянь компания будет реализовывать через местного производителя UNIC Memory Technology. Компания UNIC Memory якобы будет также упаковывать и тестировать чипы Intel 3D NAND. За прошедший год выручка Intel на направлении 3D NAND выросла на 36,6 %. Компания в основном выпускает SSD для ЦОД и серверного рынка. Работа с китайцами может позволить Intel выйти на новые для неё рынки с изделиями по конкурентной цене.

Innotron Memory движется к производству в Китае памяти DDR4

Мы не раз рассказывали, что основу производства «национальной» памяти DRAM и NAND в Китае начали закладывать три компании — это Yangtze Memory Technologies Company (производство 3D NAND), JHICC (производство DRAM) и Innotron Memory (производство DRAM). Для этого все они к уже имеющимся в их распоряжении заводам примерно полтора года назад начали строить новые фабрики с прицелом на обработку значительных объёмов 300-мм пластин. Компания Yangtze Memory, например, планирует ежемесячно обрабатывать до 300 тыс. кремниевых подложек диаметром 300 мм. Это произойдёт лишь к середине следующего десятилетия, но, тем не менее, впечатляет.

Фото со стройки завода компании JHICC (JHICC )

Фото 2017 года со стройки завода компании JHICC (JHICC )

На этой неделе каждая из трёх компаний сообщили об успешном прохождении фазы завоза в новые цеха промышленного оборудования, которое теперь предстоит установить и настроить. Будущий производитель 3D NAND компания Yangtze Memory начала этот процесс 11 апреля и даже получила первый заказ на поставку 32-слойных 64-Гбит чипов 3D NAND. Компания JHICC, о чём мы тоже рассказывали на днях, планирует завершить установку оборудования до июля и обещает уже в сентябре начать опытный выпуск микросхем памяти типа DRAM.

Последней о текущей ситуации на новом заводе доложила компания Innotron Memory. Сообщается, что первая фаза строительства новых цехов завершена в январе этого года. Тогда же начался завоз на предприятие производственного оборудования. Опытное производство на линиях первой очереди стартует в конце 2018 года с планами начать массовый выпуск чипов DDR4 ёмкостью 8 Гбит в 2019 году. В течение следующего года объёмы производства памяти DDR4 на 300-мм подложках планируется довести до 20 тыс. пластин в месяц.

Фото со стройки завода компании JHICC (JHICC )

Фото 2017 года со стройки завода компании Yangtze Memory Technologies (Tsinghua, CCTV13)

Строительство цехов второй очереди компания начнёт в 2020 году. В 2021 году Innotron Memory рассчитывает завершить разработку техпроцесса для выпуска памяти DRAM с технологическими нормами 17 нм. Руководство компании подчёркивает, что намерено самостоятельно разрабатывать техпроцессы и использовать для этого исключительно местное сырьё и производственное оборудование китайских компаний. Компанией Innotron Memory, кстати, руководит бывший генеральный директор компании SMIC Дэвид НК Вон (David NK Wang). В своё время он был председателем компании Huahong NEC и вице-президентом компании Applied Materials, в которой возглавлял азиатское подразделение компании. Это управленец с громадным специфическим опытом, который готов сделать свою работу на отлично.

В третьем квартале начнётся производство «китайской» памяти DRAM

Как сообщают наши коллеги с сайта Digitimes, один из трёх потенциально крупнейших в Китае производителей памяти компания JHICC (Fujian Jinhua Integrated Circuit Co) начнёт выпускать микросхемы памяти DRAM уже в третьем квартале текущего года. В начале 2017 года для выпуска памяти компания JHICC приступила к строительству завода с прицелом на обработку 300-мм кремниевых пластин. Строительство быстро набрало темп и уже к середине мая шло с опережением графика на 20 дней. Впоследствии разрыв между планами и реальным положением дел увеличился ещё сильнее. В итоге цеха были возведены к середине ноября, что вышло быстрее запланированного примерно на два месяца.

Май 2017 года. Торжественное открытие строительства завода JHICC по производству памяти (JHICC )

Май 2017 года. Торжественное открытие строительства завода JHICC по производству памяти (JHICC )

Установка промышленного оборудования в цехах завода JHICC завершится не позднее июля, а уже в сентябре компания рассчитывает начать опытное производство памяти типа DRAM. На предприятии будет внедрён техпроцесс производства памяти, разработанный тайваньской компанией UMC (United Microelectronics). Она также принимает участие в финансировании строительства завода, хотя основное бремя финансовых вливаний взял на себя проправительственный фонд Fujian An Xin Industrial Investment (учреждён компанией Fujian Electronics & Information Group и властями города Цюаньчжоу и городского уезда Цзиньцзян). Завод, если верить источнику, уже получил поддержку в размере $5,3 млрд. Всего в строительство и запуск предприятия фонд Fujian An Xin Industrial Investment планирует вложить около $8 млрд.

В заключение напомним, что компании UMC и JHICC попали под огонь юридической атаки американской компании Micron. Компания Micron обвиняет UMC и некоторых её сотрудников в краже технологий по выпуску оперативной памяти. В ответ UMC и JHICC подали в суды Китая ответные иски против Micron, утверждая о нарушении последней патентного законодательства в этой стране. Пока, как видим, запуску предприятия JHICC и выпуску в Китае памяти DRAM ничего не угрожает.

Оформлен первый коммерческий заказ на «китайскую» 3D NAND

Неделю назад мы рассказывали, что 11 апреля в цеха компании Yangtze Memory Technologies (YMTC) начало поступать первое промышленное оборудование для выпуска «натуральной китайской» многослойной памяти 3D NAND. В ходе торжественного мероприятия по этому поводу глава материнской корпорации Tsinghua Unigroup Жао Вейгуо (Zhao Weiguo) сообщил, что Yangtze Memory заключила первый контракт на поставку памяти 3D NAND. Это будут 32-слойные микросхемы ёмкостью 64 Гбит для выпуска 8-Гбайт карточек памяти SD. На этом хорошие новости заканчиваются. Перемещаемся в реальность.

Образец 32-слойной памяти 3D NAND компании (Tsinghua, CCTV13)

Образец 32-слойной памяти 3D NAND компании Yangtze Memory (Tsinghua, CCTV13)

Ограниченное производство 32-слойной памяти 3D NAND компания Yangtze Memory начнёт только в конце текущего года. Были надежды на более ранний старт — в середине года, но этого не произойдёт (быстро только сказка сказывается). Огорчают также объёмы первого заказа — всего 10 776 микросхем. Это едва ли больше дюжины 300-мм пластин. Китайцы с их необъятными человеческими ресурсами такой заказ могут лобзиками выпилить из цельного куска кремния. Как-то очень скромно для амбициозного плана довести до 2022 года мощность предприятия до 300 тыс. 300-мм пластин в месяц. Что же, Москва тоже не сразу строилась.

Отдельно руководство Yangtze Memory подтвердило планы разработать технологию производства 64-слойных 128-Гбит микросхем 3D NAND. Эти планы компания собирается реализовать в течение 2019 года.

Разработан дизайн энергонезависимой памяти DDR4 на углеродных нанотрубках

В интервью сайту EE Times исполнительный директор компании Nantero сообщил, что её специалисты завершили разработку энергонезависимой версии памяти DDR4 на основе уникальной ячейки памяти NRAM. Память NRAM компания Nantero разрабатывает свыше 15 лет. В основе ячейки лежат углеродные нанотрубки. Скорость переключения ячейки NRAM приближается к скорости работы типичной оперативной памяти. Например, скорость записи составляет 5 нс. В то же время ячейка NRAM не теряет информацию в случае пропадания питания. Сочетание скорости и энергонезависимость делают память на углеродных нанотрубках интереснейшим явлением в мире полупроводников. Интересно только одно, когда же NRAM появится на рынке?

Напомним, одной из первых выпускать микроконтроллеры со встраиваемой 55-нм памятью NRAM пообещала компания Fujitsu. Это должно было произойти в 2018 году. Руководство Nantero сообщило, что данное событие отодвинуто на 2019 год. Поскольку Nantero лишь создаёт проекты и распространяет их на основе лицензирования IP-блоков, компанию нельзя винить в задержках с производством.

Что касается разработки NRAM DDR4, то она рассчитана на выпуск с использованием техпроцесса с нормами 28 нм, что, кстати, идеально подходит для одного из стратегических инвесторов Nantero — крупнейшего в Китае контрактного производителя чипов компании SMIC (Nantero финансируется через подконтрольную SMIC структуру). На днях, что интересно, Nantero собрала очередной раунд инвестиций, получив определённую сумму от 8 компаний, 5 из которых в своё время стали самыми первыми инвесторами компании. Особенно в Nantero гордятся тем, что её разработки финансируют компании из списка 10 крупнейших в мире полупроводниковых производителей.

Память NRAM прошла заводские испытания (Nantero)

Память NRAM прошла заводские испытания (Nantero)

Массовое производство памяти NRAM DDR4 обещает оказаться не дороже выпуска памяти DRAM DDR4. Этому поспособствуют два фактора. Во-первых, возможность многослойной структуры, что напоминает структуру 3D NAND. Это позволит увеличить плотность записи без увеличения площади чипа. Во-вторых, схемотехническая реализация массива NRAM DDR4 много проще, чем массива DRAM DDR4. Например, перекрёстное строение NRAM (подобно ReRAM) требует намного меньше управляющих элементов в виде переключателей шин, чем в случае памяти типа DRAM.

Наконец, в компании сообщили, что ведутся разработки одиночных чипов NRAM для таких сфер использования, как кеширующие буферы для SSD и HDD. Также в компании подтвердили намерение проникнуть в сферу автомобильной электроники (память NRAM выдерживает экстремальные температуры без потери данных) и в сферу ИИ (без этого теперь никуда). Задел на будущее обозначен тем, что структура NRAM обещает сохранить работоспособность в случае снижения масштаба техпроцесса до 5 нм. Память NAND и DRAM подобным похвастаться не могут. Для одной и другой экономически выгодный предел производства заканчивается на 15 нм или чуть меньше.

Цены на NAND-флеш понемногу снижаются

Это может быть незаметно, но цены на микросхемы флеш-памяти понемногу снижаются, отмечают аналитики подразделения DRAMeXchange торговой площадки TrendForce. Некоторое превышение предложения над спросом наметилось ещё в первом квартале текущего года. Во втором квартале промышленность обычно оживает, но весенний импульс обещает оказаться достаточно слабым, чтобы взвинтить спрос на чипы NAND-флеш. Поэтому, считают аналитики, небольшое перепроизводство памяти сохранится также во втором квартале 2018 года, что заставит поставщиков немного снизить цену на свою продукцию.

Микросхемы NAND-флеш и продукция на их основе (компания SK Hynix)

Микросхемы NAND-флеш и продукция на их основе (компания SK Hynix)

Пик спроса на NAND-флеш ожидается во втором полугодии 2018 года. Поскольку к этому времени цены на память немного упадут, в каналах продаж начнётся активная деятельность по восполнению складских запасов. К этим двум факторам добавится тенденция в среднем наращивать объём флеш-памяти в смартфонах. Всё это может привести либо к восстановлению баланса между предложением и спросом, либо к превышению спроса над предложением. Проще говоря, во втором квартале цены на NAND-чипы могут либо прекратить снижаться (пусть это и происходит довольно медленно), либо память немного вырастет в цене.

Образцы китайской 32-слойной 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

Образцы китайской 32-слойной 3D NAND (Tsinghua, CCTV13)

Качнуть цены на память вверх могут производители микросхем. Аналитики отмечают, что поставщики замедляют технологическую экспансию в отрасль. Например, выпуск 96-слойной 3D NAND в осязаемых объёмах вряд ли произойдёт раньше 2019 года. Также раньше 2019 года не ожидается значительных объёмов производства 32-слойной «китайской» 3D NAND со стороны компании Yangtze Memory Technologies Company (YMTC). В сухом остатке, резюмируют аналитики, в первой половине года стоимость продукции с использованием флеш-памяти будет понемногу снижаться, хотя вторая половина года, в лучшем случае, может порадовать заморозкой цен на SSD, eMMC и другую продукцию.

Yangtze Memory приступила к установке оборудования для выпуска 3D NAND

Пару дней назад на открытии выставки CITE 2018 (China Information Technology Expo) председатель совета директоров корпорации Tsinghua Unigroup Жао Вейгуо (Zhao Weiguo) сообщил, что с 11 апреля на новом предприятии дочерней компании Yangtze Memory Technology специалисты приступили к монтажу производственного оборудования для выпуска 3D NAND. Вскоре после монтажа и настройки линий завод приступит к производству многослойной флеш-памяти 3D NAND. Первой продукцией станет 32-слойная память «64G 3D NAND». Поскольку уточнений нет, будем считать, что Yangtze начнёт выпуск 64-Гбит памяти (выпуск 512 Гбит микросхем для начала производства в Китае выглядит маловероятным).

В образцах китайская 3D NAND уже существует (Tsinghua, CCTV13)

В образцах китайская 3D NAND уже существует (Tsinghua, CCTV13)

Многослойная память 3D NAND, которую начнёт выпускать Yangtze Memory, разработана в Китае. На очереди завершение разработки и запуск в производство 64-слойной памяти, что должно произойти уже в следующем году. У компании достаточно ресурсов, чтобы выдержать как график ввода в строй новых линий, так и для финансирования разработок. В последнем случае создавать «национальную» память 3D NAND компании Yangtze Memory Technology помогает компания Spansion, владеющая обширным пулом необходимых патентов.

Торжественное завершение первой фазы строительства завода YMTC в Китае (август 2017 года)

Торжественное завершение первой фазы строительства завода YMTC в Китае (август 2017 года)

Также на открытии выставки г-н Жао сообщил, что его компания готова в последующие пять лет вложить в расширение производства полупроводников 370 млрд юаней ($58,74 млрд). Всего же за 10 лет Tsinghua Unigroup планирует (и имеет для этого ресурсы) вложить в «китайские» чипы порядка $100 млрд. Выпуском полупроводников, кстати, дело не ограничится. Корпорация развивается по многим направлениям ИТ-деятельности. Например, в первой половине текущего года под эгидой Tsinghua Unigroup будет запущен облачный публичный сервис для бизнеса со стоимостью начальных вложений $1,9 млрд.

GlobalFoundries и Toppan Photomasks расширяют деятельность в Германии

Компания GlobalFoundries сообщила, что она вместе со своим партнёром Toppan Photomasks по совместному предприятию Advanced Mask Technology Center (AMTC) в Дрездене договорилась о расширении деятельности в течение нескольких следующих лет. Предприятие AMTC было организовано в 2002 году как СП между компаниями AMD, Infineon и DuPont Photomasks. И одна, и другая, и третья компания тем или иным способом лишились участия в AMTC. Нынешними владельцами AMTC являются арабо-американская компания GlobalFoundries и японская Toppan Photomasks. Смена владельцев не изменила вид деятельности AMTC — центр на базе собственного производства в Дрездене выпускает фотомаски (фотошаблоны) для производства полупроводников.

http://igi.com

http://igi.com

Деятельность AMTC не утратила актуальности. Предприятие стартовало с выпуска фотомасок для 90-нм и 65-нм техпроцессов и сегодня выпускает фотомаски для производства 14-нм чипов с использованием FinFET-структур и маски для производства чипов на пластинах FD-SOI. В 2017 году на модернизацию и расширение производства было выделено 100 млн евро ($124 млн). С 2002 года в предприятие AMTC в Дрездене вложено порядка $600 млн. В последние годы объёмы выпуска фотомасок росли свыше 10 % в год. В 2003 году на заводе работало 170 инженеров. Сегодня их число выросло до 250 человек.

Для компании GlobalFoundries работа предприятия важна не только как источник дополнительного дохода, а центр выпускает фотомаски для предприятий во всём мире, это также основа производства самой компании и источник успеха компании AMD. От качества и своевременности изготовления фотошаблонов зависит выпуск процессоров AMD Ryzen, графических процессоров Radeon и многого другого. На новом этапе сотрудничества GlobalFoundries и Toppan углубятся в производство фотомасок для техпроцессов с нормами менее 14 нм, включая фотошаблоны для работы с проекцией в сверхжёстком ультрафиолетовом диапазоне (EUV).

Источники: в Samsung завершена разработка 7-нм технологии производства

Южнокорейский гигант Samsung, по сообщениям сетевых источников, завершил разработку 7-нанометровой технологии производства микрочипов существенно раньше намеченных сроков.

Фотографии Samsung

Фотографии Samsung

Речь идёт об изготовлении 7-нм изделий с применением методики EUV — литография в глубоком ультрафиолете. Ранее предполагалось, что разработка этой технологии будет завершена во второй половине текущего года. Но теперь говорится, что компания смогла опередить график примерно на полгода.

Таким образом, уже в третьем квартале Samsung сможет внедрить EUV-литографию при изготовлении 7-нанометровых решений. По этой технологии, как ожидается, будет производиться будущий процессор Qualcomm Snapdragon 855, который, предположительно, ляжет в основу ряда региональных версий аппаратов Galaxy S10 и Galaxy S10+. Кроме того, новая технология будет применяться при выпуске собственных мобильных чипов Samsung следующего поколения.

Добавим, что в конце февраля компания Samsung объявила о начале монтажа на заводе в городе Хвасоне (Корея) новой линии по производству микросхем по технологии EUV. Завершение работ намечено на вторую половину 2019 года, а промышленное производство — на 2020 год. Первоначальные инвестиции в новую EUV-линию к 2020 году, по прогнозам, составят $6 млрд, а дополнительные инвестиции будут определяться потребностями рынка. 

Мнение: за Toshiba Memory можно получить в два раза больше

В середине декабря один из акционеров Toshiba — гонконгский хедж-фонд Argyle Street Management — написал руководству японского производителя открытое письмо, в котором призвал отменить или пересмотреть сделку по продаже подразделения Toshiba Memory за 2 трлн иен ($17,8 млрд) консорциуму международных компаний. По мнению Argyle Street Management, компания смогла привлечь средства без подобной жертвы (месяцем ранее были выпущены новые акции Toshiba на сумму около $5,4 млрд), и, к тому же, Toshiba Memory стоит гораздо дороже предложенных консорциумом денег. На тот момент обращение Argyle практически не имело смысла, поскольку Toshiba рассчитывала закрыть сделку в марте 2018 года. Как мы знаем, этого не произошло, и Argyle Street Management снова начинает призывать к отмене или пересмотру сделки.

wsj.com

wsj.com

Согласно новому открытому обращению Argyle Street Management к акционерам Toshiba, задержка с получением от регулирующих органов Китая разрешения на продажу Toshiba Memory развязывает японскому производителю руки. Компания может без штрафов и других санкций отменить сделку с консорциумом под руководством частного инвестиционного фонда Bain Capital. Теперь у компании достаточно средств, чтобы не зависеть от продажи Toshiba Memory. Но даже если этот процесс будет продолжен, подразделение можно продать заметно дороже — от 3,3 до 4,4 трлн иен вместо уже оговорённой суммы в 2 трлн. Иначе говоря, выручить от продажи подразделения в два раза больше или около того.

Хедж-фонд Argyle Street Management распоряжается активами на сумму около $1,3 млрд. Правда, компания не раскрывает стоимость активов, которыми она владеет в Toshiba. Это не даёт понять вес Argyle во всём этом процессе вокруг продажи Toshiba Memory. Со слов представителей хедж-фонда, её поддерживают определённые акционеры Toshiba, но с декабря мы не услышали никаких иных имён, кроме упоминания протестов Argyle.

reuters.com

reuters.com

Представители компании Toshiba заявили, что они ожидают разрешение регулятора на продажу Toshiba Memory. Для отделения полупроводникового бизнеса в дочернюю структуру сделано настолько много «материальных» изменений, что дороги назад просто нет. В компании надеются закрыть сделку в апреле, но это будет зависеть от воли Китая.

Недопоставки азота на тайваньский завод Micron приведут к росту цен на память

Вы будете смеяться, но производство памяти снова перед лицом угрозы со стороны негативных внешних факторов. К счастью, землетрясений, цунами, торнадо, пожаров и наводнений не произошло. Компьютерные сети предприятий не поразил вирус или атака хакеров. С поставками электроэнергии тоже всё в полном порядке. Никаких праздников и отпусков. Все работают не покладая рук, а подвели — подрядчики. Точнее, один из тайваньских поставщиков азота на предприятия компании Micron Memory Taiwan — компания Air Products and Chemicals (San Fu), которая временно приостановила поставки азота для производственных нужд этого производителя микросхем DRAM.

Daniel Cattermole / EyeEm / Getty Images

Daniel Cattermole / EyeEm / Getty Images

Подразделение Micron Memory Taiwan (бывшая компания Rexchip) выпускает все типы DRAM: микросхемы серверного назначения, чипы для модулей оперативной памяти ПК, память LPDDR4, память для видеокарт. Перебои с поставками азота — сырья, которое активно задействовано в техпроцессах по производству полупроводников — начались с 20 марта, когда на линиях Air Products and Chemicals обнаружились неполадки. Для ремонта оборудования компании потребовалось отправлять производителю в США. Сейчас оно восстановлено и возвращается обратно. Поставки азота в необходимых объёмах начнутся в первой половине апреля.

Что важно, с начала 2018 года крупные договоры на поставку микросхем памяти заключаются на три месяца (на квартал). Это означает, что контрактные цены на DRAM остаются без значительных изменений в течение двух других месяцев каждого нового квартала. Например, в феврале и марте контрактные цены на память практически не менялись, а величину наценки определил январь.

Так, средняя цена на 4-Гбайт модуль DDR4 в первом квартале приближалась к $33, а высшая — к $34. Тем самым в первом квартале 2018 года рост цен на память по сравнению с четвёртым кварталом 2017 года составил скромные 5 %. Во втором квартале, определяющим для которого должен стать апрель, рост цен на микросхемы DRAM также ожидался умеренным (на уровне 3 %). Но теперь возникла эта история с недопоставками азота, которая может продлить негативные ожидания на рынке и сильнее увеличить контрактные цены на DRAM на новый трёхмесячный период. Как утверждают источники, сильнее всего «сбой» повлияет на цены на память для видеокарт, с которыми и так всё непросто.

Власти США и TSMC намерены предотвращать утечки технологий в Китай

Как уже не раз сообщалось, действующий Президент США Дональд Трамп намерен проводить жёсткую политику в отношении Китая, который подозревается в регулярном нарушении прав на интеллектуальную собственность. В частности, США планируют установить заградительные тарифы в размере до 25 % на товары, произведённые в Китае, включая электронику. Но это лишь один из механизмов воздействия на процессы. С точки зрения воровства интеллектуальной собственности наиболее уязвимым звеном остаётся Тайвань.

reuters.com

reuters.com

Для устранения или снижения вероятности краж технологий со стороны Китая США начали консультации с представителями промышленных кругов Тайваня. На этой неделе Тайвань посетил заместитель Министра торговли по вопросам промышленности Ян Стефф. Этот гражданин свыше 10 лет проработал в вашингтонском офисе организации Semiconductor Industry Association и имеет чёткое представление о круге проблем, которые необходимо решать. На Тайване Стефф лично встретился с руководителем TSMC Моррисом Чаном (Morris Chang) и провёл встречу с рядом ключевых руководителей тайваньской промышленности.

По словам источников, руководство США рассматривает Тайвань как важного союзника в предотвращении утечек технологий в Китай. Отчасти это провокационные действия, поскольку, по мнению властей Китая, Тайвань — это неотъемлемая часть страны и нации. В то же время политика властей Тайваня солидарна с политикой США и направлена на ограждение островных производителей от влияния с материка. В том числе предотвращается опасность экономического влияния, что вылилось в запрет китайцам покупать свыше 25 % акций тайваньских компаний.

Шеф TSMC Моррис Чан (Reuters)

Шеф TSMC Моррис Чан (Reuters)

Как утверждают представители тайваньского бизнеса, в последние годы китайские партнёры активизировали давление на производителей. Бизнесу намекают на благосклонность регуляторов в том случае, если тайваньские компании расширят деятельность в Китае и передадут на материк передовые технологии. К сожалению для производителей, приходится констатировать, что они часто не могут устоять против подобных предложений. Что в данном случае могут предложить США? Разве что пригрозить Тайваню запретом на ввоз продукцию в Соединённые Штаты Америки, которая пока приносит острову намного больше выручки, чем деятельность в Китае. Моррис Чан, кстати, является гражданином США, хотя бизнес TSMC зарегистрирован на Тайване.

В Китае Samsung приступила к строительству второй линии по выпуску 3D NAND

28 марта компания Samsung провела торжественное мероприятие по закладке фундамента для второй производственной линии по выпуску памяти 3D NAND в китайском городе Сиань (Xian). Завод Samsung вблизи Сианя компания начала строить в 2012 году с запуском в коммерческую эксплуатацию в 2014 году. К нынешнему дню предприятие каждый месяц обрабатывает порядка 120 тыс. 300-мм пластин с памятью 3D NAND. Производственные здания занимают площадь 230 тыс. м2, а весь комплекс расположен на 1,14 млн м2, так что Samsung есть куда расширяться.

До 2020 года в строительство второй очереди линий Samsung вложит около 8 трлн вон (примерно $7,47 млрд). Первая коммерческая продукция на второй линии начнёт выходить в следующем году. Проектная мощность второй линии составит 100 тыс. 300-мм подложек в месяц, что доведёт суммарную мощность завода компании в Китае до 220 тыс. 300-мм кремниевых пластин с памятью 3D NAND в каждый месяц.

Для китайской общественности завод Samsung в Сиане играет особую роль. В этом городе родился действующий Президент страны Синь Цзиньпин. Новые инвестиции Samsung в завод станут крупнейшими за время его руководства страной в течение первого и второго сроков правления.

Расширения завода по выпуску памяти 3D NAND позволит компании Samsung оставаться мировым лидером рынка с долей порядка 38 %. В текущем году ожидается рост продаж 3D NAND до пикового уровня в $59,2 млрд. До 2021 года, уверены аналитики компании IHS (подразделения Markit), стоимость мирового рынка памяти 3D NAND каждый год будет превышать $50 млрд. Сегодня память 3D NAND находится в состоянии небольшого превышения спроса над предложением, что стимулирует дальнейший рост цен на неё. Поэтому новые линии Samsung не только помогут компании укрепить положение на рынке, но и поспособствуют стабилизации цен на флеш-память.

Продажа Toshiba Memory может стать жертвой разногласий между США и Китаем

В эту субботу наступает «дедлайн» для закрытия сделки по продаже подразделения Toshiba Memory консорциуму KK Pangea во главе с частной инвестиционной компанией Bain Capital. Согласно подписанному в сентябре соглашению, сделка должна быть закрыта до конца марта 2018 года. Цена вопроса — около $17,8 млрд. Это та сумма, которая должна была помочь Toshiba погасить или реструктуризировать долги и сохранить акции компании в реестре Токийской биржи. Сегодня почти со 100-процентной вероятностью можно утверждать, что в указанный срок сделка не будет закрыта.

reuters.com

reuters.com

За прошедший год для завершения сделки по продаже Toshiba Memory сделано всё возможное и невозможное. Казалось бы, что самым сложным было уговорить не препятствовать продаже подразделения производственного партнёра Toshiba — компанию Western Digital. Последней, напомним, отказано в участии в сделке, что вызвало серию юридических конфликтов между Toshiba и Western Digital. На поверку оказалось, что самыми несговорчивыми оказались антимонопольные органы Китая. Регуляторы США, Европы и Японии почти сразу дали разрешение на продажу Toshiba Memory, а Китай не решил этот вопрос до сих пор и отказывается давать какие-либо комментарии на этот счёт.

reuters.com

reuters.com

По мнению японских источников, на сделку по продаже Toshiba Memory могут влиять нарождающиеся разногласия между США и Китаем. Китай может рассматривать разрешение на сделку в качестве инструмента для решения политико-экономических проблем внутри станы и на международной арене. Во-первых, США муссирует вопрос о введении 25-% пошлин на ряд китайских товаров и на произведённую в Китае электронику. Во-вторых, Поднебесная взялась сверхактивно развивать местную полупроводниковую промышленность и, в частности, производство памяти. Китаю нужны лицензии или гарантия от патентных нападок со стороны мировых лидеров. Это один из вариантов короткого поводка для Toshiba. Кстати, согласно информированным источникам, решение властей Китая будет опираться на выводы компаний Lenovo и Huawei Technologies.

К счастью для японского производителя, осенью после подписания договора с Bain Capital компании удалось привлечь 600 млрд иен ($5,7 млрд). Это освобождает её от необходимости завершить сделку до 31 марта 2018 года. Сроки принятия решения откладываются на июньское собрание акционеров. Этот «сериал» когда-нибудь закончится?

Samsung предложит клиентам производство целого спектра решений на 200-мм пластинах

В мае прошлого года компания Samsung формально выделила контрактное производство чипов в дочернюю компанию Samsung Foundry. Тем самым производитель электроники сделал попытку устранить конфликт интересов или опасность оного между своими заказами и заказами сторонних компаний. Параллельно Samsung стремится диверсифицировать контрактное производство, чтобы удовлетворить как можно больше заказчиков, и надеется привлечь к сотрудничеству множество мелких фирм, для чего берётся изготавливать многопроектные пластины, которые объединяют заказы нескольких компаний.

Завод Line-6 компании Samsung под Сеулом

Завод Line 6 компании Samsung под Сеулом

На днях Samsung сообщила о расширении спектра продукции, которую она будет выпускать по контрактам на заводе Line 6 в Кихыне (пригород Сеула). Линии предприятия Line 6 обрабатывают 200-мм полупроводниковые подложки, каждая из которых может нести сотни и тысячи дискретных элементов. Обычно простая логика и дискретные элементы изготавливаются на пластинах меньшего диаметра, тогда как 200-мм и 300-мм кремниевые подложки производители задействуют для выпуска микроконтроллеров, заказных БИС и разного рода процессоров.

Пример 200-мм пластины с чипами (www.lesechos.fr)

Пример 200-мм пластины с чипами (www.lesechos.fr)

Итак, контрактным клиентам Samsung на заводе Line 6 будут доступны для заказа решения со встроенной флеш-памятью (eFlash), силовые элементы (Power), драйверы дисплеев (DDI, display driver IC), CMOS датчики изображения (CIS), радиочастотные компоненты (RF), решения для вещей с подключением к Интернету (IoT) и сканеры отпечатков пальцев. Доступный для выпуска всего этого разнообразия техпроцесс будет колебаться от 180 нм до 65 нм.

Встроенную флеш-память компания будет выпускать либо с нормами 130 нм, либо с нормами 65 нм. Силовые чипы будут выпускаться как 130-нм, так и 90-нм. Для выпуска драйверов дисплеев может быть использован 180-нм, 130-нм, 90-нм и 70-нм техпроцессы. Датчики изображений будут только 90-нм. Радио и IoT примерят на себя 90-нм техпроцесс и, возможно, это будет особенный техпроцесс для выпуска малопотребляющих решений. Сканеры отпечатков пальцев будут 180-нм. Желающие могут начинать записываться в очередь.