Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Intel приступила к массовому производству чипов по технологии 18A в Аризоне, но крупными сторонними заказами пока похвастать не может
20.12.2025 [07:56],
Алексей Разин
В этом году Intel ввела в строй крупный производственный корпус в Аризоне, который позволил ей приступить к массовому производству компонентов по передовому «ангстремному» техпроцессу Intel 18A. На предприятие возлагаются большие надежды, но завоёвывать доверие сторонних заказчиков придётся долго. 
Источник изображений: Intel Как отмечает CNBC, чей корреспондент посетил предприятие Fab 52 в Аризоне отдельно от основной группы репортёров в ноябре, единственным массово выпускаемым изделием на этой площадке пока является компонент будущих процессоров Core Ultra 3 семейства Panther Lake, которые дебютируют в составе ноутбуков в январе следующего года. Серверные процессоры Xeon 6+ также получат компоненты, выпускаемые по технологии Intel 18A. Аналитики Futurum Group поясняют, что клиенты TSMC вложили серьёзные суммы в обеспечение стабильных поставок передовых компонентов этим тайваньским подрядчиком, поэтому распылять ресурсы на переход к Intel они пока не готовы. Примечательно, что первое предприятие TSMC на территории Аризоны расположено примерно в 80 км к северу от Fab 52 компании Intel, но там освоено производство чипов по более зрелой 4-нм технологии. Свои 2-нм чипы TSMC выпускает только на территории Тайваня, хотя и не скрывает намерений со временем организовать их выпуск в США. По ряду характеристик техпроцессы Intel 18A и 2-нм технология в исполнении TSMC сопоставимы и являются прямыми конкурентами. Считается, что пока основной проблемой для Intel является более высокий уровень брака при выпуске чипов по технологии 18A. Этот год характеризуется не только выявлением серьёзных финансовых и управленческих проблем в Intel, но и привлечением инвестиций в капитал корпорации. Власти США при президенте Трампе сочли неуместным предоставление субсидий на безвозмездной основе, которые были предусмотрены по «Закону о чипах», и вместо этого обменяли $8,9 млрд на пакет из 10 % акций Intel. Попутно японская SoftBank решилась вложить $2 млрд в Intel, а конкурирующая Nvidia не только согласилась сотрудничать в разработке процессоров, но и пообещала вложить в Intel свои $5 млрд. На днях, кстати, сделка между Intel и Nvidia была одобрена американскими антимонопольными органами. Глава клиентского бизнеса Intel Джим Джонсон (Jim Johnson) в интервью CNBC признался, что причиной недавних проблем компании в технологической сфере стало отступление от привычного ритма освоения новых техпроцессов. Компанию подвела иллюзия того, что поставленных целей можно добиваться и при удлинении технологических циклов. Теперь, стараясь наверстать упущенное, Intel намерена установить на Fab 52 не менее 15 сканеров для работы со сверхжёсткой ультрафиолетовой литографией (EUV). Во время своего первого периода работы в Intel бывший генеральный директор компании Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger), по словам одного из бывших членов совета директоров, отвечал за разработку дискретного графического процессора, способного конкурировать с решениями Nvidia. Инициатива под условным обозначением Larrabee, как известно, потерпела неудачу, в конечном итоге лишив Intel возможности конкурировать с Nvidia в условиях бума искусственного интеллекта. Попытки наверстать упущенное в данной сфере с тех пор сводятся к покупкам разного рода стартапов, и новое руководство Intel в этом отношении не отклоняется от такой стратегии, присматриваясь к активам SambaNova.  Возглавляющий контрактное подразделение Intel Нага Чандрасекаран (Naga Chandrasekaran) признался CNBC, что для компании сейчас приоритетной целью является поиск клиентов на выпуск чипов. Для этого меняется корпоративная культура Intel, поскольку исторически компания была заточена на самостоятельный выпуск чипов для своих собственных нужд. В контрактном подразделении особое внимание уделяется исполнительской дисциплине. Уровень качества продукции, по словам Чандрасекарана, удалось заметно подтянуть и кризисная фаза уже пройдена. Fab 52 способна обрабатывать более 10 000 кремниевых пластин с чипами по технологии 18A в неделю. В этот комплекс фактически входят пять цехов, между которыми по подвесным направляющим протяжённостью около 50 км перемещаются тележки с кремниевыми пластинами. К 2028 году рядом появится шестой цех — Fab 62. По сравнению с технологией Intel 3, новая 18A обеспечивает улучшение соотношения производительности и энергопотребления более чем на 15 %. В рамках новой технологии также внедрена структура транзисторов RibbonFET, также положительно сказывающаяся на уровне энергопотребления. Не менее важно и то, что в Аризоне у Intel имеется предприятие по тестированию и упаковке чипов, использующее самые передовые методы. Они отчасти способны компенсировать отсутствие явного прогресса в сфере литографии как таковой. Комплекс в Аризоне почти на 100 % питается от источников возобновляемой энергии. До 80 % потребляемой воды он способен использовать вторично, снижая потребление из первичной сети. Более перспективный техпроцесс Intel 14A будет первично осваиваться в Орегоне, где у компании имеется профильный исследовательский центр и пилотная производственная линия. К 2028 году планируется освоить эту технологию в массовом производстве. Проблема привлечения клиентов к контрактному бизнесу Intel обусловлена конкуренцией со многими из них, поэтому в пользу отделения производственного направления высказываются даже некоторые бывшие члены совета директоров корпорации. Кроме того, американская промышленность нуждается в сильном игроке на рынке литографии, коим может стать независимая часть Intel. Формально, Microsoft и Amazon уже заключили соглашение об использовании услуг контрактного подразделения Intel, но объёмы их заказов будут незначительными, как предполагают эксперты. Глава контрактного подразделения Intel убеждён, что для всеобщего прогресса в сфере ИИ важно превратить компанию в крупного игрока на рынке услуг по производству передовых чипов. Samsung заполучила большой заказ на производство 8-нм чипов для Intel
20.12.2025 [01:31],
Николай Хижняк
Samsung Foundry, производственное подразделение Samsung Electronics, заключило крупный контракт с Intel. Предприятие, по всей видимости, получило заказы на производство чипсетов материнских плат Intel Platform Controller Hub (PCH) на базе 8-нм техпроцесса. Об этом сообщает Tom’s Hardware со ссылкой на южнокорейское издание Hankyung. 
Источник изображения: Samsung В сообщении говорится, что Samsung и Intel находятся на завершающей стадии запуска массового производства чипсетов Intel. С уверенностью можно говорить, что речь о будущей системной логике 900-й серии для материнских плат с процессорным разъёмом LGA 1954, который предназначен для процессоров Core Ultra 400S (кодовое название Nova Lake). Между Samsung и Intel существует давняя история сотрудничества — южнокорейская компания ранее уже производила для Intel чипсеты и другие недорогие чипы. В настоящее время Samsung выпускает некоторые чипсеты Intel по 14-нм техпроцессу на своём предприятии в Остине, штат Техас. Тем временем 8-нм техпроцесс Samsung задействован на заводе компании в Хвасоне, в южнокорейской провинции Кёнгидо. Таким образом, производство будущих чипсетов Intel может вернуться в Южную Корею. Отмечается, что данный стратегический шаг со стороны Intel выглядит логичным, учитывая намерение компании диверсифицировать производство, отказавшись от услуг тайваньской TSMC, которая в настоящее время испытывает постоянный дефицит мощностей. Для производства чипсетов не требуются передовые технологические процессы, поэтому 8-нм узел вполне подходит для этой задачи. И всё же интересно посмотреть, какие преимущества Intel сможет получить от 8-нм техпроцесса Samsung — будь то улучшенные характеристики, более низкое энергопотребление или лучший теплоотвод. Одно можно сказать наверняка: переход с 14-нм на 8-нм техпроцесс может дать Intel повод для гордости перед AMD, поскольку текущие чипсеты 800-й серии последней всё ещё производятся по 14-нм техпроцессу. С другой стороны, AMD также может перейти на использование более передового техпроцесса в рамках своих будущих платформ. С момента внедрения в 2017 году и начала массового производства в 2018 году 8-нм технологический процесс Samsung достиг удовлетворительного уровня выхода годных изделий, что позволило привлечь значительное количество клиентов. Ранее, например, компания заключила контракт с Nvidia на производство специализированных систем на кристалле (SoC) для консоли Nintendo Switch 2, которая демонстрирует высокие продажи. Заключение сделки с Intel также является значительным достижением для Samsung. Несмотря на снижение доли Intel на рынке процессоров в пользу AMD, «синяя команда» остаётся доминирующим игроком отрасли, занимая примерно 75 % рынка. Производственная мощность Samsung составляет приблизительно 350 тыс. кремниевых пластин в месяц. В частности, с использованием 8-нм техпроцесса производится от 30 до 40 тыс. 300-мм (12-дюймовых) пластин в месяц. Эта цифра составляет примерно 11 % от общего объёма производственных мощностей Samsung. По мере увеличения числа клиентов, привлекаемых Samsung Foundry, растёт и спрос на фотошаблоны чипов, что создаёт взаимовыгодную ситуацию для всех участников цепочки поставок. Если информация подтвердится, Samsung начнёт полномасштабное производство 8-нм чипсетов Intel в следующем году. Intel уже подтвердила, что процессоры Nova Lake будут выпущены либо до конца 2026 года, либо вскоре после этого. Учитывая обычную практику Intel сначала выпускать чипсеты старшей серии Z, премиальный чипсет Z990, вероятно, станет первым продуктом партнёрства между Samsung и Intel в области 8-нм техпроцесса. Журналисты выяснили, как Китай выпускает ИИ-чипы без новейших литографов ASML
19.12.2025 [20:22],
Сергей Сурабекянц
Китайская полупроводниковая промышленность нашла обходной путь для преодоления западного экспортного контроля, модернизируя морально устаревшие литографические сканеры ASML с глубоким ультрафиолетовым излучением (DUV). Такой подход позволяет получать бо́льшую отдачу от оборудования, владение и эксплуатация которого остаются законными, что подчёркивает пробелы в нормативно-правовом режиме, призванном замедлить технологический прогресс Китая. 
Источник изображения: SMIC Экспортный контроль США и Нидерландов не позволяет ASML продавать свои самые передовые литографические сканеры в Китай. Продажа установок с экстремальным ультрафиолетом (EUV) полностью запрещена, да и последние поколения DUV-литографов также подпадают под экспортные ограничения. В результате многие китайские заводы используют устаревшие системы, такие как ASML Twinscan NXT:1980i. Сообщается, что китайским производителям удалось применить эти машины для производства 7‑нм чипов, которые вполне пригодны для работы в современных ускорителях искусственного интеллекта. Стоит отметить, что в последние годы в полупроводниковой промышленности нанометры обозначают скорее прогресс поколений, чем буквальные физические размеры. По словам инсайдеров, китайские заводы смогли приобрести улучшенные платформы для пластин, оптические компоненты и датчики выравнивания на вторичном рынке. Эти усовершенствования позволили повысить точность при послойном нанесении схем, улучшить выход годной продукции и производительность без формального нарушения экспортных правил. 
Источник изображения: Samsung Крупнейший китайский производитель микросхем Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) и технологический гигант Huawei входят в число предприятий, которые, по слухам, производят передовые чипы, используя более старые инструменты ASML. Хотя пока остаётся неясным, насколько массовым стал этот процесс, аналитики утверждают, что результаты в виде готовой продукции говорят сами за себя. Технология использует DUV-литографы для многократного экспонирования пластин, что позволяет добиться размера элементов, обычно создаваемых с помощью EUV-машин. Конечно, такой процесс медленнее, дороже и подвержен дефектам, но модернизация компонентов помогает компенсировать некоторые из этих недостатков за счёт повышения точности и эффективности. По мнению аналитиков TechInsights, новейшие процессоры Huawei отражают самые передовые производственные возможности Китая на сегодняшний день, что свидетельствует о дальнейшем прогрессе, несмотря на технологические ограничения. 
Источник изображения: Huawei США в попытках ограничить амбиции Китая в полупроводниковой отрасли оказывает давление на союзников, включая Нидерланды, Японию и Южную Корею, требуя ужесточить контроль по всей цепочке поставок и ограничить не только продажи оборудования, но и обслуживание и техническую поддержку ранее поставленных литографических машин. Компания ASML пока сохранила право на обслуживание уже поставленного в Китай оборудования, но ей запрещено повышать точность совмещения или увеличивать производительность сверх установленного уровня. Компания утверждает, что полностью соблюдает все применимые законы и не поддерживает модернизацию, превышающую установленные законом пределы. Однако, по словам осведомлённых источников, сторонние инженерные фирмы проводили модификации на месте с использованием импортных компонентов, что позволяло заводам обходить ограничения без прямого участия ASML. Бюро промышленной безопасности США изучает, какую поддержку получают китайские заводы по производству оборудования ASML, и рассматривает возможность ужесточения правил, ограничивающих даже разрешённое обслуживание. 
Источник изображения: GlobalFoundries Для ASML Китай остаётся важнейшим рынком. Продажи компании в Китай резко выросли перед введением санкций. На Китай приходилось более трети мировой выручки ASML в 2024 году, по сравнению с чуть более четвертью в 2023-м. ASML предупредила инвесторов, что продажи в Китай, вероятно, резко сократятся по мере полного вступления в силу ограничений, но аналитики говорят, что установленная база оборудования даёт китайским заводам возможность продолжать внедрять инновации. Эксперты отрасли предупреждают, что модернизация устаревшего оборудования не может полностью заменить доступ к передовому оборудованию от таких компаний, как TSMC или Samsung. Затраты остаются выше, а производство менее эффективным. Тем не менее, прогресс Китая свидетельствует о том, что экспортный контроль может замедлить, но не остановить его продвижение. Micron предсказала рост рынка памяти HBM до $100 млрд к 2028 году
18.12.2025 [13:04],
Алексей Разин
Руководство американской Micron Technology, как позволяет понять публикация Seeking Alpha, на квартальном отчётном мероприятии заглядывало в будущее чуть дальше 2026 года. По мнению Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), до 2028 года рынок памяти в денежном выражении будет расти в среднем на 40 % в год, и достигнет ёмкости в $100 млрд против $35 млрд по итогам текущего года. 
Источник изображения: Micron Technology Как добавил генеральный директор Micron, рубеж в $100 млрд рынок HBM преодолеет на два года быстрее, чем планировалось изначально. Дефицит памяти сохранится, по его мнению, не только до конца 2026 года, но и в последующие периоды. По словам Мехротры, ключевым фактором роста поставок памяти DRAM и NAND для компании станет переход на более прогрессивные технологии их производства, поскольку в краткосрочной перспективе другого способа нарастить объёмы выпуска просто не будет. Соответственно, увеличенные с $18 до $20 млрд капитальные затраты в следующем году Micron направит главным образом на внедрение новых технологий производства памяти. Приоритет будет отдан так называемому техпроцессу «1-гамма» для выпуска DRAM и сектору HBM во всём его многообразии. К слову, в прошлом квартале бизнес Micron рос довольно гармонично. На направлении DRAM выручка увеличилась последовательно на 20 % до $10,8 млрд (к сегменту относится и HBM), а производство NAND нарастило профильную выручку на 22 % до $2,7 млрд по сравнению с предыдущим кварталом. Общая выручка компании последовательно выросла на 21 % до $13,6 млрд, в годовом сравнении она увеличилась на 57 %. По словам Мехротры, дефицит HBM сохранится в следующем году, причём на улучшение ситуации с доступностью классической DRAM тоже рассчитывать не приходится. В своих конкурентных позициях на рынке Micron очень уверена, поскольку готова предложить клиентам хорошие характеристики и при этом сохранять прибыльность. Норма прибыли как таковая далее будет расти более умеренными темпами, чем в предыдущие пару кварталов, но предстоящая миграция на новые технологии производства памяти существенно её не испортит. Долгосрочные контракты на поставку памяти, которые рассчитаны на несколько лет, Micron теперь заключает на гораздо более выгодных условиях, чем ранее. В январе Honda приостановит выпуск автомобилей в Японии и Китае из-за дефицита чипов
18.12.2025 [10:30],
Алексей Разин
Тема борьбы за производственные активы нидерландской Nexperia, которые частично сосредоточены в Китае, немного отошла на второй план, но для автопроизводителей актуальность создаваемого кризиса не снизилась. Honda намерена в следующем месяце приостановить сборку автомобилей на своих предприятиях в Японии и КНР. 
Источник изображения: Honda Motor В Китае все три совместных предприятия Honda Motor по сборке автомобилей будут простаивать с 29 декабря текущего года по 2 января будущего. Компания ранее надеялась восстановить ритмичный выпуск автомобилей с конца ноября, но новые перебои указывают на сохранение проблем с доступностью полупроводниковых компонентов. В случае с Honda кризис поставок Nexperia уже заставил снизить производственный план на текущий фискальный год с 3,62 до 3,34 млн машин. Ранее она была вынуждена приостанавливать работу своих автосборочных предприятий в Северной Америке. Проблемы с поставками полупроводниковых компонентов Nexperia автопроизводителям по всему миру возникли после того, как в октябре власти Нидерландов отстранили от должности китайского генерального директора и перевели компанию под свой контроль, ссылаясь на изменения в требованиях экспортного контроля США. В свою очередь, владеющая на протяжении нескольких лет Nexperia китайская Wingtech попала под защиту властей Поднебесной, и на время поставки готовой продукции с китайского предприятия Nexperia за пределы страны были заблокированы. Позже экспортные лицензии начали выдавать особо нуждающимся клиентам, но нормальное взаимодействие нидерландской штаб-квартиры с крупной производственной базой в Китае так и не было налажено. В результате некоторым клиентам даже пришлось самостоятельно отправлять кремниевые пластины из Европы в Китай, чтобы там из них нарезались и упаковывались чипы. TSMC готова наладить выпуск 3-нм чипов в Аризоне уже в 2027 году
18.12.2025 [07:43],
Алексей Разин
Тенденция к локализации производства передовых чипов в различных регионах за пределами Тайваня пришла надолго, а потому TSMC в качестве демонстрации лояльности своим зарубежным партнёрам старается внедрить передовые технологии на своих предприятиях за границей с опережением графика. Например, выпуск 3-нм чипов в США она планирует освоить в 2027 году, для чего уже следующим летом начнёт монтаж оборудования в Аризоне. 
Источник изображения: TSMC Как поясняет Nikkei Asian Review, компания собирается приступить к монтажу оборудования для производства 3-нм чипов на втором из запланированных к строительству предприятий в Аризоне летом 2026 года. Источники указывают на готовность TSMC приступить к установке необходимого для производства 3-нм чипов оборудования в период с июля по сентябрь следующего года. Первоначально считалось, что второе предприятие TSMC в Аризоне будет введено в строй лишь в 2028 году, но при указанном графике монтажа оборудования оно сможет выдавать продукцию уже с 2027 года. Глава компании Си-Си Вэй (C.C. Wei) признался недавно, что сроки реализации этого проекта смещены в сторону ускорения сразу на несколько кварталов. По словам представителей полупроводниковой отрасли, после установки оборудования обычно проходит около года, в течение которого оно настраивается, и затем предприятие получает возможность начать серийный выпуск продукции. В случае с передовыми техпроцессами этот этап может затянуться сильнее, поскольку они подразумевают более 1000 различных операций. Напомним, первый завод TSMC в Аризоне уже выдаёт 4-нм продукцию для американских заказчиков, коими являются Apple и Nvidia. Всего в этом штате компания намеревается построить ещё четыре предприятия по выпуску чипов, два предприятия по их тестированию и упаковке, а также возвести исследовательский центр. Когда этот проект стоимостью $165 млрд будет реализован, TSMC сможет выпускать на территории США до 30 % всех своих передовых чипов. Компания уже получает от американских заказчиков 76 % всей выручки, и локализация производства в большей мере продиктована политической конъюнктурой, а не экономическими факторами. Японские проекты TSMC реализуются неоднозначно. С одной стороны, компания задерживает строительство второго японского предприятия JASM, мотивируя это снижением спроса на зрелые техпроцессы. С другой стороны, она готовится наладить на территории Японии выпуск 4-нм чипов вместо прежних 6-нм. Правда, это изменение в планах тоже приведёт к замедлению строительства второго японского завода. Дефицит памяти разогнал Micron — квартальный отчёт превзошёл ожидания, а текущий квартал будет ещё лучше
18.12.2025 [06:13],
Алексей Разин
Время выхода квартальной отчётности Micron Technology, которое обособлено от графика основных конкурентов, позволяет привлечь к статистике компании больше внимания инвесторов. На этот раз она их обрадовала, не только превзойдя прогнозные значения выручки в прошлом квартале, но и опубликовав более оптимистичный прогноз на текущий квартал, чем ожидалось. 
Источник изображения: Micron Technology В годовом сравнении выручка Micron выросла на 57 % до $13,64 млрд, тогда как аналитики рассчитывали на сумму в районе $12,84 млрд. Чистая прибыль производителя памяти в годовом сравнении по итогам прошлого квартала почти утроилась до $5,24 млрд на фоне резкого роста цен. В текущем квартале Micron рассчитывает выручить $18,7 млрд, тогда как инвесторы ориентировались на сумму в районе $14,2 млрд. Удельная прибыль на одну акцию в этом квартале, по мнению представителей Micron, должна составить $8,42 против ожидаемых рынком $4,78. Руководство Micron заявило, что дефицит памяти сохранится как минимум до конца 2026 года, и в настоящий момент компания удовлетворяет только от половины до двух третей спроса на память в серверном сегменте. На облачном направлении, кстати, в прошлом квартале Micron выручила $5,28 млрд, удвоив показатель в годовом сравнении. В классическом серверном бизнесе выручка компании выросла только на 4 % до $2,38 млрд. При этом по итогам текущего года объёмы поставок памяти в серверном сегменте в натуральном выражении выросли не более чем на 20 %. На фоне сохраняющегося высокого спроса капитальные расходы на следующий год придётся увеличить с $18 до $20 млрд, как призналось руководство Micron. Всего с начала этого года акции этого производителя выросли в цене на 168 %. Micron уже заключила соглашения на поставку HBM на весь 2026 год, включая HBM4. В части DRAM и NAND компания планирует увеличить объёмы производства памяти примерно на 20 % в течение следующего года. Этого окажется недостаточно для удовлетворения всего спроса, по крайней мере, в серверном сегменте. Выпуск HBM4 в приличных количествах Micron намеревается наладить со второго квартала 2026 года, но в какой пропорции по отношению к HBM3E это будет осуществляться, станет понятно по итогам оценки спроса. После появления HBM4 на конвейере HBM3E не уйдёт со сцены и продолжит существенно влиять на выручку Micron в 2026 году. Бывшие инженеры ASML тайно построили в Китае прототип EUV-литографа — он работает, но чипы пока не делает
17.12.2025 [20:36],
Сергей Сурабекянц
По словам осведомлённых источников, в Китае построили прототип передового фотолитографа, работающего с экстремальным ультрафиолетовым излучением (EUV). Он создан командой бывших инженеров ASML, которые провели реверс-инжиниринг литографов голландской компании. На сегодняшний день китайская установка запущена и успешно генерирует экстремальное ультрафиолетовое излучение, но пока не производит работающие чипы. 
Источник изображений: ASML В апреле генеральный директор ASML Кристоф Фуке заявил, что Китаю потребуется «много-много лет» для разработки технологий EUV-литографии. Но существование этого прототипа предполагает, что Китай может быть на несколько лет ближе к достижению полупроводниковой независимости, чем предполагали аналитики. По словам источников, наличие комплектующих от старых установок ASML на вторичных рынках позволило Китаю создать собственный прототип, который должен обеспечить выпуск работающих чипов к 2028 году. Этот безусловный прорыв знаменует собой кульминацию шестилетней инициативы правительства Китая по достижению полупроводниковой независимости. Китай заявлял об этих целях публично, но «Китайский Манхэттенский проект» по созданию собственного EUV-литографа, осуществлялся в обстановке полной секретности. «Цель состоит в том, чтобы Китай в конечном итоге смог производить передовые чипы на машинах, полностью произведённых в Китае, — сказал один из источников. — Китай хочет полностью исключить Соединённые Штаты из его цепочек поставок». До сих пор только ASML успешно освоила технологию EUV. Её оборудование, стоимость которого составляет около $250 млн, незаменимо для производства самых передовых чипов, разработанных такими компаниями, как Nvidia и AMD, и выпускаемых такими производителями чипов, как TSMC, Intel и Samsung. ASML создала свой первый рабочий прототип технологии EUV в 2001 году, но потребовалось почти два десятилетия и миллиарды евро для начала коммерческого выпуска чипов по этой технологии в 2019 году.  Системы EUV компании ASML в настоящее время доступны союзникам США, включая Тайвань, Южную Корею и Японию. Начиная с 2018 года, США начали оказывать давление на Нидерланды с целью заблокировать продажу ASML систем EUV Китаю. В 2022 году правительство США ввело масштабный экспортный контроль, призванный перекрыть Китаю доступ к передовым полупроводниковым технологиям. ASML утверждает, что ни одна система EUV никогда не продавалась китайским заказчикам. Экспортный контроль был направлен не только на системы EUV, но и на машины предыдущих поколений на основе глубокой ультрафиолетовой (DUV) литографии. В настоящее время государственный департамент США работает с партнёрами «над устранением лазеек по мере развития технологий». В свою очередь, министерство обороны Нидерландов заявило о внедрении политики, требующей от «институтов знаний» тщательных проверок персонала для предотвращения утечек конфиденциальных технологий. По некоторым данным, ASML в 2023 году злоупотребила доверием американской стороны, а когда это вскрылось, предложила США шпионить за китайскими клиентами. По сообщениям осведомлённых источников, приём на работу бывших сотрудников ASML в Китае сопровождался беспрецедентными мерами секретности и выдачей фальшивых удостоверений личности. В команду вошли недавно вышедшие на пенсию бывшие инженеры и учёные ASML китайского происхождения — первоклассные кандидаты на работу, поскольку они обладают конфиденциальными техническими знаниями, но сталкиваются с меньшими профессиональными ограничениями после ухода из компании.  По словам источников, в настоящее время команда из примерно 100 сотрудников занимается обратным проектированием компонентов как EUV, так и DUV литографических машин. Рабочий стол каждого сотрудника снимается индивидуальной камерой, чтобы задокументировать их усилия. Предусмотрена система поощрений за результативный труд. Европейские законы о защите персональных данных ограничивают возможности ASML отслеживать бывших сотрудников. Хотя сотрудники подписывают соглашения о неразглашении, их соблюдение за пределами страны оказалось сложной задачей. В 2019 году ASML выиграла дело на сумму $845 млн против своего бывшего инженера, обвиняемого в краже коммерческих секретов, но ответчик подал заявление о банкротстве и продолжает работать в Пекине при поддержке китайского правительства. Голландская разведка утверждает, что Китай «использовал обширные программы шпионажа в своих попытках получить передовые технологии и знания из западных стран», включая вербовку «западных учёных и сотрудников высокотехнологичных компаний». По словам источников, именно ветераны ASML сделали возможным прорыв в «Китайском Манхэттенском проекте». Без их глубоких знаний технологии реверс-инжиниринг оборудования был бы практически невозможен.  Вербовка сотрудников ASML стала частью агрессивной кампании, начатой Китаем в 2019 году для привлечения экспертов в области полупроводников. Предусматривались бонусы за подписание контракта в размере от 3 до 5 млн юаней (от $420 000 до $700 000) и субсидии на покупку жилья. Некоторым натурализованным гражданам других стран были выданы китайские паспорта и разрешение сохранить двойное гражданство, хотя китайские законы это запрещают. Самые передовые системы EUV компании ASML размером примерно с автобус и весят до 180 тонн. По сообщениям инсайдеров, после нескольких неудачных попыток копирования китайский прототип пришлось существенно увеличить. Он довольно примитивен по сравнению с машинами ASML, но достаточно работоспособен для испытаний. Источники утверждают, что китайский прототип отстаёт от машин ASML из-за проблем с созданием оптических систем, подобных тем, что поставляет ASML немецкая компания Carl Zeiss. Сообщается, что в настоящее время Чанчуньский институт оптики, точной механики и физики Китайской академии наук (CIOMP) добился прорыва в интеграции экстремального ультрафиолетового излучения в оптическую систему прототипа, что позволило начать его испытания в начале 2025 года, хотя оптика все ещё требует значительной доработки. В своём объявлении CIOMP предлагает «неограниченные» зарплаты исследователям в области литографии со степенью доктора наук, а также исследовательские гранты на сумму до 4 миллионов юаней ($560 000) плюс 1 миллион юаней ($140 000) в виде личных субсидий.  Бывший инженер ASML Джефф Кох (Jeff Koch) уверен, что Китай добьётся «значительного прогресса», если «источник света будет достаточно мощным, надёжным и не будет создавать слишком много загрязнений». «Без сомнения, это технически осуществимо, это просто вопрос сроков, — сказал он. — У Китая есть преимущество в том, что коммерческое EUV-литографическое производство уже существует, поэтому им не нужно начинать с нуля». Чтобы получить необходимые детали, Китай извлекает компоненты из старых машин ASML и закупает детали у поставщиков ASML через рынки подержанных товаров. По словам источников, международные банки регулярно проводят аукционы старого оборудования для производства полупроводников, которое было в лизинге. Так, на платформе Alibaba Auction ещё в октябре 2025 года продавалось старое литографическое оборудование ASML. Для сокрытия конечного покупателя используются цепочки компаний-посредников. По слухам, в китайском прототипе используются компоненты японских компаний Nikon и Canon, на экспорт которых распространяются ограничения. Обе компании отказались от комментариев. Хотя сам проект создания литографического EUV-сканера находится под управлением китайского правительства, активнейшее участие в нём принимает Huawei. Компания задействована на каждом этапе цепочки поставок, от проектирования чипов и оборудования для производства до изготовления и окончательной интеграции. По словам одного из источников, генеральный директор Huawei Рен Чжэнфэй (Ren Zhengfei) лично информирует высшее китайское руководство о ходе работ. Intel показала путь к посткремниевым чипам: 2D-транзисторы, совместимые с массовым производством
17.12.2025 [19:11],
Сергей Сурабекянц
2D-транзисторы на основе 2D-материалов демонстрируются в академических и лабораторных условиях более десяти лет, но ни одна из этих демонстраций не была совместима с крупносерийным производством. Они основывались на специализированных исследовательских инструментах и хрупких технологических этапах. Но на этой неделе Intel Foundry и Imec продемонстрировали готовую к 300-миллиметровому производству технологию производства 2D-полевых транзисторов (2DFET).  Современные передовые техпроцессы — такие как Intel 18A, Samsung SF3E, TSMC N2 — основаны на транзисторах с затвором, окружающим затвор со всех сторон (Gate-All-Around, GAA). В настоящее время все ведущие производители микросхем разрабатывают комплементарные полевые транзисторы (Complementary Field-Effect Transistor, CFET) с возможностью их вертикального размещения с целью повышения плотности за пределы возможностей GAA. CFET считаются следующим шагом после транзисторов с затвором, охватывающим всю поверхность кристалла, и ожидается, что они появятся в течение следующего десятилетия. Однако Intel и другие производители микросхем утверждают, что дальнейшее масштабирование в конечном итоге приведёт к пределу физических возможностей кремниевых каналов, где электростатический контроль и подвижность носителей ухудшаются из-за чрезвычайно малых размеров. Для решения этой проблемы отрасль все чаще оценивает двумерные материалы, которые могут формировать каналы толщиной всего в несколько атомов, сохраняя при этом надёжный контроль тока. Intel и Imec представили на IDM доклад, в котором подробно описывается их работа над семейством дихалькогенидов переходных металлов (TMD) — перспективных материалов для производства чипов, представляющих собой атомарно тонкие кристаллы. В продемонстрированных структурах сульфид вольфрама (WS2) и сульфид молибдена (MoS2) использовались для создания транзисторов n-типа, а селенид вольфрама (WSe2) служил материалом для каналов p-типа. Эти соединения изучаются уже много лет, но подогнать их под существующие технологические процессы производства чипов на 300-мм пластинах не получалось. Основная сложность заключалась в том, что хрупкие каналы легко повредить. А также разработчикам мешало то, что предлагаемые прежде решения невозможно надежно воплотить в условиях современного массового производства. Основной инновацией, представленной Intel и Imec, является схема интеграции контактов и затворных стеков, совместимая с производством. Intel вырастила высококачественные 2D-кристаллы и покрыла их многослойным стеком из оксидов алюминия (Al2O3), гафния (HfO2) и кремния (SiO2). Затем с помощью тщательно контролируемого селективного травления, концептуально схожего с одним из этапов традиционного изготовления чипов, получилось сформировать верхние контакты. Таким образом удалось обеспечить целостность лежащих в основе 2D-каналов, которые очень чувствительны к загрязнению и физическим повреждениям. Ключевым нововведением, представленным Intel и imec, является совместимая с производством на 300-мм пластинах схема интеграции контактов и затворной структуры. Этот подход решает одну из самых сложных задач в разработке 2D-транзисторов: формирование масштабируемых контактов с низким сопротивлением с использованием процессов, совместимых с производственным оборудованием. Наряду с контактами, Intel и imec также продемонстрировали возможность изготовления модулей затворной структуры. 
Источник изображения: Imec Важность этой совместной работы Intel и imec заключается не в немедленном внедрении в производство, поскольку 2D-транзисторы на основе 2D-материалов относятся к долгосрочной перспективе, возможно, ко второй половине 2030-х или даже к 2040-м годам. Ценность исследования скорее в снижении рисков при разработке и последующем производстве микросхем, которые будут использовать 2D-материалы. Проверяя технологию в условиях реального производства, Intel Foundry позволяет клиентам и внутренним группам разработчиков оценивать её возможности, используя реалистичные, масштабируемые технологические предположения, а не идеализированные лабораторные условия. Этот подход призван ускорить тестирование устройств, компактное моделирование и ранние исследования в области проектирования. Для Intel Foundry это исследование имеет особую важность. Во-первых, Intel Foundry продолжает проводить долгосрочные исследования технологий, которые понадобятся через годы, если не десятилетия, а это значит, что у компании будут решения для полупроводниковой промышленности в 2030-х или 2040-х годах, и, следовательно, она останется надёжным партнёром. Во‑вторых, Intel подчёркивает, что даже на этапе исследований новые концепции транзисторов должны разрабатываться с учётом технологичности производства, что под силу немногим компаниям. 2 нм нарасхват: самые передовые линии TSMC забиты заказами до конца 2026 года
17.12.2025 [12:53],
Алексей Разин
Уходящий год для тайваньской компании TSMC характеризовался переходом к массовому производству чипов по технологическим нормам 2 нм, которые считаются передовыми по меркам мировой отрасли. Тайваньские источники утверждает, что заказами на выпуск 2-нм продукции эта компания загружена до самого конца 2026 года. 
Источник изображения: TSMC Впервые в своей истории TSMC должна внедрить структуру транзисторов с окружающим затвором (GAA) именно в рамках 2-нм технологии. Именно прогресс в материаловедении, по словам тайваньских СМИ, во многом определяет сроки и масштабы внедрения новых литографических норм в масштабах полупроводниковой отрасли. TSMC в этом квартале начинает массовые поставки 2-нм чипов своим клиентам, и от перехода на новый техпроцесс должны выиграть не только разработчики компонентов для инфраструктуры ИИ, но и проектировщики мобильных чипов. Новый техпроцесс позволяет повысить энергетическую эффективность чипов и их быстродействие. По сравнению с 3-нм техпроцессом и структурой транзисторов FinFET, новый 2-нм техпроцесс в сочетании с GAA позволяет при прежнем уровне энергопотребления поднять быстродействие на величину от 10 до 15 %, либо снизить энергопотребление на 25–30 % при неизменном быстродействии. Подобные качества будут востребованы в сегменте ИИ, поскольку огромное энергопотребление профильных ЦОД уже стало серьёзной проблемой, вынуждающей задуматься о перезапуске замороженных АЭС в отдельных регионах планеты, либо о строительстве новых. TSMC выйдет на ежемесячную обработку 100 000 кремниевых пластин с 2-нм чипами лишь к концу следующего года, поэтому соответствующие услуги будут оставаться в дефиците. Сейчас в получении от TSMC своих 2-нм чипов заинтересованы Apple, Nvidia, AMD и Qualcomm. Спрос на более зрелый 3-нм техпроцесс TSMC поддерживают Apple, Nvidia, AMD, Amazon и Intel. Бум ИИ также повлиял на рост популярности 7-нм техпроцесса в исполнении TSMC. Этот контрактный производитель намерен выпускать 2-нм чипы на семи действующих и строящихся предприятиях на Тайване. Предполагается, что их возможностей будет недостаточно для удовлетворения спроса на соответствующую продукцию. Это подтолкнуло компанию начать подготовку к строительству ещё трёх профильных фабрик на юге острова. При сохранении таких темпов экспансии капитальные затраты TSMC по итогам следующего года могут вырасти до рекордных $48–50 млрд. Новые техпроцессы обходятся в освоении и производстве гораздо дороже предыдущих, хотя бы в силу необходимости использования более сложного оборудования и оснастки. Rapidus разработала метод производства квадратных стеклянных подложек для чипов, который пригодится в будущем
17.12.2025 [08:27],
Алексей Разин
К 2027 году японская компания Rapidus рассчитывает наладить контрактное производство 2-нм чипов на острове Хоккайдо, но её инновационные усилия одновременно направлены и на освоение технологий, позволяющих применять передовые методы компоновки чипов. В частности, стеклянные подложки квадратной формы типоразмера 600 мм должны пригодиться при создании многокристальных чипов. 
Источник изображения: Intel TSMC для создания подобных компонентов, как поясняет Nikkei Asian Review, использует кремниевые подложки круглой формы диаметром 300 мм. При этом сами подложки имеют прямоугольную форму, что неизбежно вынуждает выбрасывать части кремниевой пластины, которые не подходят по геометрии. Переход квадратную подложку типоразмера 600 мм позволяет уменьшить непродуктивный расход материала, из одной такой подложки можно получить в десять раз больше чипов, чем из круглой типоразмера 300 мм. Кроме того, освоенная Rapidus технология позволяет выпускать стеклянные подложки, чья площадь больше на 30 или 100 %, чем у кремниевых. Соответственно, на одной такой подложке можно разместить больше компонентов. Стекло также обладает более выгодными электротехническими свойствами, чем кремний. С другой стороны, он является более хрупким материалом, подверженным деформации, которая усиливается по мере увеличения размеров. Rapidus для совершенствования технологии производства стеклянных подложек привлекла бывших инженеров Sharp и прочих японских производителей ЖК-панелей, поскольку их опыт в этой сфере оказался очень полезным. Выпуск прототипов стеклянных подложек Rapidus начала ещё в июне этого года в лаборатории на севере Японии. Среди конкурентов Rapidus работы в сфере использования стеклянных подложек ведёт компания Intel. По словам представителей Rapidus, поскольку эта молодая компания позже других выходит на рынок, она не скована каким-либо наследием и ограничениями, а потому может смелее внедрять более прогрессивные технологии. Если выпуск 2-нм кремниевых чипов Rapidus рассчитывает наладить в 2027 году, то применение пластиковых подложек в процессе упаковки она готова будет начать только в 2028 году. Власти Японии готовы предоставить ей финансовую помощь на освоение таких технологий упаковки чипов в размере около $1 млрд. На мировом рынке услуги по упаковке чипов традиционно сосредоточены в регионах с недорогой рабочей силой. Китай и Тайвань контролируют 30 и 28 % рынка соответственно, на долю Японии пока приходится не более 6 %. В дальнейшем Rapidus надеется получить конкурентное преимущество за счёт автоматизации процесса упаковки передовых чипов, применяемых в сфере ИИ. Intel успешно испытала передовой сканер ASML, который позволит серийно выпускать ангстремные чипы
16.12.2025 [14:09],
Алексей Разин
Компания Intel стала одним из первых получателей литографических сканеров ASML класса High-NA EUV, позволяющих наладить выпуск чипов по нормам тоньше 2 нм, но если ранее это были системы первого поколения, пригодные главным образом для экспериментов, то недавно завершились приёмочные испытания Twinscan EXE:5200B — сканера, который будет использоваться в серийном производстве чипов. 
Источник изображения: Intel Новой системе свойственно высокое разрешение, проверенное ещё на предшественнике (Twinscan EXE:5000), но производительность обработки кремниевых пластин повышена до 175 штук в час, а точность наложения слоёв при экспозиции увеличена до 0,7 нанометра. Оборудование ASML для сверхжёсткой ультрафиолетовой литографии с высокой числовой апертурой (High-NA EUV) тестировалось компанией Intel с 2023 года, но модель Twinscan EXE:5200B обеспечивает ряд преимуществ по сравнению с ранними образцами. Более мощный источник лазерного излучения обеспечивает создание более контрастных проекций с более чёткими очертаниями будущих транзисторов. Новая конструкция держателя для кремниевых пластин учитывает особенности техпроцесса их обработки, повышая пропускную способность в условиях массового производства. Возросшая точность наложения была достигнута за счёт лучшей калибровки датчиков, стабильности основания и изоляции от окружающих воздействий. Оборудование нового поколения позволяет сократить количество операций при изготовлении передовых чипов, уменьшить затраты на оснастку и поднять производительность линии. Само собой, уровень брака должен выходить на приемлемый уровень быстрее, чем в случае с оборудованием предыдущего поколения. Попутно представители Intel сообщили о прогрессе в сфере внедрения новых материалов при производстве чипов с мельчайшими транзисторами. Дихалькогениды переходных металлов, по их словам, позволяют создавать структуры размером с несколько атомов кремния без угрозы потери необходимых физических свойств. В сфере совершенствования двумерных материалов Intel активно сотрудничает с Imec — ведущей европейской исследовательской организацией. Партнёры добиваются определённого прогресса во внедрении новых материалов, применение которых возможно и целесообразно в условиях массового производства с типоразмером кремниевых пластин 300 мм. В свою очередь, ASML планирует наладить массовые поставки оборудования класса High-NA EUV с 2027 года, но для этого уже в следующем году компании придётся плотно взаимодействовать в этой сфере со своими клиентами. В следующем десятилетии ASML предложит технологию Hyper-NA, которая обещает ещё более эффективное масштабирование транзисторов на поверхности чипа и сохранение приемлемых темпов роста производительности полупроводниковых компонентов. Intel назначила старшим вице-президентом по связям с органами власти советницу Дональда Трампа по экономике
16.12.2025 [06:59],
Алексей Разин
Уходящий год в истории Intel характеризуется необычным событием — 10 % ей акций перешли под контроль американского государства. Только недавно формальные функции по взаимодействию с органами власти были закреплены за Робин Колвелл (Robin Colwell), которая вступила в должность старшего вице-президента Intel, а до этого имела опыт работы в статусе советника президента Дональда Трампа (Donald Trump) по экономическим вопросам. 
Источник изображения: Intel Известно, что с экономической точки зрения бизнес Intel сейчас находится не в лучшем состоянии, поэтому данное назначение призвано наладить проведение реформ с учётом интересов государства. Робин Колвелл также является заместителем директора Национального экономического совета, поэтому станет важным проводником решений администрации президента США в контексте политики на полупроводниковом рынке. Непосредственно пост старшего вице-президента Intel по связям с органами власти пустовал после ухода в ноябре прошлого года Брюса Эндрюса (Bruce Andrews), имевшего опыт работы в Министерстве торговли США при президенте Обаме. Поскольку этого требует необходимость постоянного взаимодействия с правительством США, Робин Колвелл будет работать в Вашингтоне. Ещё одну вакансию в верхнем эшелоне управления Intel заняла Джеймсом Чу (James Chew), который стал вице-президентом по правительственным технологиям. До этого он трудился в Cadence, которую ранее возглавлял нынешний генеральный директор Intel Лип-Бу Тан (Lip-Bu Tan). Вместе с Колвелл Джеймс Чу будет формировать взаимовыгодные отношения Intel с американскими правительственными структурами и заказчиками. Руководить маркетингом и связями с общественностью в Intel отныне будет Энни Ши Векессер (Annie Shea Weckesser), которая имеет большой опыт работы в Cisco Systems, а непосредственно до перехода в Intel успела потрудиться в стартапе SambaNova Systems на должности руководителя маркетинговой службы. Процессорный гигант намерен поглотить этот стартап для развития своих компетенций в части проектирования ускорителей для систем искусственного интеллекта, как стало известно недавно. Поскольку после ухода Сачина Катти (Sachin Katti) в OpenAI пустовал пост технического директора Intel, его занял Пушкар Ранаде (Pushkar Ranade), ранее руководивший кадровой структурой компании. Впрочем, это назначение будет временным, пока не будет утверждена новая кандидатура на эту должность. Не исключено, конечно, что Пушкар Ранаде сохранит за собой пост технического директора Intel в будущем. Как признался глава компании, у Ранаде есть богатый опыт внедрения нескольких техпроцессов в массовое производство, и он пригодится ему на новом этапе карьеры. В США изготовили первый в мире истинно трёхмерный чип с кремниевой логикой, нанотрубками и резистивной памятью
14.12.2025 [23:08],
Николай Хижняк
Группа исследователей из Стэнфорда, Университета Карнеги-Меллона, Пенсильванского университета и Массачусетского технологического института разработали и в партнёрстве с компанией SkyWater Technology изготовили прототип, как они утверждают, первой монолитной трёхмерной интегральной схемы. Разработчики также заявили о существенном повышении производительности у такой схемы по сравнению с традиционными плоскими кристаллами. 
Источник изображения: Bella Ciervo / Penn Engineering Чип отличается от традиционных двухмерных схем тем, что находящиеся в нём память и логические элементы располагаются непосредственно друг над другом в рамках единого монолитного кристалла. Вместо сборки нескольких готовых слоёв кристаллов в единый корпус, исследователи последовательно создавали каждый слой чипа на одной и той же пластине, используя низкотемпературный процесс, разработанный для предотвращения повреждения нижележащей схемы. Технология в том числе позволяет создать плотную сеть из вертикальных межсоединений, сокращающих пути передачи данных между ячейками памяти и вычислительными блоками. Прототип чипа был изготовлен на производственной линии SkyWater по выпуску 200-мм кремниевых пластин с использованием зрелых техпроцессов уровня 90–130 нм. В чип интегрирована традиционная кремниевая CMOS-логика с резистивными слоями ОЗУ и полевыми транзисторами на основе углеродных нанотрубок. Всё изготовлено при температуре около 415 °C. По словам исследователей, предварительные аппаратные тесты показывают примерно четырёхкратное увеличение пропускной способности чипа по сравнению с аналогичной 2D-реализацией, работающей с аналогичной задержкой и размерами. Помимо измеренных аппаратных результатов, исследователи также оценили потенциал производительности подобного чипа с помощью моделирования. Конструкции с дополнительными уровнями памяти и вычислительных ресурсов показали до двенадцатикратного повышения производительности при выполнении задач, связанных с искусственным интеллектом, включая модели, созданные на основе LLaMA компании Meta✴✴. Разработчики также утверждают, что в конечном итоге эта архитектура может обеспечить 100–1000-кратное улучшение в показателе энергосбережения за счёт дальнейшего масштабирования вертикальной интеграции, а не уменьшения размеров транзисторов. Хотя в академических лабораториях ранее уже демонстрировались экспериментальные образцы 3D-чипов, команда подчёркивает, что эта работа отличается тем, что она создана в условиях коммерческого производства, а не в рамках специализированной исследовательской линии. Специалисты компании SkyWater, участвовавшие в проекте, охарактеризовали его как доказательство того, что монолитные 3D-архитектуры могут быть внедрены в производственные процессы, а не оставаться лишь внутри университетских лабораторий. «Превратить передовую академическую концепцию в нечто, что может производить коммерческая фабрика, — это огромная задача», — сказал Марк Нельсон (Mark Nelson) соавтор проекта и вице-президент по технологиям в SkyWater Technology. Команда представила результаты своего исследования на Международной конференции IEEE по электронным устройствам (IEDM 2025), проходившей с 6 по 10 декабря Samsung рассчитывает договориться с AMD о выпуске для неё 2-нм процессоров
14.12.2025 [20:13],
Николай Хижняк
Компания Samsung Electronics стремится привлечь внимание AMD и стать её контрактным производителем новейших полупроводников, пишет Business Korea. Со ссылкой на аналитиков отрасли издание сообщает, что привлечение AMD в качестве клиента после Tesla и Apple может дать южнокорейскому гиганту импульс для того, чтобы догнать лидера отрасли TSMC и сделать своё подразделение контрактного производства полупроводников снова прибыльным. 
Источник изображения: Samsung Electronics Сообщается, что подразделение Device Solutions (DS) компании Samsung Electronics в настоящее время ведёт переговоры о производстве полупроводников, разработанных AMD, с использованием 2-нанометрового (нм) процесса Samsung второго поколения (SF2P). С этой целью компания планирует в ближайшее время создать прототипы чипов AMD с помощью многопроектных пластин (MPW). MPW подразумевает совместное производство разработок нескольких компаний на одной пластине. В ходе этого процесса обе компании планируют оценить, смогут ли они достичь требуемого AMD уровня производительности, и принять окончательное решение по контракту. Рассмотрение вопроса ожидается примерно в январе следующего года. Наблюдатели отрасли считают начало производства чипов AMD на мощностях Samsung вероятным. Предполагается, что AMD может заказать у Samsung производство нового поколения центральных процессоров. Подразделение Samsung Electronics, занимающееся производством микросхем на заказ, в этом году столкнулось с трудностями, понеся убытки в размере около 4 трлн вон (около $2,76 млрд) только за первое полугодие. Однако в последнее время подразделение восстановилось благодаря последовательным заказам от крупных технологических компаний, включая Tesla и Apple. Привлечение AMD, одного из крупнейших разработчиков центральных и графических процессоров в мире, в качестве клиента может помочь Samsung увереннее справиться с трудностями. По словам одного из инсайдеров отрасли, на которого ссылается Business Korea, с учётом наплыва заказов компании TSMC трудно принимать дополнительные объёмы. Он добавил, что по мере роста производственных цен TSMC привлекательность Samsung как альтернативного поставщика микросхем возрастает. |
|
✴ Входит в перечень общественных объединений и религиозных организаций, в отношении которых судом принято вступившее в законную силу решение о ликвидации или запрете деятельности по основаниям, предусмотренным Федеральным законом от 25.07.2002 № 114-ФЗ «О противодействии экстремистской деятельности»; |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
![Российские итоги HUAWEI XMAGE 2025 и выставка «Фото[графическое] путешествие»](https://cdn.3dnews.ru/assets/external/illustrations/2025/11/21/1132762/02.jpg?resize=w400)
