Теги → производство микросхем
Быстрый переход

По объёму обработок кремниевых пластин Китай почти догнал США

В лозунге «Догнать и перегнать» всегда кроется подвох, потому как количество далеко не всегда означает качество. Тем не менее, количественные показатели тоже достойны если не уважения, то осторожного к себе отношения. Именно так необходимо относиться к данным аналитиков компании IC Insights, которые в свежем отчёте сообщили, что по итогам 2018 года по числу ежемесячно обрабатываемых кремниевых пластин Китай вплотную приблизился к США.

IC Insights

IC Insights

На конец 2018 года, докладывает IC Insights, Китай удерживал 12,5 % от мировых производственных мощностей для выпуска чипов в пересчёте на обрабатываемые каждый месяц пластины. Обычно данные пересчитываются к пластинам 200-мм диаметра, но на этот счёт уточнений нет. За год рост объёмов составил 1,7 %. Следует уточнить, что в эти цифры вошли данные как по китайским компаниям, так и по иностранным производителям, которые имеют в Китае свои или совместные заводы. Объёмы производства в США за год сократились на 0,4 % до уровня 12,8 %. При этом США находится на четвёртом месте в списке стран, обладающих мощнейшим полупроводниковым производством.

На первом месте с 2015 года расположился Тайвань с долей 21,8 % от мирового производства полупроводников. Около 67 % из этих мощностей принадлежит компании TSMC. За год тайваньские производители увеличили вклад в производство острова на 0,5 %. В спину Тайваню дышит Южная Корея с долей 21,3 %. В Республике Корея с разнообразием ещё хуже. Компаниям Samsung и SK Hynix на родине принадлежат 94 % полупроводниковых мощностей.

Япония прочно занимает третье место в мировом производстве чипов, удерживая 16,8 % рынка. Продажа заводов Elpida компании Micron и ряда заводов Panasonic иностранным компаниям подорвала уровень страны на мировом рынке. Теперь за них во многом отдуваются компании Toshiba Memory и Renesas с совокупной долей 62 % от производимых в Японии полупроводников. Европа и остальной мир удерживают меньше 10 % мировых производственных объёмов.

Можно ожидать, что через год или два Китай обойдёт США по объёмам обработки пластин. Правительственная программа развития Китая предусматривает инвестиции в производство до $161 млрд в течение следующих 10 лет. По прогнозам IC Insights, в период с 2018 по 2023 год полупроводниковое производство в Китае в денежном выражении удвоится с $23,8 млрд до $47 млрд. Количество может и не перейдёт в качество, но зарубежные партнёры Китая однозначно получат существенно меньше денег, которые останутся в стране.

Б/у оборудование снова в моде: заводы по обработке 200-мм пластин забирают всё

Больше десяти лет назад две российские компании приобрели бывшее в употреблении производственное оборудование компаний AMD и ST Microelectronics для выпуска полупроводников на 200-мм кремниевых пластинах. На интернет-форумах по этому поводу по компаниям не прошёлся только ленивый. Между тем это обычная практика. Например, прошлой осенью компания SK Hynix запланировала отправку 200-мм б/у оборудования с одного из своих южно-корейских предприятий на новый завод в Китае, где будет развёрнуто контрактное производство. Если оглядеться шире, 200-мм производство начинает стремительно расширяться, вбирая в себя не только новое, что реже, но также бывшее в употреблении и законсервированное оборудование для обработки пластин этого типоразмера.

Прогноз расшириения производства чипов на 200-мм кремниевых подложках до 2022 года (SEMI)

Прогноз расширения производства чипов на 200-мм кремниевых подложках до 2022 года (SEMI)

Согласно свежему докладу организации SEMI, которая следит за производством и рынком полупроводников, в период с 2019 по 2022 год производство на 200-мм кремниевых пластинах увеличится на 700 000 пластин в месяц или на 14 %. Ранее предсказывался рост в объёме 400 000 пластин в месяц. Прогнозируемый рост спроса пришлось увеличить на фоне растущей загруженности 200-мм линий по всему миру, что вызвано увеличением потребности в сравнительно несложных чипах и дискретных полупроводниках. Локомотивом потребности стали вещи с подключением к Интернету, автомобильная электроника, силовые элементы, мобильная электроника, MEMS и другое, что невыгодно выпускать на пластинах диаметра 300 мм. Рост производства MEMS и датчиков, например, за последующие пять лет ожидается на 25 %, силовых компонентов ― на 23 %, заказных ― на 18 %. Всего в 2020 году ежемесячно с конвейеров будет сходить порядка 6,5 млн 200-мм пластин, тогда как сегодня это 5,8 млн пластин в месяц.

Увеличение объёмов производства на 200-мм пластинах будет происходить как за счёт расширения действующих производств, так и благодаря появлению новых заводов. В период с 2019 по 2022 годы в строй обещают войти 14 новых заводов и две модернизированные линии. Компании SK Hynix и Samsung, например, расконсервируют и восстанавливают хранящееся на складах бывшее в употреблении производственное оборудование. Также происходит перемещение б/у оборудования между заводами и компаниями. Ремонтируется и возвращается к жизни всё что только можно.

Наглядно о пластинах диаметром 200 мм

Наглядно о пластинах диаметром 200 мм

Рост и ожидание спроса на 200-мм пластины заставило компанию TSMC объявить о строительстве первой за 15 лет фабрики, ориентированной на обработку пластин подобного диаметра. Производители оборудования тоже начали принимать участие в увлекательном процессе «назад в будущее». При этом возобновление выпуска 200-мм оборудования позволяет внедрить в него технологии и наработки, которые появились уже во время выпуска оборудования для обработки 300-мм подложек, что сделает новые 200-мм линии намного производительнее, чем старые.

Аналитики предрекают скорое возвращение спроса (и роста цен) на память

Согласно опросу со стороны агентства CNBC аналитиков компаний Credit Suisse и Kiwoom Securities, рынок полупроводников и, в частности, рынок компьютерной памяти вскоре вернутся к росту. Точнее, возвращение к росту и к достижение нового пика произойдут раньше, чем можно было надеяться. Для нас как для потребителей в этом есть две новости: хорошая и плохая. Хорошая новость заключается в том, что компании продолжат переход на производство более ёмкой 16-Гбит DDR4 и продолжат модернизировать линии по выпуску памяти. Плохая новость ― это ожидаемое падение темпов снижения цен на память вплоть до опасности нового роста цен на данную продукцию.

Пик снижения оборота на рынке памяти аналитики ждут в первом квартале 2019 года. За первую четверть этого года производители и компании из каналов продаж рассчитывают уменьшить складские запасы продукции до приемлемых уровней. Чтобы обуздать превышение предложения над спросом, производители дополнительно сократят капитальные расходы на модернизацию и расширение линий по выпуску памяти. Предпринятые усилия, считают аналитики, позволят ощутить положительный для рынка эффект уже во втором квартале, хотя ранее этот момент отодвигался на будущее и даже на следующий год.

Значительным моментом неопределённости остаётся торговая (тарифная) война между США и Китаем. В то же время аналитики считают, что США дожмут Китай и тот будет вынужден шире открыть свои рынки зарубежным компаниям. Например, аналитики южно-корейской Kiwoom Securities прогнозируют, что Samsung и SK Hynix могут нарастить поставки памяти в Китай. В целом благополучное завершение тарифной войны подтолкнёт спрос на полупроводники и выведет множество производителей из оцепенения. Значительная часть из них, особенно на Тайване, пока так и не определились, переносить производство из Китая или нет.

VIS договорилась о покупке завода GlobalFoundries в Сингапуре и MEMS-бизнеса

Похоже, Саудовская Аравия потеряла интерес к передовому полупроводниковому бизнесу. По крайней мере, вслед за новостью об отказе GlobalFoundries от вложений в освоение передовых 7-нм норм последовало ещё одно подобное известие. Тайваньская Vanguard International Semiconductor Corporation (VIS) и GlobalFoundries (GF) объявили, что первая приобретёт у последней завод Fab 3E в Тампине (Сингапур).

Сделка включает в себя здания, сооружения и оборудование, а также всю интеллектуальную собственность, связанную с бизнесом MEMS (то есть GF полностью покидает рынок MEMS). GlobalFoundries продолжит эксплуатацию объекта до конца 2019 года, в рамках переходного периода для удобства текущих клиентов и облегчения процесса передачи технологий. В настоящее время Fab 3E выпускает ежемесячно порядка 35 тысяч 200-мм пластин. Сумма сделки составляет $236 млн — полная передача прав собственности намечена на 31 декабря.

VIS и GF уже достигли консенсуса в отношении процесса перехода сотрудников и клиентов Fab 3E. Обе компании считают, что сотрудники являются наиболее важным активом, поэтому заявлен приоритет их интересов в переходный период. При этом обе стороны будут стремиться не допускать сбоев для клиентов, чья продукция производится на заводе. Исходя из этого, VIS обязуется принять на работу всех сотрудников, работающих в настоящее время в Fab 3E, а также будет продолжать обслуживать существующих клиентов в Fab 3E, включая заказчиков MEMS.

Мощности VIS полностью загружены с 2018 года, и в интересах своих клиентов VIS расширяет производственные возможности для удовлетворения растущего спроса. Ожидается, что новый завод будет выпускать свыше 400 тысяч 200-мм пластин в год.

GlobalFoundries объясняет продажу предприятия своей стратегией, направленной на рационализацию глобального производственного присутствия и усиление внимания в Сингапуре к специализированным технологиям вроде радиочастотных чипов, встраиваемой памяти и продвинутых аналоговых решений. Консолидация 200-мм производства в Сингапуре в одном кампусе поможет сократить и эксплуатационные расходы.

Замечено снижение спроса на новейшие техпроцессы TSMC

В прошлом году компания TSMC ввела в работу производственные линии с техпроцессом 7 нм. Кроме этого техпроцесса она выпускает 20-нм, 16-нм и 10-нм чипы, а также считает всё ещё передовым техпроцессом выпуск чипов с нормами 28 нм. Все эти техпроцессы компания называет передовыми, а значит, на них должен быть самый высокий спрос. Тем не менее, сообщает тайваньский интернет-ресурс DigiTimes со ссылкой на местные источники, по некоторым признакам загрузка передовых мощностей TSMC стала существенно меньше. Началось это во второй половине года и может лишний раз сигнализировать о проблемах в полупроводниковой индустрии.

Задействованные на мощностях TSMC техпроцессы

Задействованные на мощностях TSMC техпроцессы

Временами, отмечает источник, выполнение заказов клиентов на выпуск чипов с использованием передовых техпроцессов (перечень см. выше) растягивалось на шесть месяцев (это время включает очередь на ожидание выполнения). В первой половине 2018 года компании TSMC на выполнение заказов необходимо было три месяца. К концу 2018 года скорость исполнения заказов сократилась до двух месяцев, что косвенно подтверждает неполную загруженность 300-мм линий TSMC с передовыми техпроцессами.

Другим подтверждением неполной загрузки заводов компании стал неприятный инцидент, произошедший 19 января этого года. Тогда, напомним, из-за поставок фоторезиста ненадлежащего качества в брак пришлось списать свыше 10 000 пластин с чипами. При этом компания заявила, что она не будет пересматривать ранее обнародованные планы по поставкам клиентам продукции в первом квартале 2019 календарного года. Иначе говоря, за то же время она выпустит нужное количество пластин (чипов), которые заменят бракованные. Нетрудно сообразить, что в случае полной загрузки передовых линий она не могла бы такого сделать. Значит, загрузка далеко не полная, но компания не сообщает деталей на этот счёт.

Reuters

Reuters

Недостаточная загрузка мощностей подтверждает ожидание непростого для отрасли года. В TSMC прогнозируют, что мировой рынок полупроводников в 2019 году вряд ли увеличится на величину свыше 1 %. Сама компания планирует увеличить объёмы продаж в диапазоне до 3 %. Как всегда она собирается расти, если это можно сказать о столь незначительных в данном случае суммах, быстрее отрасли.

AMD освобождается от уплаты «штрафа» GlobalFoundries за выпуск процессоров на стороне

С момента начала сотрудничества компаний AMD и GlobalFoundries производитель процессоров ввёл обязательное условие для разработчика выкупать определённый объём пластин каждый квартал. По условиям договора WSA «плати или бери», компания AMD обязалась не только выкупать заранее оговорённые объёмы пластин, но также работать только с этим производителем. В случае перевода даже части заказов на мощности другого производителя AMD грозил штраф до $500 млн, а на ежеквартальные выплаты за пластины уходило до нескольких сотен миллионов долларов каждый квартал. При этом возникали ситуации, когда AMD некуда было девать излишки процессоров. Например, в первый год производства APU компании пришлось списать процессоров Llano на сто с чем-то миллионов долларов.

EPYC Rome состоит из восьми 7-нм 8-ядерных чипов («чиплетов») с архитектурой Zen 2, которые объединены 14-нм контроллером ввода-вывода (модуль I/O)

EPYC Rome состоит из восьми 7-нм 8-ядерных чипов («чиплетов») с архитектурой Zen 2, которые объединены 14-нм контроллером ввода-вывода (модуль I/O)

За всё это время договор wafer supply agreement с GlobalFoundries получил шесть правок. Но раз за разом там были прописаны те или иные «штрафные» санкции против AMD. О седьмой поправке стало известно во вторник во время квартального отчёта AMD. Компания сообщила, что новые поправки к договору WSA освобождают её от уплаты компании GlobalFoundries каких-либо разовых выплат или отчислений даже в том случае, если AMD для выпуска процессоров воспользуется мощностями другого производителя.

В освобождении AMD от условной кабалы главную роль сыграло то, что GlobalFoundries приняла решение прекратить участие в гонке за новейшими техпроцессами. Компания не планирует (по крайней мере ― в обозримом будущем) разрабатывать техпроцесс с нормами 7 нм и с меньшим технологическим масштабом. Для AMD же останавливаться нельзя ни в коем случае, и она вынуждена работать с TSMC, как сейчас, или с Samsung, что тоже нельзя исключать. Поскольку её вины в замораживании разработок GlobalFoundries нет, то компания дальше вольна работать с кем угодно и как угодно.

Реализация концепции чипоетов (Intel)

Реализация концепции чиплетов (Intel)

Единственное сохранившееся требование ― AMD будут заказывать у GlobalFoundries 12/14-нм продукты до 2021 года с общим действием договора WSA до 2024 года. Даже к этому сроку AMD вполне пригодятся техпроцессы с нормами 12 и 14 нм. Они подойдут для выпуска чипсетов, IO-мостов для соединения ядер, а также смогут реализовать концепцию чиплетов, когда в составе гибридного многочипового решения могут находиться кристаллы, обработанные с использованием различных техпроцессов.

ASML покупает активы обанкротившегося разработчика электроннолучевых сканеров

Электроннолучевая литография всё или почти всё. Крупнейший в мире производитель сканеров для полупроводниковой литографии, нидерландская компания ASML выпустила пресс-релиз, в котором сообщила о приобретении активов соотечественника ― компании Mapper из города Делфт в провинции Южная Голландия. Месяц назад Mapper сообщила о своём банкротстве, и ASML воспользовалась этим, чтобы по сходной цене стать собственником интересных разработок и заполучить грамотных инженеров. Однако финансовые детали сделки не разглашаются.

Специализация компании Mapper ― это электроннолучевая полупроводниковая литография. Каких-то 9 лет назад считалось, что данный вид проекции при производстве чипов станет настолько же популярным, как и использование сканеров. Электроннолучевая литография позволяет обходиться без фотошаблонов ― рисунок наносится на кремниевую пластину (на фотрезист) с помощью бомбардировки множественными пучками электронов. Одновременно таких пучков-лучей может быть тысячи, что ускоряет проекцию каждой пластины. Экономия на фотомасках колоссальная. Для 300-мм пластин каждая маска стоит до $1 млн, а их на каждую пластину может понадобиться несколько десятков.

Компания TSMC, например, провела массивную обкатку проекционного оборудования компании Mapper на заводе Fab 12 в 2008–2009 годах. Всерьёз рассматривался вопрос внедрения электроннолучевых сканеров для выпуска чипов с нормами менее 20 нм. К сожалению для Mapper и для других игроков на этом рынке, победила иммерсионная литография и многократная проекция, за которыми, преимущественно, стояла ASML.

Впрочем, ASML собирается продолжить разработки в области электроннолучевой проекции. С одной стороны, это позволит занять хорошо знакомым делом бывших специалистов Mapper. С другой стороны, уже под крылом ASML данная технология может созреть до широкого коммерческого внедрения. Как знать, может быть для электроннолучевых сканеров ещё не всё потеряно? Кстати, только не надо смеяться, в 2012 году в Mapper инвестировала корпорация РОСНАНО. Но это уже другая история.

Стартовало производство опытной серии 1-Гбит STT-MRAM: ёмкость выросла вчетверо

Компания Everspin Technologies, которая единственная в мире выпускает чипы магниторезистивной памяти в коммерческих объёмах, некоторое время назад сообщила о начале опытного производства нового поколения микросхем STT-MRAM. Серийная продукция Everspin, которую по её заказу выпускают завод компании NXP в США и одно из предприятий компании GlobalFoundries, представляет собой 40-нм чипы STT-MRAM ёмкостью 256 Мбит. Новое поколение памяти будет в четыре раза больше по ёмкости (1 Гбит) и выпускается с использованием 28-нм техпроцесса. Тем самым, кстати, 1-Гбит чипы STT-MRAM будет выпускать только компания GlobalFoundries.

Кеширующий ускоритель nvNITRO Accelerator Card с 1 Гбайт бортовой памяти STT-MRAM

Кеширующий ускоритель nvNITRO Accelerator Card с 1 Гбайт бортовой памяти STT-MRAM

Выпуск и распространение опытной серии 1-Гбит STT-MRAM начались примерно месяц назад в декабре 2018 года. Массовое производство памяти в коммерческих объёмах стартует позже ― во второй половине текущего 2019 года. Важной особенностью 1-Гбит чипов STT-MRAM считается то, что они выпускаются в таком же самом корпусе и с таким же числом BGA-контактов, как и 256-Мбит чипы. Поэтому для создания новых продуктов разработчикам не придётся делать лишних телодвижений, чтобы перейти на более ёмкие чипы STT-MRAM Everspin. Интерфейс 1-Гбит STT-MRAM не изменился ― это либо 8-разрядная, либо 16-разрядная организация шины DDR4 (ST-DDR4).

SSD IBM FlashSystem с буфером из памяти STT-MRAM

SSD IBM FlashSystem с буфером из памяти STT-MRAM

Четырёхкратное повышение плотности памяти STT-MRAM пригодится для выпуска высокопроизводительных кеширующих ускорителей для ведения журналов транзакций и для создания более ёмких буферов для SSD на памяти NAND. Быть может, память STT-MRAM сможет появиться также в SSD средней ценовой категории, а не только в серверных решениях. Для этого память MRAM выгодно отличается от традиционной NAND (3D NAND). Она быстрее, потребляет меньше энергии и имеет на порядки большую устойчивость к износу. Фактически «убийца» NAND, если бы только удалось ещё больше увеличить плотность записи.

Тайваньская Macronix рассчитывает войти в клуб производителей 96-слойной 3D NAND

Рынки памяти DRAM и NAND фактически превратились в олигополию. От многообразия имён в начале «нулевых» к сегодняшнему дню число главных игроков сократилось, соответственно, до трёх и шести компаний. Остальные, а это преимущественно тайваньские производители, измельчали настолько, что на этих рынках занимают едва больше 1–2 %. Но даже с такими объёмами они  умудряются не только зарабатывать и держаться на плаву, но также создавать собственные уникальные решения и продукты.

Одна из таких компаний, оставшихся на плаву на рынке NAND, ― это тайваньская Macronix International. На днях Macronix опубликовала отчёт о работе в четвёртом квартале 2018 года. Она уже почувствовала на себе эффект от снижения цен на память. Выручка компании в отчётный период составила $291,3 млн, что на 10 % меньше по сравнению с предыдущим кварталом и на 15 % меньше по сравнению с четвёртым кварталом прошлого года. Но речь не об этом. Даже из таких скудных средств в 2019 году Macronix выделит на исследования и модернизацию своих заводов $485,8 млн. К чему она стремится?

Как заявило руководство компании, ведутся интенсивные разработки в области многослойной 3D NAND. Компания рассчитывает создать собственные технологии выпуска 48-слойной и 96-слойной флеш-памяти для выпуска 128-Гбит и 256-Гбит решений. Рисковое производство 96-слойной памяти Macronix рассчитывает начать в конце 2020 года. Помимо этого компания внедряет в производство на своей 300-мм фабрике техпроцесс с нормами 19 нм для выпуска планарной памяти SLC NAND.

Cравнение 3D NAND с распространёнными затворами GAA и SGVC компании

Сравнение 3D NAND с распространёнными затворами GAA и SGVC компании Macronix

Кроме этого Macronix выпускает память типа NOR ― быструю, надёжную, но сравнительно небольшой плотности. Такая память находит применение в автомобильной электронике и электронике промышленного назначения. На 300-мм подложках Macronix выпускает 55-нм NOR-флеш, а на 200-мм ― 75-нм. В качестве туза в рукаве компания держит (и развивает) технологию выпуска сверхплотной 3D NAND с оригинальной структурой SGVC или single-gate vertical channel (вертикальный канал с одним затвором). Технология позволяет примерно на треть увеличить плотность ячеек памяти 3D NAND без ухудшения характеристик памяти. Может так статься, технология SGVC будет реализована с началом выпуска 48-слойной или 96-слойной 3D NAND Macronix.

ASML и Carl Zeiss заплатят Nikon 150 млн евро и заключат перекрёстное соглашение

В апреле этого года было бы два года с того момента, как компании Nikon, ASML и Carl Zeiss погрязли во взаимных судебных разбирательствах. К счастью для всех, этого больше не произойдёт. По крайней мере, до 2029 года. Почему? В среду Nikon, ASML и Carl Zeiss выпустили совместный пресс-релиз, в котором сообщили о намерении закрыть все незаконченные взаимные судебные споры уже в феврале.

Литографический сканер компании Nikon

Литографический сканер компании Nikon

Надо сказать, что компания Nikon своего добилась ― в рамках соглашения ASML и Carl Zeiss обязуются выплатить ей 150 млн евро. В дальнейшем все три компании будут платить друг другу отчисления с продаж оборудования для иммерсионной (с погружением в жидкость) полупроводниковой литографии в размере 0,8 % от продаж. Поскольку сегодня ASML удерживает свыше 93 % рынка литографических сканеров для иммерсионной литографии, компания Nikon фактически устраивается к ней на довольствие. Согласно договорённости, так будет продолжаться 10 лет.

Японцы заслужили подобное решение. Компания Nikon была пионером среди разработчиков оборудования для производства полупроводников и, в частности ― литографических степперов (в последствии сканеров). В середине 90-х она удерживала свыше 60 % рынка литографических степперов. После «нулевых» положение начало неуклонно меняться в сторону компании ASML. В 2001 году Nikon подала против ASML иск и в 2004 заключила с ней пятилетнее перекрёстное лицензионное соглашение с переходным периодом до 2014 года. После 2014 года ASML отказалась продлить соглашение и в апреле 2017 года Nikon снова подаёт на неё в суд (и на партнёра ASML ― компанию Carl Zeiss). Через неделю ASML и Carl Zeiss подают встречный иск, и процесс снова пошёл, пока сегодня не стало известно, что стороны достигли договорённости.

Первое поколение коммерческих сканеров ASML диапазона EUV

Первое поколение коммерческих сканеров ASML диапазона EUV

Компании прекращают суды в Европе, США и Японии, включая завершение слушаний в рамках расследования со стороны Международной торговой комиссии США. Что же, можно сказать, что в кои веки справедливость восторжествовала.

SK Hynix обещает наращивать выпуск 16-Гбит чипов DDR4 DRAM

  • Продолжавшая дорожать в 2018 году память в целом принесла больше выручки и прибыли, чем в 2017 году.
  • Рост доходов позволил на 50 % увеличить выплаты акционерам по акциям компании.
  • В новом году SK Hynix увеличит выпуск новейшей памяти HBM2 и GDDR6.


Южнокорейский производитель памяти компания SK Hynix опубликовал отчёт о работе в четвёртом квартале 2018 года и в целом за весь календарный год. Выручка за год, операционная прибыль и чистая прибыль за прошедшие 12 месяцев были столь же высоки, как и в 2017 году. Это не должно было стать сюрпризом, поскольку цены на память быстро росли с третьего квартала 2016 года по третий квартал 2018 года. Компания SK Hynix могла воспользоваться ростом цен на память, и она им воспользовалась.

Общая выручка компании за 2018 календарный год достигла 40,45 трлн вон ($35,9 млрд). Операционная прибыль равнялась 20,84 трлн вон ($18,49 млрд), а чистая прибыль ― 15,54 трлн вон ($13,79 млрд). По сравнению с 2017 годом выручка выросла на 34 %, операционная прибыль ― на 52 %, а чистая прибыль ― на 46 %. Операционная рентабельность за год составила 52 %, а чистая рентабельность ― 38 %. За год операционная рентабельность выросла на 6 %, поскольку первую часть 2018 года память продолжала дорожать. Увеличить рентабельность компании SK Hynix помогло также ориентирование на выпуск продуктов с высокой добавленной стоимостью ― это память для серверов и для смартфонов премиального класса.

Во второй половине 2018 года память начала поставляться в избыточных объёмах. Тем самым ландшафт рынка, как отмечают в компании, начал стремительно меняться. Как результат, в четвёртом календарном квартале SK Hynix последовательно снизила выручку на 13 % ― до 9,94 трлн вон ($8,82 млрд). Операционная прибыль за квартал упала до 4,43 трлн вон ($3,93 млрд) или на 32 %, а операционная рентабельность сократилась на 7 пунктов до 45 %. Чистая квартальная прибыль компании за отчётный период снизилась на 28 % или до 3,4 трлн вон ($3,02 млрд).

По словам компании, квартальные объёмы производства памяти DRAM последовательно снизились на 2 %, а средняя цена продажи упала на 11 %. Поставки памяти NAND за квартал выросли на 10 %, хотя средняя цена продажи упала ещё сильнее ― на 21 % по сравнению с третьим кварталом 2018 года.

Несмотря на начавшую дешеветь память, SK Hynix планирует наращивать выпуск наиболее плотной 16-Гбит памяти DDR4 DRAM, которая чаще идёт на изготовление серверных модулей памяти и, следовательно, приносит больше денег. В этой связи интересно отметить, что аналитики предрекают замедление перехода на 16-Гбит чипы DRAM, что противоречит намерениям SK Hynix. Также, что важно, компания планирует наращивать выпуск памяти HBM2 и GDDR6, что с энтузиазмом должны воспринять ценители топовых ускорителей компьютерной графики. Миграция на новые техпроцессы тоже остаётся в планах производителя ― это расширение пропорций производства DRAM в сторону первого поколения техпроцесса класса 10 нм (1Xnm) и подготовка к переходу на техпроцесс второго 10-нм поколения (1Ynm).

Что касается производства 3D NAND, то компания будет продолжать выпуск 72-слойной памяти для SSD корпоративного класса и мобильных систем, а также готовится к началу производства 96-слойной 3D NAND в «правильное» время. Добавим, хороший в целом на выручку и прибыль год дал возможность компании увеличить выплаты акционерам на 50 % в пересчёте на каждую акцию (по 1500 вон).

Intel планирует расширение своей фабрики в Орегоне для будущего 7-нм производства

Дефицит 14-нм процессоров и трудности с освоением 10-нм техпроцесса не заставили Intel забыть о своих планах на будущий переход к 7-нм техпроцессу. Как сообщает ресурс Tom’s Hardware со ссылкой на газету The Oregonian, компания Intel планирует расширение своей производственной фабрики D1X в штате Орегон, США.

Анонимные источники, связанные со строительной отраслью Орегона, сообщают, что Intel открыто говорит о своих планах касательно фабрики D1X и ожидает, что строительные работы по её расширению продлятся до 18 месяцев. После потребуется ещё несколько месяцев для установки и настройки производственного оборудования.

Это соответствует заявлению, сделанному в декабре прошлого года старшим вице-президентом Intel и генеральным менеджером по производственным операциям доктором Энн Б. Келлехер (Dr. Ann B. Kelleher), согласно которому компания сейчас находится на ранней стадии планирования расширения производственных площадок в Орегоне, Ирландии и Израиле. В подробности представитель Intel не вдавалась, однако отметила, что строительные работы начнутся в 2019 году.

Сообщается, что Intel планирует расширить свою фабрику в Орегоне на 50 %. На данный момент площадь производства составляет чуть более 200 000 м², а после расширения она немного превысит 300 000 м². Ожидается, что на обновлённой фабрике Intel будет выпускать чипы по 7-нм техпроцессу с использованием литографии в глубоком ультрафиолете (EUV).

Расширение фабрик должно позволить Intel в будущем избежать те же проблем, с которыми она столкнулась сейчас. То есть не допустить острого дефицита своей продукции. Предполагается, что строительство новых производственных мощностей даст возможность увеличить объём поставок до 60 %.

Разработана DRAM с уменьшенным числом контактов, которая экономит деньги и время

Тайваньская компания Etron Technology на выставке CES 2019 предложила фактически новую архитектуру памяти DRAM. Разработка называется RPC DRAM или память с уменьшенным числом контактов (Reduced Pin Count). Как уверяет разработчик, по пропускной способности чип RPC DRAM приближается к памяти DDR4 и обладает одинаковой с ней плотностью. В то же время чип RPC DRAM содержит примерно в два раза меньше сигнальных выводов, что даёт возможность выпускать память в сравнительно небольших корпусах.

Сравнение корпусов DRAM и RPC DRAM (EE Times)

Сравнение корпусов DRAM и RPC DRAM (EE Times)

Это чрезвычайно важная особенность, которая востребована в носимой и другой компактной электронике. Стандартный чип DDR4 с 96 контактами и размером корпуса 9 × 13 мм явно не поместится в дужке умных очков типа Google Glass, тогда как чип RPC DRAM размерами 2 × 4,7 мм с 50 контактами поместится туда без особых проблем. Но дело не только в размерах. Уменьшенное число контактов упрощает проектирование решений с использованием памяти RPC DRAM и, соответственно, ускоряет появление готовых продуктов. К тому же далеко не всегда приходится использовать весь потенциал стандартных чипов (интерфейсов) памяти DRAM. Поэтому в специализированных устройствах часть возможностей DRAM идёт в нагрузку и далеко не бесплатно. Зачем же за это платить?

Стандартная память DRAM плохо подходит для специализированных решений (Etron)

Стандартная память DRAM плохо подходит для специализированных решений (Etron)

Производство памяти RPC DRAM сэкономит деньги не только покупателю, но и производителю. Очевидно, что чем меньше кристалл, тем больше микросхем получится с одной кремниевой пластины, а желание сэкономить ― это хороший стимул для начала выпуска чего-то нового и пока необычного. Впрочем, у компании Etron уже есть партнёр, который начал осуществлять поддержку памяти RPC DRAM ― это американская компания Lattice Semiconductor.

Варианты корпусировки памяти RPC DRAM (Etron)

Варианты корпусировки памяти RPC DRAM (Etron)

На CES 2019 компания Lattice представила демонстрационную платформу со своими матрицами FPGA EPC5 с поддержкой памяти RPC DRAM. Ближе к лету компания обещает создать эталонную платформу, которая поможет сторонним разработчикам воспользоваться всеми преимуществами памяти со сниженным числом контактов.

RPC DRAM содержит вдвое меньше контактов, чем DDR3, но работает так же (Etron)

RPC DRAM содержит вдвое меньше контактов, чем DDR3, но работает так же (Etron)

Если говорить о новой памяти предметно, то она опирается на стандарт DDR3 с организацией x16. При этом все 16 регистров шины данных переключаются между режимами установки адреса и команд. Проще говоря, происходит коммутация между тремя состояниями: данные, адреса, команды. На общую пропускную способность это не повлияло, но об уровне возникающих таким образом задержек разработчик умалчивает. Это не означает, что память RPC DRAM никуда не годится. Это всего лишь компромисс между ценой вопроса и необходимыми характеристиками.

Крупнейший на Тайване производитель DRAM в два раза сократит инвестиции в производство

Мы уже знаем, что в 2019 году от производителей памяти следует ждать сокращения расходов на расширение производства памяти и уменьшения затрат на перевод производства на новые и более передовые техпроцессы. Производителям необходимо смягчить последствия кризиса перепроизводства DRAM. Тройка лидеров пока не даёт точных цифр о запланированных на текущий год капитальных затратах. Возможно, это станет известно через одну неделю, когда начнётся период публикации квартальных отчётов за последнюю четверть календарного 2018 года. Но о масштабе проблемы можно судить уже сейчас по публикациям производителей памяти второго звена. В частности ― из отчёта тайваньской компании Nanya Technology.

ww.tweaktown.com

ww.tweaktown.com

Как докладывают наши коллеги с сайта DigiTimes со ссылкой на президента Nanya Technology Ли Пей-Ина (Lee Pei-Ing), руководством производителя принято решение сократить в 2019 году капитальные затраты с прошлогоднего уровня 21 млрд новых тайваньских долларов до 10 млрд (примерно до $324,3 млн). Примечательно, что ранее Nanya планировала затратить в 2018 году на развитие 24 млрд местной валюты, но уже в октябре, когда стал понятен курс на снижение стоимости памяти, инвестиции на 2018 год были скорректированы в сторону уменьшения.

Сокращение капитальных затрат в 2019 году в два раза по сравнению с 2018 годом говорит об ожидании тяжёлых времён, которые также не минуют компании Samsung, SK Hynix и Micron, но будут для них не такие тяжёлые по последствиям, как для той же Nanya Technology, которая на рынке DRAM занимает долю чуть больше 2 %. Этот тайваньский производитель уже предчувствует сложности с получением выручки в 2019 году, хотя планирует увеличить объёмы производства памяти в пересчёте на ёмкость на 10–15 % больше, чем в 2018 году. В длительной перспективе компания считает возникающие тенденции положительными, например, верит в расширение рынка DRAM за счёт увеличения сфер ИИ и связи 5G. Тем самым, кстати, Nanya планирует усилить своё присутствие на рынке памяти серверного назначения, хотя до этого в основном играла в лиге чипов для памяти рынка ПК.

Если говорить о финансовой стороне вопроса, то в 2018 году Nanya выручила 84,72 млрд новых тайваньских долларов ($2,75 млрд) или на 54,3 % больше, чем в 2017 году. В течение прошедшего года она увеличила выпуск продукции в пересчёте на ёмкость примерно на 35 %, тогда как средняя цена продажи памяти выросла примерно на 15 %. Валовая прибыль компании за год увеличилась с 44,9 % до 55 %, а рентабельность выросла с 34,2 % до 46,5 %.

Но счастье не может быть вечным. Спад начал явно проявляться уже в четвёртом квартале 2018 года. Поставки продукции в пересчёте на ёмкость снизились до 20 % с небольшим, а средняя цена продаж упала до 11–12 %. Выручка в четвёртом квартале последовательно снизилась на 30,4 % до 16,96 млрд новых тайваньских долларов. Валовая прибыль и рентабельность упали до 52,9 % и 41,8 %. Соответственно, на 52,9 % последовательно сократилась операционная прибыль и упала на 41,8 % чистая. Неудивительно, что после таких результатов было решено в два раза снизить инвестиции в производство.

Micron подала запрос на выкуп доли Intel в компании по производству 3D XPoint

Официальным пресс-релизом компания Intel сообщила, что её партнёр по совместному предприятию IM Flash Technology (IMFT) компания Micron воспользовалась своим правом выкупить долю Intel в СП. Процесс выкупа произойдёт не сразу, а не ранее чем через 6 месяцев, и не позже, чем через 12 месяцев. Дату будет устанавливать компания Intel. После этого Micron ещё один год будет поставлять Intel микросхемы 3D XPoint по цене, близкой к себестоимости производства. И только потом Micron будет вольна продавать чипы для накопителей Intel Optane по рыночным (контрактным) ценам.

Стоимость доли Intel в СП IMFT оценивается на уровне $1,5 млрд. Выпуском памяти 3D XPoint занимается бывший завод Micron в штате Юта. Сегодня это единственное в мире предприятие, линии которого адаптированы для производства памяти 3D XPoint. К моменту завершения всякой совместной деятельности с Micron компания Intel рассчитывает запустить производство микросхем 3D XPoint на одном из своих заводов. В декабре в ходе одного из докладов высшего руководства Intel стало известно, что для выпуска 3D XPoint компания модернизирует свою самую первую 300-мм фабрику в США. Это предприятие Fab 11X в Рио Ранчо (штат Нью-Мексико). У компании Intel есть в запасе ещё примерно два года, чтобы самостоятельно наладить производство памяти для накопителей под брендом Optane.

О том, что в области разработки и производства 3D XPoint пути Intel и Micron разойдутся, стало известно ещё в июне 2018 года. Сейчас компании завершают разработку второго поколения данного типа памяти (как считается ― памяти с изменяемым фазовым состоянием вещества или PCM). После этого каждая из них третье поколение памяти 3D XPoint будет разрабатывать самостоятельно. По некоторой информации, компания Micron заподозрена в нарушении патентов на технологии производства памяти PCM, что могло заставить компанию Intel начать отмежёвываться от партнёра.

Первым память PCM (PRAM) ещё с полсотни лет назад предложил учёный и изобретатель Стэнфорд Овшинский (Stanford Ovshinsky). За это время продано множество лицензий и получено огромное число патентов на технологии работы и производства данного вида энергонезависимой памяти. В процессе участвовали и участвуют десятки компаний и сотни научных учреждений. Там настолько всё запутанно, что можно не удивляться, если виновным в нарушении может оказаться только один из партнёров. В данном случае ― компания Micron.

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥