Ещё в 2019 году компания SK hynix намеревалась начать развитие производственного кластера в Йонъине, но соответствующим планам помешала пандемия, и к идее развития данной площадки по выпуску микросхем памяти она вернулась только весной этого года, подтвердив готовность вложить в проект около $91 млрд до 2046 года. На первом этапе, впрочем, расходы ограничатся $6,8 млрд.

Источник изображения: SK hynix

Соответствующая сумма, как отмечает Reuters, будет потрачена SK hynix на возведение первого из четырёх предприятий, к строительству компания рассчитывает приступить в марте следующего года. По состоянию на март текущего года строительная площадка была готова к дальнейшим работам чуть более чем на треть. Возводимый SK hynix завод по выпуску памяти должен стать крупнейшим в мире. Какой ассортимент продукции он будет выдавать после ввода в эксплуатацию, пока сказать сложно, но из комментариев представителей SK hynix на минувшей квартальной конференции известно, что между типами памяти HBM и DDR перераспределять производственные ресурсы компания может достаточно гибко.

Власти Южной Кореи, которые не очень щедры на субсидии в полупроводниковой сфере, предпочитают участвовать в подобных проектах налоговыми льготами или инфраструктурными работами. В Йонъине они также взялись обеспечить будущее предприятие SK hynix необходимыми энергетическими ресурсами. По планам южнокорейских властей, в текущем году страна сможет экспортировать памяти семейства HBM на сумму более $120 млрд. Компания SK hynix является крупнейшим производителем микросхем этого типа.

Не секрет, что южнокорейская компания SK hynix является лидером рынка памяти типа HBM, контролируя примерно половину сегмента и обгоняя номинально более крупного производителя памяти в лице Samsung. По итогам минувшего квартала операционная прибыль SK hynix выросла до максимального уровня за шесть лет и сменила наблюдавшиеся год назад операционные убытки.

Источник изображения: SK hynix

Выручка SK hynix в прошлом квартале оказалась несколько выше ожиданий аналитиков, она достигла $11,86 млрд в пересчёте по текущему курсу, увеличившись на 124,7 % в годовом сравнении и на 32 % последовательно. Последнюю часть динамики руководство компании объясняет высоким спросом на память типа HBM и сохраняющейся тенденции к росту цен на микросхемы памяти в целом. Непосредственно на направлении HBM компания увеличила выручку более чем на 250 %.

Операционная прибыль компании во втором квартале достигла $3,96 млрд, завершившийся период стал для SK hynix уже третьим подряд кварталом без убытков, которые сохранялись на протяжении основной части прошлого года. Норма операционной прибыли достигла 33 %. Поставки HBM3E компания начала ещё в марте, но 12-ярусные микросхемы этого поколения SK hynix начнёт выпускать лишь в текущем квартале, чтобы к четвёртому наладить их поставки своим клиентам, в числе которых Nvidia наверняка займёт первое место по приоритету. В мае руководство SK hynix уже отмечало, что компания обеспечена заказами на поставку различных типов HBM до конца 2025 года.

По оценкам сторонних аналитиков, HBM к концу текущего года будет формировать до 20 % прибыли SK hynix. Во втором полугодии спрос на микросхемы памяти начнёт подогреваться устройствами, поддерживающими периферийные вычисления в рамках систем искусственного интеллекта — смартфонами и ПК нового поколения, как отмечают представители компании. Они также признают, что увеличение объёмов выпуска HBM вынуждает её сократить объёмы производства обычной DRAM. При этом величина капитальных затрат SK hynix по итогам года окажется выше, чем было заложено в прогноз в начале текущего года. Нехватка мощностей для выпуска DRAM сохранится и в следующем году. Поставлять 12-слойные микросхемы HBM4 компания рассчитывает со второй половины 2025 года. В текущем году более половины всех поставок HBM придётся на HBM3E в натуральном выражении. После публикации квартального отчёта SK hynix столкнулась со снижением курса акций на 6,7 %, но в большей степени это было продиктовано общей коррекцией рынка.

Согласно последнему отчёту аналитической компании TrendForce, глобальная выручка от продаж компьютерной памяти DRAM и NAND в 2024 году вырастут на 75 % и 77 % соответственно. Этот рост будет обусловлен несколькими факторами, включая увеличение спроса и популярности высокопроизводительной памяти HBM.

Источник изображения: Micron

Кроме того, ожидается, что продажи в этих сферах будут продолжать расти и в 2025 году. При этом DRAM вырастет на 51 %, а NAND — на 29 %, достигнув рекордных показателей. Рост будут стимулировать увеличение капитальных расходов и повышенный спрос на первичные сырьевые материалы для Upstream-производства, такие как кремниевые пластины и химические вещества, одновременно увеличив ценовое давление на покупателей памяти.

По оценкам TrendForce, благодаря увеличению средних цен на DRAM на 53 % в 2024 году выручка от продаж DRAM достигнет 90,7 млрд долларов США в 2024 году, что на 75 % больше по сравнению с предыдущим годом. В следующем году средняя цена вырастет ещё на 35 %, а выручка достинет 136,5 млрд долларов США, что на 51 % больше по сравнению с 2024 годом. Ожидается также, что в 2024 году на долю HBM придётся 5 % от общего объёма поставок DRAM и 20 % от выручки.

Источник изображения: TrendForce

Кроме того, популярность таких типов памяти, как DDR5 и LPDDR5/5X, также будет способствовать увеличению средней цены на рынке. Ожидается, что к 2025 году доля DDR5 на рынке серверной памяти достигнет 60-65 %, а LPDDR5/5X займёт 60 % рынка мобильных устройств.

В сегменте флеш-памяти NAND рост будет стимулироваться внедрением 3D QLC — технологии, которая позволяет хранить больше данных на одном чипе. По прогнозам, в 2024 году на долю QLC будет приходиться 20 % от общего объёма поставок NAND, а в 2025 году этот показатель должен увеличится. При этом внедрение QLC на смартфонах и серверах станет ключевым фактором роста этого сегмента.

Источник изображения: TrendForce

Ситуация повлияет и на рынок, и на потребителей. Рекордная выручка позволит производителям памяти увеличить инвестиции в исследования и разработки, а также расширить производство. Прогнозируется рост капитальных затрат в индустрии DRAM и NAND на 25 % и 10 % соответственно в 2025 году.

Однако рост цен на память неизбежно приведёт к удорожанию электроники для конечных потребителей. При этом производителям электроники будет сложно переложить все расходы на покупателей, что может привести к снижению прибыли и, не исключено, что к снижению спроса.

Ассоциация JEDEC опубликовала предварительную спецификацию памяти HBM4 четвёртого поколения, которая обещает значительное увеличение объёма и пропускной способности для систем искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений.

Источник изображения: AMD

JEDEC представила спецификацию памяти HBM4 (High-Bandwidth Memory) нового поколения, приближаясь к завершению разработки нового стандарта DRAM, сообщает Tom's Hardware. Согласно опубликованным данным, HBM4 будет поддерживать 2048-битный интерфейс на стек, хотя и с более низкой скоростью передачи данных по сравнению с HBM3E. Кроме того, новый стандарт предусматривает более широкий диапазон слоёв памяти, что позволит лучше адаптировать её для различных типов приложений.

Новый стандарт HBM4 будет поддерживать стеки объёмом 24 Гбайт и 32 Гбайт, а также предложит конфигурации для 4-, 8-, 12- и 16-слойных стеков с вертикальными межсоединениями TSV. Комитет JEDEC предварительно согласовал скоростные режимы до 6,4 Гт/с, но при этом ведутся дискуссии о возможности достижения ещё более высокой скорости передачи данных.

16-слойный стек на основе 32-гигабитных чипов сможет обеспечить ёмкость 64 Гбайт, то есть в этом случае процессор с четырьмя модулями памяти сможет поддерживать 256 Гбайт памяти с пиковой пропускной способностью 6,56 Тбайт/с при использовании 8192-битного интерфейса.

Несмотря на то, что HBM4 будет иметь удвоенное количество каналов на стек по сравнению с HBM3 и больший физический размер для обеспечения совместимости, один контроллер сможет работать как с HBM3, так и с HBM4. Однако для размещения различных формфакторов потребуются разные подложки. Интересно, что JEDEC не упомянула о возможности интеграции памяти HBM4 непосредственно в процессоры, что, пожалуй, является наиболее интригующим аспектом нового типа памяти.

Ранее компании SK hynix и TSMC объявили о сотрудничестве в разработке базовых кристаллов HBM4, а несколько позднее на Европейском симпозиуме 2024, TSMC подтвердила, что будет использовать свои технологические процессы 12FFC+ (12-нм класс) и N5 (5-нм класс) для производства этих кристаллов.

Процесс N5 от TSMC позволяет интегрировать больше логики и функций, с шагом межсоединений от 9 до 6 микрон, что критически важно для интеграции на кристалле. Процесс 12FFC+, основанный на 16-нм FinFET-технологии TSMC, обеспечит производство экономически эффективных базовых кристаллов, соединяющих память с хост-процессорами с помощью кремниевых подложек.

Отметим, что HBM4 в первую очередь разработана для потребностей генеративного искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений, которые требуют обработки очень больших объёмов данных и выполнения сложных вычислений. Поэтому маловероятно, что мы увидим HBM4 в клиентских приложениях, таких как GPU. Компания SK hynix рассчитывает наладить выпуск HBM4 в 2026 году.

До сих пор руководству Samsung Electronics удавалось не только игнорировать требования профсоюза, которые были выдвинуты ещё в начале года, но и заявлять о неспособности начавшейся забастовки сотрудников существенно влиять на производственную деятельность компании. Решительно настроенные протестующие, между тем, грозят своими действиями сорвать выпуск микросхем HBM, весьма востребованных на рынке.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как отмечает Bloomberg, лидеры профсоюза теперь призывают сотрудников предприятия Samsung, задействованного в производстве HBM, присоединиться к забастовке. Несколько сотен сотрудников предприятия в Пхёнтхэке, выпускающего память этого класса, в четверг и пятницу вышли на улицу для участия в забастовке. По замыслу руководящих акцией протеста представителей профсоюза, потенциальный ущерб на столь важном для компании направлении деятельности должен сделать руководство Samsung более сговорчивым в вопросе повышения уровня оплаты труда.

В условиях, когда Samsung пытается стать доверенным поставщиком Nvidia, подобные риски могут оказаться существенными, чтобы руководство компании обратило внимание на требования протестующих. Хотя Samsung и является крупнейшим в мире производителем микросхем памяти, в сегменте HBM компания сильно отстаёт от более мелкой южнокорейской компании SK hynix, которая контролирует половину рынка. Акции Samsung утром в пятницу потеряли в цене до 4 %, но подобное движение наблюдалось на азиатских рынка в целом, поэтому его нельзя назвать выраженной реакцией на действия профсоюза. Руководство Samsung выразило надежду, что ему удастся возобновить переговоры с протестующими, а действия последних не окажут влияния на способность компании выполнять свои обязательства перед клиентами. Эксперты ожидают, что даже в условиях высокой автоматизации производства передовых компонентов типа HBM необходимость привлечения персонала для контроля качества сохраняется, и действия персонала, участвующего в забастовке, могут сказаться на качестве изготавливаемой продукции, как минимум.

В мае этого года бывший глава всего полупроводникового бизнеса Samsung Кюн Ки Хён (Kyung Kye-hyun) был назначен руководителем исследовательского подразделения компании, и теперь по его инициативе разработкой перспективных технологий в сфере производства HBM будет заниматься отдельная команда специалистов.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как отмечает Business Korea, в сферу ответственности подразделения HBM Development Team войдёт создание более эффективных вариантов HBM3 и HBM3E, а также разработка перспективной памяти типа HBM4. Ранее Samsung уже создала рабочую группу по повышению конкурентоспособности компании на рынке HBM, и теперь её участники вольются к более крупный коллектив новой команды.

С 2015 года разработкой HBM в структуре Samsung Electronics занимались специалисты подразделения, отвечающего за выпуск памяти. В феврале этого года южнокорейский гигант доложил об успехах в создании образцов 12-ярусного стека HBM3E, который может обладать объёмом 36 Гбайт. Теперь разработкой HBM и сопутствующих технологий будет заниматься команда в составе подразделения Device Solutions. Компания остро нуждается в повышении своей конкурентоспособности на рынке HBM, поскольку сейчас Samsung является крупнейшим производителем микросхем памяти, но конкретно на прибыльном и быстро растущем рынке HBM компания уступает SK hynix.

Компания SK hynix, входящая в холдинг SK Group, объявила о планах инвестировать в производство чипов 103 трлн вон ($74,8 млрд) до 2028 года. Это означает, что холдинг считает это направление решающим для будущего своего бизнеса, пишет Bloomberg.

Источник изображения: SK hynix

Заявлению SK hynix предшествовала ежегодная встреча топ-менеджеров SK Group под руководством главы холдинга Чей Тэ Вона (Chey Tae-won). В течение двух дней топ-менджеры обсуждали основные направления дальнейшего развития холдинга.

В заявлении SK Group указано, что около 80 % суммы инвестиций, или 82 трлн вон ($59,5 млрд), будет направлено на производство памяти HBM. Выпускаемые корейской компанией чипы HBM оптимизированы для использования с ИИ-ускорителями и активно применяются в соответствующих продуктах компании Nvidia. Также SK Telecom и SK Broadband, делая ставку на развёртывание ИИ-технологий, инвестируют 3,4 трлн вон ($2,5 млрд) в модернизацию и развёртывание своих ЦОД.

SK Group планирует получить к 2026 году 80 трлн ($58,1 млрд) вон от операционной деятельности и перестройки бизнеса. Планы также включают обеспечение 30 трлн вон ($21,7 млрд) свободного денежного потока в течение трёх лет, чтобы соотношение долга к собственному капиталу было ниже 100 %.

В заявлении также сообщается о намерении SK Group получить в этом году прибыль, размер которой до уплаты налогов составит 22 трлн вон ($15,9 млрд). Напомним, что в прошлом году холдинг сработал с убытками в 10 трлн вон ($7,2 млрд). В перспективе SK Group намерен увеличить прибыль до 40 трлн вон ($29,0 млрд) в 2026 году.

Следует отметить, что холдинг впервые раскрыл свои планы на период до 2028 года. Ранее SK hynix объявила о ряде инвестиционных планов на этот год, включая выделение $3,87 млрд на строительство современного завода по выпуску микросхем памяти класса HBM и исследовательского центра для продуктов ИИ в Индиане (США).

Рост цен на оперативную память, по данным TrendForce, в настоящий момент поддерживается тенденцией к оживлению спроса в сегменте серверных систем общего назначения в комбинации с увеличением доли рынка, занимаемой микросхемами HBM. Всё это приведёт к тому, что в третьем квартале цены на оперативную память в серверном сегменте в среднем увеличатся на 8–13 %.

Источник изображения: Micron Technology

Если выделить из этой тенденции обычную DRAM, не включая HBM, то средний рост цен в третьем квартале достигнет 5–10 %. При этом доля HBM в структуре продаж по сравнению со вторым кварталом увеличится с 4 до 6 %. Во втором квартале восполнение складских запасов памяти на стороне клиентов не было особо активным. В третьем же квартале пополнению складов будут способствовать сезонные тенденции, связанные с рынком смартфонов и сферой деятельности облачных провайдеров. Объёмы поставок микросхем памяти для нужд этих двух сегментов в третьем квартале должны будут увеличиться.

В сегменте ПК средняя цена реализации оперативной памяти в третьем квартале последовательно увеличится на 3–8 %, как прогнозируют представители TrendForce. Во втором квартале наблюдался рост цен на 15–20 %, но ожидания производителей ПК на рост спроса в третьем квартале вряд ли оправдаются. При этом цены на DDR4 и DDR5 в этом сегменте растут примерно синхронно.

Источник изображения: TrendForce

В мобильном сегменте динамика цен на DRAM в третьем квартале будет такой же, демонстрируя рост на 3–8 % в последовательном сравнении. В следующем году производители памяти постараются более чётко контролировать баланс спроса и предложения, чтобы память не теряла в цене слишком сильно, уменьшая их прибыль. В третьем квартале им не удастся особо увеличить цену в ходе переговоров, поэтому цены вырастут незначительно. Меньше всего подорожает память типа LPDDR4/LPDDR4X, которая может даже слегка подешеветь.

В графическом сегменте цены тоже последовательно вырастут по итогам третьего квартала на 3–8 %. Производители видеокарт намерены стабильно восполнять свои запасы микросхем памяти, и если производители последней будут повышать цены, те вынуждены будут соглашаться на новые условия закупок. Постепенно наращиваются объёмы производства GDDR7, которая понадобится для видеокарт нового поколения, но эта память пока на 20–30 % дороже GDDR6. Поставки образцов памяти GDDR7 будут налажены уже в третьем квартале этого года, который наступит на следующей неделе.

В потребительском сегменте в целом сохраняется избыток памяти типов DDR3 и DDR4, но стремление производителей больше ресурсов выделять под выпуск востребованной HBM сокращает доступные для выпуска DDR мощности, а потому стоимость продукции растёт и на этом направлении. Во-вторых, специализирующимся на выпуске DDR3 и DDR4 тайваньским производителям памяти нужно добиться прибыльности, а потому они заинтересованы в повышении общего уровня цен. По этой причине цены на DDR3 и DDR4 в сегменте потребительской техники в третьем квартале последовательно вырастут на 3–8 %.

В серверном сегменте динамика цен на память в третьем квартале будет наиболее выраженной. Контрактные цены на DDR5 вырастут на 8–13 %. Запасы DDR4 на складах покупателей несколько выше, поэтому основной объём закупок будет приходиться именно на DDR5. И всё же, в среднем цены на оперативную память для серверов общего назначения в третьем квартале последовательно увеличатся на 8–13 %.

В четвёртом квартале рынок оперативной памяти, по мнению представителей TrendForce, продолжит демонстрировать рост цен, а доля HBM в структуре продаж будет увеличиваться и дальше. Производители смартфонов и провайдеры облачных услуг начнут восполнять свои складские запасы. Наращивание объёмов выпуска HBM будет стимулировать рост цен на прочие виды оперативной памяти, поскольку предложение в результате будет планомерно сокращаться.

На фондовом рынке складывается новая тенденция: инвесторы больше внимания уделяют не фактическим финансовым результатам эмитентов, а стараются смотреть в будущее, и если представители компаний не радуют их более радужным прогнозом, они разочаровываются и стремятся продавать акции. Примерно то же самое произошло с ценными бумагами Micron, которые после публикации квартального отчёта упали на 7 %.

Источник изображения: Micron Technology

В минувшем фискальном квартале компания выручила $6,81 млрд, добившись роста этого показателя на 82 % и превзойдя ожидания аналитиков, которые соответствовали $6,67 млрд выручки. Прогноз на текущий квартал подразумевает получение выручки в размере $7,6 млрд по середине диапазона, но эта сумма совпадает с большинством прогнозов аналитиков, а инвесторы рассчитывали на превосходство собственных оценок Micron над прогнозами аналитиков, что и вызвало снижение котировок акций компании на 7 % после публикации отчётности.

Впрочем, некоторая коррекция вряд ли сильно навредит акциям Micron, ведь в прошлом году они более чем удвоились в цене, а с начала текущего года укрепились на 67 %. Компания является одним из трёх производителей памяти типа HBM, которая востребована в сегменте систем искусственного интеллекта, и с этим связана определённая часть спроса на акции этого эмитента. Глава Micron Technology Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) отметил рост выручки в серверном сегменте на 50 % в последовательном сравнении, упомянув о возможности дальнейшего роста цен на профильную продукцию компании, но признал, что сегменты смартфонов и ПК демонстрируют слабый спрос на память. Он также заявил, что все квоты на выпуск HBM распределены по заказам клиентов до конца 2025 года. Масштабирование производства подобной памяти идёт не без трудностей, как признались представители компании. Это и вызовет рост цен на данную продукцию, по их мнению.

Если год назад Micron завершила фискальный квартал с чистыми убытками в размере $1,9 млрд, то сейчас она смогла получить чистую прибыль в размере $332 млн. Глава компании выразил уверенность, что Micron окажется одним из бенефициаров многолетнего роста рынка, вызванного спросом на память со стороны сегмента искусственного интеллекта. Новейших микросхем HBM3E компания в прошлом квартале продала на сумму $100 млн, и руководство надеется, что в текущем квартале аналогичная выручка достигнет нескольких сотен миллионов долларов США. В течение всего 2025 фискального года, который длится до следующего августа, Micron рассчитывает выручить от реализации HBM3E несколько миллиардов долларов США.

В текущем фискальном году, который завершится в этом августе, Micron рассчитывает потратить $8 млрд на строительство новых предприятий и модернизацию существующих, а также закупку оборудования для них. В следующем фискальном году капитальные затраты значительно вырастут из-за необходимости финансирования строительства новых предприятий в Айдахо и штате Нью-Йорк. Первая из площадок начнёт выдавать коммерческую продукцию не ранее 2027 фискального года, вторая присоединится к ней годом позже.

Как ожидает Micron, в этом году рынок ПК нарастит объёмы продаж на несколько процентов. Сегмент смартфонов прибавит от силы 5 %, но уже в следующем году спросу на память для подобных устройств начнёт способствовать распространение платформ с поддержкой искусственного интеллекта. Как подчеркнул Мехротра, текущий год будет характеризоваться для рынка памяти тенденцией к восстановлению спроса, а следующий может обеспечить рекордную выручку.

На технологической конференции в марте этого года компания Samsung Electronics заявила, что рассчитывает наладить массовый выпуск трёхмерной DRAM к концу десятилетия. SK hynix, вдохновляемая своими успехами в сфере выпуска HBM, недавно сообщила, что в рамках экспериментального производства 3D DRAM получает 56 % годной продукции.

Источник изображения: SK hynix

Напомним, что используемая в сегменте высокоскоростных вычислений память типа HBM в традиционном толковании имеет компоновку 2.5D, а полноценную трёхмерную компоновку должна предложить память 3D DRAM, разработку которой сейчас ведут все три крупнейших производителя оперативной памяти: Samsung Electronics, SK hynix и Micron Technology.

По информации Business Korea, компания SK hynix на симпозиуме VLSI 2024 на прошлой неделе сообщила о промежуточных успехах в разработке памяти типа 3D DRAM. Пятислойные микросхемы компания уже может выпускать с уровнем выхода годной продукции 56,1 %, что довольно много для ранней стадии выпуска нового типа полупроводниковых изделий. Как отмечается, характеристики опытных образцов 3D DRAM в целом не уступают чипам с традиционной планарной компоновкой.

Само собой, предстоит проделать немалую работу по созданию условий для производства 3D DRAM в массовых количествах. Имеющиеся образцы такой памяти, по словам представителей SK hynix, не отличаются стабильностью с точки зрения быстродействия, а в плане пригодности к массовому производству имеет смысл рассчитывать на создание микросхем памяти с количеством слоёв от 32 до 192 штук.

Стремление азиатских производителей памяти обзавестись предприятиями на территории США вовсе не означает, что исконно американские компании не собираются строить новые заводы за пределами страны. Например, Micron Technology рассматривает возможность организации выпуска передовой памяти HBM в Малайзии, и в следующем году рассчитывает занять до 25 % мирового рынка такой памяти.

По данным TrendForce, на которые ссылается Nikkei Asian Review, подобная доля рынка сейчас принадлежит Micron Technology и в сегменте DRAM в целом. На рынке HBM в этом смысле Micron пока не добилась существенных успехов, поскольку конкурирующим SK hynix и Samsung Electronics принадлежат 50 и 42,4 % этого сегмента соответственно. Таким образом, чтобы занять необходимые 25 % рынка HBM, компании Micron нужно по итогам следующего года увеличить свою долю более чем в три раза.

Micron собирается нарастить не только производственные мощности, но и увеличить количество исследовательских центров и экспериментальных линий, которые помогут компании быстрее выводить на рынок новые разновидности HBM. Помимо экспансии предприятий в родном американском штате Айдахо, компания задумывается о строительстве первого для себя предприятия в Малайзии по обработке кремниевых пластин. Впрочем, тестированием и упаковкой микросхем памяти компания в этой стране уже занимается. Кроме того, её крупнейшее предприятие по производству HBM расположено в центральной части Тайваня, и оно тоже будет расширяться.

Samsung пока не удаётся пройти все этапы сертификации своей памяти HBM3E для её поставок компании Nvidia, а вот Micron свои аналогичные чипы для ускорителей H200 уже поставляет, как и лидирующая на рынке SK hynix. Корейскому гиганту Samsung приходится довольствоваться поставками более зрелых видов HBM для нужд AMD, Google и Amazon. Компания Nvidia является крупнейшим покупателем микросхем HBM, но она приобретает не более 48 % годовой программы выпуска памяти всех трёх мировых производителей, по оценкам Morgan Stanley.

Санкции США в отношении Китая в целом направлены на ограничение технологического развития страны, поэтому теоретическая способность китайских производителей выпускать передовую память типа HBM непосредственным образом беспокоит американских чиновников, и они готовы подталкивать Японию и Нидерланды к ограничению поставок в Китай профильного оборудования.

Источник изображения: SK hynix

Как сообщает Bloomberg, посетить Нидерланды и Японию намеревается заместитель министра торговли США Алан Эстевез (Alan Estevez), чтобы убедить местных поставщиков оборудования ограничить отгрузку в Китай тех систем, которые позволяют изготавливать современную скоростную память типа HBM, пригодную для использования в ускорителях вычислений и сфере искусственного интеллекта. Как известно, китайская компания CXMT такое оборудование даже уже закупила впрок, хотя разработку собственной памяти HBM ещё не завершила, и сделано это было заблаговременно как раз из-за опасений по поводу возможного введения санкций со стороны США и их союзников.

Нидерландская ASML и японская Tokyo Electron снабжают клиентов оборудованием для производства кристаллов оперативной памяти, из которых потом формируются стеки HBM. По данным Bloomberg, работой над созданием HBM в Китае сейчас занята не только CXMT, но и подразделение YMTC (Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co), а также телекоммуникационный гигант Huawei Technologies.

Как отмечается, Япония и Нидерланды более или менее синхронизировали свои ограничения на поставку оборудования в Китай с американскими, но не столь строго подходят к предоставлению китайским клиентам услуг по сервисному обслуживанию уже проданного оборудования. Американские поставщики Applied Materials и Lam Research с такими ограничениями уже столкнулись, теперь власти США попытаются добиться от коллег в Японии и Нидерландах выровнять условия для всех участников рынка, работающих в Китае. В Нидерландах американской делегации придётся иметь дело с вновь избранным составом правительства, если визит состоится в июле. Как и власти Японии, оно намерено отстаивать интересы национальных поставщиков оборудования, а потому на введение дополнительных ограничений со стороны этих государств может уйти дополнительное время.

Примечательно, что в недрах американского парламента также родился законопроект, запрещающий получающим в США субсидии производителям полупроводниковых компонентов закупать для оснащения своих китайских предприятий оборудование местных поставщиков. Ранее американские власти также ввели ограничения на расширение производственных мощностей в Китае для тех компаний, которые получают в США государственную поддержку по «Закону о чипах».

Компания Samsung объявила о планах предложить клиентам своего контрактного производства чипов передовую технологию пространственной компоновки. Проще говоря, Samsung сможет выпускать чипы, состоящие из нескольких кристаллов, уложенных один на другой. Это позволит Samsung лучше конкурировать с крупнейшим контрактным производителем чипов — TSMC.

Источник изображения: Kedglobal.com

Как сообщает The Korea Economic Daily, на недавно прошедшем форуме Samsung Foundry в Сан-Хосе компания анонсировала запуск услуги по 3D-упаковке с применением стеков HBM (High Bandwidth Memory). В настоящее время память HBM в основном использует 2.5D-технологию, то есть размещается в непосредственной близости от микросхемы GPU или другого чипа на общей кремниевой подложке. Однако Samsung готова устанавливать стеки HBM непосредственно на кристаллы процессоров. Это обеспечит ещё более высокую скорость передачи данных и уменьшит задержки, поскольку позволит отказаться от пересылки данных через подложку.

Ожидается, что 3D-упаковка появится на рынке для HBM четвёртого поколения, которое также называют HBM4. Данная память начнёт активно применяться в 2025–2026 годах. Интересно, что анонс Samsung последовал после презентации генерального директора NVIDIA Дженсена Хуанга (Jensen Huang) на выставке Computex 2024, где он представил Rubin — архитектуру ускорителей вычислений следующего поколения, которая как раз будет использовать памяти HBM4.

Samsung планирует предлагать 3D-упаковку с HBM4 «под ключ», то есть интегрировать на чипы стеки памяти собственного производства. Отдел Samsung, отвечающий за передовую упаковку, будет устанавливать стеки HBM, произведенные в подразделении Samsung по выпуску памяти, с графическими процессорами, изготовленными подразделением контрактного производства.

Компания называет свою новую технологию упаковки SAINT-D, сокращенно от Samsung Advanced Interconnection Technology-D. «3D-упаковка снижает энергопотребление и задержку обработки, улучшая качество электрических сигналов полупроводниковых чипов», — заявил представитель Samsung Electronics. Услуги по 3D-упаковке HBM4 «под ключ» планируется запустить в 2027 году.

Источник изображения: Trendforce.com

В связи с растущим спросом на высокопроизводительные чипы HBM, по прогнозам, в 2025 году на память данного типа придётся 30 % от всего рынка DRAM в следующем году против 21 % в 2024 году.

В прошлом году южнокорейские компании доминировали на рынке памяти HBM, причём более мелкая в глобальном масштабе SK hynix контролировала 53 % сегмента, а Samsung Electronics занимала 38 %. К 2029 году ёмкость рынка HBM может вырасти с $141 до $377 млрд. Власти Южной Кореи задумались о дополнительных мерах поддержки производителей оборудования и материалов для выпуска HBM.

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом на уходящей неделе сообщило издание Business Korea, сославшись на запущенный правительством страны процесс пересмотра политики в сфере поддержки производителей ключевых для национальной экономики компонентов. Экспорт полупроводниковой продукции определяет значительную часть ВВП Южной Кореи, поэтому власти страны стараются оказывать поддержку приоритетным направлениям деятельности местных производителей. Значимость сферы производства HBM для мировой отрасли информационных технологий сейчас сложно оспаривать, но проблема заключается в том, что новейшие методы упаковки стеков памяти данного типа полагаются на использование оборудования японских и австрийских поставщиков.

Чтобы усилить позиции национальных производителей и обеспечить стабильность цепочек поставок, власти Южной Кореи хотели бы предложить дополнительные меры поддержки локальным производителям оборудования и материалов, используемых при выпуске передовых типов памяти HBM. Для этого необходимо внести соответствующие поправки в законодательные акты. По мнению экспертов, разработка корейского оборудования для создания стеков HBM с количеством слоёв более 12 штук потребует существенных затрат на исследования, поэтому государственные субсидии окажутся в данном случае более чем уместными.

Участники рынка также предложили включить в перечень приоритетных направлений развития корейской промышленности выпуск контроллеров для силовой электроники, поскольку они сейчас востребованы в автомобилестроении, которое наряду с полупроводниковой отраслью является важной частью южнокорейской экономики.

Производство микросхем HBM требует большого количества кремниевых пластин не только по причине большой общей площади кристаллов, но и из-за достаточно высокого уровня брака. Если исторически уровень выхода годных кристаллов при выпуске HBM не превышал 40–60 %, то SK hynix удалось поднять показатель до 80 %.

Источник изображения: SK hynix

Об этом в интервью Financial Times заявил директор по управлению качеством SK hynix Квон Чжэ Сун (Kwon Jae-soon). Одновременно компании удалось сократить длительность производственного цикла HBM3E на 50 %. До сих пор считалось, что уровень выхода годной продукции HBM3E при производстве SK hynix не превышал 60–70 %, но и это считалось весьма приличным показателем. Заявляемый же уровень в 80 % превосходит эти ожидания и демонстрирует успех SK hynix в оптимизации своих производственных процессов.

В 2025 году SK hynix рассчитывает освоить массовое производство памяти HBM4 в 12-ярусном исполнении, её партнёром в этой сфере выступает тайваньская TSMC. Конкурирующая Samsung рассчитывает освоить выпуск памяти этого поколения только в 2026 году. К тому времени SK hynix уже собирается наладить выпуск 16-ярусных стеков HBM4.

Упоминая о планах Samsung наладить поставки 12-ярусных стеков HBM3E в текущем полугодии, представитель SK hynix отметил, что клиентами компании сейчас наиболее востребованы именно 8-ярусные стеки HBM3E, поэтому на их производстве компания и сосредоточена в настоящее время. Сама SK hynix собирается начать поставки 12-ярусных стеков HBM3E в третьем квартале.