Компания Samsung объявила, что изготовила образец 16-слойного стека памяти HBM — такие будут применяться с переходом на память HBM4. Предсерийные образцы этих стеков появятся в 2025 году, а массовое производство стартует в 2026 году.

Источник изображения: samsung.com

О создании стека HBM из 16 кристаллов с гибридным соединением сообщил вице-президент Samsung Ким Дэ У (Kim Dae-woo), передаёт TheElec. Этот чип был изготовлен в соответствии со стандартом HBM3, но аналогичное решение будет использоваться и в более производительной продукции HBM4. Ожидалось, что Samsung использует гибридное соединение лишь для одного или двух кристаллов, но в итоге компания применила этот метод ко всем шестнадцати.

Образец 16-слойного стека был изготовлен на оборудовании Semes — дочерней компании Samsung. В Samsung рассматривали возможность использовать гибридное соединение или термокомпрессионную непроводящую плёнку (TC-NCF) для памяти HBM4, тестирование которой начнётся в 2025 году, а массовое производство стартует в 2026 году, пояснил господин Ким.

В чипах HBM3E компания Samsung применяет технологию TC-NCF, а гибридное соединение обещает быть более эффективным, поскольку позволяет компактно добавлять больше слоёв без сквозных соединений TSV (Through Silicon Via).

Ещё в начале февраля появились слухи о готовности южнокорейской компании SK hynix построить в штате Индиана предприятие по выпуску микросхем памяти класса HBM. На этой неделе данные намерения были подтверждены официально: на строительство предприятия SK hynix потратит $3,87 млрд, а работу оно начнёт во второй половине 2028 года.

Источник изображения: SK hynix

Помимо линии по тестированию и упаковке памяти типа HBM адекватного тому времени поколения, американское предприятие SK hynix разместит и профильный исследовательский центр, который сосредоточится на разработке прогрессивных методов упаковки чипов. Представители SK hynix отдельно подчеркнули, что новое предприятие позволит укрепить цепочки поставок, направленные на снабжение рынка США передовыми чипами для ускорения систем искусственного интеллекта.

Теоретически, если к тому времени в Аризоне начнёт функционировать второе предприятие TSMC, которое сможет выпускать 3-нм чипы, то Nvidia сможет получать на территории США как ускорители вычислений собственной разработки, так и память для них, хотя сейчас она в этом отношении сильно зависит от Тайваня и Южной Кореи соответственно, причём конечный этап сборки и тестирования чипов всё равно проходит на Тайване, где компания TSMC располагает линиями по упаковке компонентов с использованием технологии CoWoS.

Расположенный в Индиане Университет Пердью окажется в одном с будущим предприятием SK hynix городе Уэст-Лафейетт, что позволит этому учебному заведению готовить кадры для предприятия южнокорейской компании. Соответствующие договорённости уже достигнуты, а ещё местные власти готовы способствовать развитию необходимой транспортной и инженерной инфраструктуры. Сможет ли SK hynix претендовать на федеральные субсидии по «Закону о чипах» США, пока сказать сложно, ибо выделение средств идёт очень медленно, и ближе к началу очереди уже стоят более крупные проекты других компаний. Предприятие SK hynix в Индиане должно обеспечить работой более тысячи местных жителей.

Ещё в 2022 году южнокорейская компания SK hynix выразила намерения вложить в локализацию производства памяти в США около $15 млрд. Ппрошедший 2023 год подчеркнул важность доступа крупных клиентов компании к передовой памяти HBM, а потому источники The Wall Street Journal сообщили, что SK hynix собирается потратить $4 млрд на строительство предприятия в штате Индиана.

Источник изображения: SK hynix

Как сообщается, на строительство этой площадки по тестированию и упаковке памяти с использованием передовых технологий планируется направить субсидии, предоставляемые не только федеральными властями США, но и властями штата Индиана. Предприятие должно быть введено в строй с 2028 года, оно обеспечит работой от 800 до 1000 человек. Близость Университета Пердью, который расположен в городе Уэст-Лафейетт, поможет обеспечить предприятие квалифицированными сотрудниками, как считают источники.

Напомним, что SK hynix сейчас является крупнейшим поставщиком памяти класса HBM для нужд компании Nvidia, которая использует её в своих ускорителях для систем искусственного интеллекта, поэтому появление локального предприятия по тестированию и упаковки памяти семейства HBM на территории США в какой-то степени позволит снизить зависимость национальной вычислительной инфраструктуры от азиатских производственных площадок. Проблемой остаётся только необходимость упаковывать и тестировать готовые чипы Nvidia на предприятиях TSMC на Тайване, хотя у этого подрядчика к 2028 году тоже появится пара предприятий в США. Кроме того, подобные услуги развивает и корпорация Intel, но метод упаковки чипов CoWoS остаётся уникальным предложением TSMC, и в этом смысле Nvidia продолжает зависеть от своего тайваньского партнёра.

В конкурентной гонке, которую подстегнул интерес к использующим память класса HBM ускорителям вычислений, южнокорейские производители не боятся заглядывать в весьма отдалённое будущее и делать долгосрочные инвестиции. SK hynix собирается до 2046 года потратить почти $91 млрд на развитие крупнейшего в мире комплекса по производству памяти, и первое из четырёх предприятий начнёт строить уже в марте следующего года.

Источник изображения: SK hynix

В качестве крупнейшей в мире площадки по выпуску микросхем памяти SK hynix выбрала южнокорейский Йонъин, причём ещё в 2019 году, но дальнейшей реализации планов тогда помешала пандемия, и к обсуждению проекта удалось вернуться только в 2022 году, получив одобрение как на уровне центрального правительства Южной Кореи, так и на уровне муниципалитетов, а также партнёров и поставщиков SK hynix. В прошлом месяце власти распорядились обеспечить строительную площадку необходимыми энергетическими ресурсами.

Первое предприятие, которое в готовом виде будет занимать три этажа, SK hynix начнёт строить в Йонъине в марте следующего года, сейчас площадка готова к строительным работам примерно на 35 %. Данный завод сам по себе станет крупнейшим в мире, а всего в этом районе SK hynix собирается к 2046 году построить ещё три подобных предприятия. В текущем месяце власти Южной Кореи должны представить комплексный план поддержки перспективных отраслей национальной экономики, охватывающий и полупроводниковую промышленность. Уже в этом году, как рассчитывают корейские чиновники, страна сможет экспортировать памяти типа HBM на общую сумму более $120 млрд.

Американская компания Micron Technology воодушевила инвесторов не только с точки зрения динамики выручки и прибыли в прошлом квартале, но и с точки зрения прогноза на ближайшие кварталы. Кроме того, результаты квартала превзошли ожидания рынка. В результате курс акций компании после закрытия основной сессии вырос почти на 20 %.

Источник изображения: Micron Technology

За прошлый квартал Micron Technology смогла увеличить выручку на 58 % в годовом сравнении до $5,8 млрд, последовательно выручка выросла на 23 %. Сегмент DRAM формировал 71 % выручки компании в минувшем квартале, на этом направлении выручка последовательно выросла на 21 % до $4,2 млрд, хотя в ёмкостном выражении объёмы поставок увеличились всего на несколько процентов. Зато средняя цена реализации поднялась на 18–19 %, преимущественно за счёт высокого спроса на память HBM и DDR5 в серверном сегменте. Кстати, год назад реализация DRAM приносила Micron 74 % всей выручки, поэтому нельзя утверждать, что данный вид деятельности стал сильнее доминировать в структуре выручки. Многое в этом смысле зависит от уровня цен.

Направление NAND последовательно увеличило профильную выручку Micron на 27 % до $1,6 млрд, те же 27 % оно формировало в совокупной выручке компании. При этом фактические объёмы поставок флеш-памяти Micron сократила на несколько процентов, но средняя цена реализации выросла последовательно более чем на 30 %. В целом, как оценивает ситуацию руководство Micron, именно усилия производителей по сокращению объёмов выпуска продукции способствовали росту цен на твердотельную память.

Структурно поставки микросхем памяти Micron делит между четырьмя подразделениями: сетевые и вычислительные решения в годовом сравнении увеличили выручку на 59 % до $2,2 млрд, мобильный сегмент вырос на 69 % до $1,6 млрд, встраиваемые решения прибавили 28 % до $1,11 млрд, а системы хранения при скромном абсолютном значении $905 млн добились впечатляющего роста выручки на 79 % по сравнению с аналогичным периодом предыдущего года.

Примечательно, что по итогам прошлого квартала Micron удалось получить чистую прибыль в размере $476 млн, тогда как год назад компания столкнулась с убытками на сумму $2,08 млрд. Фактически, текущему кварталу предшествовали подряд пять убыточных. Руководство Micron Technology выразило надежду, что цены будут расти на протяжении всего 2024 года, а фискальный 2025 год, который завершится в августе 2025 года принесёт ей рекордную выручку и значительно улучшенные показатели прибыльности.

В серверном сегменте спрос на HBM и DDR5 вызывает дефицит производственных мощностей, поскольку та же HBM3E при своём производстве требует в три раза большее количество кремниевых пластин по сравнению с DDR5. Если добавить сюда и трудности с наращиванием мощностей по упаковке памяти класса HBM, то после перехода к выпуску HBM4 ситуация должна только усугубиться. Уже в следующем году объёмы производства HBM поравняются с объёмами выпуска DRAM в целом.

В прошлом фискальном квартале Micron уже начала поставлять в коммерческих масштабах микросхемы памяти типа HBM3E. Она обеспечивает снижение энергопотребления на 30 % по сравнению с конкурирующими решениями этого поколения, микросхемы этого типа производства Micron будут использоваться компанией Nvidia для оснащения своих ускорителей вычислений H200, хотя данная продукция Micron сейчас проходит сертификацию и на соответствие требованиям других производителей процессоров. В этом году Micron рассчитывает выручить несколько миллионов долларов США от реализации HBM, все квоты на её выпуск в текущем календарном году уже раскуплены, и большинство квот на следующий год тоже распределено между клиентами. В 2025 году Micron начнёт серийный выпуск 12-ярусных стеков памяти типа HBM3E. На серверном рынке по итогам текущего года объёмы поставок серверных систем вырастут на 5–9 %, как прогнозирует руководство компании.

В сегменте ПК объёмы продаж при этом вырастут на скромные 2–3 %, так называемые AI PC начнут составлять заметную часть продаж только в следующем году. В среднесрочной перспективе спрос на DRAM будет расти на 14–16 %, в сегменте NAND рост незначительно превысит 20 %. Планы в отношении капитальных затрат до сентября текущего года не поменялись, Micron рассчитывает в текущем фискальном году потратить от $7,5 до $8,0 млрд. Компания ожидает решения властей США по выделению ей субсидий по «Закону о чипах», рассчитывая направить полученные средства на развитие производственных комплексов в Айдахо и штате Нью-Йорк. В текущем квартале Micron рассчитывает выручить $6,6 млрд, что тоже выше ожиданий аналитиков. Норму прибыли по итогам текущего квартала удастся поднять с 20 до 26,5 %, как считают в компании.

Спрос на услуги по компоновке чипов из нескольких разнородных кристаллов подталкивает контрактных производителей развивать соответствующий бизнес, и южнокорейская Samsung Electronics по итогам текущего года рассчитывает заработать более $100 млн на подобных услугах.

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом на ежегодном собрании акционеров, по данным Reuters, сообщил генеральный директор Samsung Electronics Кёнг Ке-хён (Kyung Kye Hyun). Контрактные услуги в этой сфере компания начала оказывать ещё в прошлом году, и во второй половине текущего компания рассчитывает получать от профильных инвестиций адекватную отдачу. По итогам текущего года выручка Samsung на этом направлении может превысить $100 млн. Это не так много на фоне более чем $13 млрд, которые Samsung принёс контрактный бизнес в целом по итогам прошлого года, но компания собирается усилить интеграцию подразделений, занимающихся разработкой, производством и упаковкой чипов.

Кроме того, на собрании акционеров руководство Samsung Electronics заявило, что компания собирается в текущем году увеличить свою долю на рынке памяти типа DRAM. В прошлом квартале данный показатель достигал 45,5 %, если опираться на данные TrendForce. Основной упор будет делаться на продвижение востребованной в сегменте искусственного интеллекта памяти типа HBM3E. В прошлом месяце Samsung сообщила о готовности начать выпуск 12-ярусных стеков HBM3E, а на этой неделе интерес к продукции компании открыто проявил генеральный директор Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang).

HBM4 компания предложит уже в следующем году, причём клиенты получат возможность адаптировать такую память к своим нуждам, поскольку разработчики будут более активно взаимодействовать со специалистами Samsung, отвечающими за бизнес по упаковке чипов. Не списывает компания со счетов и другие виды памяти, востребованные в серверном сегменте, имея в виду поддерживающие CXL и PIM продукты.

Желая сохранить лидирующие позиции на рынке памяти типа HBM, которая стала крайне востребована на волне ИИ-бума, южнокорейская компания SK hynix в этом году вложит в расширение мощностей по её тестированию и упаковке в родной стране более $1 млрд. По оценкам сторонних экспертов, общая величина капитальных затрат SK hynix в этом году достигнет $10,5 млрд.

Источник изображения: SK hynix

Поскольку на упаковку памяти будет направлена одна десятая часть этого бюджета, то данное направление деятельности можно признать приоритетным, как поясняет Bloomberg. Руководит данным бизнесом Ли Кан-ук (Lee Kang-Wook), который ранее занимался подобной работой в Samsung Electronics. Комбинация различных полупроводниковых материалов и разработка новых методов соединений являются сферами специализации этого бывшего инженера Samsung. По его мнению, первые 50 лет развития полупроводниковой отрасли были посвящены начальным этапам создания компонентов, связанных с обработкой кремния, а последующие 50 лет будут посвящены технологиям упаковки чипов.

Непосредственно Ли Кан-ук принимал участие в разработки методов упаковки чипов памяти типа HBM2E, именно эти ноу-хау позволили SK hynix стать главным поставщиком подобной памяти для нужд NVIDIA с конца 2019 года. Будучи инженером Samsung, он с 2002 года руководил разработкой межслойных соединений в многоярусных полупроводниковых компонентах. Эта технология в дальнейшем легла в основу создания микросхем памяти HBM, которые в последнем поколении насчитывают по 12 ярусов, соединяемых между собой вертикально. Когда в 2013 году SK hynix и AMD первыми начали применять HBM в серийных продуктах, никто из конкурентов не мог последовать их примеру на протяжении двух лет, пока к концу 2015 года Samsung не представила HBM2. Ли Кан-ук перешёл на работу в SK hynix тремя годами позднее.

Сейчас SK hynix сотрудничает с японскими компаниями в разработке более совершенной технологии формирования вертикальных межсоединений в микросхемах памяти HBM. В конце февраля Samsung объявила о завершении разработки микросхем HBM3E с 12 слоями, которые могут обеспечить объём памяти до 36 Гбайт в одном стеке. Micron Technology в то же время объявила о начале выпуска 8-слойной памяти HBM3E, которая может предложить объём до 24 Гбайт в одном стеке. Считается, что NVIDIA будет получать такие микросхемы от обоих конкурентов SK hynix. Помимо развития предприятий по упаковке HBM на территории Южной Кореи, SK hynix готовится вложить несколько миллиардов долларов в реализации профильного проекта на территории США.

Пока SK hynix удаётся удерживать статус основного поставщика микросхем HBM3 для компании NVIDIA, которая оснащает ею свои востребованные на рынке ускорители вычислений. Несмотря на планы SK hynix в текущем году удвоить объёмы выпуска памяти HBM, вся производственная программа на 2024 год уже распродана, как признаёт руководство компании.

Источник изображения: SK hynix

Соответствующие заявления сделал на страницах ресурса Korea IT Times вице-президент SK hynix по продажам и маркетингу Ким Ги Тхэ (Kim Ki-Tae). По его словам, компания была пионером в производстве HBM, предвидев развитие тех сегментов рынка, которые нуждаются в скоростной памяти, но и в этом году она сделает всё возможное для защиты своих лидирующих позиций. Разработка, выпуск и продажи HBM теперь курируются в составе SK hynix специальным подразделением, работу которого курирует как раз Ким Ги Тхэ. По его словам, спросом в текущем году будет пользоваться не только HBM3E, но и оперативная память типов DDR5 и LPDDR5T.

Все производственные квоты на выпуск HBM компания уже распродала до конца текущего года, и уже сейчас готовится к выполнению заказов в 2025 году, рассчитывая сохранить за собой лидирующие позиции на рынке и в следующем году. По прогнозам аналитиков, операционная прибыль SK hynix в этом году достигнет $7,5 млрд. На фоне прошлогодней выручки в размере $24,5 млрд это будет весьма достойным результатом, особенно с учётом необходимости нести расходы на кратное увеличение объёмов выпуска памяти типа HBM.

Крупнейшим поставщиком памяти типа HBM остаётся южнокорейская SK hynix, но конкурирующая Samsung Electronics в текущем году собирается удвоить объёмы выпуска аналогичной продукции. Японская компания Towa отмечает, что заказы на поставку специализированного оборудования для упаковки памяти в этом году увеличились сразу на порядок, ссылаясь на повышенный спрос со стороны южнокорейских клиентов.

Источник изображения: Towa

Японская компания Towa является крупнейшим поставщиком оборудования для упаковки чипов, применяемого при выпуске микросхем памяти типа HBM, она контролирует примерно 60 % мирового рынка. До сих пор она довольствовалась поставок одной или двух специализированных машин в год, поскольку объёмы производства самой HBM были ограниченными. На этот год, как отмечает Nikkei Asian Review со ссылкой на руководство Towa, сформирован заказ на поставку более 20 единиц специализированного оборудования, и он исходит от крупных корейских заказчиков. Впрочем, как можно судить по активности китайской CXMT, прочие клиенты тоже не теряют времени даром.

Технологии Towa позволяют заполнять специальным составом зазоры между кристаллами памяти и подложкой, исключая в процессе эксплуатации доступ воздуха и влаги. Компания добилась точности, позволяющей работать с зазорами в 5 микрон, на что оборудование большинства конкурентов не всегда способно. Этим и обусловлен повышенный спрос на оборудование Towa со стороны корейских производителей HBM, как поясняет источник. Проявляют к компании интерес и биржевые инвесторы — курс акций Towa с января прошлого года вырос на 359 %.

Сперва пандемия с её нарушениями логистики, а затем и обострение геополитической ситуации в мире заставили американских разработчиков чипов задуматься о переносе площадок для их производства поближе к США. Следуя этой логике, южнокорейская SK hynix рассчитывает возвести в штате Индиана предприятие по упаковке чипов памяти HBM, которое позволило бы NVIDIA получать свои ускорители вычислений без отправки за границу.

Источник изображения: SK hynix

Правда, следует учитывать, что для перехода к «национальному производству» в Аризоне должны будут заработать предприятия TSMC, которые смогут наладить выпуск для NVIDIA собственно чипов ускорителей вычислений. Сейчас они производятся на Тайване компанией TSMC, она же упаковывает их по соседству с поступающими из Южной Кореи микросхемами памяти типа HBM, и только после этого партнёры NVIDIA получают возможность устанавливать чипы ускорителей с памятью на одной подложке на печатные платы.

Издание Financial Times сообщило, что SK hynix вынашивает план организации упаковки HBM и чипов NVIDIA на предприятии, которое будет построено в Индиане через несколько лет. Подобный проект имеет смысл при условии способности TSMC наладить выпуск чипов для NVIDIA в штате Аризона. Тогда из-за пределов США будут поставляться только микросхемы памяти HBM производства SK hynix, а их объединение в готовые изделия с чипом ускорителя NVIDIA будет осуществляться уже на территории США. Сейчас на территории страны оказывается не более 3 % услуг по упаковке чипов, но корпорация Intel пытается развивать профильный бизнес, и теперь достижению этой цели сможет способствовать и проект SK hynix. Официально представители компании данную ситуацию не комментируют, но дают понять, что рассматривают возможность инвестиций в экономику США.

Попытки китайских компаний типа YMTC наладить выпуск передовой по мировым меркам памяти не ограничиваются сегментом 3D NAND. Лидирующая на местном рынке в производстве DRAM компания CXMT пытается подготовиться к началу производства памяти типа HBM, применяемой ускорителями вычислений зарубежного образца в составе систем искусственного интеллекта. При этом технологии для производства HBM компания пока даже не освоила.

Источник изображения: CXMT

По информации Nikkei Asian Review, китайская компания CXMT уже заказала и начала получать оборудование для производства памяти HBM. Подобная инициатива обусловлена тем, что поставки такого оборудования пока не контролируются США и их союзниками, а потому у CXMT есть возможность приобрести его «впрок» в США и Японии, до введения возможных санкций. Компания CXMT пока что не располагает технологией производства HBM, но хочет заранее обзавестись необходимым оборудованием. С прошлого года CXMT ведёт разработку микросхем DRAM с вертикальной интеграцией, напоминающих по своей архитектуре HBM.

Попутно CXMT также смогла приобрести подходящее оборудование для менее продвинутых микросхем DRAM у китайского поставщика, чтобы наладить на одном из местных предприятий выпуск довольно современной по меркам КНР оперативной памяти. Как отмечается, некоторые американские поставщики оборудования получили в середине 2023 года экспортные лицензии, позволяющие им снабжать своей продукцией CXMT. Среди них упоминаются лидеры рынка Applied Materials и Lam Research. Поставляемое ими в Китай оборудование всё равно будет соответствовать правилам экспортного контроля США, которые действуют с октября 2022 года.

Основанная в 2006 году компания CXMT в прошлом году сообщила, что начала производство первой в стране памяти типа LPDDR5 для флагманских смартфонов, данная продукция прошла сертификацию компаниями Xiaomi и Transsion. Зарубежные конкуренты CXMT подобную память выпускают с 2021 года. Теоретически, CXMT по уровню своего технологического развития отстаёт от Micron или SK hynix, но опережает тайваньскую Nanya Technology. Впрочем, в масштабах мирового рынка DRAM компания CXMT всё равно по итогам прошлого года занимала менее 1 %, а на тройку лидеров в лице Samsung, SK hynix и Micron приходились 97 %.

В сегменте HBM в прошлом году 92 % рынка контролировали южнокорейские SK hynix и Samsung, а поздно вышедшая на рынок Micron Technology довольствовалась 4–6 %, но демонстрировала амбиции увеличить свою долю. Выпуск HBM требует не только оборудования, способного обрабатывать кремниевые пластины, но и достаточно сложной техники для упаковки кристаллов в готовые микросхемы. Даже если CXMT и удастся наладить полноценный выпуск памяти типа HBM, как считают эксперты Counterpoint Research, она будет поставляться преимущественно на внутренний рынок.

Квартальная отчётность SK hynix показала, что за предыдущие три месяца эта южнокорейская компания в пять с лишним раз увеличила объёмы выпуска памяти типа HBM, которая в своих различных разновидностях востребована в сегменте ускорителей вычислений для систем искусственного интеллекта. В текущем году SK hynix собирается увеличить объёмы производства HBM как минимум в два раза.

Источник изображения: SK hynix

Об этом руководство SK hynix, как сообщает Business Korea, заявило после объявления итогов четвёртого квартала. В текущем году компания планирует более чем в два раза увеличить объёмы производства микросхем типа HBM по сравнению с прошлым годом. По оценкам аналитиков, по итогам текущего года операционная прибыль превысит $7,5 млрд, во многом благодаря высокому спросу на ускорители вычислений, которые используют память типа HBM. Если учесть, что за весь прошлый год компания выручила $24,5 млрд, то операционная прибыль в размере более $7,5 млрд в текущем году стала бы весьма достойным результатом. Прошлый квартал SK hynix впервые за четыре предыдущих периода завершила с операционной прибылью, но её величина не превысила $259 млн.

Руководство SK hynix убеждено, что бум систем искусственного интеллекта позволит рынку памяти вырасти сильнее, чем это случилось в 2018 году. В текущем году рынок памяти точно будет расти, как убеждены представители компании. Ещё в прошлом квартале некоторые клиенты SK hynix начали увеличивать объёмы заказов, ожидая дальнейшего роста цен на память и рассчитывая приобрести их на более привлекательных условиях сейчас. Характерно, что в сегменте ПК и смартфонов спрос на память тоже начал расти. Уже в текущем полугодии спрос и предложение на рынке DRAM достигнут равновесия, по мнению руководства SK hynix, а на рынке NAND данное состояние будет достигнуто во втором полугодии.

Рекорд по операционной прибыли SK hynix установила в 2018 году, получив более $15 млрд за период. Ожидается, что в текущем году компания получит операционную прибыль в размере $7,5 млрд, а по итогам следующего она увеличится до $11,2 млрд. В предвкушении подобной динамики SK hynix и собирается увеличить объёмы выпуска памяти типа HBM более чем в два раза в текущем году. Конкурирующая Samsung Electronics, к слову, намерена сделать примерно то же самое.

SK hynix считается старожилом рынка памяти типа HBM, поскольку начала разрабатывать её в сотрудничестве с NVIDIA ещё в 2013 году, но крупнейший производитель микросхем памяти в лице Samsung готов бросить ей вызов в данном сегменте. В этом году корейский гигант увеличит капитальные затраты на выпуск HBM более чем в два с половиной раза, в следующем году данная сумма останется на таком же уровне.

Источник изображения: Samsung Electronics

К четвёртому кварталу текущего года, как отмечает Business Korea, компания Samsung Electronics собирается увеличить объёмы выпуска микросхем до 150–170 тысяч изделий в месяц. В текущем полугодии конкурирующая SK hynix начнёт выпускать микросхемы HBM3e по технологиям пятого поколения, и такая память найдёт применение в новейших ускорителях вычислений NVIDIA самое позднее в следующем году. Samsung свою память типа HBM3 четвёртого поколения выпускает с прошлого квартала, и стремится посоперничать с SK hynix за заказы NVIDIA на поставку HBM3e. Последняя из компаний уже завершила разработку HBM3e и сейчас проводит её сертификацию на соответствие требованиям NVIDIA.

По некоторым оценкам, в прошлом квартале SK hynix впервые выручила от поставок HBM свыше $749 млн — для южнокорейской компании это важный психологический рубеж, поскольку он соответствует сумме в 1 трлн вон. Принято считать, что ёмкость рынка микросхем типа HBM в прошлом году приблизилась к $4 млрд, а компания SK hynix занимает на нём лидирующие позиции с долей около 20 %. Перед Samsung стоит задача поколебать позиции конкурента, поэтому она решительно вкладывается в расширение производства HBM.

Аналитики TrendForce уже предрекали, что в натуральном выражении поставки памяти типа HBM вырастут более чем вдвое в текущем году. В свою очередь, представители Gartner ориентируются на денежный оборот этого сегмента рынка, и считают, что он удвоится в следующем году. Это будет означать, что выручка производителей памяти типа HBM вырастет с 2 до 4,98 млрд долларов — почти в два с половиной раза, если сравнивать с уровнем прошлого года.

Источник изображения: AMD

Данный прогноз опубликовало тайваньское издание Business Times со ссылкой на данные Gartner. Уже в этом году на рынке появятся ускорители вычислений, использующие память типа HBM3e: компания NVIDIA представит H200 и B100, а компания AMD выведет на рынок ускорители Instinct MI300X. Поставщики памяти типа HBM3e уже готовы начать снабжать ею своих клиентов со второго квартала текущего года.

Бурное развитие рынка и хорошая прибыль помогут Samsung Electronics и Micron Technology отыграть часть позиций в сегменте HBM у компании SK hynix, которая на правах старожила занимает доминирующее положение. Расширение конкуренции будет способствовать не только наращиванию объёмов поставок, но и снижению цен.

Тайваньские производители в изготовлении HBM пока готовы участвовать опосредованно, хотя та же Nanya и имеет опыт выпуска такой памяти. Поставщик оборудования Licheng собирается наладить выпуск решений для тестирования и упаковки стеков памяти типа HBM, уже к концу текущего года соответствующее оборудование начнёт производиться. Компания Creative сотрудничает с TSMC и SK hynix с целью применения интерфейса GLink-2.5D, разработанного ею, при производстве микросхем памяти типа HBM3 в упаковке CoWoS. Интересуются сопутствующими технологиями и более мелкие компании.

Южнокорейская компания SK hynix, как отмечает издание Business Korea со ссылкой на отраслевые источники, собирается в следующем году опубликовать результаты своих разработок по интеграции микросхем памяти методом «2,5D Fan-out». Он подразумевает соединение двух чипов встык и до этого при производстве микросхем памяти не применялся.

Источник изображения: SK hynix

Этот новый метод предлагает располагать два чипа DRAM рядом друг с другом горизонтально, а затем объединять их, как если бы они были одним чипом. Характерной особенностью является то, что готовая микросхема получается тоньше, так как под чипы не добавляется подложка.

По информации источника, TSMC с 2016 года подобную компоновку использует для интеграции разнородных чипов, и она нашла применение при выпуске процессоров для компании Apple, но производители памяти к данной технологии внимания до сих пор не проявляли. Как известно, вертикальная интеграция микросхем памяти типа HBM позволяет значительно увеличить пропускную способность интерфейса, но это весьма дорогой метод, а так называемый «2,5D Fan-out» мог бы стать разумной альтернативой при производстве других микросхем типа DRAM. Предполагается, что SK hynix такой метод интеграции применит при выпуске памяти типа GDDR для графических процессоров игрового уровня.

Как известно, AMD в своё время экспериментировала с применением памяти типа HBM первого поколения в потребительских графических решениях, но идея не получила развития из-за ограниченной экономической целесообразности. Возможно, если SK hynix в использовании альтернативной компоновки 2,5D продвинется дальше конкурентов, она сможет получить определённые преимущества в формировании контрактов с NVIDIA и AMD при выпуске компонентов для игровых видеокарт следующих поколений. Впрочем, поскольку в следующем году будут представлены только результаты исследований в этой сфере, на скорое внедрение данного типа компоновки в серийном производстве памяти рассчитывать не приходится.