Значимость производителей памяти подчёркивается хотя бы тем фактом, что председатель совета директоров южнокорейской SK Group Чхэ Тхэ Вон (Chey Tae-won) оказался приглашён на отраслевую выставку Computex 2026 на Тайване, где сделал несколько важных заявлений. В частности, он пообещал удвоить мощности SK hynix по производству памяти за последующие пять лет.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Источник изображения: SK hynix

Он же в марте этого года, как напоминает Reuters, сообщил о возможности сохранения дефицита памяти на мировом рынке до 2030 года. SK hynix, которая в составе упоминаемого южнокорейского конгломерата занимается выпуском памяти, нуждается в расширении круга своих партнёров на Тайване, и дело не должно ограничиваться одной лишь TSMC, как отметил глава холдинга.

Чхэ Тхэ Вон выразил надежду, что SK hynix сможет остаться крупнейшим поставщиком HBM для ускорителей Nvidia Vera Rubin. Как известно, на этот статус претендует конкурирующая Samsung Electronics, но SK hynix явно не собирается сдаваться без боя. На прошлой неделе капитализация SK hynix впервые в истории превысила $1 трлн, что говорит об уверенности инвесторов в способности этого производителя памяти развивать бизнес в условиях бума ИИ. По данным Counterpoint Research, в первом квартале текущего года SK hynix сохраняла за собой 58 % мирового рынка HBM, а Samsung и Micron досталось по 21 %.

SK hynix представила решение под названием iHBM: интегрированные охлаждающие элементы (ICE) встроили в корпус чипов высокоскоростной памяти HBM нового поколения.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Источник изображения: skhynix.com

Управление тепловыделением становится критической проблемой по мере развития технологии HBM и увеличения количества слоёв — оно необходимо для повышения скорости и удовлетворение спроса на обработку данных в области искусственного интеллекта. Эффективное управление плотностью мощности на физическом уровне D2D (Die-to-Die Physical Layer) — интерфейсе, который соединяет память с графическим процессором — выступает ключевым фактором, определяющим конкурентоспособность HBM нового поколения.

В решении iHBM компания применила структурный подход к решению проблемы управления тепловыделением. В существующих продуктах HBM используется косвенный метод охлаждения, предусматривающий отвод тепла через ядро кристалла. Схема iHBM предусматривает размещение ICE непосредственно в области D2D PHY, где концентрация тепла наиболее высока — там создаётся дополнительный путь для его рассеивания. Новое решение помогает снизить тепловое сопротивление на 30 %, обеспечивая стабильную работу чипов даже в условиях высоких температур и давления.

Решение адаптировано под нужды массового производства: разработанный в SK hynix процесс Wafer Level Packaging (WLP) на основе технологии Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF) способен обеспечить стабильный крупномасштабный выпуск чипов с iHBM. Предусмотрена и высокая совместимость с существующими архитектурами System-in-Package (SiP): клиенты могут внедрять новое решение с минимальными изменениями в конструкции. SK hynix намеревается внедрить iHBM в архитектуру HBM5.

В своё время память типа HBM, характеризуемая вертикальной компоновкой нескольких кристаллов, была предложена именно ради повышения пропускной способности и ёмкости при ограниченных площадных габаритах. Тем не менее, потребности чипов ускорителей в объёме памяти и её пропускной способности явно превышают возможности производителей HBM, поэтому они задумал «отселить» её с чипа GPU.

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: Nvidia, ZDNet

Как поясняет ZDNet со ссылкой на одного из южнокорейских производителей памяти, инженеры компании думают о перспективе переноса HBM с общей с GPU упаковки на отдельную печатную плату. При этом скоростной обмен данных планируется организовать при помощи оптических интерфейсов, которые будут соединять блок памяти с GPU. Такая компоновка позволит увеличить объём доступной одному GPU памяти типа HBM в несколько раз. Обсуждением этой концепции производители HBM уже занимаются со своими клиентами, как сообщает источник.

Прежний метод масштабирования ёмкости HBM за счёт наращивания количества слоёв в стеке рано или поздно себя изживёт. Уже сейчас предлагается память с 16-ярусной компоновкой, в перспективе количество слоёв вырастет до 20 штук, но сложность и стоимость производства такой памяти при этом увеличивается экспоненциально. При этом увеличивать количество чипов HBM вокруг GPU также проблематично, поскольку они не могут удаляться от него достаточно сильно без потери скорости передачи информации. Остаётся только работать над более скоростным интерфейсом, который позволит увеличить длину соединений без потери для быстродействия.

Отдельной проблемой является поиск места для расположения чипов HBM, поскольку печатная плата ускорителя с GPU и без того плотно населена различными элементами. Возможно, чипы памяти будут располагаться на собственной небольшой печатной плате, которая будет монтироваться на основную вторым ярусом с оборотной стороны. Новый подход к размещению HBM также требует согласования с компаниями, специализирующимися на упаковке чипов, поскольку им предстоит внедрить оптический интерфейс.

Стартап Saimemory, созданный компаниями Intel, SoftBank и Токийским университетом, разрабатывает альтернативу популярной технологии памяти с высокой пропускной способностью (HBM), призванную обеспечить более высокие значения пропускной способности стеков памяти, используемых в составе мощных ИИ-ускорителей.

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Источник изображений: Intel

В июне на выставке VLSI 2026 компания Saimemory планирует представить доклад о недавно разработанной памяти HB3DM. Она основана на технологии Z-Angle Memory (ZAM). «Z» в названии указывает на вертикальное расположение (по оси Z) кристаллов памяти, аналогичное традиционной памяти HBM. Для сборки модулей планируется использовать самые современные технологии стекирования Intel.

Первое поколение HB3DM будет состоять в общей сложности из девяти слоёв, соединённых с использованием гибридной технологии для вертикального размещения кристаллов. Основой стека памяти HB3DM будет служить логический слой, который управляет перемещением данных внутри чипа. Поверх него будут располагаться восемь слоёв памяти DRAM для хранения данных. Каждый слой будет содержать около 13 700 сквозных межсоединений (TSV) для гибридной спайки.

Ожидается, что память HB3DM обеспечит ёмкость около 1,125 Гбайт на слой, что соответствует 10 Гбайт на стек. Технология позволяет достичь примерно 0,25 Тбайт/с пропускной способности памяти на мм², поэтому для модуля на 10 Гбайт с площадью кристалла 171 мм² можно ожидать около 5,3 Тбайт/с пропускной способности. Согласно озвученным характеристикам, HB3DM предложит более чем двое более высокую пропускную способность, чем HBM4. Последняя обеспечивает пропускную способность около 2 Тбайт/с на стек.

Однако у HB3DM есть ограничения. В частности, на её основе можно создавать только стеки ёмкостью до 10 Гбайт, в то время как HBM4 позволяет создавать стеки ёмкостью до 48 Гбайт. Intel может увеличить количество слоёв по мере развития HB3DM, но на данный момент разработка сосредоточена на пропускной способности.

На данный момент неизвестно, когда Saimemory собирается выпустить HB3DM и кто будет производить для неё базовые кристаллы DRAM — возможно, сама Intel. Ближе к выставке VLSI 2026 компании, вероятно, предоставят больше подробностей о достигнутом прогрессе в разработке.

Микросхемы памяти сейчас очень востребованы в инфраструктуре систем искусственного интеллекта, поэтому их поставщики ожидаемо хорошо зарабатывают. В случае с южнокорейской SK hynix это утверждение наглядно иллюстрируется итогами минувшего квартала: компания в годовом сравнении увеличила выручку почти втрое, а её операционная прибыль выросла в пять раз.

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Источник изображения: SK hynix

Выручка компании за период составила рекордные $35,55 млрд, а операционная прибыль достигла $25,4 млрд, последовательно увеличившись почти в два раза. Более того, норма операционной прибыли достигла рекордных 72 %. При этом и выручка, и операционная прибыль SK hynix по итогам первого квартала оказались несколько ниже ожиданий аналитиков. Первый квартал для рынка памяти в целом не является пиковым периодом с точки зрения финансовых показателей, но бум ИИ позволил опровергнуть данный стереотип.

Представители компании подчеркнули, что клиенты SK hynix считают важным обеспечить себя необходимыми объёмами памяти, и не особо оглядываются на цену. «Память важна, как никогда ранее», — резюмировали они. Хотя Samsung в четвёртом квартале прошлого года вернула себе статус лидера на рынке DRAM в денежном выражении, в сегменте HBM продолжает доминировать SK hynix с долей 57 %. Рынок памяти растёт более чем на 30 % уже два квартала подряд. По оценкам руководства SK hynix, нехватка HBM будет ощущаться минимум до 2030 года, даже с учётом наличия у компании планов по расширению производственных мощностей. Даже если цены на память во втором полугодии будут расти умеренными темпами, прибыль SK hynix продолжит увеличиваться на протяжении всего текущего года. По некоторым оценкам, капитальные затраты SK hynix в этом году будут увеличены на 45 %.

Средняя цена реализации DRAM в первом квартале выросла последовательно на 60,8 %, а цены на NAND увеличились на 55,3 %. Во многом это и определяет взрывную динамику финансовых показателей производителей памяти.

Производители совершенствуют технологии выпуска не только оперативной, но и твердотельной памяти. Sandisk, которая является одним из ключевых разработчиков HBF, намерена до конца текущего года построить в Японии пилотную линию по производству памяти этого типа, а в промышленных масштабах начать выпуск уже в 2027 году.

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Источник изображения: Sandisk

Как сообщает ETNews, компания уже приступила к поиску материалов, компонентов и оборудования, которое будет использовать при производстве HBF — нового типа NAND, который подразумевает вертикальную компоновку по примеру HBM. Экспериментальная линия в Японии может быть установлена в следующем полугодии, а первые образцы HBF с её помощью Sandisk рассчитывает получить до конца текущего года. Если всё пойдёт по плану, Sandisk может освоить массовый выпуск HBF примерно на полгода быстрее обещанного ранее.

При производстве HBF будет использоваться часть оборудования, подходящего для выпуска HBM, равно как и некоторые технологии. В этом смысле с поиском поставщиков материалов и оборудования для производства HBF проблем возникнуть не должно. Китайские производители памяти также готовятся начать выпуск HBF, поэтому конкуренция на рынке обещает быть острой. В сфере стандартизации HBF поддержку Sandisk оказывает конкурирующая SK hynix. Пик спроса на HBF, как ожидается, придётся на 2030 год. Интерес к производству HBF проявляет и Samsung Electronics, которая над разработкой такой памяти трудится с начала текущего десятилетия. Впрочем, в отличие от SK hynix, этот южнокорейский производитель пока не спешит делать громкие заявления касательно сроков появления HBF на рынке.

Принято считать, что HBF позволит размещать большие объёмы данных в непосредственной близости от GPU, ускоряя работу с ИИ-моделями в задачах инференса. Если по уровню быстродействия HBF уступает HBM, то по ёмкости она превосходит её до 16 раз. По сути, в 16-ярусном стеке HBF можно хранить до 512 Гбайт информации. Если окружить GPU восемью такими стеками, то объём памяти вырастет до 4 Тбайт. Спрос на подобные решения будет расти по мере того, как сфера искусственного интеллекта переходит от обучения больших языковых моделей к инференсу.

Обычно участники рынка компьютерного оборудования дают прогнозы относительно динамики цен на память и сроков сохранения её дефицита, но основатель компании Dell Майкл Делл (Michael Dell) решил оценить прирост рынка памяти в течение первых пяти лет с момента появления ChatGPT. Он считает, что спрос на память с 2022 по 2028 годы вырастет в 625 раз.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Источник изображения: Dell Technologies

Напомним, ChatGPT вышел на рынок осенью 2022 года, поэтому отсчёт влияния бума ИИ на рынок компонентов можно упрощённо начинать с 2023 года. Соответствующие высказывания, по данным PC Gamer, прозвучали из уст основателя Dell на конференции Bank of America. Он пояснил, что спрос на память генерируется не только в сегменте оперативной памяти для центральных процессоров, но и на направлении ускорителей на базе GPU. В совокупности, за первые пять или шесть лет ИИ-бума потребности отрасли в скоростной памяти вырастут в 625 раз.

По крайней мере, если в 2022 году ускоритель Nvidia H100 оснащался 80 Гбайт памяти типа HBM3, то его преемник к 2028 году должен нести на борту уже 2 Тбайт памяти, как ожидает Майкл Делл. Это соответствует 25-кратному увеличению объёма памяти. Кроме того, сама по себе ёмкость рынка таких ускорителей на указанном интервале тоже вырастет в 25 раз. Перемножая оба значения, получим увеличение потребности рынка в скоростной памяти для GPU в те самые 625 раз. Впрочем, если опираться на более консервативный вариант характеристик ускорителей Vera Rubin, которые подразумевают наличие только 576 Гбайт памяти типа HBM4, то аналогичные арифметические действия приведут к росту спроса на память в 180 раз. Впрочем, оба варианта прогноза равноценно приводят к осознанию неизбежности дефицита памяти, поскольку объёмы её производства за это время не смогут пропорционально увеличиться.

По оценкам аналитиков SemiAnalysis, на память будет приходиться примерно 30 % от общего объёма капитальных затрат крупных гиперскейлеров в 2026 году, что резко контрастирует примерно с 2023 и 2024 годами, когда на эту статью приходилось лишь около 8 % расходов. Эксперты прогнозируют дальнейший рост затрат на память в 2027 году, что ознаменует почти четырёхкратное увеличение цен всего за четыре года.

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Источник изображения: SemiAnalysis

SemiAnalysis ожидает, что цены на DRAM вырастут более чем вдвое в 2026 году, а средняя цена продажи (ASP) увеличится ещё на двузначное число процентов в 2027 году. Контрактные цены на память LPDDR5 уже выросли более чем в три раза с первого квартала 2025 года. По оценке аналитиков, цены на открытом рынке в этом квартале, вероятно, превысят $10 за Гбайт.

Поставки высокопроизводительной памяти HBM, лежащей в основе ускорителей ИИ, по-прежнему будут испытывать дефицит до 2027 года, согласно прогнозам SemiAnalysis. Общие расходы на память составят значительную долю из примерно $250 млрд дополнительных затрат крупных гиперскейлеров, прогнозируемых на этот календарный год. Это уже отражается на ценах на серверы для ИИ: по данным SemiAnalysis, цены на ускорители Nvidia B200 к концу года вырастут до 20 %, в значительной степени из-за роста стоимости памяти. Данный анализ соответствует общему мнению в отрасли — ведущие производители компьютеров и серверного оборудования в ходе своих последних финансовых отчётов признали резкое увеличение стоимости компонентов. Например, Джефф Кларк (Jeff Clarke), операционный директор компании Dell, одного из крупнейших поставщиков компьютерного оборудования в мире, ещё по итогам третьего квартала прошлого года назвал темпы роста цен «беспрецедентными».

Отдельно аналитики агентства Counterpoint Research прогнозируют, что модули памяти DDR5 объёмом 64 Гбайт RDIMM к концу 2026 года могут стоить вдвое дороже, чем в начале 2025 года. А серверы для ИИ, построенные на платформах Nvidia с поддержкой LPDDR, демонстрируют один из самых резких скачков цен из-за огромного объёма используемой памяти в каждой системе.

В своём отчёте SemiAnalysis отмечает, что Nvidia пользуется преференциями при закупке памяти, поскольку поставщики предлагают компании так называемые VVP (Very Very Preferred) цены на DRAM. Эти цены «значительно ниже, чем озвучиваемые как для крупных облачных провайдеров, так и для рынка в целом». По мнению SemiAnalysis, это позволяет Nvidia снижать собственные затраты на серверы и в то же время занижает общие рыночные ценовые ориентиры, маскируя реальную серьёзность дефицита поставок для всех остальных.

Основной конкурент Nvidia на рынке ИИ-ускорителей, компания AMD, таких преференций от поставщиков памяти не имеет, хотя в её ускорителях, как правило, на единицу продукта используется больше чипов памяти. AMD выпускает гораздо меньше ИИ-ускорителей, чем Nvidia, что делает её структурно более уязвимой к росту стоимости памяти в условиях гораздо меньшего масштаба производства процессоров для ИИ, говорится в отчёте. Другими словами, масштабы закупок Nvidia как HBM, так и обычной DRAM дают ей рычаги влияния, которыми покупатели с меньшим объёмом закупок просто не располагают.

Бум технологий искусственного интеллекта показал, что для разных вычислительных нагрузок требуется разная память. Производители последней экспериментируют с альтернативами дорогой HBM, и многоярусная GDDR7 может стать одной из них. Micron первые прототипы такой памяти надеется получить в следующем году, а к разработке и тестированию приступит в следующем полугодии.

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Источник изображения: Micron Technology

Исторически память типа GDDR использовалась видеокартами, но ускорители вычислений для систем искусственного интеллекта как раз оснащаются графическими процессорами в сочетании с более дорогой и сложной в производстве HBM. Нарастить удельный объём GDDR позволит увеличение количества ярусов в стеке, но даже при такой компоновке GDDR7 окажется дешевле HBM. Пропускная способность в первом случае также будет ниже, но для определённых задач типа инференса характеристик многоярусной GDDR7 должно вполне хватить.

По уровню быстродействия многоярусная GDDR7 как раз расположится между классической GDDR и HBM. По сути, новый вид памяти можно будет применять и в игровых видеокартах, поэтому разработка Micron может быть востребована не только в сегменте инфраструктуры для ИИ. Помимо более низкой цены, многоярусная GDDR7 по сравнению с HBM будет использовать более простые технологии упаковки. Выпускать такую память можно будет в существенно больших количествах по сравнению с HBM. Если Micron преуспеет в создании такой памяти, она может занять доминирующие позиции в перспективном сегменте рынка. Стоимость одного гигабайта памяти многоярусной GDDR7 будет в десять или двадцать раз ниже, чем у HBM.

При этом нельзя утверждать, что создание многоярусной GDDR7 окажется лёгкой задачей с технической точки зрения. Помимо поиска технологии соединения ярусов, нужно как-то решить проблему теплоотвода и возросшего энергопотребления. Важно сохранить ценовое преимущество при производстве такой памяти, иначе вся затея не оправдает себя.

В декабре прошлого года руководство Micron Technology призналось, что норма прибыли при выпуске классических типов DRAM, например, DDR5, оказалась выше обеспечиваемой при производстве HBM. Недавно он снова вернулся к этому тезису, говоря об итогах минувшего фискального квартала. Конкуренты располагают примерно такими же финансовыми показателями.

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Источник изображения: Micron Technology

По крайней мере, News 1 со ссылкой на руководство SK hynix сообщает, что обычная DDR уже обеспечивает норму прибыли в районе 80 %, тогда как при выпуске HBM она колеблется в районе 60 %. В прошлом квартале норма прибыли Micron в целом по компании выросла последовательно с 75 до 81 %, что также говорит о росте прибыльности бизнеса не только в сегменте HBM. Samsung на правах крупнейшего производителя памяти соответствующие тенденции прочувствовала ещё в конце прошлого года.

Для выпуска HBM тоже требуются кристаллы DRAM, рост спроса на первый тип памяти первоначально вызывал рост цен на DDR5, поскольку последних чипов на рынке становилось меньше. В определённый момент производители бросились наращивать выпуск HBM в ущерб DDR5, поэтому цены на последнюю выросли до такого уровня, что сейчас её продавать выгоднее. Тем более, что затраты на выпуск DDR5 значительно ниже, чем в случае с HBM, а потому разница между доходами и расходами заметно больше, и прибыль растёт активнее.

Южнокорейские производители опережают китайских в части технологий выпуска HBM примерно на три года, но если цены останутся на высоком уровне, то у китайских конкурентов появится определённый шанс закрепиться на международном рынке DDR. Правда, санкции США могут этому помешать, но китайские производители в любом случае заинтересованы в скорейшей организации массового выпуска HBM и экспансии производства DDR.

В условиях дефицита памяти поставщики начали диктовать выгодные себе условия. Как уже отмечалось ранее, Samsung намеревается заключать со своими клиентами долгосрочные контракты на период от трёх до пяти лет, гарантируя поставку определённых объёмов продукции, но с привязкой цены к текущим уровням на рынке моментальных сделок. Кроме того, покупателям придётся сделать крупные авансовые платежи в пользу будущих поставок, и как они будут засчитываться, во многом будет зависеть от динамики рыночных цен.

Micron со своими клиентами также заключает долгосрочные контракты, но они также охватывают и исследовательскую деятельность, поскольку будущие типы HBM, например, должны учитывать индивидуальные запросы конкретных клиентов, а потому соответствующую адаптацию памяти необходимо прописывать в договорах. Micron также сосредотачивается на комплексных поставках продукции для нужд ЦОД, которые охватывают DDR5 и HBM одновременно.

Поскольку новые мощности по выпуску памяти будут введены в строй не ранее конца следующего года, при сохранении растущего спроса на микросхемы памяти будут увеличиваться и нормы прибыли производителей. Руководство SK hynix пытается найти инновационный подход к стабилизации цен на память, но удастся ли его реализовать, станет понятно в ближайшее время.

Бум искусственного интеллекта меняет расстановку сил на многих рынках. Nvidia он позволил сместить Apple в статусе крупнейшего клиента TSMC, но и среди клиентов Samsung Electronics произошли некоторые перестановки. Ещё в прошлом году в пятёрку крупнейших клиентов южнокорейского гиганта впервые вошла корпорация Google, вытеснившая из этого перечня «долгожителя» в лице оператора связи Verizon.

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Источник изображения: Samsung Electronics

Помимо материнского холдинга Alphabet компании Google, в пятёрку крупнейших клиентов Samsung по итогам прошлого года вошли Apple, Deutsche Telekom, Techtronic Industries и Supreme Electronics. При этом сообща они определяли не более 15 % годовой выручки Samsung Electronics, которая достигла $228 млрд. Другими словами, концентрация источников выручки Samsung не так велика, как у некоторых прочих компаний сектора типа той же Nvidia или AMD, поэтому и риски корейского производителя чипов более уравновешены.

По всей видимости, Google активно закупала у Samsung микросхемы памяти DDR5 и HBM для своих центров обработки данных. Google использует в своей инфраструктуре самостоятельно разработанные ускорители TPU, их она оснащает памятью HBM, поэтому и закупает её у Samsung. Предполагается, что в конце прошлого года Samsung поставляла более половины всей памяти HBM, используемой Google в составе ускорителей на базе чипов TPU.

Apple остаётся как крупным клиентом Samsung, так и её конкурентом в сегменте смартфонов и прочих мобильных устройств. Это не мешает первой закупать у второй микросхемы типа LPDDR5X для смартфонов семейства iPhone 17 и их преемников. Предполагается, что и в первом складном смартфоне Apple будет использоваться память производства Samsung. В нынешних условиях затраты на покупку памяти определяют до 9 % себестоимости iPhone, и до 15 % себестоимости iPad и Mac, поэтому на поставках компонентов для нужд Apple компания Samsung может неплохо зарабатывать.

Географическое распределение выручки Samsung также переживает трансформацию. Обе Америки в прошлом году формировали 39,9 % всей выручки южнокорейской компании, на этом направлении выручка выросла на 12,1 % до $90,2 млрд. Китай в долевом выражении просел с 14,6 до 14,2 %, но в абсолютном выражении выручка Samsung в этой стране выросла на 7,7 % по итогам прошлого года. На домашнем рынке Южной Кореи Samsung смогла увеличить свою выручку на 17,1 % до $31,6 млрд.

Компании SK hynix и SanDisk сообщили о запуске в рамках программы Open Compute Project проекта по глобальной стандартизации высокоскоростной флеш-памяти High Bandwidth Flash (HBF).

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Источник изображений: SanDisk

Компании описывают HBF как новый уровень памяти, располагающийся между сверхбыстрой памятью HBM и SSD. Технология HBF может заполнить пробел между высокой скоростью HBM и большой ёмкостью SSD, обеспечивая как расширение ёмкости, так и энергоэффективность, необходимые для выполнения задач искусственного интеллекта. В то время как HBM обеспечивает высокую пропускную способность, HBF выступает вспомогательным уровнем в архитектуре.

SanDisk опубликовала информацию о том, как, по её мнению, будет выглядеть этот уровень HBF в составе аппаратного стека. Компания позиционирует HBF как память на основе NAND и утверждает, что она может обеспечить в 8–16 раз большую ёмкость, чем HBM, при аналогичной пропускной способности и сопоставимой стоимости в предполагаемой системной конфигурации.

Для аппаратных решений первого поколения HBF SanDisk заявляет пропускную способность чтения до 1,6 Тбайт/с, 256 Гбит/с на кристалл и до 512 Гбайт общей ёмкости в рамках 16-кристального стека. Компания также утверждает, что стек разработан таким образом, чтобы максимально соответствовать HBM4 по физическим размерам, энергопотреблению и высоте, что подразумевает модель интеграции, аналогичную современным стекам HBM на ускорителях ИИ.

SanDisk заявляет, что HBF обеспечивает производительность, отличающуюся всего на 2,2 % от «HBM с неограниченной ёмкостью» в ходе внутренних тестов и моделирования с использованием модели рабочей нагрузки для вывода данных, основанной на предварительно обученной 8-битной конфигурации параметров Llama 3.1 405B. В сноске к презентации отмечается, что сравнение предполагает неограниченную ёмкость HBM в целях моделирования, поэтому оно не измеряет преимущество в ёмкости напрямую.

На фундаментальном технологическом уровне SanDisk связывает HBF со своей дорожной картой чипов BiCS NAND и технологией CBA (CMOS Direct Bonded to Array), а также с запатентованной технологией 3D-стекирования, предназначенной для 16-кристальных стеков с уменьшенной деформацией и лучшей теплопроводностью. В информационном листке также подчёркивается энергонезависимый характер HBF — она не требует питания для обновления данных, в отличие от памяти на основе DRAM.

В дорожной карте SanDisk также указаны предварительные целевые показатели пропускной способности чтения HBF второго (Gen2) и третьего (Gen3) поколений — свыше 2 Тбайт/с и 3,2 Тбайт/с соответственно — с ёмкостью стека до 1 Тбайт и 1,5 Тбайт, а также более низкие целевые показатели энергопотребления по сравнению с Gen1 — 0,8× и 0,64×. SK hynix и SanDisk не сообщили о графике внедрения HBF, но уже обозначили стандартизацию как следующий шаг в рамках программы Open Compute Project.

Светлая мысль разместить больше памяти рядом с процессором пришла не в одну голову. Год назад о разработке концепции замены памяти HBM (DRAM) памятью HBF (флеш) сообщила компания SanDisk. На днях работу о таком подходе опубликовала компания SK Hynix. Флеш-память NAND попросту плотнее памяти DRAM, и с позиции увеличения места под токены для ИИ замена одной на другую даст впечатляющий результат в виде роста скорости принятия решений.

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Источник изображения: SK Hynix

Не секрет, что современные платформы на базе центральных, графических и тензорных процессоров сталкиваются с серьёзным ограничением по объёму приданной им памяти High Bandwidth Memory (HBM), что сплошь и рядом происходит при работе с большими языковыми моделями. Например, модели вроде Llama 4 поддерживают до 10 млн токенов, что требует кэш объёмом до 5,4 Тбайт. Стандартные решения, такие как частичный сброс кэша на локальные SSD, приводят к значительным задержкам из-за низкой пропускной способности шины и медленного доступа к накопителям. В результате образуется узкое место по пропускной способности, что можно обойти только наращиванием массива ускорителей, а это — лишние деньги и энергопотребление.

Предложенная компанией SK hynix гибридная иерархия памяти или архитектура H³ (Hybrid³), объединяющая HBM и новый пока тип памяти High Bandwidth Flash (HBF) на одном интерпозере вместе с процессором, решает проблему нехватки памяти для токенов ИИ. Память HBM продолжит использоваться так же, как и раньше — для данных с высокой частотой записи и чтения (динамически генерируемый кэш), а HBF — для данных с интенсивным чтением.

Использование флеш-памяти HBF обеспечит до 16 раз большую ёмкость при пропускной способности, близкой к HBM, хотя задержка доступа останется выше на один или даже два порядка, износостойкость будет ниже, а энергопотребление может быть в 4 раза больше. В то же время массив гибридной памяти окажется единым для процессора, а грамотная маршрутизация запросов сведёт на нет все негативные последствия «тормозов» флеш-памяти.

Результаты моделирования на конфигурации Nvidia Blackwell GPU с 8 стеками HBM3E и 8 стеками HBF на интерпозере демонстрируют впечатляющие улучшения. При 1 млн токенов контекста производительность в токенах в секунду вырастает в 1,25 раза, при 10 млн токенов — уже в 6,14 раза по сравнению с чисто HBM-системой, а энергоэффективность становится выше в 2,69 раза. И если раньше для обработки запросов такого масштаба требовалось 32 GPU, то теперь работа может быть выполнена всего на 2 GPU с существенным снижением энергозатрат и общей стоимости системы. Ради такого стоит рискнуть и создать коммерческие решения, считают в компании.

При всей своей востребованности, память типа HBM не является идеальной, поскольку остаётся дорогой и прожорливой, а ещё из-за наращивания объёмов её производства страдает выпуск классической DRAM. Компании SoftBank и Intel намерены наладить серийное производство памяти нового типа ZAM к 2029 году.

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

Источник изображения: Intel

Непосредственно на стороне SoftBank за разработку Z-Angle Memory (ZAM) будет отвечать дочерняя компания Saimemory, она же будет отвечать за продажи готовой продукции, а Intel поделится технологиями производства и упаковки данной памяти. Само по себе обозначение Z-Angle говорит о намерениях разработчиков нарастить высоту памяти по координате Z. По сути, она по примеру HBM будет представлять собой стек из нескольких ярусов микросхем, но будет использовать более прогрессивные методы упаковки и более эффективную архитектуру.

Теоретически, это должно позволить увеличить удельную ёмкость стека памяти ZAM в два или три раза относительно HBM, при этом вдвое сократить энергопотребление, а себестоимость производства удержать либо на том же уровне, либо снизить на 40 %. По предварительным данным, Intel готова предложить для производства ZAM технологию упаковки памяти NGDB, которая повысит энергетическую эффективность относительно HBM. Помимо базового кристалла, в стеке существующих прототипов имеются восемь ярусов DRAM. В производстве память типа ZAM будет проще HBM, поэтому масштабировать объёмы её выпуска удастся достаточно быстро. Прототипы таких микросхем будут продемонстрированы партнёрами до конца марта 2028 года. В течение последующих 12 месяцев должно быть развёрнуто массовое производство нового типа памяти. С японской стороны в проекте также участвует компания Fujitsu.

С наступлением февраля эксперты TrendForce пришли к выводу, что сформированный ими в четвёртом квартале прогноз по динамике цен на микросхемы памяти не отображает реальной ситуации на рынке, а потому его следует скорректировать в сторону повышения, причём весьма заметно. Теперь ожидается, что DDR5 и DDR4 в этом квартале последовательно подорожает в два раза, а цены на NAND увеличатся на 55–60 %.

Обзор Intel Core Ultra 5 250K Plus, или Как Arrow Lake превратился в «топ за свои деньги»

Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем

72 полёта над Марсом: как Ingenuity пережил зиму, сбои и собственную миссию

Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей

Ryzen и DDR5-6000 на чипах Samsung — G.Skill даёт добро

Обзор Intel Core Ultra 7 270K Plus — лучший Arrow Lake за полцены

Источник изображения: SK hynix

Драйвером роста цен, по словам источника, остаётся высокий спрос на компоненты со стороны облачных провайдеров и серверного сегмента. Если ранее специалисты TrendForce ожидали, что в текущем квартале цены на DDR4 и DDR5 последовательно вырастут на 55–60 %, то теперь они призывают готовиться к росту на 90–95 %. Соответственно, в сегменте NAND последовательный рост цен пересмотрен с 33–38 % на 55–60 %. Не исключено, что это не последняя корректировка прогноза в сторону увеличения, поскольку ситуация меняется стремительно.

В четвёртом квартале, как отмечают в TrendForce, объёмы поставок ПК превысили ожидания, а потому дефицит памяти усилился и за счёт этого фактора. В текущем квартале цены на DDR4 и DDR5 для персональных компьютеров последовательно вырастут более чем на 100 %, обновив квартальный рекорд по величине прироста.

Источник изображения: TrendForce

В серверном сегменте покупатели пытаются формировать долгосрочные контракты с поставщиками, которые подразумевают более стабильную ценовую политику, но и здесь цены последовательно готовы вырасти на 90 % в текущем квартале, если говорить о DRAM, и это тоже окажется максимальным приростом за всю историю наблюдений. Серверные SSD в этом квартале также подорожают, пусть и на более скромные 53–58 %, хотя и это станет квартальным рекордом.

На такую величину около 90 % вырастут и цены на память типов LPDDR4X и LPDDR5X, усложнив жизнь производителям смартфонов. Китайские марки будут формировать новые контракты на закупку памяти в конце февраля, поэтому можно ожидать новой волны подорожания в этот период.

В сегменте NAND предложение продолжает сжиматься, поскольку многие крупные производители предпочитают переориентировать больше своих мощностей на выпуск DRAM. Всё это способствует росту цен на твердотельную память, хотя в этом квартале прирост и ограничится величиной от 55 до 60 %, что выглядит не таким резким на фоне динамики рынка DRAM. Дополнительные объёмы выпуска NAND в краткосрочной перспективе могут быть получены только за счёт модернизации используемых техпроцессов.

Если цены на классическую DRAM в целом в этом квартале последовательно увеличатся на 90–95 %, то с учётом HBM прирост достигнет 80–85 %. Прежде аналитики TrendForce ожидали, что в этом квартале цены на память с учётом HBM увеличатся лишь на 50–55 %. По сути, HBM в отдельности дорожает медленнее, чем классическая DRAM.