Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Дефицит памяти вырастет к 2030 году до 28,7 Эбайт — рынку будет не хватать четверти DRAM
14.07.2026 [22:39],
Николай Хижняк
Согласно прогнозу аналитиков Citrini Research, мировой дефицит чипов памяти сохранится до 2030 года, даже с учётом увеличения поставок микросхем из Китая. Спрос на DRAM по-прежнему будет превышать предложение, и ожидается, что этот дисбаланс окажется весьма значительным. 
Источник изображения: Laura Ockel / unsplash.com По оценкам Citrini Research, к 2030 году прогнозируется дефицит памяти в объёме 28,7 эксабайт (Эбайт) при общем мировом спросе в 157,5 Эбайт. Таким образом, рынок недополучит около 25 % необходимого объёма памяти, считают эксперты. Эта цифра включает в себя как высокопроизводительную память HBM, так и традиционную DRAM, однако «основным узким местом остаётся DRAM общего назначения», говорится в отчёте. Согласно тем же оценкам, текущий уровень дефицита составляет около 18 %. 
Источник изображений здесь и ниже: X / Zephyr Примечательно, что оценка на 2030 год не охватывает спрос на память для физического ИИ (например, для роботов и беспилотных автомобилей). «Даже если мои оценки спроса со стороны дата-центров и сферы ИИ завышены (а это не так), они будут компенсированы спросом со стороны физического ИИ», — сообщил автор исследования из Citrini Research на своей странице в соцсети X.  Согласно текущим оценкам, в этом году глобальная производственная мощность DRAM составит 40 Эбайт. Это ненамного больше прогнозируемого объёма дефицита в 2030 году. «Я ожидаю дефицит на уровне 25 % на общем рынке DRAM. Отрасль сможет предложить только 91 Эбайт в год при спросе 120 Эбайт в год. Средняя цена продажи DRAM останется завышенной и, вероятно, будет держаться в диапазоне от 1,5 до 2,0 долларов за 1 Гбайт», — говорит автор исследования.  Как пишет портал PC Gamer, не исключено, что за это время на рынке могут появиться инновационные решения, связанные с повышением эффективности ИИ, которые помогут улучшить ситуацию и снизить спрос на память. Например, недавно разработанный Google алгоритм TurboQuant обещает шестикратное снижение потребления памяти ИИ-моделями. Правда, вопрос о том, действительно ли такие разработки снижают спрос или просто открывают возможности для ещё более широкого использования ИИ, также остаётся открытым. Акции SK hynix обрушились на 15 % в Южной Корее после успешного дебюта в США
13.07.2026 [11:34],
Алексей Разин
На прошлой неделе SK hynix удалось выйти на американский фондовый рынок и собрать $26,5 млрд, но в родной Южной Корее акции компании начали торги в понедельник резким снижением курса более чем на 15 %, которое стало сильнейшим в рамках одной торговой сессии за всю историю производителя. 
Источник изображения: SK hynix В совокупности со снижением курса акций конкурирующей Samsung Electronics и прочих южнокорейских эмитентов, это привело организаторов торгов в Сеуле к необходимости приостановить их на 20 минут. Индекс Kospi просел на 9 %, причём после возобновления торгов отрицательная динамика сохранилась. Даже заявления президента Ли Чжэ Мёна (Lee Jae Myung), который пообещал обеспечить крупнейшие проекты по строительству предприятий для выпуска чипов в стране государственной поддержкой, не помогли исправить ситуацию. В США депозитарные расписки SK hynix завершили свою первую торговую сессию ростом курса почти на 13 %. В настоящий момент депозитарные расписки SK hynix в США торгуются с премией в размере 37 % относительно южнокорейских акций компании. Аналитики Morningstar пояснили Reuters, что бурное распространение систем искусственного интеллекта пока слабо подкреплено монетизацией соответствующих технологий, и это уже становится ограничивающим фактором для дальнейшего роста фондового рынка. Тем более, что финансирование проектов всё чаще продолжается уже с привлечением заёмных средств, и это ещё сильнее беспокоит инвесторов. По мнению аналитиков, в начале этой недели последние решили зафиксировать прибыль по итогам выхода акций SK hynix на американский фондовый рынок. Инвесторов беспокоят не только финансовые итоги второго квартала, но и динамика наращивания поставок HBM4, которая пока не оправдывает ожиданий. Считается, что слабее зависящая от классической DRAM компания SK hynix от роста цен на неё во втором квартале выиграла меньше, чем конкурирующая Samsung Electronics. В первом квартале SK hynix занимала 58 % рынка HBM в денежном выражении. На долю Samsung и Micron приходилось по 21 %, если верить данным Counterpoint Research. Инженеры уложили HBM на бок — память стала быстрее, холоднее и вместительнее
09.07.2026 [12:38],
Геннадий Детинич
Инженеры предложили новый способ наращивания памяти для ускорителей ИИ и графических процессоров: вместо укладки кристаллов DRAM привычной «башней», как в HBM, их предлагается устанавливать на ребро, превращая массив памяти в объёмный блок из кремниевых пластин. Это сразу решает несколько проблем масштабирования памяти: увеличивает пропускную способность и ёмкость, а также позволяет избежать роста тепловыделения. 
Вертикальное, но не стековое размещение кристаллов памяти улучшит её характеристики. Источник изображения: University of Tokyo Проблема наращивания памяти типа HBM приобретает всё большую актуальность из-за роста больших языковых моделей: современные GPU уже окружены несколькими стеками HBM, но дальнейшее увеличение числа слоёв в каждом стеке грозит перегревом и потерей эффективности. В обычной HBM кристаллы DRAM располагаются друг над другом на базовом кристалле и соединяются сквозными TSV-соединениями. Такая структура плохо отводит тепло к радиатору, поскольку кристаллы разделены слоем диэлектрика с низкой теплопроводностью. Для решения проблемы теплоотвода от памяти ускорителей на июньском симпозиуме IEEE VLSI были представлены два варианта, оба из которых предлагают поставить условный куб HBM на ребро. По большому счёту это будет уже не память HBM, поскольку у неё не будет базовой подложки, к которой подключаются все кристаллы. Вместо этого каждый кристалл в 3D-сборке DRAM на нижнем ребре будет нести группу интерфейсных и силовых контактов для подключения к подложке с ускорителем или графическим процессором. Более того, в концепции памяти V-Die, разработанной при участии южнокорейских университетов UNIST и Hanbat National University, между кристаллами также предполагается размещать микрофлюидные каналы для циркуляции хладагента. Кроме того, отказ от достаточно толстых TSV дополнительно освобождает площадь под ячейки памяти, а собственные блоки ввода-вывода (I/O) на каждом кристалле позволяют отказаться от отдельного базового кристалла. Контакты для подключения к подложке предлагается размещать вдоль нижней кромки кристалла с шагом около 20 мкм. Расчёты показывают, что V-Die может обеспечить примерно в четыре раза больше соединений, чем HBM4, и сократить время чтения из памяти на 37 %. При моделировании системы на GPU уровня Nvidia H100 с нагрузкой, похожей на большую языковую модель масштаба GPT-3, вариант V-Die обеспечивал производительность памяти на уровне 540 токенов в секунду против 296 токенов в секунду у HBM4 при той же ёмкости памяти. Задержка до выдачи первого токена снижалась на 32 % (примерно на 24 мс), а температура за счёт микрофлюидного охлаждения удерживалась на уровне около 45 °C — заметно ниже типичных пиков HBM, которые могут превышать 80 °C. Впрочем, технология V-Die подверглась критике со стороны специалистов. По их словам, почти невозможно обеспечить такую точность производства, чтобы все контакты на рёбрах куба памяти совпали с контактами для пайки на подложке ускорителя. Однако об этой проблеме позаботилась другая группа исследователей — из Японии. Японская группа из University of Tokyo, Tohoku University и RIKEN предложила подход к монтажу «кубической» памяти, названный ими MOSAIC («мозаика»). Жёсткие контакты, по их мнению, следует оставить только для питания сборки DRAM, поскольку они крупнее и менее требовательны к точности совмещения, тогда как данные и управляющие сигналы предлагается передавать с подложки на «куб» памяти индуктивным бесконтактным способом. В частности, исследователи предложили формировать на кристаллах памяти вытянутые катушки размером около 80 × 240 мкм, а на подложке размещать ответные катушки под прямым углом. Передача данных будет осуществляться посредством магнитного поля, поэтому элементы не обязаны совпадать с микронной точностью. В одном кубе MOSAIC можно разместить 98 кристаллов и получить 294 Гбайт памяти, а при уменьшении толщины кристалла DRAM до 100 мкм авторы оценивают потенциал в 294 кристалла и 882 Гбайт памяти в том же объёме при расчётной пиковой температуре около 81,3 °C. Выход на IPO, интерес Apple и высокие цены на память помогут CXMT запустить производство HBM в Китае
08.07.2026 [11:16],
Алексей Разин
История китайской компании CXMT уходит своими корнями в 2016 год, но для производителя памяти она остаётся достаточно молодой. Её продукция была не так известна за пределами Китая до тех пор, пока в условиях дефицита памяти ею не стали интересоваться западные компании, включая Apple. Эксперты ожидают, что именно CXMT достанется ведущая роль в организации производства памяти типа HBM в Китае в условиях санкций. 
Источник изображения: CXMT Следует понимать, как поясняет Financial Times, что в основе бизнеса CXMT лежат зарубежные технологии. Патенты обанкротившейся немецкой Qimonda в 2019 году достались именно CXMT, позже компания активно привлекала специалистов из Южной Кореи и Тайваня, не говоря уже о самой Германии. При этом у CXMT сложились неплохие взаимоотношения с нидерландской ASML, поставляющей оборудование для изготовления чипов. Возможно, в условиях усиливающихся экспортных ограничений ASML и не сможет снабжать CXMT передовыми EUV-сканерами, которые пригодились бы при выпуске HBM и других перспективных видов памяти, но у этого китайского производителя хотя бы нет доступа к более простым DUV-системам. Как отмечает источник, в непосредственной близости от штаб-квартиры CXMT в Китае имеется тематический парк, в котором в 2024 году был установлен памятный знак, символизирующий сотрудничество с ASML. Связанные с правительством КНР структуры, как отмечает Financial Times, контролируют более трети акций CXMT, они также активно поддерживают компанию финансовыми ресурсами: за два предыдущих года на эти нужды было направлено $880 млн. В последние годы компания активно увеличивает численность персонала, она сейчас достигает 20 000 человек. Производитель готовится выйти на IPO, чтобы привлечь более $4,3 млрд на модернизацию и расширение своих мощностей, а также научно-исследовательскую деятельность. Бум ИИ сыграл важную роль в выводе CXMT на безубыточность. Чистая прибыль компании в первом квартале текущего года достигла $4,8 млрд, что само по себе весьма много на фоне накопленных за время существования компании убытков в размере $5,4 млрд. В натуральном выражении CXMT контролирует 11 % мировых объёмов производства DRAM, а к 2028 году эта доля может вырасти до 15 %, если в строй будут введены новые линии в трёх городах КНР. Аналитики SemiAnalysis призывают обывателей не очень рассчитывать на китайских поставщиков в вопросе победы над мировым дефицитом микросхем памяти. Даже если CXMT введёт в строй планируемые производственные мощности, дефицит будет сохраняться на протяжении как минимум двух последующих лет. Свою активность по освоению производства памяти типа HBM данная китайская компания не афиширует, поскольку западные поставщики лишены возможности продавать такую продукцию на территории КНР, а местные власти кровно заинтересованы в импортозамещении. Считается, что CXMT будет выпускать свою HBM сразу на нескольких китайских площадках, включая расположенную в Шанхае. В производстве такая память будет дороже импортной, поскольку CXMT доступно менее эффективное оборудование для её выпуска, да и уровень брака будет высоким довольно долго. Тем не менее, финансовые трудности вряд ли станут препятствием на пути освоения выпуска данного вида продукции на территории Китая. Тем более, что высокие цены на DRAM и выручка по итогам IPO пополнят финансовые ресурсы компании, не говоря уже о государственной поддержке. SK hynix стала самой дорогой южнокорейской компанией, обойдя Samsung Electronics
22.06.2026 [11:02],
Алексей Разин
Бум ИИ планомерно стал порождать компании с капитализацией свыше $1 трлн и среди производителей памяти, и если исторически крупнейшим игроком рынка считалась Samsung Electronics, то теперь её обходит SK hynix. Последняя вышла на первое место по капитализации среди южнокорейских публичных компаний. 
Источник изображения: SK hynix С начала этого года, как поясняет Reuters, курс акций SK hynix вырос на 340 %, по величине капитализации она опередила как Samsung Electronics, так и американскую Micron Technology. При этом, как сообщает источник, SK hynix совсем чуть-чуть опережает Samsung, достигнув капитализации в размере $1,35 трлн. В отличие от последней, SK hynix сильнее сосредоточена на выпуске микросхем памяти, поскольку конгломерат Samsung исторически выпускал широкий спектр продукции, включая готовые электронные устройства и микропроцессоры собственной разработки. На южнокорейском фондовом рынке Samsung Electronics занимала первое место по величине капитализации с 2000 года. По заявлению Samsung Electronics, любые связанные с определением капитализации компании расчёты должны учитывать привилегированные акции, и такая методика всё ещё позволяет ей превзойти SK hynix по соответствующему показателю. Путь SK hynix на вершину южнокорейского биржевого олимпа не был простым, в 2002 году компания чудом избежала покупки американской Micron, в 2003 году курс акций SK hynix обвалился до исторического минимума. В рейтинге самых дорогих компаний мира она сейчас занимает 13-е место. Успех SK hynix в эпоху ИИ-бума принято связывать с востребованностью памяти типа HBM, которую она активно продвигает на рынок. По состоянию на прошлый год данная компания контролировала 61 % мировых объёмов поставок памяти этого класса, тогда как Samsung довольствовалась 17 %, а Micron — 21 %. Подобную расстановку сил в сегменте HBM компания Samsung давно воспринимает, как личный вызов, а потому делает максимум возможного для увеличения своей доли. В опубликованной в январе этого года книге нынешний председатель совета директоров SK Group Чхэ Тхэ Вон (Chey Tae-won) отметил, что рынок HBM сильно привязывает клиентов к конкретному производителю памяти, поскольку она не вполне обладает взаимозаменяемостью с продукцией других марок. С точки зрения номинальных объёмов производства DRAM лидером рынка остаётся Samsung, но отставание SK hynix по итогам текущего года будет не так велико, по мнению аналитиков Bank of America, поскольку вторая будет обрабатывать по 589 000 кремниевых пластин в месяц против 691 000 у Samsung. При этом SK hynix до 2028 года рассчитывает увеличить объёмы производства на 38 %, тогда как Samsung в этом отношении будет отставать более чем в два раза. Если в прошлом году SK hynix отставала от Samsung на 23 % по объёмам производства DRAM, то по итогам 2028 года разрыв может сократиться до 10 %. Помимо прочего, это позволит SK hynix приблизиться к Samsung по норме прибыли в сфере производства памяти. SK hynix также рассматривает возможность выхода на IPO в США на площадке Nasdaq для привлечения капитала на этом крупном рынке. SK hynix за ближайшие пять лет удвоит производственные мощности по выпуску памяти
02.06.2026 [11:18],
Алексей Разин
Значимость производителей памяти подчёркивается хотя бы тем фактом, что председатель совета директоров южнокорейской SK Group Чхэ Тхэ Вон (Chey Tae-won) оказался приглашён на отраслевую выставку Computex 2026 на Тайване, где сделал несколько важных заявлений. В частности, он пообещал удвоить мощности SK hynix по производству памяти за последующие пять лет. 
Источник изображения: SK hynix Он же в марте этого года, как напоминает Reuters, сообщил о возможности сохранения дефицита памяти на мировом рынке до 2030 года. SK hynix, которая в составе упоминаемого южнокорейского конгломерата занимается выпуском памяти, нуждается в расширении круга своих партнёров на Тайване, и дело не должно ограничиваться одной лишь TSMC, как отметил глава холдинга. Чхэ Тхэ Вон выразил надежду, что SK hynix сможет остаться крупнейшим поставщиком HBM для ускорителей Nvidia Vera Rubin. Как известно, на этот статус претендует конкурирующая Samsung Electronics, но SK hynix явно не собирается сдаваться без боя. На прошлой неделе капитализация SK hynix впервые в истории превысила $1 трлн, что говорит об уверенности инвесторов в способности этого производителя памяти развивать бизнес в условиях бума ИИ. По данным Counterpoint Research, в первом квартале текущего года SK hynix сохраняла за собой 58 % мирового рынка HBM, а Samsung и Micron досталось по 21 %. SK hynix представила iHBM — память HBM со встроенным охлаждением ICE для будущих ИИ-чипов
26.05.2026 [11:15],
Павел Котов
SK hynix представила решение под названием iHBM: интегрированные охлаждающие элементы (ICE) встроили в корпус чипов высокоскоростной памяти HBM нового поколения. 
Источник изображения: skhynix.com Управление тепловыделением становится критической проблемой по мере развития технологии HBM и увеличения количества слоёв — оно необходимо для повышения скорости и удовлетворение спроса на обработку данных в области искусственного интеллекта. Эффективное управление плотностью мощности на физическом уровне D2D (Die-to-Die Physical Layer) — интерфейсе, который соединяет память с графическим процессором — выступает ключевым фактором, определяющим конкурентоспособность HBM нового поколения. В решении iHBM компания применила структурный подход к решению проблемы управления тепловыделением. В существующих продуктах HBM используется косвенный метод охлаждения, предусматривающий отвод тепла через ядро кристалла. Схема iHBM предусматривает размещение ICE непосредственно в области D2D PHY, где концентрация тепла наиболее высока — там создаётся дополнительный путь для его рассеивания. Новое решение помогает снизить тепловое сопротивление на 30 %, обеспечивая стабильную работу чипов даже в условиях высоких температур и давления. Решение адаптировано под нужды массового производства: разработанный в SK hynix процесс Wafer Level Packaging (WLP) на основе технологии Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF) способен обеспечить стабильный крупномасштабный выпуск чипов с iHBM. Предусмотрена и высокая совместимость с существующими архитектурами System-in-Package (SiP): клиенты могут внедрять новое решение с минимальными изменениями в конструкции. SK hynix намеревается внедрить iHBM в архитектуру HBM5. Производители HBM планируют физически отделить память от GPU, чтобы активнее наращивать её объём
25.05.2026 [07:46],
Алексей Разин
В своё время память типа HBM, характеризуемая вертикальной компоновкой нескольких кристаллов, была предложена именно ради повышения пропускной способности и ёмкости при ограниченных площадных габаритах. Тем не менее, потребности чипов ускорителей в объёме памяти и её пропускной способности явно превышают возможности производителей HBM, поэтому они задумал «отселить» её с чипа GPU. 
Источник изображения: Nvidia, ZDNet Как поясняет ZDNet со ссылкой на одного из южнокорейских производителей памяти, инженеры компании думают о перспективе переноса HBM с общей с GPU упаковки на отдельную печатную плату. При этом скоростной обмен данных планируется организовать при помощи оптических интерфейсов, которые будут соединять блок памяти с GPU. Такая компоновка позволит увеличить объём доступной одному GPU памяти типа HBM в несколько раз. Обсуждением этой концепции производители HBM уже занимаются со своими клиентами, как сообщает источник. Прежний метод масштабирования ёмкости HBM за счёт наращивания количества слоёв в стеке рано или поздно себя изживёт. Уже сейчас предлагается память с 16-ярусной компоновкой, в перспективе количество слоёв вырастет до 20 штук, но сложность и стоимость производства такой памяти при этом увеличивается экспоненциально. При этом увеличивать количество чипов HBM вокруг GPU также проблематично, поскольку они не могут удаляться от него достаточно сильно без потери скорости передачи информации. Остаётся только работать над более скоростным интерфейсом, который позволит увеличить длину соединений без потери для быстродействия. Отдельной проблемой является поиск места для расположения чипов HBM, поскольку печатная плата ускорителя с GPU и без того плотно населена различными элементами. Возможно, чипы памяти будут располагаться на собственной небольшой печатной плате, которая будет монтироваться на основную вторым ярусом с оборотной стороны. Новый подход к размещению HBM также требует согласования с компаниями, специализирующимися на упаковке чипов, поскольку им предстоит внедрить оптический интерфейс. Intel рассказала о памяти HB3DM — «убийце» HBM с более высокой пропускной способностью
30.04.2026 [00:28],
Николай Хижняк
Стартап Saimemory, созданный компаниями Intel, SoftBank и Токийским университетом, разрабатывает альтернативу популярной технологии памяти с высокой пропускной способностью (HBM), призванную обеспечить более высокие значения пропускной способности стеков памяти, используемых в составе мощных ИИ-ускорителей. 
Источник изображений: Intel В июне на выставке VLSI 2026 компания Saimemory планирует представить доклад о недавно разработанной памяти HB3DM. Она основана на технологии Z-Angle Memory (ZAM). «Z» в названии указывает на вертикальное расположение (по оси Z) кристаллов памяти, аналогичное традиционной памяти HBM. Для сборки модулей планируется использовать самые современные технологии стекирования Intel.  Первое поколение HB3DM будет состоять в общей сложности из девяти слоёв, соединённых с использованием гибридной технологии для вертикального размещения кристаллов. Основой стека памяти HB3DM будет служить логический слой, который управляет перемещением данных внутри чипа. Поверх него будут располагаться восемь слоёв памяти DRAM для хранения данных. Каждый слой будет содержать около 13 700 сквозных межсоединений (TSV) для гибридной спайки.  Ожидается, что память HB3DM обеспечит ёмкость около 1,125 Гбайт на слой, что соответствует 10 Гбайт на стек. Технология позволяет достичь примерно 0,25 Тбайт/с пропускной способности памяти на мм2, поэтому для модуля на 10 Гбайт с площадью кристалла 171 мм2 можно ожидать около 5,3 Тбайт/с пропускной способности. Согласно озвученным характеристикам, HB3DM предложит более чем двое более высокую пропускную способность, чем HBM4. Последняя обеспечивает пропускную способность около 2 Тбайт/с на стек.  Однако у HB3DM есть ограничения. В частности, на её основе можно создавать только стеки ёмкостью до 10 Гбайт, в то время как HBM4 позволяет создавать стеки ёмкостью до 48 Гбайт. Intel может увеличить количество слоёв по мере развития HB3DM, но на данный момент разработка сосредоточена на пропускной способности. На данный момент неизвестно, когда Saimemory собирается выпустить HB3DM и кто будет производить для неё базовые кристаллы DRAM — возможно, сама Intel. Ближе к выставке VLSI 2026 компании, вероятно, предоставят больше подробностей о достигнутом прогрессе в разработке. SK hynix утроила выручку и увеличила прибыль в пять раз на фоне бума ИИ
23.04.2026 [04:54],
Алексей Разин
Микросхемы памяти сейчас очень востребованы в инфраструктуре систем искусственного интеллекта, поэтому их поставщики ожидаемо хорошо зарабатывают. В случае с южнокорейской SK hynix это утверждение наглядно иллюстрируется итогами минувшего квартала: компания в годовом сравнении увеличила выручку почти втрое, а её операционная прибыль выросла в пять раз. 
Источник изображения: SK hynix Выручка компании за период составила рекордные $35,55 млрд, а операционная прибыль достигла $25,4 млрд, последовательно увеличившись почти в два раза. Более того, норма операционной прибыли достигла рекордных 72 %. При этом и выручка, и операционная прибыль SK hynix по итогам первого квартала оказались несколько ниже ожиданий аналитиков. Первый квартал для рынка памяти в целом не является пиковым периодом с точки зрения финансовых показателей, но бум ИИ позволил опровергнуть данный стереотип. Представители компании подчеркнули, что клиенты SK hynix считают важным обеспечить себя необходимыми объёмами памяти, и не особо оглядываются на цену. «Память важна, как никогда ранее», — резюмировали они. Хотя Samsung в четвёртом квартале прошлого года вернула себе статус лидера на рынке DRAM в денежном выражении, в сегменте HBM продолжает доминировать SK hynix с долей 57 %. Рынок памяти растёт более чем на 30 % уже два квартала подряд. По оценкам руководства SK hynix, нехватка HBM будет ощущаться минимум до 2030 года, даже с учётом наличия у компании планов по расширению производственных мощностей. Даже если цены на память во втором полугодии будут расти умеренными темпами, прибыль SK hynix продолжит увеличиваться на протяжении всего текущего года. По некоторым оценкам, капитальные затраты SK hynix в этом году будут увеличены на 45 %. Средняя цена реализации DRAM в первом квартале выросла последовательно на 60,8 %, а цены на NAND увеличились на 55,3 %. Во многом это и определяет взрывную динамику финансовых показателей производителей памяти. Sandisk намерена начать опытный выпуск передовой памяти HBF до конца года
13.04.2026 [08:07],
Алексей Разин
Производители совершенствуют технологии выпуска не только оперативной, но и твердотельной памяти. Sandisk, которая является одним из ключевых разработчиков HBF, намерена до конца текущего года построить в Японии пилотную линию по производству памяти этого типа, а в промышленных масштабах начать выпуск уже в 2027 году. 
Источник изображения: Sandisk Как сообщает ETNews, компания уже приступила к поиску материалов, компонентов и оборудования, которое будет использовать при производстве HBF — нового типа NAND, который подразумевает вертикальную компоновку по примеру HBM. Экспериментальная линия в Японии может быть установлена в следующем полугодии, а первые образцы HBF с её помощью Sandisk рассчитывает получить до конца текущего года. Если всё пойдёт по плану, Sandisk может освоить массовый выпуск HBF примерно на полгода быстрее обещанного ранее. При производстве HBF будет использоваться часть оборудования, подходящего для выпуска HBM, равно как и некоторые технологии. В этом смысле с поиском поставщиков материалов и оборудования для производства HBF проблем возникнуть не должно. Китайские производители памяти также готовятся начать выпуск HBF, поэтому конкуренция на рынке обещает быть острой. В сфере стандартизации HBF поддержку Sandisk оказывает конкурирующая SK hynix. Пик спроса на HBF, как ожидается, придётся на 2030 год. Интерес к производству HBF проявляет и Samsung Electronics, которая над разработкой такой памяти трудится с начала текущего десятилетия. Впрочем, в отличие от SK hynix, этот южнокорейский производитель пока не спешит делать громкие заявления касательно сроков появления HBF на рынке. Принято считать, что HBF позволит размещать большие объёмы данных в непосредственной близости от GPU, ускоряя работу с ИИ-моделями в задачах инференса. Если по уровню быстродействия HBF уступает HBM, то по ёмкости она превосходит её до 16 раз. По сути, в 16-ярусном стеке HBF можно хранить до 512 Гбайт информации. Если окружить GPU восемью такими стеками, то объём памяти вырастет до 4 Тбайт. Спрос на подобные решения будет расти по мере того, как сфера искусственного интеллекта переходит от обучения больших языковых моделей к инференсу. За первые пять лет ИИ-бума спрос на память вырастет в 625 раз, как считает глава Dell
11.04.2026 [07:07],
Алексей Разин
Обычно участники рынка компьютерного оборудования дают прогнозы относительно динамики цен на память и сроков сохранения её дефицита, но основатель компании Dell Майкл Делл (Michael Dell) решил оценить прирост рынка памяти в течение первых пяти лет с момента появления ChatGPT. Он считает, что спрос на память с 2022 по 2028 годы вырастет в 625 раз. 
Источник изображения: Dell Technologies Напомним, ChatGPT вышел на рынок осенью 2022 года, поэтому отсчёт влияния бума ИИ на рынок компонентов можно упрощённо начинать с 2023 года. Соответствующие высказывания, по данным PC Gamer, прозвучали из уст основателя Dell на конференции Bank of America. Он пояснил, что спрос на память генерируется не только в сегменте оперативной памяти для центральных процессоров, но и на направлении ускорителей на базе GPU. В совокупности, за первые пять или шесть лет ИИ-бума потребности отрасли в скоростной памяти вырастут в 625 раз. По крайней мере, если в 2022 году ускоритель Nvidia H100 оснащался 80 Гбайт памяти типа HBM3, то его преемник к 2028 году должен нести на борту уже 2 Тбайт памяти, как ожидает Майкл Делл. Это соответствует 25-кратному увеличению объёма памяти. Кроме того, сама по себе ёмкость рынка таких ускорителей на указанном интервале тоже вырастет в 25 раз. Перемножая оба значения, получим увеличение потребности рынка в скоростной памяти для GPU в те самые 625 раз. Впрочем, если опираться на более консервативный вариант характеристик ускорителей Vera Rubin, которые подразумевают наличие только 576 Гбайт памяти типа HBM4, то аналогичные арифметические действия приведут к росту спроса на память в 180 раз. Впрочем, оба варианта прогноза равноценно приводят к осознанию неизбежности дефицита памяти, поскольку объёмы её производства за это время не смогут пропорционально увеличиться. На память теперь уходит до 30 % расходов при создании ЦОД — в четыре раза больше, чем в 2023 году
03.04.2026 [20:41],
Николай Хижняк
По оценкам аналитиков SemiAnalysis, на память будет приходиться примерно 30 % от общего объёма капитальных затрат крупных гиперскейлеров в 2026 году, что резко контрастирует примерно с 2023 и 2024 годами, когда на эту статью приходилось лишь около 8 % расходов. Эксперты прогнозируют дальнейший рост затрат на память в 2027 году, что ознаменует почти четырёхкратное увеличение цен всего за четыре года. 
Источник изображения: SemiAnalysis SemiAnalysis ожидает, что цены на DRAM вырастут более чем вдвое в 2026 году, а средняя цена продажи (ASP) увеличится ещё на двузначное число процентов в 2027 году. Контрактные цены на память LPDDR5 уже выросли более чем в три раза с первого квартала 2025 года. По оценке аналитиков, цены на открытом рынке в этом квартале, вероятно, превысят $10 за Гбайт. Поставки высокопроизводительной памяти HBM, лежащей в основе ускорителей ИИ, по-прежнему будут испытывать дефицит до 2027 года, согласно прогнозам SemiAnalysis. Общие расходы на память составят значительную долю из примерно $250 млрд дополнительных затрат крупных гиперскейлеров, прогнозируемых на этот календарный год. Это уже отражается на ценах на серверы для ИИ: по данным SemiAnalysis, цены на ускорители Nvidia B200 к концу года вырастут до 20 %, в значительной степени из-за роста стоимости памяти. Данный анализ соответствует общему мнению в отрасли — ведущие производители компьютеров и серверного оборудования в ходе своих последних финансовых отчётов признали резкое увеличение стоимости компонентов. Например, Джефф Кларк (Jeff Clarke), операционный директор компании Dell, одного из крупнейших поставщиков компьютерного оборудования в мире, ещё по итогам третьего квартала прошлого года назвал темпы роста цен «беспрецедентными». Отдельно аналитики агентства Counterpoint Research прогнозируют, что модули памяти DDR5 объёмом 64 Гбайт RDIMM к концу 2026 года могут стоить вдвое дороже, чем в начале 2025 года. А серверы для ИИ, построенные на платформах Nvidia с поддержкой LPDDR, демонстрируют один из самых резких скачков цен из-за огромного объёма используемой памяти в каждой системе. В своём отчёте SemiAnalysis отмечает, что Nvidia пользуется преференциями при закупке памяти, поскольку поставщики предлагают компании так называемые VVP (Very Very Preferred) цены на DRAM. Эти цены «значительно ниже, чем озвучиваемые как для крупных облачных провайдеров, так и для рынка в целом». По мнению SemiAnalysis, это позволяет Nvidia снижать собственные затраты на серверы и в то же время занижает общие рыночные ценовые ориентиры, маскируя реальную серьёзность дефицита поставок для всех остальных. Основной конкурент Nvidia на рынке ИИ-ускорителей, компания AMD, таких преференций от поставщиков памяти не имеет, хотя в её ускорителях, как правило, на единицу продукта используется больше чипов памяти. AMD выпускает гораздо меньше ИИ-ускорителей, чем Nvidia, что делает её структурно более уязвимой к росту стоимости памяти в условиях гораздо меньшего масштаба производства процессоров для ИИ, говорится в отчёте. Другими словами, масштабы закупок Nvidia как HBM, так и обычной DRAM дают ей рычаги влияния, которыми покупатели с меньшим объёмом закупок просто не располагают. Micron обозначила сроки создания многоярусной памяти GDDR7
31.03.2026 [13:43],
Алексей Разин
Бум технологий искусственного интеллекта показал, что для разных вычислительных нагрузок требуется разная память. Производители последней экспериментируют с альтернативами дорогой HBM, и многоярусная GDDR7 может стать одной из них. Micron первые прототипы такой памяти надеется получить в следующем году, а к разработке и тестированию приступит в следующем полугодии. 
Источник изображения: Micron Technology Исторически память типа GDDR использовалась видеокартами, но ускорители вычислений для систем искусственного интеллекта как раз оснащаются графическими процессорами в сочетании с более дорогой и сложной в производстве HBM. Нарастить удельный объём GDDR позволит увеличение количества ярусов в стеке, но даже при такой компоновке GDDR7 окажется дешевле HBM. Пропускная способность в первом случае также будет ниже, но для определённых задач типа инференса характеристик многоярусной GDDR7 должно вполне хватить. По уровню быстродействия многоярусная GDDR7 как раз расположится между классической GDDR и HBM. По сути, новый вид памяти можно будет применять и в игровых видеокартах, поэтому разработка Micron может быть востребована не только в сегменте инфраструктуры для ИИ. Помимо более низкой цены, многоярусная GDDR7 по сравнению с HBM будет использовать более простые технологии упаковки. Выпускать такую память можно будет в существенно больших количествах по сравнению с HBM. Если Micron преуспеет в создании такой памяти, она может занять доминирующие позиции в перспективном сегменте рынка. Стоимость одного гигабайта памяти многоярусной GDDR7 будет в десять или двадцать раз ниже, чем у HBM. При этом нельзя утверждать, что создание многоярусной GDDR7 окажется лёгкой задачей с технической точки зрения. Помимо поиска технологии соединения ярусов, нужно как-то решить проблему теплоотвода и возросшего энергопотребления. Важно сохранить ценовое преимущество при производстве такой памяти, иначе вся затея не оправдает себя. Выпуск DDR5 стал прибыльнее HBM для всех крупнейших производителей памяти
23.03.2026 [10:06],
Алексей Разин
В декабре прошлого года руководство Micron Technology призналось, что норма прибыли при выпуске классических типов DRAM, например, DDR5, оказалась выше обеспечиваемой при производстве HBM. Недавно он снова вернулся к этому тезису, говоря об итогах минувшего фискального квартала. Конкуренты располагают примерно такими же финансовыми показателями. 
Источник изображения: Micron Technology По крайней мере, News 1 со ссылкой на руководство SK hynix сообщает, что обычная DDR уже обеспечивает норму прибыли в районе 80 %, тогда как при выпуске HBM она колеблется в районе 60 %. В прошлом квартале норма прибыли Micron в целом по компании выросла последовательно с 75 до 81 %, что также говорит о росте прибыльности бизнеса не только в сегменте HBM. Samsung на правах крупнейшего производителя памяти соответствующие тенденции прочувствовала ещё в конце прошлого года. Для выпуска HBM тоже требуются кристаллы DRAM, рост спроса на первый тип памяти первоначально вызывал рост цен на DDR5, поскольку последних чипов на рынке становилось меньше. В определённый момент производители бросились наращивать выпуск HBM в ущерб DDR5, поэтому цены на последнюю выросли до такого уровня, что сейчас её продавать выгоднее. Тем более, что затраты на выпуск DDR5 значительно ниже, чем в случае с HBM, а потому разница между доходами и расходами заметно больше, и прибыль растёт активнее. Южнокорейские производители опережают китайских в части технологий выпуска HBM примерно на три года, но если цены останутся на высоком уровне, то у китайских конкурентов появится определённый шанс закрепиться на международном рынке DDR. Правда, санкции США могут этому помешать, но китайские производители в любом случае заинтересованы в скорейшей организации массового выпуска HBM и экспансии производства DDR. В условиях дефицита памяти поставщики начали диктовать выгодные себе условия. Как уже отмечалось ранее, Samsung намеревается заключать со своими клиентами долгосрочные контракты на период от трёх до пяти лет, гарантируя поставку определённых объёмов продукции, но с привязкой цены к текущим уровням на рынке моментальных сделок. Кроме того, покупателям придётся сделать крупные авансовые платежи в пользу будущих поставок, и как они будут засчитываться, во многом будет зависеть от динамики рыночных цен. Micron со своими клиентами также заключает долгосрочные контракты, но они также охватывают и исследовательскую деятельность, поскольку будущие типы HBM, например, должны учитывать индивидуальные запросы конкретных клиентов, а потому соответствующую адаптацию памяти необходимо прописывать в договорах. Micron также сосредотачивается на комплексных поставках продукции для нужд ЦОД, которые охватывают DDR5 и HBM одновременно. Поскольку новые мощности по выпуску памяти будут введены в строй не ранее конца следующего года, при сохранении растущего спроса на микросхемы памяти будут увеличиваться и нормы прибыли производителей. Руководство SK hynix пытается найти инновационный подход к стабилизации цен на память, но удастся ли его реализовать, станет понятно в ближайшее время. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
