Сегодня 21 сентября 2026
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Бум ИИ разогрел рынок памяти — DRAM и NAND стремительно дорожают и могут стать выгоднее HBM

Бум искусственного интеллекта принято ассоциировать с ростом цен на ускорители вычислений и используемую при их производстве памяти класса HBM, но высокая прибыльность соответствующей деятельности вынуждает производителей всё меньше ресурсов оставлять под выпуск прочей продукции, и та стремительно дорожает. В следующем году её производство окажется более выгодным, чем выпуск HBM, если темпы роста цен останутся прежними.

 Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

На это со страниц Reuters указывают аналитики KB Securities. По их данным, в третьем квартале Samsung Electronics при выпуске классических видов памяти получала норму операционной прибыли в размере около 40 %, тогда как в сегменте HBM она достигала 60 %. Соответственно, при нынешних темпах роста цен на DRAM и NAND выпуск микросхем соответствующего типа в следующем году начнёт приносить компании если не бόльшую норму прибыли, то хотя бы сопоставимую.

Micron Technology в следующем году рассчитывает на получение хорошей прибыли как в сегменте HBM, так и за его пределами, если опираться на обнародованный в прошлом месяце прогноз руководства этого американского производителя памяти. Бум ИИ не только заставляет производителей меньше мощностей уделять под выпуск DDR5, но и повышает спрос на неё. В результате модули DDR5 серверного класса стремительно дорожают. Цены на DRAM на рынке моментальных сделок выросли почти в три раза в сентябре по сравнению с аналогичным месяцем прошлого года, хотя в апреле их рост ограничивался 4 %.

По словам экспертов TechInsights, в серверном сегменте ситуация усугубляется приходом очередного цикла обновления оборудования, которое было в больших количествах закуплено в период с 2017 по 2018 годы и теперь требует замены. Товарные запасы DRAM продолжают сокращаться. В начале 2023 года они измерялись 31-недельным объёмом потребления, год назад достигали 10 недель, а теперь сократились до восьми. Удорожание памяти уже сказывается на стоимости электронных устройств даже в потребительском сегменте.

Тайваньские производители памяти радуются возможности заработать на прекращении выпуска DDR4 мировыми лидерами в лице Samsung, SK hynix и Micron. Акции производителей памяти на этом фоне стремительно растут в цене, с начала года котировки ценных бумаг Samsung поднялись более чем на 80 %, а у SK hynix и Micron они выросли на 170 и 140 % соответственно. В этом смысле на фоне дефицита DDR4 кое-что перепадает и тайваньским производителям. Представители TechInsights считают, что связанные с ожиданием «суперцикла» на рынке полупроводниковых компонентов надежды излишне оптимистичны, и уже в 2027 году сегмент будет переживать очередной спад спроса.

Было интересно? Скажите об этом Google, чтобы чаще получать ссылки на наши новости про технологии и рынок it

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Xiaomi 18 Fold оказался золотым в ремонте — замена материнской платы обойдётся в почти 40 % цены смартфона 17 ч.
Президент США объявил о создании «Сил ИИ» — их возглавит «царь ИИ»  19 ч.
Популярные чат-боты в большинстве случаев дают вредные советы в сфере финансов 20-09 06:39
Новая статья: The Blood of Dawnwalker — начало чего-то выдающегося. Рецензия 20-09 00:08
Путь на дно: суд обязал Microsoft раскрыть внутренние документы и переписку топ-менеджеров в деле о перепродаже лицензий на ПО 19-09 17:43
Персональный ИИ-агент Muse от Meta возглавил рейтинг App Store всего через неделю после релиза 19-09 14:11
ИИ-модель Google Gemini перепутала тест с реальностью и случайно взломала три компании 19-09 14:09
SpaceXAI удвоила точность распознавания речи в новой модели Grok Voice Transcribe 2.0 19-09 12:59
Anthropic сделала первый шаг к замедлению ИИ — Accenture будет проверять Claude изнутри 19-09 12:51
Европейские разработчики ИИ выступили против призывов США замедлить темп 19-09 10:43