Новости Hardware → разработка и производство электроники
Главная новость

Что принесёт на рынок новая архитектура NVIDIA Turing?

Что принесёт на рынок новая архитектура NVIDIA Turing?

Во время презентации NVIDIA на мероприятии SIGGRAPH 2018 исполнительный директор компании Дженсен Хуанг (Jensen Huang) официально представил долгожданную архитектуру GPU Turing, о которой ходило так много слухов. Следующее поколение графических процессоров будет включать в себя ряд новых функций и появится уже в этом году. Хотя в центре внимания пока были решения Quadro RTX для рынка профессиональной визуализации (ProViz), новые GPU будут применяться в других грядущих продуктах NVIDIA. Итак, что же приносит на рынок Turing?

Гибридный рендеринг и нейронные сети: ядра RT и Tensor

Быстрый переход

Foxconn построит в Китае полупроводниковое предприятие

Крупнейший в мире контрактный производитель электроники Foxconn Technology Group собирается построить в Китае полупроводниковое предприятие. Оно будет возведено в Чжухае (городской округ на южном берегу китайской провинции Гуандун). Компания подписала с местными властями соглашение в четверг, 16 августа, передаёт газета The Wall Street Journal.

На этом предприятии Foxconn будет предлагать услуги по проектированию микросхем и полупроводникового оборудования. Соглашение с администрацией Чжухая также предполагает совместную разработку проектов, связанных с Интернетом вещей, сетями пятого поколения, искусственным интеллектом и контентом с разрешением 8K.

wsj.com

wsj.com

Председатель совета директоров и глава Foxconn Терри Гоу заявил, что развитие правительственной инициативы Greater Bay Area (предполагает интеграцию экономик Гонконга, Макао и девяти городов в провинции Гуандун) «обеспечило редкую возможность для Чжухая», который стремится развивать рынок полупроводниковых услуг.

В настоящее время в Китае продолжает действовать национальная программа по превращению страны в полупроводниковую державу. По планам властей, к 2030 году Поднебесная должна стать глобальным лидером по всем сегментам рынка чипов.

wsj.com

wsj.com

Пока Китай сильно зависит от зарубежных производителей. По данным аналитиков Bernstein Research, объём импорта чипов в КНР по итогам 2017 года вырос до $260 млрд с $200 млрд в 2013-м.

Источник:

Для ускорения работы транзистора учёные встроили в него лазер

Учёные Университета Пердью в штате Индиана предложили улучшить структуру субмикронного полевого транзистора, встроив в него для этого полупроводниковый лазер. Ожидается, что такая гибридная структура обеспечит ошеломительный эффект в виде снижения потребления транзистора наноразмерного уровня и приведёт к повышению производительности за счёт увеличения скорости его переключения.

Структура обычного кремний-германиевого полевого транзистра (Purdue Office of Technology Commercialization)

Структура обычного кремний-германиевого полевого транзистора (Purdue Office of Technology Commercialization)

В качестве лазера предложено использовать квантово-каскадный лазер. Данный тип полупроводникового лазера работает на эффекте перехода электронов между слоями гетероструктуры полупроводника. Иначе говоря, транзистор является «естественной средой» для квантово-каскадного лазера. Кроме этого в транзистор встроена комплексная система переключающих механизмов, которая одновременно переключает транзистор из включенного состояния в выключенное и обратно. Увы, подробностями источник не располагает.

Лазер и «переключающие механизмы» призваны решить одну фундаментальную трудность для мельчающих транзисторов. Для снижения потребления и для повышения скорости переключения транзисторов по мере снижения масштаба норм технологических процессов необходимо снижать напряжение питания до пороговых значений и крайне желательно снизить сам порог переключения, который при обычных условиях уменьшить ниже строго определённого значения просто невозможно.

В схемотехнике полевых транзисторов за это отвечает величина или крутизна допорогового размаха (subthreshold swing). В свою очередь, чтобы допороговый размах был как можно меньше, а крутизна больше, необходимо повышать плотность тока открытия транзистора и понижать плотность тока его закрытия. Это крайне положительно скажется на уменьшении допорогового размаха напряжения, в чём главную роль обещает сыграть встроенный в структуру полевого транзистора лазер.

Источник:

Глава NVIDIA прокомментировал желание Tesla перейти на собственные процессоры

В начале августа на квартальной отчётной конференции глава Tesla Илон Маск (Elon Musk) среди прочего сообщил, что в будущих моделях электромобилей компании будут использоваться компьютеры на процессорах собственной разработки. До этого момента в автопилотах Tesla будет использоваться графический процессор NVIDIA на архитектуре Pascal. По мнению Маска и его специалистов, новая разработка NVIDIA на архитектуре Volta — процессор Tegra поколения Xavier — оказался непригодным для решения будущих задач в составе электромобилей Tesla.

Графические процессоры, уверен глава Tesla, не являются «естественным» решением для обработки данных в автопилотах машин. Поэтому возникают задержки, которые заметно снижают быстродействие платформы. Собственный процессор для компьютеров автомобилей Tesla компания разрабатывает с нуля и будет в определённой степени опираться на архитектуру нейронных сетей. С апреля этого года, кстати, команду по разработке автопилота возглавляет Пит Бэннон (Pete Bannon), свыше двух лет работающий в Tesla. До этого он занимался в Apple разработкой мобильных процессоров для iPhone от A5 до A9. Очевидно, опыт Бэннона будет востребован в полной мере.

Интересно, что бортовые компьютеры на платформе NVIDIA в будущем можно будет заменить на производительные системы Tesla с процессорами собственной разработки. Компания обещает совместимость решений. При этом производительность фирменной платформы обещает оказаться как минимум в 10 раз лучше, чем нынешняя платформа NVIDIA. В таком случае совместимость компьютеров и возможность замены выглядит большим плюсом для всей автомобильной платформы Tesla.

На своей квартальной отчётной конференции глава NVIDIA Дженсен Хуанг (Jensen Huang) в свою очередь сообщил, что был рад сотрудничать с Tesla и сам с удовольствием пользуется автопродукцией компании. И если у Tesla вдруг что-то не сложится с собственным процессором для бортовых компьютеров, то NVIDIA всегда будет готова помочь решить проблемы партнёра.

Источник:

TSMC подтвердила планы массового производства 3-нм чипов в 2022 году

По данным сайта EXPreview, руководство компании TSMC подтвердило планы начать массовое производство 3-нм полупроводниковой продукции в 2022 году. На сегодняшний день к выпуску 3-нм чипов ускоренными темпами идут только две компании: TSMC и Samsung. Причём Samsung может сделать это первой на один год раньше TSMC — в 2021 году. Компания Intel застряла на этапе снижения уровня брака при  производстве с технологическими нормами 10 нм, а GlobalFoundries внедряет первое поколение 7-нм техпроцесса и рассматривает вариант последующего перехода сразу на 3-нм техпроцесс (но она вряд ли сделает это раньше Samsung).

Итак, компания TSMC сообщила, что Национальное агентство Тайваня по контролю за окружающей средой (EIA) утвердило предварительные планы строительства завода в научном парке города Тайнань (Tainan Science Park). Это производство изначально нацелено на выпуск 3-нм продукции и расположено рядом с уже строящимся заводом Fab 18, который будет выпускать 5-нм полупроводники. Определена также сумма инвестиций в проект — порядка 600 млрд новых тайваньских долларов, что сегодня эквивалентно $19,4 млрд. В 5-нм завод, отметим, TSMC инвестирует $25 млрд.

В собственность TSMC земля под строительство завода для выпуска 3-нм чипов площадью 18 гектар перейдёт в 2020 году. Строительство предприятия должно начаться в том же году с началом установки промышленного оборудования в 2021 году. Тем самым 3-нм завод TSMC может успеть войти в строй до конца 2022 года. Во всяком случае, в 2023 году он уже будет выпускать массовую продукцию.

Источник:

Tsinghua Unigroup покупает долю в тайваньском упаковщике чипов

Китайский холдинг Tsinghua Unigroup тщательно выстраивает инфраструктуру для грядущей полупроводниковой революции в стране. Под крылом Tsinghua при непосредственном участии совместного предприятия YMTC вызрела и внедряется в производство многослойная память 3D NAND. Реализуются другие проекты: открываются центры по предоставлению облачных услуг и центры разработки полупроводников и электроники. Сделать надо много. И хорошо, что рядом есть Тайвань, у которого можно почерпнуть много интересного. Правительство Тайваня сопротивляется финансовой экспансии Китая, но лазейки обойти запрет в доступе к новым технологиям у Китая находятся и есть.

Как сообщает тайваньский интернет-ресурс DigiTimes, Tsinghua Unigroup договорилась приобрести долю в 30 % в китайском подразделении Suzhou ASEN Semiconductors тайваньской компании ASE Technology Holding (Advanced Semiconductor Engineering). Компания ASE Technology является одним из крупнейших в мире поставщиком услуг по порезке, упаковке и тестированию чипов. В ближайшем будущем подконтрольным Tsinghua полупроводниковым производствам и другим китайским производителям чипов будет что резать, паковать и проверять.

Компания Suzhou ASEN Semiconductors была организована в 2007 году как совместное предприятие между Advanced Semiconductor Engineering и NXP Semiconductors. Компания NXP Semiconductors избавилась от своей доли в Suzhou ASEN в апреле этого года, надеясь найти вариант для сделки по поглощению компанией Qualcomm. Ей это не помогло. Китай так и не дал добро на поглощение NXP, но зато ASE Technology получила полный контроль над китайским подразделением и теперь за $95,34 млн продала его часть компании Tsinghua Unigroup.

Источник:

Fujitsu разработала GaN-транзистор, двукратно повышающий дальность погодных радаров

Компания Fujitsu Limited и её исследовательское подразделение Fujitsu Laboratories Ltd продолжают совершенствовать мощные транзисторы с использованием нитрида галлия (GaN). Подобные полупроводниковые структуры позволяют создавать электронные приборы с высочайшей рабочей частотой, что востребовано в радиолокационной и приёмопередающей аппаратуре. Например, грядёт сотовая связь пятого поколения с ёмкими каналами для передачи данных, для которых мощные высокочастотные транзисторы станут находкой. Другим важным применением подобных транзисторов считаются погодные радары, способные определять дождевые облака и помогать предсказывать ливни и штормы.

Новая разработка Fujitsu позволяет улучшить так называемый транзистор с высокой мобильностью электронов (high electron mobility transistors, HEMT) как с позиции увеличения тока, так и с позиции увеличения управляющего напряжения. В кристаллическую структуру транзистора HEMT с использованием нитрида галлия внесены изменения в виде разделительного слоя из сплава алюминия с нитридом галлия (AlGaN). Добавочный слой или барьер разделяет слой из сплава индия, алюминия и нитрида галлия (InAlGaN) и нижележащий транзисторный канал для движения электронов.

Новая структура транзистора защитит от пробоя высоким напряжением (Fujitsu)

Новая структура транзистора защитит от пробоя высоким напряжением (Fujitsu)

В обычной ситуации без разделительного барьера AlGaN на затвор-исток транзистора HEMT нельзя подать достаточно больше напряжение. Электроны могут накопить слишком много энергии, чтобы возник пробой кристаллической структуры. Разделитель делает две вещи. Во-первых, позволяет накапливаться электронам в канале в достаточной концентрации для наращивания силы тока. Во-вторых, приложенное напряжение к затвору-истоку теперь распределяется между слоем с источником электронов и разделителем. Это ограничивает возможность отдельных электронов накапливать критическую для возникновения пробоя энергию, хотя приложенное напряжение и общий заряд массы электронов растёт, повышая результирующую мощность транзисторов.

Мощноять HEMT транзистора из нитрида галлия удалось повысить в три раза (Fujitsu)

Мощность HEMT транзистора из нитрида галлия удалось повысить в три раза (Fujitsu)

Согласно проведенным в компании Fujitsu экспериментам, мощность HEMT транзисторов из нитрида галлия может достигать значения 19,9 Вт, что является абсолютным рекордном для индустрии (в три раз больше актуальных решений). Тем самым дальность погодных радаров может быть увеличена в 2,3 раза. Коммерциализация разработки намечена на 2020 финансовый год. Пока в компании будут продолжать эксперименты с новой транзисторной структурой.

Источник:

Осведомлённый источник приписал разработку и производство HTC U12 Life сторонней компании

Компания HTC продолжает терпеть финансовые неудачи, а по итогам июля 2018 года и вовсе показала худшие за последние 15 лет продажи. В поисках путей выхода из сложившейся кризисной ситуации руководство бренда пробует различные меры. В частности, в начале прошлого месяца было объявлено о сокращении до конца сентября 1500 сотрудников компании на Тайване. Следующим шагом может стать отказ от самостоятельной разработки и производства смартфонов. Накануне на такую возможность указал микроблог LlabTooFeR.

По сведениям, которыми располагает источник, смартфон HTC U12 Life, премьера которого ожидается в ближайшее время, будет выпущен по ODM-контракту. Это означает, что заказ на разработку и производство новинки HTC передала некой сторонней компании, которая пока не называется.

Конечно, вышесказанное — это пока лишь слух, но для находящегося в трудном финансовом положении бренда, увольняющего каждого четвёртого сотрудника, в недалёком будущем это может оказаться единственным выходом. Аналогичным образом поступила в своё время BlackBerry, отказавшаяся от самостоятельного создания смартфонов и передавшая функции по их разработке и производству китайской TCL.

Фотография Reuters

Фотография Reuters 

Что касается HTC U12 Life, то этой модели приписывают наличие 6-дюймового дисплея с разрешением 2160 × 1080 точек, процессора Snapdragon 636, 4 Гбайт оперативной и 64 Гбайт встроенной флеш-памяти. Кроме того, в предполагаемых характеристиках модели значатся аккумуляторная батарея ёмкостью 3600 мА·ч, поддержка Bluetooth 5.0 и NFC, а также двойная тыльная камера с 16- и 5-Мп сенсорами и 13-Мп «фронталка».

Источники:

Новая умная печь June Intelligent Oven второго поколения стала ещё умнее

Компания June начала выпуск умных духовых шкафов June Intelligent Oven второго поколения с функцией распознавания продуктов. Как и предыдущая модель, новая настольная печь оснащена процессором, камерой, модулем Wi-Fi и программным обеспечением для идентификации продуктов, которые помещают в неё.

Исходя из того, какой продукт помещают в печь и что из него хотят приготовить, устройство с помощью программного обеспечения устанавливает температурный режим и время приготовления. Вы можете наблюдать процесс приготовления в приложении June, которое также отправит уведомление, когда процесс приготовления пищи будет завершён.

MFA News

MFA News

Как и предыдущая версия, June Intelligent Oven имеет габариты микроволновой печи или тостер-печи с полезной ёмкостью для кулинарной обработки в размере 1 куб. фут (0,03 м3) и сенсорной панелью для управления, встроенной в дверцу. Компания утверждает, что в печи поместится индейка весом 12 фунтов (5,4 кг).

Новая печь распознаёт 50 продуктов, тогда как предыдущая модель могла распознать лишь 25 наименований. Кроме того, новинка предоставляет больше возможностей для приготовления пищи. Например, в ней можно приготовить бекон 64 разными способами. Также есть дополнительные функции, включая приготовление во фритюре, дегидратор (осушитель), медленноварку и подогрев еды.

В то же время новинка гораздо дешевле предшественницы. Её стоимость равна $599, тогда как предыдущая модель стоила $1495.

Источник:

ASIC для добычи биткоинов осваивают новейшие техпроцессы Samsung

Пока компания Bitmain осваивает 16-нм техпроцесс компании TSMC, другой китайский разработчик ASIC для майнинга криптовалют — компания Innosilicon — начала выпускать новейшие заказные БИС для майнинга на полупроводниковых линиях контрактного подразделения Samsung Foundry. Новые ASIC выпускаются с использованием техпроцесса FinFET для чипов со сверхнизким потреблением. Это даёт «шахтёрам» в руки инструменты нового поколения, себестоимость использования которых будет ощутимо ниже прежних решений.

Innosilicon

Innosilicon

Среди новинок Innosilicon, удостоившихся чести выходить на линиях Samsung, серия ASIC Terminator Sha256 Bitcoin. Утверждается, что разработка обладает рекордным и наилучшим соотношением потребления на терахеш (TH): 63 Вт/ТХ на чип и 75 Вт/ТХ на блок при температуре окружающей среды 25 градусов Цельсия. На основе данной ASIC представлен блок Terminator2 (T2) с производительностью 17,2 ТХ/с и потреблением 1430 Вт. Самая последняя разработка в лице блока T2-Turbo обеспечивает 24 ТХ/с.

По сравнению с ASIC предыдущего поколения эффективность добычи биткоина повышена минимум на 30 %, что разработчики считают «феноменальным» достижением. И действительно, с учётом того, что мировое потребление электроэнергии добытчиками криптовалют равно и даже превышает энергетические бюджеты целого ряда небольших стран, экономия трети от этого объёма электроэнергии — это высвобождение колоссальных ресурсов.

Innosilicon

Innosilicon

В настоящий момент, сообщает Innosilicon, оборудование для майнинга T2-17.2TH и T2-Turbo-24TH можно приобрести в Гонконге. Вскоре такая возможность появится в Японии, Китае, России, США, Канаде и в других странах.

Источник: