TSMC продвинулась быстрее ожидаемого в выводе на рынок своей самой передовой технологии производства чипов — она заявила о намерении инициировать серийный выпуск 2-нм чипов до конца 2025 года, ускорив развёртывание N2 как на Тайване, так и на новом предприятии в американской Аризоне.
Источник изображений: tsmc.com
С технологией N2 (2 нм) компания осуществляет переход на новую технологию транзисторов с нанолистами и окружающим затвором — она приходит на смену архитектуре FinFET, которая дебютировала в поколении 16 нм. Первые показатели выхода годной продукции оказались высокими, и к 2026 году TSMC намеревается резко нарастить массовое производство. Уже ведётся разработка N2P — нового поколения этого техпроцесса, запуск которого намечен на вторую половину 2026 года.
Технология N2P, по сравнению с базовой N2, должна будет предложить дополнительный прирост производительности транзисторов на 5–10 % или снижение энергопотребления на те же 5–10 % за счёт внедрения подвода питания с обратной стороны кристалла и дальнейших оптимизаций плотности транзисторов. Это будет достигнуто благодаря разделению силовых и сигнальных линий, что снизит помехи и увеличит эффективность чипа. Кроме того, N2P обеспечит более высокую плотность транзисторов, что важно для компактных и энергоэффективных решений.
Готовности к переходу на 2 нм сопутствуют рекордные финансовые показатели по итогам III квартала: высокий спрос на ускорители искусственного интеллекта и передовые чипы для смартфонов помогли TSMC нарастить выручку более чем на 40 % до $33,1 млрд. Почти три четверти продаж обеспечили ей передовые технологические процессы семейств N3, N5 и N7. Запланированы высокие капитальные расходы — в этом году они достигнут $42 млрд, три четверти из которых компания направит на расширение мощностей передового производства.
Центральное место в инвестиционной программе TSMC занимает расширение производства в Аризоне. На заводе Fab 21 уже стартовал выпуск продукции по технологии N4, на очереди — N3. Компания также намерена ускорить развёртывание мощностей N2, заявил её гендиректор Си Си Вэй (C.C. Wei), — чтобы удовлетворить спрос на решения для ИИ. Первоначально внедрение этой технологии на аризонском предприятии планировалось лишь на конец десятилетия.
Уже в конце года компания начнёт строить цеха для запуска производства по нормам N2 и A16, которая придёт следом. По завершении этой работы 30 % продукции TSMC с использованием технологии 2 нм будут производиться в США. Компания намеревается возвести в Аризоне кластер GigaFab, производительность которого составит 100 000 пластин в месяц, — он будет интегрирован с процессами упаковки, тестирования и взаимодействием с местными поставщиками. Но и на этом компания останавливаться не намерена — она изучает возможность приобрести дополнительные земельные участки и расширить проект, который и сейчас требует инвестиций в $165 млрд.