Южнокорейская SK hynix долгое время оставалась основным поставщиком памяти типа HBM3E для весьма востребованных рынком ускорителей Nvidia. Это позволило ей обойти по прибыли более крупную Samsung Electronics и в целом неплохо зарабатывать. Четвёртый квартал прошлого года стал рекордным для SK hynix с точки зрения финансовых результатов, операционная прибыль компании более чем удвоилась.
Источник изображения: SK hynix
Она достигла $13,5 млрд в пересчёте по курсу и заметно превысила ожидания аналитиков, увеличившись на 137 %. Выручка SK hynix в годовом сравнении выросла сразу на 66 % до $23 млрд, но в данном случае ожидания аналитиков были превышены только незначительно. И выручка, и операционная прибыль этого производителя памяти в четвёртом квартале оказались рекордными. Реализация HBM принесла SK hynix в прошлом квартале более чем в два раза больше выручки, чем годом ранее. По независимым оценкам, SK hynix сейчас занимает 61 % мирового рынка HBM. Если Samsung добьётся успеха в сегменте HBM4, то в этом году доля SK hynix сократится до 53 %. Сегмент HBM должен до 2030 года расти на 25 % в среднем, по прогнозам экспертов.
Источник изображения: Bloomberg
Что характерно, руководство SK hynix осознаёт, какое негативное влияние на рынок оказывает ИИ-бум. Из-за роста цен на память для смартфонов и ПК, по мнению представителей компании, а также её дефицита, темпы роста заказов в указанных сегментах будут отставать от остального рынка. Акции SK hynix выросли в цене на 6 % после публикации квартальной отчётности. Дефицит памяти на этапе наращивания объёмов выпуска HBM4 будет усиливаться, по мнению аналитиков. Представители Citigroup ожидают, что средние цены на DRAM в этом году вырастут на 120 %, а цены на NAND увеличатся на 90 %.
По итогам года в целом SK hynix выручили рекордные $68 млрд, операционная прибыль достигла $33 млрд, а чистая — $30 млрд, при этом норма прибыли выросла до 44 %. В сегменте DRAM выручка от реализации HBM более чем удвоилась. Классическую DRAM компания начала выпускать по шестому поколению техпроцесса 10-нм класса (1c). В серверном сегменте SK hynix начала предлагать модули DDR5 в исполнении RDIMM объёмом 256 Гбайт. В текущем году компания надеется ускорить переход на техпроцесс 1c при производстве DRAM, а также предлагать на рынке ИИ актуальные решения типа модулей SOCAMM2 и микросхем GDDR7. В сегменте NAND компания завершила разработку 321-слойной памяти типа QLC, а также добилась рекордной выручки от реализации флеш-памяти.