MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
Южнокорейская SK hynix долгое время оставалась основным поставщиком памяти типа HBM3E для весьма востребованных рынком ускорителей Nvidia. Это позволило ей обойти по прибыли более крупную Samsung Electronics и в целом неплохо зарабатывать. Четвёртый квартал прошлого года стал рекордным для SK hynix с точки зрения финансовых результатов, операционная прибыль компании более чем удвоилась.
Источник изображения: SK hynix
Она достигла $13,5 млрд в пересчёте по курсу и заметно превысила ожидания аналитиков, увеличившись на 137 %. Выручка SK hynix в годовом сравнении выросла сразу на 66 % до $23 млрд, но в данном случае ожидания аналитиков были превышены только незначительно. И выручка, и операционная прибыль этого производителя памяти в четвёртом квартале оказались рекордными. Реализация HBM принесла SK hynix в прошлом квартале более чем в два раза больше выручки, чем годом ранее. По независимым оценкам, SK hynix сейчас занимает 61 % мирового рынка HBM. Если Samsung добьётся успеха в сегменте HBM4, то в этом году доля SK hynix сократится до 53 %. Сегмент HBM должен до 2030 года расти на 25 % в среднем, по прогнозам экспертов.
Источник изображения: Bloomberg
Что характерно, руководство SK hynix осознаёт, какое негативное влияние на рынок оказывает ИИ-бум. Из-за роста цен на память для смартфонов и ПК, по мнению представителей компании, а также её дефицита, темпы роста заказов в указанных сегментах будут отставать от остального рынка. Акции SK hynix выросли в цене на 6 % после публикации квартальной отчётности. Дефицит памяти на этапе наращивания объёмов выпуска HBM4 будет усиливаться, по мнению аналитиков. Представители Citigroup ожидают, что средние цены на DRAM в этом году вырастут на 120 %, а цены на NAND увеличатся на 90 %.
По итогам года в целом SK hynix выручили рекордные $68 млрд, операционная прибыль достигла $33 млрд, а чистая — $30 млрд, при этом норма прибыли выросла до 44 %. В сегменте DRAM выручка от реализации HBM более чем удвоилась. Классическую DRAM компания начала выпускать по шестому поколению техпроцесса 10-нм класса (1c). В серверном сегменте SK hynix начала предлагать модули DDR5 в исполнении RDIMM объёмом 256 Гбайт. В текущем году компания надеется ускорить переход на техпроцесс 1c при производстве DRAM, а также предлагать на рынке ИИ актуальные решения типа модулей SOCAMM2 и микросхем GDDR7. В сегменте NAND компания завершила разработку 321-слойной памяти типа QLC, а также добилась рекордной выручки от реализации флеш-памяти.
Источники:
