Не секрет, что южнокорейская компания SK hynix является лидером рынка памяти типа HBM, контролируя примерно половину сегмента и обгоняя номинально более крупного производителя памяти в лице Samsung. По итогам минувшего квартала операционная прибыль SK hynix выросла до максимального уровня за шесть лет и сменила наблюдавшиеся год назад операционные убытки.

Источник изображения: SK hynix

Выручка SK hynix в прошлом квартале оказалась несколько выше ожиданий аналитиков, она достигла $11,86 млрд в пересчёте по текущему курсу, увеличившись на 124,7 % в годовом сравнении и на 32 % последовательно. Последнюю часть динамики руководство компании объясняет высоким спросом на память типа HBM и сохраняющейся тенденции к росту цен на микросхемы памяти в целом. Непосредственно на направлении HBM компания увеличила выручку более чем на 250 %.

Операционная прибыль компании во втором квартале достигла $3,96 млрд, завершившийся период стал для SK hynix уже третьим подряд кварталом без убытков, которые сохранялись на протяжении основной части прошлого года. Норма операционной прибыли достигла 33 %. Поставки HBM3E компания начала ещё в марте, но 12-ярусные микросхемы этого поколения SK hynix начнёт выпускать лишь в текущем квартале, чтобы к четвёртому наладить их поставки своим клиентам, в числе которых Nvidia наверняка займёт первое место по приоритету. В мае руководство SK hynix уже отмечало, что компания обеспечена заказами на поставку различных типов HBM до конца 2025 года.

По оценкам сторонних аналитиков, HBM к концу текущего года будет формировать до 20 % прибыли SK hynix. Во втором полугодии спрос на микросхемы памяти начнёт подогреваться устройствами, поддерживающими периферийные вычисления в рамках систем искусственного интеллекта — смартфонами и ПК нового поколения, как отмечают представители компании. Они также признают, что увеличение объёмов выпуска HBM вынуждает её сократить объёмы производства обычной DRAM. При этом величина капитальных затрат SK hynix по итогам года окажется выше, чем было заложено в прогноз в начале текущего года. Нехватка мощностей для выпуска DRAM сохранится и в следующем году. Поставлять 12-слойные микросхемы HBM4 компания рассчитывает со второй половины 2025 года. В текущем году более половины всех поставок HBM придётся на HBM3E в натуральном выражении. После публикации квартального отчёта SK hynix столкнулась со снижением курса акций на 6,7 %, но в большей степени это было продиктовано общей коррекцией рынка.

Ещё в марте появились первые новости о намерениях Nvidia в скором времени одобрить использование памяти типа HBM3E производства Samsung для оснащения своих ускорителей вычислений. Подобным правом давно пользуется SK hynix, недавно к ней присоединилась и Micron. На Computex 2024 основатель Nvidia был вынужден признать, что работа по сертификации продукции Samsung ведётся, но она ещё требует усовершенствования.

Источник изображения: LinkedIn

Это был первый внятный комментарий официальных представителей заинтересованных компаний по ситуации с сертификацией микросхем HBM3E марки Samsung для нужд Nvidia, но генеральный директор последней Дженсен Хуанг (Jensen Huang), как поясняет Bloomberg, при попытке журналистов вытянуть из него дополнительные комментарии по поводу недавней публикации Reuters на эту тему, просто дал понять, что ему нечего сказать в данном случае. При этом он признался, что процедура сертификации памяти HBM (обобщённо) марки Samsung действительно ведётся, но некоторая инженерная работа ещё не завершена. Сам глава компании хотел бы, чтобы всё было готово «ещё вчера», но в действительности Nvidia приходится запасаться терпением.

Напомним, что в недавней публикации Reuters говорилось о неудачной попытке Samsung пройти сертификацию своей памяти HBM3E по стандартам Nvidia, якобы из-за повышенного энергопотребления и тепловыделения соответствующих микросхем. Глава Nvidia специфику существующих проблем пояснять не стал, но дал понять, что определённую работу ещё предстоит проделать. Представители Samsung своё недовольство подобными слухами тоже выражали, но в не очень конкретных формулировках, которые не позволяли судить об истинном положении дел.

На уходящей неделе агентство Reuters сообщило, что по состоянию на апрель этого года микросхемы HBM3 и HBM3E производства Samsung Electronics так и не смогли пройти квалификационные тесты Nvidia, и в результате данная продукция корейской марки до сих пор не может использоваться для оснащения ускорителей вычислений американского партнёра. Samsung данную информацию попыталась опровергнуть.

Источник изображения: Samsung Electronics

Сделано это было, если опираться на публикацию Business Korea, в весьма неопределённых формулировках. «Мы в настоящее время тесно работаем с многими компаниями и непрерывно тестируем технологии и производительность продукции. Мы проводим различные тесты, чтобы тщательно подтверждать качество и быстродействие HBM», — гласило заявление представителей Samsung Electronics. Компания подчеркнула, что стремится улучшать качество и надёжность всей продукции, чтобы обеспечить клиентов наилучшими решениями.

Поскольку HBM3E или даже HBM3, а также имя Nvidia в этом контексте непосредственно не упоминались, по заявлениям Samsung сложно сформировать представление об истинном положении дел с сертификацией данных типов памяти для нужд американского клиента. В прошлом месяце Samsung приступила к массовому производству 8-ярусных стеков HBM3E, к производству 12-ярусных она намеревается приступить до конца текущего квартала. «Мы предпринимаем усилия по обеспечению качества и повышения надёжности всех своих продуктов», — отметили представители Samsung Electronics.

Производство микросхем HBM требует большого количества кремниевых пластин не только по причине большой общей площади кристаллов, но и из-за достаточно высокого уровня брака. Если исторически уровень выхода годных кристаллов при выпуске HBM не превышал 40–60 %, то SK hynix удалось поднять показатель до 80 %.

Источник изображения: SK hynix

Об этом в интервью Financial Times заявил директор по управлению качеством SK hynix Квон Чжэ Сун (Kwon Jae-soon). Одновременно компании удалось сократить длительность производственного цикла HBM3E на 50 %. До сих пор считалось, что уровень выхода годной продукции HBM3E при производстве SK hynix не превышал 60–70 %, но и это считалось весьма приличным показателем. Заявляемый же уровень в 80 % превосходит эти ожидания и демонстрирует успех SK hynix в оптимизации своих производственных процессов.

В 2025 году SK hynix рассчитывает освоить массовое производство памяти HBM4 в 12-ярусном исполнении, её партнёром в этой сфере выступает тайваньская TSMC. Конкурирующая Samsung рассчитывает освоить выпуск памяти этого поколения только в 2026 году. К тому времени SK hynix уже собирается наладить выпуск 16-ярусных стеков HBM4.

Упоминая о планах Samsung наладить поставки 12-ярусных стеков HBM3E в текущем полугодии, представитель SK hynix отметил, что клиентами компании сейчас наиболее востребованы именно 8-ярусные стеки HBM3E, поэтому на их производстве компания и сосредоточена в настоящее время. Сама SK hynix собирается начать поставки 12-ярусных стеков HBM3E в третьем квартале.

После мартовской конференции GTC 2024 в Сети стала часто мелькать фотография со стенда Samsung Electronics с одобрительной резолюцией главы Nvidia рядом с образцами 12-ярусной памяти типа HBM3E. Многие поверили, что это приближает память этой марки к массовому использованию в ускорителях Nvidia, но источники Reuters заверяют, что эта продукция корейской компании до сих пор не устраивает по своим характеристикам потенциального заказчика.

Источник изображения: Samsung Electronics

По крайней мере, апрельский этап сертификационных тестов предоставленные Samsung образцы 8- и 12-ярусной памяти HBM3E, а также более зрелой HBM3 всё равно провалили, поскольку демонстрировали более высокий уровень энергопотребления и тепловыделения, чем нужно Nvidia. Попытки пройти эти тесты Samsung предпринимает с прошлого года, но пока они так и не завершились успехом. Между тем, Samsung собирается начать поставки 12-слойных микросхем HBM3E заказчикам до конца следующего месяца, потенциально опережая лидирующую в этом сегменте SK hynix. В то же время, Micron Technology уже заявила, что её микросхемы HBM3E будут поставляться для нужд Nvidia в этом году. По сути, являясь крупнейшим производителем большинства типов памяти в мире, Samsung до сих пор не может стать поставщиком HBM3 и HBM3E для нужд Nvidia.

Не исключено, что недавняя смена руководства в подразделении Samsung Electronics, отвечающем за выпуск полупроводниковой продукции, как раз является последствием проблем южнокорейской компании с удовлетворением потребностей Nvidia. При этом Samsung начала коммерческие поставки HBM первого поколения ещё в 2015 году, и её нельзя назвать новичком в этом сегменте рынка. Первопроходцем, тем не менее, остаётся SK hynix, которая разработку HBM завершила в 2013 году.

Как добавляет Financial Times со ссылкой на руководителя SK hynix по контролю за качеством Квон Чжэ Суна (Kwon Jae-soon), этот производитель сейчас считает приоритетной задачей наращивать объёмы выпуска 8-слойной памяти HBM3E, как наиболее востребованной клиентами. Компании удалось поднять уровень выхода годной продукции в сегменте HBM3E до солидных 80 %, а время производственного цикла сократить на 50 %. Именно борьба с браком обеспечивает бизнес компании на этом направлении необходимыми финансовыми ресурсами и создаёт основу для дальнейшего успешного развития. HBM4 компания разрабатывает в сотрудничестве с TSMC и рассчитывает выпустить в 2025 году, на год раньше Samsung. С этой точки зрения готовность последней наладить поставки 12-ярусных стеков HBM3E к концу полугодия SK hynix не особо беспокоит.

Экспансию производства памяти типа HBM с не совсем очевидной стороны попробовали оценить аналитики TrendForce. По их мнению, к концу этого года на производство HBM будут уходить до 35 % кремниевых пластин, обрабатываемых с использованием передовой литографии, применяемых для выпуска оперативной памяти (DRAM).

Источник изображения: Micron Technology

Если рассматривать техпроцессы 10-нм класса в целом, то они к концу года, по мнению специалистов TrendForce, будут использоваться для обработки до 40 % кремниевых пластин, используемых при производстве памяти DRAM. Как можно понять, основная часть таких пластин будет направляться в производство HBM. Во-первых, при выпуске HBM не так уж высок уровень выхода годной продукции, он сейчас составляет 50 или 60 % от силы. Во-вторых, кристаллы чипов памяти HBM имеют на 60 % большую площадь по сравнению с другими популярными типами DRAM, поэтому с одной пластины можно получить меньше чипов HBM, пригодных для использования по назначению. Соответственно, для выпуска памяти HBM по этой причине требуется больше кремниевых пластин. Если 35 % передовых пластин к концу года будут использоваться при производстве HBM, то оставшиеся 65 % распределят между собой LPDDR5X и DDR5.

Более того, эксперты TrendForce считают, что HBM3E в этом году успеет стать доминирующим на конвейере типом памяти HBM. Компании SK hynix и Micron её уже выпускают в массовых количествах для Nvidia, используя техпроцессы 10-нм класса типа «бета» для обработки кремниевых пластин. Компания Samsung Electronics готовится начать поставки своей памяти HBM3E для нужд Nvidia в середине текущего года. Она будет использовать техпроцессы 10-нм класса типа «альфа» для обработки соответствующих кремниевых пластин.

Спрос на кремниевые пластины при выпуске DRAM растёт ещё и по причине повышения среднего объёма памяти в удельном выражении на одно устройство. Больше всего тенденция выражена в серверном сегменте, где средний объём ОЗУ для сервера достиг 1,75 Тбайт из-за высокой популярности систем искусственного интеллекта. К концу текущего года, помимо прочего, DDR5 начнёт доминировать на рынке ОЗУ, перевалив за 50 % в показателях доли рынка.

Во втором полугодии вырастет сезонный спрос как на HBM3E, так и на DDR5 и LPDDR5X. При этом производители памяти будут осторожно наращивать свои мощности после ударившего по ним в прошлом году кризиса перепроизводства. Поскольку больше кремниевых пластин будет требоваться для выпуска HBM3E, то может возникнуть дефицит сырья для производства DDR5 и LPDDR5X. Цены на два последних типа памяти могут в результате вырасти.

Производители DRAM при этом могут столкнуться с полной загрузкой своих существующих предприятий к концу этого года, а планы по расширению мощностей они будут реализовывать лишь в следующем, поэтому в какой-то момент может сложиться дефицит мощностей по выпуску микросхем DRAM. Ускорители вычислений типа Nvidia GB200, оснащаемые 384 Гбайт памяти HBM3E в максимальной конфигурации, будут только усиливать спрос на память соответствующего типа. Разработка HBM4 тоже будет поддерживать тенденцию к росту спроса на кремниевые пластины, поэтому нехватка мощностей может стать серьёзной проблемой для производителей прочих типов DRAM. Финансировать же строительство новых линий они готовы лишь в том случае, если цены на память будут достаточно высокими, чтобы получать подходящую для этого прибыль.

Выступая на конференции Nvidia GTC 2024 в марте, гендиректор компании Дженсен Хуанг (Jensen Huang) не скрывал своего энтузиазма в отношении чипов памяти HBM — он называл их «технологическим чудом» и неотъемлемой частью революции искусственного интеллекта. Эти чипы Nvidia закупает у корейской SK hynix, но поскольку спрос на ИИ-ускорители продолжает расти, расширяется и список поставщиков. Это вызывает ожесточённую конкуренцию среди производителей чипов памяти за перспективный источник дохода, пишет Nikkei.

Источник изображения: skhynix.com

Явным лидером сегмента HBM является SK hynix, удерживающая более половины мирового рынка, но её стремятся догнать Samsung и Micron, соревнуясь с лидером в технологиях, по цене и другим критериям. Если упростить, HBM — это несколько чипов DRAM (Direct Random-Access Memory), объединённых с помощью технологии 3D-монтажа для увеличения производительности и эффективности. Конкурентоспособность производителей такой памяти определяется не только качеством чипов DRAM, но и передовыми методами их объединения, а это непростая задача, ведь если хотя бы на одном из уровней возникает проблема, в негодность приходит весь продукт. Важнейшей характеристикой при выпуске HBM становится показатель выхода годной продукции.

Три крупнейших игрока рынка памяти делают ставку на HBM, поскольку здесь достигается значительная ценовая надбавка: эта память стоит примерно впятеро дороже DDR5 — самого продвинутого типа DRAM в ПК. По итогам текущего года, считают аналитики, доля HBM на рынке DRAM составит уже 20 % в денежном выражении, а в 2025 году вырастет до 30 %. SK hynix уверена, что сможет сохранить лидерство за счёт своей технологии объединения чипов памяти MR-MUF (Advanced Mass Reflow Molded Underfill). Первый в мире компонент HBM компания разработала ещё десять лет назад для использования в видеоиграх, но востребованным этот тип памяти стал лишь с появлением генеративного ИИ. Последняя версия в этом сегменте — HBM3e, которую Nvidia намеревается внедрить в этом году.

Источник изображения: samsung.com

Доля SK hynix на мировом рынке HBM по итогам 2024 года составит 52 %, считают аналитики Trendforce. Samsung станет второй с показателем 42,4 %, а Micron достанутся лишь 5 % рынка. Для Samsung, привыкшей идти впереди своего меньшего соотечественника, это некоторый повод для беспокойства — сейчас она активно старается наверстать упущенное и намеревается начать поставки чипов HBM3e во II квартале. Это даст ей шанс опередить SK hynix, которая собирается наладить поставки этих чипов Nvidia только в III квартале. В руководстве Samsung сообщили, что вывод HBM3e на рынок идёт без сбоев и в соответствии с графиком клиента. Имя клиента корейский производитель не назвал, но в марте Nvidia сама подтвердила, что тестирует образцы HBM от Samsung.

Но технологическая разница между чипами памяти SK hynix и Samsung всё же существует и сохранится ещё какое-то время. Есть ещё один претендент, на которого стоит обратить внимание. В феврале американская Micron запустила массовое производство чипов HBM3e — они потребляют значительно меньше, чем продукция конкурентов, и также будут использоваться в ускорителях Nvidia H200. Бум ИИ пошёл на пользу Micron, которая вернулась к прибыльности на квартал раньше запланированного срока из-за роста спроса на ИИ-серверы. Недавно компания похвасталась, что уже распродала всю память HBM3e, которую выпустит в 2024 году и распределила значительную часть заказов на 2025 год.

К сегменту HBM присматриваются и другие участники рынка. Powertech, крупнейший в мире поставщик услуг по упаковке и тестированию чипов памяти, считает, что в перспективе HBM будет использоваться даже в ПК и бытовой электронике. В компании Globalwafers, третьем по величине производителе кремниевых пластин в мире, считают, что во второй половине текущего года HBM станет одним из ключевых направлений роста, а в перспективе она вообще изменит отрасль памяти. Но есть и другое мнение: приход Samsung на рынок HBM3e может уже в 2025 году спровоцировать кризис перепроизводства, считает аналитик Kiwoom Securities Пак Ю Ак (Pak Yu-ak).

По данным TrendForce, уже сейчас покупатели HBM ведут с поставщиками переговоры о ценах и объёмах поставок памяти данного типа на 2025 год, и в это легко поверить, оглядываясь на заявление SK hynix о распределении основной части производственных квот на следующий год. По прогнозам аналитиков, в этом году спрос на HBM вырастет на 200 %, а в следующем удвоится от этого уровня.

Источник изображения: SK hynix

В прошлом году на долю HBM приходилось 2 % мирового объёма производства DRAM в натуральном выражении, а в стоимостном доля достигала 8 %, поскольку одна микросхема HBM в среднем в пять раз дороже DDR5. В текущем году в программе выпуска DRAM память типа HBM может занять 5 % в натуральном измерении, а в стоимостном её доля может перевалить за 20 %, как считают эксперты TrendForce. Наконец, в следующем году HBM будет формировать более 10 % объёмов производства DRAM в натуральном измерении, а в стоимостном выражении её доля превысит 30 %.

В этом квартале, как сообщает источник, поставщики предварительно увеличили стоимость микросхем памяти HBM2E, HBM3 и HBM3E на 5–10 % для контрактов со сроком поставки в 2025 году. Как уже отмечали недавно SK hynix, Samsung Electronics и Micron Technology, все три компании готовы начать поставки микросхем HBM3E в текущем полугодии, просто в случае с Micron это будут только восьмиярусные стеки, а два других производителя готовы предложить 12-ярусные. Пока уровень выхода годной продукции при выпуске микросхем HBM3E не превышает 40–60 %, но с течением времени увеличатся объёмы производства, вырастет качество, а цены снизятся. Пока память типа HBM3E используется преимущественно в ускорителях вычислений Nvidia, но с четвёртого квартала этого года к ним присоединятся и ускорители AMD, причём сразу потребляя 12-ярусные стеки.

Южнокорейская SK hynix пока остаётся главным поставщиком микросхем памяти типа HBM для нужд Nvidia, но ей пытаются составить конкуренцию и Samsung Electronics, и Micron Technology. Корейские СМИ сообщают, что Nvidia стимулирует обострение конкуренции между поставщиками HBM, стремясь получить более выгодные для себя цены на их продукцию.

Источник изображения: SK hynix

Напомним, недавно из уст представителей SK hynix прозвучали обещания начать поставки образцов 12-ярусных стеков HBM3E своим клиентам, а в третьем квартале приступить к их массовому производству. Подобная активность в информационном поле, как считают представители Business Korea, связана с действиями компании Nvidia, которая не особо скрывает намерения конкурирующих поставщиков HBM от друг друга, пытаясь обострить соперничество и тем самым добиться более выгодных для себя условий закупки.

Недавний визит председателя совета директоров SK Inc. Чэй Тэ Вона (Chey Tae-won) в США, который в конце апреля встретился с главой и основателем Nvidia Дженсеном Хуангом (Jensen Huang), как принято считать, был связан как раз с этой темой. Конкурирующая Samsung Electronics начать поставки 12-ярусной HBM3E пообещала до конца текущего полугодия, поэтому SK hynix позже пришлось раскрыть свои аналогичные намерения. Не осталась в стороне даже Micron, которая пока способна выпускать только 8-ярусные стеки HBM3E, но от соответствующих заявлений не воздерживается. По словам корейских источников, все эти действия поставщиков HBM могут быть вызваны активностью Nvidia, которая сильнее давит на них как в графике начала поставок новейшей памяти, так и в вопросах цены.

В конце февраля южнокорейская компания SK hynix уже заявляла, что фактически обеспечена заказами на выпуск памяти типа HBM до конца текущего года. Сезон квартальных отчётов заставил компанию поднять ставки, заявив о наличии заказов вплоть до конца 2025 года, попутно пообещав начать поставки новейшей HBM3E в третьем квартале текущего года.

Источник изображения: SK hynix

К массовому производству микросхем HBM3E компания приступит в следующем квартале, как отмечается в свежем заявлении SK hynix. Производитель по-прежнему считает, что объёмы выпуска HBM будут увеличиваться в среднем на 60 % в ближайшие годы. По традиции, собственные инвестиции SK hynix в расширение производства памяти распланированы вплоть до 2046 года, и к этому сроку компания собирается вложить $91 млрд в развитие крупнейшего комплекса по производству памяти в Йонъине. На первом этапе на строительство нового предприятия, которое войдёт в состав нового комплекса, планируется потратить около $14,5 млрд. Ещё $3,87 млрд будет вложено в строительство предприятия по тестированию и упаковке памяти в штате Индиана. Как пояснили на этой неделе представители SK hynix, финансировать эти проекты компания рассчитывает преимущественно за счёт собственных средств, поскольку рассчитывает на пропорциональный рост прибыли.

Ситуация с расширением производства HBM руководству SK hynix нравится тем, что заказы клиентов растут предсказуемо, и это позволяет более чётко планировать строительство новых предприятий. По крайней мере, у компании появляется больше уверенности, что новые линии по выпуску HBM окажутся загружены работой, тогда как традиционный рынок DRAM в целом более непредсказуем с точки зрения колебания спроса и предложения.

Поставки образцов новейшей 12-ярусной памяти типа HBM3E своим клиентам, главным из которых остаётся Nvidia, компания SK hynix начнёт в мае текущего года, а в третьем квартале приступит к её массовому производству. К 2028 году, как считают в SK hynix, доля микросхем памяти для систем искусственного интеллекта, включая HBM и DDR, в стоимостном выражении достигнет 61 % всех поставок продукции этой марки. В прошлом году этот показатель не превышал 5 %, так что нет ничего удивительного в том, что заказами на поставку HBM компания теперь обеспечена вплоть до конца следующего года.

Успех SK hynix в качестве главного поставщика памяти типа HBM был накануне подтверждён финансовой отчётностью компании, тогда как более крупный конкурент в лице Samsung Electronics в этом сегменте рынка остаётся на вторых ролях. Впрочем, это не помешало ему заключить контракт на поставку HBM3E с компанией AMD на сумму $3 млрд.

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этой сделке сообщает TrendForce со ссылкой на южнокорейские СМИ. По их данным, во второй половине текущего года AMD рассчитывает выпустить ускорители вычислений Instinct MI350, и Samsung будет снабжать их своими 12-ярусными микросхемами памяти типа HBM3E. Сообщается, что сделка предполагает своего рода «бартер»: часть микросхем памяти будет обменяна на ускорители AMD. Выпускать непосредственно чипы ускорителей Instinct MI350 будет компания TSMC по 4-нм технологии. Кроме того, AMD ведёт переговоры с Samsung на тему контрактного производства своих чипов, но указанный контракт на поставку HBM3E никак к данной теме не относится.

Ещё в октябре 2023 года компания Samsung представила микросхемы HBM3E семейства Shinebolt, а в феврале текущего продемонстрировала их в 12-ярусном исполнении, позволяющем формировать в одном стеке до 36 Гбайт памяти этого типа. Массовое производство подобных чипов начнётся во второй половине 2024 года. Они в полтора раза увеличивают пропускную способность, до 1280 Гбайт/с. Высота 12-ярусных чипов за счёт использования более прогрессивной технологии упаковки остаётся на уровне 8-ярусных чипов прежнего поколения. Двенадцатиярусные стеки памяти поднимают быстродействие в задачах искусственного интеллекта на 34 % в среднем по сравнению с 8-ярусными.

Квартальный отчёт южнокорейской компании SK hynix был интересен тем, что она впервые за пять предыдущих кварталов получила чистую прибыль, а рост выручки превзошёл ожидания аналитиков и составил 144 %. Очевидно, что подобной динамике финансовых показателей компании способствовал высокий спрос на память типа HBM, хотя и в сегменте NAND наблюдались признаки восстановления.

Источник изображения: SK hynix

Выручка SK hynix достигла $9 млрд, что является максимальным значением со второго квартала 2022 года. Операционная прибыль достигла $2,1 млрд, существенно превзойдя ожидания аналитиков и продемонстрировав второй по величине результат за всю историю существования компании. Темпы роста выручки SK hynix в прошлом квартале оказались максимальными с 2010 года.

SK hynix намеревается увеличить капитальные затраты в этом году и нарастить объёмы поставок передовой памяти HBM3E, а также наладить поставки микросхем DDR5 высокой ёмкости для серверного применения. В более традиционных сегментах рынка памяти, по мнению представителей компании, спрос начнёт восстанавливаться во второй половине текущего года.

По прогнозам аналитиков Counterpoint Research, в этом году норма прибыли SK hynix превысит 20 %, а выручка компании достигнет $44,3 млрд. Как ранее отмечали представители SK hynix, в ближайшие годы спрос на память семейства HBM будет расти на 60 % ежегодно. В сотрудничестве с TSMC она рассчитывает начать поставки HBM4 в 2026 году. Помимо новых предприятий в Южной Корее, SK hynix собирается построить предприятие и исследовательский центр в штате Индиана. Компания сейчас ведёт переговоры с рядом клиентов о заключении долгосрочных контрактов на поставку памяти семейства HBM.

Что характерно, содержащий в целом позитивные сигналы квартальный отчёт SK hynix не предотвратил снижения курса акций компании на 3,9 %, поскольку на настроение инвесторов в большей степени повлиял негативный прогноз, прозвучавший из уст представителей Meta✴ Platforms. Акции прочих производителей чипов на азиатских фондовых рынках тоже устремились вниз после открытия торгов утром в четверг.

Ещё по итогам мартовской конференции GTC 2024, если верить публикации в социальной сети LinkedIn главы американского представительства Samsung Electronics, основатель Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang) одобрил использование микросхем памяти типа HBM3E этой корейской марки своими ускорителями вычислений. Теперь стало известно, что их поставки могут начаться до конца текущего полугодия.

Источник изображения: LinkedIn

Новости на эту тему в минувшую пятницу опубликовал южнокорейский ресурс Maeil Business Newspaper. Сейчас, как уточняет источник, микросхемы HBM3E компании Samsung в 8- и 12-ярусном исполнении проходят последние фазы тестирования, и серийные поставки для нужд Nvidia могут начаться уже до конца первого полугодия. Если учесть, что аналитики предрекали начало поставок либо в третьем квартале, либо даже в четвёртом, то подобный сценарий на этом фоне кажется более оптимистичным.

Способность Nvidia использовать 12-слойные стеки памяти типа HBM3E позволит компании увеличить объём памяти своих ускорителей вычислений, по этой причине продукция Samsung должна быть ею востребована. Кроме того, наличие в ассортименте продукции этого поставщика 8-слойных микросхем HBM3E позволит Nvidia претендовать на более привлекательные цены за счёт усиления конкуренции с SK hynix. В целом, во втором полугодии это может привести к снижению цен на микросхемы памяти HBM3E.

До сих пор перспективы сотрудничества Nvidia и Samsung в сфере использования памяти типа HBM3 или HBM3E в основном обсуждались на уровне слухов, но основатель первой из них, Дженсен Хуанг (Jensen Huang), на недавней пресс-конференции подчеркнул, что Nvidia готова сотрудничать как с SK hynix, так и с Samsung, и сейчас проводит сертификацию памяти последней.

Источник изображения: Samsung Electronics

По данным Nikkei Asian Review, Дженсен Хуанг пояснил, что HBM является очень сложным в производстве видом памяти, но её ценность высока. По его словам, Nvidia тратит много денег на закупку HBM. «Samsung является очень, очень хорошей компанией», — высказался основатель Nvidia. Микросхемы класса HBM этой марки, по его словам, Nvidia уже подвергает сертификации, и в будущем начнёт их использовать. До этого SK hynix была основным поставщиком современных типов памяти HBM для нужд Nvidia, как уже не раз отмечалось.

Назвав микросхемы HBM «технологическим чудом», глава Nvidia пояснил, что они позволяют улучшить энергоэффективность центров обработки данных, потребляя меньше электроэнергии в удельном выражении по сравнению с классической DRAM. Представители SK hynix подтвердили, что микросхемы HBM3E этой марки будут использоваться при оснащении ускорителей вычислений Nvidia семейства Blackwell. Производство HBM3E компания SK hynix уже освоила, и к поставкам профильных изделий приступит в ближайшее время.

«Есть невероятный потенциал модернизации для Samsung и SK hynix», — заявил глава Nvidia. Обе компании будут расти синхронно с бизнесом самой Nvidia, по его словам. Сотрудничеством с Samsung и SK hynix Дженсен Хуанг очень дорожит, как он признался на пресс-конференции.

Южнокорейская компания SK hynix с момента выпуска памяти HBM первого поколения оставалась основным поставщиком соответствующих микросхем для нужд AMD и Nvidia, а уже после сегодняшнего анонса ускорителей Nvidia B200 решила не скрывать своих намерений начать массовые поставки микросхем HBM3E, которые уже относятся к пятому поколению. В конце этого месяца крупный клиент SK hynix начнёт получать от компании микросхемы HBM3E.

Источник изображения: SK hynix

Легко догадаться, что этим клиентом будет Nvidia, хотя прямых ссылок на этого партнёра в тексте пресс-релиза SK hynix нет. Зато корейский производитель упоминает о той самой технологии MR-MUF (массовой оплавки изоляционного слоя с частичным заполнением формы), которая позволяет на 10 % улучшить условия теплоотвода от микросхем HBM3E и повысить уровень выхода годной продукции по сравнению с альтернативной технологией NCF, подразумевающей использование изолирующей плёнки для разделения кристаллов памяти в стеке. Напомним, что Samsung интересуется внедрением первой из этих технологий при производстве памяти HBM3E своими силами, поскольку рассчитывает за счёт этого не только увеличить объёмы выпуска продукции, но и завоевать благосклонность Nvidia на этапе сертификации своей памяти.

Память HBM3E, которую начала массово выпускать компания SK hynix, способна передавать информацию со скоростью 1,18 Тбайт в секунду. По данным SK hynix, эта компания первой в мире освоила серийное производство микросхем памяти типа HBM3E. Память четвёртого поколения (HBM3) она тоже начала выпускать первой. Предметом особой гордости SK hynix является тот факт, что разработку HBM3E она анонсировала только семь месяцев назад, и в сжатые сроки смогла наладить массовое производство одноимённых микросхем.