Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Samsung готова сбить цены, чтобы перехватить у SK hynix заказы Nvidia на память HBM
21.08.2025 [12:41],
Алексей Разин
Проблемы Samsung с сертификацией своей памяти HBM3E под нужды Nvidia давно известны, но компания не оставляет попыток получить заказы этого клиента даже на фоне скорого начала выпуска HBM4. Предполагается, что Samsung попытается привлечь Nvidia за счёт скидок, достигающих 30 % по сравнению с предложениями SK hynix. 
Источник изображения: Samsung Electronics Во-первых, как отмечает Sedaily, ещё в прошлом месяце Samsung удалось пройти квалификационные тесты Nvidia для ранних прототипов памяти HBM4, и в конце текущего месяца начнётся выпуск их предсерийных версий. Если и они удовлетворят требованиям Nvidia, то к производству серийных чипов HBM4 компания Samsung рассчитывает приступить уже в ноябре, сократив своё технологическое отставание от SK hynix. Американская Micron ещё в июне сообщила о начале поставок образцов HBM4 своим клиентам. Во-вторых, к концу месяца Samsung может получить долгожданное одобрение на поставку HBM3E для нужд Nvidia, и это событие также способно повлиять на взаимоотношения заказчика с SK hynix. По крайней мере, свои чипы HBM3E компания Samsung готова предлагать по цене на 20–30 % ниже, чем у SK hynix. В этой ситуации Nvidia намерена дождаться результатов сертификационных испытаний микросхем HBM3E и HBM4 производства Samsung, прежде чем заключать контракт с SK hynix на определённых ценовых условиях. Аналитики TrendForce предполагают, что маркетинговая политика Samsung в этом смысле приведёт к снижению цен на память класса HBM в следующем году. Ходят слухи, что Nvidia участвует в разработке собственных базовых кристаллов для HBM4, которые будут адаптированы под нужды крупнейших покупателей ускорителей вычислений. Вероятно, образцы базовых кристаллов для Nvidia кто-то из её подрядчиков начнёт выпускать по 3-нм технологии во второй половине 2027 года. После успеха с Tesla компания Samsung намерена привлечь других крупных заказчиков
31.07.2025 [11:05],
Алексей Разин
Попытки Samsung Electronics сохранить в секрете имя крупного заказчика, сделка с которым позволит выручить $16,5 млрд, разбилась об импульсивность Илона Маска (Elon Musk), который заявил, что корейский подрядчик будет выпускать чипы AI6 для Tesla. Представители Samsung на этой неделе добавили, что надеются привлечь и других крупных клиентов к своему контрактному бизнесу по выпуску чипов. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как отмечает Reuters, вице-президент Samsung Electronics Но Ми Чжун (Noh Mi-jung) после оглашения квартальной отчётности лишь отметила, что упоминаемая выше сделка с безымянным заказчиком должна позволить компании привлечь дополнительных клиентов. Она также добавила, что новое предприятие Samsung в Техасе начнёт выпускать продукцию в следующем году. Напомним, контракт с Tesla подразумевает поставки чипов AI6 с этого предприятия до 2033 года включительно. При производстве чипов AI6 будет использоваться 2-нм техпроцесс, однако нельзя однозначно утверждать, что именно этот вид продукции предприятие в Тейлоре начнёт выдавать уже в следующем году. Ситуация с поставками HBM3E для нужд Nvidia комментариев со стороны руководства Samsung после публикации квартальной отчётности не удостоилась, но вице-президент компании хотя бы отметила, что объёмы поставок HBM3E растут быстрее, чем спрос, а потому это формирует условия для предстоящего снижения цен. Samsung уже начала предоставлять своим клиентам образцы памяти HBM следующего поколения, в котором угадывается HBM4, но массовые поставки будут развёрнуты только в следующем году. Ситуация в полупроводниковой отрасли во втором полугодии в целом улучшится, как ожидает Samsung, хотя бы в силу достижения властями США и Южной Кореи о сохранении таможенных пошлин на уровне 15 % вместо обещанных ранее 25 %. При этом на рынке смартфонов будет наблюдаться некоторое охлаждение, поскольку многие покупатели просто спешили закупиться в первом полугодии до вступления в силу повышенных тарифов в США. На рынке телевизионной техники геополитические факторы также сулят снижение спроса во втором полугодии. HBM скоро утратит статус «золотой жилы»: передовой памяти спрогнозировали падение цен
18.07.2025 [11:21],
Алексей Разин
Первые попытки найти применение памяти HBM в сегменте игровых видеокарт быстро уступили активному её использованию в ускорителях вычислений, и на фоне бума искусственного интеллекта цены на эту память только росли. Теперь же аналитики Goldman Sachs высказывают опасение, что в следующем году цены на HBM снизятся более чем на 10 процентов. 
Источник изображения: SK hynix Именно в следующем году, по мнению аналитиков, предложение на рынке HBM в мировых масштабах наконец-то начнёт превышать спрос. Это будет способствовать тому, что средние цены реализации памяти данного семейства начнут снижаться. В ближайшее время рынок HBM снизит темпы роста с прежних 45 % в год до 25 %. В частности, по итогам текущего года его ёмкость ограничится $36 млрд, а в следующем вырастет только до $45 млрд вместо заложенных в прежний прогноз $51 млрд. По мнению аналитиков TrendForce, в следующем году средние цены реализации HBM всё же вырастут, поскольку на рынок выйдет более современная и дорогая HBM4. Снижение цен если и будет наблюдаться, то только в сегменте более дешёвых типов памяти. Специалисты Goldman Sachs добавляют, что два последовательных поколения ускорителей вычислений Nvidia будут использовать идентичный объём памяти, по 288 Гбайт HBM3E в случае с B300 и HBM4 в случае с Rubin соответственно. По этой причине общая потребность в микросхемах памяти подобного типа не будет заметно увеличиваться. Не исключено, что доля SK hynix на рынке HBM в следующем году начнёт сокращаться, поскольку по мере насыщения сегмента на него выйдут и конкурирующие компании, включая китайские. Последние уже к концу следующего года начнут выпускать HBM3. По крайней мере, позиции SK hynix на внутреннем рынке КНР из-за этого пошатнутся. Samsung со следующего года также сможет ежегодно увеличивать поставки HBM на 20 %. Прибыль Samsung должна упасть впервые с 2023 года, причём сразу на 56 %
08.07.2025 [08:49],
Алексей Разин
Аналитики традиционно предвосхищают официальные заявления Samsung Electronics по поводу предварительных итогов минувшего фискального квартала, сама компания накануне призналась, что её операционная прибыль по итогам прошлого периода не превысит $3,3 млрд. Это соответствует снижению на 56 % в годовом сравнении, отрицательная динамика показателя будет в целом наблюдаться впервые с 2023 года. 
Источник изображения: Samsung Electronics Эксперты в среднем рассчитывали на снижение операционной прибыли на 39–41 % до $4,57 млрд, поэтому собственные ожидания Samsung оказались даже более пессимистичными. Выручка компании, как она ожидает, по итогам прошлого квартала не превысила $54,1 млрд, тогда как аналитики рассчитывали на сумму в районе $55,2 млрд. Подробную отчётность за минувший квартал компания должна опубликовать ближе к концу текущего месяца. Принято считать, что неспособность Samsung сертифицировать свою память типа HBM3E для использования в составе ускорителей вычислений Nvidia серьёзным образом подрывает её финансовые показатели. Опрошенные Bloomberg аналитики считают, что полупроводниковый бизнес Samsung по итогам прошлого квартала получил операционную прибыль в размере $1,98 млрд. Это более чем в два раза превышает операционную прибыль подразделения в первом квартале, но в те же два с лишним раза меньше показателя годичной давности. Что характерно, представители Samsung такую динамику объяснили влиянием американских санкций, которые мешают ей поставлять передовые чипы памяти в Китай. В апреле руководство Samsung выражало надежду, что «ключевые клиенты» смогут приступить к массовым закупкам обновлённых чипов HBM3E со второго квартала, а к серийному производству HBM4 компания рассчитывала приступить в текущем полугодии. Даже в этой сфере Samsung приходится выступать в роли догоняющего, поскольку SK hynix уже начала отгружать клиентам образцы 12-ярусных стеков HBM4 ещё в прошлом полугодии, и к июню к ней присоединилась американская Micron Technology. Формально, Samsung снабжает своими чипами типа HBM3E компанию AMD, но доля последней на рынке ускорителей вычислений несопоставима с Nvidia, поэтому рассчитывать на серьёзный объём выручки в данной сфере деятельности корейский производитель памяти пока не может. Эксперты Bernstein ухудшили прогноз по занимаемой Samsung доле рынка памяти типа HBM, поскольку теперь ожидают, что сертификация HBM3E этой марки для нужд Nvidia состоится в текущем квартале, а не предыдущем. Как минимум до 2027 года включительно лидером будет оставаться SK hynix, но Samsung будет пытаться укреплять свои позиции. Текущий год SK hynix завершит с долей в 57 %, на втором месте уже окажется Samsung с 27 %, а Micron будет довольствоваться 16 % рынка HBM в целом. Во вторник утром акции Samsung упали в цене на 1,13 % после публикации неутешительного прогноза по операционной прибыли за прошлый квартал. SK hynix поможет Intel интегрировать передовую память HBM4 в ускорители Jaguar Shores
02.07.2025 [12:43],
Алексей Разин
Компании SK hynix и Nvidia могут похвастать впечатляющими итогами сотрудничества при разработке ускорителей второй из них, оснащаемых памятью класса HBM первой. Благодаря такому сотрудничеству SK hynix сейчас занимает половину мирового рынка HBM и стремительно наращивает выручку. Intel решила заручиться поддержкой SK hynix на этапе внедрения HBM4 в свои ускорители вычислений. 
Источник изображения: SK hynix Как отмечает TrendForce со ссылкой на корейское издание Newsis, на мероприятии Intel AI Summit вице-президент SK hynix Чжон У Сок (Jung Woo-seok) заявил, что эта южнокорейская компания будет сотрудничать с Intel в сфере интеграции некоей памяти типа HBM в ускорители Gaudi. Представленные в 2024 году ускорители Gaudi 3 используют память типа HBM2E, поэтому в случае с их преемниками с условным обозначением Jaguar Shores речь может идти уже о микросхемах памяти типа HBM4. При этом представители SK hynix отказались напрямую комментировать, будет ли компания сотрудничать с Intel именно в сфере интеграции HBM4, поскольку детали взаимодействия ещё не определены окончательно. Кроме того, у SK hynix может иметься встречный интерес, поскольку Intel могла бы выпускать для неё базовые кристаллы для стеков памяти HBM4 на своих контрактных мощностях. Ранее корейские СМИ сообщали, что для производства базовых кристаллов для HBM4 компания SK hynix может обратиться к услугам TSMC, которая будет использовать для этого 3-нм технологию. В 2026 году у конкурентов Intel в сфере ускорителей вычислений, компаний AMD и Nvidia, также появятся ускорители (Instinct MI400 и Rubin соответственно), оснащённые памятью типа HBM4. Если Intel к тому времени интегрирует такую память в свои ускорители Gaudi, это позволит ей хотя бы в чём-то поравняться с конкурентами. SK Hynix первой предложит память HBM4E и уже заключила контракт с Nvidia и Microsoft
21.06.2025 [05:52],
Анжелла Марина
SK Hynix закрепила за собой лидерство на рынке памяти для искусственного интеллекта (ИИ) и первой начнёт выпуск седьмого поколения высокопроизводительной памяти HBM. Контракты на поставку специализированной, адаптированной под индивидуальные запросы HBM4E уже заключены с крупнейшими технологическими компаниями — Nvidia, Microsoft и Broadcom. 
Источник изображения: SK Hynix Однако в первую очередь SK Hynix будет ориентироваться на сроки поставок для своего самого крупного партнёра — Nvidia. Как пишет южнокорейское издание KED Global, ссылаясь на слова представителя полупроводниковой отрасли, учитывая текущие мощности SK Hynix и графики запуска новых ИИ-сервисов крупных компаний, невозможно удовлетворить все запросы американских IT-гигантов, таких как Apple, Microsoft, Google, Amazon, Nvidia, Meta✴ и Tesla. Однако, по мере изменения ситуации на рынке, список клиентов может расшириться. Ранее, около 10 месяцев назад, SK Hynix сообщала об интересе к своей специализированной памяти HBM со стороны этих компаний. Седьмое поколение (HBM4E) ожидается во второй половине следующего года. Сейчас же самой передовой массово выпускаемой моделью остаётся HBM3E, а переход на шестое поколение (HBM4) намечен в ближайшее время. Тем временем Samsung, основной конкурент SK Hynix, пока отстаёт в этой гонке. По данным инсайдеров, компания ведёт переговоры с Broadcom и AMD о поставках HBM4, но это решение на поколение отстаёт от HBM4E. В апреле Samsung заявила, что начнёт поставки HBM4 не раньше первой половины 2026 года. При этом ей до сих пор не удалось заключить контракт с Nvidia на поставку передовых чипов памяти. Согласно прогнозам TrendForce и Bloomberg Intelligence, рынок кастомизированной HBM-памяти будет расти стремительными темпами, и к 2033 году достигнет $130 млрд против $18,2 млрд в 2024-м. Такая память позволит крупным технологическим компаниям отказаться от универсальных решений и за счёт кастомизации оптимизировать производительность своих ИИ-кластеров, поэтому интерес к этому растёт. При этом SK Hynix, благодаря заказам от Nvidia, Microsoft и Broadcom, имеет все шансы сохранить доминирующие позиции. Отмечается, что производство логических кристаллов (logic dies), которые выполняют роль «мозга» в HBM, для SK Hynix теперь будет осуществлять тайваньская компания TSMC. Ранее SK Hynix делала их сама, но начиная с HBM4 перешла на аутсорсинг из-за необходимости применения сверхточных технологий. Память HBM будущего потребует сквозного охлаждения и других прорывных технологий
12.06.2025 [13:13],
Алексей Разин
Производство многоярусной памяти HBM3E уже требует использование передовых технологий, оборудования и материалов, что подтверждается неспособностью Samsung наладить выпуск подобных чипов, удовлетворяющих высоким требованиям Nvidia. В дальнейшем HBM примерит не только погружное и сквозное охлаждение, но и перейдёт на более сложные методы упаковки, включая интеграцию на GPU. 
Источник изображения: SK hynix Профессор Корейского института науки и передовых технологий (KAIST) Ким Чжон Хо (Kim Joungho), как отмечает The Elec, во время своего недавнего доклада описал возможные пути развития технологий производства памяти класса HBM. Уже в рамках HBM5 может быть предложен вариант охлаждения стека памяти методом погружения в диэлектрическую жидкость, поскольку сейчас «посредник» в виде металлического теплораспределителя не демонстрирует хорошего запаса по эффективности на будущее. Производители серверных систем погружное охлаждение невольно начали практиковать после того, как плотность теплового потока современных ускорителей вычислений заметно выросла. В целом, профессором Кимом предварительно разработана дорожная карта развития HBM на срок до 2040 года, когда на рынке уже будет предлагаться HBM8, хотя эти этапы всё равно являются приблизительными. Например, память поколения HBM7 уже будет предусматривать сквозное охлаждения стека памяти, когда охлаждающая жидкость будет циркулировать по микроканалам внутри самих микросхем и базового кристалла. Твердотельная память NAND со временем тоже станет многоярусной, как HBM. На определённом этапе базовый кристалл переедет из основания стека на его верхушку, а HBM8 наверняка позволит интегрировать стек памяти прямо на кристалл графического процессора. Технологии и материалы для производства стеков HBM также будут совершенствоваться. Например, HBM6 предложит использование стекла и кремния одновременно для создания подложки. Гибридные методы межслойного соединения будут внедрены уже в ближайшее время, а HBM5 предложит до 20 слоёв памяти в одном стеке. На рынок память типа HBM5 выйдет примерно к 2029 году. Micron начала поставлять образцы 36-Гбайт стеков HBM4 12-Hi с пропускной способностью 2 Тбайт/с
11.06.2025 [11:31],
Павел Котов
Micron объявила о значительном прогрессе в архитектуре HBM4: чипы 12-Hi объединяют 12 кристаллов, обеспечивая 36 Гбайт ёмкости на чип. Первые инженерные образцы таких компонентов памяти компания намерена направить ключевым партнёрам в ближайшие недели; запуск полномасштабного производства намечен на начало 2026 года. 
Источник изображения: micron.com Для производства чипов HBM4 нового образца используется устоявшаяся технология плиток DRAM 1β, применяемая с 2022 года; в конце этого года она намеревается перейти на 1γ на основе литографии EUV для производства DDR5. Увеличив разрядность интерфейса с 1024 до 2048 бит, Micron добилась пропускной способности 2 Тбайт/с на чип, что на 20 % больше, чем предусматривает стандарт HBM3E. Первыми заказчиками чипов HBM4 от Micron, как ожидается, станут Nvidia и AMD. Nvidia планирует интегрировать эти модули памяти в ускорители искусственного интеллекта Rubin-Vera во второй половине 2026 года. AMD будет использовать память HBM4 в ускорителях Instinct MI400; подробнее об этом компания расскажет на своей конференции Advancing AI 2025. Рост ёмкости и пропускной способности HBM4 отвечают растущим требованиям к оборудованию для систем генеративного ИИ, высокопроизводительных вычислений и других систем с интенсивным использованием данных. Большая высота стека и увеличенная ширина интерфейса обеспечат более эффективный обмен данными, что важно в многочиповых конфигурациях. Micron ещё предстоит подтвердить, что память нового образца предлагает адекватные тепловые характеристики, и провести тесты, которые на практике определят пригодность HBM4 к работе с самыми требовательными нагрузками ИИ. Память типа HBM4 окажется как минимум на 30 % дороже предшественницы
27.05.2025 [12:23],
Алексей Разин
Спрос на увеличение пропускной способности памяти, используемой в системах искусственного интеллекта, подталкивает производителей быстрее осваивать выпуск HBM4. Между тем, эксперты TrendForce установили, что HBM4 в производстве окажется как минимум на 30 % дороже предшественницы, поскольку имеет более сложную компоновку. 
Источник изображения: SK hynix Во-первых, разрядность шины памяти при переходе от HBM3E к HBM4 удваивается с 1024 до 2048 бит. Соответственно, это приведёт к увеличению площади кристалла и расхода материала (кремния). Во-вторых, базовый кристалл HBM4 в отдельных вариантах исполнения будет содержать некоторые логические структуры, что тоже увеличит его стоимость. Подобная интеграция позволит повысить эффективность обмена данными и адаптировать микросхемы HBM4 к нуждам конкретных крупных клиентов. Для HBM в целом планомерное увеличение сложности и себестоимости характерно, как поясняет TrendForce. Если HBM3E превзошла предшественницу на 20 %, то HBM4 светит прирост на все 30 %. Характерно, что скорость передачи информации у HBM4 увеличится главным образом за счёт удвоения пропускной способности шины, тогда как частота останется прежней и будет соответствовать режиму 8 Гбит/с. Количество ярусов в стеке тоже не изменится, оно будет достигать 12 или 16 штук. Уже во второй половине 2026 года, по мнению аналитиков TrendForce, память типа HBM4 сможет обойти по своей популярности HBM3E. При этом южнокорейская компания SK hynix продолжит контролировать более 50 % рынка, а Samsung и Micron придётся выступать в роли догоняющих. Samsung первой внедрит гибридное соединение в память HBM4, пока её конкуренты осторожничают
15.05.2025 [06:24],
Анжелла Марина
Samsung официально заявила, что будет использовать технологию гибридного соединения (hybrid bonding) при производстве памяти HBM4. Это позволит снизить тепловыделение, улучшить пропускную способность и обеспечить более плотные межсоединения между кристаллами памяти. В то же время её главный конкурент и лидер на рынке HBM SK hynix предпочитает не спешить, рассматривая гибридное соединение как резервную технологию. 
Источник изображения: AI Современная высокоскоростная HBM-память представляет собой вертикальный стек из нескольких слоёв DRAM, установленных на базовом кристалле. Сейчас эти слои соединяются с помощью микробампов — микроскопических контактных площадок, передающих сигналы и питание между кристаллами. Для соединения используются технологии типа MR-MUF или TC-NCF. Также внутри каждого кристалла проходят сквозные соединения TSV, обеспечивающие вертикальное взаимодействие. Однако, как пишет Tom's Hardware, по мере роста скорости и числа слоёв микробампы становятся ограничивающим фактором в производительности и энергоэффективности. Гибридное соединение решает эту проблему, позволяя напрямую соединять медные контактные площадки и оксидные слои кристаллов без использования микробампов. Такой подход позволяет достичь шага межсоединений менее 10 мкм, снизить сопротивление и ёмкость, увеличить плотность межсоединений и уменьшить толщину модуля. Но у технологии есть и два минуса — она значительно дороже традиционных методов и требует больше места на производственных линиях. Отметим, что на этапе разработки HBM3E вся троица крупнейших производителей — Micron, Samsung и SK hynix — рассматривали возможность применения гибридного соединения, но в итоге Micron и Samsung выбрали TC-NCF, а SK hynix продолжила использовать MR-MUF. Теперь Samsung первой решается на переход на гибридное соединение для HBM4, тогда как SK hynix продолжает дорабатывать MR-MUF, надеясь, что её новая технология позволит создавать более тонкие 16-слойные модули HBM4, соответствующие стандартам JEDEC (775 мкм), но без дорогостоящего переоснащения производства. Однако у Samsung есть определённое преимущество в виде собственной дочерней фирмы Semes, которая занимается выпуском производственного оборудования, что помогает снижать затраты на внедрение новых процессов. При этом пока неизвестно, готова ли Semes предоставить решения для массового производства HBM4 непосредственно с гибридным соединением. Если Samsung успешно сертифицирует HBM4 с гибридным соединением, компания получит значительное технологическое преимущество перед Micron и SK hynix, что, по мнению аналитиков, может изменить конкурентный ландшафт на рынке памяти. Массовое производство запланировано на 2026 год, и именно тогда Samsung сможет вернуть утраченные рыночные позиции благодаря превосходству в трёх ключевых аспектах: производительности, тепловыделении и плотности межсоединений. SK hynix и Samsung рассказали про память HBM4E: до 20 ярусов и 64 Гбайт в одном стеке
20.03.2025 [14:21],
Алексей Разин
Поскольку компания SK hynix уже созналась в начале поставок образцов микросхем памяти типа HBM4, было бы странно сохранять в тайне их характеристики. Представителям Computer Base удалось обобщить всю опубликованную в последние дни информацию о планах ведущих игроков рынка в сфере производства HBM4, и характеристики этой памяти интригуют. 
Источник изображения: ComputerBase.de Хотя SK hynix вчера объявила о начале поставки 12-ярусных стеков HBM4 объёмом 36 Гбайт со скоростью 8 Гбит/с. Но предельными эти показатели, конечно, не будут. Предсказуемо высота стеков сначала увеличится до 16 штук, а в перспективе достигнет и 20 штук, но последняя характеристика с высокой вероятностью будет присуща уже преемнице HBM4. SK hynix намерена предлагать 16-ярусные стеки HBM4 объёмом 48 Гбайт. Пропускной способностью в 8 Гбит/с тоже никто ограничиваться не собирается, поскольку та же Samsung Electronics намеревается поднять её до 9,2 Гбит/с. 
Источник изображения: ComputerBase.de В эти дни отметилась даже американская Micron Technology, лаконично заявив, что в больших количествах начнёт выпускать память типа HBM4 в 2026 году. Samsung попутно поясняет, что в 16-ярусном исполнении намерена предлагать и HBM4, и HBM4E, но если в первом случае предельный объём стека ограничится 36 Гбайт, то во втором он достигнет 64 Гбайт. Одновременно с 9,2 до 10 Гбит/с вырастет и пропускная способность памяти. При выпуске HBM4 и HBM4E, как поясняет Samsung, будет использоваться более сложная литография, присущая технологиям выпуска логических компонентов. Скорее всего, она потребуется для выпуска базового кристалла стека. SK hynix начала поставлять образцы памяти HBM4 — 12 ярусов, 36 Гбайт и 2 Тбайт/с
19.03.2025 [09:47],
Алексей Разин
Южнокорейская компания SK hynix за счёт своих контрактов на поставку микросхем памяти HBM разных поколений для нужд Nvidia сильно нарастила свою выручку и прибыль, а также заняла половину рынка в соответствующем сегменте. Не желая сбавлять темп, она на этой неделе заявила о досрочном начале поставок клиентам образцов HBM4. 
Источник изображения: SK hynix Как уточняется в пресс-релизе, речь идёт о 12-ярусных стеках HBM4, массовое производство которых будет запущено во второй половине текущего года. Примечательно, что SK hynix упоминает о «крупных клиентах» во множественном числе, говоря о начале отгрузки соответствующих образцов HBM4 для изучения ими. Подчёркивается, что поставки образцов начались раньше, чем планировалось изначально. Сертификация данной памяти клиентами скоро должна начаться. Ко второму полугодию всё должно быть готово для начала массового производства HBM4. Пропускная способность на уровне 2 Тбайт/с открывает перед пользователями HBM4 новые возможности в скоростной обработке данных, увеличивая скорость на 60 % по сравнению с HBM3E. Один стек, состоящий из 12 ярусов, позволяет хранить до 36 Гбайт информации. Усовершенствованная технология упаковки MR-MUF позволяет улучшать теплопроводные свойства стека памяти, как поясняет SK hynix. Сторонние источники накануне сообщили, что SK hynix удалось стать исключительным поставщиком 12-ярусных чипов HBM3E для производства ускорителей Nvidia семейства Blackwell Ultra. Впрочем, Micron Technology тоже претендует на благосклонность Nvidia, поскольку свои 12-ярусные чипы HBM3E американский производитель завершил разрабатывать ещё в сентябре 2024 года. SK hynix добилась 70-% выхода годной продукции при тестовом выпуске передовой 12-слойной HBM4
27.02.2025 [12:36],
Алексей Разин
Южнокорейская SK hynix захватила примерно половину мирового рынка памяти класса HBM, и уступать свою дролю конкурентам она не собирается, а потому активно осваивает производство микросхем поколения HBM4. Свежие сообщения из Южной Кореи указывают, что на стадии тестирования удалось добиться 70-процентного уровня выхода годной продукции при выпуске 12-слойных микросхем HBM4. 
Источник изображения: SK hynix Об этом сообщило южнокорейское издание ETNews, которое подобный показатель качества продукции считает весьма высоким для предварительной стадии подготовки чипов HBM4 к производству. В конце прошлого года предыдущий этап тестового производства HBM4 демонстрировал уровень выхода годной продукции в 60 %. Отчасти быстрый прогресс в качестве изделий обеспечивается использованием пятого поколения 10-нм техпроцесса (1b) для выпуска кристаллов DRAM, формирующих стек HBM4. Данный техпроцесс уже применяется и при выпуске кристаллов памяти для HBM3E. Ожидается, что поставки образцов HBM4 для нужд Nvidia компания SK hynix начнёт в июне текущего года, а к концу третьего квартала они достигнут серийных масштабов. Благодаря этому Nvidia сможет представить свои ускорители поколения Rubin с памятью HBM4 уже во второй половине текущего года. Конкурирующая Micron Technology выпуск HBM4 в массовых объёмах рассчитывает освоить не ранее 2026 года. Samsung надеется сделать это до конца текущего года, но ей приписывают проблемы с высоким уровнем брака продукции. Операционная прибыль SK hynix взлетела в 23 раза и впервые позволила обойти Samsung
23.01.2025 [07:02],
Алексей Разин
Южнокорейская компания SK hynix остаётся ведущим поставщиком памяти класса HBM, это позволило ей по итогам прошлого квартала не только увеличить выручку на 75 % до $13,7 млрд, но и поднять операционную прибыль в 23 раза до $5,6 млрд. Это позволило SK hynix впервые в истории обойти по операционной прибыли компанию Samsung Electronics, которая остаётся крупнейшим производителем памяти. 
Источник изображения: SK hynix Последовательно выручка SK hynix выросла на 12 %, а операционная прибыль увеличилась на 15 % до рекордных $5,6 млрд. Ожидания аналитиков по выручке оказались выше, но операционная прибыль превысила прогнозы. К слову, это не помогло курсу акций SK hynix, которые подешевели примерно на 3 % после публикации отчёта, поскольку инвесторов огорчили прогнозы по спросу на микросхемы памяти в сегментах смартфонов и ПК. В текущем квартале поставки микросхем типа DRAM и NAND сократятся последовательно на величину от 10 до 20 %. Кроме того, представители SK hynix не ожидают улучшения ситуации со спросом на память в этих сегментах ранее второй половины текущего года. К тому времени, как ожидается, появится спрос на устройства с функциями искусственного интеллекта. Пока же на рынке ПК и смартфонов до сих пор наблюдается коррекция складских запасов. Неопределённости в прогнозах на текущий год добавляют геополитические факторы и стремление властей некоторых стран к торговому протекционизму. При этом с начала текущего года курс акций SK hynix вырос на 30 %, поэтому публикация квартальной отчётности вызвала небольшую коррекцию. Выручка компании от реализации DRAM в прошлом квартале на 40 % определялась реализацией микросхем HBM. В текущем году объёмы продаж HBM производитель намеревается увеличить в два раза, как минимум, а в прошлом они увеличились более чем в четыре раза. При этом в связи с опережающим ростом спроса будет сохраняться дефицит памяти данного типа. Капитальные затраты SK hynix в этом году немного вырастут, она готова потратить $15 млрд на расширение своих предприятий в Южной Корее и $3,9 млрд на строительство предприятия по упаковке памяти и исследовательского центра в США. Поставлять HBM4 в 16-ярусном исполнении компания начнёт во второй половине следующего года, но уже сейчас ведёт переговоры с потенциальными клиентами. Китайские конкуренты, по словам представителей SK hynix, будут испытывать проблемы с разработкой передовой памяти из-за экспортных ограничений США. К поставкам 12-ярусных чипов HBM3E компания уже приступила в прошлом квартале. Более чёткое представление о потребностях рынка в памяти HBM на 2026 год у руководства SK hynix появится в текущем полугодии. SK hynix поставит первые образцы HBM4 для Nvidia уже в июне
16.01.2025 [14:04],
Алексей Разин
Год едва начался, а осведомлённые источники уже сообщают о дальнейших планах SK hynix расширять ассортимент предлагаемой памяти для ускорителей вычислений. В июне текущего года эта южнокорейская компания намеревается начать поставки образцов HBM4 для нужд Nvidia, а к концу третьего квартала готовится развернуть серийное производство такой памяти. 
Источник изображения: SK hynix Как уже отмечалось, взятые на себя SK hynix обязательства ускорить внедрение HBM4 примерно на полгода позволили Nvidia сдвинуть сроки анонса ускорителей вычислений семейства Rubin, которым нужна такая память в 12-ярусном исполнении, с 2026 года на вторую половину текущего. Цифровые проекты чипов HBM4 у специалистов SK hynix были готовы уже к концу прошлого квартала, и теперь они приступают к плотному взаимодействию с коллегами из Nvidia по вопросу внедрения HBM4 в массовое производство. Каждый ускоритель Rubin потребует по восемь стеков HBM4, а более поздняя версия Rubin Ultra будет использовать 12 стеков HBM4. Конкурирующая Samsung Electronics постарается завершить разработку HBM4 к середине текущего года, причём рассчитывает выпускать чипы DRAM для соответствующих стеков по более продвинутой технологии 10-нм класса, чем это собираются сделать SK hynix и Micron. Последняя намеревается наладить выпуск HBM4 только в 2026 году. В случае с выпуском HBM3E для нужд Nvidia лидером рынка остаётся SK hynix, но конкуренты постараются хоть в чём-то её опередить для получения выгодных заказов от крупнейшего разработчика ускорителей вычислений. |
|
✴ Входит в перечень общественных объединений и религиозных организаций, в отношении которых судом принято вступившее в законную силу решение о ликвидации или запрете деятельности по основаниям, предусмотренным Федеральным законом от 25.07.2002 № 114-ФЗ «О противодействии экстремистской деятельности»; |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
