Производство многоярусной памяти HBM3E уже требует использование передовых технологий, оборудования и материалов, что подтверждается неспособностью Samsung наладить выпуск подобных чипов, удовлетворяющих высоким требованиям Nvidia. В дальнейшем HBM примерит не только погружное и сквозное охлаждение, но и перейдёт на более сложные методы упаковки, включая интеграцию на GPU.

Источник изображения: SK hynix

Профессор Корейского института науки и передовых технологий (KAIST) Ким Чжон Хо (Kim Joungho), как отмечает The Elec, во время своего недавнего доклада описал возможные пути развития технологий производства памяти класса HBM. Уже в рамках HBM5 может быть предложен вариант охлаждения стека памяти методом погружения в диэлектрическую жидкость, поскольку сейчас «посредник» в виде металлического теплораспределителя не демонстрирует хорошего запаса по эффективности на будущее. Производители серверных систем погружное охлаждение невольно начали практиковать после того, как плотность теплового потока современных ускорителей вычислений заметно выросла.

В целом, профессором Кимом предварительно разработана дорожная карта развития HBM на срок до 2040 года, когда на рынке уже будет предлагаться HBM8, хотя эти этапы всё равно являются приблизительными. Например, память поколения HBM7 уже будет предусматривать сквозное охлаждения стека памяти, когда охлаждающая жидкость будет циркулировать по микроканалам внутри самих микросхем и базового кристалла. Твердотельная память NAND со временем тоже станет многоярусной, как HBM. На определённом этапе базовый кристалл переедет из основания стека на его верхушку, а HBM8 наверняка позволит интегрировать стек памяти прямо на кристалл графического процессора.

Технологии и материалы для производства стеков HBM также будут совершенствоваться. Например, HBM6 предложит использование стекла и кремния одновременно для создания подложки. Гибридные методы межслойного соединения будут внедрены уже в ближайшее время, а HBM5 предложит до 20 слоёв памяти в одном стеке. На рынок память типа HBM5 выйдет примерно к 2029 году.

Micron объявила о значительном прогрессе в архитектуре HBM4: чипы 12-Hi объединяют 12 кристаллов, обеспечивая 36 Гбайт ёмкости на чип. Первые инженерные образцы таких компонентов памяти компания намерена направить ключевым партнёрам в ближайшие недели; запуск полномасштабного производства намечен на начало 2026 года.

Источник изображения: micron.com

Для производства чипов HBM4 нового образца используется устоявшаяся технология плиток DRAM 1β, применяемая с 2022 года; в конце этого года она намеревается перейти на 1γ на основе литографии EUV для производства DDR5. Увеличив разрядность интерфейса с 1024 до 2048 бит, Micron добилась пропускной способности 2 Тбайт/с на чип, что на 20 % больше, чем предусматривает стандарт HBM3E.

Первыми заказчиками чипов HBM4 от Micron, как ожидается, станут Nvidia и AMD. Nvidia планирует интегрировать эти модули памяти в ускорители искусственного интеллекта Rubin-Vera во второй половине 2026 года. AMD будет использовать память HBM4 в ускорителях Instinct MI400; подробнее об этом компания расскажет на своей конференции Advancing AI 2025.

Рост ёмкости и пропускной способности HBM4 отвечают растущим требованиям к оборудованию для систем генеративного ИИ, высокопроизводительных вычислений и других систем с интенсивным использованием данных. Большая высота стека и увеличенная ширина интерфейса обеспечат более эффективный обмен данными, что важно в многочиповых конфигурациях. Micron ещё предстоит подтвердить, что память нового образца предлагает адекватные тепловые характеристики, и провести тесты, которые на практике определят пригодность HBM4 к работе с самыми требовательными нагрузками ИИ.

Спрос на увеличение пропускной способности памяти, используемой в системах искусственного интеллекта, подталкивает производителей быстрее осваивать выпуск HBM4. Между тем, эксперты TrendForce установили, что HBM4 в производстве окажется как минимум на 30 % дороже предшественницы, поскольку имеет более сложную компоновку.

Источник изображения: SK hynix

Во-первых, разрядность шины памяти при переходе от HBM3E к HBM4 удваивается с 1024 до 2048 бит. Соответственно, это приведёт к увеличению площади кристалла и расхода материала (кремния). Во-вторых, базовый кристалл HBM4 в отдельных вариантах исполнения будет содержать некоторые логические структуры, что тоже увеличит его стоимость. Подобная интеграция позволит повысить эффективность обмена данными и адаптировать микросхемы HBM4 к нуждам конкретных крупных клиентов.

Для HBM в целом планомерное увеличение сложности и себестоимости характерно, как поясняет TrendForce. Если HBM3E превзошла предшественницу на 20 %, то HBM4 светит прирост на все 30 %. Характерно, что скорость передачи информации у HBM4 увеличится главным образом за счёт удвоения пропускной способности шины, тогда как частота останется прежней и будет соответствовать режиму 8 Гбит/с. Количество ярусов в стеке тоже не изменится, оно будет достигать 12 или 16 штук.

Уже во второй половине 2026 года, по мнению аналитиков TrendForce, память типа HBM4 сможет обойти по своей популярности HBM3E. При этом южнокорейская компания SK hynix продолжит контролировать более 50 % рынка, а Samsung и Micron придётся выступать в роли догоняющих.

Samsung официально заявила, что будет использовать технологию гибридного соединения (hybrid bonding) при производстве памяти HBM4. Это позволит снизить тепловыделение, улучшить пропускную способность и обеспечить более плотные межсоединения между кристаллами памяти. В то же время её главный конкурент и лидер на рынке HBM SK hynix предпочитает не спешить, рассматривая гибридное соединение как резервную технологию.

Источник изображения: AI

Современная высокоскоростная HBM-память представляет собой вертикальный стек из нескольких слоёв DRAM, установленных на базовом кристалле. Сейчас эти слои соединяются с помощью микробампов — микроскопических контактных площадок, передающих сигналы и питание между кристаллами. Для соединения используются технологии типа MR-MUF или TC-NCF. Также внутри каждого кристалла проходят сквозные соединения TSV, обеспечивающие вертикальное взаимодействие. Однако, как пишет Tom's Hardware, по мере роста скорости и числа слоёв микробампы становятся ограничивающим фактором в производительности и энергоэффективности.

Гибридное соединение решает эту проблему, позволяя напрямую соединять медные контактные площадки и оксидные слои кристаллов без использования микробампов. Такой подход позволяет достичь шага межсоединений менее 10 мкм, снизить сопротивление и ёмкость, увеличить плотность межсоединений и уменьшить толщину модуля. Но у технологии есть и два минуса — она значительно дороже традиционных методов и требует больше места на производственных линиях.

Отметим, что на этапе разработки HBM3E вся троица крупнейших производителей — Micron, Samsung и SK hynix — рассматривали возможность применения гибридного соединения, но в итоге Micron и Samsung выбрали TC-NCF, а SK hynix продолжила использовать MR-MUF. Теперь Samsung первой решается на переход на гибридное соединение для HBM4, тогда как SK hynix продолжает дорабатывать MR-MUF, надеясь, что её новая технология позволит создавать более тонкие 16-слойные модули HBM4, соответствующие стандартам JEDEC (775 мкм), но без дорогостоящего переоснащения производства.

Однако у Samsung есть определённое преимущество в виде собственной дочерней фирмы Semes, которая занимается выпуском производственного оборудования, что помогает снижать затраты на внедрение новых процессов. При этом пока неизвестно, готова ли Semes предоставить решения для массового производства HBM4 непосредственно с гибридным соединением.

Если Samsung успешно сертифицирует HBM4 с гибридным соединением, компания получит значительное технологическое преимущество перед Micron и SK hynix, что, по мнению аналитиков, может изменить конкурентный ландшафт на рынке памяти. Массовое производство запланировано на 2026 год, и именно тогда Samsung сможет вернуть утраченные рыночные позиции благодаря превосходству в трёх ключевых аспектах: производительности, тепловыделении и плотности межсоединений.

Поскольку компания SK hynix уже созналась в начале поставок образцов микросхем памяти типа HBM4, было бы странно сохранять в тайне их характеристики. Представителям Computer Base удалось обобщить всю опубликованную в последние дни информацию о планах ведущих игроков рынка в сфере производства HBM4, и характеристики этой памяти интригуют.

Источник изображения: ComputerBase.de

Хотя SK hynix вчера объявила о начале поставки 12-ярусных стеков HBM4 объёмом 36 Гбайт со скоростью 8 Гбит/с. Но предельными эти показатели, конечно, не будут. Предсказуемо высота стеков сначала увеличится до 16 штук, а в перспективе достигнет и 20 штук, но последняя характеристика с высокой вероятностью будет присуща уже преемнице HBM4. SK hynix намерена предлагать 16-ярусные стеки HBM4 объёмом 48 Гбайт. Пропускной способностью в 8 Гбит/с тоже никто ограничиваться не собирается, поскольку та же Samsung Electronics намеревается поднять её до 9,2 Гбит/с.

Источник изображения: ComputerBase.de

В эти дни отметилась даже американская Micron Technology, лаконично заявив, что в больших количествах начнёт выпускать память типа HBM4 в 2026 году. Samsung попутно поясняет, что в 16-ярусном исполнении намерена предлагать и HBM4, и HBM4E, но если в первом случае предельный объём стека ограничится 36 Гбайт, то во втором он достигнет 64 Гбайт. Одновременно с 9,2 до 10 Гбит/с вырастет и пропускная способность памяти. При выпуске HBM4 и HBM4E, как поясняет Samsung, будет использоваться более сложная литография, присущая технологиям выпуска логических компонентов. Скорее всего, она потребуется для выпуска базового кристалла стека.

Южнокорейская компания SK hynix за счёт своих контрактов на поставку микросхем памяти HBM разных поколений для нужд Nvidia сильно нарастила свою выручку и прибыль, а также заняла половину рынка в соответствующем сегменте. Не желая сбавлять темп, она на этой неделе заявила о досрочном начале поставок клиентам образцов HBM4.

Источник изображения: SK hynix

Как уточняется в пресс-релизе, речь идёт о 12-ярусных стеках HBM4, массовое производство которых будет запущено во второй половине текущего года. Примечательно, что SK hynix упоминает о «крупных клиентах» во множественном числе, говоря о начале отгрузки соответствующих образцов HBM4 для изучения ими. Подчёркивается, что поставки образцов начались раньше, чем планировалось изначально. Сертификация данной памяти клиентами скоро должна начаться. Ко второму полугодию всё должно быть готово для начала массового производства HBM4.

Пропускная способность на уровне 2 Тбайт/с открывает перед пользователями HBM4 новые возможности в скоростной обработке данных, увеличивая скорость на 60 % по сравнению с HBM3E. Один стек, состоящий из 12 ярусов, позволяет хранить до 36 Гбайт информации. Усовершенствованная технология упаковки MR-MUF позволяет улучшать теплопроводные свойства стека памяти, как поясняет SK hynix.

Сторонние источники накануне сообщили, что SK hynix удалось стать исключительным поставщиком 12-ярусных чипов HBM3E для производства ускорителей Nvidia семейства Blackwell Ultra. Впрочем, Micron Technology тоже претендует на благосклонность Nvidia, поскольку свои 12-ярусные чипы HBM3E американский производитель завершил разрабатывать ещё в сентябре 2024 года.

Южнокорейская SK hynix захватила примерно половину мирового рынка памяти класса HBM, и уступать свою дролю конкурентам она не собирается, а потому активно осваивает производство микросхем поколения HBM4. Свежие сообщения из Южной Кореи указывают, что на стадии тестирования удалось добиться 70-процентного уровня выхода годной продукции при выпуске 12-слойных микросхем HBM4.

Источник изображения: SK hynix

Об этом сообщило южнокорейское издание ETNews, которое подобный показатель качества продукции считает весьма высоким для предварительной стадии подготовки чипов HBM4 к производству. В конце прошлого года предыдущий этап тестового производства HBM4 демонстрировал уровень выхода годной продукции в 60 %. Отчасти быстрый прогресс в качестве изделий обеспечивается использованием пятого поколения 10-нм техпроцесса (1b) для выпуска кристаллов DRAM, формирующих стек HBM4. Данный техпроцесс уже применяется и при выпуске кристаллов памяти для HBM3E.

Ожидается, что поставки образцов HBM4 для нужд Nvidia компания SK hynix начнёт в июне текущего года, а к концу третьего квартала они достигнут серийных масштабов. Благодаря этому Nvidia сможет представить свои ускорители поколения Rubin с памятью HBM4 уже во второй половине текущего года. Конкурирующая Micron Technology выпуск HBM4 в массовых объёмах рассчитывает освоить не ранее 2026 года. Samsung надеется сделать это до конца текущего года, но ей приписывают проблемы с высоким уровнем брака продукции.

Южнокорейская компания SK hynix остаётся ведущим поставщиком памяти класса HBM, это позволило ей по итогам прошлого квартала не только увеличить выручку на 75 % до $13,7 млрд, но и поднять операционную прибыль в 23 раза до $5,6 млрд. Это позволило SK hynix впервые в истории обойти по операционной прибыли компанию Samsung Electronics, которая остаётся крупнейшим производителем памяти.

Источник изображения: SK hynix

Последовательно выручка SK hynix выросла на 12 %, а операционная прибыль увеличилась на 15 % до рекордных $5,6 млрд. Ожидания аналитиков по выручке оказались выше, но операционная прибыль превысила прогнозы. К слову, это не помогло курсу акций SK hynix, которые подешевели примерно на 3 % после публикации отчёта, поскольку инвесторов огорчили прогнозы по спросу на микросхемы памяти в сегментах смартфонов и ПК. В текущем квартале поставки микросхем типа DRAM и NAND сократятся последовательно на величину от 10 до 20 %. Кроме того, представители SK hynix не ожидают улучшения ситуации со спросом на память в этих сегментах ранее второй половины текущего года. К тому времени, как ожидается, появится спрос на устройства с функциями искусственного интеллекта. Пока же на рынке ПК и смартфонов до сих пор наблюдается коррекция складских запасов. Неопределённости в прогнозах на текущий год добавляют геополитические факторы и стремление властей некоторых стран к торговому протекционизму.

При этом с начала текущего года курс акций SK hynix вырос на 30 %, поэтому публикация квартальной отчётности вызвала небольшую коррекцию. Выручка компании от реализации DRAM в прошлом квартале на 40 % определялась реализацией микросхем HBM. В текущем году объёмы продаж HBM производитель намеревается увеличить в два раза, как минимум, а в прошлом они увеличились более чем в четыре раза. При этом в связи с опережающим ростом спроса будет сохраняться дефицит памяти данного типа. Капитальные затраты SK hynix в этом году немного вырастут, она готова потратить $15 млрд на расширение своих предприятий в Южной Корее и $3,9 млрд на строительство предприятия по упаковке памяти и исследовательского центра в США.

Поставлять HBM4 в 16-ярусном исполнении компания начнёт во второй половине следующего года, но уже сейчас ведёт переговоры с потенциальными клиентами. Китайские конкуренты, по словам представителей SK hynix, будут испытывать проблемы с разработкой передовой памяти из-за экспортных ограничений США. К поставкам 12-ярусных чипов HBM3E компания уже приступила в прошлом квартале. Более чёткое представление о потребностях рынка в памяти HBM на 2026 год у руководства SK hynix появится в текущем полугодии.

Год едва начался, а осведомлённые источники уже сообщают о дальнейших планах SK hynix расширять ассортимент предлагаемой памяти для ускорителей вычислений. В июне текущего года эта южнокорейская компания намеревается начать поставки образцов HBM4 для нужд Nvidia, а к концу третьего квартала готовится развернуть серийное производство такой памяти.

Источник изображения: SK hynix

Как уже отмечалось, взятые на себя SK hynix обязательства ускорить внедрение HBM4 примерно на полгода позволили Nvidia сдвинуть сроки анонса ускорителей вычислений семейства Rubin, которым нужна такая память в 12-ярусном исполнении, с 2026 года на вторую половину текущего. Цифровые проекты чипов HBM4 у специалистов SK hynix были готовы уже к концу прошлого квартала, и теперь они приступают к плотному взаимодействию с коллегами из Nvidia по вопросу внедрения HBM4 в массовое производство. Каждый ускоритель Rubin потребует по восемь стеков HBM4, а более поздняя версия Rubin Ultra будет использовать 12 стеков HBM4.

Конкурирующая Samsung Electronics постарается завершить разработку HBM4 к середине текущего года, причём рассчитывает выпускать чипы DRAM для соответствующих стеков по более продвинутой технологии 10-нм класса, чем это собираются сделать SK hynix и Micron. Последняя намеревается наладить выпуск HBM4 только в 2026 году. В случае с выпуском HBM3E для нужд Nvidia лидером рынка остаётся SK hynix, но конкуренты постараются хоть в чём-то её опередить для получения выгодных заказов от крупнейшего разработчика ускорителей вычислений.

Недавние откровения руководства SK hynix позволили понять, что компания якобы по собственной инициативе ускорила разработку HBM4, но южнокорейские СМИ сегодня пояснили, что Nvidia как минимум не возражала против этого, поскольку собирается представить ускорители Rubin с памятью данного типа уже в третьем квартале. Samsung также ускорилась, и теперь готовится завершить подготовку HBM4 к массовому производству в текущем полугодии.

Источник изображения: Samsung Electronics

Первоначально планировалось, что в первой половине текущего года Samsung наконец-то приступит к отгрузке микросхем HBM3E для нужд Nvidia, а во втором полугодии представит HBM4, но теперь последний этап планируется ускорить почти на шесть месяцев. По меньшей мере, это позволит в случае необходимости обеспечить Nvidia вторым источником поставок памяти типа HBM4 к моменту анонса ускорителей семейства Rubin в третьем квартале. Изначально Nvidia рассчитывала представить Rubin в 2026 году, но теперь при наличии доступа к памяти типа HBM4 может ускориться.

Как отмечалось ранее, одной из особенностей памяти типа HBM4 является наличие базового кристалла, чьи функциональные особенности подгоняются под нужды конкретного заказчика. Samsung такие кристаллы для HBM4 рассчитывает выпускать собственными силами по 4-нм технологии, тогда как SK hynix будет зависеть в этой сфере от TSMC. Впрочем, это даёт SK hynix возможность получить от TSMC сразу 3-нм базовые кристаллы, тогда как Samsung будет зависеть от успехов своего контрактного подразделения в освоении передовых техпроцессов.

Разработка высокопроизводительной памяти HBM4 компанией SK hynix идёт быстрее, чем об этом просил главный потребитель такой памяти, компания Nvidia. Об этом в разговоре с журналистами заявил председатель SK Group Чей Тэ Вон (Chey Tae-won), пишет южнокорейское издание The Elec.

Источник изображения: SK hynix

Председатель SK Group рассказал, что встретился с генеральным директором Nvidia Дженсеном Хуангом (Jensen Huang) в кулуарах международной выставки электроники CES 2025 и поделился последними достижениями в области разработки памяти HBM4.

SK hynix, являющаяся самым ценным активом SK Group, занимается разработкой и производством микросхем памяти. Ранее сообщалось, что скорость разработки нового поколения чипов памяти HBM для задач, связанных с искусственным интеллектом, не удовлетворила руководство Nvidia, с которой SK hynix поддерживает тесное сотрудничество. После этого компания пообещала ускорить процесс. Во время пресс-конференции на стенде SK Group в Лас-Вегасе председатель SK Group Чей Тэ Вон заявил, что сейчас разработка новой памяти HBM4 ведётся ещё быстрее, чем того требовала Nvidia. Однако он добавил, что в будущем ситуация может измениться.

Чей Тэ Вон также отметил, что обсудил с Хуангом последние достижения Nvidia в области разработки новой платформы Cosmos, предназначенной для создания человекоподобных роботов, презентация которой состоялась ранее на этой неделе. По словам председателя SK Group, глава Nvidia подчеркнул, что Южная Корея обладает сильными позициями в производственной сфере и большим опытом в этой области.

SK hynix в настоящее время является основным поставщиком памяти HBM для Nvidia, которая использует её в своих ускорителях искусственного интеллекта.

Память семейства HBM оказалась востребована в сегменте ускорителей вычислений для систем искусственного интеллекта, и немногочисленные поставщики стараются укрепить свои позиции в этом прибыльном сегменте рынка. Samsung очевидным образом отстала от SK hynix в этой сфере, но постарается наверстать упущенное в рамках подготовки к массовому выпуску микросхем типа HBM4.

По крайней мере, на это указывает публикация южнокорейского ресурса The Chosun Daily, который ссылается на источники, знакомые с планами Samsung Electronics. По имеющейся информации, Samsung уже завершила разработку базовых кристаллов для HBM4, и поручила их производство по 4-нм технологии собственному контрактному подразделению. Тем самым Samsung надеется быстрее получить готовые образцы микросхем HBM4 и направить их потенциальным клиентам, которые в итоге могут переметнуться от SK hynix в случае успеха инициативы.

Характерной особенностью стеков HBM4 является наличие у них базового кристалла с логикой, функции которой могут отличаться от клиента к клиенту. Необходимость подобной адаптации в сочетании с ориентацией на снижение энергопотребления вынуждает SK hynix поручить производство таких базовых кристаллов тайваньской TSMC. Первоначально считалось, что они для SK hynix будут выпускаться по 5-нм технологии, и на этом фоне решение Samsung применить в аналогичных целях свой 4-нм техпроцесс выглядело более выигрышным, но некоторое время назад появилась информация о намерениях SK hynix заказать TSMC выпуск базовых кристаллов по более совершенной 3-нм технологии.

По замыслу Samsung, выпуск базовых кристаллов собственными силами позволит компании быстрее реагировать на запросы клиентов, поэтому компания рассчитывает на укрепление своих рыночных позиций после выхода на рынок своих микросхем типа HBM4. Во-вторых, Samsung рассчитывает использовать для производства кристаллов DRAM в стеке более совершенный техпроцесс 10-нм класса шестого поколения, тогда как SK hynix приписывается 10-нм техпроцесс пятого поколения. Плотно скомпонованные в стеке, насчитывающем до 16 ярусов, микросхемы могут выделять существенное количество тепла, поэтому техпроцесс их изготовления обретает особую важность.

Наконец, Samsung при производстве HBM4 рассчитывает внедрить как более прогрессивный гибридный метод формирования межслойных соединений с использованием меди, так и более современную технологию упаковки чипов TC-NCF. К массовому производству HBM4 компания намеревается приступить в этом году.

Квартальное отчётное мероприятие Micron Technology на прошлой неделе позволило руководству американской компании поделиться более подробными планами по развитию ассортимента продукции. Если в 2026 году Micron приступит к производству микросхем памяти типа HBM4, то позднее собирается наладить выпуск HBM4E, главной особенностью которой станет кастомизируемый базовый кристалл.

Источник изображения: Micron Technology

Данная часть стека памяти лежит в его основе и содержит базовую логику, необходимую для работы с расположенными выше микросхемами памяти. Micron собирается наделять базовый кристалл HBM4E тем набором функций, который интересен конкретным крупным заказчикам. Насколько велика будет степень свободы Micron в этой сфере, заранее сказать сложно, но очевидно, что стандарты JEDEC будут определять какие-то рамки. Чисто технически Micron сможет добавлять поддержку новых интерфейсов, увеличивать объём кеша, добавлять шифрование данных и всё в таком духе.

Как подчеркнул глава Micron на прошлой неделе, «HBM4E обеспечит сдвиг парадигмы в бизнесе по производству памяти, поскольку предложит опцию кастомизации базового кристалла с логикой для определённых клиентов, используя передовой производственный процесс TSMC». По словам генерального директора Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), подобные возможности индивидуализации улучшат финансовые показатели компании Micron.

Если же вернуться к более близкой HBM4, то непосредственно микросхемы памяти для стеков этого типа Micron намерена выпускать с помощью своего техпроцесса 10-нм класса пятого поколения (1β), тогда как конкурирующие SK hynix и Samsung присматриваются к более современной технологии 10-нм класса шестого поколения. Наличие 2048-разрядной шины позволит HBM4 обеспечить скорость передачи информации до 6,4 гигатранзакций в секунду. Массовое производство HBM4 компания рассчитывает развернуть в 2026 календарном году. Сейчас Micron уже активно поставляет 8-ярусные стеки HBM3E для ускорителей Nvidia Blackwell, 12-ярусные проходят тестирование клиентами и получают самые лестные отзывы, по словам руководства компании.

Принято считать, что для производства микросхем памяти в целом используются менее дорогостоящие литографические технологии, но современная память становится более сложной по своей компоновке, а потому при её выпуске востребована продвинутая литография. SK hynix намерена привлечь TSMC к производству стеков HBM4 с использованием 3-нм техпроцесса со второй половины 2025 года.

Источник изображения: SK hynix

Об этом сообщает издание The Korea Economic Daily со ссылкой на осведомлённые источники. Передовой техпроцесс потребуется для производства базового кристалла для кастомных HBM4, которые будут выпускаться специально для Nvidia. В базовом кристалле располагается логика и на его основе формируется вертикальный стек. Первоначально SK hynix рассчитывала выпускать этот кристалл по 5-нм технологии, но в ходе переговоров с TSMC и крупными клиентами обеих компаний было принято решение об использовании более продвинутого 3-нм техпроцесса для этих целей. Память типа HBM4 корейский поставщик надеется начать отгружать для нужд Nvidia во второй половине 2025 года.

Как ожидается, прототип микросхемы HBM4 на базе 3-нм основания будет продемонстрирован SK hynix в марте следующего года. Получаемые сейчас Nvidia от TSMC графические процессоры выпускаются по 4-нм технологии. По некоторым оценкам, перевод базового чипа HBM4 на 3-нм технологию производства позволит поднять быстродействие памяти на 20–30 % относительно 5-нм варианта. SK hynix контролирует примерно половину мирового рынка HBM, основную часть своей продукции данного типа она поставляет для нужд Nvidia. Конкурирующая Samsung не может сертифицировать свою HBM3E для использования в продукции Nvidia, а ещё она собирается использовать при производстве HBM4 лишь 4-нм базовые кристаллы. Память типа HBM4 уже относится к шестому поколению данных микросхем.

В свою очередь, базовые кристаллы для стандартных стеков HBM4 и HBM4E, которые будут получать все прочие клиенты SK hynix кроме Nvidia, будут выпускаться по 12-нм техпроцессу, также силами TSMC. Базовые кристаллы для HBM3E корейская компания выпускает самостоятельно, но в свете перехода к HBM4 решила углубить сотрудничество с TSMC в данной сфере. Утверждается, что по просьбе Nvidia компания SK hynix ускорила разработку и процесс подготовки к массовому производству микросхем HBM4. Ранее она собиралась наладить выпуск HBM4 в начале 2026 года, а теперь готова сделать это примерно на полгода раньше. Тем временем, памятью типа HBM4 интересуется и компания Tesla, она пока выбирает между продукцией SK hynix и Samsung Electronics.

Попытки Samsung Electronics отвоевать у SK hynix приличную часть рынка микросхем памяти типа HBM пока не увенчались успехом, но первая из компаний делает ставку на адаптацию микросхем HBM4 под нужды конкретных заказчиков, которую начнёт осуществлять со следующего года, если верить южнокорейским СМИ.

Источник изображения: Samsung Members

Источники сообщают, что разработка полузаказных вариантов HBM4 для крупных клиентов Samsung уже началась, а к их массовому производству компания приступит до конца 2025 года. Первыми клиентами Samsung на данном направлении могут стать Microsoft и Meta✴ Platforms, которые занимаются разработкой собственных ускорителей вычислений, а потому нуждаются в более эффективной памяти. Базовая HBM4, как ожидается, увеличит скорость передачи информации относительно HBM3E на 66 % до 2 Тбайт/с, а предельная ёмкость увеличится на треть до 48 Гбайт на стек.

Samsung может оснастить свои микросхемы HBM4 не только собственными нейронными сопроцессорами для ускорения операций, связанных с работой систем искусственного интеллекта, но и дополнительными вычислительными блоками, адаптированными под потребность конкретных заказчиков. Данная особенность памяти поколения HBM4 и станет главным полем сражения конкурирующих производителей. Обычную HBM4 универсального типа Samsung тоже надеется начать выпускать до конца следующего года. Партнёром компании в этой сфере довольно неожиданно станет один из конкурентов — тайваньская TSMC, которая оказывает услуги по упаковке чипов с передовыми вариантами компоновки.