Год едва начался, а осведомлённые источники уже сообщают о дальнейших планах SK hynix расширять ассортимент предлагаемой памяти для ускорителей вычислений. В июне текущего года эта южнокорейская компания намеревается начать поставки образцов HBM4 для нужд Nvidia, а к концу третьего квартала готовится развернуть серийное производство такой памяти.

Источник изображения: SK hynix

Как уже отмечалось, взятые на себя SK hynix обязательства ускорить внедрение HBM4 примерно на полгода позволили Nvidia сдвинуть сроки анонса ускорителей вычислений семейства Rubin, которым нужна такая память в 12-ярусном исполнении, с 2026 года на вторую половину текущего. Цифровые проекты чипов HBM4 у специалистов SK hynix были готовы уже к концу прошлого квартала, и теперь они приступают к плотному взаимодействию с коллегами из Nvidia по вопросу внедрения HBM4 в массовое производство. Каждый ускоритель Rubin потребует по восемь стеков HBM4, а более поздняя версия Rubin Ultra будет использовать 12 стеков HBM4.

Конкурирующая Samsung Electronics постарается завершить разработку HBM4 к середине текущего года, причём рассчитывает выпускать чипы DRAM для соответствующих стеков по более продвинутой технологии 10-нм класса, чем это собираются сделать SK hynix и Micron. Последняя намеревается наладить выпуск HBM4 только в 2026 году. В случае с выпуском HBM3E для нужд Nvidia лидером рынка остаётся SK hynix, но конкуренты постараются хоть в чём-то её опередить для получения выгодных заказов от крупнейшего разработчика ускорителей вычислений.

Недавние откровения руководства SK hynix позволили понять, что компания якобы по собственной инициативе ускорила разработку HBM4, но южнокорейские СМИ сегодня пояснили, что Nvidia как минимум не возражала против этого, поскольку собирается представить ускорители Rubin с памятью данного типа уже в третьем квартале. Samsung также ускорилась, и теперь готовится завершить подготовку HBM4 к массовому производству в текущем полугодии.

Источник изображения: Samsung Electronics

Первоначально планировалось, что в первой половине текущего года Samsung наконец-то приступит к отгрузке микросхем HBM3E для нужд Nvidia, а во втором полугодии представит HBM4, но теперь последний этап планируется ускорить почти на шесть месяцев. По меньшей мере, это позволит в случае необходимости обеспечить Nvidia вторым источником поставок памяти типа HBM4 к моменту анонса ускорителей семейства Rubin в третьем квартале. Изначально Nvidia рассчитывала представить Rubin в 2026 году, но теперь при наличии доступа к памяти типа HBM4 может ускориться.

Как отмечалось ранее, одной из особенностей памяти типа HBM4 является наличие базового кристалла, чьи функциональные особенности подгоняются под нужды конкретного заказчика. Samsung такие кристаллы для HBM4 рассчитывает выпускать собственными силами по 4-нм технологии, тогда как SK hynix будет зависеть в этой сфере от TSMC. Впрочем, это даёт SK hynix возможность получить от TSMC сразу 3-нм базовые кристаллы, тогда как Samsung будет зависеть от успехов своего контрактного подразделения в освоении передовых техпроцессов.

Разработка высокопроизводительной памяти HBM4 компанией SK hynix идёт быстрее, чем об этом просил главный потребитель такой памяти, компания Nvidia. Об этом в разговоре с журналистами заявил председатель SK Group Чей Тэ Вон (Chey Tae-won), пишет южнокорейское издание The Elec.

Источник изображения: SK hynix

Председатель SK Group рассказал, что встретился с генеральным директором Nvidia Дженсеном Хуангом (Jensen Huang) в кулуарах международной выставки электроники CES 2025 и поделился последними достижениями в области разработки памяти HBM4.

SK hynix, являющаяся самым ценным активом SK Group, занимается разработкой и производством микросхем памяти. Ранее сообщалось, что скорость разработки нового поколения чипов памяти HBM для задач, связанных с искусственным интеллектом, не удовлетворила руководство Nvidia, с которой SK hynix поддерживает тесное сотрудничество. После этого компания пообещала ускорить процесс. Во время пресс-конференции на стенде SK Group в Лас-Вегасе председатель SK Group Чей Тэ Вон заявил, что сейчас разработка новой памяти HBM4 ведётся ещё быстрее, чем того требовала Nvidia. Однако он добавил, что в будущем ситуация может измениться.

Чей Тэ Вон также отметил, что обсудил с Хуангом последние достижения Nvidia в области разработки новой платформы Cosmos, предназначенной для создания человекоподобных роботов, презентация которой состоялась ранее на этой неделе. По словам председателя SK Group, глава Nvidia подчеркнул, что Южная Корея обладает сильными позициями в производственной сфере и большим опытом в этой области.

SK hynix в настоящее время является основным поставщиком памяти HBM для Nvidia, которая использует её в своих ускорителях искусственного интеллекта.

Память семейства HBM оказалась востребована в сегменте ускорителей вычислений для систем искусственного интеллекта, и немногочисленные поставщики стараются укрепить свои позиции в этом прибыльном сегменте рынка. Samsung очевидным образом отстала от SK hynix в этой сфере, но постарается наверстать упущенное в рамках подготовки к массовому выпуску микросхем типа HBM4.

По крайней мере, на это указывает публикация южнокорейского ресурса The Chosun Daily, который ссылается на источники, знакомые с планами Samsung Electronics. По имеющейся информации, Samsung уже завершила разработку базовых кристаллов для HBM4, и поручила их производство по 4-нм технологии собственному контрактному подразделению. Тем самым Samsung надеется быстрее получить готовые образцы микросхем HBM4 и направить их потенциальным клиентам, которые в итоге могут переметнуться от SK hynix в случае успеха инициативы.

Характерной особенностью стеков HBM4 является наличие у них базового кристалла с логикой, функции которой могут отличаться от клиента к клиенту. Необходимость подобной адаптации в сочетании с ориентацией на снижение энергопотребления вынуждает SK hynix поручить производство таких базовых кристаллов тайваньской TSMC. Первоначально считалось, что они для SK hynix будут выпускаться по 5-нм технологии, и на этом фоне решение Samsung применить в аналогичных целях свой 4-нм техпроцесс выглядело более выигрышным, но некоторое время назад появилась информация о намерениях SK hynix заказать TSMC выпуск базовых кристаллов по более совершенной 3-нм технологии.

По замыслу Samsung, выпуск базовых кристаллов собственными силами позволит компании быстрее реагировать на запросы клиентов, поэтому компания рассчитывает на укрепление своих рыночных позиций после выхода на рынок своих микросхем типа HBM4. Во-вторых, Samsung рассчитывает использовать для производства кристаллов DRAM в стеке более совершенный техпроцесс 10-нм класса шестого поколения, тогда как SK hynix приписывается 10-нм техпроцесс пятого поколения. Плотно скомпонованные в стеке, насчитывающем до 16 ярусов, микросхемы могут выделять существенное количество тепла, поэтому техпроцесс их изготовления обретает особую важность.

Наконец, Samsung при производстве HBM4 рассчитывает внедрить как более прогрессивный гибридный метод формирования межслойных соединений с использованием меди, так и более современную технологию упаковки чипов TC-NCF. К массовому производству HBM4 компания намеревается приступить в этом году.

Квартальное отчётное мероприятие Micron Technology на прошлой неделе позволило руководству американской компании поделиться более подробными планами по развитию ассортимента продукции. Если в 2026 году Micron приступит к производству микросхем памяти типа HBM4, то позднее собирается наладить выпуск HBM4E, главной особенностью которой станет кастомизируемый базовый кристалл.

Источник изображения: Micron Technology

Данная часть стека памяти лежит в его основе и содержит базовую логику, необходимую для работы с расположенными выше микросхемами памяти. Micron собирается наделять базовый кристалл HBM4E тем набором функций, который интересен конкретным крупным заказчикам. Насколько велика будет степень свободы Micron в этой сфере, заранее сказать сложно, но очевидно, что стандарты JEDEC будут определять какие-то рамки. Чисто технически Micron сможет добавлять поддержку новых интерфейсов, увеличивать объём кеша, добавлять шифрование данных и всё в таком духе.

Как подчеркнул глава Micron на прошлой неделе, «HBM4E обеспечит сдвиг парадигмы в бизнесе по производству памяти, поскольку предложит опцию кастомизации базового кристалла с логикой для определённых клиентов, используя передовой производственный процесс TSMC». По словам генерального директора Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), подобные возможности индивидуализации улучшат финансовые показатели компании Micron.

Если же вернуться к более близкой HBM4, то непосредственно микросхемы памяти для стеков этого типа Micron намерена выпускать с помощью своего техпроцесса 10-нм класса пятого поколения (1β), тогда как конкурирующие SK hynix и Samsung присматриваются к более современной технологии 10-нм класса шестого поколения. Наличие 2048-разрядной шины позволит HBM4 обеспечить скорость передачи информации до 6,4 гигатранзакций в секунду. Массовое производство HBM4 компания рассчитывает развернуть в 2026 календарном году. Сейчас Micron уже активно поставляет 8-ярусные стеки HBM3E для ускорителей Nvidia Blackwell, 12-ярусные проходят тестирование клиентами и получают самые лестные отзывы, по словам руководства компании.

Принято считать, что для производства микросхем памяти в целом используются менее дорогостоящие литографические технологии, но современная память становится более сложной по своей компоновке, а потому при её выпуске востребована продвинутая литография. SK hynix намерена привлечь TSMC к производству стеков HBM4 с использованием 3-нм техпроцесса со второй половины 2025 года.

Источник изображения: SK hynix

Об этом сообщает издание The Korea Economic Daily со ссылкой на осведомлённые источники. Передовой техпроцесс потребуется для производства базового кристалла для кастомных HBM4, которые будут выпускаться специально для Nvidia. В базовом кристалле располагается логика и на его основе формируется вертикальный стек. Первоначально SK hynix рассчитывала выпускать этот кристалл по 5-нм технологии, но в ходе переговоров с TSMC и крупными клиентами обеих компаний было принято решение об использовании более продвинутого 3-нм техпроцесса для этих целей. Память типа HBM4 корейский поставщик надеется начать отгружать для нужд Nvidia во второй половине 2025 года.

Как ожидается, прототип микросхемы HBM4 на базе 3-нм основания будет продемонстрирован SK hynix в марте следующего года. Получаемые сейчас Nvidia от TSMC графические процессоры выпускаются по 4-нм технологии. По некоторым оценкам, перевод базового чипа HBM4 на 3-нм технологию производства позволит поднять быстродействие памяти на 20–30 % относительно 5-нм варианта. SK hynix контролирует примерно половину мирового рынка HBM, основную часть своей продукции данного типа она поставляет для нужд Nvidia. Конкурирующая Samsung не может сертифицировать свою HBM3E для использования в продукции Nvidia, а ещё она собирается использовать при производстве HBM4 лишь 4-нм базовые кристаллы. Память типа HBM4 уже относится к шестому поколению данных микросхем.

В свою очередь, базовые кристаллы для стандартных стеков HBM4 и HBM4E, которые будут получать все прочие клиенты SK hynix кроме Nvidia, будут выпускаться по 12-нм техпроцессу, также силами TSMC. Базовые кристаллы для HBM3E корейская компания выпускает самостоятельно, но в свете перехода к HBM4 решила углубить сотрудничество с TSMC в данной сфере. Утверждается, что по просьбе Nvidia компания SK hynix ускорила разработку и процесс подготовки к массовому производству микросхем HBM4. Ранее она собиралась наладить выпуск HBM4 в начале 2026 года, а теперь готова сделать это примерно на полгода раньше. Тем временем, памятью типа HBM4 интересуется и компания Tesla, она пока выбирает между продукцией SK hynix и Samsung Electronics.

Попытки Samsung Electronics отвоевать у SK hynix приличную часть рынка микросхем памяти типа HBM пока не увенчались успехом, но первая из компаний делает ставку на адаптацию микросхем HBM4 под нужды конкретных заказчиков, которую начнёт осуществлять со следующего года, если верить южнокорейским СМИ.

Источник изображения: Samsung Members

Источники сообщают, что разработка полузаказных вариантов HBM4 для крупных клиентов Samsung уже началась, а к их массовому производству компания приступит до конца 2025 года. Первыми клиентами Samsung на данном направлении могут стать Microsoft и Meta✴ Platforms, которые занимаются разработкой собственных ускорителей вычислений, а потому нуждаются в более эффективной памяти. Базовая HBM4, как ожидается, увеличит скорость передачи информации относительно HBM3E на 66 % до 2 Тбайт/с, а предельная ёмкость увеличится на треть до 48 Гбайт на стек.

Samsung может оснастить свои микросхемы HBM4 не только собственными нейронными сопроцессорами для ускорения операций, связанных с работой систем искусственного интеллекта, но и дополнительными вычислительными блоками, адаптированными под потребность конкретных заказчиков. Данная особенность памяти поколения HBM4 и станет главным полем сражения конкурирующих производителей. Обычную HBM4 универсального типа Samsung тоже надеется начать выпускать до конца следующего года. Партнёром компании в этой сфере довольно неожиданно станет один из конкурентов — тайваньская TSMC, которая оказывает услуги по упаковке чипов с передовыми вариантами компоновки.

SK hynix ускорит выпуск нового поколения чипов памяти HBM для задач, связанных с работой ИИ, после того, как глава компании Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang) спросил южнокорейского поставщика микросхем о возможности начать поставки образцов новой памяти на шесть месяцев раньше изначально запланированного срока. Решение свидетельствует о сохраняющемся мировом спросе на передовые полупроводники, пишет Bloomberg.

Источник изображения: TechPowerUp

Хуанг поднял вопрос о будущей высокопроизводительной памяти HBM4 в ходе встречи с председателем SK Group Чеем Тэ Воном (Chey Tae-won), о чём сам южнокорейский бизнесмен сообщил в кулуарах саммита SK AI по вопросам технологий ИИ в понедельник, пишет издание. Чей считает, что Хуанг преуспел в качестве лидера отчасти благодаря своему акценту на скорости внедрения новых решений на рынок.

Ранее SK hynix сообщила, что придерживается графика и планирует начать поставки памяти HBM4 своим клиентам во второй половине 2025 года. Эти планы она в очередной раз подтвердила в рамках финансового отчёта в октябре. Южнокорейская компания является ключевым поставщиком микросхем памяти HBM, которые используются в составе специальных ИИ-ускорителей Nvidia.

Как пишет Bloomberg, судьба поставок памяти HBM4 в 2025 году зависит от того, сможет ли южнокорейский производитель чипов вовремя завершить сложный процесс квалификации микросхем со стороны Nvidia. Однако по словам топ-менеджера SK Group, «обе стороны находятся на одной волне» по вопросу графика выпуска HBM4. Как сообщается, в то же время сама Nvidia пока не может удовлетворить спрос на достаточное количество ИИ-чипов. По словам Чея, обе компании работают над тем, чтобы решить проблему сохраняющегося дефицита поставок.

SK hynix в понедельник также раскрыла некоторые дополнительные подробности о дорожной карте своих будущих продуктов. Производитель микросхем планирует выпустить 16-слойные чипы памяти HBM3E в начале 2025 года, а также выпустить микросхемы HBM5 и HBM5E в 2028–2030 годах. В прошлом месяце компания отчиталась о рекордном квартальной выручке и сообщила о планах начать поставки своих самых передовых на данный момент 12-слойных чипов памяти HBM3E в четвёртом квартале этого года.

Компания Samsung Electronics, которая изо всех сил пытается догнать SK hynix в сегменте производства ИИ-чипов, заявила, что планирует массовое производство микросхем памяти HBM4 во второй половине следующего года. Samsung рассчитывает, что её продукты HBM4 помогут конкурировать с SK hynix в поставках для Nvidia.

Samsung Electronics располагает собственными мощностями по выпуску логических элементов памяти HBM, но в рамках производства HBM4 она решила объединить усилия с TSMC, являющейся крупнейшим контрактным производителем полупроводниковых компонентов. Так Samsung рассчитывает увеличить охват рынка при реализации HBM4.

Источник изображения: Samsung Electronics

Многие игроки отрасли настаивают, что на рынке HBM в дальнейшем усилится тенденция к адаптации микросхем памяти данного типа к потребностям конкретных клиентов. Осознавая это, Samsung собирается скооперироваться с TSMC в части выпуска логических компонентов для микросхем HBM4, а также расширения возможностей по интеграции памяти с компонентами сторонних заказчиков, которые пользуются услугами TSMC. В контрактном сегменте TSMC и Samsung являются прямыми конкурентами, но это не помешало южнокорейскому гиганту согласиться на сотрудничество.

В начале месяца, как отмечает Business Korea, представители Samsung объявили о подготовке более 20 микросхем HBM, адаптированных к потребностям конкретных заказчиков. А вчера представители TSMC на отраслевой конференции на Тайване признались, что компания ведёт разработку безбуферной памяти HBM4 в сотрудничестве с Samsung. Буфер у микросхем HBM традиционно отвечает за более стабильное электропитание, но отказ от него позволяет улучшить энергетическую эффективность на 40 % и снизить задержки при передаче информации на 10 %. Samsung намеревается перейти на безбуферную компоновку при выпуске HBM4 с конца 2025 года. При этом компания будет часть микросхем HBM4 производить самостоятельно, но одновременно сотрудничать в данной сфере с TSMC.

Южнокорейская компания SK hynix является крупнейшим поставщиком памяти типа HBM, по размеру чистой прибыли она среди соотечественников уже уступает только Samsung Electronics, а потому заинтересована в сохранении технологического лидерства в этой сфере. Представители SK hynix недавно признались, что компания намерена увеличить производительность HBM в 30 раз от текущего уровня.

Источник изображения: SK hynix

Соответствующее заявление, как отмечает Business Korea, сделал на этой неделе вице-президент компании Рю Сон Су (Ryu Seong-su), выступавший на отраслевом форуме в южнокорейской столице. SK hynix собирается разработать память семейства HBM, которая по уровню быстродействия смогла бы превзойти существующие образцы в 30 раз. «Мы собираемся разрабатывать продукты, которые будут быстрее нынешней HBM в 20 или 30 раз, концентрируясь на выводе на рынок дифференцированных продуктов», — пояснил Рю Сон Су.

Компании, входящие в так называемую «великолепную семёрку» (Apple, Microsoft, Alphabet (Google), Amazon, Nvidia, Meta✴ Platforms и Tesla), часто обращаются к SK hynix с просьбой адаптировать поставляемую память HBM под их нужды. Чтобы удовлетворить эти запросы, SK hynix требуется огромное количество инженерных ресурсов, по словам представителя компании, но она собирается развиваться в этом направлении. Уже в рамках семейства HBM4 этот производитель намеревается предлагать клиентам адаптированные под их потребности варианты памяти. При этом SK hynix стремится к самостоятельному формированию отраслевых стандартов в данной сфере, а не следовать предложенным другими компаниями решениям. Кастомизация памяти станет существенным фактором, меняющим ход развития всей полупроводниковой отрасли, как считают в SK hynix.

Потерпев определённые неудачи на поприще поставок HBM3E для нужд Nvidia, южнокорейская компания Samsung Electronics старается наверстать упущенное при подготовке к массовому выпуску памяти типа HBM4. Уже к концу этого года она будет располагать цифровыми проектами соответствующих чипов, а массовое производство 12-слойных стеков HBM4 должна наладить до конца следующего.

Источник изображения: Samsung Electronics

По крайней мере, так описывает планы Samsung южнокорейское издание The Elec. Рассчитывать на формальный анонс HBM4 в исполнении Samsung в этом случае приходится в привязке к весне 2025 года, поскольку от создания цифрового проекта до начала выпуска первых образцов продукции обычно проходит от трёх до четырёх месяцев. Скорее всего, Samsung сможет приступить к поставкам образцов HBM4 своим клиентам в течение следующего года.

По данным источника, Samsung намеревается наладить выпуск логической части чипа HBM4 с использованием своего 4-нм техпроцесса, а микросхемы памяти в стеке будут производиться по техпроцессу 10-нм класса шестого поколения (1c). Конкурирующая SK hynix собирается наладить выпуск 12-слойной памяти HBM4 во второй половине следующего года, логическую часть она будет производить по 5-нм или 12-нм технологии силами TSMC, а вот микросхемы памяти в стеке она будет выпускать самостоятельно, но пока не определилась с конкретной ступенью 10-нм техпроцесса (1b или 1c). Компании Samsung для подготовки к выпуску чипов HBM4 с использованием технологии 1c придётся вложиться в оснащение профильных производственных линий. Установка оборудования начнётся в середине следующего года, массовое производство планируется развернуть уже в 2026 году. К тому времени AMD и Nvidia выпустят свои ускорители вычислений Instinct MI400 и Rubin, которые будут оснащаться памятью типа HBM4.

Бум систем искусственного интеллекта воодушевил производителей памяти семейства HBM, а ведущие позиции на этом рынке сейчас занимает южнокорейская SK hynix. Руководство этой компании выражает уверенность, что высокий спрос на микросхемы памяти сохранится как минимум до середины следующего года. В дальнейшем он тоже может оставаться высоким, но для подобных прогнозов у компании просто нет достаточных данных.

Источник изображения: SK hynix

По словам издания Korean Economic Daily, соответствующие заявления генеральный директор SK hynix Квак Но Чун (Kwak Noh-jung) на собрании с участием сотрудников компании сделал в минувшую среду. «Оживление на рынке памяти сохранится до конца первой половины следующего года. Спрос на HBM способствовал возникновению перелома в отрасли по производству памяти», — буквально заявил руководитель SK hynix. Во втором квартале операционная прибыль компании достигла шестилетнего максимума в размере $3,96 млрд, норма операционной прибыли выросла до рекордных 33 %, а выручка выросла в годовом сравнении на 124,7 % до $11,86 млрд.

Помимо активного наращивания производственных мощностей для выпуска HBM, компания SK hynix намеревается своевременно осваивать новые типы продукции. Наладить выпуск 12-слойных микросхем типа HBM4 этот южнокорейский производитель рассчитывает во второй половине следующего года. Глава SK hynix не стал торопиться с прогнозами на вторую половину следующего года с точки зрения сохранения высокой динамики спроса, но в компании это объясняют не наличием причин сомневаться в её сохранении, а просто в отдалённости этого периода для обеспечения достоверного прогнозирования.

Ассоциация JEDEC опубликовала предварительную спецификацию памяти HBM4 четвёртого поколения, которая обещает значительное увеличение объёма и пропускной способности для систем искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений.

Источник изображения: AMD

JEDEC представила спецификацию памяти HBM4 (High-Bandwidth Memory) нового поколения, приближаясь к завершению разработки нового стандарта DRAM, сообщает Tom's Hardware. Согласно опубликованным данным, HBM4 будет поддерживать 2048-битный интерфейс на стек, хотя и с более низкой скоростью передачи данных по сравнению с HBM3E. Кроме того, новый стандарт предусматривает более широкий диапазон слоёв памяти, что позволит лучше адаптировать её для различных типов приложений.

Новый стандарт HBM4 будет поддерживать стеки объёмом 24 Гбайт и 32 Гбайт, а также предложит конфигурации для 4-, 8-, 12- и 16-слойных стеков с вертикальными межсоединениями TSV. Комитет JEDEC предварительно согласовал скоростные режимы до 6,4 Гт/с, но при этом ведутся дискуссии о возможности достижения ещё более высокой скорости передачи данных.

16-слойный стек на основе 32-гигабитных чипов сможет обеспечить ёмкость 64 Гбайт, то есть в этом случае процессор с четырьмя модулями памяти сможет поддерживать 256 Гбайт памяти с пиковой пропускной способностью 6,56 Тбайт/с при использовании 8192-битного интерфейса.

Несмотря на то, что HBM4 будет иметь удвоенное количество каналов на стек по сравнению с HBM3 и больший физический размер для обеспечения совместимости, один контроллер сможет работать как с HBM3, так и с HBM4. Однако для размещения различных формфакторов потребуются разные подложки. Интересно, что JEDEC не упомянула о возможности интеграции памяти HBM4 непосредственно в процессоры, что, пожалуй, является наиболее интригующим аспектом нового типа памяти.

Ранее компании SK hynix и TSMC объявили о сотрудничестве в разработке базовых кристаллов HBM4, а несколько позднее на Европейском симпозиуме 2024, TSMC подтвердила, что будет использовать свои технологические процессы 12FFC+ (12-нм класс) и N5 (5-нм класс) для производства этих кристаллов.

Процесс N5 от TSMC позволяет интегрировать больше логики и функций, с шагом межсоединений от 9 до 6 микрон, что критически важно для интеграции на кристалле. Процесс 12FFC+, основанный на 16-нм FinFET-технологии TSMC, обеспечит производство экономически эффективных базовых кристаллов, соединяющих память с хост-процессорами с помощью кремниевых подложек.

Отметим, что HBM4 в первую очередь разработана для потребностей генеративного искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений, которые требуют обработки очень больших объёмов данных и выполнения сложных вычислений. Поэтому маловероятно, что мы увидим HBM4 в клиентских приложениях, таких как GPU. Компания SK hynix рассчитывает наладить выпуск HBM4 в 2026 году.

В мае этого года бывший глава всего полупроводникового бизнеса Samsung Кюн Ки Хён (Kyung Kye-hyun) был назначен руководителем исследовательского подразделения компании, и теперь по его инициативе разработкой перспективных технологий в сфере производства HBM будет заниматься отдельная команда специалистов.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как отмечает Business Korea, в сферу ответственности подразделения HBM Development Team войдёт создание более эффективных вариантов HBM3 и HBM3E, а также разработка перспективной памяти типа HBM4. Ранее Samsung уже создала рабочую группу по повышению конкурентоспособности компании на рынке HBM, и теперь её участники вольются к более крупный коллектив новой команды.

С 2015 года разработкой HBM в структуре Samsung Electronics занимались специалисты подразделения, отвечающего за выпуск памяти. В феврале этого года южнокорейский гигант доложил об успехах в создании образцов 12-ярусного стека HBM3E, который может обладать объёмом 36 Гбайт. Теперь разработкой HBM и сопутствующих технологий будет заниматься команда в составе подразделения Device Solutions. Компания остро нуждается в повышении своей конкурентоспособности на рынке HBM, поскольку сейчас Samsung является крупнейшим производителем микросхем памяти, но конкретно на прибыльном и быстро растущем рынке HBM компания уступает SK hynix.

Компания Samsung объявила о планах предложить клиентам своего контрактного производства чипов передовую технологию пространственной компоновки. Проще говоря, Samsung сможет выпускать чипы, состоящие из нескольких кристаллов, уложенных один на другой. Это позволит Samsung лучше конкурировать с крупнейшим контрактным производителем чипов — TSMC.

Источник изображения: Kedglobal.com

Как сообщает The Korea Economic Daily, на недавно прошедшем форуме Samsung Foundry в Сан-Хосе компания анонсировала запуск услуги по 3D-упаковке с применением стеков HBM (High Bandwidth Memory). В настоящее время память HBM в основном использует 2.5D-технологию, то есть размещается в непосредственной близости от микросхемы GPU или другого чипа на общей кремниевой подложке. Однако Samsung готова устанавливать стеки HBM непосредственно на кристаллы процессоров. Это обеспечит ещё более высокую скорость передачи данных и уменьшит задержки, поскольку позволит отказаться от пересылки данных через подложку.

Ожидается, что 3D-упаковка появится на рынке для HBM четвёртого поколения, которое также называют HBM4. Данная память начнёт активно применяться в 2025–2026 годах. Интересно, что анонс Samsung последовал после презентации генерального директора NVIDIA Дженсена Хуанга (Jensen Huang) на выставке Computex 2024, где он представил Rubin — архитектуру ускорителей вычислений следующего поколения, которая как раз будет использовать памяти HBM4.

Samsung планирует предлагать 3D-упаковку с HBM4 «под ключ», то есть интегрировать на чипы стеки памяти собственного производства. Отдел Samsung, отвечающий за передовую упаковку, будет устанавливать стеки HBM, произведенные в подразделении Samsung по выпуску памяти, с графическими процессорами, изготовленными подразделением контрактного производства.

Компания называет свою новую технологию упаковки SAINT-D, сокращенно от Samsung Advanced Interconnection Technology-D. «3D-упаковка снижает энергопотребление и задержку обработки, улучшая качество электрических сигналов полупроводниковых чипов», — заявил представитель Samsung Electronics. Услуги по 3D-упаковке HBM4 «под ключ» планируется запустить в 2027 году.

Источник изображения: Trendforce.com

В связи с растущим спросом на высокопроизводительные чипы HBM, по прогнозам, в 2025 году на память данного типа придётся 30 % от всего рынка DRAM в следующем году против 21 % в 2024 году.