Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Samsung оправилась от провала с HBM3E и утверждает, что клиенты довольны её HBM4
02.01.2026 [14:38],
Владимир Фетисов
Клиенты Samsung Electronics высоко оценили конкурентоспособность чипов памяти нового поколения HBM4. Об этом пишет информационное агентство Reuters со ссылкой на заявление одного из топ-менеджеров южнокорейской компании Чун Ён Хена (Jun-Young-hyun). 
Источник изображения: Samsung Electronics В октябре Samsung сообщала о проведении переговоров по поставкам своих чипов памяти HBM4 американскому производителю графических ускорителей Nvidia. За счёт этого Samsung рассчитывала догнать конкурентов, таких как SK Hynix, в сегменте поставок чипов для сферы искусственного интеллекта. «В частности, что касается HBM4, то клиенты заявили, что Samsung вернулась», — приводит источник слова Чун Ён Хена. Он также добавил, что компании предстоит проделать большую работу для дальнейшего повышения конкурентоспособности своих чипов. Генеральный директор SK Hynix Квак Но-Джун (Kwak Noh-Jung) в своём предновогоднем обращении к сотрудникам заявил, что компания сумела извлечь выгоду из благоприятных внешних условий, поскольку спрос на чипы памяти для сферы ИИ вырос быстрее, чем ожидалось. Он добавил, что конкуренция стремительно обостряется, и теперь спрос на ИИ-чипы — это данность, а не приятная неожиданность. По его мнению, бизнес-среда в 2026 году будет более жесткой, чем в прошлом году, но время смелых инвестиций не прошло, поскольку они помогут подготовиться к будущему. Данные аналитической компании Counterpoint Research указывают на то, что SK Hynix была лидером на рынке памяти HBM в третьем квартале 2025 года с долей в 53 %. Следом за ней находились Samsung и Micron, занявшие 35 % и 11 % рынка соответственно. Акции Samsung и SK Hynix завершили первую торговую сессию нового года ростом на 7,2 % и 4 % соответственно, обновив рекордные максимумы и опередив рост базового индекса KOSPI на 2,3 %. Что касается контрактного производства, то, по словам Чун Ён Хена, недавно Samsung заключила несколько сделок по поставкам крупным заказчикам, тем самым подготовив данное направление бизнеса к «большому скачку вперёд». Помимо прочего, Samsung заключила соглашение с Tesla стоимостью $16,5 млрд. SK hynix начнёт производство чипов памяти HBM4 на новом заводе M15X на 4 месяца раньше запланированного срока
28.12.2025 [11:47],
Николай Хижняк
Компания SK hynix рассчитывает приступить к коммерческому производству чипов памяти на своём новейшем заводе M15X на четыре месяца раньше запланированного срока, пишет The Elec. По словам источников издания, производитель чипов планирует начать выпуск кристаллов 1b DRAM (10 нм), которые будут использоваться в стеках памяти HBM4 в феврале будущего года. 
Источник изображений: SK hynix Первоначально SK hynix планировала начать выпуск пластин для производства памяти на заводе в июне. Ожидается, что начальная мощность завода составит около 10 000 пластин в месяц, но к концу 2026 года она будет увеличена в несколько раз. По словам источников, производитель чипов активно устанавливает оборудование на заводе для быстрого расширения производственных мощностей. Этот шаг предпринят для удовлетворения спроса на высокопроизводительную память со стороны Nvidia.  Завод SK hynix M15X полностью предназначен для производства памяти HBM4, которая может использоваться в паре с ускорителем искусственного интеллекта нового поколения Nvidia Rubin. Отмечается, что образцы памяти от SK hynix уже прошли клиентскую проверку. В частности, компания изготовила образцы памяти в сентябре и затем поставила их Nvidia. Для компоновки графических процессоров для ИИ Nvidiа будет использовать передовой метод упаковки CoWoS от TSMC. CoWoS позволяет размещать на одной подложке чипа различные элементы, такие как графический процессор и стеки памяти HBM для обеспечения повышенной скорости передачи данных, рассчитывающейся в терабайтах в секунду. Процесс верификации CoWoS также называется оптимизацией. Для стабильной работы графического процессора и HBM в одном корпусе необходимо установить оптимальные параметры синхронизации сигналов, питания и распределения тепла. Ошибка в этом процессе может привести к снижению производительности продукта или проблем с перегревом. Источники The Elec сообщили, что SK hynix и Nvidia находятся на заключительном этапе оптимизации и что этот процесс проходит гладко. Издание также сообщает, что компания Samsung тоже отправила Nvidia образцы памяти HBM4, но их тестирование и оптимизация находятся на более ранней стадии. В свою очередь компания Micron заявила, что её мощности по производству HBM4 уже полностью зарезервированы клиентами. Ожидается, что Nvidia окончательно определится с поставщиками памяти HBM4 для своих ИИ-ускорителей в начале следующего года. А Samsung тем временем пытается увеличить объёмы выпуска годных чипов. Память HBM4 от Samsung получила высшие оценки в тестах Nvidia
21.12.2025 [21:57],
Николай Хижняк
В ходе испытаний высокоскоростной памяти HBM4, которая будет использоваться в следующем поколении ускорителей искусственного интеллекта Nvidia серии Vera Rubin, запуск которых запланирован на следующий год, компания Samsung Electronics получила наивысшие оценки. Об этом пишет корейская пресса. 
Источник изображений: Samsung Сообщается, что на прошлой неделе представители Nvidia посетили Samsung Electronics для оценки хода тестирования памяти HBM4 в корпусе System in a Package (SiP). В ходе встречи было отмечено, что Samsung Electronics достигла лучших в отрасли результатов по скорости работы и энергоэффективности. В результате Samsung Electronics получила убедительный сигнал о прохождении квалификации Nvidia для HBM4 и о поставках в первой половине следующего года. Объём поставок HBM4, запрошенный Nvidia на следующий год, как отмечается, значительно превышает внутренние оценки Samsung, что, как ожидается, существенно повысит загрузку производственных линий компании. Учитывая темпы расширения и производственные мощности линии Samsung P4 в Пхёнтеке, ожидается, что компания официально подпишет контракты на поставку памяти HBM4 в первом квартале следующего года. А полномасштабные поставки, как ожидается, начнутся во втором квартале. Samsung Electronics заявила, что не может официально подтвердить информацию, касающуюся оценок Nvidia. Один из инсайдеров отрасли в комментарии Maeil Business Newspaper отметил: «В отличие от HBM3E, Samsung Electronics лидирует в разработке HBM4, и это общее мнение в команде разработчиков компании».  Другой южнокорейский гигант по производству памяти, SK hynix, завершил подготовку к массовому производству чипов памяти HBM4 в конце сентября, опередив Samsung Electronics примерно на три месяца. Примечательно, что SK hynix уже начала поставлять платные образцы Nvidia, тем самым фактически подтвердив начало производство этой памяти. Отмечается, что Samsung тем не менее может быстро сократить это отставание. Поскольку полномасштабное серийное производство памяти HBM4 ожидается во втором квартале следующего года, Samsung Electronics, получившая высокие оценки в области SiP, может увеличить объёмы поставок. Технология «система в корпусе» (SiP) подразумевает интеграцию нескольких полупроводниковых чипов в один корпус. Для HBM4 это означает, что такие компоненты, как графический процессор (GPU), память, межсоединительная плата и микросхема питания, находятся в составе одного корпуса чипа. Тестирование SiP считается заключительным этапом проверки того, находятся ли скорость, тепловыделение и показатели питания в пределах контролируемых уровней. Проверка также представляет собой последний шаг для подтверждения готовности к серийному производству. Samsung почти не будет отставать от SK hynix по срокам поставок HBM4 для Nvidia
21.12.2025 [07:55],
Алексей Разин
Бум искусственного интеллекта сказочно обогащает Nvidia и её основателя, но партнёры компании тоже неплохо зарабатывают на поставках необходимых для построения вычислительной инфраструктуры компонентов. В сегменте HBM3E лидером стала SK hynix, но Samsung надеется наверстать упущенное при выпуске HBM4 и практически не отстаёт от конкурента на этапе подготовки к массовым поставкам этого типа памяти. 
Источник изображения: SK hynix Как отмечает Business Korea, сейчас Samsung Electronics и SK hynix уже предоставили образцы HBM4 для проведения сертификации на стороне Nvidia, которая будет применять память такого типа в составе своих ускорителей с архитектурой Rubin. До конца первого квартала 2026 года стороны должны определиться с ценами и объёмами поставок HBM4, как ожидают отраслевые источники. Формально, Samsung и SK hynix уже снабжают клиентов образцами HBM4, получая за них деньги. Этот этап ещё нельзя назвать массовыми поставками, но он предшествует завершению сертификации и заключению контрактов на отгрузку серийной продукции, так что дело осталось за малым. По некоторым данным, Nvidia уже проверила образцы HBM4 в исполнении SK hynix на своих ускорителях поколения Rubin. Как только выпуск последних будет налажен в серийных объёмах, SK hynix сможет начать поставки своей памяти типа HBM4. Предварительные переговоры о цене и объёмах поставок HBM4 компания SK hynix с Nvidia уже тоже провела. Технические моменты также были согласованы, и слухи о необходимости переработки дизайна HBM4 по требованию Nvidia не соответствуют действительности, как утверждает Business Korea. Ещё на квартальной отчётной конференции представители SK hynix заявили, что компания будет готова начать поставки HBM4 в четвёртом квартале текущего года. Переговоры с Samsung о поставках HBM4 для нужд Nvidia в следующем году также достигли завершающей стадии, по данным источника. Скорее всего, Samsung станет вторым по величине после SK hynix поставщиком HBM4 для Nvidia. Чипы HBM4 производства Samsung также тестируются Nvidia в составе ускорителей Rubin. К преимуществам Samsung можно отнести более продвинутые литографические нормы, которая она может использовать при производстве HBM4. Micron и ранее занимала третье место на рынке HBM, и в случае с HBM4 мало что изменится, поскольку над разработкой этого типа памяти компании пришлось потрудиться дольше, чем планировалось. Вопреки заявлениям руководства, первые образцы HBM4 в исполнении Micron по уровню быстродействия уступали продукции конкурентов. Если SK hynix полагается при производстве базовых кристаллов с логикой для HBM4 на возможности TSMC, а Samsung располагает собственными мощностями с хорошим по меркам сегмента технологическим потенциалом, то Micron предпочла выпускать базовые кристаллы HBM4 собственными силами, а потому не обладает существенным запасом для повышения быстродействия изготавливаемых чипов. Samsung рассчитывает сертифицировать HBM4 под нужды Nvidia до конца этого года
01.12.2025 [07:49],
Алексей Разин
Ещё месяц назад стало известно, что Samsung Electronics активно обсуждает возможность использования памяти типа HBM4 своего производства в ускорителях Nvidia. Первая из компаний хоть и отстаёт в этой сфере от SK hynix, надеется наверстать упущенное в пределах жизненного цикла HBM4. По некоторым данным, сертификацию своих чипов данного типа под нужды Nvidia компания Samsung рассчитывает завершить до конца месяца. 
Источник изображения: Samsung Electronics По данным южнокорейских СМИ, на которые ссылается TrendForce, образцы своей продукции семейства HBM4 компания Samsung уже отправила крупнейшим клиентам, включая Nvidia, и получить одобрение массовых поставок рассчитывает до конца текущего месяца. В дальнейшем это позволит ей в сжатые сроки наладит массовый выпуск HBM4. Для сравнения, SK hynix к масштабированию производства HBM4 уже приступила в этом квартале, но заметных объёмов они достигнут только к концу второго квартала следующего года. По мнению отраслевых источников, SK hynix останется крупнейшим поставщиком HBM4 для нужд Nvidia, даже если влияние Samsung Electronics в этой сфере начнёт расти. Другим крупным потребителем микросхем HBM3E остаётся Google, которой разрабатывать ускорители TPU помогает Broadcom. Каждому ускорители Google требуется от шести до восьми стеков HBM, поэтому для SK hynix этот заказчик остаётся весьма важным клиентом, определяющим до 30 % выручки без учёта Nvidia. Сосредоточившись на поставках памяти для Nvidia, компания SK hynix не может существенным образом нарастить их отгрузку в пользу Google, поэтому соответствующую нишу охотно заполнит Samsung Electronics. Уже во втором полугодии последней удалось обеспечить более 60 % поставок HBM для Google и Broadcom. В следующем году доминирующее положение Samsung на этом направлении сохранится. Новейшие чипы DRAM, выпускаемые по 10-нм техпроцессу класса 1α, по словам осведомлённых источников, во многом устранили проблему с перегревом памяти HBM3E производства Samsung, поэтому она начинает пользоваться растущей популярностью у клиентов. Хотя свою HBM3E под нужды Nvidia компания Samsung сертифицировала в конце сентября, в этом сегменте именно Google/Broadcom остаётся стратегическим клиентом корейского поставщика. SK hynix оценила память HBM4 для Nvidia на 50 % дороже HBM3E, но это не точно
06.11.2025 [13:28],
Алексей Разин
Гонка за лидерство в сегменте HBM4 началась задолго до серийного выпуска соответствующих микросхем, и SK hynix не собирается сдавать позиции, занятые на этапе экспансии HBM3E. По слухам, этот производитель уже согласовал с Nvidia цены на свою память типа HBM4, которую начнёт поставлять для производства ускорителей Rubin во второй половине 2026 года. 
Источник изображения: SK hynix Как поясняет Business Korea со ссылкой на собственные осведомлённые источники, микросхемы HBM4 в исполнении SK hynix обойдутся Nvidia более чем на 50 % дороже HBM3E. Такая разница вполне ожидаема, и в целом на каждый ускоритель Nvidia должна будет тратить по $560 на закупку HBM4. Чисто формально, такой уровень цен будет считаться вполне конкурентоспособным, и позволит SK hynix сохранить лидирующее положение и после перехода на HBM4. Компания постаралась заявить о завершении разработки HBM4 быстрее конкурентов ещё в середине сентября, но Micron попыталась привлечь внимание к своей продукции заявлениями о её высоких скоростных характеристиках, а Samsung Electronics полна решимости быстро наверстать упущенное, если её память типа HBM4 устроит Nvidia на уровне технических требований. Сама SK hynix комментировать слухи отказалась, ограничившись заявлением о том, что цены и объёмы поставок продукции, соответствующей требованиям Nvidia, согласованы, а существующий уровень прибыльности будет сохранён и в будущем. Не секрет, что на фоне бума ИИ дорожает и обычная DRAM типов DDR4 и DDR5, но этим дело не ограничивается. Как поясняет Business Korea, цены на GDDR и LPDDR тоже идут вверх. С учётом этих тенденций и предполагаемых условий поставок HBM4 для нужд Nvidia, компания SK hynix может сохранить норму операционной прибыли в следующем году в сегменте DRAM в целом на уровне от 50 до 60 %, как резюмируют южнокорейские источники. Тем более, что в сегменте HBM она уже распродала всю производственную программу на следующий год. Samsung приступила к переговорам с Nvidia о поставках передовой памяти HBM4
31.10.2025 [12:33],
Алексей Разин
На недавней квартальной отчётной конференции Samsung Electronics скупо отметила, что поставляет микросхемы HBM3E всем заинтересованным клиентам, а образцы более продвинутой памяти HBM4 тоже поставляются. Руководители Samsung и Nvidia встретились на этой неделе, после чего появилась информация о проведении переговоров по поводу поставок HBM4 для нужд этого заказчика. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как сообщает Reuters, сейчас Samsung Electronics «тесно обсуждает» с Nvidia возможность поставок своей памяти HBM4. На рынок такие микросхемы в исполнении Samsung выйдут в следующем году, с минимальным отставанием от конкурирующей SK hynix. Последняя готова приступить к поставкам HBM4 в четвёртом квартале текущего года и нарастить их уже в следующем году. Представители Nvidia ограничились заявлением о том, что плотно взаимодействуют с Samsung в сфере поставок HBM3E и HBM4. В пресс-релизе Samsung Electronics, посвящённому сделке с Nvidia по закупке 50 000 ускорителей вычислений для собственных нужд, упоминается о сотрудничестве компаний в сфере создания HBM4. Корейский поставщик поясняет, что готов использовать шестое поколение техпроцесса 10-нм класса при производстве кристаллов DRAM для HBM4, а базовый кристалл со встроенной логикой будет изготавливать по 4-нм технологии. Соответствующие чипы HBM4 смогут передавать информацию со скоростью 11 Гбит/с. По данным Reuters, председатель совета директоров Samsung Electronics Ли Чжэ Ён (Lee Jay-yong) и основатель Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang) встретились на этой неделе во время визита последнего на саммит APEC. По итогам этого визита стало известно, что в целом в Южную Корею будут направлены 260 000 ускорителей Nvidia поколения Blackwell, свою инфраструктуру ИИ с их помощью будут развивать Samsung, SK hynix и Hyundai Motor, а также облачный провайдер Naver Cloud и правительственные организации. Samsung оттолкнулась от дна: операционная прибыль выросла на 160 %, а продажи памяти обновили рекорд
30.10.2025 [06:14],
Алексей Разин
Компания Samsung Electronics долгие годы оставалась крупнейшим поставщиком памяти в мире, но на волне бума искусственного интеллекта её обошла SK hynix — сперва по прибыли, а потом и по величине профильной выручки. Тем не менее, наличие у Samsung прочих направлений бизнеса позволяет ей оставаться одним из крупнейших поставщиков чипов. Операционная прибыль компании в минувшем квартале взлетела на 160 % до $8,6 млрд. 
Источник изображения: Samsung Electronics Правда, следует понимать, что речь идёт о последовательном росте операционной прибыли по сравнению со вторым кварталом, который характеризовался просадкой по данному показателю. Если сравнивать операционную прибыль минувшего квартала с аналогичным периодом прошлого года, прирост ограничится 32,9 %, хотя и его сложно назвать скромным. Выручка Samsung по итогам прошлого квартала выросла на 8,85 % до $60,5 млрд в годовом сравнении, и на 15,5 % в последовательном. Рост операционной прибыли превысил как собственные прогнозы компании, так и ожидания аналитиков. Чистая прибыль компании в размере $8,45 млрд оказалась почти на треть выше ожиданий. Полупроводниковое направление бизнеса Samsung продемонстрировало рост выручки на 19 % до $23,3 млрд, благодаря рекордной выручке от реализации микросхем памяти. Последняя выросла на 19 % в годовом сравнении до $18,8 млрд. Операционная прибыль полупроводникового бизнеса Samsung выросла на 81 % до $4,9 млрд при заложенных в прогноз аналитиками $3,3 млрд. Это рекорд за последние три с лишним года. В следующем полугодии Samsung Electronics рассчитывает на сохранение высокого спроса на полупроводниковые компоненты, главным образом — за счёт инвестиций в развитие ИИ-инфраструктуры. По мнению аналитиков Counterpoint Research, в третьем квартале Samsung удалось вернуть себе статус крупнейшего поставщика микросхем памяти. Компания в следующем году собирается сосредоточиться на массовом производстве HBM4 — самого современного типа памяти для инфраструктуры искусственного интеллекта. Руководство компании призналось, что её микросхемы HBM3E сейчас поставляются «всем соответствующим клиентам», и в такой формулировке можно проследить тонкий намёк на Nvidia. К поставкам образцов HBM4 компания также уже приступила. Сегмент устройств в структуре бизнеса Samsung тоже продемонстрировал прирост как операционной прибыли (на 12 % до $2,5 млрд в годовом сравнении), так и выручки (на 8 % до $34 млрд). Положительная динамика в этой сфере была обусловлена хорошим спросом на флагманские модели смартфонов Samsung, включая недавно представленный складной Galaxy Z Fold 7. В текущем квартале направление устройств также должно почувствовать выгоду от распространения технологий систем искусственного интеллекта, как считают в Samsung. Об успехах контрактного направления Samsung в квартальной презентации рассказывает неохотно, упоминая о начале массового производства чипов по 2-нм технологии первого поколения, подразумевающей использование структуры транзисторов GAA, а также базовых кристаллов для HBM4 по 4-нм технологии. Компания готова ввести в строй новое предприятие в Техасе в оговорённые сроки, как отмечается в презентации. В следующем году Samsung надеется привлечь к своему 2-нм техпроцессу новых клиентов. В третьем квартале она получила рекордное количество заказов на выпуск чипов, главным образом, по передовым техпроцессам. SK hynix уже продала всю память, которую выпустит в 2026 году — квартал завершён с рекордными выручкой и прибылью
29.10.2025 [07:16],
Алексей Разин
Производители памяти в целом хорошо зарабатывают в условиях бума ИИ, а SK hynix ещё и остаётся главным поставщиком микросхем типа HBM, поэтому её квартальная отчётность способна порадовать инвесторов. Прошлый квартал характеризовался ростом выручки на 39 % до рекордных $17,13 млрд, операционная прибыль выросла на 62 % до $8 млрд, а ещё компания распродала всю производственную программу памяти на следующий год. 
Источник изображения: Nvidia По данным CNBC, инвесторы в среднем ожидали чуть лучших квартальных результатов, но и наблюдаемую динамику сложно назвать скудной. В любом случае, на утренних торгах в среду акции SK hynix выросли в цене на 5 %, а всего с начала года они подорожали на 210 %. В последовательном сравнении выручка SK hynix выросла на 10 %, а операционная прибыль увеличилась на 24 %. В национальной валюте операционная прибыль SK hynix в прошлом квартале впервые превысила рубеж в 10 трлн вон. Поскольку все квоты на производство памяти в следующем году распроданы уже сейчас, SK hynix займётся расширением производственных мощностей, хотя сумма капитальных затрат на 2026 год и не была названа. Даже в 2027 году при этом будет сохраняться дефицит HBM, по словам представителей компании. В текущем квартале SK hynix приступит к поставкам HBM4, которая считается шестым поколением памяти данного класса. Можно предположить, что такую память начнёт получать от SK hynix компания Nvidia, являющаяся крупнейшим клиентом корейского производителя, хотя напрямую это не указывается. По прогнозам аналитиков Counterpoint Research, к 2027 году ёмкость мирового рынка памяти типа HBM достигнет $43 млрд. Во втором квартале текущего года SK hynix занимала на рынке DRAM в целом 38 % в показателях выручки, обойдя прежнего долговременного лидера в лице Samsung Electronics в первом квартале этого года. Сегмент HBM во втором квартале вырос в денежном выражении на 178 %, компания SK hynix сохранила на нём лидирующие позиции в виде доли в 64 %. Представители Futurum Group считают, что по итогам следующего года SK hynix будет контролировать в сегменте HBM не менее 60 % мирового рынка. По мнению самой SK hynix, в ближайшие пять лет рынок HBM будет расти более чем на 30 % ежегодно. В сегменте DRAM в целом, который формально включает и HBM, спрос на память в следующем году в натуральном выражении увеличится более чем на 20 %, как считает руководство SK hynix. В сегменте NAND спрос вырастет менее чем на 20 %. По мнению аналитиков Bloomberg Intelligence, цены на память в следующем году продолжат расти, и это пойдёт на пользу SK hynix и Samsung Electronics. По данным корейских СМИ, обе компании уже подняли цены на традиционные типы памяти в четвёртом квартале на величину до 30 %. Конкурирующие Nanya Technology и Kioxia с начала года подняли цены на свою память более чем в два раза. Руководство SK hynix на квартальной конференции заявило, что мировой рынок памяти будет переживать продолжительный «суперцикл» роста, а объёмы её производства продолжат отставать от спроса. Samsung рассчитывает обеспечить скорость передачи информации с помощью HBM4E до 13 Гбит/с
19.10.2025 [07:19],
Алексей Разин
Память типа HBM4E считается седьмым поколением соответствующей технологии, подразумевающей формирование стека из нескольких ярусов DRAM. В 2027 году Samsung Electronics намеревается наладить массовое производство HBM4E, обеспечив с её помощью увеличение скорости передачи информации в два с половиной раза относительно нынешней HBM3E. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как поясняет Business Korea со ссылкой на выступление представителей Samsung на OCP Global Summit 2025 в Калифорнии, компания рассчитывает поднять скорость передачи информации с помощью HBM4E до 13 Гбит/с на контакт. Если учесть, что HBM4E будет оснащаться 2048 контактами, результирующее быстродействие может достичь 3,25 Тбайт/с. При этом энергетическая эффективность HBM4E окажется в два с лишним раза выше, чем у HBM3E. В январе текущего года Samsung рассчитывала увеличить пропускную способность HBM4E до 10 Гбит/с на контакт, поэтому прирост до 13 Гбит/с можно считать довольно серьёзным. Во многом такое изменение было спровоцировано Nvidia, которая запросила у своих потенциальных поставщиков памяти для ускорителей семейства Rubin увеличить пропускную способность HBM4 с 8 до 10 Гбит/с. Samsung и SK hynix решили поднять планку до 11 Гбит/с, Micron была вынуждена поступить аналогичным образом. Соответственно, из-за такого роста пропускной способности HBM4 производителям придётся пересмотреть и характеристики потенциально более быстрой HBM4E, что Samsung формально и сделала. Важно, что результирующая пропускная способность такой памяти впервые в истории превысит 3 Тбайт/с. Попутно Samsung рассказала о характеристиках LPDDR6, которая была стандартизована JEDEC в июле текущего года. Компания планирует улучшить энергетическую эффективность на 20 % по сравнению с LPDDR5X, а пропускную способность поднять до 114,1 Гбайт/с. В сфере контрактного производства Samsung намеревается освоить массовый выпуск 2-нм продукции до конца этого года. Клиентом Samsung на этом направлении стал южнокорейский разработчик ускорителей ИИ — компания Rebellions. Соответствующие 2-нм процессоры смогут достигать частот от 3,5 до 4,0 ГГц. Это несколько выше, чем у выпускаемых TSMC по 4-нм технологии процессоров Nvidia Grace с архитектурой Arm, которые работают на частоте 3,44 ГГц. Память HBM4 окажется дороже, чем ожидалось, но производители не останутся внакладе
18.10.2025 [08:02],
Алексей Разин
Ведущие производители уже готовы начать массовые поставки микросхем типа HBM4, чтобы в следующем году их клиенты смогли наладить выпуск ускорителей вычислений, наделённых памятью нового поколения. При этом некоторые источники высказывают опасения, что HBM4 окажется дороже, чем ожидалось ранее. 
Источник изображения: SK hynix Как отмечает ComputerBase со ссылкой на южнокорейские СМИ, по сравнению с HBM3E память типа HBM4 может быть дороже на величину до 60 %. В этой ситуации важно учитывать, что сама по себе HBM3E с начала этого года тоже успела подорожать на 20 %. По некоторым прогнозам, за стек HBM4 объёмом 36 Гбайт поставщики будут просить до $600. В пользу дороговизны такой памяти играют сразу несколько факторов. Это и сложность производства базовых кристаллов, которые могут адаптироваться под нужды конкретных заказчиков, а также возросшие затраты на компоновку кристаллов памяти в стеке с вертикальными межсоединениями. Наконец, объёмы производства HBM4 на первых порах будут ограничены, что само по себе вызовет рост цен. В любом случае, производители памяти не останутся в проигрыше при выпуске HBM4 даже в таких условиях. Как поясняют представители Micron, при производстве HBM3E потребляется в три раза больше кремниевых кристаллов, чем при выпуске обычной DDR5. В случае с HBM4 эта пропорция увеличится ещё сильнее, а к моменту выхода HBM4E превысит «4:1». Это само по себе ограничит объёмы выпуска памяти, сделает её дороже, причём тенденция коснётся и прочих видов памяти, а не только HBM. Опять же, если потребности в кремнии превышают DDR5 в четыре раза, то цена HBM4 будет выше в восемь раз, и это должно с запасом покрывать все издержки производителей памяти. Первыми ускорителями вычислений, оснащаемыми памятью типа HBM4, во второй половине следующего года должны стать Nvidia Rubin и AMD Instinct MI400. Micron наладит выпуск кастомизируемой HBM4E в 2027 году при участии TSMC
26.09.2025 [07:50],
Алексей Разин
Американская компания Micron Technology старается не отставать от конкурентов в сфере освоения производства новых типов памяти, и ещё в конце прошлого года заявила, что будет сотрудничать с TSMC при производстве HBM4E, в основе которой будет лежать кастомизируемый кристалл. Недавно руководство Micron пояснило, что выпуск такой памяти будет налажен не ранее 2027 года. 
Источник изображения: Micron Technology Как можно судить по стенограмме выступления представителей Micron Technology на минувшей квартальной отчётной конференции, компания очень гордится тем, что в основе HBM4, которая будет выпускаться в 2026 году, будет лежать базовый кристалл собственного производства, изготавливаемый по технологии КМОП (CMOS). По мнению генерального директора Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), такое сочетание обеспечит HBM4 производства Micron передовым быстродействием. «HBM4E в масштабах всей отрасли не является продуктом 2026 года, это будет продукт 2027 года, мы поделимся подробностями о нём позже, и у нас будет как стандартный вариант HBM4E, так и кастомизируемый», — пояснил глава Micron на этой неделе. Ранее он отметил, что при производстве базового кристалла для HBM4E компания будет полагаться на технологические возможности TSMC. Кроме того, появление HBM4E в ассортименте продукции Micron позволит компании поднять норму прибыли, особенно в случае кастомизированной версии. В ходе своего выступления на квартальной конференции глава Micron пояснил, что TSMC будет выпускать для компании базовые кристаллы не только стандартной, но и кастомизированной версии HBM4E. В последнем случае подразумевается, что функциональность базового кристалла будет определяться конкретным заказчиком, для которого потом Micron и TSMC будут сообща изготавливать HBM4E. Создавать конкурентоспособный продукт данного поколения Micron поможет не только участие TSMC, но и использование собственного техпроцесса класса 1β для выпуска кристаллов DRAM, а также усовершенствованные технологии упаковки памяти. Micron похвалилась, что её HBM4 — самая быстрая память на рынке
24.09.2025 [11:00],
Алексей Разин
Квартальная отчётная конференция Micron Technology оказалась богата на заявления представителей компании, которые позволяли оценить текущие тенденции в развитии сегмента искусственного интеллекта. Этот производитель, например, убеждён, что сможет предлагать самую быструю память типа HBM4 на рынке. 
Источник изображения: Micron Technology Сумит Садана (Sumit Sadana), исполнительный вице-президент и директор по развитию бизнеса Micron Technology, в ходе своего выступления отметил, что по занимаемой доле рынка в сегменте HBM компания по итогам третьего календарного квартала выйдет примерно на уровень своей доли на рынке DRAM в целом, а по итогам следующего календарного года увеличит свою долю в сегменте HBM по сравнению с текущим годом. Во многом такая уверенность, как он пояснил далее, основана на способности Micron Technology предложить клиентам самую быструю память типа HBM4 на рынке. Вот что заявил представитель компании: «Мы верим, что наша HBM4 обеспечивает самое высокое быстродействие на рынке по сравнению с любым из конкурирующих продуктов. Мы уверены, что сможем полностью распродать всю производственную программу на 2026 год». По данным компании, она снабжает своих клиентов образцами HBM4 со скоростью передачи информации 11 Гбит/с. Поскольку в последние месяцы много говорится о принятом крупными производителями DRAM свернуть производство микросхем DDR4, Сумиту Садане не удалось избежать обсуждения этой темы при общении с аналитиками. Он пояснил, что без учёта LPDDR4, сама по себе DDR4 отвечает лишь за несколько процентов всего бизнеса компании. По сути, это указывает на взятый Micron курс на поэтапное прекращение выпуска DDR4. Глава Micron Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) пояснил, что HBM4 в исполнении этой компании будет оснащаться базовым кристаллом собственной разработки, она станет основным продуктом в этом сегменте рынка, производство которого будет наращиваться в 2026 году. Зато в 2027 году будет налажен выпуск HBM4E, которая будет предлагаться как в стандартизированной, так и в кастомизированной под запросы клиентов форме. В целом, Micron поставляет свою память HBM различных поколений шести крупным клиентам. Nvidia испугалась ускорителей AMD и просит поставщиков сделать для неё HBM4 побыстрее
18.09.2025 [14:58],
Алексей Разин
В следующем году Nvidia рассчитывает вывести на рынок ускорители вычислений семейства Rubin с поддержкой передовой памяти HBM4, но поскольку на горизонте замаячила конкурентная угроза в виде AMD Instinct MI450, она уже сейчас пытается обеспечить себе преимущество в быстродействии. Nvidia попросила поставщиков HBM4 подтянуть спецификации предназначающихся ей микросхем, увеличив скорость передачи информации до 10 Гбит/с. 
Источник изображения: SK hynix Как отмечает TrendForce, пока нет уверенности в том, что производители HBM4 смогут исполнить пожелания Nvidia, но SK hynix наверняка сохранит за собой статус крупнейшего поставщика памяти для ускорителей указанной американской марки в самом начале перехода на HBM4. Нюанс заключается в том, как поясняет источник, что Samsung Electronics изначально рассчитывала выпускать базовый кристалл HBM4 по 4-нм техпроцессу с использованием FinFET, а также предложить скорости передачи информации до 10 Гбит/с. Всё это позволит Samsung предпринять попытку выйти в лидеры по поставкам HBM4 для нужд Nvidia в среднесрочной перспективе. Скорость экспансии ускорителей Nvidia Rubin, по мнению TrendForce, будет зависеть от доступности памяти HBM4 с необходимыми характеристиками в достаточных количествах. Если чипов HBM4 со скоростью передачи информации 10 Гбит/с окажется мало, Nvidia либо откажется от идеи поднять характеристики памяти Rubin, либо будет более тонко сегментировать свою продукцию и в каждой нише сотрудничать с оптимальным поставщиком памяти. Кроме того, Nvidia может провести сертификацию HBM4 в два этапа, предоставив тем самым «отстающим» поставщикам больше времени на подготовку. В следующем году, как считают эксперты TrendForce, крупнейшим поставщиком HBM4 для Nvidia останется SK hynix, а вот успех Samsung и Micron в этой сфере будет во многом зависеть от скорости прохождения сертификации и улучшения характеристик продукции. SK hynix первой завершила разработку HBM4 и готова начинать её выпуск — Samsung и Micron снова отстали
12.09.2025 [17:10],
Павел Котов
Южнокорейский производитель компонентов памяти SK hynix объявил, что завершил разработку чипов стандарта HBM4 и подготовил их к запуску в массовое производство. Компания опередила конкурентов и обеспечила своим акциям резкий рост. 
Источник изображений: skhynix.com HBM (High Bandwidth Memory) — тип памяти, который используется в ускорителях искусственного интеллекта, в том числе в продукции Nvidia, лидера рынка. SK hynix раньше своих основных конкурентов в лице Samsung и Micron направила основным клиентам образцы чипов HBM нового поколения; теперь же она завершила их внутреннюю валидацию и процессы контроля качества, что означает готовность к серийному производству. Это достижение глава отдела разработки HBM в SK hynix Чжу Хан Чо (Joohwan Cho) назвал «новым этапом для отрасли». HBM4 представляет собой шестое поколение технологии HBM — разновидности динамической памяти с произвольным доступом (DRAM). По сравнению с памятью предыдущего поколения новая HBM4 предлагает удвоенную пропускную способность за счёт выросшего вдвое до 2048 количества терминалов ввода-вывода, а также рост энергоэффективности более чем на 40 %. Развёртывание оборудования на базе HBM4 позволит повысить производительность ускорителей искусственного интеллекта на величину до 69 %, подсчитали в SK hynix — память нового поколения устранит узкие места в области передачи информации и поможет значительно снизить затраты на электроэнергию для центров обработки данных. Утверждённый JEDEC3 стандарт предусматривает для HBM4 стандартную рабочую скорость 8 Гбит/с, но в реализации SK hynix этот показатель удалось увеличить до 10 Гбит/с. При производстве будут использоваться зарекомендовавший себя технологический процесс MR-MUF4, а также техпроцесс 1bnm — пятое поколение технологии 10 нм, чтобы свести к минимуму риски при массовом производстве.  Как ожидается, память HBM будет использоваться в ИИ-ускорителях нового поколения Nvidia Rubin, которые начнут работать в ЦОД почти по всему миру. Samsung и Micron становится всё труднее угнаться за SK hynix, которая является основным поставщиком для Nvidia и располагает ресурсами, чтобы укреплять своё лидерство в сегменте HBM. Micron, тем не менее, уже отправила свои чипы HBM4 на квалификацию Nvidia; Samsung пока продолжает разработку. После анонса акции SK hynix выросли на более чем 7 % и достигли максимальной цены с 2000 года; с начала текущего года они подорожали на 90 %. Акции Samsung и Micron с начала года демонстрируют рост более чем на 40 % и почти на 80 % соответственно. По итогам последнего квартала на сегменте HBM пришлись 77 % общей выручки SK hynix. С начала года рыночная капитализация корейского производителя увеличилась более чем на $80 млрд. По итогам 2025 года компания намеревается удвоить продажи в сравнении с 2024 годом; в 2026 году, по её прогнозам, спрос на продукцию для систем ИИ продолжит расти. |
© 1997—2026 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
