Компания SK hynix сообщила о подготовке к выпуску чипов памяти GDDR7 большой ёмкости к концу текущего года. На недавней пресс-конференции, посвящённой финансовым результатам, компания заявила об увеличении максимальной ёмкости стека памяти GDDR7 с 16 Гбайт (2 Гбайт на чип) до 24 Гбайт (3 Гбайт на чип). Хотя заявление производителя касалось графических ускорителей для ИИ, также имеется потенциал использования таких чипов в видеокартах потребительского уровня.

Источник изображения: SK hynix

Больший объём видеопамяти не обязательно означает более высокую производительность. Однако в последние годы стало ясно, что наличие всего 8 или даже 12 Гбайт памяти в видеокарте потребительского уровня недостаточно для многих современных игр, особенно при использовании более высоких разрешений и новых технологий вроде трассировки лучей. Кроме того, инструменты генеративного ИИ становятся всё более распространёнными в творческих и офисных рабочих процессах и значительно выигрывают от увеличения объёма видеопамяти.

С практической точки зрения, использование чипов памяти ёмкостью 3 Гбайт также может снизить стоимость производства видеокарт в целом — и не только решений флагманского уровня, но и моделей среднего ценового сегмента. Более ёмкие чипы памяти GDDR7 способны потенциально упростить сборку видеокарт с общим объёмом памяти 24 Гбайт, ведь для этого потребуется всего 8 чипов памяти вместо 12. В свою очередь это также должно снизить энергопотребление видеокарт, их нагрев и конечную стоимость.

Планы SK hynix по выпуску модулей памяти GDDR7 большей ёмкости совпадают с давно циркулирующими слухами о потенциальном релизе потребительских видеокарт Nvidia GeForce RTX 50 Super. Согласно последним сообщениям различных источников, карты серии RTX 50 Super получат 18 Гбайт (RTX 5070 Super) и 24 Гбайт (RTX 5080 Super) видеопамяти. Новые микросхемы GDDR7 от SK hynix ёмкостью 3 Гбайт могли бы оказаться весьма уместными, особенно если Nvidia захочет избежать установки дополнительных чипов памяти на обратной стороне печатных плат. Примечательно, что память GDDR7 от SK hynix Nvidia начала использовать лишь недавно — в текущем поколении видеокарт серии RTX 50.

Конечно, ничто из описанного выше, за исключением заявления самой SK hynix, не является официальной информацией. Nvidia пока не анонсировала карты Super в рамках поколения потребительских видеокарт серии Blackwell. И даже если это произойдёт, нет гарантии, что компания действительно решит использовать во всех обновлённых моделях чипы памяти большей ёмкости.

Помимо новостей о GDDR7, SK hynix также сообщила о расширении своего портфолио памяти в ответ на растущие требования в области ИИ. Компания готовит чипы LPDDR следующего поколения для серверов, которые обеспечат энергоэффективную передачу данных в ИИ-сценариях и центрах обработки данных. Производитель также продолжает лидировать в сфере выпуска памяти с высокой пропускной способностью (HBM) и недавно наладил массовое производство 12-слойной памяти HBM3E. До конца года SK hynix планирует представить память HBM4. Кроме того, компания собирается во второй половине этого года выпустить новые твердотельные накопители корпоративного класса на базе 321-слойных чипов флеш-памяти NAND.

Статус крупнейшего поставщика памяти типа HBM для нужд Nvidia продолжает играть на руку южнокорейской компании SK hynix, которая по итогам прошлого квартала смогла увеличить выручку на 35 % в годовом сравнении, а операционную прибыль поднять сразу на 69 %. Выручка от реализации HBM в отдельности должна по итогам этого года удвоиться.

Источник изображения: SK hynix

Как отмечает CNBC со ссылкой на квартальную отчётность SK hynix, по итогам прошлого квартала именно HBM определяла 77 % совокупной выручки компании. Собственно говоря, показатели выручки и операционной прибыли второго квартала стали для SK hynix рекордными за всю историю существования компании, они оказались заметно выше ожидаемого аналитиками уровня. Выручка за период достигла $16,17 млрд, а операционная прибыль выросла до $6,57 млрд. Последовательно выручка увеличилась на 26 %, а операционная прибыль — на 24 %. По величине прибыли SK hynix в два раза превосходит более крупную Samsung Electronics.

По мнению представителей SK hynix, до конца года спрос на её продукцию вряд ли резко снизится, поскольку на рынок выйдут новые продукты партнёров, а складские запасы на стороне клиентов остаются стабильными. Как отмечает руководство компании, крупные инвестиции техногигантов в сферу ИИ формируют высокий спрос на память, применяемую в этом сегменте. Фактически, в серверном сегменте спрос будет расти не только на направлении систем для ИИ, но и решений общего назначения, как ожидают в SK hynix. Некоторые надежды в компании возлагают и на распространение клиентских устройств с функциями ускорения ИИ — таких как ПК и смартфоны.

Наконец, развитие сферы так называемого «суверенного ИИ», чья инфраструктура будет финансироваться правительствами отдельных стран и регионов, позволит сформировать тенденцию к долгосрочному росту спроса на память для систем такого класса, как считают в компании. К массовому производству микросхем HBM4 она надеется приступить до конца текущего года. Капитальные расходы в этом году придётся увеличить, чтобы обеспечить продукцией клиентов в 2026 году, причём основная часть прироста предсказуемо придётся на память для систем ИИ. Примечательно, что неопределённость с так называемыми «тарифами Трампа» способствовала росту спроса на продукцию SK hynix в первой половине текущего года. Влияние этих тарифов на динамику выручки во втором полугодии пока предугадать сложно, по словам этого производителя памяти.

Первые попытки найти применение памяти HBM в сегменте игровых видеокарт быстро уступили активному её использованию в ускорителях вычислений, и на фоне бума искусственного интеллекта цены на эту память только росли. Теперь же аналитики Goldman Sachs высказывают опасение, что в следующем году цены на HBM снизятся более чем на 10 процентов.

Источник изображения: SK hynix

Именно в следующем году, по мнению аналитиков, предложение на рынке HBM в мировых масштабах наконец-то начнёт превышать спрос. Это будет способствовать тому, что средние цены реализации памяти данного семейства начнут снижаться. В ближайшее время рынок HBM снизит темпы роста с прежних 45 % в год до 25 %. В частности, по итогам текущего года его ёмкость ограничится $36 млрд, а в следующем вырастет только до $45 млрд вместо заложенных в прежний прогноз $51 млрд.

По мнению аналитиков TrendForce, в следующем году средние цены реализации HBM всё же вырастут, поскольку на рынок выйдет более современная и дорогая HBM4. Снижение цен если и будет наблюдаться, то только в сегменте более дешёвых типов памяти. Специалисты Goldman Sachs добавляют, что два последовательных поколения ускорителей вычислений Nvidia будут использовать идентичный объём памяти, по 288 Гбайт HBM3E в случае с B300 и HBM4 в случае с Rubin соответственно. По этой причине общая потребность в микросхемах памяти подобного типа не будет заметно увеличиваться.

Не исключено, что доля SK hynix на рынке HBM в следующем году начнёт сокращаться, поскольку по мере насыщения сегмента на него выйдут и конкурирующие компании, включая китайские. Последние уже к концу следующего года начнут выпускать HBM3. По крайней мере, позиции SK hynix на внутреннем рынке КНР из-за этого пошатнутся. Samsung со следующего года также сможет ежегодно увеличивать поставки HBM на 20 %.

Южнокорейские производители микросхем памяти SK hynix и Samsung Electronics приостановили свои планы по постепенному отказу от производства чипов DDR4. Компании будут продолжать поставки этого вида микросхем до тех пор, пока закупочные цены на них не станут существенно ниже цен на DDR5, передаёт издание DigiTimes.

Источник изображения: SK hynix

В конце прошлого месяца сообщалось о резком росте спотовых цен на чипы памяти DDR4 DRAM. На фоне увеличившегося спроса из-за опасений, связанных с американскими таможенными тарифами, цены на DDR4 почти вдвое превысили стоимость чипов DDR5. Всё это сопровождалось заявлениями ведущих производителей микросхем на Тайване и в Южной Корее о планах поэтапного отказа от этого стандарта и стремлении реализовать накопленные запасы для удовлетворения остаточного спроса.

Почти десятилетнее присутствие стандарта DDR4 на рынке, начавшееся с выходом процессоров Intel Core 6-го поколения (Skylake) в 2013 году и продолжавшееся до появления процессоров Core 14-го поколения (Raptor Lake Refresh), а также процессоров AMD Ryzen под сокет AM4, привело к тому, что на рынке оказалось слишком много устройств с памятью DDR4 и пользователей, желающих её обновить.

По данным Digitimes, хотя SK hynix и Samsung Electronics намерены продолжить выпуск чипов DDR4, объёмы производства будут «балансировать на грани срыва поставок», чтобы избежать повторного переполнения складов.

Компании SK hynix и Nvidia могут похвастать впечатляющими итогами сотрудничества при разработке ускорителей второй из них, оснащаемых памятью класса HBM первой. Благодаря такому сотрудничеству SK hynix сейчас занимает половину мирового рынка HBM и стремительно наращивает выручку. Intel решила заручиться поддержкой SK hynix на этапе внедрения HBM4 в свои ускорители вычислений.

Источник изображения: SK hynix

Как отмечает TrendForce со ссылкой на корейское издание Newsis, на мероприятии Intel AI Summit вице-президент SK hynix Чжон У Сок (Jung Woo-seok) заявил, что эта южнокорейская компания будет сотрудничать с Intel в сфере интеграции некоей памяти типа HBM в ускорители Gaudi. Представленные в 2024 году ускорители Gaudi 3 используют память типа HBM2E, поэтому в случае с их преемниками с условным обозначением Jaguar Shores речь может идти уже о микросхемах памяти типа HBM4. При этом представители SK hynix отказались напрямую комментировать, будет ли компания сотрудничать с Intel именно в сфере интеграции HBM4, поскольку детали взаимодействия ещё не определены окончательно.

Кроме того, у SK hynix может иметься встречный интерес, поскольку Intel могла бы выпускать для неё базовые кристаллы для стеков памяти HBM4 на своих контрактных мощностях. Ранее корейские СМИ сообщали, что для производства базовых кристаллов для HBM4 компания SK hynix может обратиться к услугам TSMC, которая будет использовать для этого 3-нм технологию. В 2026 году у конкурентов Intel в сфере ускорителей вычислений, компаний AMD и Nvidia, также появятся ускорители (Instinct MI400 и Rubin соответственно), оснащённые памятью типа HBM4. Если Intel к тому времени интегрирует такую память в свои ускорители Gaudi, это позволит ей хотя бы в чём-то поравняться с конкурентами.

Ещё не так давно производители памяти жаловались на низкие цены и затоваренные склады, но в этом полугодии ситуация начала меняться в лучшую для них сторону. По крайней мере, в марте экспорт микросхем типа DRAM из Южной Кореи вырос на 27,8 % в денежном выражении год к году, а за первые 20 дней июня он увеличился на 25,5 %.

SK hynix

Подобной статистикой делится ресурс KED Global со ссылкой на KED Aicel. В денежном выражении экспорт DRAM из Южной Кореи за первые двадцать дней июня достиг $1,9 млрд, по данным этого источника. В статистике при этом не учитываются поставки наиболее дорогой памяти типа HBM, которая формально относится к сегменту DRAM, но пользуется повышенным спросом из-за бума систем искусственного интеллекта. По сути, такая динамка говорит о росте спроса на обычную оперативную память, которая применяется в ПК и серверном оборудовании.

Американские производители такого оборудования начали запасаться памятью впрок в ожидании роста таможенных тарифов, это отчасти объясняет рост спроса на DRAM. Кроме того, концентрация на более выгодной HBM оттягивает ресурсы производителей, поэтому обычная DRAM остаётся в дефиците. Наблюдаемая динамика цен и спроса на рынке не укладывается в привычные сезонные тенденции, по словам экспертов. Как отмечает TrendForce, за последние недели цены на DDR4 выросли более чем на 20 %, в отдельных случаях они почти удвоились всего за месяц. Цены толкает вверх и информация о намерениях крупнейших производителей памяти прекратить выпуск DDR4 и переключиться на более современную DDR5. Последняя в мобильном сегменте за месяц выросла в цене на 9 %.

Если в марте экспорт DRAM из Южной Кореи, где расположены два крупнейших производителя — Samsung Electronics и SK hynix, вырос на 27,8 %, то в апреле он уже подскочил на 38 %, а в мае на 36 %. За первые двадцать дней июня он вырос на 25,5 %. По прогнозам TrendForce, цены на DRAM общего назначения в третьем квартале вырастут на величину от 18 до 23 %. Аналитики Morgan Stanley ожидают, что рынок памяти достигнет локального минимума по ценам в начале 2026 года — раньше, чем ожидалось изначально.

SK Hynix закрепила за собой лидерство на рынке памяти для искусственного интеллекта (ИИ) и первой начнёт выпуск седьмого поколения высокопроизводительной памяти HBM. Контракты на поставку специализированной, адаптированной под индивидуальные запросы HBM4E уже заключены с крупнейшими технологическими компаниями — Nvidia, Microsoft и Broadcom.

Источник изображения: SK Hynix

Однако в первую очередь SK Hynix будет ориентироваться на сроки поставок для своего самого крупного партнёра — Nvidia. Как пишет южнокорейское издание KED Global, ссылаясь на слова представителя полупроводниковой отрасли, учитывая текущие мощности SK Hynix и графики запуска новых ИИ-сервисов крупных компаний, невозможно удовлетворить все запросы американских IT-гигантов, таких как Apple, Microsoft, Google, Amazon, Nvidia, Meta✴ и Tesla.

Однако, по мере изменения ситуации на рынке, список клиентов может расшириться. Ранее, около 10 месяцев назад, SK Hynix сообщала об интересе к своей специализированной памяти HBM со стороны этих компаний. Седьмое поколение (HBM4E) ожидается во второй половине следующего года. Сейчас же самой передовой массово выпускаемой моделью остаётся HBM3E, а переход на шестое поколение (HBM4) намечен в ближайшее время.

Тем временем Samsung, основной конкурент SK Hynix, пока отстаёт в этой гонке. По данным инсайдеров, компания ведёт переговоры с Broadcom и AMD о поставках HBM4, но это решение на поколение отстаёт от HBM4E. В апреле Samsung заявила, что начнёт поставки HBM4 не раньше первой половины 2026 года. При этом ей до сих пор не удалось заключить контракт с Nvidia на поставку передовых чипов памяти.

Согласно прогнозам TrendForce и Bloomberg Intelligence, рынок кастомизированной HBM-памяти будет расти стремительными темпами, и к 2033 году достигнет $130 млрд против $18,2 млрд в 2024-м. Такая память позволит крупным технологическим компаниям отказаться от универсальных решений и за счёт кастомизации оптимизировать производительность своих ИИ-кластеров, поэтому интерес к этому растёт. При этом SK Hynix, благодаря заказам от Nvidia, Microsoft и Broadcom, имеет все шансы сохранить доминирующие позиции.

Отмечается, что производство логических кристаллов (logic dies), которые выполняют роль «мозга» в HBM, для SK Hynix теперь будет осуществлять тайваньская компания TSMC. Ранее SK Hynix делала их сама, но начиная с HBM4 перешла на аутсорсинг из-за необходимости применения сверхточных технологий.

Пользователям, желающим приобрести видеокарту AMD Radeon RX 9070 XT, следует тщательнее подходить к вопросу выбора той или иной версии ускорителя. Как показывают тесты, варианты RX 9070 XT, оснащающиеся чипами памяти Samsung, в среднем демонстрируют на 2 % меньше производительности по сравнению с моделями с памятью SK hynix. Однако память Samsung работает с менее высокими температурами.

Источник изображения: Tom's Hardware

Китайский энтузиаст с псевдонимом 51972 недавно опубликовал в социальной сети Bilibili результаты масштабного теста 22 версий видеокарт Radeon RX 9070 XT, оснащённых памятью Samsung и SK hynix, сравнив их между собой. Тесты проводились в бенчмарке 3DMark Speed Way. Каждая модель карты, оснащённая памятью Samsung, показала результаты на 1–2 % хуже, чем варианты карт с памятью SK hynix.

Даже самые быстрые образцы видеокарт с памятью Samsung показали меньшие результаты самых медленных версий Radeon RX 9070 XT с памятью SK hynix. По словам энтузиаста, он обратился в китайский офис AMD за комментарием, где ему ответили, что разница в быстродействии карт с чипами памяти Samsung и SK hynix заключается в более высоких задержках у чипов памяти Samsung.

Китайский энтузиаст не проводил игровых тестов карт с разной памятью. Весьма вероятно, что в реальных сценариях использования эта разница в производительности, как и разница в задержках у видеопамяти может быть не так заметна, как в том же синтетическом бенчмарке, и речь может идти о 58 кадрах в секунду в играх в одном случае и о 60 кадрах в другом.

Более ранние тесты также показали, что память Samsung греется при работе значительно меньше. Если чипы памяти SK hynix в видеокартах Radeon RX 9070 XT под нагрузкой могут разогреваться до более чем 85 градусов Цельсия, то память Samsung работает при температурах, не превышающих 75 градусов Цельсия даже в стресс-тестах Furmark.

Аналитический отчёт TrendForce за первый квартал 2025 года показывают, что глобальный доход отрасли производства памяти DRAM составил $27,01 млрд, что на 5,5 % ниже по сравнению с предыдущим кварталом. Эксперты полагают, что этот спад обусловлен падением контрактных цен на обычные микросхемы DRAM и сокращением объёмов поставок памяти HBM.

Источник изображения: Samsung

В первом квартале 2025 года SK hynix, несмотря на падение выручки на 7,1 % по сравнению с предыдущим кварталом, заняла лидирующее место среди производителей DRAM с выручкой $9,72 млрд. Растущая доля памяти HBM3e помогла компании сохранить средние цены продаж по сравнению с предыдущим кварталом.

Выручка Samsung по сравнению с предыдущим кварталом резко снизилась на 19 % до $9,1 млрд, обеспечив компании лишь второе место в рейтинге производителей DRAM. Падение продаж аналитики связывают в основном с невозможностью напрямую продавать память HBM в Китай и значительным сокращением поставок дорогостоящей HBM3e после модернизации производства.

Micron заняла третье место с $6,58 млрд выручки, что на 2,7 % выше по сравнению с предыдущим кварталом. Масштабные поставки памяти HBM3e компенсировали незначительное снижение средней цены продаж.

По мере перехода трёх ведущих поставщиков DRAM на передовые техпроцессы освобождающиеся рыночные ниши все чаще заполняются тайваньскими поставщиками, использующими зрелые процессы. Этим объясняется явный квартальный рост выручки для Nanya и Winbond в первом квартале.

Nanya начала поставки отдельных продуктов DDR5 и сообщила о выручке в размере $219 млн, что на 7,5 % больше, чем в предыдущем квартале. Winbond продемонстрировала существенный рост поставок памяти форматов LPDDR4 и DDR4, что увеличило выручку компании на 22,7 % до $146 млн, несмотря на общее снижение цен.

PSMC, которая сообщает только о своей внутренней выручке от потребительской DRAM, отметила снижение выручки за первый квартал на 1,4 % до $11 млн из-за сокращения выпуска пластин.

Источник изображения: TrendForce

В настоящий момент производители ПК и смартфонов наращивают складские запасы, стремясь по максимуму использовать 90-дневный льготный период перед введение повышенных таможенных тарифов, что привело к заметному увеличению объёмов поставок. Во втором квартал 2025 года TrendForce прогнозирует восстановление цен на основные контрактные позиции микросхем памяти с тенденцией к дальнейшему росту.

Спрос на увеличение пропускной способности памяти, используемой в системах искусственного интеллекта, подталкивает производителей быстрее осваивать выпуск HBM4. Между тем, эксперты TrendForce установили, что HBM4 в производстве окажется как минимум на 30 % дороже предшественницы, поскольку имеет более сложную компоновку.

Источник изображения: SK hynix

Во-первых, разрядность шины памяти при переходе от HBM3E к HBM4 удваивается с 1024 до 2048 бит. Соответственно, это приведёт к увеличению площади кристалла и расхода материала (кремния). Во-вторых, базовый кристалл HBM4 в отдельных вариантах исполнения будет содержать некоторые логические структуры, что тоже увеличит его стоимость. Подобная интеграция позволит повысить эффективность обмена данными и адаптировать микросхемы HBM4 к нуждам конкретных крупных клиентов.

Для HBM в целом планомерное увеличение сложности и себестоимости характерно, как поясняет TrendForce. Если HBM3E превзошла предшественницу на 20 %, то HBM4 светит прирост на все 30 %. Характерно, что скорость передачи информации у HBM4 увеличится главным образом за счёт удвоения пропускной способности шины, тогда как частота останется прежней и будет соответствовать режиму 8 Гбит/с. Количество ярусов в стеке тоже не изменится, оно будет достигать 12 или 16 штук.

Уже во второй половине 2026 года, по мнению аналитиков TrendForce, память типа HBM4 сможет обойти по своей популярности HBM3E. При этом южнокорейская компания SK hynix продолжит контролировать более 50 % рынка, а Samsung и Micron придётся выступать в роли догоняющих.

SK hynix объявила о разработке модулей памяти UFS 4.1 на основе самых высоких в мире 321-слойных ячеек памяти 3D NAND (или 4D NAND в терминологии самой компании). Эти модули предназначены для использования во встроенных накопителях мобильных устройств.

Источник изображения: skhynix.com

Для обеспечения стабильной работы систем искусственного интеллекта на мобильных устройствах требования к высокой производительности и низкому энергопотреблению памяти NAND постоянно возрастают, отметили в компании. Оптимизированные под ИИ-нагрузки компоненты UFS 4.1 должны помочь SK hynix укрепить позиции на рынке памяти для флагманских смартфонов.

Модули нового поколения обеспечивают прирост энергоэффективности на 7 % по сравнению с предыдущей версией, основанной на 238-слойных чипах NAND. Кроме того, их толщина уменьшена с 1 до 0,85 мм, что соответствует актуальному тренду на сверхтонкие смартфоны. Скорость передачи данных для новых модулей SK hynix UFS 4.1 достигает 4300 Мбайт/с — это самый высокий показатель последовательного чтения среди компонентов четвёртого поколения UFS. Показатели случайного чтения и записи, критически важные для многозадачности, увеличились на 15 % и 40 % соответственно.

Массовые поставки модулей UFS 4.1 нового образца SK hynix планирует начать в первом квартале следующего года. Они будут доступны в вариантах объёмом 512 Гбайт и 1 Тбайт.

Samsung официально заявила, что будет использовать технологию гибридного соединения (hybrid bonding) при производстве памяти HBM4. Это позволит снизить тепловыделение, улучшить пропускную способность и обеспечить более плотные межсоединения между кристаллами памяти. В то же время её главный конкурент и лидер на рынке HBM SK hynix предпочитает не спешить, рассматривая гибридное соединение как резервную технологию.

Источник изображения: AI

Современная высокоскоростная HBM-память представляет собой вертикальный стек из нескольких слоёв DRAM, установленных на базовом кристалле. Сейчас эти слои соединяются с помощью микробампов — микроскопических контактных площадок, передающих сигналы и питание между кристаллами. Для соединения используются технологии типа MR-MUF или TC-NCF. Также внутри каждого кристалла проходят сквозные соединения TSV, обеспечивающие вертикальное взаимодействие. Однако, как пишет Tom's Hardware, по мере роста скорости и числа слоёв микробампы становятся ограничивающим фактором в производительности и энергоэффективности.

Гибридное соединение решает эту проблему, позволяя напрямую соединять медные контактные площадки и оксидные слои кристаллов без использования микробампов. Такой подход позволяет достичь шага межсоединений менее 10 мкм, снизить сопротивление и ёмкость, увеличить плотность межсоединений и уменьшить толщину модуля. Но у технологии есть и два минуса — она значительно дороже традиционных методов и требует больше места на производственных линиях.

Отметим, что на этапе разработки HBM3E вся троица крупнейших производителей — Micron, Samsung и SK hynix — рассматривали возможность применения гибридного соединения, но в итоге Micron и Samsung выбрали TC-NCF, а SK hynix продолжила использовать MR-MUF. Теперь Samsung первой решается на переход на гибридное соединение для HBM4, тогда как SK hynix продолжает дорабатывать MR-MUF, надеясь, что её новая технология позволит создавать более тонкие 16-слойные модули HBM4, соответствующие стандартам JEDEC (775 мкм), но без дорогостоящего переоснащения производства.

Однако у Samsung есть определённое преимущество в виде собственной дочерней фирмы Semes, которая занимается выпуском производственного оборудования, что помогает снижать затраты на внедрение новых процессов. При этом пока неизвестно, готова ли Semes предоставить решения для массового производства HBM4 непосредственно с гибридным соединением.

Если Samsung успешно сертифицирует HBM4 с гибридным соединением, компания получит значительное технологическое преимущество перед Micron и SK hynix, что, по мнению аналитиков, может изменить конкурентный ландшафт на рынке памяти. Массовое производство запланировано на 2026 год, и именно тогда Samsung сможет вернуть утраченные рыночные позиции благодаря превосходству в трёх ключевых аспектах: производительности, тепловыделении и плотности межсоединений.

Южнокорейская компания SK hynix остаётся лидером рынка памяти типа HBM, которая востребована при производстве ускорителей вычислений. Строительство предприятия в США должно стать важным шагом по созданию в стране необходимой инфраструктуры для локализации производства подобных ускорителей. SK hynix недавно получила необходимое разрешение на строительство такого предприятия.

Источник изображения: SK hynix

Напомним, что оно должно разместиться в городе Уэст-Лафайетт, штат Индиана. В начале этого месяца публичные слушания по данному проекту завершились, причём SK hynix по их итогам получила возможность расположить своё предприятие на более крупном участке земли, чем предполагалось изначально. Хотя доступного для строительства пространства стало больше, возникла потенциальная проблема, поскольку новый участок изначально отводился под жилую застройку, и его назначение теперь придётся менять и согласовывать. Теоретически, это способно замедлить строительство фабрики.

Местные жители в ходе публичных слушаний выражали свою озабоченность способностью стройки негативно повлиять на окружающую среду, но муниципальные власти выделяли преимущества, приносимые проектом, вроде создания новых рабочих мест и инвестиций в размере $3,8 млрд, которые станут крупнейшими в истории города. Доступ к более крупному участку земли позволит SK hynix гибко реагировать на будущие изменения в спросе на память HBM, при необходимости наращивая объёмы производства за счёт строительства новых линий. Предприятие по упаковке памяти типа HBM должно быть построено и приступит к выпуску продукции во второй половине 2028 года.

Прокуратура Центрального округа Сеула по расследованию киберпреступлений сообщила, что 51-летний гражданин Республики Корея, обозначенный как «А», был арестован и обвинён в нарушении Закона о предотвращении недобросовестной конкуренции и охране коммерческой тайны. Обвиняемый ранее работал в компании SK hynix и в одном из её китайских филиалов, где, как предполагается, и совершил правонарушение — передал одной из местных компаний секреты производства чипов HBM.

Источник изображения: ИИ-генерация Grok 3/3DNews

Как пояснили в правоохранительных органах, «А» обвиняется в утечке конфиденциальных данных компании, которые он передал полупроводниковой компании HiSilicon во время своей работы в дочерней компании SK hynix в Китае в 2022 году.

По данным обвинения, обвиняемый сделал и сохранил более 11 000 фотографий технологических документов SK hynix, связанных с производством датчиков изображения CMOS (CIS). К технологии производства памяти HBM относится техпроцесс формирования металлических контактов на пластинах для соединения их в стеки. Это улучшает отвод тепла наружу и обеспечивает сквозное электрическое соединение нескольких слоёв кристаллов, чем производство памяти HBM отличается, например, от DRAM. Датчики изображения также используют схожую технологию, поскольку представляют собой стек из слоя фотодиодов, сигнального процессора и памяти.

Сообщается, что «А» удалил пометку «конфиденциально» и логотип компании с некоторых технических документов перед тем, как сделать их фотографии. Также выяснилось, что обвиняемый использовал материалы, составляющие коммерческую тайну, при составлении резюме, которое затем отправил в китайскую компанию.

На Североамериканском технологическом симпозиуме, который проводит TSMC, компания SK hynix представила образцы памяти нового поколения HBM4 и новые продукты на основе актуальной HBM3E.

Источник изображений: skhynix.com

С 12-слойными стеками памяти HBM4 производитель достиг скорости 2 Тбайт/с, что значительно превышает возможности HBM3E, у которой этот показатель составляет 1,2 Тбайт/с. SK hynix также показала образцы 16-слойной HBM3E. В марте корейская компания объявила, что первой в мире начала рассылать образцы HBM4 крупным клиентам, а подготовка к массовому производству памяти на основе новой технологии завершится во второй половине 2025 года. Под крупными клиентами, вероятно, подразумеваются Nvidia и AMD.

Если провести сравнение с игровым оборудованием, только один стек памяти HBM4 способен обеспечить более высокую пропускную способность, чем вся память видеокарты Nvidia GeForce RTX 5090, у которой 32 Гбайт GDDR7 с 1792 Гбайт/с или почти 1,8 Тбайт/с. Один стек HBM4 предлагает 2 Тбайт/с при ёмкости до 48 Гбайт. Но ускорители искусственного интеллекта обычно подключаются к нескольким стекам HBM одновременно, что позволяет им достигать скоростей, недоступных игровой графике. Так, один чип Nvidia B200 подключается к восьми HBM3E.