Канадские эксперты TechInsights продолжают анализировать компонентную базу представленных осенью уходящего года смартфонов Huawei семейства Mate 70, их очередным открытием стало обнаружение микросхем DRAM и NAND производства SK hynix в составе Mate 70 Pro и Mate 70 Pro Plus, хотя американские санкции теоретически должны были ограничить доступ китайского гиганта к таким чипам памяти.

Источник изображения: Huawei Technologies

Во всяком случае, как сообщает South China Morning Post, внутри смартфона Mate 70 Pro исследователи обнаружили микросхему DRAM производства SK hynix объёмом 12 Гбайт, а также чип флеш-памяти NAND объёмом 512 Гбайт той же марки. В составе более дорогого смартфона Mate 70 Pro Plus аналогичный чип флеш-памяти сочетался с 16-гигабайтной микросхемой DRAM производства SK hynix.

Как поясняют авторы исследования, южнокорейская компания использовала 14-нм техпроцесс в сочетании с EUV-литографией при выпуске обеих микросхем DRAM. Принято считать, что подобную память SK hynix начала поставлять во второй половине 2021 года, девять месяцев спустя после вступления в силу экспортных ограничений США в отношении Huawei Technologies. В компании SK hynix факт сотрудничества с Huawei в указанный период всячески отрицают, но представители TechInsights при этом подчёркивают, что основная часть выпущенных Huawei в прошлом году флагманских смартфонов использовала именно чипы памяти SK hynix. В моделях попроще уже применяется память китайского производства: DRAM поставляет CXMT, а NAND выпускает YMTC. В силу каких-то причин Huawei до сих пор предпочитает комплектовать свои старшие модели смартфонов памятью производства SK hynix.

Сейчас в сфере производства передовой памяти HBM3E компании Nvidia и SK hynix тесно связаны, поскольку первая является доминирующим клиентом второй в этой сфере, и такое положение дел позволяет корейскому производителю лидировать в динамично развивающемся сегменте рынка. По слухам, в следующем году крупным получателем HBM3E от SK hynix станет и компания Broadcom.

Источник изображения: SK hynix

Как отмечает издание The Elec, Sk hynix к поставкам современных версий HBM для нужд Broadcom приступит во второй половине следующего года. Инициатором данных взаимоотношений выступила Broadcom. Принято считать, что она разрабатывает специализированные ускорители для систем искусственного интеллекта для нужд Apple или OpenAI. В отличие от решений Nvidia, они будут опираться на использование специализированных нейронных блоков, а потому смогут получить ограниченное применение.

Если изначально SK hynix рассчитывала к следующем году добиться возможности выпуска от 140 до 150 тысяч кремниевых пластин с чипами HBM в типоразмере 300 мм, то с учётом потребностей Broadcom она будет вынуждена увеличить объёмы выпуска до 160 или 170 тысяч кремниевых пластин. По итогам четвёртого квартала, как ожидает компания, выпуск HBM принесёт 40 % всей выручки SK hynix в сегменте DRAM. По мере появления в рядах клиентов компании Broadcom данная доля может увеличиться.

Broadcom в начале месяца заявила, что разработала новую технологию упаковки чипов, которая допускает интеграцию микросхем памяти типа HBM. Даже если последняя не пригодится сторонним клиентам типа OpenAI и Apple, то Broadcom может наладить выпуск серверных процессоров с такой памятью, подобных решениям Fujitsu.

Основная часть средств, предусмотренных «Законом о чипах» 2022 года на поддержку развития полупроводниковой отрасли США, уже распределена, но администрация Байдена продолжает подписывать профильные контракты с компаниями, которые заявлялись на получение субсидий. SK hynix должна получить $458 млн на строительство в США предприятия по тестированию и упаковке чипов.

Источник изображения: SK hynix

Данное предприятие будет построено в штате Индиана, об этом южнокорейская компания SK hynix заявила ещё в апреле текущего года. На реализацию проекта планируется потратить $3,87 млрд, часть мощностей будет отведена под тестирование и упаковку передовых чипов HBM, которые требуются для локального выпуска ускорителей вычислений. Важность данного типа компонентов для обеспечения суверенитета и безопасности США, по всей видимости, и обеспечила выделение $485 млн субсидий на реализацию проекта SK hynix.

Корейский производитель, который сейчас является лидирующим поставщиком HBM в мире, также может претендовать на $500 млн льготных кредитов. Выделение средств будет осуществляться поэтапно, по мере достижения проектом определённых вех в реализации. Планируется, что предприятие в Индиане обеспечит работой 1000 человек. Что характерно, конкурирующая Samsung Electronics до сих пор не получила гарантий по выделению тех $6,4 млрд, которые власти страны изначально пообещали предоставить ей на строительство новых предприятий в штате Техас. Все прочие крупные соискатели, включая TSMC, Intel и Micron, свои гарантии от властей США в этой сфере уже получили.

Подразделение корейского холдинга SK Group, в который входит SK hynix, носящее название Absolics, в этом месяце также получило гарантии властей США на предоставление $75 млн субсидий на строительство в штате Джорджия предприятия по выпуску материалов, востребованных в современной полупроводниковой промышленности.

Компания SK hynix сообщила о выпуске твердотельных NVMe-накопителей серии Platinum P51 PCIe 5.0. Новинки были впервые продемонстрированы на выставке GTC в марте этого года. До прилавков они добрались только сейчас, однако с тех пор производитель улучшил некоторые характеристики этих SSD.

Источник изображений: SK hynix

Компания заявляет для Platinum P51 PCIe 5.0 скорость последовательного чтения до 14,7 Гбайт/с. На момент анонса накопителя в марте этот показатель составлял 13,5 Гбайт/с. Скорость последовательной записи также улучшена — с 11,5 до 13,4 Гбайт/с. Производительность в операциях случайного чтения достигает 2,3 млн IOPS, а при случайной записи — до 2,4 млн IOPS.

Такие показатели делают новинку самым быстрым потребительским SSD формата M.2 на рынке — большинство других решений предлагает скорость до 14 Гбайт/с.

Ресурс Platinum P51 PCIe 5.0 объёмом 2 Тбайт заявлен на уровне 1200 TBW (терабайт перезаписанной информации). Это вполне средний показатель для современных SSD, что может несколько разочаровывать, учитывая, что накопители основаны на передовых 238-слойных чипах флеш-памяти 3D TLC NAND от SK hynix. Максимальный объём для этой серии составляет 2 Тбайт, в то время как в неё также вошли модели объёмом 1 Тбайт и 500 Гбайт.

Независимые тесты Platinum P51 PCIe 5.0 подтверждают заявленный производителем уровень производительности, по крайней мере в бенчмарке CrystalDiskMark.

Информация о стоимости накопителей Platinum P51 PCIe 5.0 пока отсутствует.

Принято считать, что для производства микросхем памяти в целом используются менее дорогостоящие литографические технологии, но современная память становится более сложной по своей компоновке, а потому при её выпуске востребована продвинутая литография. SK hynix намерена привлечь TSMC к производству стеков HBM4 с использованием 3-нм техпроцесса со второй половины 2025 года.

Источник изображения: SK hynix

Об этом сообщает издание The Korea Economic Daily со ссылкой на осведомлённые источники. Передовой техпроцесс потребуется для производства базового кристалла для кастомных HBM4, которые будут выпускаться специально для Nvidia. В базовом кристалле располагается логика и на его основе формируется вертикальный стек. Первоначально SK hynix рассчитывала выпускать этот кристалл по 5-нм технологии, но в ходе переговоров с TSMC и крупными клиентами обеих компаний было принято решение об использовании более продвинутого 3-нм техпроцесса для этих целей. Память типа HBM4 корейский поставщик надеется начать отгружать для нужд Nvidia во второй половине 2025 года.

Как ожидается, прототип микросхемы HBM4 на базе 3-нм основания будет продемонстрирован SK hynix в марте следующего года. Получаемые сейчас Nvidia от TSMC графические процессоры выпускаются по 4-нм технологии. По некоторым оценкам, перевод базового чипа HBM4 на 3-нм технологию производства позволит поднять быстродействие памяти на 20–30 % относительно 5-нм варианта. SK hynix контролирует примерно половину мирового рынка HBM, основную часть своей продукции данного типа она поставляет для нужд Nvidia. Конкурирующая Samsung не может сертифицировать свою HBM3E для использования в продукции Nvidia, а ещё она собирается использовать при производстве HBM4 лишь 4-нм базовые кристаллы. Память типа HBM4 уже относится к шестому поколению данных микросхем.

В свою очередь, базовые кристаллы для стандартных стеков HBM4 и HBM4E, которые будут получать все прочие клиенты SK hynix кроме Nvidia, будут выпускаться по 12-нм техпроцессу, также силами TSMC. Базовые кристаллы для HBM3E корейская компания выпускает самостоятельно, но в свете перехода к HBM4 решила углубить сотрудничество с TSMC в данной сфере. Утверждается, что по просьбе Nvidia компания SK hynix ускорила разработку и процесс подготовки к массовому производству микросхем HBM4. Ранее она собиралась наладить выпуск HBM4 в начале 2026 года, а теперь готова сделать это примерно на полгода раньше. Тем временем, памятью типа HBM4 интересуется и компания Tesla, она пока выбирает между продукцией SK hynix и Samsung Electronics.

В сфере производства памяти класса HBM лидируют южнокорейские компании SK hynix и Samsung Electronics, которые сообща контролируют примерно 96 % этого рынка, причём первая серьёзно опережает вторую в сегменте передовой HBM3E. Китайская компания CXMT пытается наладить самостоятельный выпуск HBM2, но американские санкции мешают ей сделать это, а потому серийное производство китайской памяти такого типа будет освоено не ранее 2025 года.

Источник изображения: CXMT

Так считают аналитики, на прогноз которых ссылается издание South China Morning Post. Эксперты TechInsights поясняют, что используемая китайскими разработчиками ускорителей вычислений память класса HBM поступает от южнокорейских SK hynix и Samsung Electronics, поскольку находящаяся под санкциями в Китае американская Micron Technology в этой цепочке поставок участвовать не может.

Деятельность китайской CXMT по разработке методов производства HBM привлекла внимание американских регуляторов, поэтому санкции против этой компании усиливаются, и ей становится всё сложнее следовать намеченной цели. Попытки приступить к производству HBM флагманом китайской промышленности предпринимаются с 2023 года, но они преимущественно ограничены экспериментальной стадией и регистрацией необходимых для организации производства патентов. По словам представителей Morgan Stanley, компания CXMT сотрудничает с одним из китайских игроков рынка услуг по упаковке и тестированию чипов, что совершенно закономерно.

В совокупности, обе китайские компании с 2022 года оформили около 100 патентных заявок, связанных с технологиями производства памяти типа HBM. По мнению аналитиков TechInsights, компания CXMT сможет наладить серийный выпуск HBM2 не ранее 2025 года, причём уровень выхода годной продукции не превысит 30 %, а потому подобная память останется не только дефицитной, но и очень дорогой. CXMT в условиях санкций имеет доступ только к оборудованию, позволяющему работать с 17-нм и 18-нм техпроцессами, тогда как зарубежные конкуренты уже шагнули в диапазон ниже 10 нм. При этом CXMT уже способна контролировать 11 % мировых мощностей по выпуску памяти типа DRAM, за последние пару лет она увеличила объёмы её выпуска почти в четыре раза.

Заслужившая право считаться лидером рынка южнокорейская SK hynix свою память типа HBM2 представила в 2018 году, а чип HBM первого поколения она выпустила первой в мире в 2013 году. Два месяца назад компания запустила массовое производство 12-слойной HBM3E, которая является самой продвинутой в отрасли на данный момент. В следующем году такая память станет самой распространённой в сегменте актуальных ускорителей вычислений. Китайские производители в этом смысле отстают от неё минимум на два поколения продукции, даже если рассуждать об их возможностях чисто теоретически.

По мере роста цен на флеш-память её производители воспряли духом и начали рассказывать о дальнейших планах по совершенствованию технологий её выпуска. SK hynix на этой неделе сообщила, что приступает к массовому производству первой в мире 321-слойной памяти 3D NAND (сама компания называет её 4D NAND), которую начнёт поставлять клиентам в следующем полугодии.

Источник изображения: SK hynix

Являясь лидером в сегменте HBM, востребованной ускорителями вычислений для ИИ, компания SK hynix теперь претендует на статус «поставщика полного цикла» памяти для систем искусственного интеллекта. Она напоминает, что в июне прошлого года стала первым в мире поставщиком 238-слойной памяти NAND, а теперь за счёт применения передовых технологий монтажа стеков внутри микросхемы первой преодолела рубеж в 300 слоёв. Терабитные микросхемы 321-слойной памяти 3D NAND её клиенты начнут получать в первой половине 2025 года.

Прогресс в увеличении количества слоёв памяти был достигнут за счёт совершенствования технологии создания вертикальных каналов и применения материала с большей механической стабильностью. При этом 321-слойная память была разработана на той же платформе, что и 238-слойная. Переход на выпуск нового поколения при этом повысит производительность производства на 59 % с минимальными рисками.

Кроме того, новое поколение памяти повышает скорость передачи информации на 12 % и повышает скорость чтения на 13 %, при этом энергетическая эффективность данных операций увеличивается более чем на 10 %. Такие микросхемы станут хорошей основой для современных скоростных твердотельных накопителей, применяемых в системах искусственного интеллекта.

Компания Solidigm анонсировала новую модель твердотельного накопителя в семействе D5-P5336 — ёмкость новинки составляет впечатляющие 122,88 Тбайт. На рынок SSD выйдет сначала в формфакторе U.2, а за ним последует вариант формата E1.L 9,5 мм. Ориентирована новинка на использование в серверах.

Источник изображений: Solidigm

Компания и ранее выпускала накопители D5-P5336, но до настоящего момента самый вместительный из них имел ёмкость 61,44 Тбайт. Новый вариант на 122,88 Тбайт сохранил все возможности предыдущих, в том числе поддержку PCIe 4.0 и NVMe 2.0, а также потребление менее 5 Вт в режиме ожидания. PCIe 4.0 не является стандартом последнего поколения, но это не значит, что этот SSD медленный: скорость последовательного чтения составляет до 7400 Мбайт/с, а скорость случайного чтения достигает 930 000 IOPS.

Диск отличается высокой долговечностью, утверждает Solidigm — его ресурс составляет 134,3 PBW. Это означает, что накопитель можно эксплуатировать в режиме 24/7, выполняя случайную запись блоками по 32 кбайт в течение пяти лет подряд, и по истечении этого срока у него останутся ещё 5 % срока службы. Компания уже начала рассылать клиентам образцы новых SSD в формфакторе U.2, а полномасштабные поставки стартуют в I квартале будущего года; в начале следующего года начнётся рассылка образов накопителя формата E1.L 9,5 мм с поставками во II квартале. Цены на Solidigm D5-P5336 ёмкостью 122,88 Тбайт не уточняются.

Бывшая сотрудница компании SK hynix, 36-летняя гражданка Китая, была осуждена на 18 месяцев тюремного заключения и оштрафована на 20 млн вон (около $14 000) за кражу критически важной технологии производства полупроводников перед переходом на работу в Huawei. Суд Южной Кореи признал её виновной в нарушении Закона о защите промышленной технологии (ITA Amendment), отметив, что обвиняемая распечатала около 4000 страниц технической документации с целью повысить свою ценность на новом месте работы.

Источник изображений: Pixabay

Карьера подсудимой в SK hynix началась в 2013 году, где она занималась анализом дефектов в производстве полупроводников. В 2020 году она была назначена на должность руководителя команды, отвечающей за работу с бизнес-клиентами китайского филиала компании, что предполагало доступ к обширному массиву технологических данных и конфиденциальной информации. Этот опыт позволил ей претендовать на более высокооплачиваемую позицию в Huawei, на которую она согласилась в июне 2022 года.

Суд отверг доводы подсудимой о том, что распечатка документов — около 4000 страниц за 4 дня — была необходима для учебных целей и передачи дел. Защита настаивала, что эти материалы копировались исключительно для выполнения рабочих задач. Однако суд отметил, что такие действия выглядели необычно: документы были распечатаны в июне 2022 года, всего за несколько дней до её увольнения из компании и последующего трудоустройства в Huawei. При этом кража данных произошла в офисе SK hynix в Шанхае, где меры безопасности были менее строгими.

Суд установил, что подсудимая ежедневно выносила примерно по 300 страниц распечатанных документов, пряча их в рюкзаке и сумке для покупок. Этот методичный и систематический подход вызвал подозрение в преднамеренном нарушении конфиденциальности данных, что не ускользнуло от следствия. Обвинение подчеркнуло, что сведения, связанные с технологиями производства полупроводников, могли представлять значительную ценность для нового работодателя подсудимой.

Суд также предположил, что переход обвиняемой на работу в Huawei сразу после ухода из SK hynix мог свидетельствовать о её намерении использовать похищенную техническую документацию для подтверждения своей профессиональной значимости. Вскоре после возвращения в Южную Корею в июне 2022 года она приступила к обязанностям в Huawei, что вызвало у следствия серьёзные подозрения.

Однако при вынесении приговора суд учёл отсутствие доказательств того, что украденная информация действительно была использована на новом месте работы, а также отсутствие заявленных материальных претензий со стороны SK hynix. Эти обстоятельства стали основанием для сокращения срока заключения и ограничения размера штрафа.

Судебное разбирательство также позволило раскрыть меры безопасности, которые SK hynix принимает для защиты конфиденциальных данных. В компании запрещено использование съёмных носителей, таких как USB-накопители, а все печатные материалы подвергаются строгому контролю: фиксируются содержание документа, данные о пользователе принтера и назначение печати. Тем не менее подсудимой удалось обойти эти меры безопасности в шанхайском офисе SK hynix, откуда документы и были ею похищены.

Немалая часть микросхем памяти Samsung и SK hynix выпускается на территории Китая, и профильное оборудование требует обновления и замены. Как отмечает издание Chosun Daily, компания Samsung готовится продать выведенное из эксплуатации оборудование для выпуска памяти типа 3D NAND со своего китайского предприятия на внутреннем рынке.

Источник изображения: Samsung Electronics

Предполагается, Samsung попытается найти новых владельцев для своего бывшего в употреблении оборудования для выпуска 100-слойной памяти типа 3D NAND. Наиболее вероятными кандидатами на покупку являются китайские производители памяти, но до сих пор Samsung и SK hynix предпочитали продавать оборудование через посредников, избегая прямых сделок с китайскими компаниями. Samsung собирается переводить своё предприятие в китайском Сиане на выпуск 200-слойной памяти.

По правилам экспортного контроля в США, которые вступили в силу в октябре 2022 года, поставки в Китай оборудования для выпуска памяти 3D NAND с более чем 128 слоями запрещены. Samsung и SK hynix смогли выбить для себя освобождение от этих ограничений на неопределённый срок. Однако, реализация бывшего в употреблении оборудования на территории Китая представляет для корейских компаний определённый риск даже в случае с техникой, предназначенной для выпуска памяти по более старым нормам. Сама Samsung намеревается к 2026 году наладить выпуск 400-слойной памяти типа 3D NAND. Удастся ли компании найти в Китае покупателей для своего старого оборудования без ущерба для взаимоотношений с американскими чиновниками, станет понятно в следующем году, когда вопрос об избавлении от этого оборудования обретёт высокую актуальность.

SK hynix ускорит выпуск нового поколения чипов памяти HBM для задач, связанных с работой ИИ, после того, как глава компании Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang) спросил южнокорейского поставщика микросхем о возможности начать поставки образцов новой памяти на шесть месяцев раньше изначально запланированного срока. Решение свидетельствует о сохраняющемся мировом спросе на передовые полупроводники, пишет Bloomberg.

Источник изображения: TechPowerUp

Хуанг поднял вопрос о будущей высокопроизводительной памяти HBM4 в ходе встречи с председателем SK Group Чеем Тэ Воном (Chey Tae-won), о чём сам южнокорейский бизнесмен сообщил в кулуарах саммита SK AI по вопросам технологий ИИ в понедельник, пишет издание. Чей считает, что Хуанг преуспел в качестве лидера отчасти благодаря своему акценту на скорости внедрения новых решений на рынок.

Ранее SK hynix сообщила, что придерживается графика и планирует начать поставки памяти HBM4 своим клиентам во второй половине 2025 года. Эти планы она в очередной раз подтвердила в рамках финансового отчёта в октябре. Южнокорейская компания является ключевым поставщиком микросхем памяти HBM, которые используются в составе специальных ИИ-ускорителей Nvidia.

Как пишет Bloomberg, судьба поставок памяти HBM4 в 2025 году зависит от того, сможет ли южнокорейский производитель чипов вовремя завершить сложный процесс квалификации микросхем со стороны Nvidia. Однако по словам топ-менеджера SK Group, «обе стороны находятся на одной волне» по вопросу графика выпуска HBM4. Как сообщается, в то же время сама Nvidia пока не может удовлетворить спрос на достаточное количество ИИ-чипов. По словам Чея, обе компании работают над тем, чтобы решить проблему сохраняющегося дефицита поставок.

SK hynix в понедельник также раскрыла некоторые дополнительные подробности о дорожной карте своих будущих продуктов. Производитель микросхем планирует выпустить 16-слойные чипы памяти HBM3E в начале 2025 года, а также выпустить микросхемы HBM5 и HBM5E в 2028–2030 годах. В прошлом месяце компания отчиталась о рекордном квартальной выручке и сообщила о планах начать поставки своих самых передовых на данный момент 12-слойных чипов памяти HBM3E в четвёртом квартале этого года.

Компания Samsung Electronics, которая изо всех сил пытается догнать SK hynix в сегменте производства ИИ-чипов, заявила, что планирует массовое производство микросхем памяти HBM4 во второй половине следующего года. Samsung рассчитывает, что её продукты HBM4 помогут конкурировать с SK hynix в поставках для Nvidia.

SK hynix представила первые в мире стеки памяти HBM3E ёмкостью 48 Гбайт из 16 кристаллов — это новый рекорд для архитектуры 16-Hi. На SK AI Summit 2024 в Сеуле генеральный директор компании Квак Но Чун (Kwak Noh-Jung) объявил о стратегии SK hynix, направленной на превращение компании в поставщика полного ассортимента решений на базе памяти DRAM и NAND для ИИ.

Источник изображений: SK hynix

Квак Но-Чжун отметил, что роль памяти за последние десятилетия претерпела значительные изменения: от хранения данных на персональных компьютерах (ПК) и смартфонах до поддержки функционирования облачных сервисов и социальных сетей. В будущем, с развитием ИИ, память будет играть ещё более важную роль, способствуя созданию новых форм взаимодействия и творчества для пользователей. Концепция «Креативной памяти», разработанная SK hynix, строится на применении полупроводников нового поколения, обеспечивающих мощные вычислительные возможности, необходимые для выполнения сложных задач.

SK hynix активно стремится к инновациям, создавая уникальные решения, не имеющие аналогов. В качестве основы выбраны продукты категории Beyond Best, отличающиеся высокой конкурентоспособностью и оптимальными инновациями, ориентированными на потребности ИИ-систем. В начале следующего года компания планирует представить тестовые образцы памяти HBM3E объёмом 48 Гбайт, подчёркивая свою готовность к внедрению передовых достижений в области памяти для ИИ.

HBM3E с архитектурой 16-Hi обеспечивает повышение производительности до 18 % в процессах обучения ИИ-моделей и до 32 % — при обработке данных по сравнению с решениями на основе 12-Hi, заявляет SK hynix. С ростом спроса на ИИ-ускорители для обработки данных это решение поможет SK hynix упрочить своё положение на рынке памяти для ИИ. Для массового производства 16-слойной HBM3E будет использована усовершенствованная технология Advanced MR-MUF, ранее успешно применявшаяся для 12-Hi решений.

Кроме HBM3E, SK hynix разрабатывает решения для других секторов, включая модули LPCAMM2 для ПК и дата-центров, а также энергоэффективную память LPDDR5 и LPDDR6, выполненную по техпроцессу 1c.

Компания также планирует интегрировать логику в базовый кристалл в памяти HBM4, что станет возможным благодаря партнёрству с одним из ведущих производителей логических полупроводников. Это позволит SK hynix разрабатывать кастомизированные HBM-решения, адаптированные к специфическим запросам клиентов по объёму, пропускной способности и функциональным характеристикам.

Память HBM3E обеспечивает скорость передачи данных на контакт 9,2 Гбит/с, что даёт пропускную способность выше 1,2 Тбайт/с

В ответ на растущие потребности ИИ-систем в увеличении объёма памяти SK hynix разрабатывает решения на основе CXL-сетей, которые обеспечат интеграцию различных типов памяти в массивы высокой ёмкости. Параллельно компания разрабатывает eSSD с ультравысокой ёмкостью, что позволит эффективно хранить большие объёмы данных на ограниченном пространстве и с оптимальным энергопотреблением.

Стремясь преодолеть так называемый «барьер памяти», SK hynix разрабатывает технологии с встроенными вычислительными возможностями. Такие решения, как Processing near Memory (PNM), Processing in Memory (PIM) и Computational Storage, позволят обрабатывать колоссальные объёмы данных, минимизируя задержки и увеличивая пропускную способность. Эти инновации откроют новые перспективы для ИИ-систем нового поколения, позволяя выполнять ресурсоёмкие задачи с минимальными задержками.

Инвесторы, по всей видимости, закрыли глаза на снижение операционной прибыли Samsung в полупроводниковом сегменте последовательно на 40 %, как только услышали заявление руководства о намерениях начать продажи передовой HBM3E в четвёртом квартале. Акции южнокорейского гиганта выросли в цене на 3,6 %, хотя общие итоги предыдущего квартала к этому не особо располагали.

Источник изображения: Samsung Electronics

Прежде всего, как отмечает Bloomberg, исполнительный вице-президент Samsung Electronics Чжэ Чжу Ким (Jaejune Kim), отвечающий за выпуск памяти, признался в наличии существенного прогресса в сертификации микросхем HBM3E новейшего поколения с крупным клиентом, в которым легко угадывается Nvidia. По его словам, Samsung собирается начать поставки передовых микросхем HBM3E в текущем квартале.

До этого, напомним, у Samsung регулярно возникали трудности с получением подобного сертификата, хотя руководство Nvidia свою заинтересованность в использовании HBM3E производства Samsung демонстрировало ещё весной текущего года. Впрочем, пока нельзя оценить, насколько массовыми будут поставки 12-ярусных микросхем памяти типа HBM3E производства Samsung в текущем квартале, если речь идёт именно о них. Так или иначе, курс акций конкурирующей SK hynix, которая контролирует половину рынка, снизился сегодня на 4,6 %.

Напомним, что операционная прибыль Samsung в полупроводниковом сегменте по итогам третьего квартала не только последовательно сократилась на 40 %, но и не оправдала ожидания аналитиков. SK hynix в прошлом квартале получила рекордную операционную прибыль, пообещав начать поставки своих 12-ярусных микросхем HBM3E в текущем квартале. Samsung же готова наращивать выпуск HBM3E в ущерб прочим типам памяти, она также сделала это направление приоритетным для капитальных затрат. Рассчитывая потратить на эти нужды $35 млрд в текущем году, Samsung собирается наладить выпуск HBM4 во второй половине следующего года.

В сегменте контрактного производства чипов, как отмечает Samsung, размер капитальных расходов в этом году уменьшится по сравнению с предыдущим, но компания всё равно намеревается обновлять свои производственные линии, специализирующиеся на зрелой литографии. Нарастить собственную выручку в контрактном сегменте компания рассчитывает за счёт улучшения уровня выхода годной продукции по передовым техпроцессам. Мировой рынок подобных услуг в денежном выражении в следующем году вырастет на двузначное количество процентов, по мнению руководства Samsung.

Сегмент смартфонов в текущем квартале последовательно вырастет, спрос на старшие модели будет этому способствовать, но основная конкуренция будет наблюдаться в среднем ценовом диапазоне. Из-за этого могут измениться как объёмы поставок устройств, так и их средняя цена реализации.

Занимая второе место в мировом рейтинге производителей памяти в целом, южнокорейская SK hynix остаётся крупнейшим поставщиком востребованных ускорителями вычислений микросхем памяти типа HBM. Благоприятная конъюнктура позволила компании по итогам третьего квартала обновить рекорды как по выручке, так и по прибыли.

Источник изображения: SK hynix

Выручка SK hynix в третьем квартале выросла в годовом сравнении на 94 % до $12,7 млрд в пересчёте по курсу, а операционная прибыль превзошла ожидания аналитиков, достигнув уровня в $5,08 млрд против убытков в размере $1,3 млрд годом ранее. Помимо поставок HBM, компания выигрывает на фоне бума систем искусственного интеллекта за счёт поставок твердотельных накопителей в серверном сегменте. В минувшем квартале серверное направление обеспечило более 60 % выручки в сегменте NAND.

В натуральном выражении объёмы поставок микросхем семейства HBM выросли более чем на 70 % последовательно и более чем в три раза по сравнению с аналогичным периодом прошлого года. Даже после такого бурного роста SK hynix не стесняется заявить, что рассчитывает на сохранение тенденции и в следующем году. Сегменты DRAM и NAND в следующем году вырастут на 15–19 % в денежном выражении, как считают представители производителя.

Кроме того, спрос на память в сегменте ПК и смартфонов тоже начнёт расти, поскольку потребители начнут интересоваться новыми моделями устройств с функциями локального ускорения работы систем искусственного интеллекта. Представители компании считают, что отрасль по производству памяти почти миновала кризисную фазу и теперь готова к восстановлению спроса. В текущем квартале SK hynix начнёт поставлять 12-ярусные стеки памяти типа HBM3E. В ближайшей перспективе это поможет ей увеличить долю доходов от реализации HBM с 30 до 40 % совокупной выручки. К поставкам микросхем HBM4 компания намеревается приступить во второй половине следующего года. Руководство SK hynix убеждено, что о снижении спроса на HBM в сегменте ИИ говорить преждевременно.

Лидируя на мировом рынке как поставщик памяти в целом, южнокорейская компания Samsung Electronics страдает от конкуренции с SK hynix в быстро растущем сегменте HBM, поскольку до сих пор не может наладить поставки новейших микросхем HBM3E для нужд Nvidia. По некоторым данным, Samsung потребуется внести изменения в дизайн этих чипов, на что уйдёт до шести месяцев времени.

Источник изображения: Samsung Electronics

По информации ZDNet, у Samsung возникли проблемы с производством не только базового чипа для стеков памяти HBM3E, но и самих микросхем DRAM, его формирующих. Дело в том, что компания изначально замахнулась на использование технологии 1α с несколькими слоями, обрабатываемыми с использованием EUV-литографии. В конечном итоге это должно было сделать микросхемы памяти более дешёвыми, но Samsung не удалось добиться стабильного уровня качества при их производстве. Micron и SK hynix предпочитают придерживаться более зрелого техпроцесса 1β, причём последняя ограничивается единственным слоем кристалла, который обрабатывается с использованием EUV. В случае с Samsung их количество достигает пяти, и это создаёт проблемы при производстве.

Сейчас Samsung, как отмечается, обсуждает возможность изменения дизайна своих микросхем DRAM, которые формируют стек HBM3E, ради повышения уровня выхода годной продукции. Если эти изменения в процесс производства решено будет внести, то на их внедрение может уйти до шести месяцев, и тогда Samsung сможет приступить к поставкам HBM3E, соответствующей требованиям Nvidia, не ранее второго квартала следующего года. Источники попутно сообщают, что представители Nvidia посетили предприятие Samsung, где выпускаются 8-слойные стеки HBM3E, и по результатам проверки выяснилось, что они уступают по уровню быстродействия до 10 % аналогичным по характеристикам изделиям SK hynix и Micron.