Летом прошлого года компания GIGABYTE дебютировала на рынке модулей оперативной памяти, представив комплекты DDR4 с частотой 2666 и 3200 МГц. А на прошлой неделе в рамках выставки CES 2019 тайваньский производитель объявил о планах расширить ассортимент, добавив в него наборы Aorus RGB с более высокой частотой.

Сообщается, что GIGABYTE в ближайшем будущем выпустит комплекты модулей памяти DDR4 с частотой 3600 и 4000 МГц. Оба новых комплекта Aorus RGB будут включать по два модуля объёмом по 8 Гбайт каждый, а также по два муляжа с подсветкой, предназначенных для заполнения пустых слотов на материнской плате. Оба комплекта будут обладать рабочим напряжением 1,35 В и поддержкой профилей XMP 2.0.

Интересно, что новые модули Aorus RGB будут построены на микросхемах памяти C-die от компании SK Hynix. Данные чипы памяти уже давно используются многими производителями для создания модулей с частотой 3600 МГц и ниже, и GIGABYTE, похоже, станет первым производителем, который предложит модули DDR4-4000 на этих чипах. Также стоит отметить, что представленные ранее модули GIGABYTE построены на чипах Samsung B-die.

GIGABYTE пока что не уточняет даты начала продаж своих новых комплектов памяти Aorus RGB, равно как и их стоимость. Заметим, что аналогичный комплект с частотой 3200 МГц сейчас продаётся в США по цене в $215.

Ведущие производители памяти, Samsung и SK Hynix, которые в сумме занимают две трети рынка чипов DRAM и чуть менее половины рынка NAND, вынуждены пересмотреть свои планы по наращиванию производственных мощностей. Как сообщают аналитики, корейские производители столкнулись с уменьшением спроса на свою продукцию, и им не остаётся ничего иного, кроме как пересмотреть стратегию развития. Согласно расчётам IC Insights, компания Samsung инвестирует в 2019 году в развитие производства $18 млрд, что на 20 % меньше, чем в завершающемся году, а SK Hynix сократит капитальные вложения в 2019 году на 22 % до суммы в $10 млрд.

Аналитик корейского института развития (KDI), Квон Кью-хо (Kwon Kyu-ho) предупреждает, что «у компаний нет иного выхода и им придётся корректировать темпы расширения производства, потому что невозможно рассчитывать на то, что бум на рынке памяти, наблюдавшийся в 2017 и 2018 годах, продолжится и в следующем году». Собственно, падение спроса на полупроводниковую продукцию корейских гигантов прослеживается уже сейчас. В ноябре суммарные поставки чипов Samsung и SK Hynix снизились на 16,3 % относительно показателей октября. А объёмы производства за тот же срок уменьшились на 5,2 %.

До недавних пор производители памяти получали сверхдоходы на фоне бурного развития всей IT-индустрии и роста «экономики данных», в рамках которой глобальные компании вроде Google и Amazon стали основными покупателями чипов памяти для ввода в эксплуатацию разнообразных облачных сервисов и сервисов обработки «больших данных». Однако в настоящее время интенсивный рост этой отрасли заканчивается, а торговые конфликты между США и Китаем вносят дополнительную неопределённость в будущее. Стагнирует и рынок смартфонов, который раньше тоже выступал крупным потребителем микросхем памяти.

В результате, глобальные рынки чипов DRAM и NAND, где Samsung и SK Hynix занимают доминирующее положение, входят в период нисходящих трендов. В частности, стоимость чипов DRAM в период с августа по октябрь снизилась на 11 %, а в период с октября по настоящее время упала ещё на 1 %. Похожая тенденция наблюдается и с чипами флеш-памяти. С августа по октябрь они подешевели на 10 %, а с октября по декабрь – ещё на 2 %.

Как поясняют отраслевые эксперты, такого резкого падения цен не ожидал никто. Но ещё хуже, что нет ни одной причины, по которой ситуация может поменяться. Впереди — затяжной период превышения предложения над спросом со всеми вытекающими последствиями. И здесь ведущих производителей памяти поджидает ещё один удар: в 2019 году массовый выпуск DRAM и NAND-продукции должны начать китайские компании.

Как сообщает DRAMeXchange, подразделение TrendForce, контрактные цены на продукцию DRAM начали снижаться начиная с последнего квартала текущего года. Для некоторых контрактов стоимость чипов была снижена вдвое, что очень редко наблюдается на рынке. Ситуация указывает на то, что OEM-производители в настоящее время прогнозируют дальнейшие проблемы рынка, так что снижение цен на память в первом квартале 2019 года должно продолжиться.

В ноябре этого года средние цены на модули DRAM низкого и среднего класса объёмом 4 и 8 Гбайт начали падать, в то время как цены модулей высокого класса остались на прежнем уровне. Средняя контрактная цена 4-Гбайт модулей DRAM за ноябрь снизилась на 3,2 % с $31 до $30. В то же время средняя контрактная цена модулей DRAM на 8 Гбайт уменьшилась на 1,6 % с $61 до $60.

DRAMeXchange считает, что средние отпускные цены на DRAM снизятся почти на 8 % в четвёртом квартале года по сравнению с третьим. В частности, память DRAM для ПК, серверов и специализированных решений продемонстрирует падение, близкое к 10 %. Для сравнения: средняя стоимость мобильной DRAM опустится лишь на 5 %, потому что ранее рост цен на этот вид памяти был более умеренным.

Если же говорить о первом квартале 2019 года, то ожидается дальнейшее увеличение предложения за счёт наращивания доли продуктов, выпускаемых по 1Y-нм нормам, повышения доли выхода годных чипов и дальнейшего расширения производственных мощностей на фабрике Samsung в Пхёнтхэке в последней четверти этого года. В то же время традиционно первый квартал года отличается пониженным спросом, к тому же рост рынка смартфонов почти остановился по сравнению с предыдущими годами. В результате снижение цен мобильной DRAM в начале 2019 года может усилиться, да и в целом ожидается более сильное падение стоимости DRAM, чем в последней четверти 2018 года.

На снижение цен также будут оказывать последствия торговые споры в США и Китая. В частности, продукты DDR4 могут продемонстрировать более резкое падение цен по сравнению с DDR3 из-за слабого спроса со стороны ПК и серверов.

По словам аналитиков из DRAMeXchange, ведущие поставщики оперативной памяти DRAM смогли добиться роста операционной прибыли до рекордных уровней в третьем квартале 2018 года, хотя рост средней стоимости их продукции начал замедляться. Компании сейчас сосредоточены на повышении своих результатов с использованием более совершенных технологических процессов для оптимизации структуры затрат.

Операционная маржа (отношение операционной прибыли к объёму продаж) бизнеса DRAM у Samsung, согласно оценкам аналитиков, достигла 70 % в III квартале 2018 года. Samsung уже использует 1x-нм технологический процесс в массовом производстве и приступила в третьем квартале к развёртыванию более продвинутых 1y-нм норм.

В свою очередь, у SK Hynix, согласно выкладкам DRAMeXchange, операционная маржа бизнеса DRAM выросла в прошлом квартале с 63 % до 66 %, также благодаря значительному увеличению доли выхода годной 1x-нм продукции. SK Hynix начала печать чипов с использованием 1x-нм норм в конце 2017 года и сосредоточилась на повышении показателя годных кристаллов. Кроме того, SK Hynix планирует завершить до конца текущего года строительство своей второй 300-мм фабрики в китайском городе Уси. Новый объект начнёт вносить свой вклад в общий объем продукции DRAM в первой половине 2019 года, но наращивание объёмов производства будет происходить относительно медленно из-за неопределённости в мировой экономике.

Наконец, в третьем квартале операционная маржа Micron Technology увеличилась до 62 % c 60 % во втором, что DRAMeXchange также связывает с увеличением доли выпуска чипов, производимых с соблюдением 1х-нм норм в общем объёме производства. Тайваньская дочерняя компания Micron Memory Taiwan вскоре переведёт все свои производственные мощности на 1x-нм техпроцесс и приступит к освоению более совершенных 1z-нм норм. Тем не менее, последние вряд ли будут готовы к массовой печати до 2020 года. Другая тайваньская дочерняя компания, Micron Technology Taiwan, перешла на массовое 1x-нм производство и в конце 2018 года начнёт развивать свои 1y-нм нормы.

По мнению DRAMeXchange, у всех трёх ведущих производителей DRAM операционная маржа не возрастёт в последней четверти текущего года, поскольку их усилия по сокращению затрат вряд ли компенсируют влияние наметившегося постепенного падения цен на чипы памяти.

В августе этого года компания SK Hynix анонсировала выпуск якобы нового типа флеш-памяти под названием «4D NAND». Теперь же сообщается, что производитель успешно создал данный тип памяти и готовится начать его массовое производство.

Сообщается, что компания создала 96-слойные микросхемы памяти «4D NAND» ёмкостью 512 Гбит, то есть 64 Гбайт. При этом площадь микросхемы оказалась на 30 % меньше по сравнению с 72-слойной микросхемой той же ёмкости. Также отмечается возросшая на 25 и 30 % производительность при чтении и записи соответственно.

До конца года компания SK Hynix планирует начать массовое производство данных 92-слойных микросхем ёмкостью 512 Гбит. В следующем же году компания собирается начать производство подобных микросхем объёмом 1 Тбит. Также сообщается о планах по выпуску клиентских твердотельных накопителей объёмом до 1 Тбайт на базе собственных контроллеров SK Hynix.

Технология «4D NAND» по своей сути является скорее немного улучшенной версией уже давно используемой 3D NAND, нежели принципиально новым подходом к созданию твердотельной памяти. Новая память компании SK Hynix будет сочетать две важные особенности. Во-первых, она будет опираться на ячейку с ловушкой заряда (Charge Trap Flash, CTF). Во-вторых, периферийные цепи, управляющие массивом ячеек, будут перенесены под сами ячейки (Periphery Under Cell, PUC).

Однако стоит отметить, что SK Hynix всегда выпускала память 3D NAND с ячейкой с ловушкой заряда, как и большинство других производителей. Что касается переноса управляющей периферии под ячейки, то подобная технология, но под названием (CMOS under the array, CuA), давно используется Intel и Micron. А в скором времени и Samsung начнёт применять технологию CuA при производстве памяти 3D NAND. Так что чего-то действительно инновационного в памяти «4D NAND» от SK Hynix на самом деле нет.

Cypress Semiconductor и SK Hynix объявили о создании совместного предприятия, которое займётся выпуском и продажей SLC NAND флеш-памяти Cypress текущего поколения, а также разработкой будущих продуктов. Следствием создания СП станет уход Cypress от производства и продажи NAND-памяти и возможности сконцентрироваться на более прибыльных направлениях деятельности. В свою очередь, SK Hynix получит возможность задействовать устаревшие производственные мощности, а также лояльных клиентов.

Согласно условиям соглашения о совместном предприятии, SK Hynix инвестирует в него $3,6 млн наличными и получит 60 % предприятия, тогда как Cypress вложит $2,4 млн (а также определённое оборудование) и приобретет долю в 40 %. Кроме того, Cypress также «уступит» совместному предприятию до 15 сотрудников, предоставить услуги в области транзита производства и разработки совместному предприятию, а также поспособствует переходу имеющихся клиентов Cypress к СП. При этом до конца января 2021 года компании будут делить прибыль от деятельности совместного предприятия 50 на 50. Срок текущего договора — пять лет. По их прошествии условия участия сторон могут быть пересмотрены, или же SK Hynix выкупит долю Cypress. При этом у SK Hynix есть право приобрести дополнительную долю в 10 % в случае если её поставки превысят 15 000 пластин с памятью в месяц.

SLC NAND-память производства Cypress/Spansion

Cypress получила бизнес по производству и продаже специализированной NAND и NOR флеш-памяти при покупке Spansion в 2015 году. В конце 2016 года Cypress передала производство микросхем SLC (однобитовой) NAND флеш-памяти ёмкостью 1–16 Гбит компании SK Hynix на условиях «бери или плати» 15 000 пластин с памятью в квартал. Совместное предприятие формально начнёт работу в первом квартале 2019 года, что сделает недействительным договор об аутсорсинге.

SLC NAND флеш-память Cypress ёмкостью 1–16 Гбит в настоящее время применяется для различных приложений в сферах автомобилестроения, коммуникаций, потребительской электроники, промышленного оборудования и других. Продукция сертифицирована под требования AEC-Q100 и может работать при температуре до 105 °C. Подобная память не является массовой, её применяют лишь ряд клиентов Cypress, а потому у данного бизнеса весьма ограниченные возможности роста, вследствие чего в Cypress не видят смысла производить подобные микросхемы на своих производственных мощностях.

Фабрика SK Hynix

Принимая во внимание, что всё больше специализированных систем на кристалле и микроконтроллеров применяют встроенную флеш-память, нетрудно догадаться, что развивать производство памяти едва ли является выгодным предприятием для Cypress, которая заказывает производство продвинутых SoC и MCU у третьих компаний.

Компании Samsung и SK Hynix, согласно последним данным, решили скорректировать свои планы по расширению производственных мощностей, предназначенных для выпуска микросхем оперативной (DRAM) и твердотельной памяти (NAND). Производители сталкиваются со снижением спроса и стараются избежать потерь.

В последнее время цены на микросхемы памяти в основном росли, в особенности это касалось оперативной памяти (DRAM), но также затрагивало и твердотельную флеш-память (NAND). Однако эта ситуация меняется в лучшую для потребителя сторону. Не так давно мы писали о том, что цены на оперативную память начнут снижаться из-за снижения спроса, а на флеш-память — из-за избыточного производства.

И действительно, аналитики отмечают перенасыщение на рынке твердотельной памяти в третьем квартале 2018 года, из-за чего за текущий квартал она может потерять в цене 10–15 %, если верить прогнозам. Более того, ещё около 15 % цена флеш-памяти сбросит в следующем, четвёртом квартале. И даже в начале будущего года сохранится подобная тенденция. В свою очередь оперативная память пока что дешевеет медленнее, но в следующем квартале темпы могут возрасти.

Поэтому компания Samsung вполне закономерно решила отложить ввод в строй новых производственных мощностей по выпуску флеш-памяти 3D V-NAND до первой половины будущего года. Компания SK Hynix также решила замедлить наращивание объёмов производства твердотельной памяти 3D NAND.

Сообщается также, что Samsung решила повременить и с планами по расширению производственных мощностей по выпуску микросхем оперативной памяти 10-нм класса на фабриках в Пхёнтхэке и Хвасоне, что в Южной Корее. Изначально в планы Samsung входило уже в этом квартале наладить выпуск дополнительных 30 000 полупроводниковых пластин ежемесячно.

Вслед за публикацией превосходного по содержанию пресс-релиза о получении рекордной квартальной выручки южнокорейская компания SK Hynix официально сообщила о намерении построить ещё один полупроводниковый завод для производства памяти. Строительство начнётся ближе к концу текущего года вблизи штаб-квартиры компании в городе Ичхон. В строй новый завод обещает войти в октябре 2020 года. Правда, пока компания не уточняет, это предприятие будет выпускать память типа DRAM или NAND (3D NAND), но в принципе, это не важно. Линии современных заводов могут быть настроены как на выпуск одной продукции, так и другой.

Инвестиции в проект составят 3,5 трлн вон ($3,12 млрд). Площадь предприятия составит 53 000 м². Завод получит увеличенную по площади «чистую» комнату, где происходят основные процессы по обработке кремниевых пластин. Новое оборудование, отмечают в SK Hynix, значительно больше по габаритам, чем старое. Это заставляет расширять площади чистых комнат. Например, сейчас происходит расширение чистой комнаты на заводе компании в Китае вблизи города Ухань. Несмотря на пожар на стройке в начале июня, чистая комната на этом предприятии будет закончена во второй половине текущего года.

wsj.com

Строительство нового завода в Ичхоне станет третьим крупномасштабным проектом SK Hynix по наращиванию производственных мощностей для выпуска памяти. Предыдущий завод в Ичхоне (M14) был введён в эксплуатацию в 2015 году. Кроме этого компания ведёт строительство предприятия в Чхонджу. После ввода нового завода в строй общий объём инвестиций в три этих проекта достигнет 46 трлн вон ($41,05 млрд). Это колоссальные вложения в экономику страны и, как можно надеяться, гарантия от дефицита памяти в будущем.

Южнокорейский чипмейкер SK Hynix получил рекордные доходы благодаря сильным поставкам памяти DRAM и NAND flash, передаёт новостное агентство Yonhap.

Во втором квартале 2018 года чистая прибыль SK Hynix увеличилась на 75,4 % относительно аналогичного периода 2017-го и достигла 4,3 трлн вон (около $3,84 млрд), чего не было никогда в истории компании.

wsj.com

Операционная прибыль подскочила на 82,7 % до 5,5 трлн вон ($4,9 млрд), а продажи выросли на 55 % до 10,3 трлн вон ($9,2 млрд). Опрошенные Yonhap Infomax аналитики ожидали менее высокие доходы. Квартальные показатели операционной прибыли и выручки у SK Hynix впервые перевалили за 5 и 10 трлн вон соответственно.

Свои высокие результаты SK Hynix связывает с резко выросшими поставками микросхем памяти. Так, отгрузки DRAM-чипов подскочили на 16 % в апреле–июне за счёт сильного спроса со стороны производителей серверов и компьютеров. На рынке оперативной памяти возник дефицит, в результате которого средняя продажная стоимость продукции повысилась на 4 %, указывает SK Hynix.

wsj.com

Компания нарастила продажи флеш-памяти на 19 % во многом благодаря китайским производителям мобильных устройств. При этом средняя цена на такую память снизилась на 9 %.

SK Hynix строит позитивный прогноз на второе полугодие в связи с растущими инвестициями в дата-центры в США и Китае, а также выходом новых смартфонов.

Тайваньский интернет-ресурс DigiTimes со ссылкой на местные источники сообщил, что компании Samsung и SK Hynix якобы испытывают проблемы с производством 18-нм чипов памяти типа DRAM (DDR4). В производстве техпроцесс с нормами 18 нм до сих пор ведёт себя нестабильно, отчего напрямую страдают объёмы выпуска этой дефицитной продукции. Ситуацию спасает лишь то, что уровень брака оказывается высоким только при производстве высокоплотной серверной памяти. Такая память проходит более тщательный отбор, чем память для настольных ПК и ноутбуков и чаще уходит в брак.

Если верить источнику, до возобновления стабильного производства американские и китайские производители серверных модулей памяти приостановили закупки 18-нм чипов DRAM у Samsung и SK Hynix. Компании Alibaba, Huawei, Lenovo и Tencent, например, переключились на закупки 20-нм микросхем DRAM. К счастью для нас, возникшая неопределённость не обещает привести к росту цен на память, а даже ускорит снижение оптовой стоимости памяти в третьем квартале. По мнению специалистов, не попавшие в серверы 18-нм чипы DRAM будут без проблем работать в настольных и мобильных компьютерах и не усугубят ситуацию с дефицитом этой продукции.

Восстановление уровня выхода годных 18-нм чипов памяти на заводах Samsung и SK Hynix может продлиться свыше двух месяцев. Для каждого из двух южнокорейских производителей 18-нм техпроцесс производства DRAM относится к первому поколению техпроцессов класса 10-нм. По идее с ним не должно быть проблем ни у Samsung, ни у SK Hynix. Тем не менее, о проблемах сообщают и ситуация на рынке памяти снова может измениться.

Компания SK Hynix снова горит. Точнее, пожар возник на месте строительства второго в Китае предприятия компании по производству памяти типа DRAM. Строительство стартовало в прошлом году в городе Уси (Wuxi). К счастью, как сообщают местные источники, очаг возгорания возник на расстоянии от действующего завода компании и производство не должно пострадать.

http://news.mydrivers.com

В то же время напомним, что похожая ситуация была в этом же месте в 2013 году, когда загорелась крыша на первом заводе, и продукты горения попали в вентиляцию, компании пришлось забраковать не только большую партию пластин с памятью, но даже менять часть производственного оборудования. После этого цены на память поползли вверх. Может ли это повториться сейчас? Надеемся, что нет.

http://news.mydrivers.com

В этом году аналитики ожидают снижения темпов роста цен на DRAM. Компания SK Hynix, как и её конкуренты, с прошлого года начала реализовывать планы по расширению мощностей для выпуска микросхем памяти. Второй завод в Уси, который задымил во вторник вечером, должен войти в строй в 2019 году и со временем довести выпуск 300-мм пластин с памятью до 200 тыс. каждый месяц. Это будет весомый вклад в поставки DRAM. К настоящему моменту, насколько можно судить по фотографиям с места происшествия, возведение цехов ещё не завершено, поэтому последствия пожара обещают оказаться несущественными. Но ведь как всё «вовремя»!

Прибыль SK Hynix подскочила на 64 % благодаря подорожанию памяти, которое в случае с южнокорейской компанией компенсировало спад мобильного сегмента.

В первом квартале 2018 года чистая прибыль SK Hynix составила 3,1 трлн вон ($2,9 млрд) против 1,9 трлн вон прибыли за аналогичный период 2017-го. Опрошенные FactSet аналитики ожидали более высокий показатель — 3,3 трлн вон.

wsj.com

Операционная прибыль компании увеличилась на 77 % до 4,4 трлн вон ($4,1 млрд), а выручка достигла 8,7 трлн вон ($8,1 млрд), на 39 % превысив показатель годичной давности.

В SK Hynix отметили, что цены на чипы оперативной памяти продолжают уверенно расти благодаря сильному спросу со стороны производителей серверов и владельцев дата-центров. Стоимость флеш-памяти немного упала, равно как и поставки продукции, из-за слабых продаж мобильных устройств. В 2017 году мировой рынок смартфонов впервые сократился — на 5,6 %, сообщили ранее аналитики Gartner.

«Хотя в целом рост продаж смартфонов застопорился, четыре крупнейших китайских производителей помогают ускоренному внедрению чипов высокой плотности. Что касается серверов, то североамериканские операторы дата-центров, а также китайские компании во главе с Baidu, Alibaba и Tencent, увеличивают инвестиции», — заявил директор по маркетингу продуктов DRAM компании SK Hynix Шон Ким (Sean Kim).

wsj.com

По прогнозам SK Hynix, дефицит DRAM-памяти сохранится в будущем, несмотря на планы производителей по расширению мощностей своих предприятий.

Компания Nimbus Data представила новое семейство твердотельных накопителей (solid-state drives, SSDs) сверхвысокой ёмкости, призванных конкурировать с жёсткими дисками (hard disk drives, HDDs) за место в центрах обработки данных. Накопители ExaDrive DC позволяют хранить 50 или 100 Тбайт данных, они используют собственные контроллеры и NAND флеш-память в специальных корпусах. Новые SSD используют интерфейс Serial ATA и обеспечивают беспрецедентно высокую износоустойчивость, что является следствием относительно невысокой производительности.

Семейство Nimbus ExaDrive DC будет состоять из двух моделей ёмкостью 50 и 100 Тбайт, использующих форм-фактор 3,5 дюйма и интерфейс SATA со скоростью передачи данных 6 Гбит/с. Со временем производитель планирует выпустить твердотельные накопители серии ExaDrive DC с интерфейсом SAS, но пока не ясно, когда именно такие SSD будут доступны. Что касается производительности, то Nimbus заявляет скорость последовательного чтения/записи до 500 Мбайт/с, а также до 100 тысяч случайных операций чтения/записи в секунду (IOPS). Что касается потребления энергии, то ExaDrive DC100 потребляет 10 Вт в режиме ожидания и до 14 Вт в рабочем режиме.

Nimbus ExaDrive DC100

Твердотельные накопители серии ExaDrive DC основаны на собственной архитектуре Nimbus с четырьмя контроллерами NAND флеш-памяти и специальном процессоре для их управления. SSD используют флеш-память типа 3D MLC NAND, произведённую SK Hynix, но использующую специальные корпуса разработанные Nimbus. Производитель не раскрывает механизм ECC, поддерживаемый контроллерами, но учитывая тот факт, что мы имеем дело с устройством на основе 3D MLC, то для максимальной выносливости таким SSD не требуется слишком продвинутый метод контроля за ошибками. Говоря об износоустойчивости, стоит отметить, что накопитель ёмкостью 100 Тбайт имеет неограниченную гарантию на запись данных на весь пятилетний гарантийный период. Это не особенно удивительно, поскольку при скорости записи 500 Мбайт/с на накопитель невозможно записать более 43,2 Тбайт данных в сутки. Если же предположить, что все пять лет данные SSD будут работать в режиме записи на максимальной скорости (что невозможно в принципе), каждый накопитель ExaDrive DC100 сможет записать 79 Пбайт данных.

Nimbus ExaDrive DC: высокая надёжность#!MARKER#!

Твердотельные накопители Nimbus ExaDrive DC используют стандартный 3,5-дюймовый форм-фактор и формально совместимы с многочисленными серверными корпусами, способными поддерживать устройства с энергопотреблением 14 Вт. В частности, в Nimbus Data говорят, что существуют «по крайней мере» три производителя шасси 4U90 с надлежащими тепловыми и энергетическими характеристиками для поддержки ExaDrive DC. Следует учитывать, что поскольку абсолютное большинство шасси рассчитаны на 3,5-дюймовые жёсткие диски с энергопотреблением около 10 Вт, далеко не все сегодняшние серверы способны поддержать ExaDrive DC50 и DC100. Таким образом, если оператор центра обработки данных планирует заменить некоторые из своих винчестеров высокой ёмкости на указанные SSD, тем самым повысив свои объёмы хранения данных на квадратный метр, ему потребуется инвестировать в новые серверные шкафы. В ближайшее время Nimbus анонсирует эталонные дизайны серверов на базе ExaDrive DC совместно с некоторыми производителями подобных шасси.

Преимущества накопителей ёмкостью 100 Тбайт

По данным Nimbus, в 2017 году было продано 40 миллионов 3,5-дюймовых жёстких дисков класса nearline с общей емкостью 250 миллионов терабайт. Компания полагает, что в ближайшие три года около 10 % таких накопителей (в пересчёте на терабайты) перейдут на флеш-память, что обеспечит рынок сбыта для продуктов вроде ExaDrive DC.

Компания Nimbus уже начала поставки опытных образцов твердотельных накопителей ExaDrive DC избранным клиентам. Ожидается, что коммерческие поставки новых SSD начнутся этим летом. Поскольку Nimbus не только продает накопители напрямую своим 200 клиентам, но и делает их доступными через своих партнеров, таких как Viking или Smart, возможно, что ExaDrive DC будут доступны и под другими брендами. Впрочем, пока никаких официальных объявлений сделано не было.

Nimbus ExaDrive DC100

Производитель не раскрывает цены на твердотельные накопители ExaDrive DC50 и DC100, ограничиваясь заявлением, что они будут конкурентоспособными. Следует помнить, что поскольку цены на NAND флеш-память имеют тенденцию колебаться, только время покажет фактические цены новых SSD ExaDrive DC, когда их продажи начнутся этим летом.

Перед самым началом празднования китайского Нового года аналитики DRAMeXchange (подразделение компании TrendForce) успели опубликовать заметку о предполагаемом состоянии рынка памяти в первом квартале и, вчерне, о выручке производителей DRAM в 2018 году. Если сравнивать ожидания с прошлым годом, то память в 2018 году будет расти в цене не такими бурными темпами, как в 2017 году. Благодаря росту стоимости чипов DRAM производители памяти увеличили в 2017 году выручку на 76 %. За 2018 год рост выручки производителей DRAM составит не меньше 30 % в год и достигнет $96 млрд.

Данные о лидерах рынка DRAM в четвёртом квартале 2017 года (DRAMeXchange)

Интересно, что в четвёртом квартале 2017 года сильнее всего подорожала DRAM память для смартфонов. В зависимости от номенклатуры рост цен составил 5–20 % за квартал. Память для других сфер применения за это же время подорожала на 5–10 %. В первом квартале 2018 года, однако, рост цен на мобильную DRAM составит всего 3 % за квартал (о чём мы подробно рассказывали в соответствующей заметке). Память для серверов и ПК, напротив, только за январь в среднем подорожала на 5 %. Поскольку сейчас четыре крупнейшие американские компании расширяют свои ЦОД, серверная память в первом квартале не испытывает нужды в покупателях, что приведёт к квартальному росту цен на неё на 3–5 %.

Лидером рынка DRAM остаётся компания Samsung и она добивается новых успехов. В четвёртом квартале 2017 года Samsung добилась рекордной выручки на этом рынке в объёме $10,1 млрд (+14,5 % за квартал). На втором месте расположилась компания SK Hynix с квартальной выручкой $6,3 млрд (+14,1 % за квартал), а на третьем — компания Micron с выручкой $4,6 млрд (+13,4 % за квартал). Совокупно Samsung и SK Hynix удерживают 74,7 % глобального рынка DRAM. Случись на Корейском полуострове локальный кризис, станет всё.

Среди всех трёх лидеров памяти наибольшая рентабельность производства DRAM у компании Samsung — 64 % в отчётном квартале. Рентабельность производства DRAM на линиях SK Hynix за квартал выросла на 3 % — до 59 %. Соответствующий показатель у Micron также вырос на 3 % — до 53 %. Добиться роста рентабельности компаниям удаётся не только за счёт увеличения цен на память, но также благодаря переходу на новые техпроцессы с меньшими нормами производства.

Перед компанией Samsung в 2018 году стоит задача значительно расширить выпуск чипов памяти с использованием 18-нм техпроцесса. При этом Samsung собирается внепланово разместить мощности по выпуску DRAM на втором этаже нового завода в Пхёнтэк (Line 1). Это производство с лета прошлого года выпускает 64-слойную 3D NAND. Поскольку память NAND перестала дорожать, Samsung решила часть линий перепрофилировать на производство памяти DRAM. Тем самым она потеснит конкурентов и создаст дополнительный барьер перед потенциальными конкурентами из Китая.

На стройплощадке завода Samsung в Пхёнтэк (BusinessKorea)

Компания SK Hynix также будет заниматься в 2018 году повышением уровня выпуска 18-нм DRAM, а вот новые линии по производству памяти (вторая 300-мм фабрика в китайском городе Уси) заработают только в 2019 году. Компания Micron наращивает производство 17-нм DRAM. Правда, руками тайваньских партнёров. Так, 90 % памяти Micron Memory Taiwan (Rexchip) выпускается с использованием 17-нм техпроцесса. Предприятие Micron Technology Taiwan (Inotera) перейдёт от использования 20-нм техпроцесса к частичному использованию 17-нм техпроцесса в середине этого года и завершит переход в первой половине 2019 года.

Вклад остальных производителей памяти в мировой рынок DRAM видится незначительным, а информацию о компаниях вы можете почерпнуть из таблицы выше.

Финансовые неурядицы Hynix (позднее — SK Hynix) на рубеже десятилетий стали одной из причин, по которой компания с опозданием включилась в борьбу за сколько-нибудь значительную долю рынка NAND флеш-памяти. Тем не менее южнокорейский вендор прилагает все усилия, чтобы упрочить свои позиции. В частности, летом SK Hynix объявила о начале поставок 72-слойной 3D TLC NAND. Дальнейшее «взросление» производственных технологий позволило удвоить объём микросхем для их использования в ёмких SSD-накопителях корпоративного класса (англ. enterprise SSD, eSSD), и теперь SK Hynix готова отгружать заказчикам устройства на основе 512-Гбит 3D NAND. Судя по отсутствию в пресс-релизе компании аббревиатуры, указывающей на количество бит в ячейке, речь как раз идёт о многослойном варианте TLC NAND.

Новая флеш-память нашла применение в eSSD двух форм-факторов — 2,5 дюйма и M.2. Первые получат интерфейс SATA с пропускной способностью 6 Гбит/с, а вторые — PCI Express 3.0. В обоих случаях будут использоваться микроконтроллер и прошивка SK Hynix. Ёмкость 2,5-дюймовых накопителей будет достигать 4 Тбайт, а их собратьев — «более 1 Тбайт» (скорее всего, 1–1,5 Тбайт). Южнокорейский разработчик подчёркивает, что одного четырёхтерабайтного eSSD будет достаточно для записи 200 фильмов в формате Ultra HD.

Показатели быстродействия SATA-накопителей на базе 72-слойной 512-Гбит 3D NAND достаточно скромные. Скорости последовательных чтения и записи не превышают 560 и 515 Мбайт/с соответственно, а количество IOPS составляет не более 98 000 при чтении и 32 000 при записи. Устройства меньшего объёма, использующие интерфейс PCI Express 3.0, характеризуются скоростными показателями 2700/1100 Мбайт/с (чтение/запись) и 230 000/35 000 IOPS.

72-слойная 3D NAND флеш-память SK Hynix для массового потребителя

SK Hynix с энтузиазмом развивает направление eSSD, видя в нём источник высокой прибыли (по сравнению с потребительским сегментом рынка). Оптимистично оценивают перспективы твердотельных накопителей корпоративного класса и аналитики IHS Markit. Согласно их прогнозам, к концу 2021 года объём рынка SSD вырастет с $25,1 млрд до $31,2 млрд, и более половины из этой суммы обеспечит корпоративный сегмент (рост с $13,4 млрд до $17,6 млрд за четыре года).

Статус серийного продукта устройства eSSD на основе 72-слойной 512-Гбит 3D NAND пока не получили: в данный момент осуществляются поставки опытных образцов этих накопителей в пределах США.