Теги → sk hynix
Быстрый переход

SK Hynix не отказалась от планов по выпуску DRAM с применением EUV-литографии

В октябре прошлого года стало понятно, что корейская компания SK Hynix готова к внедрению литографии со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) при производстве микросхем оперативной памяти. Предполагалось, что SK Hynix к началу 2021 года освоит выпуск DRAM по техпроцессу 1α нм, и даже пандемия не заставила компанию отказаться от своих планов.

Источник изображения: Micron, AnandTech

Источник изображения: Micron, AnandTech

Как отмечает издание The Elec, намерения освоить массовый выпуск оперативной памяти по техпроцессу 1α нм с применением EUV-литографии остались в силе, и теперь SK Hynix даже упоминает условное обозначение памяти этого поколения — Canopus, в честь ярчайшей звезды в созвездии Киля. Массовое производство такой памяти будет налажено в следующем году, сейчас ведётся подготовка. Во втором полугодии, помимо того, SK Hynix собирается увеличить долю оперативной памяти с техпроцессами 1y и 1z нм до 40 % от производственной программы.

Для SK Hynix проект Canopus имеет огромное значение, поскольку он определит, сможет ли компания выпускать микросхемы оперативной памяти с применением EUV-литографии по разумной себестоимости. Именно высокие затраты отпугивают от подобного шага компанию Micron, которая не считает нужным следовать примеру SK Hynix до 2023 года как минимум. Высокие начальные затраты на освоение EUV в массовом производстве в дальнейшем компенсируются снижением текущих расходов, поскольку для изготовления микросхемы требуется меньшее количество технологических этапов и оснастки.

SK Hynix начинает выпуск памяти нового типа, DDR5-8400 на горизонте

Поскольку конкуренты и партнёры всё чаще подталкивают к производству микросхем памяти типа DDR5, южнокорейская компания SK Hynix не смогла долго молчать о своих инициативах в этой сфере. Она начинает серийный выпуск DDR5 в этом году, а в перспективе рассчитывает покорить рубеж DDR5-8400.

Источник изображения: SK Hynix

Источник изображения: SK Hynix

SK Hynix на страницах корпоративного сайта не без гордости напомнила, что ещё в ноябре 2018 года разработала микросхему DDR5 на 16 Гбит, и её позже сертифицировал комитет JEDEC. В свежей публикации компания поведала о преимуществах и некоторых характеристиках памяти типа DDR5, которую она начнёт серийно выпускать в текущем году.

Источник изображения: SK Hynix

Источник изображения: SK Hynix

При проектировании SK Hynix закладывала достижение режима DDR5-4800, как минимум, но сам стандарт позволит компании создавать память до DDR5-8400 включительно. Существенное увеличение пропускной способности станет не единственным преимуществом памяти типа DDR5. Количество банков памяти будет увеличено с 16 до 32 штук. За одну передачу будет осуществляться до шестнадцати операций чтения-записи вместо прежних восьми. Функция Same Bank Refresh позволит системе сохранять доступ к остальным банкам памяти в момент, когда один из них обновляет содержимое. Наконец, будет внедрена функция коррекции ошибок непосредственно на уровне кристалла, а также функция подавления помех.

Номинальное напряжение будет снижено с 1,2 В до 1,1 В, что ожидаемо позволит снизить удельное энергопотребление на величину до 20 % в пересчёте на пропускную способность по сравнению с DDR4. Компания SK Hynix начнёт выпуск микросхем DDR5 ёмкостью 16 Гбит по литографической технологии 10-нм класса. Со временем она предложит монолитные кристаллы DDR5 на 24 Гбит. По прогнозам IDC, уже в 2021 году 22 % спроса будут приходиться на память типа DDR5, а через год показатель вырастет до 43 %.

Корейские производители сократят объёмы выпуска памяти на 2,7 %

За пределами КНР случаи заражения коронавирусом были зарегистрированы в Южной Корее в числе первых, поэтому отраслевые эксперты выразили озабоченность влиянием этой ситуации на производство памяти. В первом квартале объёмы выпуска микросхем памяти в этой стране последовательно сократятся на 2,7 %.

Источник изображения: AnandTech, SK Hynix

Источник изображения: AnandTech, SK Hynix

Подобными оценками делятся аналитики DigiTimes Research со страниц популярного тайваньского издания. Озабоченность клиентов влиянием коронавируса на выпуск памяти в Южной Корее уже заставила их увеличить закупки продукции SK Hynix и Samsung. Обе компании с осторожностью оценивают перспективы расширения производства в текущем году, предпочитая сосредоточиться на повышении эффективности производства и переходе на более прогрессивные литографические нормы.

Влияние вспышки коронавируса на спрос на микросхемы памяти для смартфонов пока ещё трудно оценить количественно. С одной стороны, непосредственно объёмы поставок смартфонов должны сократиться в первом квартале на 34 % в последовательном сравнении, как считают эксперты DigiTimes Research. С другой стороны, никто не отменял тенденцию к росту среднего объёма памяти в смартфоне, особенно на фоне экспансии сетей 5G. Тайваньские эксперты отмечают, что на производство памяти для серверов и твердотельных накопителей текущая ситуация с коронавирусом пока заметного влияния оказать не смогла.

Невиноватая я: SK Hynix дистанцируется от утечки про AMD Navi и HBM2e

Вчерашнее упоминание о возможных характеристиках памяти будущей флагманской видеокарты AMD выглядело вполне правдоподобно — изображение документа имитировало признаки официального источника, хотя и сочетало на одной странице разнородную информацию. SK Hynix от этой истории предпочла откреститься.

Самые разные источники давно приписывают AMD намерения создать видеокарту с архитектурой RDNA или RDNA 2, использующую память типа HBM2 или HBM2e. По крайней мере, для ускорения вычислений такой продукт бы сгодился, даже если был бы слишком дорог для розницы. «Долгожительство» Radeon VII во всех презентационных материалах AMD кажется искусственным, поэтому глава компании Лиза Су (Lisa Su) не скрывает, что флагманское графическое решение нового поколения будет представлено в текущем году.

Напомним, что на этой неделе один из анонимных источников опубликовал изображение документа, который вполне достоверно передавал фирменную стилистику SK Hynix. На одной странице причудливым образом соседствовали финансовая статистика, описание характеристик микросхем памяти типа HBM2e совокупным объёмом 24 Гбайт, а также словесное упоминание о сотрудничестве AMD и SK Hynix в сфере создания печатной платы для таинственной видеокарты Radeon RX 5950XT. Такая формулировка потом даже породила домыслы о намерениях AMD привлечь SK Hynix к выпуску печатных плат для нового флагмана на территории Южной Кореи из-за вспышки коронавируса в КНР.

Сама компания SK Hynix сегодня выступила с опровержением своей причастности к распространению и созданию указанного документа. Более того, она выразила решимость в защите своих юридических интересов при появлении подобной ложной информации в будущем, призвав средства массовой информации не способствовать её распространению. Интересы своих деловых партнёров и клиентов она готова отстаивать не менее ревностно.

Документация SK Hynix упоминает возможные характеристики флагманского AMD Navi

С начала года глава AMD Лиза Су (Lisa Su) не раз обещала представить графические решения нового поколения, и флагманский продукт семейства Navi среди них тоже упоминался. Нельзя исключать, что в подготовке к анонсу этого графического процессора участвует компания SK Hynix, предлагающая память типа HBM2e.

Источник изображения: NVIDIA

Источник изображения: NVIDIA

Один из блогеров на страницах Twitter разместил изображение, которое якобы запечатлело фрагмент официального документа SK Hynix, описывающего вероятные характеристики нового графического процессора с артикулом D32310 или D32315. Соответствующие изделия уже прошли сертификацию в Южной Корее, что только добавляет правдоподобности данной утечке.

Источник изображения: Twitter, CyberPunkCat

Источник изображения: Twitter, CyberPunkCat

Если изучить правую часть снимка внимательнее, то можно встретить упоминание о Radeon RX 5950XT — утверждается, что в разработке печатной платы для одноимённой видеокарты принимали участие специалисты SK Hynix. По всей видимости, они помогали интегрировать микросхемы памяти типа HBM2e, которые будут использоваться данным графическим решением. Объём памяти достигнет 24 Гбайт, она будет использовать 4096-разрядную шину и пропускную способность 2048 Гбайт/с.

Самое интересное, что источник описывает и конфигурацию графического процессора AMD, который будет использовать память типа HBM2e. Количество шейдерных процессоров достигнет 5120 штук, блоков выборки текстур — 320 штук, блоков растеризации — 96 штук, а количество вычислительных блоков будет ограничено 80 штуками. Кроме того, предусмотрена кеш-память второго уровня объёмом 12 Мбайт. Следует ли доверять этой информации, сказать сложно, но принять её к сведению определённо не помешает.

Свыше половины кремниевых пластин в мире потребляют пять полупроводниковых компаний

Производство полупроводников сосредотачивается в руках избранных. Десять лет назад пятёрка лидеров потребляла 36 % кремниевых пластин в мире, а сегодня пять крупнейших компаний поглощают 53 % от общемирового производства кремниевых подложек.

Данные по потреблению кремниевых пластин по итогам 2019 года опубликовала компания IC Insights. В свежем докладе Global Wafer Capacity 2020-2024 представлен обзор и прогноз по 25 крупнейшим компаниям полупроводникового сектора. Все представленные данные приведены к 200-мм эквиваленту, поскольку большинство предприятий обрабатывает пластины именно такого диаметра и 300-мм подложки проще привести к общему знаменателю.

Выводы аналитиков на декабрь 2019 года показывают, в пятёрке лидеров, в которую вошли производители памяти и компания TSMC (один чистый контрактный производитель чипов), каждая компания потребляет более 1 млн пластин в месяц. За предыдущие 10 лет, кстати, из пятёрки лидеров быстро вышли компании Intel (817 тыс. пластин в месяц), UMC (753 тыс. пластин в месяц), GlobalFoundries, Texas Instruments и STMicro.

Крупнейшим потребителем кремниевых подложек является компания Samsung. Каждый месяц она использует 2,9 млн 200-мм пластин. Это 15 % от общемирового потребления. Из этого объёма для выпуска памяти DRAM и NAND уходит свыше 60 % подложек. Дальше это число будет увеличиваться. Samsung строит в Южной Корее два новых завода и один возводит в Китае.

Тайваньская компания TSMC каждый месяц потребляет около 2,5 млн пластин или 12,8 % общей массы этой продукции. В 2019 году мощности TSMC пополнились цехом на Fab 15 и заводом Fab 18. Третье месть принадлежит компании Micron. Она потребляет чуть более 1,8 млн пластин или 9,4 % от мирового объёма. В 2019 году компания запустила новый завод в Сингапуре и выкупила у Intel завод в штате Юта (бывшее СП IM Flash). В 2020 году Micron откроет второй завод в Манассасе, штат Вирджиния.

На четвёртом месте расположилась SK Hynix с ежемесячным потреблением 1,8 млн подложек. Это 8,9 % от общемирового производства. Свыше 80 % пластин идёт на изготовление памяти DRAM и NAND. В 2019 году SK Hynix завершила строительство своего нового завода M15 в Чхонджу (Корея), и нового завода (C2F) на своем участке в Уси (Китай). В Корее компания готовится построить новый завод M16, но это будет нескоро.

Пятое место занимает пара Kioxia и Western Digital. Обе они потребляют 1,4 млн подложек или 7,2 % от общемирового потребления. В основном всё идёт на выпуск памяти NAND. Производство логики силами компании Toshiba в данной статистике не учитывается.

В число 12 лидеров по потреблению кремниевых пластин вошли 5 контрактных производителей компании TSMC, GlobalFoundries, UMC, SMIC и Powerchip (включая Nexchip). Вместе они каждый месяц потребляют 4,8 млн подложек или 24 % от общемирового потребления этой продукции.

Samsung начнёт выпускать самую быструю память HBM2E в текущем полугодии

Продукты с памятью типа HBM2E ещё не представлены, но SK Hynix и Samsung уже вовсю соревнуются в скоростях. Первая в том году пообещала выпустить память со скоростью передачи информации 460 Гбайт/с, вторая обещает начать выпуск памяти со скоростью передачи информации 538 Гбайт/с. Одновременно обновился стандарт JEDEC.

Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

Самое интересное, что в терминологии JEDEC обозначение «HBM2E» так и не прижилось, хотя Samsung в своём пресс-релизе эту память относит к третьему поколению. Формально, стандарт признаёт только существование памяти типа HBM2, которая с момента утверждения этого обозначения серьёзно эволюционировала. Например, в одном стеке могут располагаться в двенадцать ярусов микросхемы памяти объёмом по 2 Гбайт, в совокупности это позволяет разместить в одном стеке до 24 Гбайт памяти. Если вокруг специализированного процессора разместить четыре стека, совокупный объём памяти достигнет 96 Гбайт. Высоту этого стека обновлённый стандарт никак не регламентирует.

В текущем полугодии Samsung обещает наладить серийный выпуск микросхем памяти HBM2E с использованием техпроцесса 10-нм класса. Условное обозначение этой памяти — Flashbolt, это уже третье поколение HBM в производственной программе корейской компании. На начальном этапе будут производиться микросхемы, сформированные из восьми ярусов, совокупным объёмом 16 Гбайт. Штатная скорость передачи данных в пересчёте на один контакт соответствует стандартной — 3,2 Гбит/с, что в итоге даёт 410 Гбайт/с при использовании 1024-разрядной шины.

Желая потешить самолюбие, Samsung отдельно упоминает в пресс-релизе, что её память типа HBM2E способна передавать информацию со скоростью 538 Гбайт/с (4,2 Гбит/с на контакт). Это выше тех 460 Гбайт/с, которые в прошлом году обещала осилить SK Hynix. В любом случае, спецификациями подобные режимы не предусмотрены, а это значит, что эксплуатация на таких скоростях не гарантируется в ста процентах случаев.

Чтобы снова стать крупнейшим поставщиком полупроводников, Intel просто топталась на месте

Специалисты IC Insights опубликовали уточнённый прогноз по выручке пятнадцати крупнейших поставщиков полупроводниковых изделий в начале этой недели, и давно обсуждаемый реванш Intel стал ещё более очевидным. Рост цен на память в начале 2017 года позволил Samsung сместить с трона Intel, которая занимала его с 1993 года, но в текущем году цены пошли вниз, увлекая за собой выручку всех производителей памяти. Samsung Electronics, надо сказать, ещё легко отделалась, поскольку её выручка по сравнению с прошлым годом должна снизиться на 29 %, тогда как у конкурентов дела обстояли хуже: Micron сократил выручку на 35 %, а SK Hynix — на все 38 %. Меньше всего пострадала Toshiba/Kioxia, выручка которой по итогам года должна сократиться на 18 %.

Источник данных: IC Insights

Источник данных: IC Insights

В непростых рыночных условиях 2019 года, который тревожил участников и попытками развязать «торговую войну», и снижением спроса на серверные компоненты, и падением цен на память, выручку на один процент смогли увеличить компании TSMC и MediaTek. Как поясняют авторы отчёта, если из рейтинга исключить TSMC, которая единственная в списке не имеет отношения к разработке полупроводниковых продуктов, то на пятнадцатую позицию рейтинга переехало бы подразделение HiSilicon, входящее в состав Huawei. Более того, эта китайская компания продемонстрировала рост выручки на 24 %, и это в условиях колоссального давления со стороны США. Аналогичную динамику финансовых показателей смогла продемонстрировать только Sony, которая выигрывает от растущего спроса на датчики изображения для цифровых камер. Японская компания переместилась с пятнадцатого на одиннадцатое место.

Компания Intel по итогам года должна опередить Samsung по размеру выручки на добрые 26 %. Тем интереснее отметить, что фактический размер выручки Intel по сравнению с прошлым годом не только не вырастет, но и слегка уменьшится. То есть, чтобы вернуть себе лидерскую позицию, Intel нужно было просто не терять в выручке, оставаясь на одном месте с точки зрения динамики финансовых показателей.

Десятое место прочно удерживает NVIDIA, но её величина годовой выручки должна уменьшиться на 12 % по сравнению с прошлым годом. Примерно половину соответствующего отчётного периода выручку NVIDIA подогревал спрос на видеокарты со стороны участников криптовалютного рынка. Компании до сих пор сложно говорить о росте финансовых показателей в годовом сравнении во время квартальных отчётов, хотя «внутри года» выручка начала расти.

SK Hynix определилась со сроками внедрения EUV-литографии при производстве памяти

О перспективах использования литографии со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) при производстве микросхем памяти чаще всего приходится рассуждать в контексте планов Micron. Точнее говоря, этот производитель является противником скорого применения EUV-литографии для выпуска микросхем памяти, и главным доводом в защиту такой позиции пока является высокая себестоимость такого производства. Между тем многие производители памяти уже сходятся во мнении, что пора присмотреться к EUV-литографии, хотя бы на перспективу. Даже Micron не скрывает, что эксперименты с EUV уже начала, пусть и без чётких планов по внедрению этой технологии в масштабах серийного производства.

Источник изображения: Micron, AnandTech

Источник изображения: Micron, AnandTech

Летом этого года представители Micron дали понять, что примерно до 2023 года компания сможет выпускать микросхемы памяти по литографическим технологиям 10-нм класса без использования EUV. На минувшей квартальной отчётной конференции SK Hynix были озвучены планы корейского производителя в этой сфере. В следующем году компания наладит выпуск микросхем оперативной памяти по техпроцессу 1Z нм, среди них будут и микросхемы LPDDR5, например.

К началу 2021 года SK Hynix подготовит переход на техпроцесс 1α нм. В серийном производстве впервые будет задействована EUV-литография, именно в рамках этого техпроцесса. В 2022 году SK Hynix расширит применение EUV-литографии, освоив техпроцесс 1β нм.

В сфере твердотельной памяти SK Hynix планирует в ближайшие 12 месяцев сосредоточиться на выпуске 96-слойных микросхем, и только в третьем квартале следующего года будет начато массовое производство 128-слойных микросхем, которые найдут применение в накопителях клиентского класса и мобильных устройствах.

SK Hynix: экспансия смартфонов с поддержкой 5G поднимет спрос на память на 20 %

Причастные к производству смартфонов с поддержкой сетей 5G компании начинают называть свои уточнённые прогнозы по скорости их экспансии в следующем году, и на недавней квартальной конференции руководство TSMC уже заявило, что в 2020 году модели с поддержкой 5G смогут занять до 15 % рынка всех новых смартфонов. Попутно было отмечено, что удельное содержание полупроводниковых компонентов в смартфоне тоже увеличится.

Источник изображения: IDC

Источник изображения: IDC

Представители SK Hynix подобный оптимизм тоже разделяют и прогнозируют, что в следующем году средний объём оперативной памяти смартфона вырастет с 4 до 5 Гбайт. Кроме того, выход на рынок аппаратов для работы в сетях 5G поднимет спрос на микросхемы оперативной памяти на 20 %. Современные флагманские смартфоны предлагают от 8 до 12 Гбайт оперативной памяти, в следующем году планка будет поднята ещё выше. Сама SK Hynix собирается освоить производство памяти типа LPDDR5.

В целом, распространение сетей 5G позволит существенно оживить рынок и подтолкнёт покупателей к обновлению своих смартфонов. Ёмкость рынка устройств с поддержкой 5G на следующий год в SK Hynix оценивают в 200 млн экземпляров. По прогнозам IDC, объём продаж смартфонов в 2020 году приблизится к 1,4 млрд экземпляров. По сути, прогноз TSMC о достижении моделями с поддержкой 5G пятнадцати процентов рынка подтверждается комментариями руководства SK Hynix. Тем не менее, сама IDC пока ожидает, что только 8,9 % отгруженных в 2020 году смартфонов будут поддерживать сети 5G.

SK Hynix усмотрела для себя выгоду в ценовой войне между производителями процессоров

На квартальной отчётной конференции представители SK Hynix делились не только негативными впечатлениями от минувшего квартала, но и пытались найти поводы для оптимизма на ближайшие месяцы. Они отметили, что по мере приближения даты прекращения поддержки Windows 7 начинает расти спрос на персональные компьютеры со стороны корпоративных покупателей. Низкие цены на твердотельную память начинают стимулировать спрос на накопители соответствующего типа. В третьем квартале объёмы поставок твердотельных накопителей для ПК выросли примерно на 25 % по сравнению с аналогичным периодом прошлого года, а доля накопителей объёмом от 500 Гбайт и выше приблизилась в структуре продаж к 30 %. Спрос на микросхемы твердотельной памяти увеличился на 50 % в годовом сравнении.

Источник изображения: SK Hynix

Источник изображения: SK Hynix

SK Hynix нашла для себя плюсы и в обостряющейся ценовой войне между производителями процессоров. Снижение цен на этот тип компонентов позволит в рамках прежнего бюджета оснащать компьютеры бóльшим объёмом памяти, и на выручке компании это скажется положительным образом. Спрос на память для видеокарт тоже в итоге вырастет. К слову, в следующем году SK Hynix собирается наладить поставки памяти типа HBM2E, которую принято считать третьим поколением технологии HBM. Такая память используется разного рода ускорителями и программируемыми матрицами, но в видеокартах потребительского класса она особо не прижилась.

О влиянии дефицита процессоров на свой бизнес SK Hynix на отчётном мероприятии тоже говорила. По словам представителей компании, концентрация спроса на продукцию одной марки неизбежно вызывает перераспределение покупок в пользу процессоров другой марки, и в целом рынок страдает не так сильно. В следующем году объёмы выпуска процессоров значительно вырастут, и существенного влияния на рынок оперативной памяти дефицит процессоров оказывать не будет.

Давление США на Huawei по-разному откликается на Samsung и SK Hynix

Обе крупнейшие в Южной Корее компании по выпуску полупроводников ― Samsung и SK Hynix ― вынуждены считаться с давлением, оказываемым США на китайскую Huawei. Но это давление сказывается по-разному на каждую из них, резюмирует местное издание BusinessKorea.co.kr. Впрочем, каждую из них объединяет общее ― и Samsung, и SK Hynix страдают от проблем с полупроводниковым производством, что происходит на волне снижения спроса и цен на память DRAM и NAND.

Объявление финансовых результатов SK Hynix за третий квартал 2019 календарного года запланировано на 24 октября. Ожидается, что квартальная операционная прибыль достигнет 429,7 млрд южнокорейских вон (порядка $366 млн). Это всего 1/15 от операционной прибыли в третьем квартале прошлого года и на 67 % меньше аналогичных показателей предыдущего квартала текущего года, а ведь SK Hynix называется главным поставщиком памяти Huawei (источник не уточняет, но, вероятно, речь идёт о NAND, доля DRAM SK Hynix в поставках Huawei около 10 %). Подчеркнём, продажи Huawei растут (в третьем квартале ― на 24,4 % за год) и обещают расти в четвёртом квартале. Но в следующем году под санкциями США деятельность Huawei рискует сократиться, прежде всего, в сфере аппаратов и оборудования 5G. Падение продаж рикошетом ударит по SK Hynix. И если плохо сейчас, то что же будет в новом году?

Компания Samsung, напротив, по мере сокращения продаж смартфонов Huawei и оборудования для базовых станций 5G увеличивает выручку от поставок конкурирующих решений. В Samsung уже опубликовали предварительный отчёт по выручке и операционной прибыли в третьем квартале. Прибыль рухнула более чем в два раза до 7,7 трлн вон, но оказалась на 10 % выше ожиданий аналитиков, за что Samsung благодарит подразделение связи (и давление на Huawei).

На долю Huawei в прошлом году приходилось 14 % мирового рынка смартфонов, но в первой половине нынешнего года европейский рынок сократился для компании с 30 % до 9 %. Samsung же увеличила присутствие на рынке смартфонов до 42,8 % и будет дальше забирать рынок не в последнюю очередь за счёт схлопывания западных продаж Huawei.

Похожая ситуация на мировом рынке коммуникационного оборудования. В 2018 году доля Samsung на рынке составила 6,6 %, а Huawei ― 31 %. К первому кварталу 2019 года ситуация изменилась: Samsung принадлежало уже 37 % рынка 5G, а Huawei ― 28 %. Также Samsung снизила зависимость от китайского рынка с 17,7 % до 15,7 %, а зависимость от Huawei свела до 2 %. Компании SK Hynix это надо брать на заметку.

SK Hynix подготовилась к производству памяти типа DDR4 по третьему поколению 10-нм техпроцесса

Даже в условиях низких цен на память производители не перестают осваивать новые техпроцессы, поскольку они позволяют им сократить собственные издержки. В августе Micron сообщила о начале массового производства 16-гигабитных микросхем памяти типа DDR4 с использованием третьего поколения техпроцесса 10-нм класса — так называемого «1z нм». У Samsung подобная память выпускается только в 8-гигабитных микросхемах. На этой неделе в преодолении соответствующего рубежа призналась и компания SK Hynix.

Источник изображения: SK Hynix

Источник изображения: SK Hynix

Южнокорейский производитель в пресс-релизе сообщает, что завершил разработку технологии класса 1z нм для выпуска микросхем памяти DDR4 объёмом 16 Гбит. Плотность размещения памяти на одной кремниевой пластине по сравнению с предыдущим поколением техпроцесса выросла на 27 %, и это положительно скажется на себестоимости такой памяти. SK Hynix подчёркивает, что для выпуска памяти по техпроцессу 1z нм не требуется литография со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV). Противником скорого внедрения EUV при производстве памяти является и компания Micron, хотя она и не исключает, что на определённом этапе возьмёт эту технологию на вооружение.

SK Hynix свою новую память готова поставлять со следующего года в ассортименте до DDR4-3200 включительно. Как и в случае с продукцией Micron, обновление техпроцесса позволило снизить энергопотребление на 40 % по сравнению с 8-гигабитной микросхемой DDR4 предыдущего поколения. Корейскому производителю удалось применить при производстве микросхем памяти некое новое вещество, улучшающее ёмкостные характеристики памяти. Кроме того, были внедрены некоторые изменения, повышающие стабильность работы памяти.

Со временем на новую ступень литографии перейдут и микросхемы памяти LPDDR5 и HBM2E, которую SK Hynix в своём пресс-релизе почему-то предпочитает обозначать как «HBM3». По словам корейского производителя, LPDDR5 станет новым поколением памяти для применения в мобильных устройствах.

SK Hynix впервые заменила японский фтористый водород отечественным

SK Hynix впервые начала использовать в процессе изготовления чипов высокотехнологичный материал местного производителя вместо поставлявшегося ранее из Японии, сообщил в среду агентству Reuters топ-менеджер южнокорейской компании.

REUTERS/Lee Jae-Won

REUTERS/Lee Jae-Won

Сотрудник SK Hynix рассказал на условиях анонимности, что для поставки сверхчистого фтористого водорода (HF), который используется для травления кремния и очистки чипов, была выбрана южнокорейская компания. Раскрыть её название он отказался. По словам источника, SK Hynix начала использовать материал корейского бренда на этой неделе после нескольких месяцев проведения тестов на качество. Собеседник Reuters отметил, что производитель полупроводниковой памяти пока полностью не заменил японский фтористый водород корейским материалом.

Ранее в среду местные СМИ сообщили, что SK Hynix проводит испытания жидкого фтористого водорода высокого качества, поставляемого южнокорейской компанией Ram Technology Co Ltd. Компания Ram Technology от комментариев отказалась.

SSD-накопители SK Hynix Gold S31 используют интерфейс SATA

Компания SK Hynix анонсировала твердотельные (SSD) накопители серии Gold S31, рассчитанные на потребительский рынок.

Изделия выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе, а для подключения к компьютеру служит интерфейс SATA. Применены микрочипы флеш-памяти SK Hynix 3D NAND и собственный контроллер SK Hynix.

В семейство Gold S31 вошли три модели — вместимостью 250 Гбайт, 500 Гбайт и 1 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 560 Мбайт/с, скорость последовательной записи — 525 Мбайт/с.

Накопители подходят для применения в относительно недорогих компьютерах. Гарантия производителя составляет пять лет.

Приобрести устройства серии SK Hynix Gold S31 можно будет по ориентировочной цене от 50 до 124 долларов США. 

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥