Компании Samsung и SK Hynix, согласно последним данным, решили скорректировать свои планы по расширению производственных мощностей, предназначенных для выпуска микросхем оперативной (DRAM) и твердотельной памяти (NAND). Производители сталкиваются со снижением спроса и стараются избежать потерь.

В последнее время цены на микросхемы памяти в основном росли, в особенности это касалось оперативной памяти (DRAM), но также затрагивало и твердотельную флеш-память (NAND). Однако эта ситуация меняется в лучшую для потребителя сторону. Не так давно мы писали о том, что цены на оперативную память начнут снижаться из-за снижения спроса, а на флеш-память — из-за избыточного производства.

И действительно, аналитики отмечают перенасыщение на рынке твердотельной памяти в третьем квартале 2018 года, из-за чего за текущий квартал она может потерять в цене 10–15 %, если верить прогнозам. Более того, ещё около 15 % цена флеш-памяти сбросит в следующем, четвёртом квартале. И даже в начале будущего года сохранится подобная тенденция. В свою очередь оперативная память пока что дешевеет медленнее, но в следующем квартале темпы могут возрасти.

Поэтому компания Samsung вполне закономерно решила отложить ввод в строй новых производственных мощностей по выпуску флеш-памяти 3D V-NAND до первой половины будущего года. Компания SK Hynix также решила замедлить наращивание объёмов производства твердотельной памяти 3D NAND.

Сообщается также, что Samsung решила повременить и с планами по расширению производственных мощностей по выпуску микросхем оперативной памяти 10-нм класса на фабриках в Пхёнтхэке и Хвасоне, что в Южной Корее. Изначально в планы Samsung входило уже в этом квартале наладить выпуск дополнительных 30 000 полупроводниковых пластин ежемесячно.

Вслед за публикацией превосходного по содержанию пресс-релиза о получении рекордной квартальной выручки южнокорейская компания SK Hynix официально сообщила о намерении построить ещё один полупроводниковый завод для производства памяти. Строительство начнётся ближе к концу текущего года вблизи штаб-квартиры компании в городе Ичхон. В строй новый завод обещает войти в октябре 2020 года. Правда, пока компания не уточняет, это предприятие будет выпускать память типа DRAM или NAND (3D NAND), но в принципе, это не важно. Линии современных заводов могут быть настроены как на выпуск одной продукции, так и другой.

Инвестиции в проект составят 3,5 трлн вон ($3,12 млрд). Площадь предприятия составит 53 000 м². Завод получит увеличенную по площади «чистую» комнату, где происходят основные процессы по обработке кремниевых пластин. Новое оборудование, отмечают в SK Hynix, значительно больше по габаритам, чем старое. Это заставляет расширять площади чистых комнат. Например, сейчас происходит расширение чистой комнаты на заводе компании в Китае вблизи города Ухань. Несмотря на пожар на стройке в начале июня, чистая комната на этом предприятии будет закончена во второй половине текущего года.

wsj.com

Строительство нового завода в Ичхоне станет третьим крупномасштабным проектом SK Hynix по наращиванию производственных мощностей для выпуска памяти. Предыдущий завод в Ичхоне (M14) был введён в эксплуатацию в 2015 году. Кроме этого компания ведёт строительство предприятия в Чхонджу. После ввода нового завода в строй общий объём инвестиций в три этих проекта достигнет 46 трлн вон ($41,05 млрд). Это колоссальные вложения в экономику страны и, как можно надеяться, гарантия от дефицита памяти в будущем.

Южнокорейский чипмейкер SK Hynix получил рекордные доходы благодаря сильным поставкам памяти DRAM и NAND flash, передаёт новостное агентство Yonhap.

Во втором квартале 2018 года чистая прибыль SK Hynix увеличилась на 75,4 % относительно аналогичного периода 2017-го и достигла 4,3 трлн вон (около $3,84 млрд), чего не было никогда в истории компании.

wsj.com

Операционная прибыль подскочила на 82,7 % до 5,5 трлн вон ($4,9 млрд), а продажи выросли на 55 % до 10,3 трлн вон ($9,2 млрд). Опрошенные Yonhap Infomax аналитики ожидали менее высокие доходы. Квартальные показатели операционной прибыли и выручки у SK Hynix впервые перевалили за 5 и 10 трлн вон соответственно.

Свои высокие результаты SK Hynix связывает с резко выросшими поставками микросхем памяти. Так, отгрузки DRAM-чипов подскочили на 16 % в апреле–июне за счёт сильного спроса со стороны производителей серверов и компьютеров. На рынке оперативной памяти возник дефицит, в результате которого средняя продажная стоимость продукции повысилась на 4 %, указывает SK Hynix.

wsj.com

Компания нарастила продажи флеш-памяти на 19 % во многом благодаря китайским производителям мобильных устройств. При этом средняя цена на такую память снизилась на 9 %.

SK Hynix строит позитивный прогноз на второе полугодие в связи с растущими инвестициями в дата-центры в США и Китае, а также выходом новых смартфонов.

Тайваньский интернет-ресурс DigiTimes со ссылкой на местные источники сообщил, что компании Samsung и SK Hynix якобы испытывают проблемы с производством 18-нм чипов памяти типа DRAM (DDR4). В производстве техпроцесс с нормами 18 нм до сих пор ведёт себя нестабильно, отчего напрямую страдают объёмы выпуска этой дефицитной продукции. Ситуацию спасает лишь то, что уровень брака оказывается высоким только при производстве высокоплотной серверной памяти. Такая память проходит более тщательный отбор, чем память для настольных ПК и ноутбуков и чаще уходит в брак.

Если верить источнику, до возобновления стабильного производства американские и китайские производители серверных модулей памяти приостановили закупки 18-нм чипов DRAM у Samsung и SK Hynix. Компании Alibaba, Huawei, Lenovo и Tencent, например, переключились на закупки 20-нм микросхем DRAM. К счастью для нас, возникшая неопределённость не обещает привести к росту цен на память, а даже ускорит снижение оптовой стоимости памяти в третьем квартале. По мнению специалистов, не попавшие в серверы 18-нм чипы DRAM будут без проблем работать в настольных и мобильных компьютерах и не усугубят ситуацию с дефицитом этой продукции.

Восстановление уровня выхода годных 18-нм чипов памяти на заводах Samsung и SK Hynix может продлиться свыше двух месяцев. Для каждого из двух южнокорейских производителей 18-нм техпроцесс производства DRAM относится к первому поколению техпроцессов класса 10-нм. По идее с ним не должно быть проблем ни у Samsung, ни у SK Hynix. Тем не менее, о проблемах сообщают и ситуация на рынке памяти снова может измениться.

Компания SK Hynix снова горит. Точнее, пожар возник на месте строительства второго в Китае предприятия компании по производству памяти типа DRAM. Строительство стартовало в прошлом году в городе Уси (Wuxi). К счастью, как сообщают местные источники, очаг возгорания возник на расстоянии от действующего завода компании и производство не должно пострадать.

http://news.mydrivers.com

В то же время напомним, что похожая ситуация была в этом же месте в 2013 году, когда загорелась крыша на первом заводе, и продукты горения попали в вентиляцию, компании пришлось забраковать не только большую партию пластин с памятью, но даже менять часть производственного оборудования. После этого цены на память поползли вверх. Может ли это повториться сейчас? Надеемся, что нет.

http://news.mydrivers.com

В этом году аналитики ожидают снижения темпов роста цен на DRAM. Компания SK Hynix, как и её конкуренты, с прошлого года начала реализовывать планы по расширению мощностей для выпуска микросхем памяти. Второй завод в Уси, который задымил во вторник вечером, должен войти в строй в 2019 году и со временем довести выпуск 300-мм пластин с памятью до 200 тыс. каждый месяц. Это будет весомый вклад в поставки DRAM. К настоящему моменту, насколько можно судить по фотографиям с места происшествия, возведение цехов ещё не завершено, поэтому последствия пожара обещают оказаться несущественными. Но ведь как всё «вовремя»!

Прибыль SK Hynix подскочила на 64 % благодаря подорожанию памяти, которое в случае с южнокорейской компанией компенсировало спад мобильного сегмента.

В первом квартале 2018 года чистая прибыль SK Hynix составила 3,1 трлн вон ($2,9 млрд) против 1,9 трлн вон прибыли за аналогичный период 2017-го. Опрошенные FactSet аналитики ожидали более высокий показатель — 3,3 трлн вон.

wsj.com

Операционная прибыль компании увеличилась на 77 % до 4,4 трлн вон ($4,1 млрд), а выручка достигла 8,7 трлн вон ($8,1 млрд), на 39 % превысив показатель годичной давности.

В SK Hynix отметили, что цены на чипы оперативной памяти продолжают уверенно расти благодаря сильному спросу со стороны производителей серверов и владельцев дата-центров. Стоимость флеш-памяти немного упала, равно как и поставки продукции, из-за слабых продаж мобильных устройств. В 2017 году мировой рынок смартфонов впервые сократился — на 5,6 %, сообщили ранее аналитики Gartner.

«Хотя в целом рост продаж смартфонов застопорился, четыре крупнейших китайских производителей помогают ускоренному внедрению чипов высокой плотности. Что касается серверов, то североамериканские операторы дата-центров, а также китайские компании во главе с Baidu, Alibaba и Tencent, увеличивают инвестиции», — заявил директор по маркетингу продуктов DRAM компании SK Hynix Шон Ким (Sean Kim).

wsj.com

По прогнозам SK Hynix, дефицит DRAM-памяти сохранится в будущем, несмотря на планы производителей по расширению мощностей своих предприятий.

Компания Nimbus Data представила новое семейство твердотельных накопителей (solid-state drives, SSDs) сверхвысокой ёмкости, призванных конкурировать с жёсткими дисками (hard disk drives, HDDs) за место в центрах обработки данных. Накопители ExaDrive DC позволяют хранить 50 или 100 Тбайт данных, они используют собственные контроллеры и NAND флеш-память в специальных корпусах. Новые SSD используют интерфейс Serial ATA и обеспечивают беспрецедентно высокую износоустойчивость, что является следствием относительно невысокой производительности.

Семейство Nimbus ExaDrive DC будет состоять из двух моделей ёмкостью 50 и 100 Тбайт, использующих форм-фактор 3,5 дюйма и интерфейс SATA со скоростью передачи данных 6 Гбит/с. Со временем производитель планирует выпустить твердотельные накопители серии ExaDrive DC с интерфейсом SAS, но пока не ясно, когда именно такие SSD будут доступны. Что касается производительности, то Nimbus заявляет скорость последовательного чтения/записи до 500 Мбайт/с, а также до 100 тысяч случайных операций чтения/записи в секунду (IOPS). Что касается потребления энергии, то ExaDrive DC100 потребляет 10 Вт в режиме ожидания и до 14 Вт в рабочем режиме.

Nimbus ExaDrive DC100

Твердотельные накопители серии ExaDrive DC основаны на собственной архитектуре Nimbus с четырьмя контроллерами NAND флеш-памяти и специальном процессоре для их управления. SSD используют флеш-память типа 3D MLC NAND, произведённую SK Hynix, но использующую специальные корпуса разработанные Nimbus. Производитель не раскрывает механизм ECC, поддерживаемый контроллерами, но учитывая тот факт, что мы имеем дело с устройством на основе 3D MLC, то для максимальной выносливости таким SSD не требуется слишком продвинутый метод контроля за ошибками. Говоря об износоустойчивости, стоит отметить, что накопитель ёмкостью 100 Тбайт имеет неограниченную гарантию на запись данных на весь пятилетний гарантийный период. Это не особенно удивительно, поскольку при скорости записи 500 Мбайт/с на накопитель невозможно записать более 43,2 Тбайт данных в сутки. Если же предположить, что все пять лет данные SSD будут работать в режиме записи на максимальной скорости (что невозможно в принципе), каждый накопитель ExaDrive DC100 сможет записать 79 Пбайт данных.

Nimbus ExaDrive DC: высокая надёжность#!MARKER#!

Твердотельные накопители Nimbus ExaDrive DC используют стандартный 3,5-дюймовый форм-фактор и формально совместимы с многочисленными серверными корпусами, способными поддерживать устройства с энергопотреблением 14 Вт. В частности, в Nimbus Data говорят, что существуют «по крайней мере» три производителя шасси 4U90 с надлежащими тепловыми и энергетическими характеристиками для поддержки ExaDrive DC. Следует учитывать, что поскольку абсолютное большинство шасси рассчитаны на 3,5-дюймовые жёсткие диски с энергопотреблением около 10 Вт, далеко не все сегодняшние серверы способны поддержать ExaDrive DC50 и DC100. Таким образом, если оператор центра обработки данных планирует заменить некоторые из своих винчестеров высокой ёмкости на указанные SSD, тем самым повысив свои объёмы хранения данных на квадратный метр, ему потребуется инвестировать в новые серверные шкафы. В ближайшее время Nimbus анонсирует эталонные дизайны серверов на базе ExaDrive DC совместно с некоторыми производителями подобных шасси.

Преимущества накопителей ёмкостью 100 Тбайт

По данным Nimbus, в 2017 году было продано 40 миллионов 3,5-дюймовых жёстких дисков класса nearline с общей емкостью 250 миллионов терабайт. Компания полагает, что в ближайшие три года около 10 % таких накопителей (в пересчёте на терабайты) перейдут на флеш-память, что обеспечит рынок сбыта для продуктов вроде ExaDrive DC.

Компания Nimbus уже начала поставки опытных образцов твердотельных накопителей ExaDrive DC избранным клиентам. Ожидается, что коммерческие поставки новых SSD начнутся этим летом. Поскольку Nimbus не только продает накопители напрямую своим 200 клиентам, но и делает их доступными через своих партнеров, таких как Viking или Smart, возможно, что ExaDrive DC будут доступны и под другими брендами. Впрочем, пока никаких официальных объявлений сделано не было.

Nimbus ExaDrive DC100

Производитель не раскрывает цены на твердотельные накопители ExaDrive DC50 и DC100, ограничиваясь заявлением, что они будут конкурентоспособными. Следует помнить, что поскольку цены на NAND флеш-память имеют тенденцию колебаться, только время покажет фактические цены новых SSD ExaDrive DC, когда их продажи начнутся этим летом.

Перед самым началом празднования китайского Нового года аналитики DRAMeXchange (подразделение компании TrendForce) успели опубликовать заметку о предполагаемом состоянии рынка памяти в первом квартале и, вчерне, о выручке производителей DRAM в 2018 году. Если сравнивать ожидания с прошлым годом, то память в 2018 году будет расти в цене не такими бурными темпами, как в 2017 году. Благодаря росту стоимости чипов DRAM производители памяти увеличили в 2017 году выручку на 76 %. За 2018 год рост выручки производителей DRAM составит не меньше 30 % в год и достигнет $96 млрд.

Данные о лидерах рынка DRAM в четвёртом квартале 2017 года (DRAMeXchange)

Интересно, что в четвёртом квартале 2017 года сильнее всего подорожала DRAM память для смартфонов. В зависимости от номенклатуры рост цен составил 5–20 % за квартал. Память для других сфер применения за это же время подорожала на 5–10 %. В первом квартале 2018 года, однако, рост цен на мобильную DRAM составит всего 3 % за квартал (о чём мы подробно рассказывали в соответствующей заметке). Память для серверов и ПК, напротив, только за январь в среднем подорожала на 5 %. Поскольку сейчас четыре крупнейшие американские компании расширяют свои ЦОД, серверная память в первом квартале не испытывает нужды в покупателях, что приведёт к квартальному росту цен на неё на 3–5 %.

Лидером рынка DRAM остаётся компания Samsung и она добивается новых успехов. В четвёртом квартале 2017 года Samsung добилась рекордной выручки на этом рынке в объёме $10,1 млрд (+14,5 % за квартал). На втором месте расположилась компания SK Hynix с квартальной выручкой $6,3 млрд (+14,1 % за квартал), а на третьем — компания Micron с выручкой $4,6 млрд (+13,4 % за квартал). Совокупно Samsung и SK Hynix удерживают 74,7 % глобального рынка DRAM. Случись на Корейском полуострове локальный кризис, станет всё.

Среди всех трёх лидеров памяти наибольшая рентабельность производства DRAM у компании Samsung — 64 % в отчётном квартале. Рентабельность производства DRAM на линиях SK Hynix за квартал выросла на 3 % — до 59 %. Соответствующий показатель у Micron также вырос на 3 % — до 53 %. Добиться роста рентабельности компаниям удаётся не только за счёт увеличения цен на память, но также благодаря переходу на новые техпроцессы с меньшими нормами производства.

Перед компанией Samsung в 2018 году стоит задача значительно расширить выпуск чипов памяти с использованием 18-нм техпроцесса. При этом Samsung собирается внепланово разместить мощности по выпуску DRAM на втором этаже нового завода в Пхёнтэк (Line 1). Это производство с лета прошлого года выпускает 64-слойную 3D NAND. Поскольку память NAND перестала дорожать, Samsung решила часть линий перепрофилировать на производство памяти DRAM. Тем самым она потеснит конкурентов и создаст дополнительный барьер перед потенциальными конкурентами из Китая.

На стройплощадке завода Samsung в Пхёнтэк (BusinessKorea)

Компания SK Hynix также будет заниматься в 2018 году повышением уровня выпуска 18-нм DRAM, а вот новые линии по производству памяти (вторая 300-мм фабрика в китайском городе Уси) заработают только в 2019 году. Компания Micron наращивает производство 17-нм DRAM. Правда, руками тайваньских партнёров. Так, 90 % памяти Micron Memory Taiwan (Rexchip) выпускается с использованием 17-нм техпроцесса. Предприятие Micron Technology Taiwan (Inotera) перейдёт от использования 20-нм техпроцесса к частичному использованию 17-нм техпроцесса в середине этого года и завершит переход в первой половине 2019 года.

Вклад остальных производителей памяти в мировой рынок DRAM видится незначительным, а информацию о компаниях вы можете почерпнуть из таблицы выше.

Финансовые неурядицы Hynix (позднее — SK Hynix) на рубеже десятилетий стали одной из причин, по которой компания с опозданием включилась в борьбу за сколько-нибудь значительную долю рынка NAND флеш-памяти. Тем не менее южнокорейский вендор прилагает все усилия, чтобы упрочить свои позиции. В частности, летом SK Hynix объявила о начале поставок 72-слойной 3D TLC NAND. Дальнейшее «взросление» производственных технологий позволило удвоить объём микросхем для их использования в ёмких SSD-накопителях корпоративного класса (англ. enterprise SSD, eSSD), и теперь SK Hynix готова отгружать заказчикам устройства на основе 512-Гбит 3D NAND. Судя по отсутствию в пресс-релизе компании аббревиатуры, указывающей на количество бит в ячейке, речь как раз идёт о многослойном варианте TLC NAND.

Новая флеш-память нашла применение в eSSD двух форм-факторов — 2,5 дюйма и M.2. Первые получат интерфейс SATA с пропускной способностью 6 Гбит/с, а вторые — PCI Express 3.0. В обоих случаях будут использоваться микроконтроллер и прошивка SK Hynix. Ёмкость 2,5-дюймовых накопителей будет достигать 4 Тбайт, а их собратьев — «более 1 Тбайт» (скорее всего, 1–1,5 Тбайт). Южнокорейский разработчик подчёркивает, что одного четырёхтерабайтного eSSD будет достаточно для записи 200 фильмов в формате Ultra HD.

Показатели быстродействия SATA-накопителей на базе 72-слойной 512-Гбит 3D NAND достаточно скромные. Скорости последовательных чтения и записи не превышают 560 и 515 Мбайт/с соответственно, а количество IOPS составляет не более 98 000 при чтении и 32 000 при записи. Устройства меньшего объёма, использующие интерфейс PCI Express 3.0, характеризуются скоростными показателями 2700/1100 Мбайт/с (чтение/запись) и 230 000/35 000 IOPS.

72-слойная 3D NAND флеш-память SK Hynix для массового потребителя

SK Hynix с энтузиазмом развивает направление eSSD, видя в нём источник высокой прибыли (по сравнению с потребительским сегментом рынка). Оптимистично оценивают перспективы твердотельных накопителей корпоративного класса и аналитики IHS Markit. Согласно их прогнозам, к концу 2021 года объём рынка SSD вырастет с $25,1 млрд до $31,2 млрд, и более половины из этой суммы обеспечит корпоративный сегмент (рост с $13,4 млрд до $17,6 млрд за четыре года).

Статус серийного продукта устройства eSSD на основе 72-слойной 512-Гбит 3D NAND пока не получили: в данный момент осуществляются поставки опытных образцов этих накопителей в пределах США.

Компания SK Hynix зафиксировала рекордную прибыль, чему способствовал рост цен на память, передаёт новостное агентство Yonhap.

В октябре–декабре 2017 года чистая прибыль SK Hynix составила 3,22 трлн вон ($3 млрд) — самый высокий квартальный показатель в истории. По итогам последних трёх месяцев 2016 года прибыль измерялась 1,62 трлн вон.

reuters.com

Операционная прибыль южнокорейской компании подскочила на 191 %, достигнув 4,47 трлн вон ($4,2 млрд), а выручка возросла почти на 70 % до 9,03 трлн вон ($8,4 млрд).

По итогам всего прошлого года SK Hynix выручила 30,1 трлн вон ($28 млрд), а чистая прибыль оказалась равной 10,64 трлн вон ($9,9 млрд). Оба показателя стали рекордными для компании.

«Благоприятные рыночные условия сохранились в четвёртом квартале благодаря сильному спросу на серверные продукты и росту цен на мобильные», — говорится в сообщении SK Hynix.

reuters.com

В компании добавили, что общий спрос на память, особенно на серверную, стремительно взлетел за счёт глобального расширения дата-центров.

По прогнозам вендора, поставки микросхем NAND flash в 2018 году будут расти, постепенно ослабляя дефицит. Отгрузки чипов оперативной памяти останутся проблемными из-за ограниченных производственных мощностей.

Южнокорейская компания SK Hynix сообщила о доступности 8-гигабитных микросхем памяти GDDR6 — Graphics Double Data Rate шестого поколения.

Ещё в апреле 2017 года SK Hynix представила память GDDR6 для видеокарт с объёмом чипа 8 Гбит с использованием 20-нм технологического процесса. Пропускная способность одного контакта составила 16 Гбит/с.

Теперь в обновлённом каталоге SK Hynix говорится о доступности GDDR6-изделий с обозначениями H56C8H24MJR-S2C и H56C8H24MJR-S0C. Решения первого типа обеспечивают скорость передачи данных 14 или 12 Гбит/с при напряжении соответственно 1,35 и 1,25 В. Скорость передачи данных чипов второй модификации может составлять 12 или 10 Гбит/с при напряжении 1,35 и 1,25 В.

Наиболее перспективными направлениями, где потенциал GDDR6 раскроется в полной мере, являются искусственный интеллект, виртуальная реальность, автопилотируемые автомобили и системы с дисплеями, разрешение которых превышает 4K.

Буквально на днях мы сообщали, что другой южнокорейский производитель — гигант Samsung — приступил к массовому производству первой в индустрии 16-Гбит памяти GDDR6. При изготовлении этих изделий применяется технология 10-нанометрового класса. 

До того, как возникающие на горизонте индустрии китайские производители памяти подобные компании Tsinghua Unigroup столкнутся с лидерами рынка в лице Samsung, SK Hynix и Micron, все они, так или иначе, пройдут через залы судебных заседаний. Аналитики рынка и, в частности, представители компании IC Insights уверены, что китайцам выход на рынок DRAM и NAND будет стоить наиболее серьёзных усилий именно на правовом поприще. Точнее, в области патентного права. Никто не сомневается, что гигантские даже для США деньги на развитие местной промышленности и полупроводниковой индустрии позволят китайским компаниям построить заводы и ввести их в эксплуатацию. Одна только Tsinghua Unigroup потратит на два новых завода порядка $50 млрд примерно за пять лет, а ведь есть и другие!

Завершение начального этапа строительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

Первой в борьбу включилась компания Micron. Две недели назад Micron подала иск в федеральный суд Северной Калифорнии, апеллируя к Закону о защите коммерческой тайны (Defend Trade Secrets Act) и к Закону об инвестировании полученных от рэкета капиталов (Racketeer Influenced and Corrupt Organization Act). Второй закон относится к гражданскому праву, и, в целом, иск Micron носит характер борьбы с промышленным шпионажем, а не с несоблюдением патентного права. Компания Micron обвиняет тайваньскую United Microelectronics Corp (UMC) и китайскую Fujian Jinhua Integrated Circuit Co (JHICC) в воровстве коммерческих секретов и в других неправомочных действиях. Но настоящий праздник на улице законников начнётся тогда, уверены в IC Insights, когда китайские производители памяти начнут продвигать свою продукцию на рынок.

thestreet.com

Начало поставок образцов или серийной продукции DRAM и NAND китайскими компаниями обещает запустить серию патентных исков против них. Китайские производители это уже проходили. Например, созданная в начале 2000-х годов компания SMIC и её последователь в лице Grace Semiconductor быстро захватили около 13 % мирового рынка контрактных полупроводников. Вскоре последовала серия исков от лидеров рынка. Так, компания TSMC через суды вынудила SMIC умерить аппетиты и продать часть акций. Сегодня SMIC удерживает менее 8 % рынка контрактных чипов и часть дивидендов выплачивает тайваньскому производителю. Нечто подобное, уверены аналитики, произойдёт на рынке памяти, что заставит китайцев оплатить патенты и интегрироваться в мировую структуру данного направления в индустрии.

Динамика годовых капитальных затрат Samsung (данные IC Insights)

В то же время, следует заметить, что та же компания Samsung не ждёт у моря погоды (не надеется на закон), а делает всё от неё зависящее, чтобы помешать выйти на рынок новичкам. В текущем году Samsung вдвое увеличила капитальные затраты на производство чипов. Это очевидным образом поднимает цену входного билета на рынок DRAM и NAND. О соблюдении закона можно спорить годами, тогда как себестоимость продукции работает здесь и сейчас. Другое дело, что китайцы мало ограниченны в средствах и, что более важно, на них не так давят законы «свободного рынка», как на зарубежных коллег. Впрочем, когда припекло, правительство Южной Кореи спасло SK Hynix без оглядки на какие-то там международные договорённости, просто завалив компанию государственными субсидиями. В Китае с этим ещё проще, так что выбранная компанией Samsung политика может оказаться единственно верной. Хочешь мира — готовься к войне.

Подразделение DRAMeXchange компании TrendForce отчиталось о состоянии рынка флеш-памяти в третьем квартале 2017 года. В этот период помимо традиционного роста спроса на продукцию после завершения сезона отпусков повышенный спрос на микросхемы флеш-памяти наблюдался также со стороны производителей смартфонов и накопителей серверного назначения. В результате этого зазор между поставками и спросом стал ещё больше, чем в предыдущем втором квартале. В то же время контрактные цены на NAND-флеш выросли не более чем на 0–6 %, хотя до этого долгое время поднимались на значительную величину. Утверждается, что OEM-производители почти приблизились к тому пределу, выше которого они уже не готовы закупать NAND-флеш у производителей.

Лидеры рынка NAND-памяти в 3 квартале 2017 года (DRAMeXchange)

В четвёртом квартале 2017 года рынок не будет так требователен к поставкам флеш-памяти (за исключением рынка смартфонов). Это приведёт к некоторой стабилизации цен на данную продукцию или даже к некоторому снижению стоимости NAND-флеш, толчком к чему может стать наращивание выпуска 64/72-слойных микросхем 3D NAND. На этой радостной ноте рынок ворвётся в 2018 год и где-то на срок до полугода окажется в зоне штиля, а это баланс между спросом и предложением с надеждой на снижение цен.

В целом ведущие производители NAND-флеш заработали в третьем квартале $15,11 млрд, что на 14,3 % больше, чем за второй квартал. Поскольку средние отпускные цены не увеличились или увеличились незначительно, основная выручка пришла на волне увеличения объёмов производства продукции. Рекорд показала компания Samsung, повысив квартальную выручку на 19,5 % до $5,62 млрд. В третьем квартале Samsung начала массово выпускать 64-слойную 3D NAND и планирует довести долю этой памяти до 50 % и выше до конца текущего года. Но есть и тревожные сообщения. Для покрытия дефицита микросхем DRAM компания Samsung рассматривает вариант перевода части производственных линий с выпуска NAND на выпуск DRAM.

Компания SK Hynix в третьем квартале от поставок NAND-флеш выручила $1,5 млрд или на 15,4 % больше в последовательном поквартальном сравнении. Двигателями спроса на продукцию SK Hynix были новые смартфоны Apple и брендовые китайские смартфоны. Компания SK Hynix, что интересно, была одной из немногих, кто за квартал снизил отпускную стоимость на флеш-память (на 3 %). В задачи компании на ближайшее время входит расширение производства 48/72-слойной 3D NAND и начало массового производства 72-слойной памяти, но это цель для 2018 года.

Японская Toshiba за третий квартал выручила $2,74 млрд — это на 18,1 % больше, чем в предыдущий квартал. Компания также немного снизила отпускную цену на NAND-флеш, но это произошло из-за перераспределения продуктовых линеек. Флеш-продукция Toshiba оказалась востребованной как в смартфонах Apple, так и в серверных SSD. Относительно производства Toshiba можно сказать, что компания увеличивает выход годной продукции и расширяет объёмы выпуска. В третьем квартале 64-слойная память получила в производстве компании статус массовой. К концу 2017 года доля 64-слойной памяти достигнет 30 % и обещает превысить 50 % к концу 2018 года.

Компания Western Digital выручила от поставок NAND-флеш $2,52 млрд или на 8,9 % больше по сравнению со вторым кварталом. Производственные планы Western Digital следуют за планами Toshiba, поскольку они черпают чипы с одних линий. Можно отметить, что за счёт плавного перевода продуктовых линеек из-под бренда SanDisk под бренд Western Digital продукцию последней приходится продавать немного дешевле.

Компания Micron в третьем квартале выручила от поставок NAND-флеш $1,84 млрд. За квартал выручка выросла на 7,7 %. Положительные эффекты всё те же — разрыв между спросом и предложением, спрос на смартфоны и серверные SSD. В массовом производстве компании всё ещё находится 32-слойная 3D NAND, хотя компания также начинает говорить о массовом производстве 64-слойной памяти. Производство и той и другой Micron продолжает совершенствовать, постепенно снижая уровень брака.

Компания Intel плетётся в хвосте лидеров, хотя ей лично это не мешает. За квартал она увеличила выручку на данном направлении на 1,9 % и получила $891 млн. Память NAND для смартфонов она почти не поставляет, отправляя 90 % продукции для выпуска SSD. По производству можно сказать следующее: медленный переход на выпуск 3D NAND и очень ограниченный этап производства накопителей на памяти 3D XPoint. В то же время аналитики отмечают, что серверная платформа Intel на процессорах Skylake становится центром притяжения для производителей серверных SSD с шиной PCI Express. В таких условиях Intel незачем пороть горячку. Она «неспешно спустится с горы» и на примере SSD Optane покажет всем, какими должны быть корпоративные SSD.

В отличие от своих соседей — японцев — жителей Южной Кореи трясёт не так часто и не так сильно. Тем не менее, землетрясения в Южной Корее случаются, а с учётом того, что эта страна стала средоточием производства компьютерной памяти, остановка соответствующих мощностей быстро сказалась бы на рынке DRAM в сторону увеличения цен. В среду 15 ноября в 14:29 по местному времени в 9 км от порта Пхохан случились толчки магнитудой 5,4 балла. Разрушений и повреждений производственного оборудования не произошло, но линии по выпуску полупроводников были временно остановлены.

Кремниевая пластина (Фото ASML)

О приостановке производств сообщили компании Samsung, SK Hynix и LG Display. Здания, а также инфраструктура сооружений и территорий заводов изначально планировались и строились с учётом работы в сейсмоопасной зоне. В то же время определённое производственное оборудование не может работать в условиях повышенных вибраций. Например, из строя могут выйти литографические установки, поэтому датчики вибраций автоматически отключают сканеры в случае фиксации толчков.

По информации SK Hynix, временно были остановлены линии на заводах компании в Ичхоне и Чхонджу. Компания LG Display сообщила о приостановке линий в Пхаджу и Гуми. Компания Samsung ограничилась общими словами о временной приостановке производства. Все они также сообщили, что как только толчки прекратились, была проведена инспекция линий, и она не обнаружила повреждений. Вскоре после этого все заводы приступили к штатной работе.

Внешний вид типичного современного литографического сканера компании ASML для выпуска чипов

Несмотря на оптимистичность заявлений, следует понимать, что часть пластин, уже находящихся в работе в момент остановки производства, пришли в негодность. Также отрицательно на объёме продукции сказался простой линий. Подсчёты потерь уже ведутся профильными специалистами и нас обещают познакомить с результатами. Потери вряд ли будут большими — скорее всего, в объёме суточного производства или двух суток, но с учётом дефицита памяти даже такая малость может оказаться чувствительной для рынка.

Проблема ограниченной пропускной способности графической памяти GDDR5 в своё время привела к появлению видеокарт и HPC-ускорителей с буферной памятью HBM (HBM1) и позже — HBM2. Соединение графического ядра и кристаллов High Bandwidth Memory через промежуточный кремниевый слой позволило как повысить пропускную способность подсистемы памяти, так и значительно уменьшить площадь, занимаемую ключевыми элементами видеокарты. В то же время и недостатков у решений с HBM/HBM2 оказалось немало: высокая себестоимость и, как следствие, ограничение объёма памяти, практическое отсутствие возможности замены чипов VRAM в рамках одного поколения GPU (опять же из-за дополнительных затрат) и сильная зависимость от подрядчиков. Всё это стало причиной параллельного выпуска high-end видеокарт с буферной памятью типов GDDR5, GDDR5X (едва ли полноценная замена GDDR5) и HBM2.

В первой половине следующего года на подмогу недостаточно быстрой памяти GDDR5 и более дорогой GDDR5X придут микросхемы нового поколения — GDDR6. Производством последних уже занимаются компании Samsung и SK Hynix, и массовые поставки должны начаться в ближайшие месяцы. Тем не менее в серийных видеокартах GDDR6 появится только весной — с первыми анонсами адаптеров NVIDIA GeForce и/или TITAN на 12-нм чипах Volta. Прежде Samsung Electronics информировала общественность о своих планах по выпуску микросхем GDDR6 с пропускной способностью от 14 до 16 Гбит/с на контакт (против максимальных 9 Гбит/с у GDDR5 и 10–11,4 Гбит/с у GDDR5X), а SK Hynix анонсировала 8-Гбит (1-Гбайт) чипы GDDR6 с пределом пропускной способности в 16 Гбит/с на контакт.

Война пресс-релизов между южнокорейскими производителями VRAM продолжается и в эти дни. Среди массы продуктов Samsung, удостоившихся награды CES 2018 Innovation, нашлось место и для 16-Гбит (2-Гбайт) микросхемы GDDR6.

«Samsung GDDR6 ёмкостью 16 Гбит — самая быстрая и самая экономичная DRAM-память для графических продуктов следующего поколения. Она обрабатывает изображения и видео с пропускной способностью 16 Гбит/с на контакт и общей ПСП в 64 Гбайт/с, что эквивалентно передаче объёма двенадцати DVD-дисков с Full HD видео в секунду. Новая DRAM может работать при напряжении 1,35 В, что обеспечивает дополнительное преимущество по сравнению с сегодняшней графической памятью, которой необходимо 1,5 В при пропускной способности всего 8 Гбит/с на контакт».

Как удалось выяснить ресурсу VideoCardz, вышеприведённое описание соответствует продукту Samsung GDDR6 с маркировкой K4ZAF325BM. Восемь таких микросхем (в сумме 128 Гбит или 16 Гбайт) обеспечат общую пропускную способность в 512 Гбайт/с при 256-битной шине памяти, а двенадцать чипов — 768 Гбайт/с при 384-битной шине. Для сравнения, буферная память HBM2 у видеокарты Radeon RX Vega 64 (и ряда неигровых адаптеров) характеризуется общей ПСП в 484 Гбайт/с, а у HPC-ускорителя Tesla V100 — 900 Гбайт/с. Конечно, разработка High Bandwidth Memory также не стоит на месте, но условная HBM3 явно задержится относительно GDDR6.