Опрос
|
реклама
Быстрый переход
SK hynix ускорит закупку EUV‑сканеров, чтобы не отдать Samsung лидерство на рынке HBM
24.09.2025 [15:07],
Алексей Разин
Долгое время считалось, что внедрение сверхжёсткой ультрафиолетовой литографии (EUV) при производстве микросхем памяти себя не оправдывает с экономической и технической точки зрения, но конъюнктура начала меняться по мере роста популярности HBM. В таких условиях SK hynix собирается к 2027 году закупить 20 сканеров класса EUV. 
Источник изображения: SK hynix По сути, как поясняет ET News, тем самым SK hynix удвоит за два года количество эксплуатируемых EUV-сканеров, доведя их к 2027 году до 40 штук. Реализация такого плана потребует от SK hynix капитальных затрат в размере около $4,3 млрд. Часть имеющегося оборудования такого класса компания использует для научно-исследовательской деятельности и экспериментов. Приоритетным получателями новых EUV-сканеров ASML станут площадки M15X в Чхонджу и M16 в Ичхоне. По данным отраслевых источников, SK hynix ускоряет темпы закупок EUV-оборудования для своих нужд. В начале этого месяца компания даже получила от ASML первый экземпляр сканера EXE:5200B, который предназначен для работы с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV). По состоянию на конец прошлого года TSMC располагала самым большим парком EUV-сканеров среди производителей полупроводниковых компонентов. На втором месте располагалась южнокорейская Samsung Electronics, на третьем была Intel, а вот SK hynix довольствовалась только четвёртым. На пятом месте расположилась американская Micron Technology. Если SK hynix купит ещё 20 сканеров, то окажется на третьем месте и обойдёт Intel. К концу этого года SK hynix планирует освоить пятое поколение 10-нм техпроцесса (1b) для выпуска кристаллов памяти HBM4, а также начать освоение 10-нм техпроцесса шестого поколения (1c). В следующем году будет освоен техпроцесс 1d. Данные усилия позволят SK hynix удержать рыночные позиции в условиях усиления конкуренции со стороны Samsung. Samsung вернулась в гонку за рынок памяти для ИИ — её доля на рынке HBM превысит 30 % в следующем году
24.09.2025 [12:33],
Алексей Разин
В последние несколько лет Samsung Electronics вынуждена довольствоваться ролью догоняющего на рынке памяти класса HBM, поскольку конкурирующим SK hynix и Micron удалось добиться расположения Nvidia, являющейся крупнейшим заказчиком, приобретающим такую память. Впрочем, в следующем году доля Samsung на рынке такой памяти может превысить 30 %, по мнению аналитиков Counterpoint Research. 
Источник изображения: Samsung Electronics Добиться этого, как считают эксперты, Samsung помогут начавшиеся в будущем поставки микросхем поколения HBM4 для нужд Nvidia. Сейчас этот южнокорейский производитель памяти делает ставку на способность наверстать упущенное как раз при выпуске памяти HBM4. Во втором квартале текущего года на рынке HBM в целом лидировала SK hynix с 62 % сегмента. На втором месте расположилась американская Micron Technology с 21 % рынка, а Samsung Electronics довольствовалась только третьим с 17 % рынка. В любом случае, с точки зрения географической концентрации это значит, что 8 из 10 микросхем HBM производятся южнокорейскими компаниями. В следующем году Samsung имеет определённые шансы поднять свою долю рынка за 30 %. Помимо поставок HBM4, она сможет наладить поставки HBM3E для нужд Nvidia, и всё это будет способствовать укреплению рыночных позиций Samsung. Последняя уже может выпускать кристаллы DRAM с использованием 6-го поколения 10-нм технологии (1c), к массовому производству HBM4 компания приступит до конца текущего года, а её клиенты уже сейчас получают первые образцы таких чипов. Как ожидается, HBM4 в исполнении Samsung подняла энергетическую эффективность на 40 % по сравнению с памятью прежнего поколения, а скорость передачи информации может достигать 11 Гбит/с. Компания даже возобновила строительство новых корпусов в кампусе P5, чтобы лучше подготовиться к росту объёмов производства HBM. В рамках HBM4 лидерство южнокорейских производителей памяти в целом только укрепится, как считают в Counterpoint Research. Китайские компании хоть и пытаются нагнать зарубежных конкурентов, пока сильно отстают от них в части способности выпускать память подобного класса. Китайская CXMT, например, предпринимает попытки разработать HBM3, но у имеющихся прототипов наблюдаются проблемы с быстродействием и тепловыделением. Вряд ли этот производитель сможет наладить поставки HBM3 ранее второй половины следующего года. От разрабатываемой Huawei памяти такого типа эксперты также не ожидают быстродействия, превышающего половину уровня лучших зарубежных образцов. Nvidia испугалась ускорителей AMD и просит поставщиков сделать для неё HBM4 побыстрее
18.09.2025 [14:58],
Алексей Разин
В следующем году Nvidia рассчитывает вывести на рынок ускорители вычислений семейства Rubin с поддержкой передовой памяти HBM4, но поскольку на горизонте замаячила конкурентная угроза в виде AMD Instinct MI450, она уже сейчас пытается обеспечить себе преимущество в быстродействии. Nvidia попросила поставщиков HBM4 подтянуть спецификации предназначающихся ей микросхем, увеличив скорость передачи информации до 10 Гбит/с. 
Источник изображения: SK hynix Как отмечает TrendForce, пока нет уверенности в том, что производители HBM4 смогут исполнить пожелания Nvidia, но SK hynix наверняка сохранит за собой статус крупнейшего поставщика памяти для ускорителей указанной американской марки в самом начале перехода на HBM4. Нюанс заключается в том, как поясняет источник, что Samsung Electronics изначально рассчитывала выпускать базовый кристалл HBM4 по 4-нм техпроцессу с использованием FinFET, а также предложить скорости передачи информации до 10 Гбит/с. Всё это позволит Samsung предпринять попытку выйти в лидеры по поставкам HBM4 для нужд Nvidia в среднесрочной перспективе. Скорость экспансии ускорителей Nvidia Rubin, по мнению TrendForce, будет зависеть от доступности памяти HBM4 с необходимыми характеристиками в достаточных количествах. Если чипов HBM4 со скоростью передачи информации 10 Гбит/с окажется мало, Nvidia либо откажется от идеи поднять характеристики памяти Rubin, либо будет более тонко сегментировать свою продукцию и в каждой нише сотрудничать с оптимальным поставщиком памяти. Кроме того, Nvidia может провести сертификацию HBM4 в два этапа, предоставив тем самым «отстающим» поставщикам больше времени на подготовку. В следующем году, как считают эксперты TrendForce, крупнейшим поставщиком HBM4 для Nvidia останется SK hynix, а вот успех Samsung и Micron в этой сфере будет во многом зависеть от скорости прохождения сертификации и улучшения характеристик продукции. SK hynix первой завершила разработку HBM4 и готова начинать её выпуск — Samsung и Micron снова отстали
12.09.2025 [17:10],
Павел Котов
Южнокорейский производитель компонентов памяти SK hynix объявил, что завершил разработку чипов стандарта HBM4 и подготовил их к запуску в массовое производство. Компания опередила конкурентов и обеспечила своим акциям резкий рост. 
Источник изображений: skhynix.com HBM (High Bandwidth Memory) — тип памяти, который используется в ускорителях искусственного интеллекта, в том числе в продукции Nvidia, лидера рынка. SK hynix раньше своих основных конкурентов в лице Samsung и Micron направила основным клиентам образцы чипов HBM нового поколения; теперь же она завершила их внутреннюю валидацию и процессы контроля качества, что означает готовность к серийному производству. Это достижение глава отдела разработки HBM в SK hynix Чжу Хан Чо (Joohwan Cho) назвал «новым этапом для отрасли». HBM4 представляет собой шестое поколение технологии HBM — разновидности динамической памяти с произвольным доступом (DRAM). По сравнению с памятью предыдущего поколения новая HBM4 предлагает удвоенную пропускную способность за счёт выросшего вдвое до 2048 количества терминалов ввода-вывода, а также рост энергоэффективности более чем на 40 %. Развёртывание оборудования на базе HBM4 позволит повысить производительность ускорителей искусственного интеллекта на величину до 69 %, подсчитали в SK hynix — память нового поколения устранит узкие места в области передачи информации и поможет значительно снизить затраты на электроэнергию для центров обработки данных. Утверждённый JEDEC3 стандарт предусматривает для HBM4 стандартную рабочую скорость 8 Гбит/с, но в реализации SK hynix этот показатель удалось увеличить до 10 Гбит/с. При производстве будут использоваться зарекомендовавший себя технологический процесс MR-MUF4, а также техпроцесс 1bnm — пятое поколение технологии 10 нм, чтобы свести к минимуму риски при массовом производстве.  Как ожидается, память HBM будет использоваться в ИИ-ускорителях нового поколения Nvidia Rubin, которые начнут работать в ЦОД почти по всему миру. Samsung и Micron становится всё труднее угнаться за SK hynix, которая является основным поставщиком для Nvidia и располагает ресурсами, чтобы укреплять своё лидерство в сегменте HBM. Micron, тем не менее, уже отправила свои чипы HBM4 на квалификацию Nvidia; Samsung пока продолжает разработку. После анонса акции SK hynix выросли на более чем 7 % и достигли максимальной цены с 2000 года; с начала текущего года они подорожали на 90 %. Акции Samsung и Micron с начала года демонстрируют рост более чем на 40 % и почти на 80 % соответственно. По итогам последнего квартала на сегменте HBM пришлись 77 % общей выручки SK hynix. С начала года рыночная капитализация корейского производителя увеличилась более чем на $80 млрд. По итогам 2025 года компания намеревается удвоить продажи в сравнении с 2024 годом; в 2026 году, по её прогнозам, спрос на продукцию для систем ИИ продолжит расти. Samsung расширяет производственные мощности в надежде на будущие заказы на HBM4
12.09.2025 [11:52],
Алексей Разин
Известно, что лидером рынка HBM остаётся формально более мелкая компания SK hynix, которая на этой неделе объявила о завершении разработки HBM4, но Samsung Electronics всё ещё тешит себя надеждами наверстать упущенное на этапе производства HBM4. Для этого она уже сейчас приступила к строительству нового предприятия в Южной Корее, которое в случае необходимости позволит ей быстро нарастить объёмы выпуска HBM4.  Как отмечает Business Korea, в конце прошлой недели на площадке P5 производственного кластера в Пхёнтхэке была замечена повышенная активность строительных рабочих. Они перемещали стальные конструкции и проходили инструктаж по промышленной безопасности, что может говорить о подготовке к началу полномасштабного строительства нового производственного корпуса. Изначально он должен был появиться здесь ещё в прошлом году, но Samsung притормозила строительство, сославшись на неблагоприятные условия на рынке полупроводниковой продукции. Ожидается, что фундамент корпуса P5 будет заложен в следующем месяце. Давно известно, что Samsung пытается пройти сертификацию Nvidia со своей HBM3E, но до сих пор смогла добиться только разрешения на поставки такой памяти для ускорителей ограниченного ассортимента, предназначающихся для китайского рынка. Новая попытка получить сертификат соответствия на HBM3E компания Samsung должна предпринять в этом месяце. Кроме того, пусть и с отставанием от SK hynix примерно на три месяца, Samsung надеется наладить поставки HBM4 для своих клиентов, среди которых жаждет увидеть Nvidia. Последняя намеревается завершить сертификационные тесты HBM4 к концу первого квартала следующего года, чтобы во второй половине того же года представить ускорители вычислений Rubin, использующие память данного типа. SK hynix наверняка окажется первым поставщиком HBM4 для нужд Nvidia, но Samsung надеется получить сертификат соответствия следующей и быстро наладить поставки HBM4 в требуемых количествах. Выпуск памяти нового поколения Samsung рассчитывает запустить до конца этого года. С этой точки зрения возведение нового предприятия в Южной Корее является манёвром на упреждение. Samsung рассчитывает, что сможет загрузить его мощности заказами на выпуск HBM4. Кроме того, одна из пустующих линий на соседнем P4 будет переоборудована под выпуск кристаллов DRAM для стеков HBM4 по передовому техпроцессу 10-нм класса. Скоро Samsung приступит к поставкам образцов HBM4 своим клиентам, чтобы те смогли оценить качество такой памяти. К первому кварталу следующего года расширение производственного кластера Samsung в Пхёнтхэке как раз должно завершиться. Заявление SK hynix о завершении разработки HBM4 вызвало рост курса акций компании до рекордных высот
12.09.2025 [06:03],
Алексей Разин
Южнокорейская SK hynix остаётся крупнейшим поставщиком чипов класса HBM для ускорителей вычислений Nvidia, а последняя контролирует значительную часть рынка компонентов для ИИ. По этой причине заявление SK hynix о завершении разработки HBM4 вызвало рост курса акций компании на 7,3 % до исторических максимумов. 
Источник изображения: SK hynix Теперь капитализация SK hynix достигает $170 млрд, как поясняет Bloomberg, на протяжении восьми предыдущих торговых сессий её акции продолжали рост. Рабочую неделю SK hynix подытожила заявлением о завершении разработки HBM4 и готовности к началу массового производства, сроки которого предпочла не уточнять. Поставки образцов 12-ярусных стеков HBM4 своим клиентам компания уже начала ранее, в марте пообещав наладить массовый выпуск данного типа памяти до конца текущего года. HBM4 может предложить интерфейс с удвоенной до 2048 бит шиной по сравнению с предшественницей, а также улучшенную на 40 % по сравнению с HBM3E энергетическую эффективность. Быстродействие подсистемы памяти в инфраструктуре ИИ после перехода на HBM4 компания надеется увеличить на 69 %. Спецификации JEDEC на уровне 8 Гбит/с память HBM4 производства SK hynix превзошла с запасом, достигнув показателя в 10 Гбит/с. При производстве HBM4 компания будет использовать технологию MR-MUF с заполнением пространства между кристаллами памяти в стеке жидким компаундом, которая обеспечивает более эффективный отвод тепла по сравнению с традиционными методами, подразумевающими использование плёночных материалов. Кроме того, при изготовлении кристаллов памяти SK hynix будет применять 10-нм технологию пятого поколения, именуемую «1β нм». Акции компании в прошлом году выросли в цене почти на 90 %, поскольку она неплохо зарабатывает на буме ИИ, поставляя свою память для ускорителей вычислений Nvidia, которые очень востребованы на рынке. Готовность к серийному выпуску HBM4 повышает доверие инвесторов к этому производителю памяти. SK hynix начала массовое производство флеш-памяти ZUFS 4.1 для смартфонов с ИИ
11.09.2025 [21:27],
Анжелла Марина
Компания SK hynix объявила о начале поставок мобильной NAND-памяти ZUFS 4.1, которая значительно повышает производительность по сравнению со стандартными накопителями UFS, сокращая время запуска приложений на 45 %. Технология оптимизирована для устройств с искусственным интеллектом (ИИ) и обработки больших объёмов данных. 
Источник изображения: SK hynix ZUFS 4.1, или Zoned UFS, представляет собой расширенную спецификацию стандарта UFS, в которой применяется технология зонированного хранения, когда данные распределяются по разным зонам в зависимости от их типа и частоты использования. По сообщению компании, в июне завершён процесс сертификации продукта в тесном сотрудничестве с клиентами, а уже в июле запущено массовое производство и поставки клиентам. При интеграции в смартфон технология ZUFS 4.1 перекладывает часть работы по управлению данными на ОС, которая стремится перезаписывать данные в пределах выделенных для них зон последовательно, минимизируя необходимость в «сборке мусора» и снижая «коэффициент усиления записи». Благодаря этому смартфон сохраняет высокую скорость даже после длительного использования. По словам SK hynix, это позволяет сократить время запуска обычных приложений на 45 %, а приложений на основе ИИ — на 47 %. Эти характеристики делают ZUFS 4.1 оптимальным решением для современной мобильной среды, где критически важна обработка данных на устройстве и работа встроенных ИИ-моделей. Кроме того, по сравнению с версией 4.0, представленной в мае 2024 года, в ZUFS 4.1 значительно улучшены механизмы обработки ошибок: система теперь точнее выявляет их и чётко сообщает центральному процессору, какие действия требуются для исправления. По словам Джастин Кима (Justin Kim), президента и руководителя направления ИИ-инфраструктуры SK hynix, ZUFS 4.1 является первым продуктом, разработанным и запущенным в массовое производство для оптимизации операционной системы Android и устройств хранения данных. В перспективе область его применения будет расширяться. При этом компания намерена и впредь своевременно поставлять NAND-продукты, отвечающие запросам клиентов, одновременно укрепляя партнёрство с глобальными компаниями для усиления своих позиций в секторе памяти для искусственного интеллекта. США заставят Samsung и SK hynix ежегодно подавать заявки на поставку оборудования в Китай
08.09.2025 [12:17],
Алексей Разин
Как и в случае с TSMC, экспортные лицензии Samsung и SK hynix, дающие компаниям право поставлять в Китай оборудование для своих предприятий по производству памяти, истекут 31 декабря 2025 года. По некоторым данным, власти США предложили южнокорейским производителям на ежегодной основе продлевать профильные лицензии и конкретно оговаривать свои планы на соответствующий период. 
Источник изображения: Samsung Electronics Напомним, что после введения экспортных ограничений администрацией Байдена в 2022 году компаниям Samsung и SK hynix удалось получить сперва временную лицензию, а потом и бессрочную, которая позволила им поставлять необходимое для обслуживания и модернизации своих китайских предприятий оборудование без согласования каждой индивидуальной партии. В прошлом месяце действующие власти США заявили, что подобный порядок поставок оборудования перестанет работать с января следующего года. Как отмечает Bloomberg, власти США обратились к Samsung Electronics и SK hynix с предложением перейти на ежегодное получение экспортных лицензий при одновременном согласовании конкретных планов поставок, в которых фигурировали бы количество и номенклатура ввозимого в Китай оборудования и материалов. Американские чиновники дали понять, что намерены создать условия, при которых предприятия Samsung и SK hynix в Китае смогут продолжить работать в текущих масштабах производства и на существующем технологическом уровне, но им не будет дозволено наращивать объёмы выпуска продукции или модернизировать сопутствующие технологии. Для корейских производителей подобный план определённо лучше полного запрета на поставки оборудования в Китай, но он не учитывает непредвиденных обстоятельств, возникающих при необходимости срочного ремонта или замены оборудования в результате поломки. Samsung и SK hynix на территории Китая выпускают от 30 до 40 % своей памяти, но в масштабах мирового рынка влияние данных площадок на глобальные объёмы поставок не так велико. Например, китайское предприятие SK hynix обеспечивает менее 10 % объёмов производства DRAM в мире, в случае с NAND всё ограничивается несколькими процентами, а доля китайского предприятия Samsung на мировом рынке NAND также не превышает 10 %. XFX перешла на память GDDR6 от Samsung вместо SK hynix — видеокарты стали холоднее
08.09.2025 [01:06],
Анжелла Марина
Производитель видеокарт XFX официально заявил, что его новые графические ускорители работают лучше с памятью Samsung GDDR6, чем с модулями SK hynix. Переход на решения Samsung позволил снизить нагрев видеопамяти на 10 °C и повысить общую стабильность работы системы. 
Источник изображения: techpowerup.com Ранее видеокарты XFX 9060 XT комплектовались памятью SK hynix, однако в обновлённой версии XFX 9060 XT V3 производитель перешёл на модули Samsung. Как сообщает TechPowerUp со ссылкой на данные XFX, температура VRAM под нагрузкой составила 77 °C против 87 °C у предыдущей версии, продемонстрировав разницу в 10 градусов. Общее энергопотребление платы снизилось с 207 до 183 Вт, а скорость вращения вентиляторов упала с 1814 до 1461 об/мин, что способствовало уменьшению шума и повышению стабильности — в том числе за счёт предотвращения принудительного снижения частоты памяти. Интересно, что при этом сам графический процессор нагрелся немного сильнее — на 3 °C, что может быть связано с возросшей нагрузкой на контроллер памяти или с меньшей интенсивностью охлаждения из-за сниженной скорости вращения вентиляторов. 
Источник изображения: bilibili.com Обычно партнёры-производители видеокарт (AIB) получают графические чипы в комплекте с памятью от AMD, Nvidia или Intel. Однако сами производители GPU традиционно закупают модули у нескольких поставщиков, включая Samsung, SK hynix и Micron. В отдельных случаях AIB-партнёры могут отдавать предпочтение конкретному поставщику, и на этот раз модули Samsung GDDR6 оказались значительно более эффективным решением для видеокарт XFX. Модель XFX 9060 XT V3 с памятью Samsung уже поступила в продажу в Китае, однако более подробной информации и независимого подтверждения заявленных характеристик пока нет. SK hynix первой в мире установила сканер High-NA EUV для выпуска памяти по передовым техпроцессам
03.09.2025 [07:37],
Алексей Разин
Применение литографических EUV-сканеров с высоким значением числовой апертуры (High-NA) активнее всего освещается в контексте выпуска интегральных микросхем в целом, а для сферы производства чипов памяти считается не столь актуальным, но это не значит, что подобная миграция оборудования не происходит. SK hynix, например, недавно отчиталась об установке первого сканера ASML TwinScan EXE:5200B, который поможет ей выпускать передовые чипы памяти в будущем. 
Источник изображения: ASML Первый экземпляр этой дорогостоящей литографической системы ASML был установлен на предприятии M16 в южнокорейском Ичхоне. По заявлениям SK hynix, такой сканер способен уменьшить размеры воспроизводимых на кремниевых пластинах транзисторов в 1,7 раза, а плотность их размещения увеличить в 2,9 раза по сравнению с существующими EUV-системами. Применение EUV-оборудования в целом SK hynix начала в 2021 году, но когда она собирается начать применение сканеров класса High-NA EUV в массовом производстве, не уточняется. Значение числовой апертуры при переходе от одного поколения оборудования к другому может измениться с 0,33 до 0,55. Как попутно отмечает The Financial News, конкурирующая Samsung Electronics тоже не упускает из виду соответствующее оборудование, и сканер ASML TwinScan EXE:5000 установила н своём предприятии в Хвасоне ещё в марте текущего года. Эта модель находится на ступень ниже той, что была установлена SK hynix, и чаще всего используется производителями чипов для исследовательских целей и экспериментов. Для Samsung применение оборудования класса High-NA EUV имеет особое значение и при контрактном производстве чипов. Освоить выпуск 1,4-нм продукции компания собирается к 2027 году, но пока не принято решение, потребуются ли для этого сканеры нового поколения. При производстве микросхем памяти Samsung торопиться с их внедрением не будет. Акции Samsung и SK hynix устремились вниз после обещанного усложнения поставок оборудования в Китай
01.09.2025 [08:06],
Алексей Разин
Перекраивая выстроенные предшественником внешнеторговые отношения, нынешний президент США Дональд Трамп (Donald Trump) лишил южнокорейские компании Samsung Electronics и SK hynix привилегий, связанных с условиями поставок оборудования для выпуска памяти на их китайские предприятия. Эта новость азиатскими фондовыми рынками была отработана только в понедельник, акций обеих компаний просели в цене. 
Источник изображения: Samsung Electronics В Сеуле, как отмечает Nikkei Asian Review, курс акций SK hynix утром в понедельник снизился на 4,8 %, акции Samsung Electronics подешевели на 2,7 %. При этом нельзя утверждать, что движение было пропорциональным в целом по отрасли или в регионе, поскольку местный индекс Kospi снизился только на 0,44 %. Напомним, Министерство торговли США отозвало имеющиеся экспортные лицензии у Samsung и SK hynix, которые давали им право поставлять на свои китайские предприятия оборудование для производства микросхем памяти, использующее технологии американского происхождения или изготовленное непосредственно в США. Фактически, новое правило экспортного контроля будет опубликовано во вторник, а вступит в силу через 120 дней. После этого Samsung и SK hynix придётся согласовывать с американскими регуляторами каждую партию оборудования, направляющегося в Китай. SK hynix выпускает память типа DRAM на предприятии в Уси, а Samsung располагает крупным кластером по выпуску NAND в Сиане. Тот факт, что об отзыве лицензий было объявлено на следующий день после встречи американского и южнокорейского президентов, вызвало как минимум недоумение у корейской стороны. В целом, зарубежные компании на территории Китая отвечают за 10 % выпуска DRAM и 15 % объёмов выпуска NAND, причём часть профильной продукции отправляется на экспорт. Акции японских компаний, занимающихся поставками оборудования для выпуска чипов, в понедельник утром на торгах в Токио также снизились в цене на несколько процентов. Их продукция в конечном итоге также может попасть под аналогичные требования США, если на этом будет настаивать американское правительство. SK hynix серьёзно приблизилась к Samsung по величине выручки на рынке NAND во втором квартале
31.08.2025 [09:07],
Алексей Разин
Годами позиции Samsung Electronics на рынке твердотельной памяти казались незыблемыми. Компания долгое время удерживала статус крупнейшего поставщика полупроводниковой продукции в мире, уступая его Intel только в периоды снижения цен на память. Теперь отставание от Samsung в сегменте NAND в денежном выражении резко сокращает SK Group, которая свою долю рынка всего за квартал нарастила с 16,6 до 21,1 %. 
Источник изображения: Samsung Electronics Об этом сообщает TrendForce, не забывая отметить, что Samsung по-прежнему контролирует 32,9 % рынка NAND в денежном выражении, и по сравнению с первым кварталом (31,9 %) её позиции не особо ослабли. В SK Group с этой точки зрения входит отчётность самой SK hynix и компании Solidigm, которая унаследовала от Intel предприятия по производству флеш-памяти. Если Samsung по итогам второго квартала последовательно увеличила выручку от реализации NAND на 23,8 % до $5,2 млрд, то SK Group прибавила сразу 52,5 % до $3,3 млрд. Соответственно, это позволило SK Group увеличить свою долю рынка в денежном выражении с 16,6 до 21,1 % всего за три месяца. Во многом это произошло благодаря активным продажам SSD в серверном сегменте. Примечательно, что для всего рынка NAND второй квартал характеризовался снижением средней цены реализации, которое сопровождалось сокращением объёмов выпуска памяти ради приведения баланса спроса и предложения в более равновесное состояние. На рынке США и Китая спрос также стимулировался государственной политикой. Пять крупнейших мировых поставщиков NAND по итогам второго квартала смогли зарегистрировать последовательный рост выручки на 22 % до $14,67 млрд. 
Источник изображения: TrendForce В третьем квартале спрос на NAND должен стабилизироваться, поскольку эффект «тарифов Трампа» в США себя исчерпает, а субсидии в Китае начнут снижаться. Средние цены реализации могут вырасти, а спрос останется относительно низким, поэтому темпы дальнейшего роста выручки в отрасли останутся сдержанными. На третьем месте располагается Kioxia с ростом выручки на 11,4 % и долей рынка 13,5 %, которая за второй квартал успела сократиться. Micron на четвёртом месте отстаёт по выручке совсем немного, но её рост ограничился 3,7 %, а доля рынка очень близка к позиции Kioxia со значением 13,3 %. Этого американского производителя подвело снижение средних цен реализации NAND. Зато в натуральном выражении объёмы поставок выросли сильнее, чем ожидалось. Компания смогла достичь максимальных значений своей доли на рынке клиентских и серверных SSD. На пятом месте располагается SanDisk с ростом выручки на 12,2 % до $1,9 млрд и долей в 12 %. Степень загрузки конвейера на совместном предприятии с Kioxia пока далека от оптимальной, а слабое присутствие в сегменте серверных SSD вынуждает этого производителя отставать от конкурентов на фоне бума систем ИИ. Сообща пятёрка крупнейших производителей NAND контролирует 91,3 % выручки на этом рынке. США снова вставят палки в колёса производству чипов Intel, SK hynix и Samsung в Китае
29.08.2025 [17:40],
Сергей Сурабекянц
США отзовут выданные Samsung, SK hynix и Intel разрешения на поставки в Китай оборудования для производства чипов, которое те завозили для собственных фабрик, что может существенно осложнить их деятельность. Ранее Министерство торговли США в качестве исключения предоставило этим компаниям разрешения на производство чипов в Китае и поставки туда необходимого оборудования. Теперь производителям придётся получать лицензии при каждой закупке. 
Источник изображения: Micron Согласно информации из Федерального реестра США, изменения правил лицензирования вступят в силу через 120 дней. Отзыв разрешений, вероятно, приведёт к сокращению поставок в Китай оборудования американских производителей KLA Corp, Lam Research и Applied Materials. В то же время этот шаг может оказаться на руку китайским производителям подобного оборудования, чьи инструменты способны заполнить пробелы. Отзыв разрешений на поставки оборудования может также оказаться выгодным для Micron, крупнейшего американского конкурента южнокорейских Samsung и SK hynix в секторе микросхем памяти. Несколько лет назад Intel продала свой завод по производству памяти NAND в китайском городе Далянь компании SK hynix, но продолжала производить там пластины до 2025 года. Первую в мире 321-слойную флеш-память 3D QLC NAND начала массово выпускать SK hynix
25.08.2025 [09:55],
Алексей Разин
В сфере производства памяти типа 3D NAND индикатором прогресса остаётся увеличение количества слоёв, и южнокорейская компания SK hynix недавно заявила о завершении разработки и начале серийного выпуска 321-слойных чипов QLC в 2-терабитном исполнении. Это первый в мире случай использования более чем 300 слоёв при выпуске микросхем памяти типа QLC. На рынок новые чипы выйдут в следующем полугодии. 
Источник изображения: SK hynix Как отмечает SK hynix, ёмкость новых чипов в два раза превышает имеющиеся аналоги. Увеличив количество рабочих плоскостей в составе ячеек с 4 до 6, компания надеется не только обеспечить рост быстродействия на операциях чтения, но и обеспечить длительное сохранение заявленных на старте показателей скорости в процессе эксплуатации. Скорости передачи информации по сравнению с изделиями предыдущего поколения удвоились, скорость записи выросла на величину до 56 %, скорость чтения на величину до 18 %. Энергоэффективность на операциях записи увеличилась более чем на 23 %, что позволяет рекомендовать новую 321-слойную память для использования в системах с искусственным интеллектом, где энергопотребление является серьёзным сдерживающим развитие инфраструктуры фактором. При этом SK hynix в первую очередь начнёт поставлять 321-слойные чипы QLC для производства накопителей для ПК, и только потом они пропишутся в серверном сегменте и смартфонах. В одной упаковке могут объединяться 32 кристалла NAND, поэтому данная память с лучшей стороны проявит себя на рынке серверных накопителей. На рынке соответствующая память появится в первой половине следующего года. Samsung готова сбить цены, чтобы перехватить у SK hynix заказы Nvidia на память HBM
21.08.2025 [12:41],
Алексей Разин
Проблемы Samsung с сертификацией своей памяти HBM3E под нужды Nvidia давно известны, но компания не оставляет попыток получить заказы этого клиента даже на фоне скорого начала выпуска HBM4. Предполагается, что Samsung попытается привлечь Nvidia за счёт скидок, достигающих 30 % по сравнению с предложениями SK hynix. 
Источник изображения: Samsung Electronics Во-первых, как отмечает Sedaily, ещё в прошлом месяце Samsung удалось пройти квалификационные тесты Nvidia для ранних прототипов памяти HBM4, и в конце текущего месяца начнётся выпуск их предсерийных версий. Если и они удовлетворят требованиям Nvidia, то к производству серийных чипов HBM4 компания Samsung рассчитывает приступить уже в ноябре, сократив своё технологическое отставание от SK hynix. Американская Micron ещё в июне сообщила о начале поставок образцов HBM4 своим клиентам. Во-вторых, к концу месяца Samsung может получить долгожданное одобрение на поставку HBM3E для нужд Nvidia, и это событие также способно повлиять на взаимоотношения заказчика с SK hynix. По крайней мере, свои чипы HBM3E компания Samsung готова предлагать по цене на 20–30 % ниже, чем у SK hynix. В этой ситуации Nvidia намерена дождаться результатов сертификационных испытаний микросхем HBM3E и HBM4 производства Samsung, прежде чем заключать контракт с SK hynix на определённых ценовых условиях. Аналитики TrendForce предполагают, что маркетинговая политика Samsung в этом смысле приведёт к снижению цен на память класса HBM в следующем году. Ходят слухи, что Nvidia участвует в разработке собственных базовых кристаллов для HBM4, которые будут адаптированы под нужды крупнейших покупателей ускорителей вычислений. Вероятно, образцы базовых кристаллов для Nvidia кто-то из её подрядчиков начнёт выпускать по 3-нм технологии во второй половине 2027 года. |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
