Опрос
|
реклама
Быстрый переход
SK hynix первой в мире установила сканер High-NA EUV для выпуска памяти по передовым техпроцессам
03.09.2025 [07:37],
Алексей Разин
Применение литографических EUV-сканеров с высоким значением числовой апертуры (High-NA) активнее всего освещается в контексте выпуска интегральных микросхем в целом, а для сферы производства чипов памяти считается не столь актуальным, но это не значит, что подобная миграция оборудования не происходит. SK hynix, например, недавно отчиталась об установке первого сканера ASML TwinScan EXE:5200B, который поможет ей выпускать передовые чипы памяти в будущем. 
Источник изображения: ASML Первый экземпляр этой дорогостоящей литографической системы ASML был установлен на предприятии M16 в южнокорейском Ичхоне. По заявлениям SK hynix, такой сканер способен уменьшить размеры воспроизводимых на кремниевых пластинах транзисторов в 1,7 раза, а плотность их размещения увеличить в 2,9 раза по сравнению с существующими EUV-системами. Применение EUV-оборудования в целом SK hynix начала в 2021 году, но когда она собирается начать применение сканеров класса High-NA EUV в массовом производстве, не уточняется. Значение числовой апертуры при переходе от одного поколения оборудования к другому может измениться с 0,33 до 0,55. Как попутно отмечает The Financial News, конкурирующая Samsung Electronics тоже не упускает из виду соответствующее оборудование, и сканер ASML TwinScan EXE:5000 установила н своём предприятии в Хвасоне ещё в марте текущего года. Эта модель находится на ступень ниже той, что была установлена SK hynix, и чаще всего используется производителями чипов для исследовательских целей и экспериментов. Для Samsung применение оборудования класса High-NA EUV имеет особое значение и при контрактном производстве чипов. Освоить выпуск 1,4-нм продукции компания собирается к 2027 году, но пока не принято решение, потребуются ли для этого сканеры нового поколения. При производстве микросхем памяти Samsung торопиться с их внедрением не будет. Акции Samsung и SK hynix устремились вниз после обещанного усложнения поставок оборудования в Китай
01.09.2025 [08:06],
Алексей Разин
Перекраивая выстроенные предшественником внешнеторговые отношения, нынешний президент США Дональд Трамп (Donald Trump) лишил южнокорейские компании Samsung Electronics и SK hynix привилегий, связанных с условиями поставок оборудования для выпуска памяти на их китайские предприятия. Эта новость азиатскими фондовыми рынками была отработана только в понедельник, акций обеих компаний просели в цене. 
Источник изображения: Samsung Electronics В Сеуле, как отмечает Nikkei Asian Review, курс акций SK hynix утром в понедельник снизился на 4,8 %, акции Samsung Electronics подешевели на 2,7 %. При этом нельзя утверждать, что движение было пропорциональным в целом по отрасли или в регионе, поскольку местный индекс Kospi снизился только на 0,44 %. Напомним, Министерство торговли США отозвало имеющиеся экспортные лицензии у Samsung и SK hynix, которые давали им право поставлять на свои китайские предприятия оборудование для производства микросхем памяти, использующее технологии американского происхождения или изготовленное непосредственно в США. Фактически, новое правило экспортного контроля будет опубликовано во вторник, а вступит в силу через 120 дней. После этого Samsung и SK hynix придётся согласовывать с американскими регуляторами каждую партию оборудования, направляющегося в Китай. SK hynix выпускает память типа DRAM на предприятии в Уси, а Samsung располагает крупным кластером по выпуску NAND в Сиане. Тот факт, что об отзыве лицензий было объявлено на следующий день после встречи американского и южнокорейского президентов, вызвало как минимум недоумение у корейской стороны. В целом, зарубежные компании на территории Китая отвечают за 10 % выпуска DRAM и 15 % объёмов выпуска NAND, причём часть профильной продукции отправляется на экспорт. Акции японских компаний, занимающихся поставками оборудования для выпуска чипов, в понедельник утром на торгах в Токио также снизились в цене на несколько процентов. Их продукция в конечном итоге также может попасть под аналогичные требования США, если на этом будет настаивать американское правительство. SK hynix серьёзно приблизилась к Samsung по величине выручки на рынке NAND во втором квартале
31.08.2025 [09:07],
Алексей Разин
Годами позиции Samsung Electronics на рынке твердотельной памяти казались незыблемыми. Компания долгое время удерживала статус крупнейшего поставщика полупроводниковой продукции в мире, уступая его Intel только в периоды снижения цен на память. Теперь отставание от Samsung в сегменте NAND в денежном выражении резко сокращает SK Group, которая свою долю рынка всего за квартал нарастила с 16,6 до 21,1 %. 
Источник изображения: Samsung Electronics Об этом сообщает TrendForce, не забывая отметить, что Samsung по-прежнему контролирует 32,9 % рынка NAND в денежном выражении, и по сравнению с первым кварталом (31,9 %) её позиции не особо ослабли. В SK Group с этой точки зрения входит отчётность самой SK hynix и компании Solidigm, которая унаследовала от Intel предприятия по производству флеш-памяти. Если Samsung по итогам второго квартала последовательно увеличила выручку от реализации NAND на 23,8 % до $5,2 млрд, то SK Group прибавила сразу 52,5 % до $3,3 млрд. Соответственно, это позволило SK Group увеличить свою долю рынка в денежном выражении с 16,6 до 21,1 % всего за три месяца. Во многом это произошло благодаря активным продажам SSD в серверном сегменте. Примечательно, что для всего рынка NAND второй квартал характеризовался снижением средней цены реализации, которое сопровождалось сокращением объёмов выпуска памяти ради приведения баланса спроса и предложения в более равновесное состояние. На рынке США и Китая спрос также стимулировался государственной политикой. Пять крупнейших мировых поставщиков NAND по итогам второго квартала смогли зарегистрировать последовательный рост выручки на 22 % до $14,67 млрд. 
Источник изображения: TrendForce В третьем квартале спрос на NAND должен стабилизироваться, поскольку эффект «тарифов Трампа» в США себя исчерпает, а субсидии в Китае начнут снижаться. Средние цены реализации могут вырасти, а спрос останется относительно низким, поэтому темпы дальнейшего роста выручки в отрасли останутся сдержанными. На третьем месте располагается Kioxia с ростом выручки на 11,4 % и долей рынка 13,5 %, которая за второй квартал успела сократиться. Micron на четвёртом месте отстаёт по выручке совсем немного, но её рост ограничился 3,7 %, а доля рынка очень близка к позиции Kioxia со значением 13,3 %. Этого американского производителя подвело снижение средних цен реализации NAND. Зато в натуральном выражении объёмы поставок выросли сильнее, чем ожидалось. Компания смогла достичь максимальных значений своей доли на рынке клиентских и серверных SSD. На пятом месте располагается SanDisk с ростом выручки на 12,2 % до $1,9 млрд и долей в 12 %. Степень загрузки конвейера на совместном предприятии с Kioxia пока далека от оптимальной, а слабое присутствие в сегменте серверных SSD вынуждает этого производителя отставать от конкурентов на фоне бума систем ИИ. Сообща пятёрка крупнейших производителей NAND контролирует 91,3 % выручки на этом рынке. США снова вставят палки в колёса производству чипов Intel, SK hynix и Samsung в Китае
29.08.2025 [17:40],
Сергей Сурабекянц
США отзовут выданные Samsung, SK hynix и Intel разрешения на поставки в Китай оборудования для производства чипов, которое те завозили для собственных фабрик, что может существенно осложнить их деятельность. Ранее Министерство торговли США в качестве исключения предоставило этим компаниям разрешения на производство чипов в Китае и поставки туда необходимого оборудования. Теперь производителям придётся получать лицензии при каждой закупке. 
Источник изображения: Micron Согласно информации из Федерального реестра США, изменения правил лицензирования вступят в силу через 120 дней. Отзыв разрешений, вероятно, приведёт к сокращению поставок в Китай оборудования американских производителей KLA Corp, Lam Research и Applied Materials. В то же время этот шаг может оказаться на руку китайским производителям подобного оборудования, чьи инструменты способны заполнить пробелы. Отзыв разрешений на поставки оборудования может также оказаться выгодным для Micron, крупнейшего американского конкурента южнокорейских Samsung и SK hynix в секторе микросхем памяти. Несколько лет назад Intel продала свой завод по производству памяти NAND в китайском городе Далянь компании SK hynix, но продолжала производить там пластины до 2025 года. Первую в мире 321-слойную флеш-память 3D QLC NAND начала массово выпускать SK hynix
25.08.2025 [09:55],
Алексей Разин
В сфере производства памяти типа 3D NAND индикатором прогресса остаётся увеличение количества слоёв, и южнокорейская компания SK hynix недавно заявила о завершении разработки и начале серийного выпуска 321-слойных чипов QLC в 2-терабитном исполнении. Это первый в мире случай использования более чем 300 слоёв при выпуске микросхем памяти типа QLC. На рынок новые чипы выйдут в следующем полугодии. 
Источник изображения: SK hynix Как отмечает SK hynix, ёмкость новых чипов в два раза превышает имеющиеся аналоги. Увеличив количество рабочих плоскостей в составе ячеек с 4 до 6, компания надеется не только обеспечить рост быстродействия на операциях чтения, но и обеспечить длительное сохранение заявленных на старте показателей скорости в процессе эксплуатации. Скорости передачи информации по сравнению с изделиями предыдущего поколения удвоились, скорость записи выросла на величину до 56 %, скорость чтения на величину до 18 %. Энергоэффективность на операциях записи увеличилась более чем на 23 %, что позволяет рекомендовать новую 321-слойную память для использования в системах с искусственным интеллектом, где энергопотребление является серьёзным сдерживающим развитие инфраструктуры фактором. При этом SK hynix в первую очередь начнёт поставлять 321-слойные чипы QLC для производства накопителей для ПК, и только потом они пропишутся в серверном сегменте и смартфонах. В одной упаковке могут объединяться 32 кристалла NAND, поэтому данная память с лучшей стороны проявит себя на рынке серверных накопителей. На рынке соответствующая память появится в первой половине следующего года. Samsung готова сбить цены, чтобы перехватить у SK hynix заказы Nvidia на память HBM
21.08.2025 [12:41],
Алексей Разин
Проблемы Samsung с сертификацией своей памяти HBM3E под нужды Nvidia давно известны, но компания не оставляет попыток получить заказы этого клиента даже на фоне скорого начала выпуска HBM4. Предполагается, что Samsung попытается привлечь Nvidia за счёт скидок, достигающих 30 % по сравнению с предложениями SK hynix. 
Источник изображения: Samsung Electronics Во-первых, как отмечает Sedaily, ещё в прошлом месяце Samsung удалось пройти квалификационные тесты Nvidia для ранних прототипов памяти HBM4, и в конце текущего месяца начнётся выпуск их предсерийных версий. Если и они удовлетворят требованиям Nvidia, то к производству серийных чипов HBM4 компания Samsung рассчитывает приступить уже в ноябре, сократив своё технологическое отставание от SK hynix. Американская Micron ещё в июне сообщила о начале поставок образцов HBM4 своим клиентам. Во-вторых, к концу месяца Samsung может получить долгожданное одобрение на поставку HBM3E для нужд Nvidia, и это событие также способно повлиять на взаимоотношения заказчика с SK hynix. По крайней мере, свои чипы HBM3E компания Samsung готова предлагать по цене на 20–30 % ниже, чем у SK hynix. В этой ситуации Nvidia намерена дождаться результатов сертификационных испытаний микросхем HBM3E и HBM4 производства Samsung, прежде чем заключать контракт с SK hynix на определённых ценовых условиях. Аналитики TrendForce предполагают, что маркетинговая политика Samsung в этом смысле приведёт к снижению цен на память класса HBM в следующем году. Ходят слухи, что Nvidia участвует в разработке собственных базовых кристаллов для HBM4, которые будут адаптированы под нужды крупнейших покупателей ускорителей вычислений. Вероятно, образцы базовых кристаллов для Nvidia кто-то из её подрядчиков начнёт выпускать по 3-нм технологии во второй половине 2027 года. Samsung когда-то зарабатывала больше всех на памяти DRAM — теперь её доля рухнула до 32,7 %
15.08.2025 [13:07],
Алексей Разин
Компания Samsung Electronics на протяжении нескольких лет являлась крупнейшим производителем полупроводниковой продукции, но поскольку подобные критерии измеряются в выручке, то бум искусственного интеллекта с его популярностью HBM вынудил южнокорейского гиганта уступить место SK hynix на рынке DRAM. Доля Samsung в этом сегменте в денежном выражении по итогам прошлого полугодия сократилась до 32,7 %. 
Источник изображения: Samsung Electronics Как сообщают южнокорейские СМИ, на рынке DRAM по итогам прошлого полугодия Samsung Electronics довольствовалась долей выручки не более 32,7 %, хотя ещё в прошлом году она достигала 41,5 %. В целом, в полугодовом измерении это первый случай снижения доли Samsung до уровня менее 40 % за время, прошедшее с 2014 года. Для сравнения, в 2016 году Samsung контролировала 48 % выручки на рынке DRAM, и это был максимальный уровень за всю историю существования компании. Нынешнее падение во многом обусловлено тем, что Samsung не особо участвует в снабжении Nvidia памятью HBM, которая сделала SK hynix лидером рынка DRAM в показателях выручки. По оценкам TrendForce, сейчас SK hynix контролирует примерно 36 % выручки в сегменте DRAM. Samsung не собирается мириться с таким положением дел, и будет не только усиленно готовить к поставкам для нужд Nvidia 12-ярусную память типа HBM3E, но и выпускать простую DDR5 для серверных систем. Сейчас Samsung снабжает Nvidia 8-ярусными чипами HBM3E ускорители H20 для китайского рынка, но в идеале она бы хотела наладить поставки 12-ярусной HBM3E в значительно более крупных количествах. Samsung также надеется наверстать упущенное на этапе распространения HBM4, поскольку этот тип памяти будет гораздо сильнее адаптироваться под нужды конкретных заказчиков. Для этого компания ищет опытных специалистов в области упаковки микросхем, чтобы быстрее начать осваивать рынок HBM4. Попытаться заработать на уходящей DDR4 этот производитель явно не захочет, а вот продвигать DDR5 и LPDDR5 он готов. Samsung вложит в американские фабрики чипов $50 млрд — на 35 % больше, чем планировала
11.08.2025 [10:12],
Алексей Разин
Тайваньская компания TSMC под нажимом Дональда Трампа (Donald Trump) после его прихода к власти в США ещё в начале года была вынуждена заявить, что увеличит сумму своих американских инвестиций с $65 до $165 млрд, а также построит восемь предприятий вместо трёх. Samsung теперь оказывается в схожем положении, поэтому её придётся потратить в США около $50 млрд вместо запланированных $37 млрд. 
Источник изображения: Samsung Electronics Об этом сообщает южнокорейское издание SEDaily, объясняя такое решение Samsung необходимостью получить освобождение от 100-процентных тарифов в США при импорте своей полупроводниковой продукции. Колебания руководства Samsung наблюдались и ранее, поскольку в самом начале компания собиралась потратить на новый комплекс предприятий в техасском Тейлоре около $44 млрд, и он должен был включать производственные мощности по тестированию и упаковке чипов. Найти клиентов на профильные услуги Samsung сразу не смогла, поэтому решила не строить предприятие по тестированию и упаковке чипов. Сумма предполагаемых инвестиций в результате сократилась до $37 млрд. Недавно получившая огласку сделка с Tesla повысила актуальность наличия у Samsung собственного завода по тестированию и упаковке чипов на территории США, поэтому компания решила выделить дополнительные средства на развитие кластера в Техасе. Кроме того, подобный уровень локализации снял бы возможные претензии со стороны властей США, которые могли бы привести к необходимости платить повышенные импортные пошлины. Как поясняют южнокорейские СМИ, сроки строительства основного предприятия Samsung в Тейлоре при этом ускоряются. В конце первого квартала сам корпус фабрики был готов почти на 92 %, полностью завершить его возведение планируется к концу октября. «Чистые комнаты» будут подготовлены к монтажу оборудования в конце текущего года, а в следующем начнётся непосредственно установка всего необходимого для работы в этих помещениях. В целом, если проект будет реализован в упоминаемом масштабе, это позволит Samsung стать вторым по величине контрактным производителем чипов на территории США. Предприятие конкурирующей SK hynix по упаковке памяти HBM в штате Индиана тоже возводится с опережением графика. Скоро будет заложен фундамент, а к выпуску современной памяти этого класса компания надеется приступить на данной площадке во второй половине 2028 года. Рассматривается возможность не только ускорения строительства, но и его расширения за счёт дополнительных функциональных направлений. Рынок памяти для ИИ будет расти на 30 % ежегодно до конца десятилетия, как считает SK hynix
11.08.2025 [08:56],
Алексей Разин
Южнокорейской компании SK hynix высокий спрос на память типа HBM для инфраструктуры систем искусственного интеллекта позволил не только занять лидирующие позиции в сегменте, но и обойти по финансовым показателям более крупную Samsung Electronics. Представители SK hynix убеждены, что рынок памяти для ИИ будет расти на 30 % ежегодно до конца десятилетия. 
Источник изображения: SK hynix Подобными прогнозами поделился с агентством Reuters директор по планированию в сегменте HBM Цой Чун Ён (Choi Joon-yong). По его словам, спрос на подобную память со стороны клиентов очень стабильный и высокий. Это позволяет руководству SK hynix рассчитывать, что до конца текущего десятилетия рынок специализированной памяти для инфраструктуры ИИ будет ежегодно расти на 30 % в год. Измеряемые миллиардами долларов суммы, которые крупные игроки рынка типа Amazon, Microsoft и Google ежегодно готовы тратить на развитие вычислительной инфраструктуры ИИ, скорее всего, в ближайшие годы будут расти, по мнению представителя SK hynix. При этом руководство компании учитывает, что на темпы экспансии данной вычислительной инфраструктуры будет накладывать ограничения энергетическая отрасль. В этом смысле упоминаемый выше прогноз по темпам роста рынка памяти для систем ИИ можно признать довольно консервативным. В целом, объёмы строительства ЦОД для ИИ и закупки HBM находятся в прямой зависимости, как поясняет руководство SK hynix. Ёмкость рынка профильной памяти к 2030 году будет измеряться десятками миллиардов долларов США. Переход на использование HBM4 лишь усилит зависимость клиентов от конкретного поставщика памяти, поскольку функциональные характеристики базового кристалла, который будет лежать в основе стека, будут изначально определяться техническим заданием конкретного заказчика. Кастомизация подобных решений будет только усиливаться, как считают в SK hynix. На прошлой неделе стало известно, что Samsung и SK hynix смогут избежать 100-процентной таможенной пошлины на поставку своей полупроводниковой продукции в США. Цой Чун Ён данную информацию никак комментировать не стал. Для корейской экономики американский рынок очень важен, поскольку в сегменте чипов профильный экспорт достиг 7,5 % всего объёма поставок или $10,7 млрд. Если говорить о памяти HBM, то некоторая её часть поставляется в США через Тайвань, на подобный маршрут приходится 18 % южнокорейского экспорта. Samsung провалила ИИ-гонку, недооценив значимость HBM — и теперь под ударом экономика всей Южной Кореи
08.08.2025 [18:59],
Сергей Сурабекянц
Samsung Electronics известна потребителям своими мобильными телефонами и плоскими телевизорами, но крупнейшим её продуктом являются микросхемы памяти, которые стали критически важными в обострившейся гонке за передовой искусственный интеллект. И в этой гонке Samsung отстаёт — её обогнала SK hynix, захватив 62 % рынка оперативной памяти с высокой пропускной способностью (High-Bandwidth Memory, HBM). 
Источник изображения: unsplash.com На протяжении десятилетий Samsung была ведущим мировым производителем памяти DRAM (Dynamic Random Access Memory — динамическая память с произвольным доступом), используемой практически во всех электронных устройствах. Но компания оказалась не готова к резво возросшему спросу на память HBM, спровоцированному непрекращающимся бумом искусственного интеллекта. SK hynix в партнёрстве с Advanced Micro Devices оказалась более прозорливой и превзошла Samsung, став крупнейшим мировым производителем DRAM. На сегодняшний день SK hynix контролирует 62 % поставок чипов HBM и является основным поставщиком этой продукции для таких технологических лидеров, как Nvidia. Для сравнения, Samsung во втором квартале этого года занимала всего 17 % мирового рынка HBM и затратила огромные усилия, что остаться поставщиком для Nvidia. 
Источник изображения: SK hynix Samsung рассчитывает на следующее поколений чипов памяти, которые должны вернуть ей утраченные позиции, но удастся ли ей сделать это в условиях жёсткой конкуренции, пока неясно. Важно отметить, что Samsung Electronics входит в число компаний, во многом определяющих экономическое положение Южной Кореи, и от успешности её бизнеса без преувеличения зависит благосостояние немалого процента жителей страны. Сверхскоростная флеш-память вместо HBM: SanDisk и SK hynix объединились для революции в ИИ-ускорителях
07.08.2025 [10:19],
Геннадий Детинич
Один из вариантов будущей революции в мире ускорителей вычислений и искусственного интеллекта сегодня обрёл ясные очертания. Переворот начнётся осенью 2026 года, а взрывное расширение возможностей ИИ последует за ним в 2027 году. Двигателем революции названа компания SanDisk, которая теперь начнёт работать над планами будущей экспансии в тесной кооперации с компанией SK hynix. 
Источник изображений: SanDisk Ломать устоявшиеся правила на рынке ИИ-ускорителей SanDisk намерена с помощью нового типа флеш-памяти — HBF (High Bandwidth Flash). Анонс технологии состоялся в феврале 2025 года. Основная идея заключается в многократном увеличении объёма памяти ускорителей по сравнительно доступной цене. Не секрет, что плотность записи чипов NAND-флеш растёт кратно быстрее ёмкости чипов DRAM и HBM, как одной из её разновидностей. Этому способствует запись нескольких бит в каждую ячейку и многослойная (стековая) структура NAND. Память HBM пока не производится с подобной архитектурой. Вся её многослойность — это простое нагромождение довольно крупных кристаллов. Поэтому замена в ускорителях памяти HBM на память HBF позволит настолько сильно увеличить бортовую память ИИ-модулей, что в каждый из них можно будет загружать полноценную большую языковую модель, не используя для этого оперативную память, SSD, HDD и шины данных ускорителя. Также можно ожидать, что переход с оперативной памяти на флеш-память в ИИ-ускорителях позволит снизить энергопотребление соответствующих дата-центров: флеш-памяти не требуется питание для удержания данных и энергия для регенерации ячеек.  В компании SanDisk уже решили, как будут преодолевать главное ограничение флеш-памяти в качестве замены оперативных блоков DRAM — высокие задержки (с пропускной способностью, как раз, всё хорошо). Для этого массив HBF будет разбит на множество небольших областей, что, по сути, будет означать ввод в обиход очень широкой шины данных. Например, шириной 32 768 бит, как предлагает другая компания с такими же революционными амбициями — NEO Semiconductor. Ранее в качестве примера SanDisk приводила сравнение современного объёма HBM в GPU в случае замены на HBF: это приведёт к 8–16-кратному увеличению объёма бортовой памяти ускорителей при тех же затратах на производство. Например, в случае HBF произойдёт замена каждого стека HBM объёмом 24 Гбайт на стек HBF ёмкостью 512 Гбайт. Таким образом, при полной замене HBM ускоритель сможет нести на борту 4 Тбайт памяти, что позволит полностью загрузить большую языковую модель Frontier с 1,8 трлн параметров размером 3,6 Тбайт. Партнёрство с SK hynix, о котором компании сообщили вчера, ускорит вывод новой разработки на рынок и позволит распространить её среди разработчиков ИИ-ускорителей. Также в этом помогут авторитетные лидеры в мире IT, в частности, Раджа Кодури (Raja Koduri), который около двух недель назад согласился войти в технический совет по продвижению памяти HBF в отрасли.  По словам SanDisk, первые образцы памяти HBF будут доступны для получения осенью 2026 года, а первые продукты с ней выйдут в начале 2027 года. Это перевернёт мир ИИ-ускорителей, уверены в SanDisk. Samsung и SK hynix смогут избежать 100-процентных пошлин на чипы в США
07.08.2025 [07:52],
Алексей Разин
Высокая зависимость южнокорейской экономики от рынка США всегда заставляла производителей чипов Samsung и SK hynix искать особые условия для работы на нём, и ситуация со 100-процентными пошлинами, предлагаемыми Трампом, не стала исключением. Оба крупнейших производителя памяти из Южной Кореи смогут избежать повышенных таможенных тарифов. 
Источник изображения: Samsung Electronics Об этом сообщил бывший министр торговли Южной Кореи Ё Хан Ку (Yeo Han-koo) во время своего интервью на радио, как отмечает Reuters. Среди прочих стран, по его словам, Южная Корея получит самые выгодные таможенные тарифы на поставки чипов в США, поскольку это было оговорено торговым соглашением между двумя странами. Строго говоря, подобный исход был предсказуем, ведь обе упоминаемые южнокорейские компании, пусть и в разной степени, но обязались инвестировать в развитие американских производственных мощностей. У Samsung в столице Техаса уже много лет действует контрактное производство чипов, и в соседнем Тейлоре вскоре появится ещё более современное предприятие, которое Tesla будет использовать для выпуска своих 2-нм чипов. SK hynix строит предприятие в Индиане, которое сосредоточится на упаковке чипов памяти типа HBM, став одним из немногих на территории страны. Выпуском HBM также занимается американская Micron Technology, но именно SK hynix остаётся мировым лидером в этом сегменте рынка. Кроме того, у SK hynix в Индиане появится исследовательский центр, который будет сотрудничать с местным университетом. Аналитики Yuanta Securities, на которых ссылается Reuters, пока выражают сомнение по поводу того, будет ли единственного предприятия SK hynix в США достаточно для освобождения от повышенных тарифов, но с учётом критической важности его продукции этим действительно всё может ограничиться. Кстати, это уже не первый случай, когда Samsung и SK hynix удалось договориться с властями США об особых условиях работы при введении новых ограничений. Когда в 2022 году речь зашла о запрете на поставку определённых типов оборудования в Китай, обе компании выбили для себя освобождение от таких ограничений, поскольку вынуждены снабжать оборудованием свои крупнейшие предприятия по производству памяти, которые сосредоточены в Китае. Освобождение сперва было выдано на один год, а потом стало бессрочным. «Продажи HBM от Samsung достигли дна»: SK hynix стала крупнейшим производителем памяти в мире
31.07.2025 [14:29],
Анжелла Марина
SK hynix впервые обошла Samsung Electronics по объёму выручки от производства памяти, став крупнейшим в мире поставщиком, сообщает Bloomberg. Это произошло на фоне роста спроса на компоненты для систем искусственного интеллекта, где позиции SK hynix оказались более сильными. 
Источник изображения: SK hynix Выручка Samsung от продаж компьютерной памяти, включая DRAM и NAND, за период с апреля по июнь составила 21,2 триллиона вон (около $15,2 млрд), что ниже, чем 21,8 триллиона вон, зафиксированных у SK hynix неделей ранее. Основной вклад в успех компании, базирующейся в Ичхоне (Южная Корея) внесла высокопроизводительная память HBM (High-Bandwidth Memory), используемая в ИИ-чипах. По данным аналитической компании Counterpoint Research, доля SK hynix на рынке HBM достигла 62 %, в то время как Samsung контролирует лишь 17 % этого сегмента и до сих пор не получила одобрения от Nvidia на поставку своей самой передовой версии HBM. 
Источник изображения: Bloomberg МС Хван (MS Hwang), директор по исследованиям в Counterpoint, отметил, что траектории роста двух южнокорейских производителей начали расходиться в первой половине 2024 года на фоне повышенного спроса на продукцию Nvidia и связанную с ней память HBM. Он также указал, что падение продаж HBM у Samsung, вероятно, замедлилось. «Новость заключается в том, что продажи HBM-памяти Samsung, похоже, достигли своего дна», — сказал Хван. Для справки: HBM — это технология вертикального объединения нескольких слоёв DRAM, обеспечивающая высокую пропускную способность. Сегодня HBM рассматривается как критически важная составляющая для производительности современных компьютеров и серверов. Ажиотажный спрос на HBM подтолкнул SK hynix к увеличению капитальных затрат на 30 %
28.07.2025 [11:26],
Алексей Разин
В одном ряду бенефициаров ИИ-бума стоят компании Nvidia и SK hynix, поскольку вторая производит для первой микросхемы памяти типа HBM разных поколений. Рекордная прибыль, которая была получена SK hynix в прошлом квартале, растёт высокими темпами именно благодаря реализации HBM, поэтому компания готова увеличить капитальные затраты сразу на 30 % по итогам этого года. 
Источник изображения: SK hynix Напомним, что именно HBM сейчас формирует 77 % выручки SK hynix, сейчас эта компания по величине операционной прибыли в два раза обходит конкурирующую Samsung Electronics, а по итогам текущего года выручка SK hynix от реализации HBM должна удвоиться, как ожидает руководство компании. При этом на официальном отчётном мероприятии никто не сказал, как сильно SK hynix намерена увеличить капитальные затраты на расширение производства памяти. Этот пробел попытались устранить неофициальные источники, опрощенные южнокорейским ресурсом The Elec. По их мнению, в этом году капитальные расходы SK hynix вырастут сразу на 30 % до почти $21 млрд. Это серьёзные показатели, причём как в натуральном выражении, так и в относительном. Как отмечали на прошлой неделе представители SK hynix, заметная часть капитальных расходов этого года будет направлена на обеспечение рынка памятью HBM в следующем календарном году. Здесь работает принцип «готовь телегу зимой, а сани летом». SK Hynix запустит производство чипов GDDR7 ёмкостью 3 Гбайт — идеально для GeForce RTX 50 Super
26.07.2025 [00:28],
Николай Хижняк
Компания SK hynix сообщила о подготовке к выпуску чипов памяти GDDR7 большой ёмкости к концу текущего года. На недавней пресс-конференции, посвящённой финансовым результатам, компания заявила об увеличении максимальной ёмкости стека памяти GDDR7 с 16 Гбайт (2 Гбайт на чип) до 24 Гбайт (3 Гбайт на чип). Хотя заявление производителя касалось графических ускорителей для ИИ, также имеется потенциал использования таких чипов в видеокартах потребительского уровня. 
Источник изображения: SK hynix Больший объём видеопамяти не обязательно означает более высокую производительность. Однако в последние годы стало ясно, что наличие всего 8 или даже 12 Гбайт памяти в видеокарте потребительского уровня недостаточно для многих современных игр, особенно при использовании более высоких разрешений и новых технологий вроде трассировки лучей. Кроме того, инструменты генеративного ИИ становятся всё более распространёнными в творческих и офисных рабочих процессах и значительно выигрывают от увеличения объёма видеопамяти. С практической точки зрения, использование чипов памяти ёмкостью 3 Гбайт также может снизить стоимость производства видеокарт в целом — и не только решений флагманского уровня, но и моделей среднего ценового сегмента. Более ёмкие чипы памяти GDDR7 способны потенциально упростить сборку видеокарт с общим объёмом памяти 24 Гбайт, ведь для этого потребуется всего 8 чипов памяти вместо 12. В свою очередь это также должно снизить энергопотребление видеокарт, их нагрев и конечную стоимость. Планы SK hynix по выпуску модулей памяти GDDR7 большей ёмкости совпадают с давно циркулирующими слухами о потенциальном релизе потребительских видеокарт Nvidia GeForce RTX 50 Super. Согласно последним сообщениям различных источников, карты серии RTX 50 Super получат 18 Гбайт (RTX 5070 Super) и 24 Гбайт (RTX 5080 Super) видеопамяти. Новые микросхемы GDDR7 от SK hynix ёмкостью 3 Гбайт могли бы оказаться весьма уместными, особенно если Nvidia захочет избежать установки дополнительных чипов памяти на обратной стороне печатных плат. Примечательно, что память GDDR7 от SK hynix Nvidia начала использовать лишь недавно — в текущем поколении видеокарт серии RTX 50. Конечно, ничто из описанного выше, за исключением заявления самой SK hynix, не является официальной информацией. Nvidia пока не анонсировала карты Super в рамках поколения потребительских видеокарт серии Blackwell. И даже если это произойдёт, нет гарантии, что компания действительно решит использовать во всех обновлённых моделях чипы памяти большей ёмкости. Помимо новостей о GDDR7, SK hynix также сообщила о расширении своего портфолио памяти в ответ на растущие требования в области ИИ. Компания готовит чипы LPDDR следующего поколения для серверов, которые обеспечат энергоэффективную передачу данных в ИИ-сценариях и центрах обработки данных. Производитель также продолжает лидировать в сфере выпуска памяти с высокой пропускной способностью (HBM) и недавно наладил массовое производство 12-слойной памяти HBM3E. До конца года SK hynix планирует представить память HBM4. Кроме того, компания собирается во второй половине этого года выпустить новые твердотельные накопители корпоративного класса на базе 321-слойных чипов флеш-памяти NAND. |
© 1997—2025 Электронное периодическое издание "3ДНьюс" | Свидетельство о регистрации СМИ Эл ФС 77-22224
выдано Федеральной Службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия
При цитировании документа ссылка на сайт с указанием автора обязательна. Полное заимствование документа является
нарушением
российского и международного законодательства и возможно только с согласия редакции 3DNews.
MWC 2018
2018
Computex
IFA 2018
