Сегодня 19 февраля 2018
18+
Теги → sk hynix
Быстрый переход

SK Hynix выпускает eSSD на 72-слойных чипах 3D NAND

Финансовые неурядицы Hynix (позднее — SK Hynix) на рубеже десятилетий стали одной из причин, по которой компания с опозданием включилась в борьбу за сколько-нибудь значительную долю рынка NAND флеш-памяти. Тем не менее южнокорейский вендор прилагает все усилия, чтобы упрочить свои позиции. В частности, летом SK Hynix объявила о начале поставок 72-слойной 3D TLC NAND. Дальнейшее «взросление» производственных технологий позволило удвоить объём микросхем для их использования в ёмких SSD-накопителях корпоративного класса (англ. enterprise SSD, eSSD), и теперь SK Hynix готова отгружать заказчикам устройства на основе 512-Гбит 3D NAND. Судя по отсутствию в пресс-релизе компании аббревиатуры, указывающей на количество бит в ячейке, речь как раз идёт о многослойном варианте TLC NAND.

Новая флеш-память нашла применение в eSSD двух форм-факторов — 2,5 дюйма и M.2. Первые получат интерфейс SATA с пропускной способностью 6 Гбит/с, а вторые — PCI Express 3.0. В обоих случаях будут использоваться микроконтроллер и прошивка SK Hynix. Ёмкость 2,5-дюймовых накопителей будет достигать 4 Тбайт, а их собратьев — «более 1 Тбайт» (скорее всего, 1–1,5 Тбайт). Южнокорейский разработчик подчёркивает, что одного четырёхтерабайтного eSSD будет достаточно для записи 200 фильмов в формате Ultra HD.

Показатели быстродействия SATA-накопителей на базе 72-слойной 512-Гбит 3D NAND достаточно скромные. Скорости последовательных чтения и записи не превышают 560 и 515 Мбайт/с соответственно, а количество IOPS составляет не более 98 000 при чтении и 32 000 при записи. Устройства меньшего объёма, использующие интерфейс PCI Express 3.0, характеризуются скоростными показателями 2700/1100 Мбайт/с (чтение/запись) и 230 000/35 000 IOPS.

72-слойная 3D NAND флеш-память SK Hynix для массового потребителя

72-слойная 3D NAND флеш-память SK Hynix для массового потребителя

SK Hynix с энтузиазмом развивает направление eSSD, видя в нём источник высокой прибыли (по сравнению с потребительским сегментом рынка). Оптимистично оценивают перспективы твердотельных накопителей корпоративного класса и аналитики IHS Markit. Согласно их прогнозам, к концу 2021 года объём рынка SSD вырастет с $25,1 млрд до $31,2 млрд, и более половины из этой суммы обеспечит корпоративный сегмент (рост с $13,4 млрд до $17,6 млрд за четыре года).

Статус серийного продукта устройства eSSD на основе 72-слойной 512-Гбит 3D NAND пока не получили: в данный момент осуществляются поставки опытных образцов этих накопителей в пределах США.

SK Hynix зафиксировала рекордные доходы

Компания SK Hynix зафиксировала рекордную прибыль, чему способствовал рост цен на память, передаёт новостное агентство Yonhap.

В октябре–декабре 2017 года чистая прибыль SK Hynix составила 3,22 трлн вон ($3 млрд) — самый высокий квартальный показатель в истории. По итогам последних трёх месяцев 2016 года прибыль измерялась 1,62 трлн вон.

reuters.com

reuters.com

Операционная прибыль южнокорейской компании подскочила на 191 %, достигнув 4,47 трлн вон ($4,2 млрд), а выручка возросла почти на 70 % до 9,03 трлн вон ($8,4 млрд).

По итогам всего прошлого года SK Hynix выручила 30,1 трлн вон ($28 млрд), а чистая прибыль оказалась равной 10,64 трлн вон ($9,9 млрд). Оба показателя стали рекордными для компании.

«Благоприятные рыночные условия сохранились в четвёртом квартале благодаря сильному спросу на серверные продукты и росту цен на мобильные», — говорится в сообщении SK Hynix.

reuters.com

reuters.com

В компании добавили, что общий спрос на память, особенно на серверную, стремительно взлетел за счёт глобального расширения дата-центров.

По прогнозам вендора, поставки микросхем NAND flash в 2018 году будут расти, постепенно ослабляя дефицит. Отгрузки чипов оперативной памяти останутся проблемными из-за ограниченных производственных мощностей.

SK Hynix сообщила о доступности чипов памяти GDDR6

Южнокорейская компания SK Hynix сообщила о доступности 8-гигабитных микросхем памяти GDDR6 — Graphics Double Data Rate шестого поколения.

Ещё в апреле 2017 года SK Hynix представила память GDDR6 для видеокарт с объёмом чипа 8 Гбит с использованием 20-нм технологического процесса. Пропускная способность одного контакта составила 16 Гбит/с.

Теперь в обновлённом каталоге SK Hynix говорится о доступности GDDR6-изделий с обозначениями H56C8H24MJR-S2C и H56C8H24MJR-S0C. Решения первого типа обеспечивают скорость передачи данных 14 или 12 Гбит/с при напряжении соответственно 1,35 и 1,25 В. Скорость передачи данных чипов второй модификации может составлять 12 или 10 Гбит/с при напряжении 1,35 и 1,25 В.

Наиболее перспективными направлениями, где потенциал GDDR6 раскроется в полной мере, являются искусственный интеллект, виртуальная реальность, автопилотируемые автомобили и системы с дисплеями, разрешение которых превышает 4K.

Буквально на днях мы сообщали, что другой южнокорейский производитель — гигант Samsung — приступил к массовому производству первой в индустрии 16-Гбит памяти GDDR6. При изготовлении этих изделий применяется технология 10-нанометрового класса. 

Китайские производители памяти неизбежно столкнутся с судебными исками

До того, как возникающие на горизонте индустрии китайские производители памяти подобные компании Tsinghua Unigroup столкнутся с лидерами рынка в лице Samsung, SK Hynix и Micron, все они, так или иначе, пройдут через залы судебных заседаний. Аналитики рынка и, в частности, представители компании IC Insights уверены, что китайцам выход на рынок DRAM и NAND будет стоить наиболее серьёзных усилий именно на правовом поприще. Точнее, в области патентного права. Никто не сомневается, что гигантские даже для США деньги на развитие местной промышленности и полупроводниковой индустрии позволят китайским компаниям построить заводы и ввести их в эксплуатацию. Одна только Tsinghua Unigroup потратит на два новых завода порядка $50 млрд примерно за пять лет, а ведь есть и другие!

Завершение начального этапа стрительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

Завершение начального этапа строительства первого завода Tsinghua Unigroup для выпуска памяти (лето 2017 года)

Первой в борьбу включилась компания Micron. Две недели назад Micron подала иск в федеральный суд Северной Калифорнии, апеллируя к Закону о защите коммерческой тайны (Defend Trade Secrets Act) и к Закону об инвестировании полученных от рэкета капиталов (Racketeer Influenced and Corrupt Organization Act). Второй закон относится к гражданскому праву, и, в целом, иск Micron носит характер борьбы с промышленным шпионажем, а не с несоблюдением патентного права. Компания Micron обвиняет тайваньскую United Microelectronics Corp (UMC) и китайскую Fujian Jinhua Integrated Circuit Co (JHICC) в воровстве коммерческих секретов и в других неправомочных действиях. Но настоящий праздник на улице законников начнётся тогда, уверены в IC Insights, когда китайские производители памяти начнут продвигать свою продукцию на рынок.

thestreet.com

thestreet.com

Начало поставок образцов или серийной продукции DRAM и NAND китайскими компаниями обещает запустить серию патентных исков против них. Китайские производители это уже проходили. Например, созданная в начале 2000-х годов компания SMIC и её последователь в лице Grace Semiconductor быстро захватили около 13 % мирового рынка контрактных полупроводников. Вскоре последовала серия исков от лидеров рынка. Так, компания TSMC через суды вынудила SMIC умерить аппетиты и продать часть акций. Сегодня SMIC удерживает менее 8 % рынка контрактных чипов и часть дивидендов выплачивает тайваньскому производителю. Нечто подобное, уверены аналитики, произойдёт на рынке памяти, что заставит китайцев оплатить патенты и интегрироваться в мировую структуру данного направления в индустрии.

Динамика годовых каптальных затрат Samsung (данные IC Insights)

Динамика годовых капитальных затрат Samsung (данные IC Insights)

В то же время, следует заметить, что та же компания Samsung не ждёт у моря погоды (не надеется на закон), а делает всё от неё зависящее, чтобы помешать выйти на рынок новичкам. В текущем году Samsung вдвое увеличила капитальные затраты на производство чипов. Это очевидным образом поднимает цену входного билета на рынок DRAM и NAND. О соблюдении закона можно спорить годами, тогда как себестоимость продукции работает здесь и сейчас. Другое дело, что китайцы мало ограниченны в средствах и, что более важно, на них не так давят законы «свободного рынка», как на зарубежных коллег. Впрочем, когда припекло, правительство Южной Кореи спасло SK Hynix без оглядки на какие-то там международные договорённости, просто завалив компанию государственными субсидиями. В Китае с этим ещё проще, так что выбранная компанией Samsung политика может оказаться единственно верной. Хочешь мира — готовься к войне.

В третьем квартале смартфоны и серверы спровоцировали дефицит NAND-флеш

Подразделение DRAMeXchange компании TrendForce отчиталось о состоянии рынка флеш-памяти в третьем квартале 2017 года. В этот период помимо традиционного роста спроса на продукцию после завершения сезона отпусков повышенный спрос на микросхемы флеш-памяти наблюдался также со стороны производителей смартфонов и накопителей серверного назначения. В результате этого зазор между поставками и спросом стал ещё больше, чем в предыдущем втором квартале. В то же время контрактные цены на NAND-флеш выросли не более чем на 0–6 %, хотя до этого долгое время поднимались на значительную величину. Утверждается, что OEM-производители почти приблизились к тому пределу, выше которого они уже не готовы закупать NAND-флеш у производителей.

Лидеры рынка NAND-памяти в 3 квартале 2017 года (DRAMeXchange)

Лидеры рынка NAND-памяти в 3 квартале 2017 года (DRAMeXchange)

В четвёртом квартале 2017 года рынок не будет так требователен к поставкам флеш-памяти (за исключением рынка смартфонов). Это приведёт к некоторой стабилизации цен на данную продукцию или даже к некоторому снижению стоимости NAND-флеш, толчком к чему может стать наращивание выпуска 64/72-слойных микросхем 3D NAND. На этой радостной ноте рынок ворвётся в 2018 год и где-то на срок до полугода окажется в зоне штиля, а это баланс между спросом и предложением с надеждой на снижение цен.

В целом ведущие производители NAND-флеш заработали в третьем квартале $15,11 млрд, что на 14,3 % больше, чем за второй квартал. Поскольку средние отпускные цены не увеличились или увеличились незначительно, основная выручка пришла на волне увеличения объёмов производства продукции. Рекорд показала компания Samsung, повысив квартальную выручку на 19,5 % до $5,62 млрд. В третьем квартале Samsung начала массово выпускать 64-слойную 3D NAND и планирует довести долю этой памяти до 50 % и выше до конца текущего года. Но есть и тревожные сообщения. Для покрытия дефицита микросхем DRAM компания Samsung рассматривает вариант перевода части производственных линий с выпуска NAND на выпуск DRAM.

Компания SK Hynix в третьем квартале от поставок NAND-флеш выручила $1,5 млрд или на 15,4 % больше в последовательном поквартальном сравнении. Двигателями спроса на продукцию SK Hynix были новые смартфоны Apple и брендовые китайские смартфоны. Компания SK Hynix, что интересно, была одной из немногих, кто за квартал снизил отпускную стоимость на флеш-память (на 3 %). В задачи компании на ближайшее время входит расширение производства 48/72-слойной 3D NAND и начало массового производства 72-слойной памяти, но это цель для 2018 года.

Японская Toshiba за третий квартал выручила $2,74 млрд — это на 18,1 % больше, чем в предыдущий квартал. Компания также немного снизила отпускную цену на NAND-флеш, но это произошло из-за перераспределения продуктовых линеек. Флеш-продукция Toshiba оказалась востребованной как в смартфонах Apple, так и в серверных SSD. Относительно производства Toshiba можно сказать, что компания увеличивает выход годной продукции и расширяет объёмы выпуска. В третьем квартале 64-слойная память получила в производстве компании статус массовой. К концу 2017 года доля 64-слойной памяти достигнет 30 % и обещает превысить 50 % к концу 2018 года.

Компания Western Digital выручила от поставок NAND-флеш $2,52 млрд или на 8,9 % больше по сравнению со вторым кварталом. Производственные планы Western Digital следуют за планами Toshiba, поскольку они черпают чипы с одних линий. Можно отметить, что за счёт плавного перевода продуктовых линеек из-под бренда SanDisk под бренд Western Digital продукцию последней приходится продавать немного дешевле.

Компания Micron в третьем квартале выручила от поставок NAND-флеш $1,84 млрд. За квартал выручка выросла на 7,7 %. Положительные эффекты всё те же — разрыв между спросом и предложением, спрос на смартфоны и серверные SSD. В массовом производстве компании всё ещё находится 32-слойная 3D NAND, хотя компания также начинает говорить о массовом производстве 64-слойной памяти. Производство и той и другой Micron продолжает совершенствовать, постепенно снижая уровень брака.

Компания Intel плетётся в хвосте лидеров, хотя ей лично это не мешает. За квартал она увеличила выручку на данном направлении на 1,9 % и получила $891 млн. Память NAND для смартфонов она почти не поставляет, отправляя 90 % продукции для выпуска SSD. По производству можно сказать следующее: медленный переход на выпуск 3D NAND и очень ограниченный этап производства накопителей на памяти 3D XPoint. В то же время аналитики отмечают, что серверная платформа Intel на процессорах Skylake становится центром притяжения для производителей серверных SSD с шиной PCI Express. В таких условиях Intel незачем пороть горячку. Она «неспешно спустится с горы» и на примере SSD Optane покажет всем, какими должны быть корпоративные SSD.

Землетрясение в Южной Корее временно остановило заводы Samsung и SK Hynix

В отличие от своих соседей — японцев — жителей Южной Кореи трясёт не так часто и не так сильно. Тем не менее, землетрясения в Южной Корее случаются, а с учётом того, что эта страна стала средоточием производства компьютерной памяти, остановка соответствующих мощностей быстро сказалась бы на рынке DRAM в сторону увеличения цен. В среду 15 ноября в 14:29 по местному времени в 9 км от порта Пхохан случились толчки магнитудой 5,4 балла. Разрушений и повреждений производственного оборудования не произошло, но линии по выпуску полупроводников были временно остановлены.

Кремниевая пластина (Фото ASML)

Кремниевая пластина (Фото ASML)

О приостановке производств сообщили компании Samsung, SK Hynix и LG Display. Здания, а также инфраструктура сооружений и территорий заводов изначально планировались и строились с учётом работы в сейсмоопасной зоне. В то же время определённое производственное оборудование не может работать в условиях повышенных вибраций. Например, из строя могут выйти литографические установки, поэтому датчики вибраций автоматически отключают сканеры в случае фиксации толчков.

По информации SK Hynix, временно были остановлены линии на заводах компании в Ичхоне и Чхонджу. Компания LG Display сообщила о приостановке линий в Пхаджу и Гуми. Компания Samsung ограничилась общими словами о временной приостановке производства. Все они также сообщили, что как только толчки прекратились, была проведена инспекция линий, и она не обнаружила повреждений. Вскоре после этого все заводы приступили к штатной работе.

Внешний вид типичного современного литографического сканера компании ASML для выпуска чипов

Внешний вид типичного современного литографического сканера компании ASML для выпуска чипов

Несмотря на оптимистичность заявлений, следует понимать, что часть пластин, уже находящихся в работе в момент остановки производства, пришли в негодность. Также отрицательно на объёме продукции сказался простой линий. Подсчёты потерь уже ведутся профильными специалистами и нас обещают познакомить с результатами. Потери вряд ли будут большими — скорее всего, в объёме суточного производства или двух суток, но с учётом дефицита памяти даже такая малость может оказаться чувствительной для рынка.

Память Samsung GDDR6 получила награду CES 2018 Innovation

Проблема ограниченной пропускной способности графической памяти GDDR5 в своё время привела к появлению видеокарт и HPC-ускорителей с буферной памятью HBM (HBM1) и позже — HBM2. Соединение графического ядра и кристаллов High Bandwidth Memory через промежуточный кремниевый слой позволило как повысить пропускную способность подсистемы памяти, так и значительно уменьшить площадь, занимаемую ключевыми элементами видеокарты. В то же время и недостатков у решений с HBM/HBM2 оказалось немало: высокая себестоимость и, как следствие, ограничение объёма памяти, практическое отсутствие возможности замены чипов VRAM в рамках одного поколения GPU (опять же из-за дополнительных затрат) и сильная зависимость от подрядчиков. Всё это стало причиной параллельного выпуска high-end видеокарт с буферной памятью типов GDDR5, GDDR5X (едва ли полноценная замена GDDR5) и HBM2.

В первой половине следующего года на подмогу недостаточно быстрой памяти GDDR5 и более дорогой GDDR5X придут микросхемы нового поколения — GDDR6. Производством последних уже занимаются компании Samsung и SK Hynix, и массовые поставки должны начаться в ближайшие месяцы. Тем не менее в серийных видеокартах GDDR6 появится только весной — с первыми анонсами адаптеров NVIDIA GeForce и/или TITAN на 12-нм чипах Volta. Прежде Samsung Electronics информировала общественность о своих планах по выпуску микросхем GDDR6 с пропускной способностью от 14 до 16 Гбит/с на контакт (против максимальных 9 Гбит/с у GDDR5 и 10–11,4 Гбит/с у GDDR5X), а SK Hynix анонсировала 8-Гбит (1-Гбайт) чипы GDDR6 с пределом пропускной способности в 16 Гбит/с на контакт.

Война пресс-релизов между южнокорейскими производителями VRAM продолжается и в эти дни. Среди массы продуктов Samsung, удостоившихся награды CES 2018 Innovation, нашлось место и для 16-Гбит (2-Гбайт) микросхемы GDDR6.

«Samsung GDDR6 ёмкостью 16 Гбит — самая быстрая и самая экономичная DRAM-память для графических продуктов следующего поколения. Она обрабатывает изображения и видео с пропускной способностью 16 Гбит/с на контакт и общей ПСП в 64 Гбайт/с, что эквивалентно передаче объёма двенадцати DVD-дисков с Full HD видео в секунду. Новая DRAM может работать при напряжении 1,35 В, что обеспечивает дополнительное преимущество по сравнению с сегодняшней графической памятью, которой необходимо 1,5 В при пропускной способности всего 8 Гбит/с на контакт».

Как удалось выяснить ресурсу VideoCardz, вышеприведённое описание соответствует продукту Samsung GDDR6 с маркировкой K4ZAF325BM. Восемь таких микросхем (в сумме 128 Гбит или 16 Гбайт) обеспечат общую пропускную способность в 512 Гбайт/с при 256-битной шине памяти, а двенадцать чипов — 768 Гбайт/с при 384-битной шине. Для сравнения, буферная память HBM2 у видеокарты Radeon RX Vega 64 (и ряда неигровых адаптеров) характеризуется общей ПСП в 484 Гбайт/с, а у HPC-ускорителя Tesla V100 — 900 Гбайт/с. Конечно, разработка High Bandwidth Memory также не стоит на месте, но условная HBM3 явно задержится относительно GDDR6.

SK Hynix договорилась построить в Китае второй завод по выпуску DRAM

Как справедливо заметили наши читатели в комментариях к новости о планах Samsung «ликвидировать дефицит DRAM», компания стремится расширить производство и поставки, а не заботится о нас с вами. Но разве можно оспорить тот факт, что это пойдёт нам на пользу и всё-таки смягчит или вовсе покончит с дефицитом? Конечно нельзя! Со временем «невидимая рука рынка» неизбежно приведёт к перепроизводству, о чём Samsung прекрасно знает и стремится использовать это знание себе на пользу — опередив и разорив конкурентов с последующим отъёмом у них долей рынка. Это азбука. Конкуренты это тоже понимают, поэтому маховик рынка DRAM начинает раскручиваться в обратную сторону — в сторону наращивания производства.

wsj.com

wsj.com

Компания SK Hynix, как сообщают китайские источники, недавно согласовала планы с властями города Уси (Wuxi) по строительству в Китае своего второго завода по выпуску памяти типа DRAM. Инвестиции в проект оценены в $8,6 млрд. Проектная мощность предприятия составит 200 тыс. 300-мм пластин в месяц. Техпроцесс будет класса 10 нм. В настоящий момент, напомним, SK Hynix проводит миграцию производства памяти DRAM на технологические нормы 18 нм.

Производственный комплекс SK Hynix M14

Производственный комплекс SK Hynix M14

Первый и пока единственный свой завод в Китае по выпуску памяти DRAM компания SK Hynix ввела в строй в 2006 году. О планах модернизации предприятия компания заявила в конце 2016 года. Перевооружение линий стартовало в июле этого года и продлится до апреля 2019 года. Это также послужило толчком к возникновению дефицита на рынке памяти. В модернизацию линий SK Hynix вложит $853,8 млн. Текущая мощность завода составляет 130 тыс. 300-мм пластин в месяц. Это примерно половина от всей выпускаемой SK Hynix памяти. Второй завод компании, когда он будет построен, едва ли не удвоит объёмы выпуска DRAM SK Hynix.

Прогнозируемая динамика роста производства памяти в 2018 году после расширения мощностей лидерами рынка (DRAMeXchange)

Прогнозируемая динамика роста производства памяти в 2018 году после расширения мощностей лидерами рынка (DRAMeXchange)

Компания Samsung, что интересно, планирует инвестиции в домашнее производство памяти. Она рассматривает вариант миграции в 2018 году с выпуска NAND на DRAM на новом заводе вблизи города Пхёнтхэк (Line 18), для чего может быть отдан второй этаж в новых цехах, а также изучает вопрос расширения линий (постройка новых корпусов) на старом заводе Line 17. В Китае Samsung выпускает только NAND память. Остаётся надеяться, что бряцанье со всех сторон оружием в регионе ничем плохим не закончится. В Южной Корее сосредоточено до 70 % мощностей по выпуску компьютерной памяти. Не хотелось бы переходить на глиняные таблички.

SK Hynix завершила квартал с рекордной прибылью

Производитель микросхем памяти SK Hynix завершил третий квартал с рекордной прибылью, полученной благодаря росту цен на чипы, сообщает агентство Yonhap.

Чистая прибыль SK Hynix возросла с 597 млрд вон в июле–сентябре 2016 года до 3,05 трлн вон ($2,7 млрд) за аналогичный период 2017-го. Этот квартальный финансовый показатель оказался самым высоким в истории южнокорейского вендора. Опрошенные Yonhap Infomax аналитики ожидали доход на уровне 3 трлн вон.

wsj.com

wsj.com

Операционная прибыль компании увеличилась с 725 млрд до 3,7 трлн вон ($3,3 млрд). Уверенно подскочила и выручка — на 91 % до 8,1 трлн вон ($7,2 млрд).

SK Hynix сообщила об увеличении поставок чипов DRAM-памяти на 17 % в третьем квартале относительно второго. Средняя продажная стоимость изделий (ASP) поднялась на 6 % за счёт растущего спроса на серверную оперативную память.

Отгрузки продуктов NAND flash у SK Hynix увеличились на 16 %, но показатель ASP на этом рынке снизился на 3 %.

wsj.com

wsj.com

По прогнозам SK Hynix, спрос на продукты компании останется высоким в октябре–декабре благодаря заказам со стороны операторов дата-центров на фоне подъёма рынка облачных сервисов. Кроме того, выход новых смартфонов должен подстёгивать рост доходов SK Hynix. 

SK Hynix строит новый R&D-центр для разработки флеш-памяти

В конце прошлой недели южнокорейский производитель памяти SK Hynix сообщил о планах построить крупнейший в своём роде центр по разработке и проектированию энергонезависимой памяти и, в частности, памяти NAND-типа. На этот проект отведено 200 млрд южнокорейских вон, что примерно эквивалентно $174 млн. Строительство должно быть завершено в сентябре 2019 года. В новый центр планируется перевести всех сотрудников в данной области, которые разбросаны по другим предприятиям компании.

Цифровой проект нового исследовательского центра SK Hynix (SK Hynix)

Цифровой проект нового исследовательского центра SK Hynix (SK Hynix)

Строительство центра в Ичхоне — это рядом с штаб-квартирой SK Hynix в стране — начнётся в октябре этого года. На площади порядка 90 000 квадратных метров будет построено 15-этажное здание с 5 подземными этажами. В здании будут работать 4000 сотрудников компании в области разработки NAND-флеш и других перспективных технологий.

Центр по разработке «NAND» будет расположен недалеко от двух других центров компании — SUPEX Center и R3, которые работают над технологиями производства памяти типа DRAM (оперативной). В компании рассчитывают, что близость центров по разработке обоих типов памяти будет способствовать общению специалистов из разных областей и поможет появиться новым «синергетическим» продуктам SK Hynix. Например, речь может идти о модулях NVDIMM ((non-volatile DIMM).

Reuters

Reuters

Производство памяти NAND (и 3D NAND) становится ключевым для компании SK Hynix. На совершенствование и расширение производства флеш-памяти компания заложила в текущем году 9,6 трлн вон ($8,3 млрд) — на 2,6 трлн вон больше, чем планировалось первоначально. Около 2,2 трлн вон компания вложила в развёртывание новых линий на заводе в Чхонджу. А на днях стало известно, что компания инвестирует 4 трлн вон (395 млрд иен) в покупку части полупроводникового бизнеса Toshiba. За эти деньги SK Hynix рассчитывает получить до 15 % акций японского производителя Toshiba Memory, который в основном занимается выпуском флеш-памяти. Всё вместе взятое обещает улучшить позиции SK Hynix на рынке NAND-флеш, а нам с вами даёт надежду увидеть изобилие продукции на её основе.

Samsung, Intel и SK Hynix инвестировали в нано-производство

Молодая компания из Невады — Reno Sub-Systems — сообщила о проведении третьего раунда сбора средств (Series C) на перспективные разработки. А занимается Reno Sub-Systems интересным. Она создаёт устройства согласования для управления плазменной дугой в системах проекции для литографического производства полупроводников (RF matching networks). Также Reno Sub-Systems разрабатывает и выпускает генераторы мощности для работы с плазмой (RF power generators) и системы подачи газа, в среде которого зажигается и работает плазменная дуга.

Типичный вакумный подстраиваемый конденсатор

Типичный вакуумный подстраиваемый конденсатор

Все перечисленные выше вещи важны для стабильной работы литографических сканеров при производстве 14-нм чипов, будущих 7-нм и с меньшими нормами производства. Передовые сканеры оперируют слоями напыления толщиной в один атом. Любая нестабильность или рассогласование приведёт к росту уровня брака. Системы Reno Sub-Systems обещают высокую скорость реакции блока управления плазмой и достаточно компактны для встраивания в сканеры.

Полупроводниковый подстраиваемый конденсатор Reno Sub-Systems

Полупроводниковый подстраиваемый конденсатор Reno Sub-Systems

В основе систем подстройки компании Reno Sub-Systems лежит старый добрый переменный вакуумный конденсатор, предложенный 120 лет назад Николой Тесла. В сороковые годы прошлого века переменные вакуумные конденсаторы получили толчок к развитию, но даже усовершенствованные современные модели могут похвастаться скоростью регулировки на уровне 1–3 секунд. Инженеры Reno Sub-Systems разработали уникальный твердотельный переменный конденсатор Electronically Variable Capacitor (EVC) с перестройкой ёмкости за 10 мкс и автоподстройкой менее 500 мкс. Именно эта разработка позволила создать передовые системы подстройки для работы с плазмой в современных и будущих литографических сканерах.

Наглядно о разности в скорости реакции вакуумных и полупроводниковых подстраиваемых конденсаторов Reno Sub-Systems

Наглядно о разности в скорости реакции вакуумных и полупроводниковых подстраиваемых конденсаторов Reno Sub-Systems

По сообщению Reno Sub-Systems, в компанию инвестировали три из пяти крупнейших производителей полупроводников и два из четырёх крупнейших поставщиков соответствующего литографического оборудования. А сбор средств в рамках последнего раунда продажи акций привлёк деньги компаний Samsung, Intel и SK Hynix, что говорит о хороших перспективах как для Reno Sub-Systems, так и для создаваемого ею оборудования.

Toshiba почти определилась с покупателями полупроводникового бизнеса

Toshiba объявила о заключении меморандума о взаимопонимании с консорциумом, в который вошёл южнокорейский производитель памяти SK Hynix. 

Договор предполагает, что Toshiba ускоряет переговоры о продаже полупроводникового бизнеса и сосредоточится на сделке с участниками соглашения. При этом японский конгломерат оставляет за собой право заключить финальное соглашение с кем-либо другим.

reuters.com

reuters.com

Помимо SK Hynix, в этот консорциум входят частная американская инвестиционная компания Bain Capital, японский государственный фонд Innovation Network Corporation и Банк развития Японии.

По данным Reuters, эти компании предлагают 2,4 трлн иен ($22 млрд) за покупку подразделения Toshiba Memory, специализирующегося на разработке и производстве памяти NAND flash. С эту сумму входят 200 млрд иен инвестиций в инфраструктуру продаваемой компании.

Toshiba намерена заключить окончательное соглашение с покупателями своих полупроводниковых активов до конца сентября 2017 года. Рыночные наблюдатели, на которых ссылается источник, считают, что участие SK Hynix может продлить срок рассмотрения сделки антимонопольными регуляторами, хотя южнокорейская компания обещает лишь предоставить финансирование партнёрам и не претендовать на права голоса. В то же время нет никаких гарантий, что SK Hynix не будет стремиться к доле в Toshiba Memory в будущем.

reuters.com

reuters.com

Western Digital, которая также готова была приобрести полупроводниковый бизнес Toshiba, заявила о разочаровании тем, что японская корпорация заключила предварительный договор с конкурирующим консорциумом. Кроме того, в Western Digital отметили, что удивлены решением Toshiba, учитывая юридическую ситуацию.

Ранее Western Digital подала в суд на Toshiba в попытке заблокировать сделки по продаже Toshiba Memory.

Консорциум с участием SK Hynix увеличил предложение по покупке Toshiba Memory на $4,3 млрд

Консорциум с участием южнокорейского производителя чипов памяти SK Hynix увеличил на $4,3 млрд сумму, предлагаемую за приобретение полупроводникового бизнеса Toshiba. Об этом агентству Reuters рассказали источники, знакомые с ситуацией.

Речь идёт о группе претендентов, в которую, помимо SK Hynix, входят американская частная инвестиционная фирма и японские государственные финансовые структуры. Изначально они предлагали около 1,94 трлн иен за покупку подразделения Toshiba Memory, специализирующегося на разработке и производстве микросхем NAND flash.

wsj.com

wsj.com

Сейчас компании готовы заплатить 2,4 трлн иен (порядка $22,3 млрд), в том числе предоставить 200 млрд иен на развитие инфраструктуры. Согласно условиям предлагаемого договора, Bain получит 49,9 % прав голоса в Toshiba Memory, около 10,1 % перейдёт японским компаниям, а 40 % останется у Toshiba.

По данным издания, предложение было пересмотрено после того, как то же самое сделала Western Digital при поддержке партнёров. Первоначально они оценивали Toshiba Memory в 1,9 трлн иен. Новая сумма СМИ неизвестна.

На поглощение полупроводниковых активов Toshiba также претендует консорциум во главе с тайваньским контрактным производителем электроники Foxconn.

reuters.com

reuters.com

Отмечается, что Apple готова поучаствовать в сделке, с кем бы она ни была заключена. Например, калифорнийский гигант намерен инвестировать 335 млрд иен в покупку Toshiba Memory компаниями Bain и SK Hynix.

Новая волна подорожания видеокарт может быть связана с дефицитом GDDR5

Не успели покупатели оправиться от подорожания графических карт, которое было вызвано криптовалютным бумом, как на этот рынок надвигается ещё одна напасть. Новая волна роста цен может быть вызвана происходящим сейчас подорожанием графической памяти. Как сообщает со ссылкой на отраслевые источники ресурс Digitimes, производители видеокарт первого эшелона уже предупредили дистрибьютеров о повышении в конце августа отпускных цен на карты семейств Nvidia GeForce GTX 1080, 1070, 1060 и 1050 на величину от 3 до 10 процентов.

Период с апреля по середину июля выдался очень неприятным моментом для тех геймеров, кто принял решение о модернизации своего компьютера. Под влиянием ажиотажного спроса со стороны майнеров на рынке графических карт возник острый дефицит, а цены серьёзно подскочили. Однако постепенно курсы основных криптовалют перестали резко расти, а сложность их добычи увеличилась, и теперь прибыльность майнинга уже не столь высока, как ранее. В результате спрос на видеокарты заметно снизился, и ситуация на рынке постепенно стала приходить в нормальное русло.

Однако, вернуться к тем значениям, которые были ранней весной, цены, по-видимому, уже не смогут. Роль начинает играть новый негативный фактор – нехватка и заметное подорожание графической памяти. Проблема в том, что основные поставщики чипов GDDR5, компании Samsung и SK Hynix, которые в сумме обеспечивают до 90 процентов поставок, переориентировали часть своих производственных линий, отданных ранее на производство графической памяти, под выпуск памяти для серверов и носимых устройств.

Из-за этого в период с июля по август стоимость GDDR5 уже поднялась с примерно $6,5 за 8-гигабитную микросхему до $8,5. Таким образом среднестатистическая видеокарта с 8 Гбайт памяти всего за месяц стала дороже в производстве на $15-20, причём, очевидно, что процесс роста цен на чипы графической памяти ещё не закончен.

Как ожидается, в течение осени этот фактор неминуемо найдёт своё отражение на магазинных ценниках.

Свыше 60% памяти для смартфонов во всём мире выпускает Samsung

Во втором квартале 2017 года выручка от продаж памяти для смартфонов — Mobile DRAM — последовательно выросла на 14,8 %. В первом квартале, подчёркивают специалисты DRAMeXchange, спрос на память оказался слабым по причине замедления темпов роста рынка смартфонов. Ситуация стала улучшаться во втором квартале, и объём выручки производителей мобильной DRAM пошёл вверх.

Среди тройки лидеров рынка мобильной памяти особняком идёт компания Samsung. Рыночная доля Samsung последовательно выросла с 58,4 % в первом квартале до 61,5 % во втором. За один квартал компания увеличила выручку на 20,7 % до $3,8 млрд. На втором месте с более чем двукратным отставанием от Samsung по выручке идёт компания SK Hynix. Доля SK Hynix на рынке мобильной DRAM за квартал сократилась с 23,9 % до 21,7 %. Но это не помешало производителю последовательно нарастить выручку за квартал на 4,3 % до $1,35 млрд.

Замыкает тройку лидеров компания Micron. Надо сказать, что за последний год Micron изменила отношение к выпуску памяти для смартфонов и начала наращивать её объёмы производства. Это нашло отражение в том, что с первого по второй квартал текущего года Micron увеличила выручку от поставок мобильной DRAM на 11,6 % до $925 млн. Доля компании на данном рынке за квартал немного сократилась с 15,3 % в первом квартале до 14,9 % во втором.

Микросхемы SK Hynix LPDDR4X

Микросхемы SK Hynix LPDDR4X

По поводу деятельности компаний SK Hynix и Micron можно добавить пару нюансов. Компания SK Hynix сознательно пошла на снижение производства памяти для смартфонов. Она всё ещё занимается модернизацией ряда своих производств по выпуску памяти NAND-флеш, как и возник некоторый дефицит памяти для твердотельных накопителей. Это привело к недопоставкам кристаллов NAND для сборки модулей eMCP — многокристальных сборок, в виде которых в основном и выпускается память для смартфонов.

forbes.com

forbes.com

Что касается компании Micron, то она покажет снижение выручки в третьем квартале. В июле, как мы сообщали, на одном из тайваньских предприятий Micron произошёл аварийный выброс азота. Авария привела к загрязнению и порче примерно 50 тыс. полупроводниковых пластин с кристаллами памяти, большинство из которых представляли собой кристаллы для мобильной памяти.

Две тайваньские компании — Nanya и Winbond, которые попали в перечень игроков рынка мобильной DRAM, последовательно снизили выручку от данного направления и свои рыночные доли. В то же время осенний спрос на память для смартфонов поможет им и, конечно же, тройке безусловных лидеров ещё больше нарастить выручку и прибыль.