Южнокорейская компания SK hynix остаётся ведущим поставщиком памяти класса HBM, это позволило ей по итогам прошлого квартала не только увеличить выручку на 75 % до $13,7 млрд, но и поднять операционную прибыль в 23 раза до $5,6 млрд. Это позволило SK hynix впервые в истории обойти по операционной прибыли компанию Samsung Electronics, которая остаётся крупнейшим производителем памяти.

Источник изображения: SK hynix

Последовательно выручка SK hynix выросла на 12 %, а операционная прибыль увеличилась на 15 % до рекордных $5,6 млрд. Ожидания аналитиков по выручке оказались выше, но операционная прибыль превысила прогнозы. К слову, это не помогло курсу акций SK hynix, которые подешевели примерно на 3 % после публикации отчёта, поскольку инвесторов огорчили прогнозы по спросу на микросхемы памяти в сегментах смартфонов и ПК. В текущем квартале поставки микросхем типа DRAM и NAND сократятся последовательно на величину от 10 до 20 %. Кроме того, представители SK hynix не ожидают улучшения ситуации со спросом на память в этих сегментах ранее второй половины текущего года. К тому времени, как ожидается, появится спрос на устройства с функциями искусственного интеллекта. Пока же на рынке ПК и смартфонов до сих пор наблюдается коррекция складских запасов. Неопределённости в прогнозах на текущий год добавляют геополитические факторы и стремление властей некоторых стран к торговому протекционизму.

При этом с начала текущего года курс акций SK hynix вырос на 30 %, поэтому публикация квартальной отчётности вызвала небольшую коррекцию. Выручка компании от реализации DRAM в прошлом квартале на 40 % определялась реализацией микросхем HBM. В текущем году объёмы продаж HBM производитель намеревается увеличить в два раза, как минимум, а в прошлом они увеличились более чем в четыре раза. При этом в связи с опережающим ростом спроса будет сохраняться дефицит памяти данного типа. Капитальные затраты SK hynix в этом году немного вырастут, она готова потратить $15 млрд на расширение своих предприятий в Южной Корее и $3,9 млрд на строительство предприятия по упаковке памяти и исследовательского центра в США.

Поставлять HBM4 в 16-ярусном исполнении компания начнёт во второй половине следующего года, но уже сейчас ведёт переговоры с потенциальными клиентами. Китайские конкуренты, по словам представителей SK hynix, будут испытывать проблемы с разработкой передовой памяти из-за экспортных ограничений США. К поставкам 12-ярусных чипов HBM3E компания уже приступила в прошлом квартале. Более чёткое представление о потребностях рынка в памяти HBM на 2026 год у руководства SK hynix появится в текущем полугодии.

Год едва начался, а осведомлённые источники уже сообщают о дальнейших планах SK hynix расширять ассортимент предлагаемой памяти для ускорителей вычислений. В июне текущего года эта южнокорейская компания намеревается начать поставки образцов HBM4 для нужд Nvidia, а к концу третьего квартала готовится развернуть серийное производство такой памяти.

Источник изображения: SK hynix

Как уже отмечалось, взятые на себя SK hynix обязательства ускорить внедрение HBM4 примерно на полгода позволили Nvidia сдвинуть сроки анонса ускорителей вычислений семейства Rubin, которым нужна такая память в 12-ярусном исполнении, с 2026 года на вторую половину текущего. Цифровые проекты чипов HBM4 у специалистов SK hynix были готовы уже к концу прошлого квартала, и теперь они приступают к плотному взаимодействию с коллегами из Nvidia по вопросу внедрения HBM4 в массовое производство. Каждый ускоритель Rubin потребует по восемь стеков HBM4, а более поздняя версия Rubin Ultra будет использовать 12 стеков HBM4.

Конкурирующая Samsung Electronics постарается завершить разработку HBM4 к середине текущего года, причём рассчитывает выпускать чипы DRAM для соответствующих стеков по более продвинутой технологии 10-нм класса, чем это собираются сделать SK hynix и Micron. Последняя намеревается наладить выпуск HBM4 только в 2026 году. В случае с выпуском HBM3E для нужд Nvidia лидером рынка остаётся SK hynix, но конкуренты постараются хоть в чём-то её опередить для получения выгодных заказов от крупнейшего разработчика ускорителей вычислений.

Недавние откровения руководства SK hynix позволили понять, что компания якобы по собственной инициативе ускорила разработку HBM4, но южнокорейские СМИ сегодня пояснили, что Nvidia как минимум не возражала против этого, поскольку собирается представить ускорители Rubin с памятью данного типа уже в третьем квартале. Samsung также ускорилась, и теперь готовится завершить подготовку HBM4 к массовому производству в текущем полугодии.

Источник изображения: Samsung Electronics

Первоначально планировалось, что в первой половине текущего года Samsung наконец-то приступит к отгрузке микросхем HBM3E для нужд Nvidia, а во втором полугодии представит HBM4, но теперь последний этап планируется ускорить почти на шесть месяцев. По меньшей мере, это позволит в случае необходимости обеспечить Nvidia вторым источником поставок памяти типа HBM4 к моменту анонса ускорителей семейства Rubin в третьем квартале. Изначально Nvidia рассчитывала представить Rubin в 2026 году, но теперь при наличии доступа к памяти типа HBM4 может ускориться.

Как отмечалось ранее, одной из особенностей памяти типа HBM4 является наличие базового кристалла, чьи функциональные особенности подгоняются под нужды конкретного заказчика. Samsung такие кристаллы для HBM4 рассчитывает выпускать собственными силами по 4-нм технологии, тогда как SK hynix будет зависеть в этой сфере от TSMC. Впрочем, это даёт SK hynix возможность получить от TSMC сразу 3-нм базовые кристаллы, тогда как Samsung будет зависеть от успехов своего контрактного подразделения в освоении передовых техпроцессов.

Разработка высокопроизводительной памяти HBM4 компанией SK hynix идёт быстрее, чем об этом просил главный потребитель такой памяти, компания Nvidia. Об этом в разговоре с журналистами заявил председатель SK Group Чей Тэ Вон (Chey Tae-won), пишет южнокорейское издание The Elec.

Источник изображения: SK hynix

Председатель SK Group рассказал, что встретился с генеральным директором Nvidia Дженсеном Хуангом (Jensen Huang) в кулуарах международной выставки электроники CES 2025 и поделился последними достижениями в области разработки памяти HBM4.

SK hynix, являющаяся самым ценным активом SK Group, занимается разработкой и производством микросхем памяти. Ранее сообщалось, что скорость разработки нового поколения чипов памяти HBM для задач, связанных с искусственным интеллектом, не удовлетворила руководство Nvidia, с которой SK hynix поддерживает тесное сотрудничество. После этого компания пообещала ускорить процесс. Во время пресс-конференции на стенде SK Group в Лас-Вегасе председатель SK Group Чей Тэ Вон заявил, что сейчас разработка новой памяти HBM4 ведётся ещё быстрее, чем того требовала Nvidia. Однако он добавил, что в будущем ситуация может измениться.

Чей Тэ Вон также отметил, что обсудил с Хуангом последние достижения Nvidia в области разработки новой платформы Cosmos, предназначенной для создания человекоподобных роботов, презентация которой состоялась ранее на этой неделе. По словам председателя SK Group, глава Nvidia подчеркнул, что Южная Корея обладает сильными позициями в производственной сфере и большим опытом в этой области.

SK hynix в настоящее время является основным поставщиком памяти HBM для Nvidia, которая использует её в своих ускорителях искусственного интеллекта.

Память семейства HBM оказалась востребована в сегменте ускорителей вычислений для систем искусственного интеллекта, и немногочисленные поставщики стараются укрепить свои позиции в этом прибыльном сегменте рынка. Samsung очевидным образом отстала от SK hynix в этой сфере, но постарается наверстать упущенное в рамках подготовки к массовому выпуску микросхем типа HBM4.

По крайней мере, на это указывает публикация южнокорейского ресурса The Chosun Daily, который ссылается на источники, знакомые с планами Samsung Electronics. По имеющейся информации, Samsung уже завершила разработку базовых кристаллов для HBM4, и поручила их производство по 4-нм технологии собственному контрактному подразделению. Тем самым Samsung надеется быстрее получить готовые образцы микросхем HBM4 и направить их потенциальным клиентам, которые в итоге могут переметнуться от SK hynix в случае успеха инициативы.

Характерной особенностью стеков HBM4 является наличие у них базового кристалла с логикой, функции которой могут отличаться от клиента к клиенту. Необходимость подобной адаптации в сочетании с ориентацией на снижение энергопотребления вынуждает SK hynix поручить производство таких базовых кристаллов тайваньской TSMC. Первоначально считалось, что они для SK hynix будут выпускаться по 5-нм технологии, и на этом фоне решение Samsung применить в аналогичных целях свой 4-нм техпроцесс выглядело более выигрышным, но некоторое время назад появилась информация о намерениях SK hynix заказать TSMC выпуск базовых кристаллов по более совершенной 3-нм технологии.

По замыслу Samsung, выпуск базовых кристаллов собственными силами позволит компании быстрее реагировать на запросы клиентов, поэтому компания рассчитывает на укрепление своих рыночных позиций после выхода на рынок своих микросхем типа HBM4. Во-вторых, Samsung рассчитывает использовать для производства кристаллов DRAM в стеке более совершенный техпроцесс 10-нм класса шестого поколения, тогда как SK hynix приписывается 10-нм техпроцесс пятого поколения. Плотно скомпонованные в стеке, насчитывающем до 16 ярусов, микросхемы могут выделять существенное количество тепла, поэтому техпроцесс их изготовления обретает особую важность.

Наконец, Samsung при производстве HBM4 рассчитывает внедрить как более прогрессивный гибридный метод формирования межслойных соединений с использованием меди, так и более современную технологию упаковки чипов TC-NCF. К массовому производству HBM4 компания намеревается приступить в этом году.

Компания Solidigm была образована в 2021 году в результате первой фазы сделки SK hynix по покупке бизнеса Intel, связанного с выпуском твердотельной памяти на территории Китая. К концу прошлого года Solidigm приняла решение свернуть поставки двух моделей своих SSD потребительского класса и сосредоточиться на серверных решениях.

Источник изображения: Solidigm

Примечательно, что вторая фаза сделки между SK hynix и Intel формально завершится только в марте этого года, когда последняя полностью передаст покупателю все активы и переведёт в его штат всех сотрудников, занятых в этом бизнесе. SK hynix интегрировала бывшие активы Intel в свою структуру в виде дочерней компании Solidigm. Представители последней подтвердили Tom’s Hardware, что снимаемые с производства накопители P41 Plus и P44 Pro окажутся последними SSD марки для потребительского сегмента. Продукты подобного назначения отныне нужно будет искать только в ассортименте изделий SK hynix. Сама Solidigm отныне сосредоточится на серверном сегменте, где ей удалось стать лидером по выпуску накопителей большой ёмкости, которые находят применение в инфраструктуре систем искусственного интеллекта. Напомним, что недавно Solidigm выпустила твердотельный накопитель объёмом 122 Тбайт.

Расстаться с амбициями по освоению потребительского рынка Solidigm решила ещё в октябре 2023 года, поскольку уже тогда сократила значительное количество сотрудников, занятых на данном направлении деятельности. Кстати, это не помешает компании поставлять «старожилов» Intel 660p и 670p до октября текущего года. Позапрошлый год в целом не был удачным для производителей твердотельных накопителей потребительского класса, поскольку цены сильно снизились. Возможно, тогда Solidigm и поняла, что нет смысла расходовать ресурсы на рыночный сегмент с весьма скромной финансовой отдачей.

Канадские эксперты TechInsights продолжают анализировать компонентную базу представленных осенью уходящего года смартфонов Huawei семейства Mate 70, их очередным открытием стало обнаружение микросхем DRAM и NAND производства SK hynix в составе Mate 70 Pro и Mate 70 Pro Plus, хотя американские санкции теоретически должны были ограничить доступ китайского гиганта к таким чипам памяти.

Источник изображения: Huawei Technologies

Во всяком случае, как сообщает South China Morning Post, внутри смартфона Mate 70 Pro исследователи обнаружили микросхему DRAM производства SK hynix объёмом 12 Гбайт, а также чип флеш-памяти NAND объёмом 512 Гбайт той же марки. В составе более дорогого смартфона Mate 70 Pro Plus аналогичный чип флеш-памяти сочетался с 16-гигабайтной микросхемой DRAM производства SK hynix.

Как поясняют авторы исследования, южнокорейская компания использовала 14-нм техпроцесс в сочетании с EUV-литографией при выпуске обеих микросхем DRAM. Принято считать, что подобную память SK hynix начала поставлять во второй половине 2021 года, девять месяцев спустя после вступления в силу экспортных ограничений США в отношении Huawei Technologies. В компании SK hynix факт сотрудничества с Huawei в указанный период всячески отрицают, но представители TechInsights при этом подчёркивают, что основная часть выпущенных Huawei в прошлом году флагманских смартфонов использовала именно чипы памяти SK hynix. В моделях попроще уже применяется память китайского производства: DRAM поставляет CXMT, а NAND выпускает YMTC. В силу каких-то причин Huawei до сих пор предпочитает комплектовать свои старшие модели смартфонов памятью производства SK hynix.

Сейчас в сфере производства передовой памяти HBM3E компании Nvidia и SK hynix тесно связаны, поскольку первая является доминирующим клиентом второй в этой сфере, и такое положение дел позволяет корейскому производителю лидировать в динамично развивающемся сегменте рынка. По слухам, в следующем году крупным получателем HBM3E от SK hynix станет и компания Broadcom.

Источник изображения: SK hynix

Как отмечает издание The Elec, Sk hynix к поставкам современных версий HBM для нужд Broadcom приступит во второй половине следующего года. Инициатором данных взаимоотношений выступила Broadcom. Принято считать, что она разрабатывает специализированные ускорители для систем искусственного интеллекта для нужд Apple или OpenAI. В отличие от решений Nvidia, они будут опираться на использование специализированных нейронных блоков, а потому смогут получить ограниченное применение.

Если изначально SK hynix рассчитывала к следующем году добиться возможности выпуска от 140 до 150 тысяч кремниевых пластин с чипами HBM в типоразмере 300 мм, то с учётом потребностей Broadcom она будет вынуждена увеличить объёмы выпуска до 160 или 170 тысяч кремниевых пластин. По итогам четвёртого квартала, как ожидает компания, выпуск HBM принесёт 40 % всей выручки SK hynix в сегменте DRAM. По мере появления в рядах клиентов компании Broadcom данная доля может увеличиться.

Broadcom в начале месяца заявила, что разработала новую технологию упаковки чипов, которая допускает интеграцию микросхем памяти типа HBM. Даже если последняя не пригодится сторонним клиентам типа OpenAI и Apple, то Broadcom может наладить выпуск серверных процессоров с такой памятью, подобных решениям Fujitsu.

Основная часть средств, предусмотренных «Законом о чипах» 2022 года на поддержку развития полупроводниковой отрасли США, уже распределена, но администрация Байдена продолжает подписывать профильные контракты с компаниями, которые заявлялись на получение субсидий. SK hynix должна получить $458 млн на строительство в США предприятия по тестированию и упаковке чипов.

Источник изображения: SK hynix

Данное предприятие будет построено в штате Индиана, об этом южнокорейская компания SK hynix заявила ещё в апреле текущего года. На реализацию проекта планируется потратить $3,87 млрд, часть мощностей будет отведена под тестирование и упаковку передовых чипов HBM, которые требуются для локального выпуска ускорителей вычислений. Важность данного типа компонентов для обеспечения суверенитета и безопасности США, по всей видимости, и обеспечила выделение $485 млн субсидий на реализацию проекта SK hynix.

Корейский производитель, который сейчас является лидирующим поставщиком HBM в мире, также может претендовать на $500 млн льготных кредитов. Выделение средств будет осуществляться поэтапно, по мере достижения проектом определённых вех в реализации. Планируется, что предприятие в Индиане обеспечит работой 1000 человек. Что характерно, конкурирующая Samsung Electronics до сих пор не получила гарантий по выделению тех $6,4 млрд, которые власти страны изначально пообещали предоставить ей на строительство новых предприятий в штате Техас. Все прочие крупные соискатели, включая TSMC, Intel и Micron, свои гарантии от властей США в этой сфере уже получили.

Подразделение корейского холдинга SK Group, в который входит SK hynix, носящее название Absolics, в этом месяце также получило гарантии властей США на предоставление $75 млн субсидий на строительство в штате Джорджия предприятия по выпуску материалов, востребованных в современной полупроводниковой промышленности.

Компания SK hynix сообщила о выпуске твердотельных NVMe-накопителей серии Platinum P51 PCIe 5.0. Новинки были впервые продемонстрированы на выставке GTC в марте этого года. До прилавков они добрались только сейчас, однако с тех пор производитель улучшил некоторые характеристики этих SSD.

Источник изображений: SK hynix

Компания заявляет для Platinum P51 PCIe 5.0 скорость последовательного чтения до 14,7 Гбайт/с. На момент анонса накопителя в марте этот показатель составлял 13,5 Гбайт/с. Скорость последовательной записи также улучшена — с 11,5 до 13,4 Гбайт/с. Производительность в операциях случайного чтения достигает 2,3 млн IOPS, а при случайной записи — до 2,4 млн IOPS.

Такие показатели делают новинку самым быстрым потребительским SSD формата M.2 на рынке — большинство других решений предлагает скорость до 14 Гбайт/с.

Ресурс Platinum P51 PCIe 5.0 объёмом 2 Тбайт заявлен на уровне 1200 TBW (терабайт перезаписанной информации). Это вполне средний показатель для современных SSD, что может несколько разочаровывать, учитывая, что накопители основаны на передовых 238-слойных чипах флеш-памяти 3D TLC NAND от SK hynix. Максимальный объём для этой серии составляет 2 Тбайт, в то время как в неё также вошли модели объёмом 1 Тбайт и 500 Гбайт.

Независимые тесты Platinum P51 PCIe 5.0 подтверждают заявленный производителем уровень производительности, по крайней мере в бенчмарке CrystalDiskMark.

Информация о стоимости накопителей Platinum P51 PCIe 5.0 пока отсутствует.

Принято считать, что для производства микросхем памяти в целом используются менее дорогостоящие литографические технологии, но современная память становится более сложной по своей компоновке, а потому при её выпуске востребована продвинутая литография. SK hynix намерена привлечь TSMC к производству стеков HBM4 с использованием 3-нм техпроцесса со второй половины 2025 года.

Источник изображения: SK hynix

Об этом сообщает издание The Korea Economic Daily со ссылкой на осведомлённые источники. Передовой техпроцесс потребуется для производства базового кристалла для кастомных HBM4, которые будут выпускаться специально для Nvidia. В базовом кристалле располагается логика и на его основе формируется вертикальный стек. Первоначально SK hynix рассчитывала выпускать этот кристалл по 5-нм технологии, но в ходе переговоров с TSMC и крупными клиентами обеих компаний было принято решение об использовании более продвинутого 3-нм техпроцесса для этих целей. Память типа HBM4 корейский поставщик надеется начать отгружать для нужд Nvidia во второй половине 2025 года.

Как ожидается, прототип микросхемы HBM4 на базе 3-нм основания будет продемонстрирован SK hynix в марте следующего года. Получаемые сейчас Nvidia от TSMC графические процессоры выпускаются по 4-нм технологии. По некоторым оценкам, перевод базового чипа HBM4 на 3-нм технологию производства позволит поднять быстродействие памяти на 20–30 % относительно 5-нм варианта. SK hynix контролирует примерно половину мирового рынка HBM, основную часть своей продукции данного типа она поставляет для нужд Nvidia. Конкурирующая Samsung не может сертифицировать свою HBM3E для использования в продукции Nvidia, а ещё она собирается использовать при производстве HBM4 лишь 4-нм базовые кристаллы. Память типа HBM4 уже относится к шестому поколению данных микросхем.

В свою очередь, базовые кристаллы для стандартных стеков HBM4 и HBM4E, которые будут получать все прочие клиенты SK hynix кроме Nvidia, будут выпускаться по 12-нм техпроцессу, также силами TSMC. Базовые кристаллы для HBM3E корейская компания выпускает самостоятельно, но в свете перехода к HBM4 решила углубить сотрудничество с TSMC в данной сфере. Утверждается, что по просьбе Nvidia компания SK hynix ускорила разработку и процесс подготовки к массовому производству микросхем HBM4. Ранее она собиралась наладить выпуск HBM4 в начале 2026 года, а теперь готова сделать это примерно на полгода раньше. Тем временем, памятью типа HBM4 интересуется и компания Tesla, она пока выбирает между продукцией SK hynix и Samsung Electronics.

В сфере производства памяти класса HBM лидируют южнокорейские компании SK hynix и Samsung Electronics, которые сообща контролируют примерно 96 % этого рынка, причём первая серьёзно опережает вторую в сегменте передовой HBM3E. Китайская компания CXMT пытается наладить самостоятельный выпуск HBM2, но американские санкции мешают ей сделать это, а потому серийное производство китайской памяти такого типа будет освоено не ранее 2025 года.

Источник изображения: CXMT

Так считают аналитики, на прогноз которых ссылается издание South China Morning Post. Эксперты TechInsights поясняют, что используемая китайскими разработчиками ускорителей вычислений память класса HBM поступает от южнокорейских SK hynix и Samsung Electronics, поскольку находящаяся под санкциями в Китае американская Micron Technology в этой цепочке поставок участвовать не может.

Деятельность китайской CXMT по разработке методов производства HBM привлекла внимание американских регуляторов, поэтому санкции против этой компании усиливаются, и ей становится всё сложнее следовать намеченной цели. Попытки приступить к производству HBM флагманом китайской промышленности предпринимаются с 2023 года, но они преимущественно ограничены экспериментальной стадией и регистрацией необходимых для организации производства патентов. По словам представителей Morgan Stanley, компания CXMT сотрудничает с одним из китайских игроков рынка услуг по упаковке и тестированию чипов, что совершенно закономерно.

В совокупности, обе китайские компании с 2022 года оформили около 100 патентных заявок, связанных с технологиями производства памяти типа HBM. По мнению аналитиков TechInsights, компания CXMT сможет наладить серийный выпуск HBM2 не ранее 2025 года, причём уровень выхода годной продукции не превысит 30 %, а потому подобная память останется не только дефицитной, но и очень дорогой. CXMT в условиях санкций имеет доступ только к оборудованию, позволяющему работать с 17-нм и 18-нм техпроцессами, тогда как зарубежные конкуренты уже шагнули в диапазон ниже 10 нм. При этом CXMT уже способна контролировать 11 % мировых мощностей по выпуску памяти типа DRAM, за последние пару лет она увеличила объёмы её выпуска почти в четыре раза.

Заслужившая право считаться лидером рынка южнокорейская SK hynix свою память типа HBM2 представила в 2018 году, а чип HBM первого поколения она выпустила первой в мире в 2013 году. Два месяца назад компания запустила массовое производство 12-слойной HBM3E, которая является самой продвинутой в отрасли на данный момент. В следующем году такая память станет самой распространённой в сегменте актуальных ускорителей вычислений. Китайские производители в этом смысле отстают от неё минимум на два поколения продукции, даже если рассуждать об их возможностях чисто теоретически.

По мере роста цен на флеш-память её производители воспряли духом и начали рассказывать о дальнейших планах по совершенствованию технологий её выпуска. SK hynix на этой неделе сообщила, что приступает к массовому производству первой в мире 321-слойной памяти 3D NAND (сама компания называет её 4D NAND), которую начнёт поставлять клиентам в следующем полугодии.

Источник изображения: SK hynix

Являясь лидером в сегменте HBM, востребованной ускорителями вычислений для ИИ, компания SK hynix теперь претендует на статус «поставщика полного цикла» памяти для систем искусственного интеллекта. Она напоминает, что в июне прошлого года стала первым в мире поставщиком 238-слойной памяти NAND, а теперь за счёт применения передовых технологий монтажа стеков внутри микросхемы первой преодолела рубеж в 300 слоёв. Терабитные микросхемы 321-слойной памяти 3D NAND её клиенты начнут получать в первой половине 2025 года.

Прогресс в увеличении количества слоёв памяти был достигнут за счёт совершенствования технологии создания вертикальных каналов и применения материала с большей механической стабильностью. При этом 321-слойная память была разработана на той же платформе, что и 238-слойная. Переход на выпуск нового поколения при этом повысит производительность производства на 59 % с минимальными рисками.

Кроме того, новое поколение памяти повышает скорость передачи информации на 12 % и повышает скорость чтения на 13 %, при этом энергетическая эффективность данных операций увеличивается более чем на 10 %. Такие микросхемы станут хорошей основой для современных скоростных твердотельных накопителей, применяемых в системах искусственного интеллекта.

Компания Solidigm анонсировала новую модель твердотельного накопителя в семействе D5-P5336 — ёмкость новинки составляет впечатляющие 122,88 Тбайт. На рынок SSD выйдет сначала в формфакторе U.2, а за ним последует вариант формата E1.L 9,5 мм. Ориентирована новинка на использование в серверах.

Источник изображений: Solidigm

Компания и ранее выпускала накопители D5-P5336, но до настоящего момента самый вместительный из них имел ёмкость 61,44 Тбайт. Новый вариант на 122,88 Тбайт сохранил все возможности предыдущих, в том числе поддержку PCIe 4.0 и NVMe 2.0, а также потребление менее 5 Вт в режиме ожидания. PCIe 4.0 не является стандартом последнего поколения, но это не значит, что этот SSD медленный: скорость последовательного чтения составляет до 7400 Мбайт/с, а скорость случайного чтения достигает 930 000 IOPS.

Диск отличается высокой долговечностью, утверждает Solidigm — его ресурс составляет 134,3 PBW. Это означает, что накопитель можно эксплуатировать в режиме 24/7, выполняя случайную запись блоками по 32 кбайт в течение пяти лет подряд, и по истечении этого срока у него останутся ещё 5 % срока службы. Компания уже начала рассылать клиентам образцы новых SSD в формфакторе U.2, а полномасштабные поставки стартуют в I квартале будущего года; в начале следующего года начнётся рассылка образов накопителя формата E1.L 9,5 мм с поставками во II квартале. Цены на Solidigm D5-P5336 ёмкостью 122,88 Тбайт не уточняются.

Бывшая сотрудница компании SK hynix, 36-летняя гражданка Китая, была осуждена на 18 месяцев тюремного заключения и оштрафована на 20 млн вон (около $14 000) за кражу критически важной технологии производства полупроводников перед переходом на работу в Huawei. Суд Южной Кореи признал её виновной в нарушении Закона о защите промышленной технологии (ITA Amendment), отметив, что обвиняемая распечатала около 4000 страниц технической документации с целью повысить свою ценность на новом месте работы.

Источник изображений: Pixabay

Карьера подсудимой в SK hynix началась в 2013 году, где она занималась анализом дефектов в производстве полупроводников. В 2020 году она была назначена на должность руководителя команды, отвечающей за работу с бизнес-клиентами китайского филиала компании, что предполагало доступ к обширному массиву технологических данных и конфиденциальной информации. Этот опыт позволил ей претендовать на более высокооплачиваемую позицию в Huawei, на которую она согласилась в июне 2022 года.

Суд отверг доводы подсудимой о том, что распечатка документов — около 4000 страниц за 4 дня — была необходима для учебных целей и передачи дел. Защита настаивала, что эти материалы копировались исключительно для выполнения рабочих задач. Однако суд отметил, что такие действия выглядели необычно: документы были распечатаны в июне 2022 года, всего за несколько дней до её увольнения из компании и последующего трудоустройства в Huawei. При этом кража данных произошла в офисе SK hynix в Шанхае, где меры безопасности были менее строгими.

Суд установил, что подсудимая ежедневно выносила примерно по 300 страниц распечатанных документов, пряча их в рюкзаке и сумке для покупок. Этот методичный и систематический подход вызвал подозрение в преднамеренном нарушении конфиденциальности данных, что не ускользнуло от следствия. Обвинение подчеркнуло, что сведения, связанные с технологиями производства полупроводников, могли представлять значительную ценность для нового работодателя подсудимой.

Суд также предположил, что переход обвиняемой на работу в Huawei сразу после ухода из SK hynix мог свидетельствовать о её намерении использовать похищенную техническую документацию для подтверждения своей профессиональной значимости. Вскоре после возвращения в Южную Корею в июне 2022 года она приступила к обязанностям в Huawei, что вызвало у следствия серьёзные подозрения.

Однако при вынесении приговора суд учёл отсутствие доказательств того, что украденная информация действительно была использована на новом месте работы, а также отсутствие заявленных материальных претензий со стороны SK hynix. Эти обстоятельства стали основанием для сокращения срока заключения и ограничения размера штрафа.

Судебное разбирательство также позволило раскрыть меры безопасности, которые SK hynix принимает для защиты конфиденциальных данных. В компании запрещено использование съёмных носителей, таких как USB-накопители, а все печатные материалы подвергаются строгому контролю: фиксируются содержание документа, данные о пользователе принтера и назначение печати. Тем не менее подсудимой удалось обойти эти меры безопасности в шанхайском офисе SK hynix, откуда документы и были ею похищены.