Крупные технологические компании в 2024 году увеличили инвестиции в искусственный интеллект, благодаря чему операционная маржа Samsung и SK hynix, как ожидают аналитики, превысит 40 %. Два корейских производителя решили расширить сегмент DRAM — благодаря интенсивному росту ИИ он обещает превзойти остальное полупроводниковое производство.

Источник изображения: skhynix.com

Samsung построит производственную линию PH3 для DRAM и других компонентов на заводе в Пхёнтхэке в провинции Кёнгидо и приостановит строительство чистой комнаты для контрактного полупроводникового производства, узнало издание Korea Electronic Daily. На заводе будут выпускаться чипы DRAM для памяти HBM, которая станет устанавливаться на ИИ-ускорители AMD. Капитальные затраты Samsung на DRAM за исключением расходов на строительство зданий по итогам 2024 года вырастут на 9,2 % и достигнут $9,5 млрд — это рекордный показатель с 2020 года. А в 2025 году они, как ожидается, увеличатся ещё сильнее и достигнут $12 млрд.

SK hynix в минувшем году была вынуждена сократить производство, а теперь готова более чем утроить расходы на сектор DRAM: в 2023 году они были $2,3 млрд, а в 2024 году могут достичь $7,1 млрд. Глобальный рынок чипов памяти растёт: отрасль, которая включает в себя DRAM и NAND, в этом году готова продемонстрировать почти двухкратный рост до $175 млрд — для сравнения, рынок полупроводникового производства, на котором доминирует TSMC, остановится на $120,3 млрд. В 2025 году рынок чипов памяти превысит отметку в $200 млрд, из которых на DRAM придутся $162 млрд.

Источник изображения: samsung.com

Samsung и SK hynix намереваются вложить миллиарды долларов в разработку продуктов нового поколения, включая технологию обработки данных в памяти (Processing In Memory — PIM) и интерфейс CXL (Computer Express Link). В начале года SK hynix получила заманчивое предложение от производителя ИИ-ускорителей, который попросил корейскую компанию построить выделенную линию по производству чипов памяти и обещал внести авансовый платёж более чем в 500 млрд вон ($372,41 млн). Но SK hynix была вынуждена отклонить это предложение, поскольку уже обязалась поставить продукцию на 1 трлн вон ($744,81 млн) для Nvidia — мирового лидера в сегменте ИИ-ускорителей.

В этом году 13 крупнейших технологических компаний США и Китая, в том числе Google и Alibaba Group, намереваются вложить в центры обработки данных ИИ $226,2 млрд, и это на 33,7 % больше, чем в 2023 году. В 2025 году этот показатель вырастет дополнительно на 13,4 % до $256,6 млрд. Значительная часть этого бюджета, вероятно, будет потрачена на ИИ-ускорители, а значит, спрос на DRAM ещё останется высоким. Цены на память HBM, на которую приходятся 26 % ёмкости DRAM у Samsung и 28 % — у SK hynix, по состоянию на конец 2025 года будут в пять или шесть раз выше, чем на DDR5, что увеличит прибыльность обеих компаний. Рентабельность операционной прибыли Samsung и SK hynix составит более 40 %.

Компания SK hynix объявила о разработке первого в отрасли чипа DDR5 ёмкостью 16 Гбит, который будет выпускаться по технологическому процессу 1c — это самое передовое, шестое поколение технологии производства 10-нм класса.

Источник изображения: news.skhynix.com

Со сменой поколений технологий 10-нм класса конструкция компонентов DRAM усложняется, а плотность памяти растёт — теперь SK hynix сообщила, что ей первой на рынке удалось преодолеть технологические ограничения и обозначить переход на производственные нормы нового поколения. Новая технология 1c обещает повышение производительности и ценовой конкурентоспособности. Будучи реализованной для DDR5, она в перспективе будет адаптирована и для других продуктов, в том числе HBM, LPDDR6 и GDDR7. «Мы продолжим работать над закреплением лидерства в области DRAM и позиции самого надёжного поставщика решений памяти для ИИ», — заявил глава отдела разработки DRAM Ким Чжонхван (Kim Jonghwan).

Массовое производство чипов DDR5 с использованием технологии 1c будет готово к запуску в течение года, а уже в 2025-м SK hynix намеревается начать массовые поставки этой продукции. Компания внедрила новые материалы при работе оборудования со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) и добилась повышения производительности на 30 %, изменив конструкционное исполнение компонентов.

Чипы DDR5 нового поколения 1c будут работать на скорости до 8 Гбит/с — на 11 % быстрее компонентов предыдущего, а их энергоэффективность удалось повысить более чем на 9 %. Развёртывание памяти нового образца в центрах обработки данных поможет предприятиям снизить расходы на электроэнергию на 30 %, подсчитали в SK hynix — это важно, потому что в эпоху активного использования оборудования для систем искусственного интеллекта потребление энергии преимущественно растёт.

Лидеры по производству микросхем памяти Samsung Electronics и SK hynix отмечают, что Китай значительно увеличил импорт южнокорейских чипов в первой половине 2024 года. Продажи Samsung Electronics в Китае выросли на 82 процента, а SK Hynix — на 122 процента. Причём 96 % выручки в Китае SK hynix обеспечили именно микросхемы памяти. Продажи Samsung в Китае более диверсифицированы и, в дополнение к микросхемам, охватывают смартфоны и бытовую технику.

Источник изображения: unsplash.com

Выручка от поставок в Китай чипов Samsung в первом полугодии 2024 года составила 32,35 трлн вон ($24,1 млрд), что на 82 % выше, чем аналогичный результат предыдущего года. На Китай пришлось около 31 % региональной выручки Samsung в размере 104,9 трлн вон, что на 28 % больше, чем за тот же период годом ранее.

SK Hynix также сообщила о росте продаж в Китае, при этом выручка от китайских клиентов выросла до 8,6 трлн вон ($6,4 млрд), что на 122 % выше результата за аналогичный период предыдущего года. Поставки в Китай принесли компании 30 % от 28,8 трлн вон ($21,49 млрд) общего дохода за первое полугодие. На фоне массированных поставок в Китай складские запасы SK Hynix во втором квартале сократились до самого низкого уровня за последние семь лет.

Рост продаж отмечается на фоне ожиданий ужесточения санкций США в отношении высокотехнологичной полупроводниковой продукции. Аналитики предполагают, что китайские импортёры вынуждены увеличивать складские запасы в преддверии обнародования новых ограничений. Особенно возросла активность закупок чипов, используемых в системах ИИ, таких как высокоскоростная память стандарта HBM (high-bandwidth memory).

На фоне бума генеративного ИИ китайским технологическим гигантам, таким как Huawei и Baidu, требуется всё больше полупроводниковой продукции, включая микросхемы памяти, центральные процессоры и графические процессоры. В октябре 2023 года ужесточение экспортных ограничений США остановило поставку в Китай и ряд других стран интегральных схем с более чем 50 миллиардами транзисторов. Однако память HBM пока не подпадает под эти ограничения, если продаётся как отдельный компонент.

Ещё одним фактором роста продаж стало восстановление цен, последовавшее за прошлогодним сокращением производства ведущими игроками полупроводникового рынка на фоне вялого спроса.

По данным TrendForce, выручка Samsung и SK Hynix от поставок DRAM во втором квартале составила 43 % и 35 % мирового рынка соответственно. При этом SK Hynix контролирует более 50 % рынка памяти HBM.

Южнокорейская компания SK hynix является крупнейшим поставщиком памяти типа HBM, по размеру чистой прибыли она среди соотечественников уже уступает только Samsung Electronics, а потому заинтересована в сохранении технологического лидерства в этой сфере. Представители SK hynix недавно признались, что компания намерена увеличить производительность HBM в 30 раз от текущего уровня.

Источник изображения: SK hynix

Соответствующее заявление, как отмечает Business Korea, сделал на этой неделе вице-президент компании Рю Сон Су (Ryu Seong-su), выступавший на отраслевом форуме в южнокорейской столице. SK hynix собирается разработать память семейства HBM, которая по уровню быстродействия смогла бы превзойти существующие образцы в 30 раз. «Мы собираемся разрабатывать продукты, которые будут быстрее нынешней HBM в 20 или 30 раз, концентрируясь на выводе на рынок дифференцированных продуктов», — пояснил Рю Сон Су.

Компании, входящие в так называемую «великолепную семёрку» (Apple, Microsoft, Alphabet (Google), Amazon, Nvidia, Meta✴ Platforms и Tesla), часто обращаются к SK hynix с просьбой адаптировать поставляемую память HBM под их нужды. Чтобы удовлетворить эти запросы, SK hynix требуется огромное количество инженерных ресурсов, по словам представителя компании, но она собирается развиваться в этом направлении. Уже в рамках семейства HBM4 этот производитель намеревается предлагать клиентам адаптированные под их потребности варианты памяти. При этом SK hynix стремится к самостоятельному формированию отраслевых стандартов в данной сфере, а не следовать предложенным другими компаниями решениям. Кастомизация памяти станет существенным фактором, меняющим ход развития всей полупроводниковой отрасли, как считают в SK hynix.

Цены на твердотельные накопители корпоративного назначения в последнее время выросли на 80 %, поскольку они оказались востребованы в системах искусственного интеллекта. Компания SK hynix и её подразделение Solidigm, сформированное на основе бывшего китайского предприятия Intel, собираются увеличить объёмы выпуска памяти 3D NAND для твердотельных накопителей корпоративного назначения.

Источник изображения: SK hynix

Компании готовы отдать приоритет производству памяти типа QLC 3D NAND, на основе которой будут изготавливаться твердотельные накопители большой ёмкости для корпоративных систем. По данным отраслевых источников, на которые ссылается The Chosun Daily, компания SK hynix начала постепенно наращивать объёмы обработки кремниевых пластин на своём предприятии M15 в Чхонджу, чтобы к концу года повысить производительность линий на 10 %. Высокий спрос на корпоративные SSD позволил компании Solidigm завершить второй квартал без убытков, и теперь она рассчитывает увеличить объёмы производства твердотельной памяти на 5 % к началу следующего года.

Потребность систем искусственного интеллекта в скоростных накопителях большой ёмкости обусловлена тем, что они в своей работе создают «точки отката», которые позволяют вернуться к определённому состоянию в случае каких-то сбоев в работе. Кроме того, системам искусственного интеллекта свойственно обрабатывать большие объёмы данных, поэтому спрос на SSD с их стороны растёт. По прогнозам TrendForce, в ближайшие несколько лет спрос на SSD будет ежегодно расти в среднем на 60 % именно благодаря развитию систем ИИ.

Память типа QLC 3D NAND оптимальна для использования в твердотельных накопителях большой ёмкости в составе систем ИИ, поскольку в каждой ячейке может храниться по четыре бита данных, и это позволяет добиться высокой плотности хранения информации при низких энергозатратах. Накопители большой ёмкости на основе QLC 3D NAND сейчас выпускают только Samsung Electronics и Solidigm, причём последняя считается лидером в сегменте накопителей объёмом 60 Тбайт. Её контролеры также не имеют особых проблем с точки зрения совместимости с серверной инфраструктурой. SK hynix в следующем году планирует выпустить QLC-накопители объёмом 64 Тбайт и 128 Тбайт соответственно. Компания рассчитывает войти в число лидеров сегмента и в следующем году будет получать до половины выручки от реализации NAND именно от продукции, продающейся в корпоративном сегменте.

Потерпев определённые неудачи на поприще поставок HBM3E для нужд Nvidia, южнокорейская компания Samsung Electronics старается наверстать упущенное при подготовке к массовому выпуску памяти типа HBM4. Уже к концу этого года она будет располагать цифровыми проектами соответствующих чипов, а массовое производство 12-слойных стеков HBM4 должна наладить до конца следующего.

Источник изображения: Samsung Electronics

По крайней мере, так описывает планы Samsung южнокорейское издание The Elec. Рассчитывать на формальный анонс HBM4 в исполнении Samsung в этом случае приходится в привязке к весне 2025 года, поскольку от создания цифрового проекта до начала выпуска первых образцов продукции обычно проходит от трёх до четырёх месяцев. Скорее всего, Samsung сможет приступить к поставкам образцов HBM4 своим клиентам в течение следующего года.

По данным источника, Samsung намеревается наладить выпуск логической части чипа HBM4 с использованием своего 4-нм техпроцесса, а микросхемы памяти в стеке будут производиться по техпроцессу 10-нм класса шестого поколения (1c). Конкурирующая SK hynix собирается наладить выпуск 12-слойной памяти HBM4 во второй половине следующего года, логическую часть она будет производить по 5-нм или 12-нм технологии силами TSMC, а вот микросхемы памяти в стеке она будет выпускать самостоятельно, но пока не определилась с конкретной ступенью 10-нм техпроцесса (1b или 1c). Компании Samsung для подготовки к выпуску чипов HBM4 с использованием технологии 1c придётся вложиться в оснащение профильных производственных линий. Установка оборудования начнётся в середине следующего года, массовое производство планируется развернуть уже в 2026 году. К тому времени AMD и Nvidia выпустят свои ускорители вычислений Instinct MI400 и Rubin, которые будут оснащаться памятью типа HBM4.

Производители микросхем оперативной памяти по примеру коллег из сегмента логических микросхем внедряют использование EUV-литографии, но это приводит к повышению затрат. Чтобы оправдать его, как считают представители SK hynix, микросхемы памяти нужно перевести на использование вертикальной компоновки транзисторов, и тогда фактическая себестоимость памяти даже снизится.

Источник изображения: SK hynix

Соответствующие комментарии Со Джэ Ука (Seo Jae Wook), отвечающего в SK hynix за научные исследования, приводит южнокорейский ресурс The Elec. Классический подход к использованию EUV-литографии в производстве микросхем памяти, по его словам, вряд ли можно считать рациональным с точки зрения влияния на себестоимость. Зато если перейти на использование транзисторов с вертикальной компоновкой (VG или 4F2), то площадь кристалла памяти можно сократить на 30 % по сравнению с классической технологией 6F2, и в комбинации с EUV такая компоновка позволит снизить затраты в два раза.

Samsung Electronics также рассматривает возможность производства так называемой 3D DRAM с «вертикальными» транзисторами, как и SK hynix, эта компания рассчитывает использовать техпроцессы с нормами менее 10 нм. Отрасль по производству оперативной памяти дальше не может полагаться только на планарную компоновку транзисторов, поскольку внедрение EUV-оборудования в данном случае становится неоправданно дорогим. Зато в сочетании с новой структурой транзисторов внедрение EUV-литографии может себя оправдать, как отмечают представители SK hynix. Впрочем, внедрение новой компоновки транзисторов потребует использования не только нового оборудования, но и новых материалов при производстве микросхем DRAM. Скорее всего, в массовом производстве технология приживётся не ранее 2027 года. В следующем десятилетии Samsung намеревается внедрить выпуск многослойной памяти DRAM.

Ведущим производителем передовых версий памяти HBM остаётся компания SK hynix, которая в то же время уступает Samsung Electronics по общим масштабам производства. Необходимость переориентировать под выпуск HBM3 и HBM3E часть линий по производству DDR5 вынуждает участников рынка повышать цены на последний тип продукции. В результате SK hynix повысила цены на DDR5 на 15–20 %.

Источник изображения: SK hynix

Если бы рост цен осуществлялся за счёт более естественных факторов цикличного возвращения спроса на DRAM, то он не был бы таким заметным. Развитие систем искусственного интеллекта провоцирует рост спроса не только на микросхемы HBM, но и классическую DDR, поскольку требуются всё новые серверные мощности, которые за счёт одних только ускорителей вычислений с памятью HBM не масштабируются.

В этом году SK hynix рассчитывает переориентировать на выпуск HBM более 20 % своих мощностей по выпуску DRAM, тогда как Samsung Electronics готова пожертвовать 30 % существующих линий по выпуску DRAM. Правда, чтобы реализовать эти намерения с наибольшей отдачей, Samsung сначала должна заручиться крупными заказами от той же Nvidia, а пока из комментариев представителей южнокорейской компании понятно лишь то, что процесс сертификации данной продукции под требования этого заказчика всё ещё продолжается.

Не секрет, что в условиях бума искусственного интеллекта производители памяти становятся одними из главных выгодоприобретателей наряду с разработчиками чипов для ускорителей вычислений. В первом квартале SK hynix увеличила выручку на 144,3 %, что позволило ей стать третьим по величине производителем чипов, Intel пока удерживает вторую позицию, а первую заняла компания Samsung Electronics, которая нарастила выручку на 78,8 %.

Источник изображения: Samsung Electronics

Тот факт, что Samsung долгое время не могла получить сертификат на соответствие своих микросхем памяти HBM3 и HBM3E требованиям Nvidia к компонентам для современных ускорителей вычислений, не отменяет возможности Samsung поставлять свою память HBM прочих поколений для нужд всех участников рынка. Во-вторых, восстановление спроса на память в целом благоприятно сказалось на выручке Samsung в первом квартале, а потому она выросла на 78,8 % до $14,9 млрд.

Источник изображения: IDC

Эксперты IDC отмечают, что высокие цены на микросхемы HBM также способствовали ускорению роста выручки производителей памяти. По сравнению с DRAM классической компоновки, микросхемы HBM стоят в четыре или пять раз дороже, а переориентация линий по выпуску DRAM на производство HBM дополнительно способствовало росту цен и на обычную DDR. В конечном итоге производители памяти извлекали выгоду из этих тенденций. В пятёрку крупнейших производителей чипов по итогам первого квартала попали три производителя памяти, включая Micron, которая заняла четвёртое место и продемонстрировала рост выручки на 57,7 % до $5,8 млрд. В денежном выражении производители памяти получили половину всей выручки десяти крупнейших производителей чипов. В статистику IDC вошли компании, которые сами и разрабатывают, и производят полупроводниковую продукцию.

В целом на нужды сектора вычислительных решений в первом квартале пришлось 35 % выручки десяти крупнейших производителей чипов, за год эта доля выросла сразу на шесть процентных пунктов. Следом идёт сегмент телекоммуникационных решений. Автомобильный сегмент сейчас пытается предотвратить затоваривание складов, поскольку всплеск активности на этом направлении после порождённого пандемией дефицита натолкнулся на некоторое охлаждение спроса. Не исключено, что автомобильный сегмент в сочетании с рынком компонентов для средств промышленной автоматизации в третьем квартале продемонстрирует некоторое оживление спроса, как поясняют представители IDC. На протяжении всего текущего года лидирующие позиции на рынке IDM с точки зрения динамики изменения выручки будут занимать производители памяти, по мнению экспертов IDC.

Бум систем искусственного интеллекта воодушевил производителей памяти семейства HBM, а ведущие позиции на этом рынке сейчас занимает южнокорейская SK hynix. Руководство этой компании выражает уверенность, что высокий спрос на микросхемы памяти сохранится как минимум до середины следующего года. В дальнейшем он тоже может оставаться высоким, но для подобных прогнозов у компании просто нет достаточных данных.

Источник изображения: SK hynix

По словам издания Korean Economic Daily, соответствующие заявления генеральный директор SK hynix Квак Но Чун (Kwak Noh-jung) на собрании с участием сотрудников компании сделал в минувшую среду. «Оживление на рынке памяти сохранится до конца первой половины следующего года. Спрос на HBM способствовал возникновению перелома в отрасли по производству памяти», — буквально заявил руководитель SK hynix. Во втором квартале операционная прибыль компании достигла шестилетнего максимума в размере $3,96 млрд, норма операционной прибыли выросла до рекордных 33 %, а выручка выросла в годовом сравнении на 124,7 % до $11,86 млрд.

Помимо активного наращивания производственных мощностей для выпуска HBM, компания SK hynix намеревается своевременно осваивать новые типы продукции. Наладить выпуск 12-слойных микросхем типа HBM4 этот южнокорейский производитель рассчитывает во второй половине следующего года. Глава SK hynix не стал торопиться с прогнозами на вторую половину следующего года с точки зрения сохранения высокой динамики спроса, но в компании это объясняют не наличием причин сомневаться в её сохранении, а просто в отдалённости этого периода для обеспечения достоверного прогнозирования.

Среди иностранных претендентов на получение средств по «Закону о чипах» в США в один момент оказалась южнокорейская компания SK hynix, которая в апреле текущего года заявила о своих намерениях вложить $3,87 млрд в строительство предприятия по упаковке чипов памяти в штате Индиана. Сейчас компанией достигнута договорённость о получении финансовой поддержки от властей США при реализации проекта.

Источник изображения: SK hynix

Формально, как отмечается в официальном заявлении, договорённость носит предварительный характер, но компания уже рассчитывает получить от властей США не только $450 млн безвозвратных субсидий, но и льготные кредиты на сумму $500 млн, а также право на 25-процентный налоговый вычет, который будет распространяться на капитальные затраты SK hynix при строительстве своего предприятия в штате Индиана. Прежде чем средства будут выделены, SK hynix предстоит пройти проверку на соответствие условиям предоставления таких льгот.

Отдельно подчёркивается, что предприятие в Индиане будет служить цели удовлетворения спроса на память для сегмента искусственного интеллекта. Соответственно, на этой площадке SK hynix будет упаковывать память типа HBM актуальных поколений, чтобы снабжать ею ту же Nvidia. Если последняя сможет поручить выпуск профильных чипов американским предприятиям TSMC, то фактически полностью готовые ускорители вычислений можно будет выпускать в США. В любом случае, снижение зависимости от азиатских предприятий для американских разработчиков чипов будет благоприятным итогом строительства предприятия SK hynix в Индиане. Компания также собирается готовить кадры для этого завода с привлечением местного Университета Пердью.

По мере того, как борьба за лидерство в сфере HBM обостряется, конкуренция на рынке NAND также возрастает. Компания SK hynix приступила к разработке 400-слойной флеш-памяти NAND для обеспечения более высокой плотности хранения данных, планируя запустить технологию в массовое производство к концу 2025 года.

Источник изображения: SK hynix

Согласно сообщению аналитического издания TrendForce со ссылкой на отчёт корейского издания etnews, SK hynix в настоящее время уже сотрудничает с партнёрами и поставщиками оборудования, связи с которыми необходимы для разработки технологических процессов для производства NAND с более чем 400 слоями с помощью гибридной технологии соединения «пластина-к-пластине» (W2W). Увеличение числа слоёв должно улучшить производительность и энергоэффективность NAND-памяти, что, по мнению специалистов, положительно скажется на характеристиках устройств, её использующих.

Ранее компания использовала метод Peripheral Under Cell (PUC) и помещала управляющую логику под ячейки NAND, но с увеличением числа слоёв возникли проблемы с повреждением периферийных схем из-за высокого тепла и давления. Новый же метод предполагает изготовление ячеек и управляющих схем на отдельных пластинах с последующим их соединением, что должно привести к беспроблемному увеличению числа слоёв NAND.

Но не только SK hynix занимается исследованиями и разработкой в области наращивания количества слоёв NAND-памяти. Ранее Samsung подтвердила, что начала серийный выпуск 1-терабитной трёхуровневой ячейки (TLC) 9-го поколения NAND (V-NAND), с числом слоёв, достигающим 290, поставив цель увеличения количества уровней V-NAND до 1000 к 2030 году. В свою очередь американская компания Micron Technology анонсировала клиентский SSD 2650, который стал первым продуктом, построенным на 276-уровневой 3D NAND. А японский производитель микросхем памяти Kioxia после успешного увеличения количества уровней 3D NAND до 218 в 2023 году заявил о возможности достижения 1000 уровней к 2027 году.

SK hynix сообщила, что до конца текущего квартала запустит массовое производство графической памяти нового поколения GDDR7. Компания вела разработку новой памяти на фоне роста спроса на компоненты для систем ИИ со стороны клиентов по всему миру.

Источник изображений: skhynix.com

Первые микросхемы GDDR7 от SK hynix предложат рабочую скорость 32 Гбит/с на контакт, что на 60 % выше, чем у памяти предыдущего поколения GDDR6. В будущем компания планирует добиться от микросхем GDDR7 повышения скорости до 40 Гбит/с. Подсистемы памяти высокопроизводительных видеокарт на новых чипах смогут обеспечивать общую пропускную способность выше 1,5 Тбайт/с.

Энергоэффективность памяти нового поколения выросла более чем на 50 %, утверждает производитель — этого удалось достичь благодаря новой технологии упаковки, которая помогла решить проблему нагрева при быстрой обработке данных. Число слоёв теплорассеивающих подложек было увеличено с четырёх до шести, а эпоксидный формовочный компаунд (EMC) в упаковке помог снизить тепловое сопротивление на 74 % по сравнению с предыдущим поколением — при этом размеры микросхемы не изменились, что облегчит внедрение.

Глава отдела планирования и внедрения продукции DRAM в SK hynix Сангквон Ли (Sangkwon Lee) заявил, что GDDR7 будет использоваться в широком спектре оборудования, включая 3D-графику, ИИ, высокопроизводительные вычисления и автономное вождение. «Мы продолжим работу по усилению нашего статуса как самого надёжного поставщика решений памяти для ИИ, укрепив линейку премиальной памяти», — заявил господин Ли.

Тема соответствия продукции Samsung требованиям Nvidia к микросхемам памяти типов HBM3 и HBM3E не сходит с новостных лент, и новые данные говорят о том, что первый тип памяти уже получил одобрение заказчика, а второй должен сделать это в течение ближайших четырёх месяцев. Впрочем, существует риск, что это долгожданное событие произойдёт уже в 2025 году.

Источник изображения: Samsung Electronics

О злоключениях Samsung Electronics в этой сфере с новыми силами рассказывает агентство Bloomberg. По данным информированных источников, Samsung уже получила одобрение Nvidia на использование своих микросхем типа HBM3 в продукции данного разработчика графических процессоров, и первым изделием с таким сочетанием компонентов может стать ускоритель вычислений H20, созданный специально для китайского рынка с учётом действующих американских санкций.

Что касается более современных микросхем памяти HBM3E в исполнении Samsung, то их компания надеется сертифицировать по требованиям Nvidia либо через два, либо через четыре месяца — в зависимости от исполнительской дисциплины задействованных сотрудников и везения. К концу года Samsung хотела бы наладить поставки микросхем HBM3E для нужд Nvidia. Если же всё пойдёт не по плану, то благословенный момент может передвинуться на 2025 год.

Как известно, более мелкая компания SK hynix не только опережает Samsung по темпам вывода на рынок новых видов памяти семейства HBM, но и контролирует более половины мирового рынка таких микросхем. Аналитики Morgan Stanley полагают, что в случае успеха с сертификацией своей памяти под требования Nvidia компания Samsung уже в следующем году займёт не менее 10 % мирового рынка, и это позволит ей заметно нарастить выручку. Эксперты ожидают, что ёмкость мирового рынка HBM с прошлогодних $4 млрд к 2027 году вырастет до $71 млрд. Даже если Samsung немного отстаёт от конкурентов сейчас, имеющиеся в её распоряжении производственные мощности позволят быстро наверстать упущенное и найти себе достойное место на рынке.

Некоторые источники считают, что до сих пор Samsung подводило принятое ранее решение использовать для соединения слоёв памяти в стеке по методу TC-NCF с тепловой компрессией непроводящей плёнки. SK hynix использует другой метод, и её доля на рынке HBM не позволяет сомневаться в его эффективности. При этом Samsung не сомневается в востребованности метода TC-NCF на рынке и не демонстрирует готовности модифицировать технологию объединения слоёв памяти в стеке. И всё же, источники утверждают, что ради получения одобрения от Nvidia южнокорейский гигант пошёл на модификацию технологии выпуска HBM3. Производством памяти этого типа компания занимается со второй половины прошлого года.

HBM3E впервые начала использоваться Nvidia в этом году, причём сейчас она получает эти микросхемы только от SK hynix. В следующем году HBM3E будет пользоваться значительно большим спросом, и SK hynix оперативно удовлетворить потребности рынка просто не сможет, даже если сдержит обещание увеличить объёмы выпуска HBM3E в четыре раза. Micron Technology также успела получить одобрение на использование своих микросхем HBM3E в продукции Nvidia, поэтому на очереди осталась лишь Samsung. Компания прилагает усилия к завершению сертификации как 8-слойных, так и 12-слойных микросхем этого типа по требованиям Nvidia.

В следующем году должна закрыться вторая часть сделки SK hynix по покупке у Intel бизнеса по производству твердотельной памяти, который преимущественно строился вокруг предприятия по выпуску 3D NAND в китайском Даляне. По слухам, новые владельцы бизнеса рассматривают возможность вывода компании Solidigm на американский фондовый рынок.

Источник изображения: Solidigm

Как напоминает ресурс Blocks & Files, первая часть объявленной в октябре 2020 сделки подразумевала продажу SK hynix за $7 млрд предприятия Intel в Даляне, на котором выпускались микросхемы памяти 3D NAND и твердотельные накопители на их основе. Второй этап сделки подразумевал передачу в 2025 году интеллектуальной собственности и штата разработчиков Intel в Даляне, а также занятого на производстве в этом городе бывшего персонала американской компании. За это SK hynix должна в следующем году выплатить Intel ещё $2 млрд. Профильный бизнес, доставшийся корейским инвесторам от Intel, уже некоторое время работает под названием Solidigm. В прошлом квартале, по данным корейских СМИ, данная компания впервые получила прибыль после 12 подряд убыточных кварталов.

Как известно, сама SK hynix намеревается вкладывать серьёзные средства в развитие производственного кластера в южнокорейском Йонъине. Строительство первого предприятия по выпуску памяти на этой площадке стартует в марте 2025 года и завершится в мае 2027 года, оно потребует $6,8 млрд инвестиций. Соответственно, закрытие сделки с Intel вынудит SK hynix в следующем году потратить ещё $2 млрд на выплату продавцу. По слухам, SK hynix размышляет о возможном выходе Solidigm на IPO в США, чтобы за счёт привлечённых средств инвесторов сократить собственные капитальные затраты. Представители SK hynix эти слухи прокомментировали скупо: «Solidigm рассматривает различные стратегии роста, но никаких решений пока не принято».

Аналитики Wedbush считают, что восстановление финансовых потоков Solidigm делает структурное обособление этой компании от SK hynix более вероятным. Успех затеи с IPO, по их мнению, будет во многом зависеть от структуры разделения активов, включая технологические планы развития. В настоящий момент предприятие в Даляне, которое досталось Solidigm от Intel, рассчитывает освоить выпуск памяти 3D NAND не более чем с 196 слоями, что нельзя назвать передовым технологическим показателем.