Компания Solidigm анонсировала новую модель твердотельного накопителя в семействе D5-P5336 — ёмкость новинки составляет впечатляющие 122,88 Тбайт. На рынок SSD выйдет сначала в формфакторе U.2, а за ним последует вариант формата E1.L 9,5 мм. Ориентирована новинка на использование в серверах.

Источник изображений: Solidigm

Компания и ранее выпускала накопители D5-P5336, но до настоящего момента самый вместительный из них имел ёмкость 61,44 Тбайт. Новый вариант на 122,88 Тбайт сохранил все возможности предыдущих, в том числе поддержку PCIe 4.0 и NVMe 2.0, а также потребление менее 5 Вт в режиме ожидания. PCIe 4.0 не является стандартом последнего поколения, но это не значит, что этот SSD медленный: скорость последовательного чтения составляет до 7400 Мбайт/с, а скорость случайного чтения достигает 930 000 IOPS.

Диск отличается высокой долговечностью, утверждает Solidigm — его ресурс составляет 134,3 PBW. Это означает, что накопитель можно эксплуатировать в режиме 24/7, выполняя случайную запись блоками по 32 кбайт в течение пяти лет подряд, и по истечении этого срока у него останутся ещё 5 % срока службы. Компания уже начала рассылать клиентам образцы новых SSD в формфакторе U.2, а полномасштабные поставки стартуют в I квартале будущего года; в начале следующего года начнётся рассылка образов накопителя формата E1.L 9,5 мм с поставками во II квартале. Цены на Solidigm D5-P5336 ёмкостью 122,88 Тбайт не уточняются.

Бывшая сотрудница компании SK hynix, 36-летняя гражданка Китая, была осуждена на 18 месяцев тюремного заключения и оштрафована на 20 млн вон (около $14 000) за кражу критически важной технологии производства полупроводников перед переходом на работу в Huawei. Суд Южной Кореи признал её виновной в нарушении Закона о защите промышленной технологии (ITA Amendment), отметив, что обвиняемая распечатала около 4000 страниц технической документации с целью повысить свою ценность на новом месте работы.

Источник изображений: Pixabay

Карьера подсудимой в SK hynix началась в 2013 году, где она занималась анализом дефектов в производстве полупроводников. В 2020 году она была назначена на должность руководителя команды, отвечающей за работу с бизнес-клиентами китайского филиала компании, что предполагало доступ к обширному массиву технологических данных и конфиденциальной информации. Этот опыт позволил ей претендовать на более высокооплачиваемую позицию в Huawei, на которую она согласилась в июне 2022 года.

Суд отверг доводы подсудимой о том, что распечатка документов — около 4000 страниц за 4 дня — была необходима для учебных целей и передачи дел. Защита настаивала, что эти материалы копировались исключительно для выполнения рабочих задач. Однако суд отметил, что такие действия выглядели необычно: документы были распечатаны в июне 2022 года, всего за несколько дней до её увольнения из компании и последующего трудоустройства в Huawei. При этом кража данных произошла в офисе SK hynix в Шанхае, где меры безопасности были менее строгими.

Суд установил, что подсудимая ежедневно выносила примерно по 300 страниц распечатанных документов, пряча их в рюкзаке и сумке для покупок. Этот методичный и систематический подход вызвал подозрение в преднамеренном нарушении конфиденциальности данных, что не ускользнуло от следствия. Обвинение подчеркнуло, что сведения, связанные с технологиями производства полупроводников, могли представлять значительную ценность для нового работодателя подсудимой.

Суд также предположил, что переход обвиняемой на работу в Huawei сразу после ухода из SK hynix мог свидетельствовать о её намерении использовать похищенную техническую документацию для подтверждения своей профессиональной значимости. Вскоре после возвращения в Южную Корею в июне 2022 года она приступила к обязанностям в Huawei, что вызвало у следствия серьёзные подозрения.

Однако при вынесении приговора суд учёл отсутствие доказательств того, что украденная информация действительно была использована на новом месте работы, а также отсутствие заявленных материальных претензий со стороны SK hynix. Эти обстоятельства стали основанием для сокращения срока заключения и ограничения размера штрафа.

Судебное разбирательство также позволило раскрыть меры безопасности, которые SK hynix принимает для защиты конфиденциальных данных. В компании запрещено использование съёмных носителей, таких как USB-накопители, а все печатные материалы подвергаются строгому контролю: фиксируются содержание документа, данные о пользователе принтера и назначение печати. Тем не менее подсудимой удалось обойти эти меры безопасности в шанхайском офисе SK hynix, откуда документы и были ею похищены.

Немалая часть микросхем памяти Samsung и SK hynix выпускается на территории Китая, и профильное оборудование требует обновления и замены. Как отмечает издание Chosun Daily, компания Samsung готовится продать выведенное из эксплуатации оборудование для выпуска памяти типа 3D NAND со своего китайского предприятия на внутреннем рынке.

Источник изображения: Samsung Electronics

Предполагается, Samsung попытается найти новых владельцев для своего бывшего в употреблении оборудования для выпуска 100-слойной памяти типа 3D NAND. Наиболее вероятными кандидатами на покупку являются китайские производители памяти, но до сих пор Samsung и SK hynix предпочитали продавать оборудование через посредников, избегая прямых сделок с китайскими компаниями. Samsung собирается переводить своё предприятие в китайском Сиане на выпуск 200-слойной памяти.

По правилам экспортного контроля в США, которые вступили в силу в октябре 2022 года, поставки в Китай оборудования для выпуска памяти 3D NAND с более чем 128 слоями запрещены. Samsung и SK hynix смогли выбить для себя освобождение от этих ограничений на неопределённый срок. Однако, реализация бывшего в употреблении оборудования на территории Китая представляет для корейских компаний определённый риск даже в случае с техникой, предназначенной для выпуска памяти по более старым нормам. Сама Samsung намеревается к 2026 году наладить выпуск 400-слойной памяти типа 3D NAND. Удастся ли компании найти в Китае покупателей для своего старого оборудования без ущерба для взаимоотношений с американскими чиновниками, станет понятно в следующем году, когда вопрос об избавлении от этого оборудования обретёт высокую актуальность.

SK hynix ускорит выпуск нового поколения чипов памяти HBM для задач, связанных с работой ИИ, после того, как глава компании Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang) спросил южнокорейского поставщика микросхем о возможности начать поставки образцов новой памяти на шесть месяцев раньше изначально запланированного срока. Решение свидетельствует о сохраняющемся мировом спросе на передовые полупроводники, пишет Bloomberg.

Источник изображения: TechPowerUp

Хуанг поднял вопрос о будущей высокопроизводительной памяти HBM4 в ходе встречи с председателем SK Group Чеем Тэ Воном (Chey Tae-won), о чём сам южнокорейский бизнесмен сообщил в кулуарах саммита SK AI по вопросам технологий ИИ в понедельник, пишет издание. Чей считает, что Хуанг преуспел в качестве лидера отчасти благодаря своему акценту на скорости внедрения новых решений на рынок.

Ранее SK hynix сообщила, что придерживается графика и планирует начать поставки памяти HBM4 своим клиентам во второй половине 2025 года. Эти планы она в очередной раз подтвердила в рамках финансового отчёта в октябре. Южнокорейская компания является ключевым поставщиком микросхем памяти HBM, которые используются в составе специальных ИИ-ускорителей Nvidia.

Как пишет Bloomberg, судьба поставок памяти HBM4 в 2025 году зависит от того, сможет ли южнокорейский производитель чипов вовремя завершить сложный процесс квалификации микросхем со стороны Nvidia. Однако по словам топ-менеджера SK Group, «обе стороны находятся на одной волне» по вопросу графика выпуска HBM4. Как сообщается, в то же время сама Nvidia пока не может удовлетворить спрос на достаточное количество ИИ-чипов. По словам Чея, обе компании работают над тем, чтобы решить проблему сохраняющегося дефицита поставок.

SK hynix в понедельник также раскрыла некоторые дополнительные подробности о дорожной карте своих будущих продуктов. Производитель микросхем планирует выпустить 16-слойные чипы памяти HBM3E в начале 2025 года, а также выпустить микросхемы HBM5 и HBM5E в 2028–2030 годах. В прошлом месяце компания отчиталась о рекордном квартальной выручке и сообщила о планах начать поставки своих самых передовых на данный момент 12-слойных чипов памяти HBM3E в четвёртом квартале этого года.

Компания Samsung Electronics, которая изо всех сил пытается догнать SK hynix в сегменте производства ИИ-чипов, заявила, что планирует массовое производство микросхем памяти HBM4 во второй половине следующего года. Samsung рассчитывает, что её продукты HBM4 помогут конкурировать с SK hynix в поставках для Nvidia.

SK hynix представила первые в мире стеки памяти HBM3E ёмкостью 48 Гбайт из 16 кристаллов — это новый рекорд для архитектуры 16-Hi. На SK AI Summit 2024 в Сеуле генеральный директор компании Квак Но Чун (Kwak Noh-Jung) объявил о стратегии SK hynix, направленной на превращение компании в поставщика полного ассортимента решений на базе памяти DRAM и NAND для ИИ.

Источник изображений: SK hynix

Квак Но-Чжун отметил, что роль памяти за последние десятилетия претерпела значительные изменения: от хранения данных на персональных компьютерах (ПК) и смартфонах до поддержки функционирования облачных сервисов и социальных сетей. В будущем, с развитием ИИ, память будет играть ещё более важную роль, способствуя созданию новых форм взаимодействия и творчества для пользователей. Концепция «Креативной памяти», разработанная SK hynix, строится на применении полупроводников нового поколения, обеспечивающих мощные вычислительные возможности, необходимые для выполнения сложных задач.

SK hynix активно стремится к инновациям, создавая уникальные решения, не имеющие аналогов. В качестве основы выбраны продукты категории Beyond Best, отличающиеся высокой конкурентоспособностью и оптимальными инновациями, ориентированными на потребности ИИ-систем. В начале следующего года компания планирует представить тестовые образцы памяти HBM3E объёмом 48 Гбайт, подчёркивая свою готовность к внедрению передовых достижений в области памяти для ИИ.

HBM3E с архитектурой 16-Hi обеспечивает повышение производительности до 18 % в процессах обучения ИИ-моделей и до 32 % — при обработке данных по сравнению с решениями на основе 12-Hi, заявляет SK hynix. С ростом спроса на ИИ-ускорители для обработки данных это решение поможет SK hynix упрочить своё положение на рынке памяти для ИИ. Для массового производства 16-слойной HBM3E будет использована усовершенствованная технология Advanced MR-MUF, ранее успешно применявшаяся для 12-Hi решений.

Кроме HBM3E, SK hynix разрабатывает решения для других секторов, включая модули LPCAMM2 для ПК и дата-центров, а также энергоэффективную память LPDDR5 и LPDDR6, выполненную по техпроцессу 1c.

Компания также планирует интегрировать логику в базовый кристалл в памяти HBM4, что станет возможным благодаря партнёрству с одним из ведущих производителей логических полупроводников. Это позволит SK hynix разрабатывать кастомизированные HBM-решения, адаптированные к специфическим запросам клиентов по объёму, пропускной способности и функциональным характеристикам.

Память HBM3E обеспечивает скорость передачи данных на контакт 9,2 Гбит/с, что даёт пропускную способность выше 1,2 Тбайт/с

В ответ на растущие потребности ИИ-систем в увеличении объёма памяти SK hynix разрабатывает решения на основе CXL-сетей, которые обеспечат интеграцию различных типов памяти в массивы высокой ёмкости. Параллельно компания разрабатывает eSSD с ультравысокой ёмкостью, что позволит эффективно хранить большие объёмы данных на ограниченном пространстве и с оптимальным энергопотреблением.

Стремясь преодолеть так называемый «барьер памяти», SK hynix разрабатывает технологии с встроенными вычислительными возможностями. Такие решения, как Processing near Memory (PNM), Processing in Memory (PIM) и Computational Storage, позволят обрабатывать колоссальные объёмы данных, минимизируя задержки и увеличивая пропускную способность. Эти инновации откроют новые перспективы для ИИ-систем нового поколения, позволяя выполнять ресурсоёмкие задачи с минимальными задержками.

Инвесторы, по всей видимости, закрыли глаза на снижение операционной прибыли Samsung в полупроводниковом сегменте последовательно на 40 %, как только услышали заявление руководства о намерениях начать продажи передовой HBM3E в четвёртом квартале. Акции южнокорейского гиганта выросли в цене на 3,6 %, хотя общие итоги предыдущего квартала к этому не особо располагали.

Источник изображения: Samsung Electronics

Прежде всего, как отмечает Bloomberg, исполнительный вице-президент Samsung Electronics Чжэ Чжу Ким (Jaejune Kim), отвечающий за выпуск памяти, признался в наличии существенного прогресса в сертификации микросхем HBM3E новейшего поколения с крупным клиентом, в которым легко угадывается Nvidia. По его словам, Samsung собирается начать поставки передовых микросхем HBM3E в текущем квартале.

До этого, напомним, у Samsung регулярно возникали трудности с получением подобного сертификата, хотя руководство Nvidia свою заинтересованность в использовании HBM3E производства Samsung демонстрировало ещё весной текущего года. Впрочем, пока нельзя оценить, насколько массовыми будут поставки 12-ярусных микросхем памяти типа HBM3E производства Samsung в текущем квартале, если речь идёт именно о них. Так или иначе, курс акций конкурирующей SK hynix, которая контролирует половину рынка, снизился сегодня на 4,6 %.

Напомним, что операционная прибыль Samsung в полупроводниковом сегменте по итогам третьего квартала не только последовательно сократилась на 40 %, но и не оправдала ожидания аналитиков. SK hynix в прошлом квартале получила рекордную операционную прибыль, пообещав начать поставки своих 12-ярусных микросхем HBM3E в текущем квартале. Samsung же готова наращивать выпуск HBM3E в ущерб прочим типам памяти, она также сделала это направление приоритетным для капитальных затрат. Рассчитывая потратить на эти нужды $35 млрд в текущем году, Samsung собирается наладить выпуск HBM4 во второй половине следующего года.

В сегменте контрактного производства чипов, как отмечает Samsung, размер капитальных расходов в этом году уменьшится по сравнению с предыдущим, но компания всё равно намеревается обновлять свои производственные линии, специализирующиеся на зрелой литографии. Нарастить собственную выручку в контрактном сегменте компания рассчитывает за счёт улучшения уровня выхода годной продукции по передовым техпроцессам. Мировой рынок подобных услуг в денежном выражении в следующем году вырастет на двузначное количество процентов, по мнению руководства Samsung.

Сегмент смартфонов в текущем квартале последовательно вырастет, спрос на старшие модели будет этому способствовать, но основная конкуренция будет наблюдаться в среднем ценовом диапазоне. Из-за этого могут измениться как объёмы поставок устройств, так и их средняя цена реализации.

Занимая второе место в мировом рейтинге производителей памяти в целом, южнокорейская SK hynix остаётся крупнейшим поставщиком востребованных ускорителями вычислений микросхем памяти типа HBM. Благоприятная конъюнктура позволила компании по итогам третьего квартала обновить рекорды как по выручке, так и по прибыли.

Источник изображения: SK hynix

Выручка SK hynix в третьем квартале выросла в годовом сравнении на 94 % до $12,7 млрд в пересчёте по курсу, а операционная прибыль превзошла ожидания аналитиков, достигнув уровня в $5,08 млрд против убытков в размере $1,3 млрд годом ранее. Помимо поставок HBM, компания выигрывает на фоне бума систем искусственного интеллекта за счёт поставок твердотельных накопителей в серверном сегменте. В минувшем квартале серверное направление обеспечило более 60 % выручки в сегменте NAND.

В натуральном выражении объёмы поставок микросхем семейства HBM выросли более чем на 70 % последовательно и более чем в три раза по сравнению с аналогичным периодом прошлого года. Даже после такого бурного роста SK hynix не стесняется заявить, что рассчитывает на сохранение тенденции и в следующем году. Сегменты DRAM и NAND в следующем году вырастут на 15–19 % в денежном выражении, как считают представители производителя.

Кроме того, спрос на память в сегменте ПК и смартфонов тоже начнёт расти, поскольку потребители начнут интересоваться новыми моделями устройств с функциями локального ускорения работы систем искусственного интеллекта. Представители компании считают, что отрасль по производству памяти почти миновала кризисную фазу и теперь готова к восстановлению спроса. В текущем квартале SK hynix начнёт поставлять 12-ярусные стеки памяти типа HBM3E. В ближайшей перспективе это поможет ей увеличить долю доходов от реализации HBM с 30 до 40 % совокупной выручки. К поставкам микросхем HBM4 компания намеревается приступить во второй половине следующего года. Руководство SK hynix убеждено, что о снижении спроса на HBM в сегменте ИИ говорить преждевременно.

Лидируя на мировом рынке как поставщик памяти в целом, южнокорейская компания Samsung Electronics страдает от конкуренции с SK hynix в быстро растущем сегменте HBM, поскольку до сих пор не может наладить поставки новейших микросхем HBM3E для нужд Nvidia. По некоторым данным, Samsung потребуется внести изменения в дизайн этих чипов, на что уйдёт до шести месяцев времени.

Источник изображения: Samsung Electronics

По информации ZDNet, у Samsung возникли проблемы с производством не только базового чипа для стеков памяти HBM3E, но и самих микросхем DRAM, его формирующих. Дело в том, что компания изначально замахнулась на использование технологии 1α с несколькими слоями, обрабатываемыми с использованием EUV-литографии. В конечном итоге это должно было сделать микросхемы памяти более дешёвыми, но Samsung не удалось добиться стабильного уровня качества при их производстве. Micron и SK hynix предпочитают придерживаться более зрелого техпроцесса 1β, причём последняя ограничивается единственным слоем кристалла, который обрабатывается с использованием EUV. В случае с Samsung их количество достигает пяти, и это создаёт проблемы при производстве.

Сейчас Samsung, как отмечается, обсуждает возможность изменения дизайна своих микросхем DRAM, которые формируют стек HBM3E, ради повышения уровня выхода годной продукции. Если эти изменения в процесс производства решено будет внести, то на их внедрение может уйти до шести месяцев, и тогда Samsung сможет приступить к поставкам HBM3E, соответствующей требованиям Nvidia, не ранее второго квартала следующего года. Источники попутно сообщают, что представители Nvidia посетили предприятие Samsung, где выпускаются 8-слойные стеки HBM3E, и по результатам проверки выяснилось, что они уступают по уровню быстродействия до 10 % аналогичным по характеристикам изделиям SK hynix и Micron.

Официальные органы статистики Южной Кореи уже подвели итоги сентября, которые показали, что уже второй месяц подряд цены на DRAM растут не так быстро, как в предыдущие периоды. Аналогичная тенденция ещё сильнее выражена в сегменте NAND. Возможно, это указывает на снижение спроса на микросхемы памяти в связи с близящимся насыщением рынка.

Источник изображения: Samsung Electronics

Для Южной Кореи экспорт микросхем памяти является важнейшим драйвером национальной экономики. В этой стране выпускает основную часть своей памяти лидирующая на мировом рынке компания Samsung Electronics. Уступающая ей по общей структуре ассортимента продукции SK hynix контролирует более половины мирового рынка HBM и продолжает укреплять свои позиции. Это самый динамично растущий сегмент рынка памяти, что объясняется бумом систем искусственного интеллекта, для которых и нужны соответствующие микросхемы. Южная Корея остаётся крупнейшим экспортёром микросхем памяти.

HBM относится к категории DRAM, в сентябре цены на микросхемы данного класса выросли год к году на 55,4 %, что ниже августовских 57,3 %. Конечно, о падении цен говорить вообще не приходится, но они по крайней мере начинают расти более медленными темпами. В сегменте NAND августовские 126,5 % прироста сменились в сентябре ростом цен на 117,4 %. Память данного типа менее востребована в системах искусственного интеллекта, поэтому спрос на неё может подогреваться преимущественно в потребительском сегменте и той части серверного, которая ориентирована на скоростной обмен данными.

К концу октября SK hynix и Samsung Electronics объявят об итогах работы за III квартал и, как ожидается, SK Hynix может превзойти Samsung Electronics по объёму операционной прибыли от производства полупроводников, пишет KoreaTimes.

Источник изображения: SK hynix

Согласно консенсус-прогнозу аналитиков, операционная прибыль SK Hynix в III квартале вырастет до 6,76 трлн вон (около $5 млрд), а выручка составит около 17,99 трлн вон (около $13,3 млрд). Если прогнозы оправдаются, компания может достичь рекордно высокого уровня квартальной операционной прибыли, несмотря на негативные перспективы мирового рынка чипов памяти.

Как ожидают аналитики, у Samsung Electronics операционная прибыль в III квартале составит 10,77 трлн вон ($7,96 млрд), а операционная прибыль его подразделения Device Solutions (DS) упадет до 5,2 – 6,3 трлн вон ($3,85 – $4,66 млрд). Samsung Electronics не раскрывает в прогнозе подробности по каждому бизнес-подразделению. По оценкам экспертов, на DS приходится более 50 % всей операционной прибыли южнокорейского технологического гиганта.

Это означает, что SK hynix может превзойти Samsung Electronics по величине прибыли от производства чипов на 400 млрд – 1,5 трлн вон, что станет ударом по сложившейся репутации Samsung как крупнейшей в мире компании по производству микросхем памяти. Эксперты не исключают, что SK hynix может обогнать Samsung и по показателю операционной прибыли за год.

Повышение прибыльности SK hynix связывают с ростом выпуска чипов HBM, которые она поставляет NVIDIA, являясь её крупнейшим поставщиком.

Аналитик SK Securities Хан Донг-хи (Han Dong-hee) отметил, что растущий выпуск восьмислойной HBM3e приведёт к заметному росту средней цены продажи чипов памяти SK Hynix. По его прогнозу, доля продаж HBM в выручке компании от производства DRAM превысит 30 %. HBM примерно в 3–5 раз дороже обычных продуктов DRAM, что обеспечивает более высокую прибыльность для SK hynix.

Недавно SK hynix начала массовое производство 12-слойных чипов HBM3e. В отчёте за II квартал SK hynix заявила в июле, что «ожидает 300-процентного или более высокого роста своего бизнеса HBM в этом году».

Samsung Electronics тоже производит чипы HBM3e, но, как сообщается, NVIDIA всё ещё тестирует её продукцию. Согласно данным TrendForce, в 2023 году SK hynix лидировала на мировом рынке HBM с долей 53 %, за ней следовала Samsung (38 %).

Статистика за август, опубликованная официальными органами Южной Кореи, свидетельствует об ускорении сокращения складских запасов полупроводниковой продукции. Они оказались на 42,6 % меньше, чем годом ранее. Если учесть, что в июле разница составляла 34,3 %, то можно говорить об ускорении опустошения складов.

Источник изображения: Samsung Electronics

При этом по итогам августа объёмы производства чипов выросли только на 10,3%, тогда как объёмы поставок увеличились на 16,1 %. По сути, на протяжении основной части третьего квартала наблюдался рост спроса на полупроводниковую продукцию южнокорейского происхождения. Если учесть, что основную её часть составляют чипы памяти, а внутри этого сегмента сейчас наиболее востребована HBM, можно говорить о сохранении высокого спроса на компоненты для систем искусственного интеллекта.

Крупнейшим поставщиком HBM остаётся SK hynix, более крупная в глобальном масштабе Samsung Electronics довольствуется вторым местом. На этой неделе выйдет сентябрьская статистика по экспорту товаров из Южной Кореи, включая полупроводниковые изделия. С мая темпы роста экспорта на полупроводниковом направлении снижаются, вызывая опасения по поводу сохранения дальнейшего бума. По итогам августа валовой объём выпуска промышленных товаров в Южной Корее вырос в годовом сравнении на 3,8% против ожидаемых 1,9 %.

Накануне южнокорейская компания SK hynix в официальном пресс-релизе сообщила, что приступила к массовому производству памяти типа HBM3E с 12-слойных стеках ёмкостью по 36 Гбайт. Это не только самая современная память такого типа, но и самая ёмкая из ныне выпускаемых. Клиенты SK hynix получат эту память к концу текущего года.

Источник изображения: SK hynix

Нетрудно догадаться, что среди этих клиентов будет Nvidia, поскольку SK hynix остаётся главным поставщиком HBM различных поколений для этого разработчика графических процессоров и ускорителей вычислений. До сих пор, как отмечается в пресс-релизе южнокорейской компании, предельный объём в 24 Гбайта обеспечивался 8-слойным стеком HBM3E. Чипы DRAM, формирующие стек, компании удалось сделать на 40 % более тонкими, что в итоге позволило увеличить ёмкость стека на 50 % по сравнению с 8-слойным вариантом. SK hynix приступила к поставкам 8-слойных стеков HBM3E в марте этого года, поэтому соответствующий прогресс был ею достигнут всего за шесть месяцев.

С 2013 года SK hynix поставляет полный спектр микросхем семейства HBM. Скорость передачи информации в 12-слойном стеке HBM3E достигает 9,6 Гбит/с. Увеличение количества слоёв в стеке при одновременном уменьшении толщины каждого слоя сочетается с улучшением свойств теплопроводности на 10 % по сравнению с памятью предыдущего поколения. На утренних торгах в Сеуле котировки акций SK hynix выросли на 8,3 % после заявления о начале производства самой современной памяти семейства HBM. Всего с начала года акции компании укрепились в цене более чем на 25 %. Такой динамике способствовал и благоприятный прогноз по выручке на текущий квартал от конкурирующего производителя памяти Micron Technology.

Южнокорейская полупроводниковая промышленность имеет огромное значение для национальной экономики, и при этом продолжает демонстрировать растущую зависимость от поставок сырья из Китая, как показало опубликованное на этой неделе исследование Экспортно-импортного банка Кореи.

По крайней мере, данные 2022 года показывают, что зависимость Южной Кореи от Китая по поставкам кремния выросла с 68,8 до 75,4 %, по редкоземельным металлам с 59,6 до 61,7 %, по вольфраму с 68,2 до 68,6 %, по германию с 56,9 до 74,3 %, а по галлию и индию с 26,5 до 46,7 %. Имеются примеры снижения зависимости: применяемый при производстве плавиковой кислоты плавиковый шпат с точки зрения импорта из Китая в Южную Корею по итогам 2022 года сократил свой удельный вес с 49,9 до 47,5 %. Вся полупроводниковая промышленность Южной Кореи сильно зависит от импортируемого сырья, и на китайском направлении это выражено сильнее всего.

При этом в последние годы южнокорейские производители памяти не торопятся выводить свои предприятия из Китая, поскольку в ходе переговоров с властями США им удалось добиться некоторых послаблений. Соответственно, Samsung Electronics на своём предприятии в китайском Сиане выпускала по итогам 2022 года около 36 % всей памяти NAND, а в прошлом году увеличила её долю до 37 %. Китайское предприятие SK hynix в Уси обеспечивало в 2021 году 49 % всего выпуска микросхем DRAM, но в прошлом году долю удалось сократить до 42 %, хотя в этом она всё равно останется выше 40 %. Впрочем, запрет на инвестиции в китайские предприятия заметно сократил поток капитала из Южной Корее, как отмечается в отчёте.

Эксперты также поясняют, что для эффективного снижения зависимости южнокорейской промышленности от Китая необходимо внедрять информационные системы, которые позволяли бы оперативно отслеживать изменения, а также лучше координировать национальную промышленную политику с интересами страны в сфере безопасности.

Южнокорейская компания SK hynix, второй по величине производитель микросхем памяти в мире, начнёт массовый выпуск 12-слойных стеков высокоскоростной памяти HBM3E к концу текущего месяца. Об этом пишет издание Reuters со ссылкой на заявление одного из руководителей высшего звена производителя.

Источник изображения: SK hynix

Заявление о скором старте массового производства памяти HBM3E сделал Джастин Ким (Justin Kim), президент и глава подразделения SK hynix для ИИ-инфраструктуры, выступая на отраслевом форуме Semicon Taiwan в Тайбэе.

SK hynix ещё в июле раскрыла планы по поставкам чипов памяти HBM нового поколения (12-слойных HBM3E). Производитель сообщил, что массовые поставки таких чипов запланированы на четвёртый квартал этого года, а памяти HBM4 начнутся со второй половины 2025 года.

Память с высокой пропускной способностью (HBM) — это один из типов динамической памяти с произвольным доступом (DRAM). Стандарт был впервые представлен в 2013 году. Для экономии места и снижения энергопотребления эти чипы памяти состоят из нескольких кристаллов, наложенных друг на друга. Основное применение таких стеков памяти сегодня — специализированные графические ускорители для работы с алгоритмами искусственного интеллекта (ИИ). Использование памяти с высокой пропускной способностью позволяет обрабатывать огромные объёмы данных, необходимых для обучения моделей ИИ.

В мае генеральный директор SK hynix Квак Но Чун (Kwak Noh-Jung) заявил, что компания набрала заказов на производство памяти HBM на весь 2024 год и почти закрыла весь 2025 год.

Помимо SK hynix ключевыми поставщиками памяти HBM являются компании Micron и Samsung Electronics. SK hynix является основным поставщиком чипов HBM для Nvidia. В конце марта производитель поставил образцы памяти HBM3E одному из своих клиентов, однако в SK hynix отказались уточнять, кому именно.

Крупные технологические компании в 2024 году увеличили инвестиции в искусственный интеллект, благодаря чему операционная маржа Samsung и SK hynix, как ожидают аналитики, превысит 40 %. Два корейских производителя решили расширить сегмент DRAM — благодаря интенсивному росту ИИ он обещает превзойти остальное полупроводниковое производство.

Источник изображения: skhynix.com

Samsung построит производственную линию PH3 для DRAM и других компонентов на заводе в Пхёнтхэке в провинции Кёнгидо и приостановит строительство чистой комнаты для контрактного полупроводникового производства, узнало издание Korea Electronic Daily. На заводе будут выпускаться чипы DRAM для памяти HBM, которая станет устанавливаться на ИИ-ускорители AMD. Капитальные затраты Samsung на DRAM за исключением расходов на строительство зданий по итогам 2024 года вырастут на 9,2 % и достигнут $9,5 млрд — это рекордный показатель с 2020 года. А в 2025 году они, как ожидается, увеличатся ещё сильнее и достигнут $12 млрд.

SK hynix в минувшем году была вынуждена сократить производство, а теперь готова более чем утроить расходы на сектор DRAM: в 2023 году они были $2,3 млрд, а в 2024 году могут достичь $7,1 млрд. Глобальный рынок чипов памяти растёт: отрасль, которая включает в себя DRAM и NAND, в этом году готова продемонстрировать почти двухкратный рост до $175 млрд — для сравнения, рынок полупроводникового производства, на котором доминирует TSMC, остановится на $120,3 млрд. В 2025 году рынок чипов памяти превысит отметку в $200 млрд, из которых на DRAM придутся $162 млрд.

Источник изображения: samsung.com

Samsung и SK hynix намереваются вложить миллиарды долларов в разработку продуктов нового поколения, включая технологию обработки данных в памяти (Processing In Memory — PIM) и интерфейс CXL (Computer Express Link). В начале года SK hynix получила заманчивое предложение от производителя ИИ-ускорителей, который попросил корейскую компанию построить выделенную линию по производству чипов памяти и обещал внести авансовый платёж более чем в 500 млрд вон ($372,41 млн). Но SK hynix была вынуждена отклонить это предложение, поскольку уже обязалась поставить продукцию на 1 трлн вон ($744,81 млн) для Nvidia — мирового лидера в сегменте ИИ-ускорителей.

В этом году 13 крупнейших технологических компаний США и Китая, в том числе Google и Alibaba Group, намереваются вложить в центры обработки данных ИИ $226,2 млрд, и это на 33,7 % больше, чем в 2023 году. В 2025 году этот показатель вырастет дополнительно на 13,4 % до $256,6 млрд. Значительная часть этого бюджета, вероятно, будет потрачена на ИИ-ускорители, а значит, спрос на DRAM ещё останется высоким. Цены на память HBM, на которую приходятся 26 % ёмкости DRAM у Samsung и 28 % — у SK hynix, по состоянию на конец 2025 года будут в пять или шесть раз выше, чем на DDR5, что увеличит прибыльность обеих компаний. Рентабельность операционной прибыли Samsung и SK hynix составит более 40 %.